CN105990378A - 影像感测器及其形成方法 - Google Patents

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Abstract

本公开提供一种影像感测器及其形成方法。该影像传感器包含红色像素、绿色像素、蓝色像素和红外线像素，红色滤光片、绿色滤光片和蓝色滤光片分别设置在红色像素、绿色像素和蓝色像素中，红外线通过滤光片设置在红外线像素中，以及红外线滤光片与红色滤光片、绿色滤光片和蓝色滤光片堆叠在一起，此红外线滤光片截止至少具有特定波长的红外光。

Description

影像感测器及其形成方法
技术领域
本发明涉及影像传感器，特别涉及三维检测成像应用例如时差测距(time-of-flight；ToF)技术的影像传感器，其可以收集到纯粹的红外线信号。
背景技术
目前，时差测距(ToF)技术已经广泛地在现代工业中使用，通过互补式金属氧化半导体(complementary metal oxide semiconductor；CMOS)像素阵列与已调整的光源一起使用，以提供三维(three-dimensional；3D)影像。三维时差测距(3D ToF)摄影机已经在许多不同的应用中使用，例如已制成的商品的轮廓检查、电脑辅助设计(computer aided design；CAD)的验证、地理测量以及物体成像等。
三维时差测距(3D ToF)摄影机的运作是使用已调整的光源来照射景物，检测被景物反射的光线，测量在照射与反射之间的相位偏移，并且将此相位偏移转换成距离来实现三维时差测距。通常照射景物的已调整光源是来自于在约850nm的近红外光范围操作的固态激光或发光二极管，此照射景物的光线为人眼不可见，而影像传感器则设计成对于与已调整的光源具有相同光谱的光线有反应，使得影像传感器可以接收已调整的光源照射景物后被反射的光线，并将反射光线的光子能量转变成电流，藉此得到景物的距离(深度)信息。
然而，进入影像传感器的光线包含周围环境的成分与反射的成分，而景物的距离(深度)信息则仅存在于反射的成分中，周围环境成分的掺杂会导致景物的距离(深度)信息的信号对噪声比(signal-to-noise ratio；SNR)降低，通常提高信号对噪声比的方式为减少周围环境成分的干扰。
发明内容
本公开提供的影像传感器具有红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)像素以及红外线(IR)像素整合在单一的影像传感器中，在此影像传感器中，红色、绿色和蓝色信号从位于红色、绿色和蓝色像素的光电二极管获得，而红外线信号则是从位于红外线像素的光电二极管获得。然而，当位于红色、绿色和蓝色像素的光电二极管接收到红外光时，属于红外线信号的噪声将会在红色、绿色和蓝色像素的光电二极管中产生。本公开的影像传感器具有红外线滤光片设置在红色、绿色和蓝色像素中，藉此可避免属于红外线信号的噪声在红色、绿色和蓝色像素的光电二极管中产生。因此，本公开的影像传感器可以从位于红外线像素的光电二极管中得到纯粹的红外线信号的收集，而不会有属于红外线信号的噪声，或者仅有很低的红外线信号的噪声在红色、绿色和蓝色像素中产生，藉此可以提高影像传感器所得到的物体的距离(深度)信息的信号对噪声比(SNR)。
依据一些实施例，提供影像传感器，此影像传感器包括：红色像素、绿色像素、蓝色像素和红外线像素；红色滤光片、绿色滤光片和蓝色滤光片分别设置在红色像素、绿色像素和蓝色像素中；红外线通过滤光片设置在红外线像素中；以及红外线滤光片与红色滤光片、绿色滤光片和蓝色滤光片堆叠在一起，其中红外线滤光片截止了至少具有特定波长的红外光。
依据一些实施例，提供形成影像传感器的方法，此方法包括：提供含有多个光电二极管形成于其中的半导体基底，每一个光电二极管设置在影像传感器的红色像素、绿色像素、蓝色像素以及红外线像素的其中一个像素中；在半导体基底之上形成红外线滤光材料层；除去红外线滤光材料层位于红外线像素的一部分，形成红外线滤光片，此红外线滤光片截止了至少具有特定波长的红外光，并且红外线滤光片具有开口位于红外线像素；形成红色滤光片、绿色滤光片和蓝色滤光片，分别位于红色像素、绿色像素和蓝色像素；以及在红外线滤光片位于红外线像素的开口中形成红外线通过滤光片。
附图说明
为了让本公开的各种实施例的目的、特征、及优点能更明显易懂，以下配合说明书附图作详细说明如下：
图1显示依据一些实施例，影像传感器的一部分的剖面示意图；
图2显示依据一些实施例，用于物体成像的影像传感器的配置示意图；
图3显示依据一些实施例，分别说明影像传感器的红色滤光片、绿色滤光片、蓝色滤光片、选择性的红外线滤光片和红外线截止滤光片的各光学特性的穿透率对波长的附图；
图4A说明分别从影像传感器位于红色像素、绿色像素和蓝色像素的光电二极管所得到的红色、绿色和蓝色信号的穿透率对波长的附图，其中在红色像素、绿色像素和蓝色像素不具有红外线滤光片；
图4B显示依据一些实施例，说明分别从影像传感器位于红色像素、绿色像素和蓝色像素的光电二极管所得到的红色、绿色和蓝色信号的穿透率对波长的附图，其中在红色像素、绿色像素和蓝色像素具有红外线滤光片；
图5显示依据一些其他实施例，影像传感器的一部分的剖面示意图；
图6A-6D显示依据一些实施例，制造图1的影像传感器的各中间阶段的剖面示意图；以及
图7A-7D显示依据一些实施例，制造图5的影像传感器的各中间阶段的剖面示意图。
附图标记说明：
100～影像传感器；
100A～像素阵列区；
100P～周边区；
100R～红色像素；
100G～绿色像素；
100B～蓝色像素；
100IR～红外线像素；
101～半导体基底；
103～光电二极管；
105～高介电常数膜；
107、111～护膜；
109～遮光分隔层；
112～缓冲材料层；
113～图案化缓冲层；
114～红外线滤光材料层；
115～红外线滤光片；
116、118、131～开口；
115SIR～选择性的红外线滤光片；
115IR-cut～红外线截止滤光片；
117R～红色滤光片；
117G～绿色滤光片；
117B～蓝色滤光片；
119～红外线通过滤光片；
120～凹陷；
121～导线层；
123～微透镜结构；
125～双波段通过滤光片；
127～光源单元；
128、128’、128”～红外光；
129～物体；
130～影像传感器装置单元；
λS～特定波长。
具体实施方式
