WO2015159651A1 - 光検出装置および固体撮像装置並びにそれらの製造方法 - Google Patents

光検出装置および固体撮像装置並びにそれらの製造方法 Download PDF

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利久 後藤
敏雄 吉田
好修 金澤
義満 中嶋
弘治 小林
利夫 深井
仁志 青木
靖 永宗
時崎 高志
太田 敏隆
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シャープ株式会社
独立行政法人産業技術総合研究所
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Definitions

  • the present invention relates to a light detection device, a solid-state imaging device, and methods of manufacturing the same for subjects in a normal illumination environment, a low illumination environment, an extremely low illumination environment, and a zero lux environment.
  • an infrared camera is usually used to shoot a subject in such an extremely low illuminance environment or a zero lux environment.
  • color information cannot be obtained, monochrome photography is performed.
  • color filters that transmit different color components respectively are provided on the light receiving surface, and a plurality of color component photoelectric elements that selectively receive color signals according to the intensity of the different color components upon receiving incident light.
  • a conversion element and an infrared light component transmission filter that transmits an infrared light component are provided on the light receiving surface, and an infrared light signal for correcting an infrared light component included in at least one of the plurality of color signals is received.
  • An infrared light component photoelectric conversion element that selectively outputs the color signal and the infrared light signal output from a color imaging device, and based on the infrared light signal, A color signal processing circuit that controls the gain of at least two signals and adjusts the white balance of the color signal has been proposed (see, for example, Patent Document 1).
  • a solid-state imaging device having a plurality of pixels that receive visible light and infrared light from a subject and convert them into a visible light signal and an infrared light signal, respectively, and the solid-state imaging device for the visible light signal Storage means for storing correction data including correction values for each pixel, correction means for correcting a visible light signal output from the solid-state imaging device based on the correction data stored in the storage means, and the correction Forming the color image signal by obtaining chromaticity information from the corrected visible light signal, obtaining luminance information from the corrected visible light signal and the infrared light signal, and the correction data Has proposed an image input device that is updated at a predetermined timing (see, for example, Patent Document 2).
  • an irradiation unit, an imaging unit, and a color specification setting unit are provided, the irradiation unit irradiates a subject with infrared rays having different wavelength intensity distributions, and the imaging unit has different wavelength intensity distributions reflected by the subject.
  • Image information representing each image is formed by capturing an image of the subject with each infrared ray
  • the color specification setting unit is a table for expressing each of the images represented by the formed image information with different single colors.
  • the color signal processing circuit of Patent Document 1 corrects the infrared light component included in the signal of the color component photoelectric conversion element using the signal of the infrared light component photoelectric conversion element, and is an extremely low illumination environment. It is impossible to photograph a subject in a zero lux environment, which is different from one aspect of the present invention and one embodiment of the present invention disclosed below.
  • Patent Document 2 also needs to acquire a sufficient visible light signal, and cannot shoot a subject in an extremely low illuminance environment or a zero lux environment.
  • Patent Document 3 does not disclose a component according to an aspect of the present invention, an embodiment of the present invention, and a manufacturing method thereof.
  • An object of the present invention is to provide a photodetection device and a solid-state imaging device capable of reproducing a color of a subject and color photographing in a normal illumination environment, a low illumination environment, an extremely low illumination environment, and a zero lux environment, and a method for manufacturing the same. To do.
  • a light detection device includes a first wavelength light having a wavelength in a first wavelength range and a second wavelength having a wavelength in a second wavelength range among light from a subject.
  • An optical filter that transmits wavelength light,..., And nth wavelength light (n is an integer) having a wavelength in the nth wavelength range, the first wavelength light intensity of the first wavelength light, and the first wavelength light of the second wavelength light.
  • a light sensor for detecting at least one of a two-wavelength light intensity, and an n-th wavelength light intensity of the n-th wavelength light, and the first-wavelength light intensity and the second-wavelength light detected by the light sensor Based on at least one of the intensity,..., And the n-th wavelength light intensity, a wavelength range other than at least one of the first wavelength range, the second wavelength range,.
  • An analyzer that estimates the light intensity of light having a wavelength, and Not even between the light intensity of the light having a wavelength in the wavelength range of the light intensity than said at least one of light having a wavelength of one wavelength range, characterized in that the correlation there.
  • another optical detection device includes a plurality of optical filters having different transmission wavelength ranges, and a plurality of optical filters that receive light transmitted through each of the plurality of optical filters.
  • Each of the plurality of optical filters is formed by laminating a plurality of laminated members having a transmittance of 50% or more in the visible light and infrared wavelength regions, and each of the plurality of laminated members is the same.
  • each of the plurality of optical filters has a different refractive index, and reflects light in a predetermined wavelength range to transmit light in another wavelength range, and the plurality of optical filters includes a space or a spacer member. It arrange
  • Another optical detection device may further include a plurality of lenses disposed on the opposite side of the plurality of optical sensors with respect to the plurality of optical filters.
  • Another optical detection device may further include a plurality of lenses arranged between the plurality of optical filters and the plurality of optical sensors.
  • Another light detection device includes a plurality of first lenses disposed on a side opposite to the plurality of optical sensors with respect to the plurality of optical filters, the plurality of optical filters, and the plurality of the plurality of optical filters. You may further provide the some 2nd lens arrange
  • the light from the subject is infrared light
  • the analysis unit detects the first wavelength light intensity, the second wavelength light intensity detected by the light sensor
  • the color under the visible light of the subject reflecting the infrared ray may be estimated based on at least one of the nth wavelength light intensity.
  • Another photodetection device is based on at least one of first wavelength light intensity, second wavelength light intensity,..., And nth wavelength light intensity detected by the plurality of optical sensors.
  • an analysis unit that estimates a color under visible light of the subject that reflects the infrared light may be further provided.
  • a solid-state imaging device includes a composite optical filter array having a plurality of composite optical filters, and an optical sensor array in which a plurality of optical sensors are arranged,
  • Each of the plurality of composite optical filters has a plurality of optical filters having different transmission wavelength ranges, and each of the plurality of optical filters transmits visible light having a predetermined wavelength and infrared light having a predetermined wavelength, and
  • Each of the optical filters is formed by laminating a plurality of laminated members having different refractive indexes, the plurality of optical sensors have sensitivity to the visible light and the infrared light, and each of the plurality of optical filters has a period.
  • the plurality of photosensors are arranged in a planar shape with periodicity.
  • the solid-state imaging device further includes a lens array having a plurality of lenses disposed on the opposite side of the optical sensor array with respect to the composite optical filter array, wherein the plurality of lenses has a periodicity. And may be arranged in a planar shape.
  • the solid-state imaging device further includes a lens array having a plurality of lenses disposed between the composite optical filter array and the photosensor array, wherein the plurality of lenses includes the plurality of optical elements. It may be arranged in a plane with periodicity so as to correspond to the filter.
  • a solid-state imaging device includes a first lens array having a plurality of first lenses disposed on the opposite side of the optical sensor array with respect to the composite optical filter array, and the composite optical filter array. And a second lens array having a plurality of second lenses disposed between the photosensor array, wherein the plurality of first lenses and the plurality of second lenses correspond to the plurality of optical filters. Thus, it may be arranged in a planar shape with periodicity.
  • the optical filter absorbs visible light other than visible light having the predetermined wavelength and infrared light other than infrared light having the predetermined wavelength, so that the predetermined wavelength is Visible light and infrared light having the predetermined wavelength may be transmitted.
  • the optical filter reflects visible light other than visible light having the predetermined wavelength, and infrared light other than infrared light having the predetermined wavelength, so that the predetermined wavelength is Visible light and infrared light having the predetermined wavelength may be transmitted.
  • the laminated member may include at least one of an organic material and an inorganic material.
  • the laminated member may be a dielectric.
  • the shape of the optical filter may be a plate shape, a concave shape, a vessel shape, or a dish shape.
  • the plurality of laminated members may have a plate shape, a concave shape, a bowl shape, or a dish shape.
  • the shape of the optical filter is a cube, a rectangular parallelepiped, a prism, a pyramid, a truncated pyramid, a cylinder, a cone, a truncated cone, an elliptical cylinder, an elliptical cone, an elliptical truncated cone, a drum shape, or It may be barrel-shaped.
  • the width is the size of the optical filter along the plane on which the optical filter is disposed, and the depth is on the plane perpendicular to the size along the plane.
  • the optical filter has the same size or approximate size as the width, the depth and the height when the height is the size of the optical filter perpendicular to the plane. May be.
  • the width is the size of the optical filter along the plane on which the optical filter is disposed, and the depth is on the plane perpendicular to the size along the plane.
  • the optical filter has a width of 10 micrometers or less and a depth of 10 micrometers or less, and the height is the size of the optical filter perpendicular to the plane.
  • a plurality of laminated members having different refractive indexes having a size of 1 micrometer or less in height may be laminated.
  • a space may be formed between the plurality of optical filters.
  • a spacer member may be formed between the plurality of optical filters.
  • Another solid-state imaging device includes a first composite optical filter array, a photosensor array, a space between the first composite optical filter array and the photosensor array, or the first composite optical.
  • a solid-state imaging device including a second composite optical filter array disposed on the opposite side of the photosensor array of the filter array, wherein the first composite optical filter array includes a plurality of first composite optical filters Each of the plurality of first composite optical filters includes a plurality of first optical filters having different transmission wavelength ranges, and the second composite optical filter array includes a plurality of second composite optical filters, Each of the second composite optical filters has a plurality of second optical filters having different transmission wavelength ranges, and each of the plurality of optical filters constituting the plurality of first composite optical filters.
  • Each of the plurality of optical filters constituting the plurality of second composite optical filters is made of an inorganic or organic material, and each of the plurality of optical filters constituting the plurality of first composite optical filters is made of an organic or inorganic material.
  • Each of the filters is arranged in a plane with periodicity, and each of the plurality of optical filters constituting the plurality of second composite optical filters is a plurality of opticals constituting the plurality of first composite optical filters.
  • One of a plurality of optical filters that are arranged in a plane with periodicity so as to correspond to each of the filters and that constitute the plurality of first composite optical filters, and the plurality of first composite optical filters Combining with one of the plurality of optical filters constituting the plurality of second composite optical filters corresponding to the one of the plurality of optical filters constituting
  • the photosensor array includes a plurality of photosensors having sensitivity to the visible light and the infrared, and the plurality of photosensors. Each of them is arranged in a planar manner with periodicity so as to correspond to the plurality of optical filters constituting the plurality of first composite optical filters.
  • the composite optical filter may be made of the same material.
  • the inorganic material may include silicon oxide, silicon nitride, or titanium oxide.
  • each of the plurality of first and second optical filters may be formed by stacking a plurality of stacked members having different refractive indexes.
  • each of the plurality of first and second optical filters includes a plurality of high refraction layers
  • the high refraction layer includes the plurality of first and second refraction layers.
  • the layer is composed of a laminated member having the highest refractive index in the visible light and infrared wavelength regions, and each of the plurality of high refractive layers is refracted. The rate may be different.
  • each of the plurality of first and second optical filters includes a plurality of low-refractive layers, and the low-refractive layer includes the plurality of first and second layers.
  • the layer is composed of a laminated member having the lowest refractive index in the visible light and infrared wavelength regions, and each of the plurality of low refractive layers is refracted. The rate may be different.
  • each of the plurality of first and second optical filters includes a lowermost layer, an uppermost layer, a layer adjacent to the lowermost layer, and a layer adjacent to the uppermost layer.
  • the ratio of the refractive index of the lowermost layer to the refractive index of the layer adjacent to the lowermost layer is 85% to 115%, and the refractive index of the uppermost layer and the refractive index of the layer adjacent to the uppermost layer.
  • the ratio to the rate may be 85% or more and 115% or less.
  • still another solid-state imaging device includes a composite optical filter array having a plurality of composite optical filters, and a photosensor array in which the composite photosensors are arranged.
  • Each of the plurality of composite optical filters includes a first optical filter that transmits light in the first wavelength range group, a second optical filter that transmits light in the second wavelength range group, and the nth wavelength range group.
  • the k-th wavelength range group (k is an integer satisfying 1 ⁇ k ⁇ n), respectively, in the (k, 1) wavelength range.
  • the composite light sensor includes a first light sensor, a second light sensor,..., And an nth light sensor, and the kth light sensor detecting at least one of the light intensities of the (k, 1) wavelength range, the (k, 2) wavelength range,..., and the (k, m) wavelength range;
  • one of the first to nth optical filters includes red light having a red light wavelength region and a wavelength closest to the red light wavelength region. Infrared light having a region may be transmitted.
  • n 3
  • the (1,1) wavelength range is a red wavelength region
  • the (1,2) wavelength range is a first infrared wavelength.
  • the (2,1) wavelength range is a blue wavelength range
  • the (2,2) wavelength range is a second infrared wavelength range
  • the (3,1) wavelength range is green.
  • a wavelength region, the (3, 2) wavelength range is a third infrared wavelength region
  • the second infrared wavelength region is located on a longer wavelength side than the first infrared wavelength region
  • the first The 3 infrared wavelength region may be located on the longer wavelength side than the second infrared wavelength region.
  • the (1,1) wavelength range includes a blue wavelength region and a red wavelength region
  • the (1,2) wavelength range is Including a first infrared wavelength region and a second infrared wavelength region, wherein the (2,1) wavelength range includes a green wavelength region and a blue wavelength region, and the (2,2) wavelength range is second.
  • the (3, 1) wavelength range includes a red wavelength region and a green wavelength region
  • the (3, 2) wavelength range is a first infrared region.
  • a wavelength region and a third infrared wavelength region wherein the second infrared wavelength region is located on a longer wavelength side than the first infrared wavelength region, and the third infrared wavelength region is the second infrared wavelength It may be located on the longer wavelength side than the wavelength region.
  • the (1,1) wavelength range includes a red wavelength region, a green wavelength region, and a blue wavelength region
  • the wavelength range includes a first infrared wavelength region, a second infrared wavelength region, and a third infrared wavelength region
  • the (2,1) wavelength range includes a red wavelength region
  • a wavelength range includes the first infrared wavelength region
  • the (3, 1) wavelength range includes a green wavelength region
  • the (3, 2) wavelength range includes a third infrared wavelength region
  • the second infrared wavelength region may be located on the longer wavelength side than the first infrared wavelength region
  • the third infrared wavelength region may be located on the longer wavelength side than the second infrared wavelength region.
  • the (1,1) wavelength range includes a red wavelength region, a green wavelength region, and a blue wavelength region
  • the wavelength range includes a first infrared wavelength region, a second infrared wavelength region, and a third infrared wavelength region
  • the (2,1) wavelength range includes a green wavelength region
  • a wavelength range includes the third infrared wavelength region
  • the (3, 1) wavelength range includes a blue wavelength region
  • the (3, 2) wavelength range includes a second infrared wavelength region
  • the second infrared wavelength region may be located on the longer wavelength side than the first infrared wavelength region
  • the third infrared wavelength region may be located on the longer wavelength side than the second infrared wavelength region.
  • the (1,1) wavelength range includes a red wavelength region, a green wavelength region, and a blue wavelength region
  • the wavelength range includes a first infrared wavelength region, a second infrared wavelength region, and a third infrared wavelength region
  • the (2,1) wavelength range includes a blue wavelength region
  • a wavelength range includes the second infrared wavelength region
  • the (3, 1) wavelength range includes a red wavelength region
  • the (3, 2) wavelength range includes a first infrared wavelength region
  • the second infrared wavelength region may be located on the longer wavelength side than the first infrared wavelength region
  • the third infrared wavelength region may be located on the longer wavelength side than the second infrared wavelength region.
  • the (1,1) wavelength range includes a red wavelength region, a green wavelength region, and a blue wavelength region
  • the wavelength range includes a first infrared wavelength region, a second infrared wavelength region, and a third infrared wavelength region
  • the (2,1) wavelength range includes a green wavelength region and a blue wavelength region
  • the (2, 2) wavelength range includes the third infrared wavelength region and the second infrared wavelength region
  • the (3, 1) wavelength range includes a blue wavelength region and a red wavelength region
  • the (3, 2) wavelength range includes a second infrared wavelength region and a first infrared wavelength region, and the second infrared wavelength region is located on a longer wavelength side than the first infrared wavelength region
  • the third infrared wavelength region may be located on a longer wavelength side than the second infrared wavelength region.
  • the (1,1) wavelength range includes a red wavelength region, a green wavelength region, and a blue wavelength region
  • the wavelength range includes a first infrared wavelength region, a second infrared wavelength region, and a third infrared wavelength region
  • the (2,1) wavelength range includes a blue wavelength region and a red wavelength region
  • the (2,2) wavelength range includes the second infrared wavelength region and the first infrared wavelength region
  • the (3,1) wavelength range includes a red wavelength region and a green wavelength region
  • the (3, 2) wavelength range includes a first infrared wavelength region and a third infrared wavelength region
  • the second infrared wavelength region is located on a longer wavelength side than the first infrared wavelength region
  • the third infrared wavelength region may be located on a longer wavelength side than the second infrared wavelength region.
  • the (1,1) wavelength range includes a red wavelength region, a green wavelength region, and a blue wavelength region
  • the wavelength range includes a first infrared wavelength region, a second infrared wavelength region, and a third infrared wavelength region
  • the (2,1) wavelength range includes a red wavelength region and a green wavelength region
  • the (2, 2) wavelength range includes the first infrared wavelength region and the third infrared wavelength region
  • the (3, 1) wavelength range includes a green wavelength region and a blue wavelength region
  • the (3, 2) wavelength range includes a third infrared wavelength region and a second infrared wavelength region
  • the second infrared wavelength region is located on a longer wavelength side than the first infrared wavelength region
  • the third infrared wavelength region may be located on a longer wavelength side than the second infrared wavelength region.
  • a laminated member having a transmittance of 50% or more in space or in the wavelength region of visible light and infrared light may be laminated on the first optical filter.
  • the analysis unit transmits the intensity of light transmitted through the first optical filter, the intensity of light transmitted through the second optical filter, and transmitted through the third optical filter.
  • the intensity of light from the subject having the wavelength in the blue wavelength region and the wavelength in the second infrared wavelength region may be calculated based on the intensity of the measured light.
  • the analysis unit transmits the intensity of light transmitted through the first optical filter, the intensity of light transmitted through the second optical filter, and transmitted through the third optical filter. Based on the intensity of the measured light, the intensity of light from the subject having the wavelength in the red wavelength region and the wavelength in the first infrared wavelength region may be calculated.
  • the analysis unit transmits the intensity of light transmitted through the first optical filter, the intensity of light transmitted through the second optical filter, and transmitted through the third optical filter.
  • the intensity of light from the subject having the wavelength in the green wavelength region and the wavelength in the third infrared wavelength region may be calculated based on the intensity of the measured light.
  • the analysis unit transmits the intensity of light transmitted through the first optical filter, the intensity of light transmitted through the second optical filter, and transmitted through the third optical filter.
  • Light from a subject having a wavelength in the red wavelength region, a wavelength in the green wavelength region, a wavelength in the first infrared wavelength region, and a wavelength in the third infrared wavelength region based on the intensity of the measured light May be calculated.
  • the analysis unit transmits the intensity of light transmitted through the first optical filter, the intensity of light transmitted through the second optical filter, and transmitted through the third optical filter.
  • Light from a subject having a wavelength in the blue wavelength region, a wavelength in the green wavelength region, a wavelength in the third infrared wavelength region, and a wavelength in the second infrared wavelength region based on the intensity of the measured light May be calculated.
  • the analysis unit transmits the intensity of light transmitted through the first optical filter, the intensity of light transmitted through the second optical filter, and transmitted through the third optical filter.
  • Light from an object having a wavelength in the blue wavelength region, a wavelength in the red wavelength region, a wavelength in the second infrared wavelength region, and a wavelength in the first infrared wavelength region based on the intensity of the measured light May be calculated.
  • the solid-state imaging device may further include a conversion unit that performs color conversion using matrix calculation.
  • the refractive index of the high refractive layer that transmits light having a wavelength in the blue wavelength region is that of the high refractive layer that transmits light having a wavelength in the green wavelength region.
  • the refractive index may be lower than the refractive index of the high refractive layer that transmits light having a wavelength in the red wavelength region.
  • each of the plurality of composite optical filters may be formed by stacking a plurality of stacked members having different thicknesses.
  • any one of the optical filter and the first to nth optical filters has a refractive index and a thickness of (n 1 , d 1 ), (n 2 , d 2 ), respectively. )... And (n i , d i ), and (n 1 , d 1 ), (n 2 , d 2 )... And (n i , d i )
  • each value (i is an integer)
  • visible light in a predetermined wavelength region and infrared light in a predetermined wavelength region may be transmitted.
  • the plurality of optical filters or the first to nth optical filters have refractive indexes and thicknesses of (n 1 1 , d 1 1 ) and (n 1 ), respectively. 2 , d 1 2 )... And (n 1 i , d 1 i ), (n 2 1 , d 2 1 ), (n 2 2 , d 2 2 )... And (n 2 i , d 2 i ), ..., and (n p 1 , d p 1 ), (n p 2 , d p 2 ) ...
  • the solid-state imaging device may further include an electromagnetic wave irradiation unit that irradiates a subject with an electromagnetic wave.
  • the solid-state imaging device may further include an infrared irradiation unit that irradiates a subject with infrared rays.
  • the solid-state imaging device may further include a visible light irradiation unit that irradiates a subject with visible light.
  • the solid-state imaging device may further include a visible light irradiation unit that irradiates a subject with visible light, and an infrared irradiation unit that irradiates the subject with infrared light.
  • the infrared light may be near infrared light.
  • the spacer member may include an organic material or an inorganic material.
  • the spacer member may have a dimension of 10 micrometers or less.
  • a dimensional ratio of the optical filter to the spacer member along a plane perpendicular to a light transmission direction with respect to the optical filter may be 0.5 or more.
  • the solid-state imaging device includes the optical filter or the first to nth optical filters along a plane perpendicular to a light transmission direction with respect to the first to nth optical filters.
  • a ratio of the dimension of the optical filter along the direction perpendicular to the plane or the dimension of the first to nth optical filters to the dimension of the optical filter may be 0.5 or more.
  • each of the plurality of optical filters has a periodicity and is arranged in a planar shape
  • the plurality of optical sensors has a periodicity and has a planar shape.
  • the period at which the plurality of lenses are arranged may be different from the period at which the plurality of lenses are arranged in a planar shape with periodicity.
  • still another solid-state imaging device includes a composite optical filter array having a plurality of composite optical filters, and a photosensor array in which a plurality of photosensors are arranged.
  • Each of the plurality of composite optical filters has a plurality of optical filters having different transmission wavelength ranges, and each of the plurality of optical filters includes a predetermined wavelength of ultraviolet light, a predetermined wavelength of visible light, and a predetermined wavelength of
  • Each of the plurality of optical filters is formed by laminating a plurality of laminated members having different refractive indexes, and the plurality of optical sensors are sensitive to the ultraviolet light, the visible light, and the infrared light.
  • Each of the plurality of optical filters has a periodicity and is arranged in a planar shape, and the plurality of optical sensors has a periodicity and is arranged in a planar shape.
  • a manufacturing method of a solid-state imaging device includes forming a first optical sensor and a second optical sensor on a semiconductor substrate, and the first optical sensor and the second optical sensor.
  • An insulating film is formed on the semiconductor substrate so as to cover the first optical sensor, and a first optical filter corresponding to the first optical sensor is formed on the insulating film, and a second optical filter corresponding to the second optical sensor is formed.
  • the first and second optical filters have different transmission wavelength ranges, and transmit visible light having a predetermined wavelength and infrared light having a predetermined wavelength.
  • Each optical filter is formed by laminating a plurality of laminated members having different refractive indexes, and the first and second photosensors are sensitive to the visible light and the infrared light.
  • the present invention it is possible to reproduce the color of a subject and perform color photographing in a normal illuminance environment, a low illuminance environment, an extremely low illuminance environment, and a zero lux environment.
  • a light detection device and a solid-state imaging device that can reproduce an appropriate color regardless of day or night, or that can form an appropriate color image, and a method for manufacturing the same.
  • these devices are lightweight and can be reduced in size, they can be carried or installed in any place, so that they can be used for various applications.
  • FIGS. 2A to 2E are diagrams showing optical filters of the photodetector and the solid-state imaging device according to the first embodiment of the present invention
  • FIG. 2F is a diagram showing the waveform of light rays.
  • FIGS. 3A and 3B are diagrams showing the configuration of the photodetecting device according to Embodiment 2 of the present invention and the configuration of the photodetecting device constituting the solid-state imaging device.
  • FIGS. 4A to 4E are views for explaining the operation of the space between the optical filters and the spacer member constituting the photodetector and the solid-state imaging device according to Embodiment 2 of the present invention.
  • FIGS. 5A to 5E are views for explaining a case where there is no space between the optical filters constituting the photodetecting device and the solid-state imaging device according to the second embodiment of the present invention and no action of the spacer member.
  • FIGS. 6A to 6C are diagrams for explaining an installation example of optical filters constituting the photodetecting device and the solid-state imaging device according to Embodiment 3 of the present invention.
  • FIGS. 7A to 7C are diagrams for explaining an installation example of optical filters constituting the photodetector and the solid-state imaging device according to Embodiment 4 of the present invention.
  • FIGS. 8A to 8C are diagrams for explaining an installation example of the optical filter constituting the photodetector and the solid-state imaging device according to the fifth embodiment of the present invention.
  • FIGS. 9A to 9C are diagrams for explaining an installation example of optical filters constituting the photodetector and the solid-state imaging device according to Embodiment 6 of the present invention.
  • (A) to (f) of FIG. 10 are diagrams for explaining an installation example of the optical filter constituting the photodetector and the solid-state imaging device according to Embodiment 7 of the present invention.
  • FIGS. 12A to 12F are views for explaining an installation example of optical filters constituting the photodetector and the solid-state imaging device according to Embodiment 9 of the present invention.
  • FIGS. 13A to 13G are diagrams showing the wavelength dependence of the transmittance of the optical filter constituting the photodetector and the solid-state imaging device according to the present invention. It is a figure which shows the structure of the solid-state imaging device which concerns on Embodiment 10 of this invention. It is sectional drawing of the solid-state imaging device which concerns on Embodiment 10. FIG. FIG.
  • FIG. 16A is a cross-sectional view of the inorganic film optical filter unit according to the tenth embodiment
  • FIGS. 16B and 16C are graphs showing the wavelength dependence of the intensity of each light beam that has passed through the optical filter.
  • 17A to 17G are diagrams showing a method for manufacturing the solid-state imaging device according to the tenth embodiment.
  • FIG. 19A is a diagram showing the structure of the first optical filter and the second optical filter
  • FIG. 19B is an expression comparing the refractive indexes of the respective high refractive layers.
  • 20A is a graph showing the refractive index of the inorganic film optical filter
  • FIG. 20B is a graph showing the wavelength dependence of the absorption coefficient of the inorganic film optical filter.
  • FIG. 21A shows an example of the refractive index and film thickness of the first to third optical filters
  • FIG. 21B shows the wavelength dependence of the transmittance of the optical filter.
  • FIG. 24A and 24B are diagrams illustrating a method for manufacturing the solid-state imaging device according to the eleventh embodiment. It is a figure which shows the structure of the solid-state imaging device which concerns on Embodiment 12 of this invention. It is sectional drawing of the solid-state imaging device concerning Embodiment 12.
  • FIG. 27A to 27D are views showing a method for manufacturing the solid-state imaging device according to the twelfth embodiment. It is a figure which shows the structure of the solid-state imaging device which concerns on Embodiment 13 of this invention. It is sectional drawing of the solid-state imaging device which concerns on Embodiment 13.
  • FIG. 30A and 30B are views showing a method for manufacturing the solid-state imaging device according to the thirteenth embodiment.
  • FIG. 31A is a diagram showing a configuration of a solid-state imaging apparatus according to Embodiment 14 of the present invention.
  • FIG. 31B is a diagram illustrating the configuration of another solid-state imaging device according to the fourteenth embodiment. It is sectional drawing of the solid-state imaging device concerning Embodiment 14.
  • FIG. 31A is a diagram showing a configuration of a solid-state imaging apparatus according to Embodiment 14 of the present invention.
  • FIG. 31B is a diagram illustrating the configuration of another solid-state imaging device according to the fourteenth embodiment. It is section
  • FIG. 33A is a graph showing the wavelength dependence of the transmittance of the organic film optical filter for obtaining the second optical filter characteristics
  • FIG. 33B is the wavelength of the transmittance of the inorganic optical filter
  • FIG. 33C is a graph showing the wavelength dependence of the total transmittance.
  • 34A to 34C are views showing a method of manufacturing the solid-state imaging device according to the fourteenth embodiment. It is sectional drawing of the solid-state imaging device concerning Embodiment 14.
  • 36A is a graph showing the wavelength dependence of the transmittance of the organic film optical filter for obtaining the third optical filter characteristics
  • FIG. 36B is the wavelength of the transmittance of the inorganic optical filter.
  • 36 is a graph showing the dependence
  • FIG. 36C is a graph showing the wavelength dependence of the total transmittance. It is sectional drawing of the solid-state imaging device concerning Embodiment 14.
  • FIG. 38A is a graph showing the wavelength dependence of the transmittance of the organic film optical filter for obtaining the first optical filter characteristics
  • FIG. 38B is the wavelength of the transmittance of the inorganic optical filter.
  • 38 is a graph showing the dependence
  • FIG. 38C is a graph showing the wavelength dependence of the total transmittance.
  • FIG. 17 is a cross-sectional view of a solid-state imaging device according to Embodiment 15.
  • 40A to 40F are views showing a method of manufacturing the solid-state imaging device according to the fifteenth embodiment.
  • 41 (a) and 41 (b) are color photographs at the time of irradiation with visible light and infrared light, which are imaged by the solid-state imaging device of the present invention.
  • FIG. 1 is a diagram illustrating a configuration of the photodetecting device 1 according to the first embodiment.
  • the light detection device 1 includes an optical filter 2.
  • the optical filter 2 includes a first wavelength light having a wavelength in the first wavelength range, a second wavelength light having a wavelength in the second wavelength range, and a wavelength in the nth wavelength range among the light rays L1 incident from the subject.
  • the n-th wavelength light (n is an integer) is transmitted.
  • the light beam L2 includes first wavelength light, second wavelength light,... And nth wavelength light.
  • the light detection device 1 is provided with a light sensor 3.
  • the optical sensor 3 detects at least one of the first wavelength light intensity of the first wavelength light, the second wavelength light intensity of the second wavelength light,... And the nth wavelength light intensity of the n wavelength light as information T. To do. There is a correlation between the first wavelength light intensity, the second wavelength light intensity,..., And the nth wavelength light intensity.
  • the light detection device 1 includes an analysis unit 4. Based on at least one of the first wavelength light intensity, the second wavelength light intensity,..., And the nth wavelength light intensity detected by the optical sensor 3, the analysis unit 4 has a first wavelength range and a second wavelength range. ,... And the light intensity of light having a wavelength in a wavelength range other than at least one of the nth wavelength ranges is estimated.
  • a light ray L1 is assumed to be light from a subject or an object, and as light from the subject or object, light reflected from the subject or object, light emitted from the object or object, There are light passing through the object, combinations thereof, and the like.
  • the illumination light may include ultraviolet rays, visible rays, and infrared rays with specific wavelength intensity distributions during the daytime when sunlight is strong. Further, in the night without sunlight, the wavelength intensity distribution of artificial illumination light is included. Artificial illumination light generally includes infrared illumination in addition to white illumination. Note that the white illumination includes incandescent lamps, fluorescent lamps, LED lighting, and the like, and they may include infrared rays.
  • a subject or an object when a subject or an object reflects m-th wavelength light having a wavelength in the m-th wavelength range and n-th wavelength light having a wavelength in the n-th wavelength range with a specific intensity or wavelength intensity distribution, respectively, It can be said that there is a correlation between the mth wavelength light intensity or wavelength intensity distribution of the mth wavelength light reflected by the object and the nth wavelength light intensity or wavelength intensity distribution of the nth wavelength light.
  • m and n are integers.
  • the optical filter 2 is set so as to transmit the m-th wavelength light in the m-th wavelength light range and the n-th wavelength light in the n-th wavelength light range
  • the optical sensor 3 is set in the m-th wavelength light range.
  • the wavelength light and the nth wavelength light in the nth wavelength light range are set to be detected.
  • the optical sensor 3 detects only the nth wavelength light intensity.
  • the analysis unit 4 reflects the mth wavelength reflected by the subject or the object even if the mth wavelength light is not included in the light beam L1.
  • the light intensity can be estimated based on the correlation.
  • the optical sensor 3 detects only the mth wavelength light intensity.
  • the analysis unit 4 reflects the nth wavelength reflected by the subject or the object even if the light ray L1 does not contain the nth wavelength light.
  • the light intensity can be estimated based on the correlation.
  • the subject or the object reflects the mth wavelength light and the nth wavelength light with a certain intensity
  • the light beam L1 is composed of the nth wavelength light or the mth wavelength light
  • the optical filter 2 is the mth wavelength light. This is a case where the wavelength light and the nth wavelength light are transmitted, but there are other cases where the subject or the object reflects the first to nth wavelength light with a certain intensity distribution.