参阅图1，其显示依据本公开的一些实施例，背照式(backsideillumination；BSI)影像传感器100的一部分的剖面示意图。影像传感器100具有多个像素，包含红色像素100R、绿色像素100G、蓝色像素100B和红外线像素100IR，这些像素在像素阵列区100A依序排列成阵列形式，影像传感器100的周边区100P则围绕像素阵列区100A。影像传感器100还包含半导体基底101，半导体基底101含有多个光电二极管103形成于其中，每一个光电二极管103各自设置在这些红色像素100R、绿色像素100G、蓝色像素100B和红外线像素100IR的一个像素中。
影像传感器100还包含导线层121形成在半导体基底101的一表面上，在背照式(BSI)影像传感器100中，导线层121设置在光电二极管103下方。导线层121由多个金属层以及设置在这些金属层之间的多个介电层所组成，这些金属层和介电层可以通过熟知的半导体集成电路的制造技术形成，为了简化附图，在图1中并未绘出这些金属层和介电层。另外，导线层121包含多个电路区，每一个电路区各自对应至一个光电二极管103。在一些实施例中，影像传感器100可以是将红色、绿色、蓝色和红外线像素整合在单一影像感器中的互补式金属氧化半导体(CMOS)影像传感器(CIS)。
在一些实施例中，影像传感器100包含高介电常数膜105形成在半导体基底101的另一表面上，高介电常数膜105设置在光电二极管103上方。影像传感器100还可包含护膜(passivation film)107形成在高介电常数膜105上，以及遮光分隔层(light-shielding partition layer)109形成在护膜107上。遮光分隔层109具有多个分隔物，每一个分隔物设置在影像传感器100的两个相邻像素之间，藉此可避免串音干扰(cross-talk)，并且遮光分隔层109还具有多个开口，这些开口是位于分隔物之间。此外，影像传感器100还可包含另一护膜111覆盖遮光分隔层109，并且护膜111填充在遮光分隔层109的这些开口中。
影像传感器100还包含红色滤光片117R、绿色滤光片117G和蓝色滤光片117B，分别设置在红色像素100R、绿色像素100G和蓝色像素100B中，以及红外线滤光片115设置在红色像素100R、绿色像素100G和蓝色像素100B中，红外线滤光片115与红色滤光片117R、绿色滤光片117G和蓝色滤光片117B堆叠在一起，依据本公开的一些实施例，红外线滤光片115可以截止至少具有一特定波长的红外光。
在一些实施例中，红外线滤光片115可以是选择性的红外线滤光片(selective IR filter)，其仅截止具有特定波长的红外光。在一些其他实施例中，红外线滤光片115则可以是红外线截止滤光片(IR cut-off filter)，其可以截止全部红外线波段内的波长的红外光。依据本公开的实施例，红色滤光片117R、绿色滤光片117G和蓝色滤光片117B与红外线滤光片115的组合可以让具有可见光波段内的波长的红色光、绿色光和蓝色光穿透，并且截止了至少具有特定波长的红外光，被红外线滤光片115所截止的红外光的特定波长将说明如后。
在图1的实施例中，红色滤光片117R、绿色滤光片117G和蓝色滤光片117B设置在红外线滤光片115上。另外，影像传感器100还包含图案化缓冲层113形成在护膜111上，并且图案化缓冲层113位于红色像素100R、绿色像素100G和蓝色像素100B。图案化缓冲层113具有开口在红外线像素100IR，红外线滤光片115形成在图案化缓冲层113上，并且红外线滤光片115也具有开口在红外线像素100IR，在图1的实施例中，图案化缓冲层113可以在形成红外线滤光片115的工艺中作为蚀刻停止层。
影像传感器100还包含红外线通过滤光片(IR pass filter)119设置在红外线像素100IR，红外线通过滤光片119允许具有红外线波段的波长的红外光穿透，红外线通过滤光片119是形成在护膜111上并且位于红外线像素100IR。此外，红外线通过滤光片119还填充在图案化缓冲层113、红外线滤光片115以及红色滤光片117R、绿色滤光片117G和蓝色滤光片117B位于红外线像素100IR的开口中，并且红外线通过滤光片119的顶部表面高于红外线滤光片115的顶部表面。在一些实施例中，红外线通过滤光片119的顶部表面可以与红色滤光片117R、绿色滤光片117G和蓝色滤光片117B的顶部表面齐平。在一些其他实施例中，红外线通过滤光片119的顶部表面则可以低于或高于红色滤光片117R、绿色滤光片117G和蓝色滤光片117B的顶部表面。如图1所示，红外线通过滤光片119还可以设置在影像传感器100的周边区100P，在周边区100P的红外线通过滤光片119具有遮光效果，可以作为遮光元件。
如图1所示，影像传感器100还包含微透镜结构123设置在红色滤光片117R、绿色滤光片117G和蓝色滤光片117B以及红外线通过滤光片119上方。此外，影像传感器100还包含双波段通过滤光片(double band passfilter)125设置在微透镜结构123上方，双波段通过滤光片125可以让具有可见光波段内的第一波长的光以及具有特定红外线波段的第二波长的光穿透，此特定红外线波段的第二波长将说明如后，设置在双波段通过滤光片125下方的影像传感器100的这些元件可以称为影像传感器装置单元130。
参阅图2，其是显示依据一些实施例，用于物体129成像的影像传感器100的配置示意图。如图2所示，影像传感器100还包含光源单元127，其是配置为发出具有特定波段的波长的红外光128照射在物体129上。在一些实施例中，光源单元127发出的红外光128的特定波段的波长与被图1所示的影像传感器100的红外线滤光片115截止的红外光的特定波长一致。此外，光源单元127发出的红外光128的特定波段的波长也与双波段通过滤光片125的特定红外线波段的第二波长一致。在一些实施例中，光源单元127可以是在约850nm的近红外线范围内操作的发光二极管(light-emitting diode；LED)，因此，被红外线滤光片115截止的红外光的特定波长可以是约850nm。此外，双波段通过滤光片125的特定红外线波段的第二波长也可以是约850nm。