  • the analysis unit 4 is based on at least one of the first wavelength light intensity, the second wavelength light intensity,..., And the nth wavelength light intensity detected by the optical sensor 3. It can be said that the light intensity reflected by a subject or object having a wavelength in a wavelength range other than at least one of the first wavelength range, the second wavelength range,..., And the nth wavelength range can be estimated.
  • light reflected from a subject or an object can be expressed by being replaced with light from the object or the object such as light emitted from the object or the object, light transmitted through the object or the object, or a combination thereof.
  • a long wavelength cut filter, a short wavelength cut filter, a band pass filter, a dummy filter or an ND filter is provided on the light beam L1 side of the optical filter 2 and that information is input or set in the analysis unit 4.
  • the solid-state imaging device preferably includes the light detection device 1.
  • the light detection device 1 can function as a solid-state imaging device according to the present invention. At that time, the wavelength of the light source may be changed for each scanning.
  • FIGS. 2A to 2E are views showing the optical filter 2 of the photodetecting device 1 according to the first embodiment, and FIG. 2F is a view showing the waveform of light rays.
  • the optical filter 2 can be formed by a plurality of different laminated members S1 to S6.
  • stacking member was six layers was demonstrated, it is not limited to this, Arbitrary number of layers can be set so that it may mention later.
  • FIGS. 3A and 3B are diagrams showing the configuration of the photodetectors 1a and 1h according to the second embodiment.
  • the 3A includes a composite optical filter 5a and an optical sensor array 6.
  • the composite optical filter 5a has optical filters 2a to 2d arranged in 2 rows and 2 columns and into which the light beam L3 is incident.
  • a plurality of laminated members having a transmittance of 50% or more in the visible light and infrared wavelength regions are laminated.
  • the optical filter 2a transmits the first wavelength light having a wavelength in the first wavelength range by reflecting light having a wavelength outside the first wavelength range in the light from the subject.
  • the optical filter 2b transmits the second wavelength light having a wavelength in the second wavelength range by reflecting light having a wavelength outside the second wavelength range among the light from the subject.
  • the optical filter 2c transmits the third wavelength light having a wavelength in the third wavelength range by reflecting light having a wavelength outside the third wavelength range in the light from the subject.
  • the optical filter 2d transmits the fourth wavelength light having a wavelength in the fourth wavelength range by reflecting light having a wavelength outside the fourth wavelength range among the light from the subject.
  • Each of the optical filters 2a to 2d can transmit light in other wavelength ranges by reflecting light in a predetermined wavelength range.
  • light in other wavelength ranges may not coincide with light in wavelengths other than the predetermined wavelength range.
  • Other wavelength ranges may overlap with the predetermined wavelength range.
  • a space SP is formed between the optical filters 2a to 2d in order to prevent the interaction between the light rays that ooze out from the respective side surfaces of the optical filters 2a to 2d or the occurrence of crosstalk.
  • the optical sensor array 6 includes optical sensors 3a to 3d arranged corresponding to the optical filters 2a to 2d, respectively.
  • the optical sensor 3a detects the first wavelength light intensity of the first wavelength light transmitted through the optical filter 2a.
  • the optical sensor 3b detects the second wavelength light intensity of the second wavelength light transmitted through the optical filter 2b.
  • the optical sensor 3c detects the third wavelength light intensity of the third wavelength light transmitted through the optical filter 2c.
  • the optical sensor 3d detects the fourth wavelength light intensity of the fourth wavelength light transmitted through the optical filter 2d.
  • the photodetector 1h shown in FIG. 3 (b) in order to prevent the occurrence of interaction or crosstalk between the optical filters 2a to 2d and the light rays that ooze out from the respective side surfaces of the optical filters 2a to 2d.
  • the spacer member 7 is formed.
  • Other configurations are the same as the configuration of the photodetecting device 1a in FIG.
  • FIG. 4 is a diagram conceptually showing the wavelength of the light beam L3 with respect to the cross-sectional view of the composite optical filter 5b shown along the cross-section AA shown in FIG.
  • the spacer member 7 can prevent the light beam L3 in the optical filter 2a from leaking into the adjacent optical filters 2b and 2c. For this reason, it becomes easy to control the light rays reflected or transmitted through each of the optical filters 2a to 2d.
  • optical filters 2a to 2d are installed without the space SP and the spacer member 7 as shown in FIG. 5, adjacent optical filters 2b and 2c are shown as waveforms W1 to W5 shown in FIG.
  • the light rays in the optical filter 2a ooze out, and each light ray causes interaction or crosstalk. This makes it difficult to control the light rays that are reflected or transmitted through each of the optical filters 2a to 2d.
  • the solid-state imaging device preferably includes the light detection device 1a or 1h.
  • the light detection device 1a or the light detection device 1h when scanned on a plane like a raster scan, it can function as a solid-state imaging device according to the present invention.
  • FIGS. 6A to 6C are diagrams for explaining an installation example of optical filters constituting the photodetecting device and the solid-state imaging device according to Embodiment 3 of the present invention.
  • the composite optical filter 5b includes square optical filters 2a to 2d arranged in 2 rows and 2 columns, and a spacer member 7a formed between the optical filters 2a to 2d. Have.
  • the composite optical filter 5c includes a square optical filter 2b ⁇ 2d, a rectangular optical filter 2e, and a spacer member 7b formed between the optical filters 2b ⁇ 2d ⁇ 2e.
  • the composite optical filter 5d includes a rhombic optical filter 2f, 2g, and 2h, and a spacer member 7c formed between the optical filters 2f, 2g, and 2h.
  • FIGS. 7A to 7C are diagrams for explaining an installation example of optical filters constituting the light detection device and the solid-state imaging device according to the fourth embodiment.
  • the composite optical filter 5e includes four circular optical filters 2i to 2l and a spacer member 7d formed between the optical filters 2i to 2l.
  • the composite optical filter 5f is formed between two circular optical filters 2n ⁇ 2o, a racetrack-shaped optical filter 2m, and an optical filter 2n ⁇ 2o ⁇ 2m.
  • the composite optical filter 5g includes three elliptical optical filters 2p, 2q, and 2r, and a spacer member 7f formed between the optical filters 2p, 2q, and 2r. .
  • FIGS. 8A to 8C are diagrams for explaining an installation example of optical filters constituting the light detection device and the solid-state imaging device according to the fifth embodiment.
  • the composite optical filter 5b square-shaped optical filters 2a to 2d are arranged in 2 rows and 2 columns with spacer members 7a interposed therebetween.
  • the optical filter 2a transmits “green wavelength region (G)” and “third infrared wavelength region (IR3)”, and the optical filters 2b and 2c transmit “red wavelength region (R). ) ”And“ first infrared wavelength region (IR1) ”are transmitted, and the optical filter 2d transmits“ blue wavelength region (B) ”and“ second infrared wavelength region (IR2) ”.
  • first infrared wavelength region IR1
  • second infrared wavelength region IR2
  • third infrared wavelength region IR3
  • the optical filter 2a transmits the “blue wavelength region (B)” and the “second infrared wavelength region (IR2)”, and the optical filters 2b and 2c transmit the “green wavelength region (G ) "And” third infrared wavelength region (IR3) "are transmitted, and the optical filter 2d transmits” red wavelength region (R) "and” first infrared wavelength region (IR1) ".
  • the optical filter 2a transmits the “red wavelength region (R)” and the “first infrared wavelength region (IR1)”, and the optical filters 2b and 2c transmit the “blue wavelength region (B). ) "And” second infrared wavelength region (IR2) "are transmitted, and the optical filter 2d transmits” green wavelength region (G) “and” third infrared wavelength region (IR3) ".
  • the intensity of visible light having a wavelength of “red wavelength region (R)” that has passed through each optical filter 2a to 2d is represented by R
  • the intensity of visible light having a wavelength of “green wavelength region (G)” is represented by G
  • the intensity of visible light having a wavelength of “blue wavelength region (B)” is represented by B
  • the intensity of infrared light having a wavelength of “first infrared wavelength region (IR1)” is represented by IR1
  • “second” Infrared intensity having a wavelength of “infrared wavelength region (IR2)” is represented by IR2
  • infrared intensity having a wavelength of “third infrared wavelength region (IR3)” is represented by IR3.
  • A0 (R + IR1) detected by the optical sensors 3a to 3d is represented by the three primary colors “R”
  • b0 (G + IR3) is represented by the three primary colors “G”
  • c0 (B + IR2) is represented by the three primary colors “B”. It is possible to color.
  • a0, b0, and c0 represent coefficients, and can be appropriately adjusted according to the detection rates of the optical sensors 3a to 3d.
  • FIGS. 9A to 9C are diagrams for explaining an installation example of optical filters constituting the light detection device and the solid-state imaging device (light detection device) according to the sixth embodiment.
  • the optical filter 2a transmits the “M wavelength region”, the “first infrared wavelength region (IR1)”, and the “second infrared wavelength region (IR2)”.
  • the filters 2b and 2c transmit “C wavelength region”, “second infrared wavelength region (IR2)”, and “third infrared wavelength region (IR3)”, and the optical filter 2d transmits “Y wavelength region”, The “third infrared wavelength region (IR3)” and “first infrared wavelength region (IR1)” are transmitted.
  • C wavelength region represents “green wavelength region (G)” and “blue wavelength region (B)”
  • M wavelength region represents “blue wavelength region (B)” and “red wavelength region”.
  • R) ”and“ Y wavelength region ” represent“ red wavelength region (R) ”and“ green wavelength region (G) ”, and so on.
  • the optical filter 2a transmits the “Y wavelength region”, the “third infrared wavelength region (IR3)”, and the “first infrared wavelength region (IR1)”, and the optical filter 2a transmits the optical filter 2a.
  • the filters 2b and 2c transmit “M wavelength region”, “first infrared wavelength region (IR1)”, and “second infrared wavelength region (IR2)”, and the optical filter 2d transmits “C wavelength region”, The “second infrared wavelength region (IR2)” and “third infrared wavelength region (IR3)” are transmitted.
  • the optical filter 2a transmits the “C wavelength region”, the “second infrared wavelength region (IR2)”, and the “third infrared wavelength region (IR3)”, and the optical filter 2a transmits the optical filter 2a.
  • the filters 2b and 2c transmit the “Y wavelength region”, the “third infrared wavelength region (IR3)”, and the “first infrared wavelength region (IR1)”, and the optical filter 2d transmits the “M wavelength region”, The “first infrared wavelength region (IR1)” and “second infrared wavelength region (IR2)” are transmitted.
  • red wavelength region (R) “green wavelength region (G)”, “blue wavelength region (B)”, “C wavelength region”, “M wavelength region”, “Y wavelength”
  • region “first infrared wavelength region (IR1)”, “second infrared wavelength region (IR2)” or “third infrared wavelength region (IR3)” are also possible.
  • the intensity of visible light having a wavelength of “C wavelength region” transmitted through each of the optical filters 2a to 2d is represented by C
  • the intensity of visible light having a wavelength of “M wavelength region” is represented by M
  • “Y wavelength” The intensity of visible light having a wavelength of “region” is represented by Y.
  • a02 (C + IR2 + IR3) detected by each of the optical sensors 3a to 3d is represented by “C” of the three primary colors
  • b02 (M + IR1 + IR2) Can be represented by the three primary colors “M”
  • c02 (Y + IR1 + IR3) can be represented by the three primary colors “Y”.
  • a02, b02, and c02 represent coefficients, and can be appropriately adjusted according to the transmittance of each of the optical filters 2a to 2d, the detection rate of each of the optical sensors 3a to 3d, and the like.
  • the intensity of visible light from the subject in the “red wavelength region (R)”, “green wavelength region (G)”, and “blue wavelength region (B)” is denoted by W0, and “first infrared wavelength region (IR1 ) ”,“ Second infrared wavelength region (IR2) ”and“ third infrared wavelength region (IR3) ”, the intensity of infrared rays is represented by IR0.
  • a03, b03, c03, and d0 represent coefficients and can be adjusted as appropriate.
  • FIG. 10A (Other configuration examples of optical filters) (A) to (f) of FIG. 10 are diagrams for explaining an installation example of the optical filter constituting the photodetecting device and the solid-state imaging device according to the seventh embodiment.
  • the optical filter 2a transmits the “W wavelength region” and the “infrared wavelength region (IR)”
  • the optical filters 2b and 2c transmit the “red wavelength region (R)” and the “first wavelength region”.
  • the “1 infrared wavelength region (IR1)” is transmitted
  • the optical filter 2d transmits the “green wavelength region (G)” and the “third infrared wavelength region (IR3)”.
  • W wavelength region represents “red wavelength region (R)”, “green wavelength region (G)”, and “blue wavelength region (B)”, and “IR wavelength region” represents “first red wavelength region”.
  • IR1 Outside wavelength region
  • IR2 Surface wavelength region
  • IR3 Tin infrared wavelength region
  • the visible light intensity of the “red wavelength region (R)”, “green wavelength region (G)”, and “blue wavelength region (B)” transmitted through each of the optical filters 2a to 2d is represented by W
  • Infrared intensities in the “infrared wavelength region (IR1)”, “second infrared wavelength region (IR2)” and “third infrared wavelength region (IR3)” are represented by IR.
  • a1, b1, and c1 represent coefficients, and can be appropriately adjusted according to the transmittance of each of the optical filters 2a to 2d, the detection rate of each of the optical sensors 3a to 3d, and the like.
  • the optical filter 2a transmits the “W wavelength region” and the “infrared wavelength region (IR)”, and the optical filters 2b and 2c transmit the “green wavelength region (G)” and the “first wavelength region”. “3 infrared wavelength region (IR3)” is transmitted, and the optical filter 2d transmits “blue wavelength region (B)” and “second infrared wavelength region (IR2)”.
  • the optical filter 2a transmits the “W wavelength region” and the “infrared wavelength region (IR)”, and the optical filters 2b and 2c transmit the “blue wavelength region (B)” and the “first wavelength region”.
  • “2 infrared wavelength region (IR2)” is transmitted, and the optical filter 2d transmits "red wavelength region (R)” and “first infrared wavelength region (IR1)”.
  • the optical filter 2a transmits the “W wavelength region” and the “infrared wavelength region (IR)”, and the optical filters 2b and 2c transmit the “red wavelength region (R)” and the “first wavelength region”.
  • the “1 infrared wavelength region (IR1)” is transmitted, and the optical filter 2d transmits the “blue wavelength region (B)” and the “second infrared wavelength region (IR2)”.
  • the optical filter 2a transmits the “W wavelength region” and the “infrared wavelength region (IR)”, and the optical filters 2b and 2c transmit the “green wavelength region (G)” and the “first wavelength region”.
  • the “3 infrared wavelength region (IR3)” is transmitted, and the optical filter 2d transmits the “red wavelength region (R)” and the “first infrared wavelength region (IR1)”.
  • the optical filter 2a transmits the “W wavelength region” and the “infrared wavelength region (IR)”, and the optical filters 2b and 2c transmit the “blue wavelength region (B)” and the “first wavelength region”.
  • “2 infrared wavelength region (IR2)” is transmitted, and the optical filter 2d transmits "green wavelength region (G)” and "third infrared wavelength region (IR3)”.
  • FIG. 11 are diagrams for explaining an installation example of an optical filter constituting the light detection device and the solid-state imaging device according to the eighth embodiment.
  • the optical filters 2a to 2d are arranged via the spacer member 7a.
  • the optical filter 2a transmits the “W wavelength region” and the “infrared wavelength region (IR)”, and the optical filters 2b and 2c transmit the “C wavelength region” and the “second infrared wavelength”.
  • a20 (C + IR2 + IR3) detected by each optical sensor is represented by three primary colors “C”
  • b20 (M + IR1 + IR2) is represented by three primary colors “M”
  • (Y + IR1 + IR3) can be represented by the three primary colors “Y”.
  • a20, b20 and c20 represent coefficients and can be adjusted as appropriate.
  • the CMY color system information can be converted into RGB color system information.
  • the optical filter 2a transmits the “W wavelength region” and the “infrared wavelength region (IR)”, and the optical filters 2b and 2c transmit the “M wavelength region” and the “first infrared wavelength”.
  • Region (IR1) ”and“ second infrared wavelength region (IR2) ” are transmitted, and the optical filter 2d has“ Y wavelength region ”,“ third infrared wavelength region (IR3) ”and“ first infrared wavelength region ( IR1) "is transmitted.
  • the CMY color system information can be converted into RGB color system information.
  • b21 (M + IR1 + IR2) detected by each optical sensor is represented by the three primary colors “M”
  • c21 (Y + IR1 + IR3) is represented by the three primary colors “Y”
  • a21 regarding C + IR2 + IR3 obtained by the above calculation It is possible to represent (C + IR2 + IR3) with the three primary colors “C”.
  • a21, b21, and c21 represent coefficients and can be adjusted as appropriate.
  • the CMY color system information can be converted into RGB color system information.
  • the optical filter 2a transmits the “W wavelength region” and the “infrared wavelength region (IR)”, and the optical filters 2b and 2c transmit the “Y wavelength region” and the “third infrared wavelength”.
  • the CMY color system information can be converted into RGB color system information.
  • c22 (Y + IR1 + IR3) detected by each optical sensor is represented by the three primary colors “Y”
  • a22 (C + IR2 + IR3) is represented by the three primary colors “C”
  • a22, b22 and c22 represent coefficients and can be adjusted as appropriate.
  • the CMY color system information can be converted into RGB color system information.
  • the optical filter 2a transmits the “W wavelength region” and the “infrared wavelength region (IR)”, and the optical filters 2b and 2c transmit the “C wavelength region” and the “second infrared wavelength”.
  • a23 (C + IR2 + IR3) detected by each optical sensor is represented by three primary colors “C”
  • c23 (Y + IR1 + IR3) is represented by three primary colors “Y”
  • a23, b23, and c23 represent coefficients and can be adjusted as appropriate.
  • the CMY color system information can be converted into RGB color system information.
  • the optical filter 2a transmits the “W wavelength region” and the “infrared wavelength region (IR)”, and the optical filters 2b and 2c transmit the “M wavelength region” and the “first infrared wavelength”.
  • b24 (M + IR1 + IR2) detected by each optical sensor is represented by the three primary colors “M”
  • a24 (C + IR2 + IR3) is represented by the three primary colors “C”
  • (Y + IR1 + IR3) can be represented by the three primary colors “Y”.
  • a24, b24 and c24 represent coefficients and can be adjusted as appropriate.
  • the CMY color system information can be converted into RGB color system information.
  • the optical filter 2a transmits “W wavelength region” and “infrared wavelength region (IR)”, and the optical filters 2b and 2c transmit “Y wavelength region” and “third infrared wavelength”.
  • c25 (Y + IR1 + IR3) detected by each optical sensor is represented by the three primary colors “Y”
  • b25 (M + IR1 + IR2) is represented by the three primary colors “M”
  • a25 regarding Y + IR1 + IR3 obtained by the above calculation. It is possible to represent (C + IR2 + IR3) with the three primary colors “C”.
  • a25, b25 and c25 represent coefficients and can be adjusted as appropriate.
  • the CMY color system information can be converted into RGB color system information.
  • FIGS. 12A to 12F are diagrams for explaining an installation example of optical filters constituting the light detection device and the solid-state imaging device according to the ninth embodiment.
  • the optical filters 2a to 2d are arranged via the spacer member 7a.
  • the optical filters 2a and 2d transmit the “W wavelength region” and the “infrared wavelength region (IR)”, and the optical filter 2b transmits the “red wavelength region (R)” and the “first wavelength region”.
  • “1 infrared wavelength region (IR1)” is transmitted, and the optical filter 2c transmits "green wavelength region (G)” and "third infrared wavelength region (IR3)”.
  • the optical filters 2a and 2d transmit the “W wavelength region” and the “infrared wavelength region (IR)”, and the optical filter 2b transmits the “green wavelength region (G)” and the “first wavelength region”.
  • “3 infrared wavelength region (IR3)” is transmitted, and the optical filter 2c transmits "blue wavelength region (B)” and “second infrared wavelength region (IR2)”.
  • the optical filters 2a and 2d transmit the “W wavelength region” and the “infrared wavelength region (IR)”, and the optical filter 2b transmits the “blue wavelength region (B)” and the “first wavelength region”.
  • “2 infrared wavelength region (IR2)” is transmitted, and the optical filter 2c transmits "red wavelength region (R)” and “first infrared wavelength region (IR1)”.
  • the optical filters 2a and 2d transmit the “W wavelength region” and the “infrared wavelength region (IR)”, and the optical filter 2b transmits the “C wavelength region” and the “second infrared wavelength”.
  • the CMY color system information can be converted into RGB color system information.
  • the optical filters 2a and 2d transmit the “W wavelength region” and the “infrared wavelength region (IR)”, and the optical filter 2b transmits the “M wavelength region” and the “first infrared wavelength”.
  • Region (IR1) ”and“ second infrared wavelength region (IR2) ” are transmitted, and the optical filter 2c is“ Y wavelength region ”,“ first infrared wavelength region (IR1) ”, and“ third infrared wavelength region ( IR3) ".
  • the CMY color system information can be converted into RGB color system information.
  • the optical filters 2a and 2d transmit “W wavelength region” and “infrared wavelength region (IR)”, and the optical filter 2b transmits “Y wavelength region” and “first infrared wavelength”.
  • the CMY color system information can be converted into RGB color system information.
  • red wavelength region (R) “green wavelength region (G)”, “blue wavelength region (B)”, “C wavelength region”, “M wavelength region”, “Y wavelength”
  • region “first infrared wavelength region (IR1)”, “second infrared wavelength region (IR2)” or “third infrared wavelength region (IR3)” are also possible.
  • IR3 third infrared wavelength region
  • RGB color system information into CMY color system information.
  • the W + IR can be replaced with 1 or the like in the basic calculation, 255 or the like in the digital calculation with 8 bits, 1022 with the digital calculation with 10 bits, and the digital calculation with 14 bits. It can be replaced with (2 to the 14th power) -1 or the like, and in digital calculation with 16 bits, it can be replaced with (2 to the 16th power) -1 or the like. The same applies to other numbers of bits.
  • the color specification adjusts hue (Hue), lightness (Brightness, Lightness or Value), saturation (Contrast, Chroma or Saturation), natural saturation (Vibrance), color balance, color elements, gamma correction, and the like. I can do it.
  • FIG. 13 are diagrams showing the wavelength dependence of the transmittance of the optical filter constituting the photodetector and the solid-state imaging device according to the present invention.
  • FIG. 13 shows an example of specific wavelength dependence of transmittance in a combination of typical optical filters. 13 (a) is RGB, (b) is CMY, (c) is RGW, (d) is GBW, (e) is RBW, (f) is CMW, (g) is MYW, (h) is YCW. It corresponds to.
  • FIG. 14 is a diagram illustrating a configuration of the solid-state imaging device 1b according to the tenth embodiment.
  • the solid-state imaging device 1b includes a composite optical filter array 8a and a photosensor array 6a.
  • the composite optical filter array 8a has a plurality of composite optical filters 5a arranged in a matrix with periodicity.
  • Each composite optical filter 5a is formed with optical filters 2a to 2d arranged in two rows and two columns and having different transmission wavelength ranges.
  • a spacer member 7 is formed on the optical filters 2a to 2d.
  • the optical filters 2a to 2d transmit visible light having a predetermined wavelength and infrared light having a predetermined wavelength.
  • a plurality of laminated members having different refractive indexes are laminated on each of the optical filters 2a to 2d.
  • the optical sensor array 6a includes a plurality of optical sensors 3a to 3d arranged in a matrix with periodicity so as to correspond to the optical filters 2a to 2d.
  • the optical sensor 3a detects visible light having a predetermined wavelength and infrared light having a predetermined wavelength transmitted through the optical filter 2a.
  • the optical sensor 3b detects visible light having a predetermined wavelength and infrared light having a predetermined wavelength transmitted through the optical filter 2b.
  • the optical sensor 3c detects visible light having a predetermined wavelength and infrared light having a predetermined wavelength transmitted through the optical filter 2c.
  • the optical sensor 3d detects visible light having a predetermined wavelength and infrared light having a predetermined wavelength transmitted through the optical filter 2d.
  • FIG. 15 is a cross-sectional view of the solid-state imaging device 1b according to the tenth embodiment.
  • the solid-state imaging element 1 b according to the tenth embodiment includes a semiconductor substrate 11.
  • a photoelectric conversion unit 12 and a charge transfer unit 13 are formed on the semiconductor substrate 11.
  • the photoelectric conversion unit 12 and the charge transfer unit 13 correspond to the photosensor array 6a.
  • a transfer electrode 14 and a light shielding film 15 are formed on the semiconductor substrate 11 via an insulating film.
  • An insulating film 16 is formed on the light shielding film 15.
  • An inorganic film optical filter 17 is formed on the insulating film 16.
  • a spacer film 21 is formed on the inorganic film optical filter 17.
  • an example in which the spacer film 21 is integrated with the spacer member is shown, and the same may be applied hereinafter.
  • the inorganic film optical filter 17 includes a first optical filter 18, a second optical filter 19, and a third optical filter 20, and corresponds to the composite optical filter array 8a.
  • FIG. 15 can also be applied to the photodetection device according to the present invention.
  • FIGS. 16A and 16C are graphs showing the wavelength dependence of the intensity of each light beam transmitted through the color filter. is there.
  • Incident light passes through the first optical filter 18, the second optical filter 19, and the third optical filter 20, so that the first light beam, the second light beam, and the third light beam are the first optical filter 18 and the second optical filter, respectively. 19 and the third optical filter 20.
  • the first optical filter 18, the second optical filter 19, and the third optical filter 20 are configured so that the first light beam, the second light beam, and the third light beam have wavelength spectra as shown in FIG. Has been.
  • the first optical filter 18 may be configured to have a spectrum in which R of visible light and the first infrared light are connected as shown in FIG.
  • FIGS. 17A to 17G are cross-sectional views illustrating a method for manufacturing the solid-state imaging device 1b according to the tenth embodiment. Note that the examples shown in FIGS. 17A to 17G can also be applied to the method of manufacturing the photodetector according to the present invention.
  • the photoelectric conversion unit 12 and the charge transfer unit 13 are formed by ion implantation so as to be exposed on the surface of the semiconductor substrate 11 made of silicon.
  • an insulating film (not shown), for example, a silicon oxide film having a thickness of 100 to 3000 nm is formed on the surface of the semiconductor substrate 11 by silicon thermal oxidation or CVD.
  • a polysilicon film is deposited to a thickness of about 50 to 300 nm by a CVD (Chemical Vapor Deposition) method.
  • an n-type impurity such as phosphorus is introduced by thermal diffusion or ion implantation.
  • the transfer electrode 14 is formed by anisotropic etching using a photoresist patterned into a predetermined pattern as a mask by a photolithography technique.
  • an insulating film (not shown) is formed by polysilicon film deposition or oxide film deposition by CVD.
  • a silicon nitride film is deposited as an antireflection film, and is formed by anisotropic etching using a photoresist patterned in a predetermined pattern as a mask (not shown).
  • tungsten or the like which is a light shielding film material is deposited, and the light shielding film 15 is formed by a photolithography technique.
  • an insulating film 16 that is a silicon oxide film is formed by a CVD method.
  • the insulating film 16 may be planarized using CMP or an etch back technique.
  • the first optical filter 18 is formed on the insulating film 16.
  • the first optical filter is formed of an inorganic multilayer film, and is formed by alternately stacking a low refractive material and a high refractive material. Specifically, a silicon oxide film SiO 2 is used as the low refractive material, and a silicon nitride film SiN or a titanium oxide film TiO 2 is used as the high refractive index material.
  • the multilayer film may be formed by a CVD method, or may be formed by an evaporation method or sputtering.
  • the first optical filter 18 is etched by a photolithography technique using a photoresist (not shown) patterned into a predetermined pattern as a mask to form a predetermined pattern. .
  • the second optical filter 19 is formed using a CVD method or the like.
  • the second optical filter 19 is etched using a photoresist (not shown) patterned in a predetermined pattern by a photolithography technique to form a predetermined pattern.
  • the third optical filter 20 is formed using a CVD method or the like.
  • the third optical filter 20 is etched to form a predetermined pattern by using a photoresist (not shown) patterned into a predetermined pattern by a photolithography technique as a mask. .
  • the optical filter is formed in the order of the first optical filter 18, the second optical filter 19, and the third optical filter 20.
  • the present invention is not limited to this.
  • the formation order can be arbitrarily set.
  • the spacer film 21 is formed by applying a silicon oxide film SiO 2 to the SOG (Spin on Glass) method or an acrylic material.
  • FIG. 18 is a cross-sectional view showing the structure of the inorganic film optical filter 17.
  • the low refractive material and the high refractive material of the multilayer film corresponding to a plurality of laminated members are in the order of L0, H1, L1, H2, L2, ... Hj-1, Lj-1, Hj, Lj from the upper layer. Alternatingly arranged.
  • the refractive indices of the low refractive material and the high refractive material are indicated by nL0, nH1, nL1, nH2, nL2,... NHj-1, nLj-1, nHj, nLj, respectively.
  • the film thicknesses are indicated by dL0, dH1, dL1, dH2, dL2,... DHj-1, dLj-1, dHj, dLj, respectively.
  • the refractive indexes and film thicknesses of these low-refractive materials and high-refractive materials indicate that the inorganic-film optical filter 17 (the first optical filter 18, the second optical filter 19, and the third optical filter 20) is shown in FIG. As shown in FIG. 16B or FIG. 16C, the filter is set to have a filter characteristic having a transmission range in the visible light and infrared wavelength regions.
  • FIG. 19A is a diagram showing the structure of the first optical filter 18 and the second optical filter 19, and FIG. 19B is an equation comparing the refractive indexes of the respective high refractive layers.
  • the refractive index of the high refractive layer of the first optical filter 18 is higher than the refractive index of the high refractive layer of the second optical filter 19.
  • the refractive index of the high refractive layer of the first optical filter 18 is set to 2.3 to 2.8
  • the refractive index of the high refractive layer of the second optical filter 19 is set to 1.8 to 2.3.
  • FIG. 20A is a graph showing the refractive index of the inorganic film optical filter 17
  • FIG. 20B is a graph showing the wavelength dependence of the absorption coefficient of the inorganic film optical filter 17.
  • Curve G1 represents the refractive index of the high refractive layer n H: 18 of the first optical filter 18, and curve G2 represents the refractive index of the high refractive layer n H: 19 of the second optical filter 19.
  • a curve G3 shows the absorption coefficient of the high refractive layer n H: 18 of the first optical filter 18, and a curve G4 shows the absorption coefficient of the high refractive layer n H: 19 of the second optical filter 19.
  • FIG. 21A is a diagram showing an example of the refractive index and film thickness of the first to third optical filters 18 to 20, and FIG. 21B shows the wavelength dependence of the transmittance of the optical filter.
  • an optical filter that transmits in the visible light region and the infrared region can be formed.
  • the refractive index (2.2) of the high refractive materials H1 to H8 of the second optical filter 19 and the refractive index (2.2) of the high refractive materials H1 to H4 of the third optical filter 20 are the first optical filter 18. It is smaller than the refractive index (2.5) of the high refractive materials H1 to H4.
  • the combination of the film thickness and the refractive index is not limited to this, and it is also possible to increase or decrease the number of stacked layers and to select an arbitrary film thickness and refractive index for each layer.
  • FIG. 22 is a diagram illustrating a configuration of the solid-state imaging device 1c according to the eleventh embodiment.
  • the same components as those described above with reference to FIG. 14 are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof will not be repeated.
  • a difference from the solid-state imaging device 1b shown in FIG. 14 is that a lens array 9a is provided on the opposite side of the optical sensor array 6a with respect to the composite optical filter array 8a.
  • the lens array 9a has a plurality of lenses arranged in a plane with periodicity so as to correspond to the optical filters 2a to 2d.
  • FIG. 23 is a cross-sectional view of the solid-state imaging device 1c.
  • the same components as those described above with reference to FIG. 15 are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof will not be repeated.
  • the difference from the solid-state imaging device 1 b shown in FIG. 15 is that the condenser lens 22 is formed on the spacer film 21.
  • the condenser lens 22 corresponds to the lens array 9a.
  • the inorganic film optical filter 17 includes a first optical filter 18, a second optical filter 19, and a third optical filter 20.
  • the light beam L4 from the subject is condensed by the condenser lens 22, passes through the second optical filter 19, and enters the photoelectric conversion unit 12.
  • the sensitivity of the photoelectric conversion unit 12 can be improved by the light condensing effect of the condensing lens 22.
  • the condensing lens 22 condenses on the central portion of the second optical filter 19 having a stable filter film thickness, thereby not only suppressing variation in transmission characteristics of the second optical filter 19 but also light leakage to adjacent cells. Color separation can be improved.
  • the example of the 2nd optical filter 19 was shown, the 1st optical filter 18 and the 3rd optical filter 20 are also the same.
  • FIG. 23 can also be applied to the photodetection device according to the present invention.
  • FIGS. 24A and 24B are views showing a method for manufacturing the solid-state imaging device 1c according to the eleventh embodiment.
  • 24A is a cross-sectional view after the inorganic film optical filter 17 and the spacer film 21 are formed, and the manufacturing method is the same as in FIGS. 17A to 17G of the tenth embodiment.