如图2所示，被物体129反射的红外光128’会穿透过双波段通过滤光片125到达影像传感器装置单元130，因为双波段通过滤光片125的特定红外线波段的第二波长与光源单元127发出的红外光128的特定波段的波长一致，穿透过双波段通过滤光片125之后到达影像传感器装置单元130的红外光128”也具有与光源单元127发出的红外光128的波长相同的波长。
再参阅图1，上述的红外光128”可以穿透过红外线通过滤光片119，并且被位于红外线像素100IR的光电二极管103接收，藉此取得红外线信号并用于物体129的距离(深度)信息。同时，参阅图3，其是显示依据一些实施例，分别说明影像传感器100的红色滤光片117R、绿色滤光片117G、蓝色滤光片117B、红外线通过滤光片119、选择性的红外线滤光片115SIR和红外线截止滤光片115IR-cut的各光学特性的穿透率对波长的附图。如图3所示，可见光可以穿透过红色滤光片117R、绿色滤光片117G和蓝色滤光片117B，产生在可见光波段内的红色、绿色和蓝色信号。此外，具有从700nm至1200nm的红外线波段的波长的红外光也可以穿透过红色滤光片117R、绿色滤光片117G和蓝色滤光片117B，并且具有高的穿透率。因此，上述的红外光128”也可以穿透过红色滤光片117R、绿色滤光片117G和蓝色滤光片117B，如果红外光128”被位于红色、绿色和蓝色像素中的光电二极管103接收，将会导致红色、绿色和蓝色像素中产生的红色、绿色和蓝色信号掺杂了位于红外线波段的波长处，例如从700nm至1200nm的波长处的属于红外线信号的噪声。
依据本公开的实施例，使用红外线滤光片115与红色滤光片117R、绿色滤光片117G和蓝色滤光片117B堆叠在一起，此红外线滤光片115可以截止至少具有特定波长的红外光，此特定波长与光源单元127发出的红外光128的波长相同，因此，上述的红外光128”将会被红外线滤光片115截止，使得位于红色、绿色和蓝色像素中的光电二极管103不会接收到红外光，或者仅接收到很低穿透率的红外光，如此可以避免属于红外线信号的噪声在影像传感器100的红色、绿色和蓝色像素中产生，使得影像传感器100可以收集到纯粹的红外线信号。
虽然图2中未绘出，来自于自然光线或另一光源的可见光也会被物体129反射而产生反射的可见光，此反射的可见光会穿透过双波段通过滤光片125到达影像传感器装置单元130，并且此反射的可见光将会穿透过红色滤光片117R、绿色滤光片117G和蓝色滤光片117B，被位于红色、绿色和蓝色像素中的光电二极管103接收，藉此得到物体129的彩色影像信息的红色、绿色和蓝色信号。
在此实施例中，与红色滤光片117R、绿色滤光片117G和蓝色滤光片117B堆叠在一起的红外线滤光片115允许具有可见光波段的波长的光穿透，并且截止了具有红外线波段的特定波长的光。在一些实施例中，红外线滤光片115可以是图3所示的选择性的红外线滤光片115SIR，其仅截止具有红外线波段的特定波长λS的光，选择性的红外线滤光片115SIR的此特定波长λS与光源单元127发出的红外光128的波长，例如约850nm一致。在一些其他实施例中，红外线滤光片115可以是图3所示的红外线截止滤光片115IR-cut，其截止了具有全部红外线波段内的波长，例如从700nm至1200nm以上的波长的光。因此，红色滤光片117R、绿色滤光片117G和蓝色滤光片117B与红外线滤光片115的结合允许具有可见光波段的波长的光穿透，并且截止了至少具有特定波长λS的红外光，使得位于红色、绿色和蓝色像素中的光电二极管103不会产生属于红外线信号的噪声，或者仅产生很低的红外线信号的噪声。
如图3所示，在一些实施例中，红外线通过滤光片119允许具有红外线波段的波长，例如从800nm至1200nm以上的波长的红外光穿透，使得红外线信号只从位于红外线像素中的光电二极管103得到，因此，依据本公开的实施例的影像传感器100可以收集到纯粹的红外线信号。
图4A说明分别从影像传感器位于红色像素、绿色像素和蓝色像素的光电二极管中所得到的红色、绿色和蓝色信号的穿透率对波长的附图，此影像传感器在红色像素、绿色像素和蓝色像素不具有红外线滤光片。如图4A所示，影像传感器所得到的红色、绿色和蓝色信号在红外线波段的特定波长λS处具有高的穿透率T1，此特定波长λS与光源单元发出的红外光的特定波段的波长一致，在红外线波段的特定波长λS处的高穿透率T1将会被红色、绿色和蓝色像素中的光电二极管接收，并且产生属于红外线信号的噪声，上述穿透率T1的范围可以从约95％至约15％。
图4B为依据本公开的一些实施例，说明分别从影像传感器100位于红色像素、绿色像素和蓝色像素的光电二极管中所得到的红色、绿色和蓝色信号的穿透率对波长的附图，在影像传感器100的红色像素、绿色像素和蓝色像素中具有红外线滤光片115。如图4B所示，影像传感器100所得到的红色、绿色和蓝色信号在红外线波段的特定波长λS处具有低的穿透率T2，此特定波长λS可以与图2所示的光源单元127发出的红外光128的特定波段的波长一致。位于红色像素、绿色像素和蓝色像素的红外线滤光片115截止了穿透过红色滤光片117R、绿色滤光片117G和蓝色滤光片117B的红外光，因此，红色、绿色和蓝色像素中的光电二极管将不会接收到红外光，或者仅接收到低穿透率T2的红外光，如此将不会有属于红外线信号的噪声，或者仅有很低的红外线信号的噪声在影像传感器100的红色像素、绿色像素和蓝色像素的光电二极管中产生。在一些实施例中，穿透率T2的范围可以从约0％至约2％。
参阅图5，其是显示依据本公开的一些其他实施例，背照式(BSI)影像传感器100的一部分的剖面示意图，图5与图1的差别在于图5的影像传感器100的红色滤光片117R、绿色滤光片117G和蓝色滤光片117B设置在红外线滤光片115底下。此外，图5的影像传感器100没有图案化缓冲层形成在护膜111上。在图5的实施例中，红外线通过滤光片119设置在红外线像素100IR中，并且红外线通过滤光片119还填充在红色滤光片117R、绿色滤光片117G和蓝色滤光片117B的开口中。在一些实施例中，如图5所示，红外线通过滤光片119的顶部表面低于红外线滤光片115的顶部表面，并且在红外线通过滤光片119上方形成了凹陷120，而形成微透镜结构123的材料则会填充在红外线通过滤光片119上方的凹陷120内。在一些其他实施例中，红外线通过滤光片119的顶部表面可以与红外线滤光片115的顶部表面齐平，或者高于红外线滤光片115的顶部表面，其是取决于截止红外光所需的红外线滤光片115的厚度。