  • acrylic is applied, and the acrylic is etched so as to transfer a photoresist (not shown) shape patterned into a predetermined shape, thereby forming a condensing lens 22.
  • FIGS. 24A and 24B can also be applied to the method of manufacturing the photodetector according to the present invention.
  • FIG. 25 is a diagram illustrating a configuration of a solid-state imaging device 1d according to the twelfth embodiment.
  • the same components as those described above with reference to FIG. 22 are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof will not be repeated.
  • a difference from the solid-state imaging device 1c shown in FIG. 22 is that a lens array 9a is provided between the composite optical filter array 8a and the optical sensor array 6a.
  • the lens array 9a has a plurality of lenses arranged in a plane with periodicity so as to correspond to the optical filters 2a to 2d.
  • FIG. 26 is a cross-sectional view of the solid-state imaging device 1d.
  • the same components as those described above with reference to FIG. 15 are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof will not be repeated.
  • the difference from the solid-state imaging device 1 b shown in FIG. 15 is that the condenser lens 27 is formed on the insulating film 16.
  • the condenser lens 27 corresponds to the lens array 9a.
  • the inorganic film optical filter 17 includes a first optical filter 18, a second optical filter 19, and a third optical filter 20.
  • the light beam L4 from the subject passes through the second optical filter 19, is collected by the condenser lens 27, and enters the photoelectric conversion unit 12.
  • the sensitivity of the photoelectric conversion unit 12 can be improved by the light condensing effect of the condensing lens 27.
  • the example of the 2nd optical filter 19 was shown, the 1st optical filter 18 and the 3rd optical filter 20 are also the same.
  • FIG. 26 can also be applied to the photodetection device according to the present invention.
  • FIGS. 27A to 27D are diagrams showing a method for manufacturing the solid-state imaging device 1d according to the twelfth embodiment.
  • the photoelectric conversion unit 12 and the charge transfer unit 13 are formed by ion implantation so as to be exposed on the surface of the semiconductor substrate 11 made of silicon.
  • an insulating film (not shown), for example, a silicon oxide film having a thickness of 100 to 3000 nm is formed on the surface of the semiconductor substrate 11 by silicon thermal oxidation or CVD.
  • a polysilicon film is deposited by a CVD method to a thickness of about 50 to 300 nm. Further, an n-type impurity such as phosphorus is introduced by thermal diffusion or ion implantation. Thereafter, the transfer electrode 14 is formed by anisotropic etching using a photoresist patterned in a predetermined pattern by a photolithography technique as a mask.
  • an insulating film (not shown) is formed by polysilicon film oxidation or oxide film deposition by CVD.
  • a silicon nitride film is deposited as an antireflection film, and is formed by anisotropic etching using a photoresist patterned in a predetermined pattern as a mask (not shown).
  • tungsten or the like which is a light shielding film material is deposited, and the light shielding film 15 is formed by a photolithography technique.
  • an insulating film 16 which is a silicon oxide film is formed by a CVD method.
  • the embedded shape of the insulating film 16 formed by the CVD method has a downwardly convex shape between the transfer electrodes 14 as shown in FIG.
  • a silicon nitride film 28 is formed by, eg, CVD.
  • the condenser lens 27 is formed by an etch back method or a CMP (Chemical-Mechanical-Planarization) method.
  • the first optical filter 18, the second optical filter 19, and the third optical filter 20 are formed in this order by the same method as in FIGS.
  • the formation of the optical filter is not limited to the method of performing the first optical filter 18, the second optical filter 19, and the third optical filter 20 in this order, and the formation order of these three optical filters is arbitrarily set. be able to.
  • the condenser lens 27 is formed by the etch back method or the CMP method in FIG. 27C, the same lens effect as that of the condenser lens 27 can be obtained even with the shape of FIG. Etching back has an advantage that the distance between the semiconductor substrate 11 and the first optical filter 18, the second optical filter 19, and the third optical filter 20 is reduced, and the sensitivity is improved.
  • FIGS. 27A to 27D can also be applied to the method of manufacturing the photodetector according to the present invention.
  • FIG. 28 is a diagram illustrating a configuration of a solid-state imaging device 1e according to the thirteenth embodiment.
  • the same components as those described above with reference to FIG. 22 are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof will not be repeated.
  • the difference from the solid-state imaging device 1c shown in FIG. 22 is that a lens array 9b is provided between the composite optical filter array 8a and the optical sensor array 6a in addition to the lens array 9a.
  • the lens array 9b has the same configuration as the lens array 9a.
  • FIG. 29 is a cross-sectional view of the solid-state imaging device 1e according to the thirteenth embodiment.
  • the same components as those described above with reference to FIG. 23 are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof will not be repeated.
  • the difference from the solid-state imaging device 1c shown in FIG. 23 is that the condenser lens 27 described above with reference to FIG. 26 is additionally formed.
  • the inorganic film optical filter 17 includes a first optical filter 18, a second optical filter 19, and a third optical filter 20.
  • the state of the light beam L4 is shown in FIG. 29, the sensitivity of the photoelectric conversion unit 12 can be improved by the light condensing effect of the condensing lens 22 and the condensing lens 27.
  • the sensitivity of the photoelectric conversion unit 12 can be improved by the light condensing effect of the condensing lens 22 and the condensing lens 27.
  • by focusing light on the central portion of the second optical filter 19 having a stable filter film thickness not only the variation in transmission characteristics of the second optical filter 19 can be suppressed, but also light leakage to adjacent cells can be reduced, so that color separation is achieved. Can be improved.
  • the example of the 2nd optical filter 19 was shown, the 1st optical filter 18 and the 3rd optical filter 20 are also the same.
  • FIG. 29 can also be applied to the photodetection device according to the present invention.
  • FIG. 30A and 30 (b) are diagrams illustrating a method for manufacturing the solid-state imaging device 1e according to the thirteenth embodiment.
  • FIG. 30A shows a cross-sectional view after the inorganic film optical filter 17 and the spacer film 21 are formed. The manufacturing method so far is the same as that shown in FIGS. 27A to 27D of the twelfth embodiment.
  • acrylic is applied as shown in FIG. 30B, and the acrylic is etched so as to transfer a photoresist (not shown) shape patterned into a predetermined shape, thereby forming a condensing lens 22.
  • FIG. 31A is a diagram showing a configuration of a solid-state imaging device 1f according to Embodiment 14 of the present invention.
  • FIG. 31B is a diagram illustrating a configuration of another solid-state imaging device 1g according to the fourteenth embodiment.
  • the same components as those described above with reference to FIG. 14 are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof will not be repeated.
  • the solid-state imaging device 1f shown in FIG. 31A differs from the solid-state imaging device 1b shown in FIG. 14 in that the organic filter array 10a (or the second composite optical filter array) is replaced with the composite optical filter array 8a (or the first optical filter array 8a). (1 composite optical filter array) is provided on the opposite side of the optical sensor array 6a.
  • the organic filter array 10a includes a plurality of composite organic filters 5h.
  • Each of the plurality of composite organic filters 5h includes optical filters 2s, 2t, 2u, and 2v arranged in 2 rows and 2 columns and having different transmission wavelength ranges.
  • the optical filters 2s, 2t, 2u, and 2v are made of an organic material.
  • the optical filters 2s, 2t, 2u, and 2v are arranged in a plane with periodicity so as to correspond to the optical filters 2a, 2b, 2c, and 2d of the composite optical filter array 8a.
  • the optical filters 2a to 2d of the composite optical filter 5a may be made of different materials. Further, at least two of the optical filters 2a to 2d may be made of the same material. Furthermore, the optical filters 2s to 2v of the composite organic filter 5h may be made of different materials. At least two of the optical filters 2s to 2v may be made of the same material.
  • the solid-state imaging device 1g shown in FIG. 31B is different from the solid-state imaging device 1f shown in FIG. 31A in that the organic filter array 10a (second composite optical filter array) is replaced with the composite optical filter array 8a (first optical filter array 8a). 1 composite optical filter array) and the optical sensor array 6a.
  • the solid-state imaging device 1g has the same configuration as the solid-state imaging device 1f except for the above points.
  • the optical filters 2a to 2d of the composite optical filter 5a may be made of different materials. Further, at least two of the optical filters 2a to 2d may be made of the same material. Furthermore, the optical filters 2s to 2v of the composite organic filter 5h may be made of different materials. At least two of the optical filters 2s to 2v may be made of the same material.
  • FIG. 32 is a cross-sectional view of the solid-state imaging device 1f according to the fourteenth embodiment.
  • the same components as those described above with reference to FIG. 15 are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof will not be repeated.
  • a difference from the solid-state imaging device 1 b shown in FIG. 15 is that an organic film optical filter 24 and a second planarizing film 26 are formed on the spacer film 21.
  • FIG. 32 can also be applied to the photodetection device according to the present invention.
  • FIG. 33A is a graph showing the wavelength dependence of the transmittance of the organic film optical filter
  • FIG. 33B is a graph showing the wavelength dependence of the transmittance of the inorganic film optical filter
  • (C) is a graph showing the wavelength dependence of the total transmittance.
  • a curve G5 in (a) of Fig. 33 indicates the transmittance wavelength dependency of the organic film optical filter 24.
  • a curve G6 in (b) of FIG. 33 shows the transmittance wavelength dependency of the second optical filter (inorganic film optical filter) 19.
  • a curve G7 in FIG. 33C shows the total transmittance wavelength dependency of the organic film optical filter 24 and the second optical filter (inorganic film optical filter) 19.
  • (C) in FIG. 33 is the same as the second optical filter characteristic in (b) in FIG.
  • the spectrum of the second optical filter (inorganic film optical filter) 19 may only cut a part of the infrared region, and the structure of the inorganic multilayer film can be configured relatively simply. it can.
  • a complicated spectrum characteristic is realizable by laminating
  • 34 (a) to 34 (c) are diagrams showing a method of manufacturing the solid-state imaging device 1f according to the fourteenth embodiment. First, according to the method described above with reference to FIGS. 17A to 17G, the structure shown in FIG. 34A is manufactured.
  • an organic film is applied, pattern exposure, development, and baking are performed to form an organic film optical filter 24.
  • a second planarizing film 26 is formed as shown in FIG.
  • the second planarizing film 26 is formed by applying an acrylic material.
  • FIGS. 34A to 34C can also be applied to the method of manufacturing the photodetector according to the present invention.
  • FIG. 35 is a cross-sectional view of the solid-state imaging device according to the fourteenth embodiment.
  • the same components as those described above with reference to FIG. 15 are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof will not be repeated.
  • the difference from the solid-state imaging device 1 b shown in FIG. 15 is that an organic film optical filter 25 and a second planarizing film 26 are formed on the spacer film 21.
  • FIG. 35 can also be applied to the photodetection device according to the present invention.
  • FIG. 36A is a graph showing the wavelength dependence of the transmittance of the organic film optical filter
  • FIG. 36B is a graph showing the wavelength dependence of the transmittance of the inorganic optical filter
  • c) is a graph showing the wavelength dependence of the total transmittance.
  • a curve G8 in (a) of Fig. 36 shows the transmittance wavelength dependency of the organic film optical filter 25.
  • a curve G9 in FIG. 36B shows the transmittance wavelength dependency of the third optical filter (inorganic film optical filter) 20.
  • a curve G10 in FIG. 36C shows the total transmittance wavelength dependency of the organic film optical filter 25 and the third optical filter (inorganic film optical filter) 20.
  • FIG. 36C is the same as the third optical filter characteristic of FIG.
  • FIG. 37 is a cross-sectional view of the solid-state imaging device 1f according to the fourteenth embodiment.
  • the same components as those described above with reference to FIG. 15 are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof will not be repeated.
  • the difference from the solid-state imaging device 1 b shown in FIG. 15 is that an organic film optical filter 23 and a second planarizing film 26 are formed on the spacer film 21.
  • FIG. 37 can also be applied to the photodetection device according to the present invention.
  • FIG. 38A is a graph showing the wavelength dependence of the transmittance of the organic film optical filter
  • FIG. 38B is a graph showing the wavelength dependence of the transmittance of the inorganic optical filter
  • c) is a graph showing the wavelength dependence of the total transmittance.
  • a curve G13 in (a) of Fig. 38 shows the transmittance wavelength dependency of the organic film optical filter 23.
  • a curve G14 in FIG. 38B shows the transmittance wavelength dependency of the first optical filter (inorganic film optical filter) 18.
  • a curve G15 in (c) of FIG. 38 indicates the total transmittance wavelength dependency of the organic film optical filter 23 and the first optical filter (inorganic film optical filter) 18.
  • FIG. 38C is the same as the first optical filter characteristic of FIG.
  • FIG. 39 is a cross-sectional view of the solid-state imaging device according to the fifteenth embodiment.
  • the same components as those described above with reference to FIG. 15 are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof will not be repeated.
  • a difference from the solid-state imaging device 1b shown in FIG. 15 is that instead of the first optical filter 18, the second optical filter 19, and the third optical filter 20, the first optical filter 18a, the second optical filter 19a, and the third optical filter. This is the point where the optical filter 20a is formed.
  • the first optical filter 18a, the second optical filter 19a, and the third optical filter 20a are formed by laminating curved laminated members.
  • the sensitivity of the photoelectric conversion unit 12 can be improved by the light condensing effect of the second optical filter 19a.
  • the inorganic film optical filter 17 includes a first optical filter 18a, a second optical filter 19a, and a third optical filter 20a.
  • FIG. 39 can also be applied to the photodetection device according to the present invention.
  • 40 (a) to 40 (f) are diagrams showing a method of manufacturing the solid-state imaging device according to the fifteenth embodiment.
  • the photoelectric conversion unit 12 and the charge transfer unit 13 are formed by ion implantation so as to be exposed on the surface of the semiconductor substrate 11 made of silicon.
  • an insulating film (not shown), for example, a silicon oxide film having a thickness of 100 to 3000 nm is formed on the surface of the semiconductor substrate 11 by silicon thermal oxidation or CVD.
  • a polysilicon film is deposited by a CVD method to a thickness of about 50 to 300 nm. Further, an n-type impurity such as phosphorus is introduced by thermal diffusion or ion implantation.
  • the transfer electrode 14 is formed by anisotropic etching using a photoresist patterned into a predetermined pattern as a mask by a photolithography technique.
  • an insulating film (not shown) is formed by oxide film deposition by polysilicon oxidation or CVD.
  • a silicon nitride film is deposited as an antireflection film, and is formed by anisotropic etching using a photoresist patterned in a predetermined pattern as a mask (not shown).
  • tungsten or the like which is a light shielding film material is deposited, and the light shielding film 15 is formed by a photolithography technique.
  • an insulating film 16 which is a silicon oxide film is formed by a CVD method.
  • the embedded shape of the insulating film 16 formed by the CVD method has a downwardly convex shape between the transfer electrodes 14.
  • the first optical filter 18a is formed of an inorganic multilayer film, and is formed by alternately stacking a low refractive material and a high refractive material.
  • the first optical filter 18a is etched by a photolithography technique using a photoresist (not shown) patterned in a predetermined pattern as a mask to form a predetermined pattern.
  • the second optical filter 19a and the third optical filter 20a are formed by the same method as in FIGS. 40B to 40C.
  • a spacer film 21 is formed.
  • the optical filter is formed in the order of the first optical filter 18a, the second optical filter 19a, and the third optical filter 20a.
  • the present invention is not limited to this. The formation order can be arbitrarily set.
  • FIGS. 40A to 40F can also be applied to the method of manufacturing the photodetector according to the present invention.
  • the refractive index ratio between the lowermost layer film Lj and the insulating film 16 of the inorganic film optical filter 17 is 85% to 115%, and the uppermost layer film L 0 and the spacer film 21 have a refractive index.
  • the light detection device can be realized with a device size of one type or less.
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  • FIG. 41 (a) shows a photograph under visible light
  • FIG. 41 (b) shows a photograph taken by infrared irradiation with night vision
  • 41A shows that the color under visible light shown in FIG. 41A can be reproduced by infrared irradiation during night vision shown in FIG.
  • a photoelectric conversion unit and a charge transfer unit are formed on the surface of a semiconductor substrate made of silicon by ion implantation. It is preferable to form an insulating film, for example, a silicon oxide film having a thickness of 100 to 3000 nm on the surface by silicon thermal oxidation or CVD.
  • a polysilicon film is deposited by a CVD method to a thickness of about 50 to 300 nm, and further an n-type impurity such as phosphorus is introduced by thermal diffusion or ion implantation, and then a predetermined pattern is formed by photolithography. It is preferable to form the transfer electrode by anisotropic etching using the patterned photoresist as a mask.
  • an insulating film is preferably formed by polysilicon film oxidation or oxide film deposition by a CVD method.
  • a silicon nitride film as an antireflection film by anisotropic etching using a photoresist patterned in a predetermined pattern as a mask.
  • tungsten or the like which is a light shielding film material, and form a light shielding film by a photolithography technique.
  • an insulating film which is a silicon oxide film is preferably formed by a CVD method. Note that the insulating film may be planarized using CMP or an etch back technique.
  • the first optical filter is formed on the insulating film.
  • the first optical filter is formed of an inorganic multilayer film, and is preferably formed by alternately laminating a low refractive material and a high refractive material. Note that it is preferable to use a silicon oxide (SiO 2 ) film as the low refractive material and a silicon nitride (SiN) film or a titanium oxide (TiO 2 ) film as the high refractive index material.
  • the multilayer film may be formed by a CVD method, or may be formed by an evaporation method or sputtering.
  • the predetermined pattern by etching the first optical filter by using a photoresist patterned in a predetermined pattern as a mask by a photolithography technique.
  • the second optical filter is preferably formed using a CVD method or the like.
  • the predetermined pattern by etching the second optical filter by using a photoresist patterned into a predetermined pattern by a photolithography technique.
  • the third optical filter is preferably formed using a CVD method or the like.
  • the predetermined pattern by etching the third optical filter by using a photoresist patterned into a predetermined pattern by a photolithography technique.
  • the first planarizing film is preferably formed by applying SiO 2 to a SOG (Spin on Glass) method or an acrylic material.
  • acrylic is applied, and acrylic is etched so as to transfer a photoresist shape patterned into a predetermined shape, thereby forming a first lens. It is preferable to do.
  • a photoelectric conversion unit and a charge transfer unit are formed by ion implantation on the surface of a semiconductor substrate made of silicon.
  • An insulating film which is a silicon oxide film having a thickness of 100 to 3000 nm is preferably formed by silicon thermal oxidation or CVD.
  • a polysilicon film is deposited by a CVD method to a thickness of about 50 to 300 nm, an n-type impurity such as phosphorus is introduced by thermal diffusion or ion implantation, and then a predetermined pattern is formed by photolithography.
  • the transfer electrode is preferably formed by anisotropic etching using the patterned photoresist as a mask.
  • an insulating film is formed by polysilicon oxide or oxide film deposition by CVD, and an antireflection film, for example, a silicon nitride film is deposited, and a photoresist patterned in a predetermined pattern is used as a mask. It is preferable to form by etching.
  • tungsten or the like which is a light shielding film material is deposited, a light shielding film is formed by a photolithography technique, an insulating film which is a silicon oxide film is then formed by a CVD method, and an insulating film formed by the CVD method is embedded.
  • the shape is preferably convex downward between the transfer electrodes.
  • a silicon nitride film is formed by a CVD method, and then the second lens is formed by an etch back method or a CMP method, and the first optical filter, the second optical filter, and the first optical filter are formed. It is preferable to form the third optical filter.
  • the order of forming the first optical filter, the second optical filter, and the third optical filter can be arbitrarily set.
  • the second lens is formed by the etch back method or the CMP method, the same lens effect can be obtained without using the etch back method or the CMP method.
  • Etching back has the advantage that the distance between the substrate and the filter is reduced and the sensitivity is improved.
  • a photoelectric conversion unit and a charge transfer unit are formed by ion implantation on the surface of a semiconductor substrate made of silicon, and a thickness of 100 to 3000 nm is formed on the surface of the semiconductor substrate. It is preferable to form an insulating film such as a silicon oxide film by silicon thermal oxidation or CVD.
  • a polysilicon film with a thickness of about 50 to 300 nm by a CVD method, and further introduce an n-type impurity such as phosphorus by thermal diffusion or ion implantation.
  • a transfer electrode is formed by anisotropic etching using a photoresist patterned in a predetermined pattern by a photolithography technique, and then an insulating film is formed by oxide film deposition by polysilicon oxidation or CVD method. It is preferable to form.
  • a silicon nitride film as an antireflection film by anisotropic etching using a photoresist patterned in a predetermined pattern as a mask.
  • tungsten or the like which is a light shielding film material is deposited, a light shielding film is formed by a photolithography technique, an insulating film which is a silicon oxide film is then formed by a CVD method, and the insulating film formed by the CVD method is formed.
  • the embedding shape is preferably a downwardly convex shape between the transfer electrodes.
  • the first optical filter is formed on the insulating film.
  • the first optical filter is formed of an inorganic multilayer film, and is preferably formed by alternately laminating a low refractive material and a high refractive material.
  • the predetermined pattern by etching the first optical filter by using a photoresist patterned in a predetermined pattern as a mask by a photolithography technique.
  • the ratio of the refractive index of the lowermost layer of the film L j of an inorganic film optical filter and the insulating film is less 115% 85% or more, and a refractive index of the first planarizing film and the film L 0 of the uppermost layer
  • the light detection apparatus 1 includes a first wavelength light having a wavelength in a first wavelength range, a second wavelength light having a wavelength in a second wavelength range, and the like.
  • an optical filter 2 that transmits the n-th wavelength light (n is an integer) having a wavelength in the n-wavelength range; the first wavelength light intensity of the first wavelength light; the second wavelength light intensity of the second wavelength light;
  • an optical sensor 3 for detecting at least one of the nth wavelength light intensities of the nth wavelength light, the first wavelength light intensity detected by the optical sensor 3, the second wavelength light intensity,.
  • the first wavelength range, the second wavelength range,..., And the nth wavelength light intensity which are correlated with each other, the first wavelength range, the second wavelength range. Since the light intensity of light having a wavelength in a wavelength range other than at least one of the wavelength range,..., And the nth wavelength range is estimated, color reproduction and color photographing of a subject in an extremely low illumination environment and a zero lux environment are possible. It becomes possible.
  • the photodetectors 1a and 1h according to the second aspect of the present invention include a plurality of optical filters 2a to 2d having different transmission wavelength ranges and a plurality of optical sensors that receive light transmitted through each of the plurality of optical filters 2a to 2d. 3a to 3d, and each of the plurality of optical filters 2a to 2d is laminated with a plurality of laminated members S1 to S6 having a transmittance of 50% or more in the visible and infrared wavelength regions.
  • Each of the laminated members S1 to S6 has the same or different refractive index, and each of the plurality of optical filters 2a to 2d reflects light in a predetermined wavelength range to transmit light in other wavelength ranges.
  • the plurality of optical filters 2 a to 2 d are arranged on a plane via a space or a spacer member 7.
  • the first wavelength light intensity of the first wavelength light transmitted by one of the plurality of optical filters and the second wavelength light of the second wavelength transmitted by the other one of the plurality of optical filters can be estimated.
  • Color photography is possible.
  • the light detection devices 1a and 1h according to aspect 3 of the present invention include the plurality of lenses disposed on the opposite side of the plurality of optical sensors 3a to 3d with respect to the plurality of optical filters 2a to 2d in the aspect 2. Further, it may be provided.
  • the light rays from the subject are collected by the plurality of lenses, pass through the plurality of optical filters, and enter the plurality of optical sensors. Therefore, the sensitivity of the first and second photosensors can be improved due to the light collection effect of the plurality of lenses.
  • the light detection devices 1a and 1h according to aspect 4 of the present invention further include a plurality of lenses arranged between the plurality of optical filters 2a to 2d and the plurality of optical sensors 3a to 3d in the aspect 2. May be.
  • the light rays from the subject are collected by the plurality of lenses, pass through the plurality of optical filters, and enter the plurality of optical sensors. Therefore, it is possible to improve the sensitivity of the plurality of photosensors by the light collecting effect of the plurality of lenses.
  • the light detection devices 1a and 1h according to aspect 5 of the present invention are the above-described aspect 2, wherein the plurality of first optical elements 2a to 2d disposed on the opposite side of the plurality of optical sensors 3a to 3d with respect to the plurality of optical filters 2a to 2d.
  • a lens and a plurality of second lenses disposed between the plurality of optical filters 2a to 2d and the plurality of optical sensors 3a to 3d may be further provided.
  • the light rays from the subject are collected by the plurality of first lenses and transmitted through the plurality of optical filters, and further collected by the plurality of second lenses and incident on the plurality of optical sensors. Therefore, it is possible to improve the sensitivity of the plurality of photosensors by the light collection effect by the plurality of first and second lenses.
  • the light detection devices 1a and 1h according to aspect 6 of the present invention are the light detection devices 1a and 1h according to aspect 1, wherein the light from the subject is infrared light, and the analysis unit 4 detects the first wavelength detected by the light sensors 3a to 3d. Based on at least one of the light intensity, the second wavelength light intensity,..., And the nth wavelength light intensity, the color under visible light of the subject reflecting the infrared light may be estimated.
  • the color of the subject under visible light is estimated from the infrared rays from the subject, the color of the subject can be reproduced and color photography can be performed in an extremely low illumination environment and a zero lux environment.
  • the photodetectors 1a and 1h according to aspect 7 of the present invention are the above-described aspect 2, wherein the first wavelength light intensity, the second wavelength light intensity detected by the plurality of optical sensors 3a to 3d, the second wavelength light intensity,.
  • Solid-state imaging devices 1b to 1e include a composite optical filter array 8a having a plurality of composite optical filters 5a and a photosensor array 6a in which a plurality of photosensors 3a to 3d are arranged,
  • Each of the plurality of composite optical filters has a plurality of optical filters 2a to 2d having different transmission wavelength ranges, and each of the plurality of optical filters 2a to 2d receives visible light having a predetermined wavelength and infrared light having a predetermined wavelength.
  • a plurality of laminated members S1 to S6 having different refractive indexes are laminated on each of the plurality of optical filters 2a to 2d.
  • the plurality of optical sensors 3a to 3d are configured to transmit the visible light and the infrared light.
  • Each of the plurality of optical filters 2a to 2d has a periodicity and is arranged in a plane, and the plurality of optical sensors 3a to 3d have a periodicity. They are arranged in a planar shape having a.
  • the optical sensor detects visible light having a predetermined wavelength and infrared light having a predetermined wavelength transmitted through a plurality of optical filters, color reproduction and color photographing of a subject in an extremely low illuminance environment and a zero lux environment. Is possible.
  • the solid-state imaging devices 1c and 1e according to the ninth aspect of the present invention include the lens array 9a having a plurality of lenses arranged on the opposite side of the optical sensor array 6a with respect to the composite optical filter array 8a. Further, the plurality of lenses may be arranged in a planar shape with periodicity.
  • the light beam from the subject is collected by the lens array, passes through the optical filter, and enters the optical sensor. Therefore, the sensitivity of the optical sensor can be improved by the light collection effect by the lens array.
  • the solid-state imaging devices 1d and 1e according to the tenth aspect of the present invention include the lens arrays 9a and 9b having a plurality of lenses disposed between the composite optical filter array 8a and the photosensor array 6a in the eighth aspect. Further, the plurality of lenses may be arranged in a plane with periodicity so as to correspond to the plurality of optical filters 2a to 2d.
  • the light beam from the subject is collected by the lens array, passes through the optical filter, and enters the optical sensor. Therefore, the sensitivity of the optical sensor can be improved by the light collection effect by the lens array.
  • the solid-state imaging device 1e according to aspect 11 of the present invention is the first lens array according to aspect 8, wherein the first lens array includes a plurality of first lenses disposed on the opposite side of the optical sensor array 6a with respect to the composite optical filter array 8a. 9a and a second lens array 9b having a plurality of second lenses disposed between the composite optical filter array 8a and the photosensor array 6a, the plurality of first lenses and the plurality of first lenses.
  • the two lenses may be arranged in a plane with periodicity so as to correspond to the plurality of optical filters 2a to 2d.
  • the light beam from the subject is collected by the first lens, passes through the optical filter, is further collected by the second lens, and enters the optical sensor. Therefore, the sensitivity of the photosensor can be improved by the light condensing effect of the first and second lenses.
  • the solid-state imaging devices 1b to 1e according to aspect 12 of the present invention are the above-described aspect 8, wherein the optical filters 2a to 2d include the visible light other than the visible light having the predetermined wavelength and the infrared light other than the infrared having the predetermined wavelength.
  • the visible light having the predetermined wavelength and the infrared light having the predetermined wavelength may be transmitted by absorbing infrared light.
  • the visible light having the predetermined wavelength and the infrared light having the predetermined wavelength can be transmitted with a simple configuration.
  • the optical filters 2a to 2d include the visible light other than the predetermined wavelength visible light and the infrared light other than the predetermined wavelength.
  • the visible light having the predetermined wavelength and the infrared light having the predetermined wavelength may be transmitted by reflecting the infrared light.
  • the visible light having the predetermined wavelength and the infrared light having the predetermined wavelength can be transmitted with a simple configuration.
  • the laminated members S1 to S6 may include at least one of an organic material and an inorganic material.
  • the laminated members S1 to S6 may be dielectrics.
  • the shape of the optical filters 2a to 2d may be a plate shape, a concave shape, a vessel shape, or a dish shape.
  • the plurality of laminated members S1 to S6 may have a plate shape, a concave shape, a vessel shape, or a dish shape.
  • the solid-state imaging devices 1b to 1e according to aspect 18 of the present invention are the above-described aspect 8, wherein the optical filters 2a to 2d are formed of a cube, a rectangular parallelepiped, a prism, a pyramid, a truncated pyramid, a cylinder, a cone, a truncated cone, and an elliptical cylinder. , An elliptical cone, an elliptical truncated cone, a drum shape or a barrel shape.
  • the solid-state imaging devices 1b to 1e according to aspect 19 of the present invention are the above-described aspect 8, wherein the width is the size of the optical filters 2a to 2d along the plane where the optical filters 2a to 2d are arranged, and the depth is The optical filters 2a to 2d along the plane perpendicular to the size along the plane, and the height of the optical filters 2a to 2d perpendicular to the plane.
  • the filters 2a to 2d may have the same or approximate sizes of the width, the depth, and the height.
  • the solid-state imaging devices 1b to 1e according to aspect 20 of the present invention are the above-described aspect 8, wherein the width is the size of the optical filters 2a to 2d along the plane where the optical filters 2a to 2d are arranged, and the depth is The optical filters 2a to 2d along the plane perpendicular to the size along the plane, and the height of the optical filters 2a to 2d perpendicular to the plane. 2d may be formed by laminating a plurality of laminated members S1 to S6 having a different refractive index and having a width of 10 micrometers or less and a depth of 10 micrometers or less, and a height of 1 micrometer or less. .
  • the space SP may be formed between the plurality of optical filters 2a to 2d in the aspect 8.
  • the spacer member 7 may be formed between the plurality of optical filters 2a to 2d in the aspect 8.
  • the solid-state imaging devices 1f and 1g include a first composite optical filter array (composite optical filter array 8a), an optical sensor array 6a, and the first composite optical filter array (composite optical filter array 8a). And the optical sensor array 6a or a second composite optical filter array (organic filter array 10a) disposed on the opposite side of the first composite optical filter array (composite optical filter array 8a) from the optical sensor array 6a. ), Wherein the first composite optical filter array (composite optical filter array 8a) includes a plurality of first composite optical filters (composite optical filters 5a), Each of the first composite optical filters (composite optical filter 5a) includes a plurality of optical filters (optical filters having different transmission wavelength ranges).
  • the second composite optical filter array (organic filter array 10a) has a plurality of second composite optical filters (composite organic filters 5h), and the plurality of second composite optical filters ( Each of the composite organic filters 5h) has a plurality of optical filters (optical filters 2s, 2t, 2u, and 2v) having different transmission wavelength ranges, and a plurality of optical filters (optical) that constitute the plurality of first composite optical filters.
  • Each of the filters 2a to 2d) is made of an inorganic or organic material, and each of the plurality of optical filters (the optical filters 2s, 2t, 2u, and 2v) constituting the plurality of second composite optical filters is an organic or inorganic material
  • Each of the plurality of optical filters (optical filters 2a to 2d) constituting the plurality of first composite optical filters has periodicity.
  • Each of the plurality of optical filters (optical filters 2s, 2t, 2u, and 2v) that are arranged in a plane and that constitute the plurality of second composite optical filters are a plurality of that constitute the plurality of first composite optical filters.
  • optical filters 2a to 2d that are arranged in a plane with periodicity so as to correspond to the optical filters (optical filters 2a to 2d) and constitute the plurality of first composite optical filters
  • a plurality of optical filters constituting the plurality of second composite optical filters corresponding to the one of the plurality of optical filters (optical filters 2a to 2d) constituting the plurality of first composite optical filters By combining with one of (optical filters 2s, 2t, 2u, and 2v), visible light having a predetermined wavelength and infrared light having a predetermined wavelength are transmitted,
  • the optical sensor array 6a includes a plurality of optical sensors 3a to 3d having sensitivity to the visible light and the infrared light, and each of the plurality of optical sensors 3a to 3d includes the plurality of first optical filters (optical filter 2a). Are arranged in a plane with periodicity so as to correspond to ⁇ 2d).
  • the inorganic material may include silicon oxide, silicon nitride, or titanium oxide.
  • the solid-state imaging devices 1f and 1g according to the aspect 25 of the present invention are the same as the aspect 23 in each of the plurality of first and second optical filters (the optical filters 2a to 2d and the optical filters 2s, 2t, 2u, and 2v).
  • a plurality of laminated members S1 to S6 having different refractive indexes may be laminated.
  • the solid-state imaging device 1f ⁇ 1g according to aspect 26 of the present invention is the above aspect 23, wherein each of the plurality of first and second optical filters (optical filters 2a to 2d, optical filters 2s ⁇ 2t ⁇ 2u ⁇ 2v) , Including a plurality of high refraction layers (high refraction materials H 1 to H j ), and the high refraction layers (high refraction materials H 1 to H j ) include the plurality of first and second optical filters (optical filters 2a to 2a).
  • Each of the plurality of high refractive layers may have a different refractive index.
  • the solid-state imaging device 1f ⁇ 1g according to aspect 27 of the present invention is the above-described aspect 23, wherein each of the plurality of first and second optical filters (optical filters 2a to 2d, optical filters 2s ⁇ 2t ⁇ 2u ⁇ 2v) , Including a plurality of low-refractive layers (L 0 to L j ), and the low-refractive layer (low-refractive materials L 0 to L j ) includes the plurality of first and second optical filters (optical filters 2a to 2d, optical Of the plurality of laminated members formed in each of the filters 2s, 2t, 2u, and 2v), the layers are formed of laminated members having the lowest refractive index in the visible light and infrared wavelength regions, Each of the refractive layers (low refractive materials L 0 to L j ) may have a different refractive index.
  • the solid-state imaging device 1f ⁇ 1g according to aspect 28 of the present invention is the above aspect 23, wherein each of the plurality of first and second optical filters (optical filters 2a to 2d, optical filters 2s ⁇ 2t ⁇ 2u ⁇ 2v) A lowermost layer (low refractive material L j ), an uppermost layer (low refractive material L 0 ), a layer adjacent to the lowermost layer (insulating film 16), and a layer adjacent to the uppermost layer (spacer film 21),
  • the ratio between the refractive index of the lowermost layer (low refractive material L j ) and the refractive index of the layer adjacent to the lowermost layer (insulating film 16) is 85% or more and 115% or less, and the uppermost layer (low refractive material L 0).
  • the refractive index of the layer adjacent to the uppermost layer (spacer film 21) may be 85% or more and 115% or less.
  • the solid-state imaging devices 1b to 1g include a composite optical filter array 8a having a plurality of composite optical filters 5a and an optical sensor array 6a in which composite optical sensors are arranged, and the plurality of composite opticals
  • Each of the filters 5a transmits a first optical filter 18 that transmits light in the first wavelength range group, a second optical filter 19 that transmits light in the second wavelength range group,..., And light in the nth wavelength range group.
  • An optical filter for transmission (n is an integer), and a k-th wavelength range group (k is an integer satisfying 1 ⁇ k ⁇ n) has a (k, 1) wavelength range, a (th and (k, 2) wavelength range, including the (k, m) wavelength range (m is an integer), the (k, 1) wavelength range, the (k, 2) wavelength range, and so on.
  • Each in the (k, m) wavelength range There is a correlation between the two light intensities, and the composite light sensor includes a first light sensor 3a, a second light sensor 3b,..., And an nth light sensor, and the kth light sensor includes the first light sensor 3a.
  • the light intensity of the light having the wavelength in the at least one wavelength range is further provided with an analysis unit 4 for estimating the light intensity of the light having the wavelength in the wavelength range other than the at least one from the light intensity of the light having the wavelength of at least one.
  • a light intensity of light having a wavelength in a wavelength range other than the at least one has a correlation.
  • one of the first to n-th optical filters includes red light having a red light wavelength region and the red light wavelength. Infrared rays having a wavelength region closest to the region may be transmitted.
  • the (1,2) wavelength range is a first infrared wavelength range
  • the (2,1) wavelength range is a blue wavelength range
  • the (2,2) wavelength range is a second infrared wavelength.
  • the (3, 1) wavelength range is a green wavelength range
  • the (3, 2) wavelength range is a third infrared wavelength range
  • the second infrared wavelength range is the first wavelength range.
  • the third infrared wavelength region may be positioned on a longer wavelength side than the infrared wavelength region, and the third infrared wavelength region may be positioned on a longer wavelength side than the second infrared wavelength region.
  • the first (1,2) wavelength range includes a first infrared wavelength region and a second infrared wavelength region
  • the (2,1) wavelength range includes a green wavelength region and a blue wavelength region.
  • the (2,2) wavelength range includes a second infrared wavelength region and a third infrared wavelength region
  • the (3,1) wavelength range includes a red wavelength region and a green wavelength region.
  • the (3, 2) wavelength range includes a first infrared wavelength region and a third infrared wavelength region, and the second infrared wavelength region is located on a longer wavelength side than the first infrared wavelength region.
  • the third infrared wavelength region may be located on the longer wavelength side than the second infrared wavelength region.
  • the first and second wavelength ranges include a first infrared wavelength region, a second infrared wavelength region, and a third infrared wavelength region, and the (2,1) wavelength region.
  • the wavelength range includes a red wavelength range
  • the (2,2) wavelength range includes the first infrared wavelength range
  • the (3,1) wavelength range includes a green wavelength range
  • the wavelength range includes a third infrared wavelength region
  • the second infrared wavelength region is located on a longer wavelength side than the first infrared wavelength region
  • the third infrared wavelength region is the second red wavelength region. It may be located on the longer wavelength side than the outer wavelength region.
  • the first and second wavelength ranges include a first infrared wavelength region, a second infrared wavelength region, and a third infrared wavelength region, and the (2,1) wavelength region.
  • the wavelength range includes a green wavelength region
  • the (2,2) wavelength range includes the third infrared wavelength region
  • the (3,1) wavelength range includes a blue wavelength region
  • the wavelength range includes a second infrared wavelength region, the second infrared wavelength region is located on a longer wavelength side than the first infrared wavelength region, and the third infrared wavelength region is the second red wavelength. It may be located on the longer wavelength side than the outer wavelength region.
  • the first and second wavelength ranges include a first infrared wavelength region, a second infrared wavelength region, and a third infrared wavelength region, and the (2,1) wavelength region.
  • the wavelength range includes a blue wavelength range
  • the (2,2) wavelength range includes the second infrared wavelength range
  • the (3,1) wavelength range includes a red wavelength range
  • the wavelength range includes a first infrared wavelength region
  • the second infrared wavelength region is located on a longer wavelength side than the first infrared wavelength region
  • the third infrared wavelength region is the second red wavelength. It may be located on the longer wavelength side than the outer wavelength region.
  • the first and second wavelength ranges include a first infrared wavelength region, a second infrared wavelength region, and a third infrared wavelength region, and the (2,1) wavelength region.
  • the wavelength range includes a green wavelength region and a blue wavelength region
  • the (2,2) wavelength range includes the third infrared wavelength region and the second infrared wavelength region
  • the wavelength range includes a blue wavelength region and a red wavelength region
  • the (3, 2) wavelength range includes a second infrared wavelength region and a first infrared wavelength region
  • the second infrared wavelength region is the Located on the longer wavelength side than the first infrared wavelength region
  • the third infrared wavelength region is longer than the second infrared wavelength region It may be located.
  • the first and second wavelength ranges include a first infrared wavelength region, a second infrared wavelength region, and a third infrared wavelength region, and the (2,1) wavelength region.
  • the wavelength range includes a blue wavelength region and a red wavelength region
  • the (2,2) wavelength range includes the second infrared wavelength region and the first infrared wavelength region
  • the wavelength range includes a red wavelength region and a green wavelength region
  • the (3, 2) wavelength range includes a first infrared wavelength region and a third infrared wavelength region
  • the second infrared wavelength region is the Located on the longer wavelength side than the first infrared wavelength region
  • the third infrared wavelength region is longer than the second infrared wavelength region It may be located.
  • the first and second wavelength ranges include a first infrared wavelength region, a second infrared wavelength region, and a third infrared wavelength region, and the (2,1) wavelength region.
  • the wavelength range includes a red wavelength region and a green wavelength region
  • the (2,2) wavelength range includes the first infrared wavelength region and the third infrared wavelength region
  • the wavelength range includes a green wavelength region and a blue wavelength region
  • the (3, 2) wavelength range includes a third infrared wavelength region and a second infrared wavelength region
  • the second infrared wavelength region is the Located on the longer wavelength side than the first infrared wavelength region
  • the third infrared wavelength region is longer than the second infrared wavelength region It may be located.
  • the solid-state imaging devices 1b to 1g according to the aspect 39 of the present invention include 50% of the first optical filter 18 in space or in the wavelength region of visible light and infrared light. Laminated members having the above transmittance may be laminated.
  • the analyzing unit 4 is configured to reduce the intensity of the light transmitted through the first optical filter 18 and the light transmitted through the second optical filter 19. And the intensity of light from the subject having the wavelength in the blue wavelength region and the wavelength in the second infrared wavelength region based on the intensity of the light and the intensity of the light transmitted through the third optical filter 20. Good.
  • the analyzing unit 4 is configured such that the intensity of the light transmitted through the first optical filter 18 and the light transmitted through the second optical filter 19 And the intensity of light from a subject having a wavelength in the red wavelength region and a wavelength in the first infrared wavelength region based on the intensity of the light and the intensity of the light transmitted through the third optical filter 20. Good.
  • the analysis unit 4 includes the light intensity transmitted through the first optical filter 18 and the light transmitted through the second optical filter 19. And the intensity of light from a subject having a wavelength in the green wavelength region and a wavelength in the third infrared wavelength region based on the intensity of the light and the intensity of the light transmitted through the third optical filter 20. Good.
  • the analysis unit 4 uses the light intensity transmitted through the first optical filter 18 and the light transmitted through the second optical filter 19. And the intensity of the light transmitted through the third optical filter 20, the wavelength of the red wavelength region, the wavelength of the green wavelength region, the wavelength of the first infrared wavelength region, and the third The intensity of light from a subject having a wavelength in the infrared wavelength region may be calculated.
  • the analysis unit 4 is configured such that the intensity of the light transmitted through the first optical filter 18 and the light transmitted through the second optical filter 19 And the intensity of the light transmitted through the third optical filter 20, the wavelength of the blue wavelength region, the wavelength of the green wavelength region, the wavelength of the third infrared wavelength region, and the second The intensity of light from a subject having a wavelength in the infrared wavelength region may be calculated.
  • the analysis unit 4 uses the intensity of the light transmitted through the first optical filter 18 and the light transmitted through the second optical filter 19. And the intensity of the light transmitted through the third optical filter 20, the wavelength of the blue wavelength region, the wavelength of the red wavelength region, the wavelength of the second infrared wavelength region, and the first The intensity of light from a subject having a wavelength in the infrared wavelength region may be calculated.
  • the solid-state imaging devices 1b to 1g according to the aspect 46 of the present invention may further include a conversion unit that performs color conversion using matrix calculation in any one of the above aspects 8, 23, and 29.
  • the solid-state imaging devices 1b to 1g according to aspect 47 of the present invention are the above-described aspect 26, wherein the refractive index of the high refraction layer that transmits light having a wavelength in the blue wavelength region transmits light having a wavelength in the green wavelength region. It may be lower than the refractive index of the high refractive layer to be transmitted and the refractive index of the high refractive layer that transmits light having a wavelength in the red wavelength region.
  • the solid-state imaging devices 1b to 1g according to aspect 48 of the present invention are each formed by laminating a plurality of laminated members having different thicknesses. May be.
  • any one of the optical filters 2a to 2d and the first to n-th optical filters may be refracting.
  • a plurality of laminated members whose ratio and thickness are (n 1 , d 1 ), (n 2 , d 2 )... And (n i , d i ), respectively, (n 1 , d 1 ),
  • visible light in a predetermined wavelength region and infrared light in a predetermined wavelength region May be transmitted respectively.
  • the solid-state imaging devices 1b to 1g according to the aspect 50 of the present invention are the optical elements 2a to 2d or the first to nth optical filters in the aspect 8, 23, or 29, respectively.
  • Refractive index and thickness are (n 1 1 , d 1 1 ), (n 1 2 , d 1 2 )... And (n 1 i , d 1 i ), (n 2 1 , d 2 1 ), (N 2 2 , d 2 2 ) ... and (n 2 i , d 2 i ), ..., and (n p 1 , d p 1 ), (n p 2 , d p 2 ) ...
  • the solid-state imaging devices 1b to 1g according to aspect 51 of the present invention may further include an electromagnetic wave irradiation unit that irradiates the subject with electromagnetic waves in any one of the above aspects 8, 23, and 29.
  • the solid-state imaging devices 1b to 1g according to the aspect 52 of the present invention may further include an infrared irradiation unit that irradiates the subject with infrared rays in any one of the above-described aspects 8, 23, and 29.
  • the solid-state imaging devices 1b to 1g according to aspect 53 of the present invention may further include a visible light irradiation unit that irradiates a subject with visible light in any one of the above aspects 8, 23, and 29.
  • the solid-state imaging devices 1b to 1g according to the aspect 54 of the present invention are the same as any one of the above-described aspects 8, 23, and 29.
  • the infrared light may be near infrared light.
  • the spacer member 7 may include an organic material or an inorganic material.
  • the dimension of the spacer member 7 may be 10 micrometers or less.
  • the solid-state imaging devices 1b to 1e according to the aspect 58 of the present invention are the above-described aspect 22, wherein the optical filters 2a to 2d with respect to the spacer member 7 along a plane perpendicular to the light transmission direction with respect to the optical filters 2a to 2d.
  • the dimensional ratio may be 0.5 or more.
  • the solid-state imaging devices 1b to 1g transmit light to the optical filters 2a to 2d or the first to n-th optical filters.
  • the optical filters 2a to 2d or the first filter along the direction perpendicular to the plane with respect to the dimensions of the optical filters 2a to 2d or the first to nth optical filters along a plane perpendicular to the direction.
  • the dimension ratio of the nth optical filter may be 0.5 or more.
  • the solid-state imaging devices 1c and 1e according to the aspect 60 of the present invention are the above-described aspect 9, wherein the plurality of optical filters 2a to 2d have a periodicity and are arranged in a planar shape, and the plurality of light