在图5的实施例中，设置在红色滤光片117R、绿色滤光片117G和蓝色滤光片117B上方的红外线滤光片115会先截止了至少具有特定波长的红外光，并且让具有可见光波段的波长的光穿透。红外线滤光片115所截止的红外光的特定波长与图2所示的影像传感器100的光源单元127发出的红外光128的特定波段的波长一致，因此，不会有属于红外线信号的噪声，或者仅有很低的红外线信号的噪声在影像传感器100的红色像素、绿色像素和蓝色像素的光电二极管103中产生，藉此影像传感器100可以从红外线像素100IR中的光电二极管103收集到纯粹的红外线信号而不会有噪声产生。
图6A-6D显示依据一些实施例，制造图1的影像传感器100的各中间阶段的剖面示意图。参阅图6A，提供含有多个光电二极管103形成于其中的半导体基底101，每一个光电二极管103是各自设置在红色像素100R、绿色像素100G、蓝色像素100B和红外线像素100IR的一个像素中。在半导体基底101的一表面上形成导线层121，并且导线层121位于光电二极管103下方，导线层121可由多个金属层与多个介电层组成，这些金属层和介电层可以通过熟知的半导体集成电路的制造技术形成。
在半导体基底101的另一表面上形成高介电常数膜105，并且高介电常数膜105位于光电二极管103上方。在高介电常数膜105上形成护膜107，并且在护膜107上形成遮光分隔层109，遮光分隔层109具有多个分隔物各自设置在影像传感器100的两个相邻像素之间，藉此可避免串音干扰。此外，还形成另一护膜111覆盖遮光分隔层109，并且护膜111填充在遮光分隔层109的开口中。
如图6A所示，可以通过涂布工艺在护膜111上形成缓冲材料层112，接着，可以通过涂布工艺在缓冲材料层112的上形成红外线滤光材料层114，并且红外线滤光材料层114位于像素阵列区100A内。
参阅图6B，使用缓冲材料层112作为蚀刻停止层，通过蚀刻工艺除去红外线滤光材料层114位于红外线像素100IR的一部分，以形成红外线滤光片115。然后，通过另一蚀刻工艺除去缓冲材料层112位于红外线像素100IR的一部分，以形成图案化缓冲层113。如此，可在图案化缓冲层113和红外线滤光片115内形成开口116。如前所述，红外线滤光片115截止了至少具有特定波长的红外光。
参阅图6C，在一些实施例中，可以通过涂布和微影工艺，在红外线滤光片115上形成红色滤光片117R、绿色滤光片117G和蓝色滤光片117B，并且分别位于红色像素、绿色像素和蓝色像素。
参阅图6D，在红外线滤光片115的开口116中形成红外线通过滤光片119，并且位于护膜111上。此外，红外线通过滤光片119也形成在周边区100P内的护膜111上。在一些实施例中，可通过涂布工艺形成红外线通过滤光片119，所形成的红外线通过滤光片119的顶部表面可以与红色滤光片117R、绿色滤光片117G和蓝色滤光片117B的顶部表面齐平。在一些其他实施例中，所形成的红外线通过滤光片119的顶部表面则可以低于或高于红色滤光片117R、绿色滤光片117G和蓝色滤光片117B的顶部表面。
接着，在红色滤光片117R、绿色滤光片117G和蓝色滤光片117B以及红外线通过滤光片119上方形成微透镜结构123。然后，提供双波段通过滤光片125设置在微透镜结构123上方，以完成图1的影像传感器100。
图7A-7D显示依据一些实施例，制造图5的影像传感器100的各中间阶段的剖面示意图。参阅图7A，影像传感器100的含有多个光电二极管103形成于其中的半导体基底101、导线层121、高介电常数膜105、护膜107、遮光分隔层109以及另一护膜111可以采用与图6A所述的相同的方式形成，在此实施例中，于护膜111上没有形成图案化缓冲层。
如图7A所示，在护膜111上形成红色滤光片117R、绿色滤光片117G和蓝色滤光片117B，并且分别位于红色像素、绿色像素和蓝色像素中，在一些实施例中，可通过涂布与微影工艺形成红色滤光片117R、绿色滤光片117G和蓝色滤光片117B，并且在红色滤光片117R、绿色滤光片117G和蓝色滤光片117B中形成位于红外线像素100IR的开口118。
参阅图7B，可通过涂布工艺在红色滤光片117R、绿色滤光片117G和蓝色滤光片117B上方形成红外线滤光材料层114，并且红外线滤光材料层114填充在位于红外线像素100IR的开口118中。
参阅图7C，可通过蚀刻工艺除去红外线滤光材料层114位于红外线像素100IR的一部分，以形成红外线滤光片115，并且在红外线滤光片115以及红色滤光片117R、绿色滤光片117G和蓝色滤光片117B中形成开口131。如前所述，红外线滤光片115截止了至少具有特定波长的红外光。
参阅图7D，在护膜111上形成红外线通过滤光片119，并且红外线通过滤光片119填充在位于红外线像素100IR的红外线滤光片115以及红色滤光片117R、绿色滤光片117G和蓝色滤光片117B的开口131中。此外，红外线通过滤光片119也形成在周边区100P的护膜111上。在一些实施例中，可通过涂布工艺形成红外线通过滤光片119，并且所形成的红外线通过滤光片119的顶部表面低于红外线滤光片115的顶部表面，藉此在红外线通过滤光片119上方产生凹陷120。在一些其他实施例中，红外线通过滤光片119的顶部表面也可以与红外线滤光片115的顶部表面齐平，或者高于红外线滤光片115的顶部表面。
接着，在红外线滤光片115和红外线通过滤光片119上方形成微透镜结构123。在一些实施例中，红外线通过滤光片119上方产生凹陷120，因此，形成微透镜结构123的材料也会填充在凹陷120中。然后，提供双波段通过滤光片125设置在微透镜结构123上方，以完成图5的影像传感器100。
在图1和图5的实施例中，影像传感器100为背照式(BSI)影像传感器，在一些其他实施例中，本公开的影像感器也可以是前照式(front-sideillumination；FSI)影像传感器，在前照式(FSI)影像传感器中，图1和图5中的导线层121会转变成设置在光电二极管103上方。另外，图1和图5中的高介电常数膜105、护膜107、遮光分隔层109和另一护膜111也可以省略。前照式(FSI)影像传感器的其他元件，例如图案化缓冲层113、红外线滤光片115、红色滤光片117R、绿色滤光片117G和蓝色滤光片117B、红外线通过滤光片119、微透镜结构123以及双波段通过滤光片125则可以与图1和图5的背照式(BSI)影像传感器100中的这些元件相同。