  • the period in which the sensors 3a to 3d are arranged in a plane with periodicity may be different from the period in which the plurality of lenses are arranged in a plane with periodicity.
  • Solid-state imaging devices 1b to 1g include a composite optical filter array 8a having a plurality of composite optical filters 5a and a photosensor array 6a in which a plurality of photosensors 3a to 3d are arranged,
  • Each of the plurality of composite optical filters 5a includes a plurality of optical filters 2a to 2d having different transmission wavelength ranges, and each of the plurality of optical filters 2a to 2d includes ultraviolet light having a predetermined wavelength and visible light having a predetermined wavelength.
  • a plurality of laminated members S1 to Si having different refractive indexes are laminated on each of the plurality of optical filters 2a to 2d, and the plurality of optical sensors 3a to 3d are transmitted.
  • each of the plurality of optical filters 2a to 2d has a periodicity and is arranged in a planar shape.
  • the plurality of optical sensors 3a ⁇ 3d are arranged in a planar shape having a periodicity.
  • the first optical sensor and the second optical sensor are formed on the semiconductor substrate 11, and the first optical sensor and the second optical sensor (photoelectric sensor) are formed.
  • An insulating film 16 is formed on the semiconductor substrate 11 so as to cover the conversion unit 12), a first optical filter 18 corresponding to the first photosensor is formed on the insulating film 16, and the second light
  • a second optical filter 19 corresponding to a sensor is formed on the insulating film 16, and the first and second optical filters 18, 19 have different transmission wavelength ranges, and have a predetermined wavelength of visible light and a predetermined wavelength.
  • a plurality of laminated members S1 to Si that transmit infrared rays having a wavelength and have different refractive indexes are laminated on the first and second optical filters 18 and 19, respectively.
  • the photoelectric conversion unit 12) Sensitive to visible light and the infrared rays.
  • the solid-state imaging devices 1b to 1g according to the aspect 63 of the present invention include an ultraviolet wavelength region, a magenta wavelength region, a blue wavelength region, a cyan wavelength region, a green wavelength region, a yellow wavelength region, Irradiate one or more of the orange wavelength region, red wavelength region, first infrared wavelength region, second infrared wavelength region, third infrared wavelength region,. You may further provide the irradiation part to perform.
  • the solid-state imaging devices 1b to 1g according to the aspect 64 of the present invention can be installed on a ceiling, a wall, a power pole, etc., and can be mounted on a vehicle, a ship, a wearable, or the like.
  • At least one of the plurality of laminated members laminated on the optical filters 2a to 2d is more than the refractive index of the other laminated members. It is a high refractive layer (high refractive material H 1 to H j ) having a high refractive index, and at least one high refractive layer of the plurality of optical filters has a refractive index different from that of the other optical filters. It may be.
  • the photodetectors 1a and 1h according to aspect 66 of the present invention are the above-described aspect 65, wherein at least one of the plurality of optical filters 2a to 2d includes other optical filters in the visible light and infrared wavelength regions. Transmits light having a wavelength shorter than the wavelength of light transmitted by the filter, and the refractive index of at least one of the plurality of optical filters 2a to 2d has a refractive index of the high refractive layer of another optical filter. It may be smaller than the rate.
  • the photodetectors 1a and 1h according to the aspect 67 of the present invention are the above-described aspect 2, wherein one of the plurality of laminated members is the lowest layer (low refractive material L j ) closest to the optical sensors 3a to 3d.
  • the other one of the plurality of laminated members is the uppermost layer (low refractive material L 0 ) farthest from the optical sensors 3a to 3d, and the refractive index of the lowermost layer (low refractive material L j ) and the uppermost layer.
  • the ratio of the refractive index of the layer (insulating film 16) adjacent to the lower layer is 85% to 115%, and the refractive index of the uppermost layer (low refractive material L 0 ) and the layer adjacent to the uppermost layer (spacer film)
  • the ratio with the refractive index of 21) may be 85% or more and 115% or less.
  • the solid-state imaging device 1c according to an aspect 68 of the present invention further includes the lens array 9a according to the aspect 8, further including a lens array 9a disposed on the opposite side of the optical sensor array 6a with respect to the composite optical filter array 8a.
  • the plurality of lenses may be arranged in a planar shape with periodicity.
  • the solid-state imaging devices 1f and 1g according to aspect 69 of the present invention are the above-described aspect 23, wherein at least one of the plurality of laminated members laminated on the optical filters 2a to 2d constituting the first composite optical filter is At least one of a plurality of optical filters which are high refractive layers (high refractive materials H 1 to H j ) having a refractive index higher than that of the other laminated members, and constitute the plurality of first composite optical filters.
  • One high refractive layer may be different in refractive index from the high refractive layer of another optical filter.
  • the solid-state imaging devices 1f and 1g according to aspect 70 of the present invention are the above aspect 69, wherein at least one of the plurality of optical filters 2a to 2d constituting the first composite optical filter includes the visible light and Transmits light having a wavelength shorter than the wavelength of light transmitted by another optical filter in the infrared wavelength region, and the refractive index of at least one of the plurality of optical filters 2a to 2d has another refractive index. It may be smaller than the refractive index of the high refractive layer of the optical filter.
  • the solid-state imaging devices 1f and 1g according to aspect 71 of the present invention are the above-described aspect 23, wherein one of a plurality of laminated members of the plurality of optical filters 2a to 2d constituting the first composite optical filter is the optical sensor.
  • the lowermost layer (low refractive material L j ) closest to 3a to 3d, and the other one of the laminated members is the uppermost layer (low refractive material L 0 ) farthest from the photosensors 3a to 3d
  • the ratio of the refractive index of the lowermost layer (low refractive material L j ) to the refractive index of the layer adjacent to the lowermost layer (insulating film 16) is 85% or more and 115% or less
  • the ratio between the refractive index of L 0 ) and the refractive index of the layer adjacent to the uppermost layer (spacer film 21) may be 85% or more and 115% or less.
  • the solid-state imaging devices 1f and 1g according to the aspect 72 of the present invention are arranged on the opposite side of the photosensor array 6a with respect to the first composite optical filter array (composite optical filter array 8a).
  • the lens array may further include a lens array, and the plurality of lenses may be arranged in a planar shape with periodicity.
  • the present invention can be used for a photodetection device and a solid-state imaging device for subjects in a normal illuminance environment, a low illuminance environment, an extremely low illuminance environment, and a zero lux environment, and a manufacturing method thereof.

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Abstract

 光検出装置は、第1波長範囲の波長を有する第1波長光、第2波長範囲の波長を有する第2波長光、・・・および第n波長範囲の波長を有する第n波長光(nは整数)を透過させる光学フィルタ(2)と、第1波長光の第1波長光強度、第2波長光の第2波長光強度、・・・および第n波長光の第n波長光強度の少なくとも一つを検出する光センサ(3)と、第1波長光強度、第2波長光強度、・・・および第n波長光強度の少なくとも一つに基づいて、第1波長範囲、第2波長範囲、・・・および第n波長範囲の少なくとも一つ以外の波長範囲の波長を有する光の光強度を推定する解析部(4)とを備え、前記少なくとも一つの波長範囲の波長を有する光の光強度と前記少なくとも一つ以外の波長範囲の波長を有する光の光強度との間には相関関係が有る。

Description

光検出装置および固体撮像装置並びにそれらの製造方法
 本発明は、通常照度環境、低照度環境、極低照度環境およびゼロルクス環境における被写体を対象とする光検出装置および固体撮像装置並びにそれらの製造方法に関する。
 近年、低照度環境における被写体の可視光によるカラー撮影が可能な高感度カメラの開発が進められている。
 しかしながら、そのような高感度カメラを用いても、夜間など、可視光がほとんどない極低照度環境や可視光が全くない完全な暗闇、すなわち、ゼロルクス環境における被写体の可視光によるカラー撮影は不可能である。
 一方、そのような極低照度環境やゼロルクス環境にある被写体の撮影には、通常、赤外線カメラが用いられるが、色情報が得られないため、モノクロでの撮影となってしまう。
 真夜中であっても、標識の色などを明瞭に読み取ることが出来る車載カメラや不審者の服装の色などを判別可能に読み取ることができる防犯カメラなど、極低照度環境やゼロルクス環境における被写体のカラー撮影が可能な撮像装置の実現が望まれている。
 これに対して、異なる色成分をそれぞれ透過する色フィルタが受光面にそれぞれ設けられ、入射光を受けて前記異なる色成分の強度に応じた色信号をそれぞれ選択的に出力する複数の色成分光電変換素子と、赤外光成分を透過する赤外光成分透過フィルタが受光面に設けられ、前記複数の色信号の少なくとも1つに含まれる赤外光成分を補正するための赤外光信号を選択的に出力する赤外光成分光電変換素子と、を備えたカラー撮像素子から出力された前記色信号及び赤外光信号を取得し、前記赤外光信号に基づいて前記色信号の内の少なくとも2つの信号のゲインを制御し、色信号のホワイトバランス調整を行うことを特徴とするカラー信号処理回路が提案されている(例えば、特許文献1参照。)。
 また、被写体からの可視光と赤外光とを受光して、可視光信号と赤外光信号とにそれぞれ変換する複数の画素を備えた固体撮像素子と、前記可視光信号に対する前記固体撮像素子の画素毎の補正値を含む補正データを記憶する記憶手段と、前記記憶手段に記憶された補正データに基づいて、前記固体撮像素子から出力された可視光信号を補正する補正手段と、前記補正された可視光信号から色度情報を求め、前記補正された可視光信号と前記赤外光信号とから輝度情報を求めて、カラー画像信号を形成する形成手段と、を有し、前記補正データは、所定のタイミングで更新される画像入力装置が提案されている(例えば、特許文献2参照。)。
 一方、照射部、撮像部及び表色設定部を備え、前記照射部は、異なる波長強度分布を有する赤外線を被写体に照射し、前記撮像部は、前記被写体により反射された異なる波長強度分布を有するそれぞれの赤外線による前記被写体の画像を撮像してそれぞれの画像を表わす画像情報を形成し、前記表色設定部は、前記形成された画像情報が表わす画像それぞれを異なる単色により表色するための表色情報を前記画像情報に設定する画像撮影装置が提案されている(例えば、特許文献3参照。)。
日本国公開特許公報「特許4286123号明細書(2005年7月7日公開)」 日本国公開特許公報「特開2012-009983号公報(2012年1月12日公開)」 日本国公開特許公報「特開2011-50049号公報(2011年3月10日公開)」
 しかしながら、特許文献1のカラー信号処理回路は、色成分光電変換素子の信号に含まれる赤外光成分を赤外光成分光電変換素子の信号を用いて補正するものであって、極低照度環境やゼロルクス環境にある被写体の撮影は不可能であり、以下に開示される本発明の一側面および本発明の一実施形態とは異なるものである。
 また、特許文献2の画像入力装置も十分な可視光信号の取得が不可欠で、極低照度環境やゼロルクス環境にある被写体の撮影は不可能であり、以下に開示される本発明の一側面および本発明の一実施形態とは異なるものである。
 そして、特許文献3の画像撮影装置には、本発明の一側面および本発明の一実施形態に係る構成要素並びにその作製方法に関する開示はない。
 本発明は、通常照度環境、低照度環境、極低照度環境およびゼロルクス環境における被写体の色の再現やカラー撮影が可能な光検出装置および固体撮像装置並びにそれらの製造方法を提供することを目的とする。
 上記の課題を解決するために、本発明の一態様に係る光検出装置は、被写体からの光のうち第1波長範囲の波長を有する第1波長光、第2波長範囲の波長を有する第2波長光、・・・および第n波長範囲の波長を有する第n波長光(nは整数)を透過させる光学フィルタと、前記第1波長光の第1波長光強度、前記第2波長光の第2波長光強度、・・・および前記第n波長光の第n波長光強度の少なくとも一つを検出する光センサと、前記光センサにより検出された前記第1波長光強度、前記第2波長光強度、・・・および前記第n波長光強度の少なくとも一つに基づいて、前記第1波長範囲、前記第2波長範囲、・・・および前記第n波長範囲の少なくとも一つ以外の波長範囲の波長を有する光の光強度を推定する解析部とを備え、前記少なくとも一つの波長範囲の波長を有する光の光強度と前記少なくとも一つ以外の波長範囲の波長を有する光の光強度との間には相関関係が有ることを特徴とする。
 上記の課題を解決するために、本発明の一態様に係る他の光検出装置は、透過波長域が異なる複数の光学フィルタと、前記複数の光学フィルタのそれぞれを透過した光を受光する複数の光センサとを備え、前記複数の光学フィルタのそれぞれは、可視光線および赤外線の波長領域において透過率が50%以上の複数の積層部材が積層されて成り、前記複数の積層部材のそれぞれは、同一または異なる屈折率を有し、前記複数の光学フィルタのそれぞれは、所定の波長範囲の光を反射することで他の波長範囲の光を透過し、前記複数の光学フィルタは、空間またはスペーサ部材を介して、平面に配置されることを特徴とする。
 本発明の一態様に係る他の光検出装置は、前記複数の光学フィルタに対して前記複数の光センサの反対側に配置された複数のレンズをさらに備えてもよい。
 本発明の一態様に係る他の光検出装置は、前記複数の光学フィルタと前記複数の光センサとの間に配置された複数のレンズをさらに備えてもよい。
 本発明の一態様に係る他の光検出装置は、前記複数の光学フィルタに対して前記複数の光センサの反対側に配置された複数の第1レンズと、前記複数の光学フィルタと前記複数の光センサとの間に配置された複数の第2レンズとをさらに備えてもよい。
 本発明の一態様に係る光検出装置は、前記被写体からの光は赤外線であり、前記解析部は、前記光センサにより検出された前記第1波長光強度、前記第2波長光強度、・・・および前記第n波長光強度の少なくとも一つに基づいて、前記赤外線を反射した被写体の可視光線下の色を推定してもよい。
 本発明の一態様に係る他の光検出装置は、前記複数の光センサにより検出された第1波長光強度、第2波長光強度、・・・および第n波長光強度の少なくとも一つに基づいて、前記赤外線を反射した被写体の可視光線下の色を推定する解析部をさらに備えてもよい。
 上記の課題を解決するために、本発明の一態様に係る固体撮像装置は、複数の複合光学フィルタを有する複合光学フィルタアレイと、複数の光センサが配置された光センサアレイとを備え、前記複数の複合光学フィルタのそれぞれは、透過波長域の異なる複数の光学フィルタを有し、前記複数の光学フィルタのそれぞれは、所定の波長の可視光線及び所定の波長の赤外線を透過させ、前記複数の光学フィルタのそれぞれは、異なる屈折率を有する複数の積層部材が積層されて成り、前記複数の光センサは、前記可視光線及び前記赤外線に感度を有し、前記複数の光学フィルタのそれぞれは、周期性を有して平面状に配置され、前記複数の光センサは、周期性を有して平面状に配置されることを特徴とする。
 本発明の一態様に係る固体撮像装置は、前記複合光学フィルタアレイに対して前記光センサアレイの反対側に配置されて複数のレンズを有するレンズアレイをさらに備え、前記複数のレンズは、周期性を有して平面状に配置されてもよい。
 本発明の一態様に係る固体撮像装置は、前記複合光学フィルタアレイと前記光センサアレイとの間に配置されて複数のレンズを有するレンズアレイをさらに備え、前記複数のレンズは、前記複数の光学フィルタと対応するように周期性を有して平面状に配置されてもよい。
 本発明の一態様に係る固体撮像装置は、前記複合光学フィルタアレイに対して前記光センサアレイの反対側に配置されて複数の第1レンズを有する第1レンズアレイと、前記複合光学フィルタアレイと前記光センサアレイとの間に配置されて複数の第2レンズを有する第2レンズアレイとをさらに備え、前記複数の第1レンズ及び前記複数の第2レンズは、前記複数の光学フィルタと対応するように周期性を有して平面状に配置されてもよい。
 本発明の一態様に係る固体撮像装置は、前記光学フィルタは、前記所定の波長の可視光線以外の可視光線、及び、前記所定の波長の赤外線以外の赤外線を吸収することにより、前記所定の波長の可視光線及び前記所定の波長の赤外線を透過させてもよい。
 本発明の一態様に係る固体撮像装置は、前記光学フィルタは、前記所定の波長の可視光線以外の可視光線、及び、前記所定の波長の赤外線以外の赤外線を反射することにより、前記所定の波長の可視光線及び前記所定の波長の赤外線を透過させてもよい。
 本発明の一態様に係る固体撮像装置は、前記積層部材は、有機材料と無機材料との少なくとも一つを含んでもよい。
 本発明の一態様に係る固体撮像装置は、前記積層部材は、誘電体であってもよい。
 本発明の一態様に係る固体撮像装置は、前記光学フィルタの形状は、板状、凹状、器状、または、皿状であってもよい。
 本発明の一態様に係る固体撮像装置は、前記複数の積層部材の形状は、板状、凹状、器状、または、皿状であってもよい。
 本発明の一態様に係る固体撮像装置は、前記光学フィルタの形状は、立方体、直方体、角柱、角錐、角錐台、円柱、円錐、円錐台、楕円柱、楕円錐、楕円錐台、鼓型または樽型であってもよい。
 本発明の一態様に係る固体撮像装置は、幅を、前記光学フィルタが配置された前記平面に沿った前記光学フィルタのサイズとし、奥行を、前記平面に沿った前記サイズに垂直な前記平面に沿った前記光学フィルタのサイズとし、高さを、前記平面に垂直な前記光学フィルタのサイズとしたときに、前記光学フィルタは、前記幅、前記奥行および前記高さが等しいまたは近似したサイズであってもよい。
 本発明の一態様に係る固体撮像装置は、幅を、前記光学フィルタが配置された前記平面に沿った前記光学フィルタのサイズとし、奥行を、前記平面に沿った前記サイズに垂直な前記平面に沿った前記光学フィルタのサイズとし、高さを、前記平面に垂直な前記光学フィルタのサイズとしたときに、前記光学フィルタは、幅10マイクロメートル以下および奥行10マイクロメートル以下のサイズで、更に、高さ1マイクロメートル以下のサイズの、異なる屈折率を有する複数の積層部材が積層されて成ってもよい。
 本発明の一態様に係る固体撮像装置は、前記複数の光学フィルタの間に空間が形成されていてもよい。
 本発明の一態様に係る固体撮像装置は、前記複数の光学フィルタの間にスペーサ部材が形成されていてもよい。
 本発明の一態様に係る他の固体撮像装置は、第1複合光学フィルタアレイと、光センサアレイと、前記第1複合光学フィルタアレイと前記光センサアレイとの間、又は、前記第1複合光学フィルタアレイの前記光センサアレイと反対側に配置された第2複合光学フィルタアレイとを備えた固体撮像装置であって、前記第1複合光学フィルタアレイは、複数の第1複合光学フィルタを有し、前記複数の第1複合光学フィルタのそれぞれは、透過波長域の異なる複数の第1光学フィルタを有し、前記第2複合光学フィルタアレイは、複数の第2複合光学フィルタを有し、前記複数の第2複合光学フィルタのそれぞれは、透過波長域の異なる複数の第2光学フィルタを有し、前記複数の第1複合光学フィルタを構成する複数の光学フィルタのそれぞれは、無機または有機材料からなり、前記複数の第2複合光学フィルタを構成する複数の光学フィルタのそれぞれは、有機または無機材料からなり、前記複数の第1複合光学フィルタを構成する複数の光学フィルタのそれぞれは、周期性を有して平面状に配置され、前記複数の第2複合光学フィルタを構成する複数の光学フィルタのそれぞれは、前記複数の第1複合光学フィルタを構成する複数の光学フィルタのそれぞれと対応するように周期性を有して平面状に配置され、前記複数の第1複合光学フィルタを構成する複数の光学フィルタのうちの一つと、前記複数の第1複合光学フィルタを構成する複数の光学フィルタのうちの前記一つに対応する前記複数の第2複合光学フィルタを構成する複数の光学フィルタのうちの一つとを組み合わせることにより、所定の波長の可視光線及び所定の波長の赤外線を透過させ、前記光センサアレイは、前記可視光線及び前記赤外線に感度を有する複数の光センサを有し、前記複数の光センサのそれぞれは、前記複数の第1複合光学フィルタを構成する複数の光学フィルタと対応するように周期性を有して平面状に配置されることを特徴とする。なお、複合光学フィルタは同一の材料から成ってもよい。
 本発明の一態様に係る固体撮像装置は、前記無機材料は、酸化シリコン、窒化シリコンまたは酸化チタンを含んでもよい。
 本発明の一態様に係る他の固体撮像装置は、前記複数の第1及び第2光学フィルタのそれぞれは、異なる屈折率を有する複数の積層部材が積層されて成ってもよい。
 本発明の一態様に係る他の固体撮像装置は、前記複数の第1及び第2光学フィルタのそれぞれは、複数の高屈折層を含み、前記高屈折層は、前記複数の第1及び第2光学フィルタのそれぞれに形成される複数の積層部材のうち、前記可視光線および前記赤外線の波長領域において最も屈折率の高い積層部材から成る層であって、前記複数の高屈折層のそれぞれは、屈折率が異なってもよい。
 本発明の一態様に係る他の固体撮像装置は、前記複数の第1及び第2光学フィルタのそれぞれは、複数の低屈折層を含み、前記低屈折層は、前記複数の第1及び第2光学フィルタのそれぞれに形成される複数の積層部材のうち、前記可視光線および前記赤外線の波長領域において最も屈折率の低い積層部材から成る層であって、前記複数の低屈折層のそれぞれは、屈折率が異なってもよい。
 本発明の一態様に係る他の固体撮像装置は、前記複数の第1及び第2光学フィルタのそれぞれは、最下層、最上層、前記最下層に隣接する層および前記最上層に隣接する層を含み、前記最下層の屈折率と、前記最下層に隣接する層の屈折率との比率が85%以上115%以下であり、前記最上層の屈折率と、前記最上層に隣接する層の屈折率との比率が85%以上115%以下であってもよい。
 上記の課題を解決するために、本発明の一態様に係るさらに他の固体撮像装置は、複数の複合光学フィルタを有する複合光学フィルタアレイと、複合光センサが配置された光センサアレイとを備え、前記複数の複合光学フィルタのそれぞれが、第1波長範囲グループの光を透過させる第1光学フィルタ、第2波長範囲グループの光を透過させる第2光学フィルタ、・・・および第n波長範囲グループの光を透過させる第n光学フィルタを有しており(nは整数)、第k波長範囲グループ(kは1≦k≦nを満足する整数)は、それぞれ、第(k,1)波長範囲、第(k,2)波長範囲、・・・および第(k,m)波長範囲を含み(mは整数)、前記第(k,1)波長範囲、第(k,2)波長範囲、・・・および第(k,m)波長範囲のそれぞれの光強度の間には相関関係が有り、前記複合光センサは、第1光センサ、第2光センサ、・・・および第n光センサを有し、第k光センサは、前記第(k,1)波長範囲、第(k,2)波長範囲、・・・および第(k,m)波長範囲のそれぞれの光強度のうちの少なくとも一つを検出し、前記少なくとも一つの波長範囲の波長を有する光の光強度から、前記少なくとも一つ以外の波長範囲の波長を有する光の光強度を推定する解析部をさらに備え、前記少なくとも一つの波長範囲の波長を有する光の光強度と前記少なくとも一つ以外の波長範囲の波長を有する光の光強度との間には相関関係が有ることを特徴とする。
 本発明の一態様に係るさらに他の固体撮像装置は、前記第1~第n光学フィルタのうちの一つは、赤色光波長領域を有する赤色光、及び、前記赤色光波長領域に最も近い波長領域を有する赤外線を透過してもよい。
 本発明の一態様に係る固体撮像装置は、前記n=3であり、前記第(1,1)波長範囲が赤色波長領域であり、前記第(1,2)波長範囲が第1赤外波長領域であり、前記第(2,1)波長範囲が青色波長領域であり、前記第(2,2)波長範囲が第2赤外波長領域であり、前記第(3,1)波長範囲が緑色波長領域であり、前記第(3,2)波長範囲が第3赤外波長領域であり、前記第2赤外波長領域が前記第1赤外波長領域よりも長波長側に位置し、前記第3赤外波長領域が前記第2赤外波長領域よりも長波長側に位置してもよい。
 本発明の一態様に係る固体撮像装置は、前記n=3であり、前記第(1,1)波長範囲が青色波長領域と赤色波長領域とを含み、前記第(1,2)波長範囲が第1赤外波長領域と第2赤外波長領域とを含み、前記第(2,1)波長範囲が緑色波長領域と青色波長領域とを含み、前記第(2,2)波長範囲が第2赤外波長領域と第3赤外波長領域とを含み、前記第(3,1)波長範囲が赤色波長領域と緑色波長領域とを含み、前記第(3,2)波長範囲が第1赤外波長領域と第3赤外波長領域とを含み、前記第2赤外波長領域が前記第1赤外波長領域よりも長波長側に位置し、前記第3赤外波長領域が前記第2赤外波長領域よりも長波長側に位置してもよい。
 本発明の一態様に係る固体撮像装置は、前記n=3であり、前記第(1,1)波長範囲が赤色波長領域と緑色波長領域と青色波長領域とを含み、前記第(1,2)波長範囲が第1赤外波長領域と第2赤外波長領域と第3赤外波長領域とを含み、前記第(2,1)波長範囲が赤色波長領域を含み、前記第(2,2)波長範囲が前記第1赤外波長領域を含み、前記第(3,1)波長範囲が緑色波長領域を含み、前記第(3,2)波長範囲が第3赤外波長領域を含み、前記第2赤外波長領域が前記第1赤外波長領域よりも長波長側に位置し、前記第3赤外波長領域が前記第2赤外波長領域よりも長波長側に位置してもよい。
 本発明の一態様に係る固体撮像装置は、前記n=3であり、前記第(1,1)波長範囲が赤色波長領域と緑色波長領域と青色波長領域とを含み、前記第(1,2)波長範囲が第1赤外波長領域と第2赤外波長領域と第3赤外波長領域とを含み、前記第(2,1)波長範囲が緑色波長領域を含み、前記第(2,2)波長範囲が前記第3赤外波長領域を含み、前記第(3,1)波長範囲が青色波長領域を含み、前記第(3,2)波長範囲が第2赤外波長領域を含み、前記第2赤外波長領域が前記第1赤外波長領域よりも長波長側に位置し、前記第3赤外波長領域が前記第2赤外波長領域よりも長波長側に位置してもよい。
 本発明の一態様に係る固体撮像装置は、前記n=3であり、前記第(1,1)波長範囲が赤色波長領域と緑色波長領域と青色波長領域とを含み、前記第(1,2)波長範囲が第1赤外波長領域と第2赤外波長領域と第3赤外波長領域とを含み、前記第(2,1)波長範囲が青色波長領域を含み、前記第(2,2)波長範囲が前記第2赤外波長領域を含み、前記第(3,1)波長範囲が赤色波長領域を含み、前記第(3,2)波長範囲が第1赤外波長領域を含み、前記第2赤外波長領域が前記第1赤外波長領域よりも長波長側に位置し、前記第3赤外波長領域が前記第2赤外波長領域よりも長波長側に位置してもよい。
 本発明の一態様に係る固体撮像装置は、前記n=3であり、前記第(1,1)波長範囲が赤色波長領域と緑色波長領域と青色波長領域とを含み、前記第(1,2)波長範囲が第1赤外波長領域と第2赤外波長領域と第3赤外波長領域とを含み、前記第(2,1)波長範囲が緑色波長領域と青色波長領域とを含み、前記第(2,2)波長範囲が前記第3赤外波長領域と前記第2赤外波長領域とを含み、前記第(3,1)波長範囲が青色波長領域と赤色波長領域とを含み、前記第(3,2)波長範囲が第2赤外波長領域と第1赤外波長領域とを含み、前記第2赤外波長領域が前記第1赤外波長領域よりも長波長側に位置し、前記第3赤外波長領域が前記第2赤外波長領域よりも長波長側に位置してもよい。
 本発明の一態様に係る固体撮像装置は、前記n=3であり、前記第(1,1)波長範囲が赤色波長領域と緑色波長領域と青色波長領域とを含み、前記第(1,2)波長範囲が第1赤外波長領域と第2赤外波長領域と第3赤外波長領域とを含み、前記第(2,1)波長範囲が青色波長領域と赤色波長領域とを含み、前記第(2,2)波長範囲が前記第2赤外波長領域と前記第1赤外波長領域とを含み、前記第(3,1)波長範囲が赤色波長領域と緑色波長領域とを含み、前記第(3,2)波長範囲が第1赤外波長領域と第3赤外波長領域とを含み、前記第2赤外波長領域が前記第1赤外波長領域よりも長波長側に位置し、前記第3赤外波長領域が前記第2赤外波長領域よりも長波長側に位置してもよい。
 本発明の一態様に係る固体撮像装置は、前記n=3であり、前記第(1,1)波長範囲が赤色波長領域と緑色波長領域と青色波長領域とを含み、前記第(1,2)波長範囲が第1赤外波長領域と第2赤外波長領域と第3赤外波長領域とを含み、前記第(2,1)波長範囲が赤色波長領域と緑色波長領域とを含み、前記第(2,2)波長範囲が前記第1赤外波長領域と前記第3赤外波長領域とを含み、前記第(3,1)波長範囲が緑色波長領域と青色波長領域とを含み、前記第(3,2)波長範囲が第3赤外波長領域と第2赤外波長領域とを含み、前記第2赤外波長領域が前記第1赤外波長領域よりも長波長側に位置し、前記第3赤外波長領域が前記第2赤外波長領域よりも長波長側に位置してもよい。