虽然本发明已公开较佳实施例如上，然其并非用以限定本发明，在此技术领域中技术人员当可了解，在不脱离本发明的精神和范围内，当可做些许变动与润饰。因此，本发明的保护范围当视权利要求所界定为准。

Claims (11)

1.一种影像传感器，包括：
一红色像素、一绿色像素、一蓝色像素和一红外线像素；
一红色滤光片、一绿色滤光片和一蓝色滤光片，分别设置在该红色像素、该绿色像素和该蓝色像素中；
一红外线通过滤光片，设置在该红外线像素中；以及
一红外线滤光片，与该红色滤光片、该绿色滤光片和该蓝色滤光片堆叠在一起，其中该红外线滤光片截止至少具有一特定波长的红外光。
2.如权利要求1所述的影像传感器，还包括一光源单元，该光源单元发出具有一特定波段的波长的红外光照射在一物体上，其中该红外线滤光片截止的该红外光的该特定波长与该光源单元发出的该红外光的该特定波段的波长一致，该红色滤光片、该绿色滤光片和该蓝色滤光片与该红外线滤光片的组合允许具有一可见光波段的波长的红色光、绿色光和蓝色光穿透，并且截止具有该特定波段的波长的该光源单元发出的该红外光。
3.如权利要求1所述的影像传感器，其中该红色滤光片、该绿色滤光片和该蓝色滤光片设置在该红外线滤光片上方，该红外线通过滤光片的一顶部表面高于该红外线滤光片的一顶部表面，并且该红外线通过滤光片的一顶部表面与该红色滤光片、该绿色滤光片和该蓝色滤光片的一顶部表面齐平。
4.如权利要求1所述的影像传感器，其中该红色滤光片、该绿色滤光片和该蓝色滤光片设置在该红外线滤光片底下，该红外线通过滤光片的一顶部表面低于该红外线滤光片的一顶部表面，并且一凹陷形成在该红外线通过滤光片上，且该影像传感器还包括一微透镜结构设置在该红外线滤光片和该红外线通过滤光片上，其中该微透镜结构填充在该红外线通过滤光片上方的该凹陷内。
5.如权利要求1所述的影像传感器，其中该红色滤光片、该绿色滤光片和该蓝色滤光片与该红外线滤光片共同具有一开口，并且该红外线通过滤光片填充在该红色滤光片、该绿色滤光片和该蓝色滤光片与该红外线滤光片共同具有的该开口中。
6.如权利要求1所述的影像传感器，其中该红外线滤光片包括一选择性的红外线滤光片，该选择性的红外线滤光片截止具有一特定波长的红外光；或一红外线截止滤光片，该红外线截止滤光片截止具有全部红外线波段内的波长的红外光。
7.如权利要求1所述的影像传感器，还包括：
一半导体基底含有多个光电二极管形成于其中，其中该半导体基底设置在该红色滤光片、该绿色滤光片、该蓝色滤光片、该红外线滤光片以及该红外线通过滤光片下方；以及
一图案化缓冲层设置在该半导体基底上方，其中该红色滤光片、该绿色滤光片和该蓝色滤光片设置在该红外线滤光片上，该红外线滤光片形成在该图案化缓冲层上，并且该图案化缓冲层具有一开口位于该红外线像素。
8.如权利要求1所述的影像传感器，具有一像素阵列区和一周边区围绕该像素阵列区，其中该红色滤光片、该绿色滤光片、该蓝色滤光片、该红外线滤光片以及该红外线通过滤光片设置在该像素阵列区，并且该红外线通过滤光片设置在该周边区作为一遮光元件。
9.如权利要求1所述的影像传感器，还包括：
一光源单元，其是配置成发出具有一特定波长的红外光照射在一物体上；
一微透镜结构，设置在该红色滤光片、该绿色滤光片、该蓝色滤光片、该红外线滤光片和该红外线通过滤光片上方；以及
一双波段通过滤光片，设置在该微透镜结构上方，其中该双波段通过滤光片允许具有一可见光波段的一第一波长的光与具有一特定红外光波段的一第二波长的光穿透，并且该特定红外光波段的该第二波长与该光源单元发出的该红外光的该特定波长一致。
10.一种影像传感器的形成方法，包括：
提供一半导体基底，含有多个光电二极管形成于其中，其中每一个该光电二极管设置在该影像传感器的一红色像素、一绿色像素、一蓝色像素以及一红外线像素的其中一个像素中；
形成一红外线滤光材料层在该半导体基底之上；
除去该红外线滤光材料层位于该红外线像素的一部分，形成一红外线滤光片，其中该红外线滤光片截止至少具有一特定波长的红外光，并且该红外线滤光片具有一开口位于该红外线像素；
形成一红色滤光片、一绿色滤光片和一蓝色滤光片，分别位于该红色像素、该绿色像素和该蓝色像素中；以及
形成一红外线通过滤光片在该红外线滤光片位于该红外线像素的该开口内。
11.如权利要求10所述的影像传感器的形成方法，还包括：
形成一缓冲材料层在该半导体基底之上；以及
除去该缓冲材料层位于该红外线像素的一部分，形成一图案化缓冲层。
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Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107994014A (zh) * 2016-10-25 2018-05-04 奇景光电股份有限公司 影像感测器
CN108627512A (zh) * 2017-03-24 2018-10-09 德律科技股份有限公司 三维检测装置以及用于三维检测的方法
CN109001927A (zh) * 2018-07-24 2018-12-14 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板、显示装置和显示装置的空间定位方法
CN109308440A (zh) * 2017-07-27 2019-02-05 采钰科技股份有限公司 薄膜准直器及其形成方法
CN109473451A (zh) * 2017-09-07 2019-03-15 采钰科技股份有限公司 影像传感器封装体
CN109922286A (zh) * 2019-03-21 2019-06-21 思特威(上海)电子科技有限公司 Cmos图像传感器及其成像方法
CN110460781A (zh) * 2019-08-26 2019-11-15 Oppo广东移动通信有限公司 一种图像传感器、图像处理方法及存储介质
CN110574367A (zh) * 2019-07-31 2019-12-13 华为技术有限公司 一种图像传感器和图像感光的方法
CN113552663A (zh) * 2021-07-01 2021-10-26 北京极豪科技有限公司 滤光膜及制备方法、滤光片、指纹识别模组及识别方法
US11781905B2 (en) 2021-05-18 2023-10-10 Au Optronics Corporation Optical sensing device and electronic apparatus having the same
TWI842098B (zh) * 2022-09-20 2024-05-11 大陸商廣州印芯半導體技術有限公司 一種圖像感測器及顏色還原方法

Families Citing this family (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011510611A (ja) 2007-02-09 2011-04-07 ザ レジェンツ オブ ザ ユニヴァースティ オブ カリフォルニア 組換え微生物によるバイオ燃料の生成
KR102305998B1 (ko) * 2014-12-08 2021-09-28 엘지이노텍 주식회사 영상 처리 장치
JP2016143851A (ja) * 2015-02-05 2016-08-08 ソニー株式会社 固体撮像素子、および電子装置
US20170201657A1 (en) * 2016-01-10 2017-07-13 Apple Inc. Bandpass filter with variable passband
JP6355862B2 (ja) * 2016-05-19 2018-07-11 三菱電機株式会社 固体撮像装置およびイメージセンサー
WO2018003359A1 (ja) * 2016-07-01 2018-01-04 富士フイルム株式会社 積層型カラーフィルター、キット、積層型カラーフィルターの製造方法および光学センサ
JP6650526B2 (ja) * 2016-08-29 2020-02-19 富士フイルム株式会社 イメージセンサー用カラーフィルター、イメージセンサーおよびイメージセンサー用カラーフィルターの製造方法
US11069730B2 (en) 2016-09-02 2021-07-20 Sony Semiconductor Solutions Corporation Solid-state imaging apparatus, method for manufacturing the same, and electronic device
US10622389B2 (en) * 2016-09-10 2020-04-14 Himax Technologies Limited Image sensor
KR102673815B1 (ko) * 2016-12-05 2024-06-10 삼성전자주식회사 메타필터를 포함하는 적층형 이미지 센서
US10141359B2 (en) 2017-03-01 2018-11-27 Himax Technologies Limited Image sensor
JP6713088B2 (ja) * 2017-03-07 2020-06-24 富士フイルム株式会社 フィルタ、光センサ、固体撮像素子および画像表示装置
TWI639242B (zh) 2017-03-22 2018-10-21 奇景光電股份有限公司 影像感測器及其形成方法
CN108666328B (zh) * 2017-04-01 2020-05-05 奇景光电股份有限公司 影像感测器
JP6878111B2 (ja) 2017-04-21 2021-05-26 ソニーモバイルコミュニケーションズ株式会社 固体撮像装置及び情報処理装置
US12009379B2 (en) * 2017-05-01 2024-06-11 Visera Technologies Company Limited Image sensor
US10670784B2 (en) * 2017-05-17 2020-06-02 Visera Technologies Company Limited Light filter structure and image sensor
CN107172338B (zh) * 2017-06-30 2021-01-15 联想(北京)有限公司 一种摄像头及电子设备
CN207557514U (zh) * 2017-08-07 2018-06-29 杭州美迪凯光电科技有限公司 设有吸收材料的涂布式窄带滤光片
KR102354075B1 (ko) * 2017-08-22 2022-01-24 후지필름 가부시키가이샤 구조체, 구조체의 제조 방법, 흡수층 형성용 조성물, 고체 촬상 소자 및 화상 표시 장치
US10895642B2 (en) * 2017-10-18 2021-01-19 Tdk Taiwan Corp. Distance measuring device
CN107919102B (zh) * 2017-11-22 2019-08-06 Oppo广东移动通信有限公司 电子装置及电子装置的控制方法
US10295482B1 (en) * 2017-12-22 2019-05-21 Visera Technologies Company Limited Spectrum-inspection device and method for forming the same
KR102470004B1 (ko) * 2018-01-23 2022-11-24 삼성전자주식회사 픽셀과 적어도 일부가 겹치도록 배치된 적외선 소자가 구비된 디스플레이 및 이를 포함하는 전자 장치
CN108965703A (zh) * 2018-07-19 2018-12-07 维沃移动通信有限公司 一种图像传感器、移动终端及图像拍摄方法
CN111048535B (zh) 2018-10-15 2022-06-07 联华电子股份有限公司 影像传感器
JP7391041B2 (ja) * 2018-12-11 2023-12-04 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 固体撮像装置及び電子機器
CN113169200A (zh) 2018-12-27 2021-07-23 索尼半导体解决方案公司 成像元件以及成像元件的制造方法
CN112717281B (zh) * 2021-01-14 2022-07-08 重庆翰恒医疗科技有限公司 一种医疗机器人平台及控制方法
CN114120832B (zh) * 2021-11-23 2023-03-21 武汉华星光电技术有限公司 显示面板