 本発明の一態様に係る固体撮像装置は、前記第1光学フィルタには、空間、若しくは、可視光線および赤外線の波長領域において50%以上の透過率を有する積層部材が積層されていてもよい。
 本発明の一態様に係る固体撮像装置は、前記解析部は、前記第1光学フィルタを透過した光の強度と、前記第2光学フィルタを透過した光の強度と、前記第3光学フィルタを透過した光の強度とに基づいて、前記青色波長領域の波長及び前記第2赤外波長領域の波長を有する被写体からの光の強度を計算してもよい。
 本発明の一態様に係る固体撮像装置は、前記解析部は、前記第1光学フィルタを透過した光の強度と、前記第2光学フィルタを透過した光の強度と、前記第3光学フィルタを透過した光の強度とに基づいて、前記赤色波長領域の波長及び前記第1赤外波長領域の波長を有する被写体からの光の強度を計算してもよい。
 本発明の一態様に係る固体撮像装置は、前記解析部は、前記第1光学フィルタを透過した光の強度と、前記第2光学フィルタを透過した光の強度と、前記第3光学フィルタを透過した光の強度とに基づいて、前記緑色波長領域の波長及び前記第3赤外波長領域の波長を有する被写体からの光の強度を計算してもよい。
 本発明の一態様に係る固体撮像装置は、前記解析部は、前記第1光学フィルタを透過した光の強度と、前記第2光学フィルタを透過した光の強度と、前記第3光学フィルタを透過した光の強度とに基づいて、前記赤色波長領域の波長、前記緑色波長領域の波長、前記第1赤外波長領域の波長、及び、前記第3赤外波長領域の波長を有する被写体からの光の強度を計算してもよい。
 本発明の一態様に係る固体撮像装置は、前記解析部は、前記第1光学フィルタを透過した光の強度と、前記第2光学フィルタを透過した光の強度と、前記第3光学フィルタを透過した光の強度とに基づいて、前記青色波長領域の波長、前記緑色波長領域の波長、前記第3赤外波長領域の波長、及び、前記第2赤外波長領域の波長を有する被写体からの光の強度を計算してもよい。
 本発明の一態様に係る固体撮像装置は、前記解析部は、前記第1光学フィルタを透過した光の強度と、前記第2光学フィルタを透過した光の強度と、前記第3光学フィルタを透過した光の強度とに基づいて、前記青色波長領域の波長、前記赤色波長領域の波長、前記第2赤外波長領域の波長、及び、前記第1赤外波長領域の波長を有する被写体からの光の強度を計算してもよい。
 本発明の一態様に係る固体撮像装置は、マトリックス計算を用いた色変換を行う変換部をさらに備えてもよい。
 本発明の一態様に係る他の固体撮像装置は、青色波長領域の波長を有する光を透過させる前記高屈折層の屈折率は、緑色波長領域の波長を有する光を透過させる前記高屈折層の屈折率、及び、赤色波長領域の波長を有する光を透過させる前記高屈折層の屈折率よりも低くてもよい。
 本発明の一態様に係る固体撮像装置は、前記複数の複合光学フィルタのそれぞれは、異なる厚さの複数の積層部材が積層されて成ってもよい。
 本発明の一態様に係る固体撮像装置は、前記光学フィルタ、前記第1~第n光学フィルタのいずれかは、屈折率および厚さがそれぞれ(n、d)、(n、d)・・・および(n、d)である複数の積層部材を備え、前記(n、d)、前記(n、d)・・・および前記(n、d)のそれぞれの値を適宜設定することにより(iは整数)、所定の波長領域の可視光線および所定の波長領域の赤外線をそれぞれ透過してもよい。
 本発明の一態様に係る固体撮像装置は、前記複数の光学フィルタ、または、前記第1~第n光学フィルタは、屈折率および厚さがそれぞれ(n ,d )、(n ,d )・・・および(n ,d )、(n ,d )、(n ,d )・・・および(n ,d )、・・・、並びに、(n ,d )、(n ,d )・・・および(n ,d )である複数の積層部材を備え、前記(n ,d )、前記(n ,d )・・・および前記(n ,d )、前記(n ,d )、前記(n ,d )・・・および前記(n ,d )、・・・、並びに、前記(n ,d )、前記(n ,d )・・・および前記(n ,d )のそれぞれの値を適宜設定することにより(pは1≦p≦nを満足する整数)、所定の波長領域の可視光線および所定の波長領域の赤外線をそれぞれ透過してもよい。
 本発明の一態様に係る固体撮像装置は、被写体に電磁波を照射する電磁波照射部をさらに備えてもよい。
 本発明の一態様に係る固体撮像装置は、被写体に赤外線を照射する赤外線照射部をさらに備えてもよい。
 本発明の一態様に係る固体撮像装置は、被写体に可視光線を照射する可視光線照射部をさらに備えてもよい。
 本発明の一態様に係る固体撮像装置は、被写体に可視光線を照射する可視光線照射部と、前記被写体に赤外線を照射する赤外線照射部とをさらに備えてもよい。
 本発明の一態様に係る固体撮像装置は、前記赤外線が近赤外線であってもよい。
 本発明の一態様に係る固体撮像装置は、前記スペーサ部材が、有機材料または無機材料を含んでもよい。
 本発明の一態様に係る固体撮像装置は、前記スペーサ部材の寸法が、10マイクロメーター以下であってもよい。
 本発明の一態様に係る固体撮像装置は、前記光学フィルタに対する光の透過方向に垂直な平面に沿った前記スペーサ部材に対する前記光学フィルタの寸法比が、0.5以上であってもよい。
 本発明の一態様に係る固体撮像装置は、前記光学フィルタ、又は、前記第1~第n光学フィルタに対する光の透過方向に垂直な平面に沿った前記光学フィルタ、又は、前記第1~第n光学フィルタの寸法に対する、前記平面に垂直な方向に沿った前記光学フィルタ、又は、前記第1~第n光学フィルタの寸法の比率が0.5以上であってもよい。
 本発明の一態様に係る固体撮像装置は、前記複数の光学フィルタのそれぞれが周期性を有して平面状に配置される周期と、前記複数の光センサが周期性を有して平面状に配置される周期と、前記複数のレンズが周期性を有して平面状に配置される周期とが異なってもよい。
 上記の課題を解決するために、本発明の一態様に係るさらに他の固体撮像装置は、複数の複合光学フィルタを有する複合光学フィルタアレイと、複数の光センサが配置された光センサアレイとを備え、前記複数の複合光学フィルタのそれぞれは、透過波長域の異なる複数の光学フィルタを有し、前記複数の光学フィルタのそれぞれは、所定の波長の紫外線、所定の波長の可視光線、及び所定の波長の赤外線を透過させ、前記複数の光学フィルタのそれぞれは、異なる屈折率を有する複数の積層部材が積層されて成り、前記複数の光センサは、前記紫外線、前記可視光線、及び前記赤外線に感度を有し、前記複数の光学フィルタのそれぞれは、周期性を有して平面状に配置され、前記複数の光センサは、周期性を有して平面状に配置されることを特徴とする。
 上記の課題を解決するために、本発明の一態様に係る固体撮像装置の製造方法は、半導体基板に第1光センサ及び第2光センサを形成し、前記第1光センサ及び第2光センサを覆うように前記半導体基板の上に絶縁膜を形成し、前記第1光センサに対応する第1光学フィルタを前記絶縁膜の上に形成し、前記第2光センサに対応する第2光学フィルタを前記絶縁膜の上に形成し、前記第1及び第2光学フィルタは、透過波長域が異なっており、所定の波長の可視光線及び所定の波長の赤外線を透過させ、前記第1及び第2光学フィルタのそれぞれには、異なる屈折率を有する複数の積層部材が積層されて成り、前記第1及び第2光センサは、前記可視光線及び前記赤外線に感度を有することを特徴とする。
 本発明の一態様によれば、通常照度環境、低照度環境、極低照度環境およびゼロルクス環境における被写体の色の再現やカラー撮影が可能になるという効果を奏する。また、昼夜を問わず適切な色を再現でき、または、適切なカラー画像を形成できる光検出装置および固体撮像装置並びにそれらの製造方法を提供することができる。さらに、それらの装置は軽量・小型化可能であるため、あらゆる場所に持ち運びまたは設置可能であるので、様々な用途に使用可能である。
本発明の実施形態に係る光検出装置の構成および固体撮像装置を構成する光検出装置を示す図である。 図2の(a)~(e)は本発明の実施形態1に係る光検出装置および固体撮像装置の光学フィルタを示す図であり、図2の(f)は光線の波形を示す図である。 図3の(a)及び(b)は本発明の実施形態2に係る光検出装置の構成および固体撮像装置を構成する光検出装置の構成を示す図である。 図4の(a)~(e)は本発明の実施形態2に係る光検出装置および固体撮像装置を構成する光学フィルタ間の空間およびスペーサ部材の作用を説明する図である。 図5の(a)~(e)は本発明の実施形態2に係る光検出装置および固体撮像装置を構成する光学フィルタ間の空間およびスペーサ部材の作用が無い場合を説明する図である。 図6の(a)~(c)は本発明の実施形態3に係る光検出装置および固体撮像装置を構成する光学フィルタの設置例を説明する図である。 図7の(a)~(c)は本発明の実施形態4に係る光検出装置および固体撮像装置を構成する光学フィルタの設置例を説明する図である。 図8の(a)~(c)は本発明の実施形態5に係る光検出装置および固体撮像装置を構成する光学フィルタの設置例を説明する図である。 図9の(a)~(c)は本発明の実施形態6に係る光検出装置および固体撮像装置を構成する光学フィルタの設置例を説明する図である。 図10の(a)~(f)は本発明の実施形態7に係る光検出装置および固体撮像装置を構成する光学フィルタの設置例を説明する図である。 図11の(a)~(f)は本発明の実施形態8に係る光検出装置および固体撮像装置を構成する光学フィルタの設置例を説明する図である。 図12の(a)~(f)は本発明の実施形態9に係る光検出装置および固体撮像装置を構成する光学フィルタの設置例を説明する図である。 図13の(a)~(g)は本発明に係る光検出装置および固体撮像装置を構成する光学フィルタの透過率の波長依存性を示す図である。 本発明の実施形態10に係る固体撮像装置の構成を示す図である。 実施形態10に係る固体撮像装置の断面図である。 図16の(a)は実施形態10に係る無機膜光学フィルタ部の断面図であり、(b)及び(c)は光学フィルタを透過した各光線の強度の波長依存を示すグラフである。 図17の(a)~(g)は実施形態10における固体撮像装置の製造方法を示す図である。 は、無機膜光学フィルタの構造を示す断面図である。 図19の(a)は第1の光学フィルタと第2の光学フィルタの構造を示す図であり、(b)はそれぞれの高屈折層の屈折率を比較した式である。 図20の(a)は無機膜光学フィルタの屈折率、図20の(b)は無機膜光学フィルタの吸収係数の波長依存を示すグラフである。 図21の(a)は第1~3の光学フィルタの屈折率及び膜厚の一例、図21の(b)は光学フィルタの透過率の波長依存性を示す。 本発明の実施形態11に係る固体撮像装置の構成を示す図である。 実施形態11に係る固体撮像装置の断面図である。 図24の(a)及び(b)は実施形態11における固体撮像装置の製造方法を示す図である。 本発明の実施形態12に係る固体撮像装置の構成を示す図である。 実施形態12に係る固体撮像装置の断面図である。 図27の(a)~(d)は実施形態12における固体撮像装置の製造方法を示す図である。 本発明の実施形態13に係る固体撮像装置の構成を示す図である。 実施形態13に係る固体撮像装置の断面図である。 図30の(a)及び(b)は実施形態13における固体撮像装置の製造方法を示す図である。 図31の(a)は本発明の実施形態14に係る固体撮像装置の構成を示す図である。図31の(b)は実施形態14に係る別の固体撮像装置の構成を示す図である。 実施形態14に係る固体撮像装置の断面図である。 図33の(a)は、第2の光学フィルタ特性を得るための有機膜光学フィルタの透過率の波長依存を示すグラフであり、図33の(b)は、無機光学フィルタの透過率の波長依存を示すグラフであり、図33の(c)はトータルの透過率の波長依存を示すグラフである。 図34の(a)~(c)は実施形態14における固体撮像装置の製造方法を示す図である。 実施形態14に係る固体撮像装置の断面図である。 図36の(a)は、第3の光学フィルタ特性を得るための有機膜光学フィルタの透過率の波長依存を示すグラフであり、図36の(b)は、無機光学フィルタの透過率の波長依存を示すグラフであり、図36の(c)はトータルの透過率の波長依存を示すグラフである。 実施形態14に係る固体撮像装置の断面図である。 図38の(a)は、第1の光学フィルタ特性を得るための有機膜光学フィルタの透過率の波長依存を示すグラフであり、図38の(b)は、無機光学フィルタの透過率の波長依存を示すグラフであり、図38の(c)はトータルの透過率の波長依存を示すグラフである。 実施形態15に係る固体撮像装置の断面図である。 図40の(a)~(f)は実施形態15における固体撮像装置の製造方法を示す図である。 図41の(a)及び(b)は本発明の固体撮像装置で撮像した可視光及び赤外線照射時のカラー写真である。
 以下、本発明の実施の形態について、詳細に説明する。
 〔実施形態1〕
 (光検出装置1の構成)
 図1は、実施形態1に係る光検出装置1の構成を示す図である。光検出装置1は光学フィルタ2を備えている。光学フィルタ2は、被写体から入射する光線L1のうち第1波長範囲の波長を有する第1波長光、第2波長範囲の波長を有する第2波長光、・・・および第n波長範囲の波長を有する第n波長光(nは整数)を透過させる。光線L2は、第1波長光、第2波長光、・・・および第n波長光を含む。光検出装置1には光センサ3が設けられている。光センサ3は、第1波長光の第1波長光強度、第2波長光の第2波長光強度、・・・および第n波長光の第n波長光強度の少なくとも一つを情報Tとして検出する。第1波長光強度、第2波長光強度、・・・および第n波長光強度のそれぞれの間には相関関係が有る。
 また、光検出装置1は解析部4を備えている。解析部4は、光センサ3により検出された第1波長光強度、第2波長光強度、・・・および第n波長光強度の少なくとも一つに基づいて、第1波長範囲、第2波長範囲、・・・および第n波長範囲の少なくとも一つ以外の波長範囲の波長を有する光の光強度を推定する。
 (解析部4の具体的処理)
 図1において、光線L1は、被写体または対象物からの光を想定しており、被写体または対象物からの光としては、被写体または対象物の反射する光、被写体または対象物の発する光、被写体または対象物を透過する光、それらの組合せなどがある。
 なお、被写体または対象物を照明する場合、照明光には、太陽光の強い日中は、紫外線、可視光線および赤外線がそれぞれ特定の波長強度分布で含まれる場合がある。また、太陽光のない夜中は、人工の照明光の波長強度分布が含まれる。人工の照明光としては、一般に、白色照明の他、赤外線照明などがある。なお、白色照明としては、白熱電灯、蛍光灯、LED照明などがあるが、それらに赤外線が含まれる場合もある。
 以下、光線L1が被写体または対象物の反射する光の場合について述べる。
 例えば、被写体または対象物が、第m波長範囲の波長を有する第m波長光および第n波長範囲の波長を有する第n波長光をある特定の強度または波長強度分布でそれぞれ反射する場合、被写体または対象物の反射する第m波長光の第m波長光強度または波長強度分布と第n波長光の第n波長光強度または波長強度分布との間には相関関係があると言うことが出来る。なお、ここで、m、nはそれぞれ整数である。
 ここで、例えば、光学フィルタ2を第m波長光範囲の第m波長光および第n波長光範囲の第n波長光が透過するように設定し、光センサ3を第m波長光範囲の第m波長光および第n波長光範囲の第n波長光を検出するように設定する。
 更に、ここで、照明光に第n波長光のみ含まれる場合、被写体または対象物の反射光である光線L1には、第n波長光のみが含まれる。したがって、光線L2にも第n波長光のみが含まれるため、光センサ3は第n波長光強度のみを検出する。
 そして、光センサ3で得られた第n波長光強度などに関する情報Tにより、解析部4は、光線L1に第m波長光が含まれていなくても、被写体または対象物が反射する第m波長光強度を、相関関係に基づいて、推定することが出来る。
 なお、逆に、照明光に第m波長光のみが含まれる場合、被写体または対象物の反射光である光線L1には、第m波長光のみが含まれる。したがって、光線L2にも第m波長光のみが含まれるため、光センサ3は第m波長光強度のみを検出する。
 そして、光センサ3で得られた第m波長光強度などに関する情報Tにより、解析部4は、光線L1に第n波長光が含まれていなくても、被写体または対象物が反射する第n波長光強度を、相関関係に基づいて、推定することが出来る。
 なお、上記は、被写体または対象物が、第m波長光および第n波長光をある強度でそれぞれ反射し、光線L1が第n波長光または第m波長光で構成され、光学フィルタ2が第m波長光および第n波長光を透過する場合であるが、その他、被写体または対象物が、第1~第n波長光をある強度分布で反射する場合などがある。
 それらを含めて一般化すると、解析部4は、光センサ3により検出された第1波長光強度、第2波長光強度、・・・および第n波長光強度の少なくとも一つに基づいて、第1波長範囲、第2波長範囲、・・・および第n波長範囲の少なくとも一つ以外の波長範囲の波長を有する被写体または対象物の反射する光強度を推定することが出来ると言える。
 なお、被写体または対象物の反射する光は、被写体または対象物の発する光、被写体または対象物を透過する光、それらの組合せなどの被写体または対象物からの光と置き換えて表現することも出来る。
 なお、解析部4に、光線L1に含まれる光波長強度分布に関する情報を予め入力または設定しておくことが好ましい。
 なお、光学フィルタ2の光線L1側に、長波長カットフィルタ、短波長カットフィルタ、バンドパスフィルタ、ダミーフィルタまたはNDフィルタを備え、その情報を解析部4に入力または設定しておくことが好ましい。
 なお、本発明に係る固体撮像装置は、光検出装置1を備えることが好ましい。
 なお、光検出装置1をラスタスキャンなどのように平面上を走査させると、本発明に係る固体撮像装置として機能させることが出来る。また、その際、光源の波長を走査毎に変えてもよい。
 (光学フィルタ2の構成)
 図2の(a)~(e)は実施形態1に係る光検出装置1の光学フィルタ2を示す図であり、図2の(f)は光線の波形を示す図である。
 光学フィルタ2は、複数の異なる積層部材S1~S6により形成することが出来る。なお、図2では、積層部材の部材の層数を6層の場合で説明したが、これに限定するものではなく、後述するように任意の層数を設定することができる。
 また、光学フィルタ2の光学解像度をより上げるためには、図2(a)から図2の(e)に示すように、光学フィルタ2の幅を狭くして行く必要がある。そして、光学フィルタ2の幅が、図2の(f)に示す光線L1の波形Wの波長と同じオーダーあるいは数倍あるいは同程度になると、光学フィルタ2に入射した光線L1の一部が光学フィルタ2の側面から染み出る現象を無視することが出来なくなる(後述する図5参照のこと)。
 〔実施形態2〕
 (光検出装置1a・1hの構成)
 図3の(a)及び(b)は実施形態2に係る光検出装置1a・1hの構成を示す図である。
 図3の(a)に示す光検出装置1aは、複合光学フィルタ5aと光センサアレイ6とを備えている。複合光学フィルタ5aは、2行2列に配置されて光線L3が入射される光学フィルタ2a~2dを有している。光学フィルタ2a~2dのそれぞれには、可視光線及び赤外線の波長領域において透過率が50%以上の複数の積層部材が積層されている。
 光学フィルタ2aは、被写体からの光のうち第1波長範囲以外の波長の光を反射することにより第1波長範囲の波長を有する第1波長光を透過させる。光学フィルタ2bは、被写体からの光のうち第2波長範囲以外の波長の光を反射することにより第2波長範囲の波長を有する第2波長光を透過させる。光学フィルタ2cは、被写体からの光のうち第3波長範囲以外の波長の光を反射することにより第3波長範囲の波長を有する第3波長光を透過させる。光学フィルタ2dは、被写体からの光のうち第4波長範囲以外の波長の光を反射することにより第4波長範囲の波長を有する第4波長光を透過させる。
 光学フィルタ2a~2dのそれぞれは、所定の波長範囲の光を反射することにより他の波長範囲の光を透過し得る。ここで、他の波長範囲の光は、所定の波長範囲以外の波長の光と一致しないことがあり得る。また、他の波長範囲は、所定の波長範囲と重複し得る。
 光学フィルタ2a~2dの間には、光学フィルタ2a~2dのそれぞれの側面から染み出す光線の間の相互作用またはクロストークの発生を防止するために、空間SPが形成されている。
 光センサアレイ6は、光学フィルタ2a~2dのそれぞれに対応して配置された光センサ3a~3dを有している。光センサ3aは、光学フィルタ2aを透過した第1波長光の第1波長光強度を検出する。光センサ3bは、光学フィルタ2bを透過した第2波長光の第2波長光強度を検出する。光センサ3cは、光学フィルタ2cを透過した第3波長光の第3波長光強度を検出する。光センサ3dは、光学フィルタ2dを透過した第4波長光の第4波長光強度を検出する。
 図3の(b)に示す光検出装置1hでは、光学フィルタ2a~2dの間に、光学フィルタ2a~2dのそれぞれの側面から染み出す光線の間の相互作用またはクロストークの発生を防止するためのスペーサ部材7が形成されている。その他の構成は、図3の(a)の光検出装置1aの構成と同様である。
 図4の(a)~(e)、図5の(a)~(e)は実施形態2に係る光検出装置および固体撮像装置を構成する光学フィルタ間の空間およびスペーサ部材の作用を説明する図である。なお、図4は、後述する図6の(a)に示す断面AAに沿って示した複合光学フィルタ5bの断面図に対して光線L3の波長を概念的に示した図である。
 図4に示す波形W1~W5が示すように、スペーサ部材7により、隣接する光学フィルタ2b・2cに、光学フィルタ2a内の光線L3を染み出さないようにすることが出来る。このため、光学フィルタ2a~2dのそれぞれを反射または透過する光線の制御が容易となる。
 一方、図5に示すように、空間SPおよびスペーサ部材7を介さずに光学フィルタ2a~2dが設置された場合、図5に示す波形W1~W5が示すように、隣接する光学フィルタ2b・2cに、光学フィルタ2a内の光線が染み出し、それぞれの光線が相互作用またはクロストークを起こす。このため、光学フィルタ2a~2dのそれぞれを反射または透過する光線の制御が困難となる。
 なお、本発明に係る固体撮像装置は、光検出装置1aまたは1hを備えることが好ましい。
 なお、光検出装置1aまたは光検出装置1hをラスタスキャンなどのように平面上を走査させると、本発明に係る固体撮像装置として機能させることが出来る。
 〔実施形態3〕
 (光学フィルタの配置例)
 図6の(a)~(c)は本発明の実施形態3に係る光検出装置および固体撮像装置を構成する光学フィルタの設置例を説明する図である。
 図6の(a)を参照すると、複合光学フィルタ5bは、2行2列に配置された正方形状の光学フィルタ2a~2dと、光学フィルタ2a~2dの間に形成されたスペーサ部材7aとを有する。
 図6の(b)を参照すると、複合光学フィルタ5cは、正方形状の光学フィルタ2b・2dと長方形状の光学フィルタ2eと、光学フィルタ2b・2d・2eの間に形成されたスペーサ部材7bとを有する。
 図6の(c)を参照すると、複合光学フィルタ5dは、菱形状の光学フィルタ2f・2g・2hと、光学フィルタ2f・2g・2hの間に形成されたスペーサ部材7cとを有する。
 〔実施形態4〕
 (光学フィルタの他の配置例)
 図7の(a)~(c)は実施形態4に係る光検出装置および固体撮像装置を構成する光学フィルタの設置例を説明する図である。図7の(a)を参照すると、複合光学フィルタ5eは、円形状の4個の光学フィルタ2i~2lと、光学フィルタ2i~2lの間に形成されたスペーサ部材7dとを有する。
 図7の(b)を参照すると、複合光学フィルタ5fは、円形状の2個の光学フィルタ2n・2oと、レーストラック形状の光学フィルタ2mと、光学フィルタ2n・2o・2mの間に形成されたスペーサ部材7とを有する。
 図7の(c)を参照すると、複合光学フィルタ5gは、楕円形状の3個の光学フィルタ2p・2q・2rと、光学フィルタ2p・2q・2rの間に形成されたスペーサ部材7fとを有する。
 〔実施形態5〕
 (光学フィルタのさらに他の配置例)
 図8の(a)~(c)は実施形態5に係る光検出装置および固体撮像装置を構成する光学フィルタの設置例を説明する図である。複合光学フィルタ5bにおいて、正方形状の光学フィルタ2a~2dがスペーサ部材7aを介して2行2列に配置されている。
 図8の(a)を参照すると、光学フィルタ2aは「緑色波長領域(G)」および「第3赤外波長領域(IR3)」を透過させ、光学フィルタ2b・2cは「赤色波長領域(R)」および「第1赤外波長領域(IR1)」を透過させ、光学フィルタ2dは「青色波長領域(B)」および「第2赤外波長領域(IR2)」を透過させる。
 ここで、赤外線波長領域において、短波長側から順に「第1赤外波長領域(IR1)」、「第2赤外波長領域(IR2)」、「第3赤外波長領域(IR3)」であり、以下、同様とする。
 図8の(b)を参照すると、光学フィルタ2aは「青色波長領域(B)」および「第2赤外波長領域(IR2)」を透過させ、光学フィルタ2b・2cは「緑色波長領域(G)」および「第3赤外波長領域(IR3)」を透過させ、光学フィルタ2dは「赤色波長領域(R)」および「第1赤外波長領域(IR1)」を透過させる。
 図8の(c)を参照すると、光学フィルタ2aは「赤色波長領域(R)」および「第1赤外波長領域(IR1)」を透過させ、光学フィルタ2b・2cは「青色波長領域(B)」および「第2赤外波長領域(IR2)」を透過させ、光学フィルタ2dは「緑色波長領域(G)」および「第3赤外波長領域(IR3)」を透過させる。
 なお、各光学フィルタ2a~2dを透過した「赤色波長領域(R)」の波長を有する可視光線の強度をRで表し、「緑色波長領域(G)」の波長を有する可視光線の強度をGで表し、「青色波長領域(B)」の波長を有する可視光線の強度をBで表し、「第1赤外波長領域(IR1)」の波長を有する赤外線の強度をIR1で表し、「第2赤外波長領域(IR2)」の波長を有する赤外線の強度をIR2で表し、「第3赤外波長領域(IR3)」の波長を有する赤外線の強度をIR3で表し、以下、同様とすると、各光センサ3a~3dで検出されたa0(R+IR1)を三原色の「R」で表色し、b0(G+IR3)を三原色の「G」で表色し、c0(B+IR2)を三原色の「B」で表色することが可能である。
 ここで、上記a0、b0およびc0は係数を表し、各光センサ3a~3dの検出率に応じて適宜調整することが出来る。
 〔実施形態6〕
 (光学フィルタの構成例)
 図9の(a)~(c)は実施形態6に係る光検出装置および固体撮像装置(光検出装置)を構成する光学フィルタの設置例を説明する図である。図9の(a)を参照すると、光学フィルタ2aは「M波長領域」、「第1赤外波長領域(IR1)」、及び、「第2赤外波長領域(IR2)」を透過させ、光学フィルタ2b・2cは「C波長領域」、「第2赤外波長領域(IR2)」、及び、「第3赤外波長領域(IR3)」を透過させ、光学フィルタ2dは「Y波長領域」、「第3赤外波長領域(IR3)」、「第1赤外波長領域(IR1)」を透過させる。
 ここで、「C波長領域」は、「緑色波長領域(G)」および「青色波長領域(B)」を表し、「M波長領域」は、「青色波長領域(B)」および「赤色波長領域(R)」を表し、また、「Y波長領域」は、「赤色波長領域(R)」および「緑色波長領域(G)」を表し、以下、同様とする。
 図9の(b)を参照すると、光学フィルタ2aは「Y波長領域」、「第3赤外波長領域(IR3)」、及び、「第1赤外波長領域(IR1)」を透過させ、光学フィルタ2b・2cは「M波長領域」、「第1赤外波長領域(IR1)」、及び、「第2赤外波長領域(IR2)」を透過させ、光学フィルタ2dは「C波長領域」、「第2赤外波長領域(IR2)」、「第3赤外波長領域(IR3)」を透過させる。
 図9の(c)を参照すると、光学フィルタ2aは「C波長領域」、「第2赤外波長領域(IR2)」、及び、「第3赤外波長領域(IR3)」を透過させ、光学フィルタ2b・2cは「Y波長領域」、「第3赤外波長領域(IR3)」、及び、「第1赤外波長領域(IR1)」を透過させ、光学フィルタ2dは「M波長領域」、「第1赤外波長領域(IR1)」、「第2赤外波長領域(IR2)」を透過させる。
 なお、上記の組合せの他、「赤色波長領域(R)」、「緑色波長領域(G)」、「青色波長領域(B)」、「C波長領域」、「M波長領域」、「Y波長領域」、「第1赤外波長領域(IR1)」、「第2赤外波長領域(IR2)」または「第3赤外波長領域(IR3)」を用いた他の組合せも可能である。
 なお、各光学フィルタ2a~2dを透過した「C波長領域」の波長を有する可視光線の強度をCで表し、「M波長領域」の波長を有する可視光線の強度をMで表し、「Y波長領域」の波長を有する可視光線の強度をYで表し、以下、同様とすると、各光センサ3a~3dで検出されたa02(C+IR2+IR3)を三原色の「C」で表色し、b02(M+IR1+IR2)を三原色の「M」で表色し、c02(Y+IR1+IR3)を三原色の「Y」で表色することが可能である。
 ここで、a02、b02およびc02は係数を表し、各光学フィルタ2a~2dの透過率、各光センサ3a~3dの検出率などに応じて適宜調整することが出来る。
 なお、被写体からの「赤色波長領域(R)」、「緑色波長領域(G)」および「青色波長領域(B)」の可視光線の強度をW0で表し、「第1赤外波長領域(IR1)」、「第2赤外波長領域(IR2)」および「第3赤外波長領域(IR3)」の波長を有する赤外線の強度をIR0で表し、以下、同様とすると、
 R+IR1=d0(W0+IR0)-a02(C+IR2+IR3)
      ={-a02(C+IR2+IR3)+b02(M+IR1+IR2)+c02(Y+IR1+IR3)}/2          (1)
 G+IR3=d0(W0+IR0)-b02(M+IR1+IR2)
      ={a02(C+IR2+IR3)-b02(M+IR1+IR2)+c02(Y+IR1+IR3)}/2           (2)
 B+IR2=d0(W0+IR0)-c02(Y+IR1+IR3)
      ={a02(C+IR2+IR3)+b02(M+IR1+IR2)-c02(Y+IR1+IR3)}/2           (3)
により変換し、a03(R+IR1)を三原色の「R」で表色し、b03(G+IR3)を三原色の「G」で表色し、c03(B+IR2)を三原色の「B」で表色することが可能である。
 すなわち、上記CMY表色系の情報をRGB表色系の情報に変換することも可能である。ここで、a03、b03、c03およびd0は係数を表し、適宜調整することが出来る。
 〔実施形態7〕
 (光学フィルタの他の構成例)
 図10の(a)~(f)は実施形態7に係る光検出装置および固体撮像装置を構成する光学フィルタの設置例を説明する図である。図10の(a)を参照すると、光学フィルタ2aは「W波長領域」および「赤外波長領域(IR)」を透過させ、光学フィルタ2b・2cは「赤色波長領域(R)」および「第1赤外波長領域(IR1)」を透過させ、光学フィルタ2dは「緑色波長領域(G)」および「第3赤外波長領域(IR3)」を透過させる。
 ここで、「W波長領域」は、「赤色波長領域(R)」、「緑色波長領域(G)」および「青色波長領域(B)」を表し、「IR波長領域」は、「第1赤外波長領域(IR1)」、「第2赤外波長領域(IR2)」および「第3赤外波長領域(IR3)」を表し、以下、同様とする。
 なお、各光学フィルタ2a~2dを透過した「赤色波長領域(R)」、「緑色波長領域(G)」および「青色波長領域(B)」の可視光線の強度をWで表し、「第1赤外波長領域(IR1)」、「第2赤外波長領域(IR2)」および「第3赤外波長領域(IR3)」の赤外線の強度をIRで表し、以下、同様とすると、被写体からの「青色波長領域(B)」および「第2赤外波長領域(IR2)」の光強度は、例えば、
 B+IR2=a1(W+IR)-2b1(R+IR1)-c1(G+IR3)                            (4)
などから計算して求めることが出来る。
 また、a1、b1およびc1は係数を表し、各光学フィルタ2a~2dの透過率、各光センサ3a~3dの検出率などに応じて適宜調整することが出来る。
 図10の(b)を参照すると、光学フィルタ2aは「W波長領域」および「赤外波長領域(IR)」を透過させ、光学フィルタ2b・2cは「緑色波長領域(G)」および「第3赤外波長領域(IR3)」を透過させ、光学フィルタ2dは「青色波長領域(B)」および「第2赤外波長領域(IR2)」を透過させる。
 なお、被写体からの「赤色波長領域(R)」および「第1赤外波長領域(IR1)」の光強度は、例えば、
 R+IR1=a2(W+IR)-2b2(G+IR3)-c2(B+IR2)                           (5)
などから計算して求めることが出来る。ここで、a2、b2およびc2は係数を表し、各光学フィルタ2a~2dの透過率、各光センサ3a~3dの検出率などに応じて適宜調整することが出来る。
 図10の(c)を参照すると、光学フィルタ2aは「W波長領域」および「赤外波長領域(IR)」を透過させ、光学フィルタ2b・2cは「青色波長領域(B)」および「第2赤外波長領域(IR2)」を透過させ、光学フィルタ2dは「赤色波長領域(R)」および「第1赤外波長領域(IR1)」を透過させる。
 なお、被写体からの「緑色波長領域(G)」および「第3赤外波長領域(IR3)」の光強度は、例えば、
 G+IR3=a3(W+IR)-2b3(B+IR2)-c3(R+IR1)                           (6)
などから計算して求めることが出来る。ここで、a3、b3およびc3は係数を表し、各光学フィルタの透過率、各光センサの検出率などに応じて適宜調整することが出来る。
 図10の(d)を参照すると、光学フィルタ2aは「W波長領域」および「赤外波長領域(IR)」を透過させ、光学フィルタ2b・2cは「赤色波長領域(R)」および「第1赤外波長領域(IR1)」を透過させ、光学フィルタ2dは「青色波長領域(B)」および「第2赤外波長領域(IR2)」を透過させる。
 なお、被写体からの「緑色波長領域(G)」および「第3赤外波長領域(IR3)」の光強度は、例えば、
 G+IR3=a4(W+IR)-2b4(R+IR1)-c4(B+IR2)                           (7)
などから計算して求めることが出来る。ここで、a4、b4およびc4は係数を表し、各光学フィルタの透過率、各光センサの検出率などに応じて適宜調整することが出来る。
 図10の(e)を参照すると、光学フィルタ2aは「W波長領域」および「赤外波長領域(IR)」を透過させ、光学フィルタ2b・2cは「緑色波長領域(G)」および「第3赤外波長領域(IR3)」を透過させ、光学フィルタ2dは「赤色波長領域(R)」および「第1赤外波長領域(IR1)」を透過させる。
 なお、被写体からの「青色波長領域(B)」および「第2赤外波長領域(IR2)」の光強度は、例えば、
 B+IR2=a5(W+IR)-2b5(G+IR3)-c5(R+IR1)                           (8)
などから計算して求めることが出来る。ここで、a5、b5およびc5は係数を表し、各光学フィルタの透過率、各光センサの検出率などに応じて適宜調整することが出来る。
 図10の(f)を参照すると、光学フィルタ2aは「W波長領域」および「赤外波長領域(IR)」を透過させ、光学フィルタ2b・2cは「青色波長領域(B)」および「第2赤外波長領域(IR2)」を透過させ、光学フィルタ2dは「緑色波長領域(G)」および「第3赤外波長領域(IR3)」を透過させる。
 なお、被写体からの「赤色波長領域(R)」および「第1赤外波長領域(IR1)」の光強度は、例えば、
 R+IR1=a6(W+IR)-2b6(B+IR2)-c6(G+IR3)                           (9)
などから計算して求めることが出来る。ここで、a6、b6およびc6は係数を表し、各光学フィルタの透過率、各光センサの検出率などに応じて適宜調整することが出来る。
 〔実施形態8〕
 (光学フィルタのさらに他の構成例)
 図11の(a)~(f)は実施形態8に係る光検出装置および固体撮像装置を構成する光学フィルタの設置例を説明する図である。ここで、複合光学フィルタ5bにおいて、光学フィルタ2a~2dはスペーサ部材7aを介して配置されている。
 図11の(a)を参照すると、光学フィルタ2aは「W波長領域」および「赤外波長領域(IR)」を透過させ、光学フィルタ2b・2cは「C波長領域」「第2赤外波長領域(IR2)」および「第3赤外波長領域(IR3)」を透過させ、光学フィルタ2dは「M波長領域」「第1赤外波長領域(IR1)」および「第2赤外波長領域(IR2)」を透過させる。
 なお、被写体からの「Y波長領域」、「第1赤外波長領域(IR1)」および「第3赤外波長領域(IR3)」の光強度は、例えば、
 Y+IR1+IR3=a7(W+IR)-2b7(C+IR2+IR3)
           -c7(M+IR1+IR2)     (10)
などから計算して求めることが出来る。なお、a7、b7およびc7は係数を表し、各光学フィルタの透過率、各光センサの検出率などに応じて適宜調整することが出来る。
 なお、各光センサで検出されたa20(C+IR2+IR3)を三原色の「C」で表色し、b20(M+IR1+IR2)を三原色の「M」で表色し、また、上記計算で求められたY+IR1+IR3に関してc20(Y+IR1+IR3)を三原色の「Y」で表色することが可能である。ここで、a20、b20およびc20は係数を表し、適宜調整することが出来る。
 なお、同様に、上記CMY表色系の情報をRGB表色系の情報に変換することも可能である。
 図11の(b)を参照すると、光学フィルタ2aは「W波長領域」および「赤外波長領域(IR)」を透過させ、光学フィルタ2b・2cは「M波長領域」「第1赤外波長領域(IR1)」および「第2赤外波長領域(IR2)」を透過させ、光学フィルタ2dは「Y波長領域」「第3赤外波長領域(IR3)」および「第1赤外波長領域(IR1)」を透過させる。
 なお、被写体からの「C波長領域」、「第2赤外波長領域(IR2)」および「第3赤外波長領域(IR3)」の光強度は、例えば、
 C+IR2+IR3=a8(W+IR)-2b8(M+IR1+IR2)
           -c8(Y+IR1+IR3)     (11)
などから計算して求めることが出来る。ここで、a8、b8およびc8は係数を表し、各光学フィルタの透過率、各光センサの検出率などに応じて適宜調整することが出来る。
 なお、同様に、上記CMY表色系の情報をRGB表色系の情報に変換することも可能である。
 なお、各光センサで検出されたb21(M+IR1+IR2)を三原色の「M」で表色し、c21(Y+IR1+IR3)を三原色の「Y」で表色し、また、上記計算で求められたC+IR2+IR3に関してa21(C+IR2+IR3)を三原色の「C」で表色することが可能である。ここで、a21、b21およびc21は係数を表し、適宜調整することが出来る。
 なお、同様に、上記CMY表色系の情報をRGB表色系の情報に変換することも可能である。
 図11の(c)を参照すると、光学フィルタ2aは「W波長領域」および「赤外波長領域(IR)」を透過させ、光学フィルタ2b・2cは「Y波長領域」「第3赤外波長領域(IR3)」および「第1赤外波長領域(IR1)」を透過させ、光学フィルタ2dは「C波長領域」「第2赤外波長領域(IR2)」および「第3赤外波長領域(IR3)」を透過させる。
 なお、被写体からの「M波長領域」、「IR1波長領域」および「IR2波長領域」の光強度は、例えば、
 M+IR1+IR2=a9(W+IR)-2b9(Y+IR1+IR3)
           -c9(C+IR2+IR3)     (12)
などから計算して求めることが出来る。ここで、a9、b9およびc9は係数を表し、各光学フィルタの透過率、各光センサの検出率などに応じて適宜調整することが出来る。
 なお、同様に、上記CMY表色系の情報をRGB表色系の情報に変換することも可能である。
 なお、各光センサで検出されたc22(Y+IR1+IR3)を三原色の「Y」で表色し、a22(C+IR2+IR3)を三原色の「C」で表色し、また、上記計算で求められたM+IR1+IR2に関してb22(M+IR1+IR2)を三原色の「M」で表色することが可能である。ここで、a22、b22およびc22は係数を表し、適宜調整することが出来る。
 なお、同様に、上記CMY表色系の情報をRGB表色系の情報に変換することも可能である。
 図11の(d)を参照すると、光学フィルタ2aは「W波長領域」および「赤外波長領域(IR)」を透過させ、光学フィルタ2b・2cは「C波長領域」「第2赤外波長領域(IR2)」および「第3赤外波長領域(IR3)」を透過させ、光学フィルタ2dは「Y波長領域」「第3赤外波長領域(IR3)」および「第1赤外波長領域(IR1)」を透過させる。
 なお、被写体からの「M波長領域」、「第1赤外波長領域(IR1)」および「第2赤外波長領域(IR2)」の光強度は、例えば、
 M+IR1+IR2=a10(W+IR)-2b10(C+IR2+IR3)-c10(Y+IR1+IR3)             (13)
などから計算して求めることが出来る。ここで、a10、b10およびc10は係数を表し、各光学フィルタの透過率、各光センサの検出率などに応じて適宜調整することが出来る。
 なお、各光センサで検出されたa23(C+IR2+IR3)を三原色の「C」で表色し、c23(Y+IR1+IR3)を三原色の「Y」で表色し、また、上記計算で求められたM+IR1+IR2に関してb23(M+IR1+IR2)を三原色の「M」で表色することが可能である。ここで、a23、b23およびc23は係数を表し、適宜調整することが出来る。
 なお、同様に、上記CMY表色系の情報をRGB表色系の情報に変換することも可能である。
 図11の(e)を参照すると、光学フィルタ2aは「W波長領域」および「赤外波長領域(IR)」を透過させ、光学フィルタ2b・2cは「M波長領域」「第1赤外波長領域(IR1)」および「第2赤外波長領域(IR2)」を透過させ、光学フィルタ2dは「C波長領域」「第2赤外波長領域(IR2)」および「第3赤外波長領域(IR3)」を透過させる。
 なお、被写体からの「Y波長領域」、「第1赤外波長領域(IR1)」および「第3赤外波長領域(IR3)」の光強度は、例えば、
 Y+IR1+IR3=a11(W+IR)-2b11(M+IR1+IR2)-c11(C+IR2+IR3)             (14)
などから計算して求めることが出来る。ここで、a11、b11およびc11は係数を表し、各光学フィルタの透過率、各光センサの検出率などに応じて適宜調整することが出来る。
 なお、各光センサで検出されたb24(M+IR1+IR2)を三原色の「M」で表色し、a24(C+IR2+IR3)を三原色の「C」で表色し、また、上記計算で求められたY+IR1+IR3に関してc24(Y+IR1+IR3)を三原色の「Y」で表色することが可能である。ここで、a24、b24およびc24は係数を表し、適宜調整することが出来る。
 なお、同様に、上記CMY表色系の情報をRGB表色系の情報に変換することも可能である。
 図11の(f)を参照すると、光学フィルタ2aは「W波長領域」および「赤外波長領域(IR)」を透過させ、光学フィルタ2b・2cは「Y波長領域」「第3赤外波長領域(IR3)」および「第1赤外波長領域(IR1)」を透過させ、光学フィルタ2dは「M波長領域」「第1赤外波長領域(IR1)」および「第2赤外波長領域(IR2)」を透過させる。
 なお、被写体からの「C波長領域」、「第2赤外波長領域(IR2)」および「第3赤外波長領域(IR3)」の光強度は、例えば、
 C+IR2+IR3=a12(W+IR)-2b12(Y+IR1+IR3)-c12(M+IR1+IR2)             (15)
などから計算して求めることが出来る。ここで、a12、b12およびc12は係数を表し、各光学フィルタの透過率、各光センサの検出率などに応じて適宜調整することが出来る。
 なお、各光センサで検出されたc25(Y+IR1+IR3)を三原色の「Y」で表色し、b25(M+IR1+IR2)を三原色の「M」で表色し、また、上記計算で求められたY+IR1+IR3に関してa25(C+IR2+IR3)を三原色の「C」で表色することが可能である。ここで、a25、b25およびc25は係数を表し、適宜調整することが出来る。
 なお、同様に、上記CMY表色系の情報をRGB表色系の情報に変換することも可能である。
 〔実施形態9〕
 (光学フィルタのさらに他の構成例)
 図12の(a)~(f)は実施形態9に係る光検出装置および固体撮像装置を構成する光学フィルタの設置例を説明する図である。ここで、複合光学フィルタ5bにおいて、光学フィルタ2a~2dはスペーサ部材7aを介して配置されている。
 図12の(a)を参照すると、光学フィルタ2a・2dは「W波長領域」および「赤外波長領域(IR)」を透過させ、光学フィルタ2bは「赤色波長領域(R)」および「第1赤外波長領域(IR1)」を透過させ、光学フィルタ2cは「緑色波長領域(G)」および「第3赤外波長領域(IR3)」を透過させる。
 なお、被写体からの「青色波長領域(B)」および「第2赤外波長領域(IR2)」の光強度は、例えば、
 B+IR2=2a13(W+IR)-b13(R+IR1)
       -c13(G+IR3)            (16)
などから計算して求めることが出来る。ここで、a13、b13およびc13は係数を表し、各光学フィルタの透過率、各光センサの検出率などに応じて適宜調整することが出来る。
 図12の(b)を参照すると、光学フィルタ2a・2dは「W波長領域」および「赤外波長領域(IR)」を透過させ、光学フィルタ2bは「緑色波長領域(G)」および「第3赤外波長領域(IR3)」を透過させ、光学フィルタ2cは「青色波長領域(B)」および「第2赤外波長領域(IR2)」を透過させる。
 なお、被写体からの「赤色波長領域(R)」および「第1赤外波長領域(IR1)」の光強度は、例えば、
 R+IR1=2a14(W+IR)-b14(G+IR3)
       -c14(B+IR2)            (17)
などから計算して求めることが出来る。ここで、a14、b14およびc14は係数を表し、各光学フィルタの透過率、各光センサの検出率などに応じて適宜調整することが出来る。
 図12の(c)を参照すると、光学フィルタ2a・2dは「W波長領域」および「赤外波長領域(IR)」を透過させ、光学フィルタ2bは「青色波長領域(B)」および「第2赤外波長領域(IR2)」を透過させ、光学フィルタ2cは「赤色波長領域(R)」および「第1赤外波長領域(IR1)」を透過させる。
 なお、被写体からの「緑色波長領域(G)」および「第3赤外波長領域(IR3)」の光強度は、例えば、
 G+IR3=2a15(W+IR)-b15(B+IR2)
       -c15(R+IR1)            (18)
などから計算して求めることが出来る。ここで、a15、b15およびc15は係数を表し、各光学フィルタの透過率、各光センサの検出率などに応じて適宜調整することが出来る。
 図12の(d)を参照すると、光学フィルタ2a・2dは「W波長領域」および「赤外波長領域(IR)」を透過させ、光学フィルタ2bは「C波長領域」「第2赤外波長領域(IR2)」および「第3赤外波長領域(IR3)」を透過させ、光学フィルタ2cは「M波長領域」「第1赤外波長領域(IR1)」および「第2赤外波長領域(IR2)」を透過させる。
 なお、被写体からの「Y波長領域」、「第1赤外波長領域(IR1)」および「第3赤外波長領域(IR3)」の光強度は、例えば、
 Y+IR1+IR3=2a16(W+IR)-b16(C+IR2+IR3)-c16(M+IR1+IR2)            (19)
などから計算して求めることが出来る。ここで、a16、b16およびc16は係数を表し、各光学フィルタの透過率、各光センサの検出率などに応じて適宜調整することが出来る。
 なお、同様に、上記CMY表色系の情報をRGB表色系の情報に変換することも可能である。
 図12の(e)を参照すると、光学フィルタ2a・2dは「W波長領域」および「赤外波長領域(IR)」を透過させ、光学フィルタ2bは「M波長領域」「第1赤外波長領域(IR1)」および「第2赤外波長領域(IR2)」を透過させ、光学フィルタ2cは「Y波長領域」「第1赤外波長領域(IR1)」および「第3赤外波長領域(IR3)」を透過させる。
 なお、被写体からの「C波長領域」、「第2赤外波長領域(IR2)」および「第3赤外波長領域(IR3)」の光強度は、例えば、
 C+IR2+IR3=2a17(W+IR)-b17(M+IR1+IR2)-c17(Y+IR1+IR3)            (20)
などから計算して求めることが出来る。ここで、a17、b17およびc17は係数を表し、各光学フィルタの透過率、各光センサの検出率などに応じて適宜調整することが出来る。
 なお、同様に、上記CMY表色系の情報をRGB表色系の情報に変換することも可能である。
 図12の(f)を参照すると、光学フィルタ2a・2dは「W波長領域」および「赤外波長領域(IR)」を透過させ、光学フィルタ2bは「Y波長領域」「第1赤外波長領域(IR1)」および「第3赤外波長領域(IR3)」を透過させ、光学フィルタ2cは「C波長領域」「第2赤外波長領域(IR2)」および「第3赤外波長領域(IR3)」を透過させる。
 なお、被写体からの「M波長領域」、「第1赤外波長領域(IR1)」および「第2赤外波長領域(IR2)」の光強度は、例えば、
 M+IR1+IR2=2a18(W+IR)-b18(Y+IR1+IR3)-c18(C+IR2+IR3)             (21)
などから計算して求めることが出来る。ここで、a18、b18およびc18は係数を表し、各光学フィルタの透過率、各光センサの検出率などに応じて適宜調整することが出来る。
 なお、同様に、上記CMY表色系の情報をRGB表色系の情報に変換することも可能である。
 なお、上記の組合せの他、「赤色波長領域(R)」、「緑色波長領域(G)」、「青色波長領域(B)」、「C波長領域」、「M波長領域」、「Y波長領域」、「第1赤外波長領域(IR1)」、「第2赤外波長領域(IR2)」または「第3赤外波長領域(IR3)」を用いた他の組合せも可能である。
 なお、上記の組合せを含め、「赤色波長領域(R)」および「第1赤外波長領域(IR1)」、「緑色波長領域(G)」および「第3赤外波長領域(IR3)」、「青色波長領域(B)」および「第2赤外波長領域(IR2)」、「C波長領域」、「第2赤外波長領域(IR2)」および「第3赤外波長領域(IR3)」、「M波長領域」、「第1赤外波長領域(IR1)」および「第2赤外波長領域(IR2)」、並びに、「Y波長領域」、「第1赤外波長領域(IR1)」および「第3赤外波長領域(IR3)」、から、4つまたは3つを選択して4区画に割り当てる組合せだけでも140通り程あり、4区画内の位置の違いも考慮するとそれ以上の相当な場合がある。なお、それぞれ、RGB系表色、CMY系表色などに変換可能である。
 なお、上記の組み合わせの他、他の原色または色を用いた組合せも可能である。
 なお、同様に、CMY表色系の情報をRGB表色系の情報に変換することが可能である。
 なお、逆に、RGB表色系の情報をCMY表色系の情報に変換することが可能である。
 なお、前記W+IRは、基本計算では1などに、8ビットでのデジタル計算では255などに置き換えることが出来、10ビットでのデジタル計算では1023などに置き換えることが出来、14ビットでのデジタル計算では(2の14乗)-1などに置き換えることが出来、16ビットでのデジタル計算では(2の16乗)-1などに置き換えることが出来る。なお、他のビット数に関しても同様である。
 なお、上記表色は、色相(Hue)、明度(Brightness、LightnessまたはValue)、彩度(Contrast、ChromaまたはSaturation)自然な彩度(Vibrance)、カラーバランス、色要素、ガンマ補正などを調整することが出来る。
 図13の(a)~(h)は本発明に係る光検出装置および固体撮像装置を構成する光学フィルタの透過率の波長依存性を示す図である。図13には、代表的な光学フィルタの組合せにおいて、具体的な透過率の波長依存性の例が示されている。図13の(a)はRGB、(b)はCMY、(c)はRGW、(d)はGBW、(e)はRBW、(f)はCMW、(g)はMYW、(h)はYCWと対応している。
 〔実施形態10〕
 (固体撮像装置1bの構成)
 図14は、実施形態10に係る固体撮像装置1bの構成を示す図である。固体撮像装置1bは、複合光学フィルタアレイ8aと光センサアレイ6aとを備えている。複合光学フィルタアレイ8aは、周期性を有してマトリックス状に配置された複数の複合光学フィルタ5aを有している。各複合光学フィルタ5aには、2行2列に配置されて透過波長域の異なる光学フィルタ2a~2dが形成されている。光学フィルタ2a~2dには、スペーサ部材7が形成されている。光学フィルタ2a~2dは、所定の波長の可視光線及び所定の波長の赤外線を透過させる。光学フィルタ2a~2dのそれぞれには、異なる屈折率を有する複数の積層部材が積層されている。
 また、光センサアレイ6aは、光学フィルタ2a~2dに対応するように周期性を有してマトリックス状に配置された複数の光センサ3a~3dを有している。光センサ3aは、光学フィルタ2aを透過した所定の波長の可視光線及び所定の波長の赤外線を検出する。光センサ3bは、光学フィルタ2bを透過した所定の波長の可視光線及び所定の波長の赤外線を検出する。光センサ3cは、光学フィルタ2cを透過した所定の波長の可視光線及び所定の波長の赤外線を検出する。光センサ3dは、光学フィルタ2dを透過した所定の波長の可視光線及び所定の波長の赤外線を検出する。
 図15は、実施形態10に係る固体撮像装置1bの断面図である。図15に示すように、本実施形態10の固体撮像素子1bは、半導体基板11を備えている。半導体基板11には、光電変換部12及び電荷転送部13が形成されている。光電変換部12及び電荷転送部13は光センサアレイ6aに対応する。半導体基板11の上には、絶縁膜を介して転送電極14と遮光膜15とが形成されている。遮光膜15上には絶縁膜16が形成されている。絶縁膜16上には、無機膜光学フィルタ17が形成されている。無機膜光学フィルタ17上にはスペーサ膜21が形成される構成となっている。なお、ここでは、スペーサ膜21がスペーサ部材と一体化している例を示しており、以下、同様な場合がある。
 図15の例では、無機膜光学フィルタ17は、第1光学フィルタ18、第2光学フィルタ19、及び第3光学フィルタ20を含み、複合光学フィルタアレイ8aに対応する。
 なお、図15の例を本発明に係る光検出装置に適用することも可能である。
 図16の(a)は実施形態10に係る無機膜光学フィルタ部の断面図であり、図16の(b)及び(c)はカラーフィルタを透過した各光線の強度の波長依存を示すグラフである。入射光が第1光学フィルタ18、第2光学フィルタ19、及び第3光学フィルタ20を透過することで、それぞれ第1光線、第2光線及び第3光線が第1光学フィルタ18、第2光学フィルタ19、及び第3光学フィルタ20から出射することを示している。第1光線、第2光線及び第3光線が図16の(b)で示すような波長スペクトルをそれぞれ有するように、第1光学フィルタ18、第2光学フィルタ19、及び第3光学フィルタ20が構成されている。第1光線に関しては、図16の(c)で示すように可視光線のRと第1赤外線がつながったスペクトルを有するように第1光学フィルタ18を構成しても構わない。
 図17の(a)~(g)は実施形態10における固体撮像装置1bの製造方法を示す断面図である。なお、図17の(a)~(g)の例を本発明に係る光検出装置の製造方法に適用することも可能である。
 まず、図17の(a)に示すように、シリコンからなる半導体基板11の表面に露出するようにイオン注入により光電変換部12、電荷転送部13を形成する。そして、半導体基板11の表面上に、厚さ100~3000nmの例えば酸化シリコン膜である絶縁膜(図示せず)をシリコン熱酸化あるいはCVD法により形成する。次に、例えばポリシリコン膜をCVD(Chemical Vapor Deposition)法により厚さ50~300nm程度堆積する。更に、熱拡散やイオン注入によりリンのようなn型不純物を導入する。
 その後、フォトリソグラフィー技術によって、所定のパターンにパターニングされたフォトレジストをマスクとして、異方性エッチングにより、転送電極14を形成する。次に、ポリシリコン酸化或いはCVD法による酸化膜デポジションにより絶縁膜(図示せず)を形成する。反射防止膜として例えばシリコンナイトライド膜をデポジションし、所定のパターンにパターニングされたフォトレジストをマスクとして、異方性エッチングにより、形成する(図示せず)。
 次に、遮光膜材料であるタングステン等を堆積し、フォトリソグラフィー技術によって遮光膜15を形成する。そして、酸化シリコン膜である絶縁膜16をCVD法により形成する。絶縁膜16はCMPやエッチバック技術を用い平坦化しても良い。
 次に、絶縁膜16上に第1光学フィルタ18を形成する。第1光学フィルタは無機の多層膜で形成されており低屈折材料と高屈折材料を交互に積層することで形成される。具体的には低屈折材料としては酸化シリコン膜SiO、高屈折率材料は窒化シリコン膜SiN或いは酸化チタン膜TiOを用いる。多層膜はCVD法で成膜しても良いし、蒸着法やスパッタにより成膜しても良い。
 次に、図17の(b)に示すように、フォトリソグラフィー技術によって、所定のパターンにパターニングされたフォトレジスト(図示せず)をマスクとして第1光学フィルタ18をエッチングし所定のパターンを形成する。
 次に、図17の(c)に示すように、第2光学フィルタ19を、CVD法などを用いて形成する。
 次に図17の(d)に示すように、フォトリソグラフィー技術によって、所定のパターンにパターニングされたフォトレジスト(図示せず)をマスクとして第2光学フィルタ19をエッチングし所定のパターンを形成する。
 その後、図17の(e)に示すように、第3光学フィルタ20を、CVD法などを用いて形成する。
 次に、図17の(f)に示すように、フォトリソグラフィー技術によって、所定のパターンにパターニングされたフォトレジスト(図示せず)をマスクとして第3光学フィルタ20をエッチングし所定のパターンを形成する。
 なお、上記の例では、光学フィルタの形成を、第1光学フィルタ18、第2光学フィルタ19、第3光学フィルタ20の順に行ったが、これに限定するものではなく、これら3つの光学フィルタの形成順は、任意に設定することができる。
 次に、図17の(g)に示すように、スペーサ膜21を成膜する。スペーサ膜21は酸化シリコン膜SiOをSOG(Spin on Glass)法やアクリル材料を塗布して形成する。
 図18は、無機膜光学フィルタ17の構造を示す断面図である。複数の積層部材に対応する多層膜の低屈折材料と高屈折材料とは、上層から各L0、H1、L1、H2、L2、・・・Hj-1、Lj-1、Hj、Ljの順番に交互に配置される。低屈折材料と高屈折材料との屈折率はそれぞれnL0、nH1、nL1、nH2、nL2、・・・nHj-1、nLj-1、nHj、nLjで示され、低屈折材料と高屈折材料との膜厚はそれぞれdL0、dH1、dL1、dH2、dL2、・・・dHj-1、dLj-1、dHj、dLjで示される。
 これらの低屈折材料と高屈折材料との屈折率と膜厚とは、無機膜光学フィルタ17(第1光学フィルタ18、第2光学フィルタ19、及び第3光学フィルタ20)が、図16の(b)或いは図16の(c)のように可視光及び赤外線波長領域に透過域を持つフィルタ特性を有するように設定される。
 図19の(a)は第1光学フィルタ18と第2光学フィルタ19の構造を示す図であり、図19の(b)はそれぞれの高屈折層の屈折率を比較した式である。第1光学フィルタ18の高屈折層の屈折率は第2光学フィルタ19の高屈折層の屈折率よりも高い。具体的な例として第1光学フィルタ18の高屈折層の屈折率は2.3~2.8、第2光学フィルタ19の高屈折層の屈折率は1.8~2.3と設定する。
 図20の(a)は無機膜光学フィルタ17の屈折率、(b)は無機膜光学フィルタ17の吸収係数の波長依存を示すグラフである。曲線G1は第1光学フィルタ18の高屈折層nH:18の屈折率を示しており、曲線G2は第2光学フィルタ19の高屈折層nH:19の屈折率を示している。曲線G3は第1光学フィルタ18の高屈折層nH:18の吸収係数を示しており、曲線G4は第2光学フィルタ19の高屈折層nH:19の吸収係数を示している。
 図20の(a)、(b)に示すように屈折率が高くなると吸収係数が上昇し透過率が低下してしまう。特に波長の短い領域で顕著となる。これから例えば400~500nmの紫~青色の波長領域を透過させたい場合は屈折率の低い材料を用いることで透過率の低下を防ぐことができる。波長の短い領域を透過する必要のないフィルタに関しては、高屈折率材の屈折率が高い方が全体の膜厚を薄くすることができるので、屈折率の高い材料を用いた方が良い。すなわち、各画素で高屈折層の屈折率を異ならせることで最適な分光が得ることが可能となる。
 図21の(a)は第1~3光学フィルタ18~20の屈折率及び膜厚の一例を示す図であり、図21の(b)は光学フィルタの透過率の波長依存性を示す。図21に示すように、画素毎に適切な屈折率及び膜厚を設定することで、可視光領域及び赤外線領域において透過する光学フィルタを形成することができる。第2光学フィルタ19の高屈折材料H1~H8の屈折率(2.2)、及び、第3光学フィルタ20の高屈折材料H1~H4の屈折率(2.2)は、第1光学フィルタ18の高屈折材料H1~H4の屈折率(2.5)よりも小さくなっている。尚、膜厚と屈折率との組み合わせはこれに限らず、積層数を増減させる事、各層ごとに任意の膜厚、屈折率を選択する事なども可能である。
 〔実施形態11〕
 (固体撮像装置1cの構成)
 図22は、実施形態11に係る固体撮像装置1cの構成を示す図である。図14で前述した構成要素と同一の構成要素には同一の参照符号を付し、それらの詳細な説明は繰り返さない。図14に示す固体撮像装置1bと異なる点は、レンズアレイ9aが、複合光学フィルタアレイ8aに対して光センサアレイ6aの反対側に設けられている点である。レンズアレイ9aは、光学フィルタ2a~2dに対応するように周期性を有して平面状に配置された複数のレンズを有する。
 図23は、固体撮像装置1cの断面図である。図15で前述した構成要素と同一の構成要素には同一の参照符号を付し、それらの詳細な説明は繰り返さない。図15に示す固体撮像装置1bと異なる点は、集光レンズ22がスペーサ膜21の上に形成されている点である。集光レンズ22はレンズアレイ9aに対応する。
 図23の例では、無機膜光学フィルタ17は第1光学フィルタ18、第2光学フィルタ19、及び第3光学フィルタ20を含む。
 図23の例では、被写体からの光線L4は、集光レンズ22により集光されて第2光学フィルタ19を透過し、光電変換部12に入射する。このように、集光レンズ22による集光効果により光電変換部12の感度の向上を図ることができる。またフィルタ膜厚が安定した第2光学フィルタ19の中央部に集光レンズ22が集光することで、第2光学フィルタ19の透過特性のばらつきを抑制するだけでなく、隣接セルへの光漏れも削減できるため色分離を向上させることができる。第2光学フィルタ19の例を示したが、第1光学フィルタ18、第3光学フィルタ20も同様である。
 なお、図23の例を本発明に係る光検出装置に適用することも可能である。
 図24の(a)及び(b)は実施形態11における固体撮像装置1cの製造方法を示す図である。図24の(a)は無機膜光学フィルタ17、及びスペーサ膜21を形成した後の断面図であり、製造方法は実施形態10の図17の(a)~(g)までと同じである。その後、図24の(b)に示すように、アクリルを塗布し、所定の形状にパターニングされたフォトレジスト(図示せず)形状を転写するようにアクリルをエッチングし集光レンズ22を形成する。
 なお、図24の(a)及び(b)の例を本発明に係る光検出装置の製造方法に適用することも可能である。
 〔実施形態12〕
 (固体撮像装置1dの構成)
 図25は、実施形態12に係る固体撮像装置1dの構成を示す図である。図22で前述した構成要素と同一の構成要素には同一の参照符号を付し、それらの詳細な説明は繰り返さない。図22に示す固体撮像装置1cと異なる点は、レンズアレイ9aが、複合光学フィルタアレイ8aと光センサアレイ6aとの間に設けられている点である。レンズアレイ9aは、光学フィルタ2a~2dに対応するように周期性を有して平面状に配置された複数のレンズを有する。
 図26は、固体撮像装置1dの断面図である。図15で前述した構成要素と同一の構成要素には同一の参照符号を付し、それらの詳細な説明は繰り返さない。図15に示す固体撮像装置1bと異なる点は、集光レンズ27が絶縁膜16に形成されている点である。集光レンズ27はレンズアレイ9aに対応する。
 図26の例では、無機膜光学フィルタ17は、第1光学フィルタ18、第2光学フィルタ19、及び第3光学フィルタ20を含む。
 図26の例では、被写体からの光線L4は、第2光学フィルタ19を透過し、集光レンズ27により集光されて光電変換部12に入射する。このように、集光レンズ27による集光効果により光電変換部12の感度の向上を図ることができる。第2光学フィルタ19の例を示したが、第1光学フィルタ18、第3光学フィルタ20も同様である。
 なお、図26の例を本発明に係る光検出装置に適用することも可能である。
 図27の(a)~(d)は実施形態12における固体撮像装置1dの製造方法を示す図である。まず、図27の(a)に示すように、シリコンからなる半導体基板11の表面に露出するように、イオン注入により光電変換部12、電荷転送部13を形成する。そして、半導体基板11の表面上に、厚さ100~3000nmの例えば酸化シリコン膜である絶縁膜(図示せず)をシリコン熱酸化あるいはCVD法により形成する。
 次に、例えばポリシリコン膜をCVD法により厚さ50~300nm程度堆積する。更に、熱拡散やイオン注入によりリンのようなn型不純物を導入する。その後、フォトリソグラフィー技術によって、所定のパターンにパターニングされたフォトレジストをマスクとして、異方性エッチングにより、転送電極14を形成する。
 次にポリシリコン酸化或いはCVD法による酸化膜デポジションにより絶縁膜(図示せず)を形成する。反射防止膜として例えばシリコンナイトライド膜をデポデポジションし、所定のパターンにパターニングされたフォトレジストをマスクとして、異方性エッチングにより、形成する(図示せず)。
 次に、遮光膜材料であるタングステン等を堆積し、フォトリソグラフィー技術によって遮光膜15を形成する。次に、酸化シリコン膜である絶縁膜16をCVD法により形成する。CVD法により形成した絶縁膜16の埋め込み形状は、図27の(a)に示すように、転送電極14の間で下に凸の形状となる。
 その後、図27の(b)に示すように例えばCVD法で窒化シリコン膜28を成膜する。次に、図27の(c)に示すようにエッチバック法やCMP(Chemical Mechanical Planarization)法により集光レンズ27を形成する。そして、図27(d)に示すように、図17の(a)~(g)と同じ方法で第1光学フィルタ18、第2光学フィルタ19、及び第3光学フィルタ20を順に形成する。
 なお、光学フィルタの形成は、第1光学フィルタ18、第2光学フィルタ19、第3光学フィルタ20の順に行う方法に限定するものではなく、これら3つの光学フィルタの形成順は、任意に設定することができる。
 尚、図27の(c)でエッチバック法やCMP法により集光レンズ27を形成しているが図27の(b)の形状のままでも集光レンズ27と同様のレンズ効果が得られる。エッチバックすることで、半導体基板11と、第1光学フィルタ18、第2光学フィルタ19、及び第3光学フィルタ20との間の距離が縮小され感度が向上するメリットがある。
 なお、図27の(a)~(d)の例を本発明に係る光検出装置の製造方法に適用することも可能である。
 〔実施形態13〕
 (固体撮像装置1eの構成)
 図28は、実施形態13に係る固体撮像装置1eの構成を示す図である。図22で前述した構成要素と同一の構成要素には同一の参照符号を付し、それらの詳細な説明は繰り返さない。図22に示す固体撮像装置1cと異なる点は、レンズアレイ9aに加えて、複合光学フィルタアレイ8aと光センサアレイ6aとの間にレンズアレイ9bを設けた点にある。レンズアレイ9bは、レンズアレイ9aと同様の構成を有している。
 図29は、実施形態13に係る固体撮像装置1eの断面図である。図23で前述した構成要素と同一の構成要素には同一の参照符号を付し、それらの詳細な説明は繰り返さない。図23に示す固体撮像装置1cと異なる点は、図26で前述した集光レンズ27が追加して形成されている点である。
 図29の例では、無機膜光学フィルタ17は第1光学フィルタ18、第2光学フィルタ19及び第3光学フィルタ20を含む。図29で光線L4の様子を示しているが、集光レンズ22及び集光レンズ27の2つのレンズによる集光効果により光電変換部12の感度の向上を図ることができる。またフィルタ膜厚が安定した第2光学フィルタ19の中央部に集光することで第2光学フィルタ19の透過特性のばらつきを抑制するだけでなく、隣接セルへの光漏れも削減できるため色分離を向上させることができる。第2光学フィルタ19の例を示したが、第1光学フィルタ18、第3光学フィルタ20も同様である。
 なお、図29の例を本発明に係る光検出装置に適用することも可能である。
 図30の(a)及び(b)は実施形態13における固体撮像装置1eの製造方法を示す図である。図30の(a)は、無機膜光学フィルタ17及びスペーサ膜21を形成した後の断面図を示している。ここまでの製造方法は実施形態12の図27の(a)~(d)までと同じである。その後、図30(b)に示すようにアクリルを塗布し、所定の形状にパターニングされたフォトレジスト(図示せず)形状を転写するようにアクリルをエッチングし集光レンズ22を形成する。
 なお、図30の(a)及び(b)の例を本発明に係る光検出装置の製造方法に適用することも可能である。
 〔実施形態14〕
 図31の(a)は本発明の実施形態14に係る固体撮像装置1fの構成を示す図である。図31の(b)は実施形態14に係る別の固体撮像装置1gの構成を示す図である。図14で前述した構成要素と同一の構成要素には同一の参照符号を付し、それらの詳細な説明は繰り返さない。図31の(a)に示す固体撮像装置1fが図14に示す固体撮像装置1bと異なる点は、有機フィルタアレイ10a(または、第2複合光学フィルタアレイ)を複合光学フィルタアレイ8a(または、第1複合光学フィルタアレイ)に対して光センサアレイ6aの反対側に設けた点である。有機フィルタアレイ10aは、複数の複合有機フィルタ5hを備えている。複数の複合有機フィルタ5hのそれぞれは、2行2列に配置されて透過波長域の異なる光学フィルタ2s・2t・2u・2vを有している。光学フィルタ2s・2t・2u・2vは、有機材料からなる。光学フィルタ2s・2t・2u・2vは、複合光学フィルタアレイ8aの光学フィルタ2a・2b・2c・2dと対応するように周期性を有して平面状に配置されている。なお、複合光学フィルタ5aの光学フィルタ2a~2dは、異なった材料から成ってもよい。また、光学フィルタ2a~2dの少なくとも二つは同一の材料から成ってもよい。さらに、複合有機フィルタ5hの光学フィルタ2s~2vは、異なった材料から成ってもよい。そして、光学フィルタ2s~2vの少なくとも二つは、同一の材料から成ってもよい。
 図31の(b)に示す固体撮像装置1gが図31の(a)に示す固体撮像装置1fと異なる点は、有機フィルタアレイ10a(第2複合光学フィルタアレイ)を複合光学フィルタアレイ8a(第1複合光学フィルタアレイ)と光センサアレイ6aとの間に設けた点である。固体撮像装置1gは、上記の点を除くと、固体撮像装置1fと同様の構成を有する。なお、複合光学フィルタ5aの光学フィルタ2a~2dは、異なった材料から成ってもよい。また、光学フィルタ2a~2dの少なくとも二つは同一の材料から成ってもよい。さらに、複合有機フィルタ5hの光学フィルタ2s~2vは、異なった材料から成ってもよい。そして、光学フィルタ2s~2vの少なくとも二つは、同一の材料から成ってもよい。
 図32は、実施形態14に係る固体撮像装置1fの断面図である。図15で前述した構成要素と同一の構成要素には同一の参照符号を付し、それらの詳細な説明は繰り返さない。図15に示す固体撮像装置1bと異なる点は、スペーサ膜21上に有機膜光学フィルタ24及び第2平坦化膜26が形成されている点である。
 なお、図32の例を本発明に係る光検出装置に適用することも可能である。
 図33の(a)は、有機膜光学フィルタの透過率の波長依存を示すグラフであり、図33の(b)は、無機膜光学フィルタの透過率の波長依存を示すグラフであり、図33の(c)はトータルの透過率の波長依存を示すグラフである。
 図33の(a)の曲線G5は、有機膜光学フィルタ24の透過率波長依存性を示している。図33の(b)の曲線G6は、第2光学フィルタ(無機膜光学フィルタ)19の透過率波長依存性を示している。図33の(c)の曲線G7は、有機膜光学フィルタ24と第2光学フィルタ(無機膜光学フィルタ)19とのトータルの透過率波長依存性を示している。図33の(c)は図21の(b)の第2光学フィルタ特性と同一のものである。図33の(a)及び(b)に示すようなスペクトル特性を持つフィルタを積層することで、図33の(c)に示すように可視光及び赤外線領域を透過するスペクトル特性が得られる。
 図33の(b)に示すように第2光学フィルタ(無機膜光学フィルタ)19のスペクトルは赤外線領域の一部をカットするだけで良く、無機多層膜の構造を比較的簡素に構成することができる。このように有機膜フィルタ(有機膜光学フィルタ24)と無機膜フィルタ(第2光学フィルタ19)とを積層することで複雑なスペクトル特性を実現することができる。
 図34の(a)~(c)は実施形態14における固体撮像装置1fの製造方法を示す図である。まず、図17の(a)~(g)で前述した方法に従って、図34(a)に示す構造を製造する。
 次に、図34の(b)に示すように、有機膜を塗布しパターン露光、現像、ベーキングを行い、有機膜光学フィルタ24を形成する。その後、図34の(c)に示すように第2平坦化膜26を成膜する。第2平坦化膜26はアクリル材料を塗布して形成する。
 なお、図34の(a)~(c)の例を本発明に係る光検出装置の製造方法に適用することも可能である。
 図35は、実施形態14に係る固体撮像装置の断面図である。図15で前述した構成要素と同一の構成要素には同一の参照符号を付し、それらの詳細な説明は繰り返さない。図15に示す固体撮像装置1bと異なる点は、スペーサ膜21上に有機膜光学フィルタ25及び第2平坦化膜26が形成されている点である。
 なお、図35の例を本発明に係る光検出装置に適用することも可能である。
 図36の(a)は、有機膜光学フィルタの透過率の波長依存を示すグラフであり、図36の(b)は、無機光学フィルタの透過率の波長依存を示すグラフで、図36の(c)はトータルの透過率の波長依存を示すグラフである。
 図36の(a)の曲線G8は、有機膜光学フィルタ25の透過率波長依存性を示している。図36の(b)の曲線G9は、第3光学フィルタ(無機膜光学フィルタ)20の透過率波長依存性を示している。図36の(c)の曲線G10は、有機膜光学フィルタ25と第3光学フィルタ(無機膜光学フィルタ)20とのトータルの透過率波長依存性を示している。図36の(c)は図21の(b)の第3光学フィルタ特性と同一のものである。図36の(a)及び(b)に示すようなスペクトル特性を持つフィルタを積層することで、図36の(c)に示すように可視光及び赤外線領域を透過するスペクトル特性が得られる。
 図37は、実施形態14に係る固体撮像装置1fの断面図である。図15で前述した構成要素と同一の構成要素には同一の参照符号を付し、それらの詳細な説明は繰り返さない。図15に示す固体撮像装置1bと異なる点は、スペーサ膜21上に有機膜光学フィルタ23及び第2平坦化膜26が形成されている点である。
 なお、図37の例を本発明に係る光検出装置に適用することも可能である。
 図38の(a)は、有機膜光学フィルタの透過率の波長依存を示すグラフであり、図38の(b)は、無機光学フィルタの透過率の波長依存を示すグラフで、図38の(c)はトータルの透過率の波長依存を示すグラフである。
 図38の(a)の曲線G13は、有機膜光学フィルタ23の透過率波長依存性を示している。図38の(b)の曲線G14は、第1光学フィルタ(無機膜光学フィルタ)18の透過率波長依存性を示している。図38の(c)の曲線G15は、有機膜光学フィルタ23と第1光学フィルタ(無機膜光学フィルタ)18とのトータルの透過率波長依存性を示している。図38の(c)は図21の(b)の第1光学フィルタ特性と同一のものである。図38の(a)及び(b)に示すようなスペクトル特性を持つフィルタを積層することで、図38の(c)に示すように可視光及び赤外線領域を透過するスペクトル特性が得られる。
 〔実施形態15〕
 図39は、実施形態15に係る固体撮像装置の断面図である。図15で前述した構成要素と同一の構成要素には同一の参照符号を付し、それらの詳細な説明は繰り返さない。図15に示す固体撮像装置1bと異なる点は、第1光学フィルタ18、第2光学フィルタ19、及び第3光学フィルタ20の代わりに、第1光学フィルタ18a、第2光学フィルタ19a、及び第3光学フィルタ20aを形成した点である。第1光学フィルタ18a、第2光学フィルタ19a、及び第3光学フィルタ20aは、湾曲した積層部材を積層して形成されている。
 図39で光線L4の様子を示しているが、第2光学フィルタ19aによる集光効果により光電変換部12の感度の向上を図ることができる。この構成の場合、レンズを別途形成する必要がないため製造コストが下げられるだけでなく、基板上の膜厚を薄くすることで斜め光に対する集光特性が改善するメリットがある。
 図39の例では、無機膜光学フィルタ17は、第1光学フィルタ18a、第2光学フィルタ19a、及び第3光学フィルタ20aを含む。
 なお、図39の例を本発明に係る光検出装置に適用することも可能である。
 図40の(a)~(f)は実施形態15における固体撮像装置の製造方法を示す図である。まず、図40の(a)に示すように、シリコンからなる半導体基板11の表面に露出するようにイオン注入により光電変換部12、電荷転送部13を形成する。そして、半導体基板11の表面上に、厚さ100~3000nmの例えば酸化シリコン膜である絶縁膜(図示せず)をシリコン熱酸化あるいはCVD法により形成する。
 次に、例えばポリシリコン膜をCVD法により厚さ50~300nm程度堆積する。更に、熱拡散やイオン注入によりリンのようなn型不純物を導入する。
 その後、フォトリソグラフィー技術によって、所定のパターンにパターニングされたフォトレジストをマスクとして、異方性エッチングにより、転送電極14を形成する。次にポリシリコン酸化或いはCVD法による酸化膜デポジションにより絶縁膜(図示せず)を形成する。
 反射防止膜として例えばシリコンナイトライド膜をデポジションし、所定のパターンにパターニングされたフォトレジストをマスクとして、異方性エッチングにより、形成する(図示せず)。
 次に、遮光膜材料であるタングステン等を堆積し、フォトリソグラフィー技術によって遮光膜15を形成する。次に、酸化シリコン膜である絶縁膜16をCVD法により形成する。CVD法により形成した絶縁膜16の埋め込み形状は転送電極14の間で下に凸の形状となる。
 その後、図40の(b)に示すように絶縁膜16上に第1光学フィルタ18aを形成する。第1光学フィルタは無機の多層膜で形成されており低屈折材料と高屈折材料を交互に積層することで形成される。