US20230317751A1 (en) * 2022-03-31 2023-10-05 Visera Technologies Company Ltd. Image sensor and method of manufacturing the same
WO2024009999A1 (ja) * 2022-07-06 2024-01-11 Ｔｏｐｐａｎホールディングス株式会社 イメージセンサ及びその製造方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007189376A (ja) * 2006-01-12 2007-07-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd 固体撮像装置及びカメラモジュール
US20080122933A1 (en) * 2006-06-28 2008-05-29 Fujifilm Corporation Range image system for obtaining subject image of predetermined distance position
US20100102366A1 (en) * 2008-10-24 2010-04-29 Jong-Jan Lee Integrated Infrared and Color CMOS Imager Sensor
US20110013055A1 (en) * 2009-07-16 2011-01-20 Samsung Electronics Co., Ltd. Optical sensor and semiconductor device
WO2014041742A1 (ja) * 2012-09-14 2014-03-20 パナソニック株式会社 固体撮像装置及びカメラモジュール
CN104041008A (zh) * 2011-11-29 2014-09-10 株式会社理光 图像处理系统、包括图像处理系统的车辆、图像处理方法和计算机程序产品

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61277903A (ja) * 1985-06-03 1986-12-08 Asahi Chem Ind Co Ltd プラスチツク製の赤外線バンドパスフイルタ−
JPH0580213A (ja) 1991-09-18 1993-04-02 Canon Inc カラーフイルター
JP3318947B2 (ja) * 1992-03-05 2002-08-26 ソニー株式会社 固体撮像装置の製造方法
JPH06342146A (ja) * 1992-12-11 1994-12-13 Canon Inc 画像表示装置、半導体装置及び光学機器
US5453611A (en) * 1993-01-01 1995-09-26 Canon Kabushiki Kaisha Solid-state image pickup device with a plurality of photoelectric conversion elements on a common semiconductor chip
US5677202A (en) * 1995-11-20 1997-10-14 Eastman Kodak Company Method for making planar color filter array for image sensors with embedded color filter arrays
US5929432A (en) * 1996-05-30 1999-07-27 Kabushiki Kaisha Toshiba Solid state image sensing device and image sensor using the same
JPH1065135A (ja) 1996-05-30 1998-03-06 Toshiba Corp 固体撮像装置およびこれを用いた画像読取装置
JPH11109125A (ja) * 1997-10-06 1999-04-23 Sony Corp カラーフィルタ及びこれを用いた固体撮像素子、並びにカラーフィルタの製造方法
US7154157B2 (en) * 2002-12-30 2006-12-26 Intel Corporation Stacked semiconductor radiation sensors having color component and infrared sensing capability
JP4311988B2 (ja) 2003-06-12 2009-08-12 アキュートロジック株式会社 固体撮像素子用カラーフィルタおよびこれを用いたカラー撮像装置
JP4286123B2 (ja) 2003-12-22 2009-06-24 三洋電機株式会社 カラー撮像素子およびカラー信号処理回路
JP4705342B2 (ja) 2004-06-22 2011-06-22 日立マクセル株式会社 光学フィルタ
JP4835065B2 (ja) * 2005-08-05 2011-12-14 凸版印刷株式会社 撮像素子の製造方法
JP2007311447A (ja) * 2006-05-17 2007-11-29 Sanyo Electric Co Ltd 光電変換装置
JP4971816B2 (ja) * 2007-02-05 2012-07-11 三洋電機株式会社 撮像装置
JP5074106B2 (ja) * 2007-06-08 2012-11-14 パナソニック株式会社 固体撮像素子及びカメラ
US8446470B2 (en) 2007-10-04 2013-05-21 Magna Electronics, Inc. Combined RGB and IR imaging sensor
KR101776955B1 (ko) * 2009-02-10 2017-09-08 소니 주식회사 고체 촬상 장치와 그 제조 방법, 및 전자 기기
KR20110003696A (ko) * 2009-07-06 2011-01-13 삼성전자주식회사 단일 칩 입체 영상 센서용 광학 필터 배열 및 그 필터 제조 방법
US20110317048A1 (en) * 2010-06-29 2011-12-29 Aptina Imaging Corporation Image sensor with dual layer photodiode structure
KR101736330B1 (ko) * 2010-09-03 2017-05-30 삼성전자주식회사 픽셀, 이미지 센서, 및 이를 포함하는 이미지 처리 장치들
JP5741283B2 (ja) 2010-12-10 2015-07-01 旭硝子株式会社 赤外光透過フィルタ及びこれを用いた撮像装置
JP5713816B2 (ja) 2011-03-16 2015-05-07 株式会社東芝 固体撮像装置及びカメラモジュール
JP2014038189A (ja) * 2012-08-15 2014-02-27 Fuji Xerox Co Ltd 転写装置及びこれを用いた画像形成装置
WO2015159651A1 (ja) 2014-04-14 2015-10-22 シャープ株式会社 光検出装置および固体撮像装置並びにそれらの製造方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007189376A (ja) * 2006-01-12 2007-07-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd 固体撮像装置及びカメラモジュール
US20080122933A1 (en) * 2006-06-28 2008-05-29 Fujifilm Corporation Range image system for obtaining subject image of predetermined distance position
US20100102366A1 (en) * 2008-10-24 2010-04-29 Jong-Jan Lee Integrated Infrared and Color CMOS Imager Sensor
US20110013055A1 (en) * 2009-07-16 2011-01-20 Samsung Electronics Co., Ltd. Optical sensor and semiconductor device
CN104041008A (zh) * 2011-11-29 2014-09-10 株式会社理光 图像处理系统、包括图像处理系统的车辆、图像处理方法和计算机程序产品
WO2014041742A1 (ja) * 2012-09-14 2014-03-20 パナソニック株式会社 固体撮像装置及びカメラモジュール

Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107994014B (zh) * 2016-10-25 2020-06-30 奇景光电股份有限公司 影像感测器
CN107994014A (zh) * 2016-10-25 2018-05-04 奇景光电股份有限公司 影像感测器
CN108627512A (zh) * 2017-03-24 2018-10-09 德律科技股份有限公司 三维检测装置以及用于三维检测的方法
US10841561B2 (en) 2017-03-24 2020-11-17 Test Research, Inc. Apparatus and method for three-dimensional inspection
CN109308440B (zh) * 2017-07-27 2021-06-11 采钰科技股份有限公司 薄膜准直器及其形成方法
CN109308440A (zh) * 2017-07-27 2019-02-05 采钰科技股份有限公司 薄膜准直器及其形成方法
CN109473451A (zh) * 2017-09-07 2019-03-15 采钰科技股份有限公司 影像传感器封装体
CN109001927A (zh) * 2018-07-24 2018-12-14 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板、显示装置和显示装置的空间定位方法
CN109001927B (zh) * 2018-07-24 2021-10-01 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板、显示装置和显示装置的空间定位方法
US11637149B2 (en) 2018-07-24 2023-04-25 Boe Technology Group Co., Ltd. Array substrate, display device and spatial positioning method of display device
CN109922286A (zh) * 2019-03-21 2019-06-21 思特威(上海)电子科技有限公司 Cmos图像传感器及其成像方法
CN110574367A (zh) * 2019-07-31 2019-12-13 华为技术有限公司 一种图像传感器和图像感光的方法
CN110460781A (zh) * 2019-08-26 2019-11-15 Oppo广东移动通信有限公司 一种图像传感器、图像处理方法及存储介质
CN110460781B (zh) * 2019-08-26 2021-10-12 Oppo广东移动通信有限公司 一种图像传感器、图像处理方法及存储介质
US11781905B2 (en) 2021-05-18 2023-10-10 Au Optronics Corporation Optical sensing device and electronic apparatus having the same
CN113552663A (zh) * 2021-07-01 2021-10-26 北京极豪科技有限公司 滤光膜及制备方法、滤光片、指纹识别模组及识别方法
TWI842098B (zh) * 2022-09-20 2024-05-11 大陸商廣州印芯半導體技術有限公司 一種圖像感測器及顏色還原方法

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