 次に、図40の(c)に示すように、フォトリソグラフィー技術によって、所定のパターンにパターニングされたフォトレジスト(図示せず)をマスクとして第1光学フィルタ18aをエッチングし所定のパターンを形成する。そして、図40の(d)、(e)のように図40の(b)~(c)と同様の方法で第2光学フィルタ19a、第3光学フィルタ20aを形成する。次に図40の(f)に示すように、スペーサ膜21を成膜する。なお、上記の例では、光学フィルタの形成を、第1光学フィルタ18a、第2光学フィルタ19a、第3光学フィルタ20aの順に行ったが、これに限定するものではなく、これら3つの光学フィルタの形成順は、任意に設定することができる。
 なお、図40の(a)~(f)の例を本発明に係る光検出装置の製造方法に適用することも可能である。
 なお、図18において無機膜光学フィルタ17の最下層の膜Ljと絶縁膜16との屈折率の比率を85%以上115%以下とし、また最上層の膜L0とスペーサ膜21との屈折率の比率を85%以上115%以下にすることで界面での反射屈折を防止し所望のカラーフィルタの透過率特性を安定して得ることができる。
 本実施形態による光検出装置および固体撮像装置並びにそれらの製造方法によれば、1型以下のデバイスサイズで、光検出装置を実現することができる。
 また、1型以下のデバイスサイズで、SD(Standard Definition)(640×480画素)、HD(High Definition)720(1280×720画素)、HD960(1280×920画素)、フルHD(1920×1080画素)、4K(フルHDの4倍の画素)、8K(フルHDの8倍の画素)などの画素数に対応可能な単板式CCDイメージセンサ、CMOSイメージセンサなどの固体撮像装置を実現することができる。
 また、インターレース方式、プログレッシブ方式などの走査方式に対応することが可能である。
 また、従来品と同等以上の高性能な電気特性を実現することができる。
(実施例1)
 本実施形態による光検出装置および固体撮像装置並びにそれらの製造方法により作製した、例えば、1/3型130万画素CCDイメージセンサを測定したところ、感度はF5.6で1秒蓄積時に1200mV/μm以上、スミアは-120dB以下、飽和出力は800mV以上、などと高性能な電気特性であった。
(実施例2)
 図41の(a)及び(b)は本発明の固体撮像装置で撮像した可視光及び赤外線照射時のカラー写真を示す図である。図41の(a)は可視光下での写真を示しており、図41の(b)は暗視で赤外線照射して撮像した写真を示している。図41の(a)の可視光下でのカラーを図41の(b)の暗視時赤外線照射で再現できることを示している。
 〔本発明の製造方法に係る側面〕
 本発明の側面として、図17に示される前記光検出装置および前記固体撮像素子の製造方法において、シリコンからなる半導体基板の表面にイオン注入により光電変換部、電荷転送部を形成し、半導体基板の表面上に、厚さ100~3000nmの例えば酸化シリコン膜である絶縁膜をシリコン熱酸化あるいはCVD法により形成することが好ましい。
 次に、例えばポリシリコン膜をCVD法により厚さ50~300nm程度堆積し、更に、熱拡散やイオン注入によりリンのようなn型不純物を導入し、その後、フォトリソグラフィー技術によって、所定のパターンにパターニングされたフォトレジストをマスクとして、異方性エッチングにより、転送電極を形成することが好ましい。
 次にポリシリコン酸化或いはCVD法による酸化膜デポジションにより絶縁膜を形成することが好ましい。
 また、反射防止膜として例えばシリコンナイトライド膜をデポジションし、所定のパターンにパターニングされたフォトレジストをマスクとして、異方性エッチングにより、形成することが好ましい。
 次に、遮光膜材料であるタングステン等を堆積し、フォトリソグラフィー技術によって遮光膜を形成することが好ましい。
 次に、酸化シリコン膜である絶縁膜をCVD法により形成することが好ましい。なお、絶縁膜はCMPやエッチバック技術を用い平坦化しても良い。
 また、前記絶縁膜上に前記第1の光学フィルタを形成することが好ましい。なお、前記第1の光学フィルタは無機の多層膜で形成されており低屈折材料と高屈折材料を交互に積層することで形成されることが好ましい。なお、低屈折材料として、酸化シリコン(SiO)膜、高屈折率材料は窒化シリコン(SiN)膜或いは酸化チタン(TiO)膜を用いることが好ましい。多層膜はCVD法で成膜しても良いし、蒸着法やスパッタにより成膜しても良い。
 なお、図17の(b)に示すように、フォトリソグラフィー技術によって、所定のパターンにパターニングされたフォトレジストをマスクとして前記第1の光学フィルタをエッチングし所定のパターンを形成することが好ましい。
 なお、図17の(c)に示すように、前記第2の光学フィルタを、CVD法などを用いて形成することが好ましい。
 なお、図17の(d)に示すように、フォトリソグラフィー技術によって、所定のパターンにパターニングされたフォトレジストをマスクとして前記第2の光学フィルタをエッチングし所定のパターンを形成することが好ましい。
 その後、図17の(e)に示すように、前記第3の光学フィルタを、CVD法などを用いて形成することが好ましい。
 次に、図17の(f)に示すように、フォトリソグラフィー技術によって、所定のパターンにパターニングされたフォトレジストをマスクとして前記第3の光学フィルタをエッチングし所定のパターンを形成することが好ましい。
 次に、図17の(g)に示すように、第1の平坦化膜を成膜する。前記第1の平坦化膜はSiOをSOG(Spin on Glass)法やアクリル材料を塗布して形成することが好ましい。
 また、図24に示される前記光検出装置および前記固体撮像素子の製造方法として、アクリルを塗布し、所定の形状にパターニングされたフォトレジスト形状を転写するようにアクリルをエッチングし第1レンズを形成することが好ましい。
 また、図27に示される前記光検出装置および前記固体撮像素子の製造方法として、シリコンからなる半導体基板の表面にイオン注入により光電変換部、電荷転送部を形成し、半導体基板の表面上に、厚さ100~3000nmの例えば酸化シリコン膜である絶縁膜をシリコン熱酸化あるいはCVD法により形成することが好ましい。
 次に、例えば、ポリシリコン膜をCVD法により厚さ50~300nm程度堆積し、更に、熱拡散やイオン注入によりリンのようなn型不純物を導入し、その後、フォトリソグラフィー技術によって、所定のパターンにパターニングされたフォトレジストをマスクとして、異方性エッチングにより、転送電極を形成することが好ましい。
 次に、ポリシリコン酸化或いはCVD法による酸化膜デポジションにより絶縁膜を形成し、反射防止膜として例えばシリコンナイトライド膜をデポジションし、所定のパターンにパターニングされたフォトレジストをマスクとして、異方性エッチングにより、形成することが好ましい。
 次に、遮光膜材料であるタングステン等を堆積し、フォトリソグラフィー技術によって遮光膜を形成し、次に、酸化シリコン膜である絶縁膜をCVD法により形成し、CVD法により形成した絶縁膜の埋め込み形状は転送電極の間で下に凸の形状となることが好ましい。
 この後、例えば、CVD法で窒化シリコン膜を成膜し、次に、エッチバック法やCMP法により前記第2レンズを形成し、前記第1の光学フィルタ、前記第2の光学フィルタ及び前記第3の光学フィルタを形成することが好ましい。なお、第1の光学フィルタ、前記第2の光学フィルタ及び前記第3の光学フィルタの形成順は、任意に設定することができる。
 尚、エッチバック法やCMP法により前記第2レンズを形成しているが、エッチバック法やCMP法を用いなくても、同様のレンズ効果が得られる。なお、エッチバックすることで基板-フィルタ間距離が縮小され感度が向上するメリットがある。
 また、前記光検出装置および前記固体撮像素子の製造方法として、シリコンからなる半導体基板の表面にイオン注入により光電変換部、電荷転送部を形成し、半導体基板の表面上に、厚さ100~3000nmの例えば酸化シリコン膜である絶縁膜をシリコン熱酸化あるいはCVD法により形成することが好ましい。
 次に、例えば、ポリシリコン膜をCVD法により厚さ50~300nm程度堆積し、更に、熱拡散やイオン注入によりリンのようなn型不純物を導入することが好ましい。
 その後、フォトリソグラフィー技術によって、所定のパターンにパターニングされたフォトレジストをマスクとして、異方性エッチングにより、転送電極を形成し、次に、ポリシリコン酸化或いはCVD法による酸化膜デポジションにより絶縁膜を形成することが好ましい。
 なお、反射防止膜として例えばシリコンナイトライド膜をデポジションし、所定のパターンにパターニングされたフォトレジストをマスクとして、異方性エッチングにより、形成することが好ましい。
 次に、遮光膜材料であるタングステン等を堆積し、フォトリソグラフィー技術によって遮光膜を形成し、次に、酸化シリコン膜である絶縁膜をCVD法により形成し、CVD法により形成した前記絶縁膜の埋め込み形状は転送電極の間で下に凸の形状となることが好ましい。
 この後、前記絶縁膜上に前記第1の光学フィルタを形成する。前記第1の光学フィルタは無機の多層膜で形成されており低屈折材料と高屈折材料を交互に積層することで形成されることが好ましい。
 次に、フォトリソグラフィー技術によって、所定のパターンにパターニングされたフォトレジストをマスクとして前記第1の光学フィルタをエッチングし所定のパターンを形成することが好ましい。
 同様の方法で、前記第2の光学フィルタ、前記第3の光学フィルタを形成することが好ましい。
 次に、第1の平坦化膜を成膜することが好ましい。
 無機膜光学フィルタの最下層の前記膜Lと絶縁膜との屈折率の比率を85%以上115%以下とし、また最上層の前記膜L0と第1の平坦化膜との屈折率の比率を85%以上115%以下とすることで界面での反射屈折を防止し所望のカラーフィルタの透過率特性を安定して得ることができる。
 〔まとめ〕
 本発明の態様1に係る光検出装置1は、被写体からの光のうち第1波長範囲の波長を有する第1波長光、第2波長範囲の波長を有する第2波長光、・・・および第n波長範囲の波長を有する第n波長光(nは整数)を透過させる光学フィルタ2と、前記第1波長光の第1波長光強度、前記第2波長光の第2波長光強度、・・・および前記第n波長光の第n波長光強度の少なくとも一つを検出する光センサ3と、前記光センサ3により検出された前記第1波長光強度、前記第2波長光強度、・・・および前記第n波長光強度の少なくとも一つに基づいて、前記第1波長範囲、前記第2波長範囲、・・・および前記第n波長範囲の少なくとも一つ以外の波長範囲の波長を有する光の光強度を推定する解析部4とを備え、前記少なくとも一つの波長範囲の波長を有する光の光強度と前記少なくとも一つ以外の波長範囲の波長を有する光の光強度との間には相関関係が有る。
 上記の構成によれば、互いに相関関係を有する第1波長光強度、第2波長光強度、・・・および第n波長光強度の少なくとも一つに基づいて、前記第1波長範囲、前記第2波長範囲、・・・および前記第n波長範囲の少なくとも一つ以外の波長範囲の波長を有する光の光強度を推定するので、極低照度環境およびゼロルクス環境における被写体の色の再現やカラー撮影が可能になる。
 本発明の態様2に係る光検出装置1a・1hは、透過波長域が異なる複数の光学フィルタ2a~2dと、前記複数の光学フィルタ2a~2dのそれぞれを透過した光を受光する複数の光センサ3a~3dとを備え、前記複数の光学フィルタ2a~2dのそれぞれには、可視光線および赤外線の波長領域において透過率が50%以上の複数の積層部材S1~S6が積層されており、前記複数の積層部材S1~S6のそれぞれは、同一または異なる屈折率を有し、前記複数の光学フィルタ2a~2dのそれぞれは、所定の波長範囲の光を反射することで他の波長範囲の光を透過し、前記複数の光学フィルタ2a~2dは、空間またはスペーサ部材7を介して、平面に配置される。
 上記の構成によれば、複数の光学フィルタのうちの一つが透過した第1波長光の第1波長光強度と、複数の光学フィルタのうちの他の一つが透過した第2波長光の第2波長光強度とを検出することにより、第1波長範囲及び第2波長範囲以外の波長範囲の波長を有する光の光強度を推定できるので、極低照度環境およびゼロルクス環境における被写体の色の再現やカラー撮影が可能になる。
 本発明の態様3に係る光検出装置1a・1hは、上記態様2において、前記複数の光学フィルタ2a~2dに対して前記複数の光センサ3a~3dの反対側に配置された複数のレンズをさらに備えてもよい。
 上記の構成によれば、被写体からの光線が複数のレンズにより集光されて複数の光学フィルタを透過し、複数の光センサに入射する。従って、複数のレンズによる集光効果により第1及び第2光センサの感度の向上を図ることができる。
 本発明の態様4に係る光検出装置1a・1hは、上記態様2において、前記複数の光学フィルタ2a~2dと前記複数の光センサ3a~3dとの間に配置された複数のレンズをさらに備えてもよい。
 上記の構成によれば、被写体からの光線が複数のレンズにより集光されて複数の光学フィルタを透過し、複数の光センサに入射する。従って、複数のレンズによる集光効果により複数の光センサの感度の向上を図ることができる。
 本発明の態様5に係る光検出装置1a・1hは、上記態様2において、前記複数の光学フィルタ2a~2dに対して前記複数の光センサ3a~3dの反対側に配置された複数の第1レンズと、前記複数の光学フィルタ2a~2dと前記複数の光センサ3a~3dとの間に配置された複数の第2レンズとをさらに備えてもよい。
 上記の構成によれば、被写体からの光線が複数の第1レンズにより集光されて複数の光学フィルタを透過し、複数の第2レンズによりさらに集光されて複数の光センサに入射する。従って、複数の第1及び第2レンズによる集光効果により複数の光センサの感度の向上を図ることができる。
 本発明の態様6に係る光検出装置1a・1hは、上記態様1において、前記被写体からの光は赤外線であり、前記解析部4は、前記光センサ3a~3dにより検出された前記第1波長光強度、前記第2波長光強度、・・・および前記第n波長光強度の少なくとも一つに基づいて、前記赤外線を反射した被写体の可視光線下の色を推定してもよい。
 上記の構成によれば、被写体からの赤外線により被写体の可視光線下の色を推定するので、極低照度環境およびゼロルクス環境における被写体の色の再現やカラー撮影が可能になる。
 本発明の態様7に係る光検出装置1a・1hは、上記態様2において、前記複数の光センサ3a~3dにより検出された第1波長光強度、第2波長光強度、・・・および第n波長光強度の少なくとも一つに基づいて、前記赤外線を反射した被写体の可視光線下の色を推定する解析部4をさらに備えてもよい。
 上記の構成によれば、赤外線を反射した被写体の可視光線下の色を推定するので、極低照度環境およびゼロルクス環境における被写体の色の再現やカラー撮影が可能になる。
 本発明の態様8に係る固体撮像装置1b~1eは、複数の複合光学フィルタ5aを有する複合光学フィルタアレイ8aと、複数の光センサ3a~3dが配置された光センサアレイ6aとを備え、前記複数の複合光学フィルタのそれぞれは、透過波長域の異なる複数の光学フィルタ2a~2dを有し、前記複数の光学フィルタ2a~2dのそれぞれは、所定の波長の可視光線及び所定の波長の赤外線を透過させ、前記複数の光学フィルタ2a~2dのそれぞれには、異なる屈折率を有する複数の積層部材S1~S6が積層されており、前記複数の光センサ3a~3dは、前記可視光線及び前記赤外線に感度を有し、前記複数の光学フィルタ2a~2dのそれぞれは、周期性を有して平面状に配置され、前記複数の光センサ3a~3dは、周期性を有して平面状に配置される。
 上記の構成によれば、複数の光学フィルタが透過した所定の波長の可視光線及び所定の波長の赤外線を光センサが検出するので、極低照度環境およびゼロルクス環境における被写体の色の再現やカラー撮影が可能になる。
 本発明の態様9に係る固体撮像装置1c・1eは、上記態様8において、前記複合光学フィルタアレイ8aに対して前記光センサアレイ6aの反対側に配置されて複数のレンズを有するレンズアレイ9aをさらに備え、前記複数のレンズは、周期性を有して平面状に配置されてもよい。
 上記の構成によれば、被写体からの光線がレンズアレイにより集光されて光学フィルタを透過し、光センサに入射する。従って、レンズアレイによる集光効果により光センサの感度の向上を図ることができる。
 本発明の態様10に係る固体撮像装置1d・1eは、上記態様8において、前記複合光学フィルタアレイ8aと前記光センサアレイ6aとの間に配置されて複数のレンズを有するレンズアレイ9a・9bをさらに備え、前記複数のレンズは、前記複数の光学フィルタ2a~2dと対応するように周期性を有して平面状に配置されてもよい。
 上記の構成によれば、被写体からの光線がレンズアレイにより集光されて光学フィルタを透過し、光センサに入射する。従って、レンズアレイによる集光効果により光センサの感度の向上を図ることができる。
 本発明の態様11に係る固体撮像装置1eは、上記態様8において、前記複合光学フィルタアレイ8aに対して前記光センサアレイ6aの反対側に配置されて複数の第1レンズを有する第1レンズアレイ9aと、前記複合光学フィルタアレイ8aと前記光センサアレイ6aとの間に配置されて複数の第2レンズを有する第2レンズアレイ9bとをさらに備え、前記複数の第1レンズ及び前記複数の第2レンズは、前記複数の光学フィルタ2a~2dと対応するように周期性を有して平面状に配置されてもよい。
 上記の構成によれば、被写体からの光線が第1レンズにより集光されて光学フィルタを透過し、第2レンズによりさらに集光されて光センサに入射する。従って、第1~第2レンズによる集光効果により光センサの感度の向上を図ることができる。
 本発明の態様12に係る固体撮像装置1b~1eは、上記態様8において、前記光学フィルタ2a~2dは、前記所定の波長の可視光線以外の可視光線、及び、前記所定の波長の赤外線以外の赤外線を吸収することにより、前記所定の波長の可視光線及び前記所定の波長の赤外線を透過させてもよい。
 上記の構成によれば、簡単な構成で前記所定の波長の可視光線及び前記所定の波長の赤外線を透過させることができる。
 本発明の態様13に係る固体撮像装置1b~1eは、上記態様8において、前記光学フィルタ2a~2dは、前記所定の波長の可視光線以外の可視光線、及び、前記所定の波長の赤外線以外の赤外線を反射することにより、前記所定の波長の可視光線及び前記所定の波長の赤外線を透過させてもよい。
 上記の構成によれば、簡単な構成で前記所定の波長の可視光線及び前記所定の波長の赤外線を透過させることができる。
 本発明の態様14に係る固体撮像装置1b~1eは、上記態様8において、前記積層部材S1~S6は、有機材料と無機材料との少なくとも一つを含んでもよい。
 本発明の態様15に係る固体撮像装置1b~1eは、上記態様8において、前記積層部材S1~S6は、誘電体であってもよい。
 本発明の態様16に係る固体撮像装置1b~1eは、上記態様8において、前記光学フィルタ2a~2dの形状は、板状、凹状、器状、または、皿状であってもよい。
 本発明の態様17に係る固体撮像装置1b~1eは、上記態様8において、前記複数の積層部材S1~S6の形状は、板状、凹状、器状、または、皿状であってもよい。
 本発明の態様18に係る固体撮像装置1b~1eは、上記態様8において、前記光学フィルタ2a~2dの形状は、立方体、直方体、角柱、角錐、角錐台、円柱、円錐、円錐台、楕円柱、楕円錐、楕円錐台、鼓型または樽型であってもよい。
 本発明の態様19に係る固体撮像装置1b~1eは、上記態様8において、幅を、前記光学フィルタ2a~2dが配置された前記平面に沿った前記光学フィルタ2a~2dのサイズとし、奥行を、前記平面に沿った前記サイズに垂直な前記平面に沿った前記光学フィルタ2a~2dのサイズとし、高さを、前記平面に垂直な前記光学フィルタ2a~2dのサイズとしたときに、前記光学フィルタ2a~2dは、前記幅、前記奥行および前記高さが等しいまたは近似したサイズであってもよい。
 本発明の態様20に係る固体撮像装置1b~1eは、上記態様8において、幅を、前記光学フィルタ2a~2dが配置された前記平面に沿った前記光学フィルタ2a~2dのサイズとし、奥行を、前記平面に沿った前記サイズに垂直な前記平面に沿った前記光学フィルタ2a~2dのサイズとし、高さを、前記平面に垂直な前記光学フィルタのサイズとしたときに、前記光学フィルタ2a~2dは、幅10マイクロメートル以下および奥行10マイクロメートル以下のサイズで、更に、高さ1マイクロメートル以下のサイズの、異なる屈折率を有する複数の積層部材S1~S6が積層されて成ってもよい。
 本発明の態様21に係る固体撮像装置1b~1eは、上記態様8において、前記複数の光学フィルタ2a~2dの間に空間SPが形成されていてもよい。
 本発明の態様22に係る固体撮像装置1b~1eは、上記態様8において、前記複数の光学フィルタ2a~2dの間にスペーサ部材7が形成されていてもよい。
 本発明の態様23に係る固体撮像装置1f・1gは、第1複合光学フィルタアレイ(複合光学フィルタアレイ8a)と、光センサアレイ6aと、前記第1複合光学フィルタアレイ(複合光学フィルタアレイ8a)と前記光センサアレイ6aとの間、又は、前記第1複合光学フィルタアレイ(複合光学フィルタアレイ8a)の前記光センサアレイ6aと反対側に配置された第2複合光学フィルタアレイ(有機フィルタアレイ10a)とを備えた固体撮像装置1f・1gであって、前記第1複合光学フィルタアレイ(複合光学フィルタアレイ8a)は、複数の第1複合光学フィルタ(複合光学フィルタ5a)を有し、前記複数の第1複合光学フィルタ(複合光学フィルタ5a)のそれぞれは、透過波長域の異なる複数の光学フィルタ(光学フィルタ2a~2d)を有し、前記第2複合光学フィルタアレイ(有機フィルタアレイ10a)は、複数の第2複合光学フィルタ(複合有機フィルタ5h)を有し、前記複数の第2複合光学フィルタ(複合有機フィルタ5h)のそれぞれは、透過波長域の異なる複数の光学フィルタ(光学フィルタ2s・2t・2u・2v)を有し、前記複数の第1複合光学フィルタを構成する複数の光学フィルタ(光学フィルタ2a~2d)のそれぞれは、無機または有機材料からなり、前記複数の第2複合光学フィルタを構成する複数の光学フィルタ(光学フィルタ2s・2t・2u・2v)のそれぞれは、有機または無機材料からなり、前記複数の第1複合光学フィルタを構成する複数の光学フィルタ(光学フィルタ2a~2d)のそれぞれは、周期性を有して平面状に配置され、前記複数の第2複合光学フィルタを構成する複数の光学フィルタ(光学フィルタ2s・2t・2u・2v)のそれぞれは、前記複数の第1複合光学フィルタを構成する複数の光学フィルタ(光学フィルタ2a~2d)と対応するように周期性を有して平面状に配置され、前記複数の第1複合光学フィルタを構成する複数の光学フィルタ(光学フィルタ2a~2d)のうちの一つと、前記複数の第1複合光学フィルタを構成する複数の光学フィルタ(光学フィルタ2a~2d)のうちの前記一つに対応する前記複数の第2複合光学フィルタを構成する複数の光学フィルタ(光学フィルタ2s・2t・2u・2v)のうちの一つとを組み合わせることにより、所定の波長の可視光線及び所定の波長の赤外線を透過させ、前記光センサアレイ6aは、前記可視光線及び前記赤外線に感度を有する複数の光センサ3a~3dを有し、前記複数の光センサ3a~3dのそれぞれは、前記複数の第1光学フィルタ(光学フィルタ2a~2d)と対応するように周期性を有して平面状に配置される。
 上記構成により、前記複数の第1光学フィルタのうちの一つと、前記複数の第1光学フィルタのうちの前記一つに対応する前記複数の第2光学フィルタのうちの一つとを組み合わせることにより、所定の波長の可視光線及び所定の波長の赤外線を透過させ、光センサが、前記可視光線及び前記赤外線を検出することができるので、極低照度環境およびゼロルクス環境における被写体の色の再現やカラー撮影が可能になる。
 本発明の態様24に係る固体撮像装置1b~1e、1f・1gは、上記態様14または23において、前記無機材料は、酸化シリコン、窒化シリコンまたは酸化チタンを含んでもよい。
 本発明の態様25に係る固体撮像装置1f・1gは、上記態様23において、前記複数の第1及び第2光学フィルタ(光学フィルタ2a~2d、光学フィルタ2s・2t・2u・2v)のそれぞれには、異なる屈折率を有する複数の積層部材S1~S6が積層されていてもよい。
 本発明の態様26に係る固体撮像装置1f・1gは、上記態様23において、前記複数の第1及び第2光学フィルタ(光学フィルタ2a~2d、光学フィルタ2s・2t・2u・2v)のそれぞれは、複数の高屈折層(高屈折材料H~H)を含み、前記高屈折層(高屈折材料H~H)は、前記複数の第1及び第2光学フィルタ(光学フィルタ2a~2d、光学フィルタ2s・2t・2u・2v)のそれぞれに形成される複数の積層部材のうち、前記可視光線および前記赤外線の波長領域において最も屈折率の高い積層部材から成る層であって、前記複数の高屈折層(高屈折材料H~H)のそれぞれは、屈折率が異なってもよい。
 本発明の態様27に係る固体撮像装置1f・1gは、上記態様23において、前記複数の第1及び第2光学フィルタ(光学フィルタ2a~2d、光学フィルタ2s・2t・2u・2v)のそれぞれは、複数の低屈折層(L~L)を含み、前記低屈折層(低屈折材料L~L)は、前記複数の第1及び第2光学フィルタ(光学フィルタ2a~2d、光学フィルタ2s・2t・2u・2v)のそれぞれに形成される複数の積層部材のうち、前記可視光線および前記赤外線の波長領域において最も屈折率の低い積層部材から成る層であって、前記複数の低屈折層(低屈折材料L~L)のそれぞれは、屈折率が異なってもよい。
 本発明の態様28に係る固体撮像装置1f・1gは、上記態様23において、前記複数の第1及び第2光学フィルタ(光学フィルタ2a~2d、光学フィルタ2s・2t・2u・2v)のそれぞれは、最下層(低屈折材料L)、最上層(低屈折材料L0)、前記最下層に隣接する層(絶縁膜16)および前記最上層に隣接する層(スペーサ膜21)を含み、前記最下層(低屈折材料L)の屈折率と前記最下層に隣接する層(絶縁膜16)の屈折率との比率が85%以上115%以下であり、前記最上層(低屈折材料L0)の屈折率と前記最上層に隣接する層(スペーサ膜21)の屈折率との比率が85%以上115%以下であってもよい。
 本発明の態様29に係る固体撮像装置1b~1gは、複数の複合光学フィルタ5aを有する複合光学フィルタアレイ8aと、複合光センサが配置された光センサアレイ6aとを備え、前記複数の複合光学フィルタ5aのそれぞれが、第1波長範囲グループの光を透過させる第1光学フィルタ18、第2波長範囲グループの光を透過させる第2光学フィルタ19、・・・および第n波長範囲グループの光を透過させる第n光学フィルタを有しており(nは整数)、第k波長範囲グループ(kは1≦k≦nを満足する整数)は、それぞれ、第(k,1)波長範囲、第(k,2)波長範囲、・・・および第(k,m)波長範囲を含み(mは整数)、前記第(k,1)波長範囲、第(k,2)波長範囲、・・・および第(k,m)波長範囲のそれぞれの光強度の間には相関関係が有り、前記複合光センサは、第1光センサ3a、第2光センサ3b、・・・および第n光センサを有し、第k光センサは、前記第(k,1)波長範囲、第(k,2)波長範囲、・・・および第(k,m)波長範囲のそれぞれの光強度のうちの少なくとも一つを検出し、前記少なくとも一つの波長範囲の波長を有する光の光強度から、前記少なくとも一つ以外の波長範囲の波長を有する光の光強度を推定する解析部4をさらに備え、前記少なくとも一つの波長範囲の波長を有する光の光強度と前記少なくとも一つ以外の波長範囲の波長を有する光の光強度との間には相関関係が有る。
 上記構成により、前記複数の光センサのうちの一つにより検出された前記第(k,1)波長範囲、第(k,2)波長範囲、・・・および第(k,m)波長範囲のそれぞれの光強度のうちの少なくとも一つに基づいて、前記第(k,1)波長範囲、第(k,2)波長範囲、・・・および第(k,m)波長範囲のそれぞれの光強度のうちの少なくとも一つ以外の波長範囲の波長を有する光の光強度を推定するので、極低照度環境およびゼロルクス環境における被写体の色の再現やカラー撮影が可能になる。
 本発明の態様30に係る固体撮像装置1b~1gは、上記態様29において、前記第1~第n光学フィルタのうちの一つは、赤色光波長領域を有する赤色光、及び、前記赤色光波長領域に最も近い波長領域を有する赤外線を透過してもよい。
 本発明の態様31に係る固体撮像装置1b~1gは、上記態様8~30のいずれか一態様において、前記n=3であり、前記第(1,1)波長範囲が赤色波長領域であり、前記第(1,2)波長範囲が第1赤外波長領域であり、前記第(2,1)波長範囲が青色波長領域であり、前記第(2,2)波長範囲が第2赤外波長領域であり、前記第(3,1)波長範囲が緑色波長領域であり、前記第(3,2)波長範囲が第3赤外波長領域であり、前記第2赤外波長領域が前記第1赤外波長領域よりも長波長側に位置し、前記第3赤外波長領域が前記第2赤外波長領域よりも長波長側に位置してもよい。
 本発明の態様32に係る固体撮像装置1b~1gは、上記態様8~30のいずれか一態様において、前記n=3であり、前記第(1,1)波長範囲が青色波長領域と赤色波長領域とを含み、前記第(1,2)波長範囲が第1赤外波長領域と第2赤外波長領域とを含み、前記第(2,1)波長範囲が緑色波長領域と青色波長領域とを含み、前記第(2,2)波長範囲が第2赤外波長領域と第3赤外波長領域とを含み、前記第(3,1)波長範囲が赤色波長領域と緑色波長領域とを含み、前記第(3,2)波長範囲が第1赤外波長領域と第3赤外波長領域とを含み、前記第2赤外波長領域が前記第1赤外波長領域よりも長波長側に位置し、前記第3赤外波長領域が前記第2赤外波長領域よりも長波長側に位置してもよい。
 本発明の態様33に係る固体撮像装置1b~1gは、上記態様8~30のいずれか一態様において、前記n=3であり、前記第(1,1)波長範囲が赤色波長領域と緑色波長領域と青色波長領域とを含み、前記第(1,2)波長範囲が第1赤外波長領域と第2赤外波長領域と第3赤外波長領域とを含み、前記第(2,1)波長範囲が赤色波長領域を含み、前記第(2,2)波長範囲が前記第1赤外波長領域を含み、前記第(3,1)波長範囲が緑色波長領域を含み、前記第(3,2)波長範囲が第3赤外波長領域を含み、前記第2赤外波長領域が前記第1赤外波長領域よりも長波長側に位置し、前記第3赤外波長領域が前記第2赤外波長領域よりも長波長側に位置してもよい。
 本発明の態様34に係る固体撮像装置1b~1gは、上記態様8~30のいずれか一態様において、前記n=3であり、前記第(1,1)波長範囲が赤色波長領域と緑色波長領域と青色波長領域とを含み、前記第(1,2)波長範囲が第1赤外波長領域と第2赤外波長領域と第3赤外波長領域とを含み、前記第(2,1)波長範囲が緑色波長領域を含み、前記第(2,2)波長範囲が前記第3赤外波長領域を含み、前記第(3,1)波長範囲が青色波長領域を含み、前記第(3,2)波長範囲が第2赤外波長領域を含み、前記第2赤外波長領域が前記第1赤外波長領域よりも長波長側に位置し、前記第3赤外波長領域が前記第2赤外波長領域よりも長波長側に位置してもよい。
 本発明の態様35に係る固体撮像装置1b~1gは、上記態様8~30のいずれか一態様において、前記n=3であり、前記第(1,1)波長範囲が赤色波長領域と緑色波長領域と青色波長領域とを含み、前記第(1,2)波長範囲が第1赤外波長領域と第2赤外波長領域と第3赤外波長領域とを含み、前記第(2,1)波長範囲が青色波長領域を含み、前記第(2,2)波長範囲が前記第2赤外波長領域を含み、前記第(3,1)波長範囲が赤色波長領域を含み、前記第(3,2)波長範囲が第1赤外波長領域を含み、前記第2赤外波長領域が前記第1赤外波長領域よりも長波長側に位置し、前記第3赤外波長領域が前記第2赤外波長領域よりも長波長側に位置してもよい。
 本発明の態様36に係る固体撮像装置1b~1gは、上記態様8~30のいずれか一態様において、前記n=3であり、前記第(1,1)波長範囲が赤色波長領域と緑色波長領域と青色波長領域とを含み、前記第(1,2)波長範囲が第1赤外波長領域と第2赤外波長領域と第3赤外波長領域とを含み、前記第(2,1)波長範囲が緑色波長領域と青色波長領域とを含み、前記第(2,2)波長範囲が前記第3赤外波長領域と前記第2赤外波長領域とを含み、前記第(3,1)波長範囲が青色波長領域と赤色波長領域とを含み、前記第(3,2)波長範囲が第2赤外波長領域と第1赤外波長領域とを含み、前記第2赤外波長領域が前記第1赤外波長領域よりも長波長側に位置し、前記第3赤外波長領域が前記第2赤外波長領域よりも長波長側に位置してもよい。
 本発明の態様37に係る固体撮像装置1b~1gは、上記態様8~30のいずれか一態様において、前記n=3であり、前記第(1,1)波長範囲が赤色波長領域と緑色波長領域と青色波長領域とを含み、前記第(1,2)波長範囲が第1赤外波長領域と第2赤外波長領域と第3赤外波長領域とを含み、前記第(2,1)波長範囲が青色波長領域と赤色波長領域とを含み、前記第(2,2)波長範囲が前記第2赤外波長領域と前記第1赤外波長領域とを含み、前記第(3,1)波長範囲が赤色波長領域と緑色波長領域とを含み、前記第(3,2)波長範囲が第1赤外波長領域と第3赤外波長領域とを含み、前記第2赤外波長領域が前記第1赤外波長領域よりも長波長側に位置し、前記第3赤外波長領域が前記第2赤外波長領域よりも長波長側に位置してもよい。
 本発明の態様38に係る固体撮像装置1b~1gは、上記態様8~30のいずれか一態様において、前記n=3であり、前記第(1,1)波長範囲が赤色波長領域と緑色波長領域と青色波長領域とを含み、前記第(1,2)波長範囲が第1赤外波長領域と第2赤外波長領域と第3赤外波長領域とを含み、前記第(2,1)波長範囲が赤色波長領域と緑色波長領域とを含み、前記第(2,2)波長範囲が前記第1赤外波長領域と前記第3赤外波長領域とを含み、前記第(3,1)波長範囲が緑色波長領域と青色波長領域とを含み、前記第(3,2)波長範囲が第3赤外波長領域と第2赤外波長領域とを含み、前記第2赤外波長領域が前記第1赤外波長領域よりも長波長側に位置し、前記第3赤外波長領域が前記第2赤外波長領域よりも長波長側に位置してもよい。
 本発明の態様39に係る固体撮像装置1b~1gは、上記態様33から38のいずれか一態様において、前記第1光学フィルタ18には、空間、若しくは、可視光線および赤外線の波長領域において50%以上の透過率を有する積層部材が積層されていてもよい。
 本発明の態様40に係る固体撮像装置1b~1gは、上記態様33において、前記解析部4は、前記第1光学フィルタ18を透過した光の強度と、前記第2光学フィルタ19を透過した光の強度と、前記第3光学フィルタ20を透過した光の強度とに基づいて、前記青色波長領域の波長及び前記第2赤外波長領域の波長を有する被写体からの光の強度を計算してもよい。
 本発明の態様41に係る固体撮像装置1b~1gは、上記態様34において、前記解析部4は、前記第1光学フィルタ18を透過した光の強度と、前記第2光学フィルタ19を透過した光の強度と、前記第3光学フィルタ20を透過した光の強度とに基づいて、前記赤色波長領域の波長及び前記第1赤外波長領域の波長を有する被写体からの光の強度を計算してもよい。
 本発明の態様42に係る固体撮像装置1b~1gは、上記態様35において、前記解析部4は、前記第1光学フィルタ18を透過した光の強度と、前記第2光学フィルタ19を透過した光の強度と、前記第3光学フィルタ20を透過した光の強度とに基づいて、前記緑色波長領域の波長及び前記第3赤外波長領域の波長を有する被写体からの光の強度を計算してもよい。
 本発明の態様43に係る固体撮像装置1b~1gは、上記態様36において、前記解析部4は、前記第1光学フィルタ18を透過した光の強度と、前記第2光学フィルタ19を透過した光の強度と、前記第3光学フィルタ20を透過した光の強度とに基づいて、前記赤色波長領域の波長、前記緑色波長領域の波長、前記第1赤外波長領域の波長、及び、前記第3赤外波長領域の波長を有する被写体からの光の強度を計算してもよい。
 本発明の態様44に係る固体撮像装置1b~1gは、上記態様37において、前記解析部4は、前記第1光学フィルタ18を透過した光の強度と、前記第2光学フィルタ19を透過した光の強度と、前記第3光学フィルタ20を透過した光の強度とに基づいて、前記青色波長領域の波長、前記緑色波長領域の波長、前記第3赤外波長領域の波長、及び、前記第2赤外波長領域の波長を有する被写体からの光の強度を計算してもよい。
 本発明の態様45に係る固体撮像装置1b~1gは、上記態様38において、前記解析部4は、前記第1光学フィルタ18を透過した光の強度と、前記第2光学フィルタ19を透過した光の強度と、前記第3光学フィルタ20を透過した光の強度とに基づいて、前記青色波長領域の波長、前記赤色波長領域の波長、前記第2赤外波長領域の波長、及び、前記第1赤外波長領域の波長を有する被写体からの光の強度を計算してもよい。
 本発明の態様46に係る固体撮像装置1b~1gは、上記態様8、23、及び29のいずれか一態様において、マトリックス計算を用いた色変換を行う変換部をさらに備えてもよい。
 本発明の態様47に係る固体撮像装置1b~1gは、上記態様26において、青色波長領域の波長を有する光を透過させる前記高屈折層の屈折率は、緑色波長領域の波長を有する光を透過させる前記高屈折層の屈折率、及び、赤色波長領域の波長を有する光を透過させる前記高屈折層の屈折率よりも低くてもよい。
 本発明の態様48に係る固体撮像装置1b~1gは、上記態様8、29のいずれか一態様において、前記複数の複合光学フィルタのそれぞれは、異なる厚さの複数の積層部材が積層されて成ってもよい。
 本発明の態様49に係る固体撮像装置1b~1gは、上記態様8、23、29のいずれか一態様において、前記光学フィルタ2a~2d、前記第1~第n光学フィルタのいずれかは、屈折率および厚さがそれぞれ(n、d)、(n、d)・・・および(n、d)である複数の積層部材を備え、前記(n、d)、前記(n、d)・・・および前記(n、d)のそれぞれの値を適宜設定することにより(iは整数)、所定の波長領域の可視光線および所定の波長領域の赤外線をそれぞれ透過してもよい。
 本発明の態様50に係る固体撮像装置1b~1gは、上記態様8、23、29のいずれか一態様において、前記複数の光学フィルタ2a~2d、または、前記第1~第n光学フィルタは、屈折率および厚さがそれぞれ(n ,d )、(n ,d )・・・および(n ,d )、(n ,d )、(n ,d )・・・および(n ,d )、・・・、並びに、(n ,d )、(n ,d )・・・および(n ,d )である複数の積層部材を備え、前記(n ,d )、前記(n ,d )・・・および前記(n ,d )、前記(n ,d )、前記(n ,d )・・・および前記(n ,d )、・・・、並びに、前記(n ,d )、前記(n ,d )・・・および前記(n ,d )のそれぞれの値を適宜設定することにより(pは1≦p≦nを満足する整数)、所定の波長領域の可視光線および所定の波長領域の赤外線をそれぞれ透過してもよい。
 本発明の態様51に係る固体撮像装置1b~1gは、上記態様8、23、29のいずれか一態様において、被写体に電磁波を照射する電磁波照射部をさらに備えてもよい。
 本発明の態様52に係る固体撮像装置1b~1gは、上記態様8、23、29のいずれか一態様において、被写体に赤外線を照射する赤外線照射部をさらに備えてもよい。
 本発明の態様53に係る固体撮像装置1b~1gは、上記態様8、23、29のいずれか一態様において、被写体に可視光線を照射する可視光線照射部をさらに備えてもよい。
 本発明の態様54に係る固体撮像装置1b~1gは、上記態様8、23、29のいずれか一態様において、被写体に可視光線を照射する可視光線照射部と、前記被写体に赤外線を照射する赤外線照射部とをさらに備えてもよい。
 本発明の態様55に係る固体撮像装置1b~1gは、上記態様51または53において、前記赤外線が近赤外線であってもよい。
 本発明の態様56に係る固体撮像装置1b~1eは、上記態様22において、前記スペーサ部材7が、有機材料または無機材料を含んでもよい。
 本発明の態様57に係る固体撮像装置1b~1eは、上記態様22において、前記スペーサ部材7の寸法が、10マイクロメーター以下であってもよい。
 本発明の態様58に係る固体撮像装置1b~1eは、上記態様22において、前記光学フィルタ2a~2dに対する光の透過方向に垂直な平面に沿った前記スペーサ部材7に対する前記光学フィルタ2a~2dの寸法比が、0.5以上であってもよい。
 本発明の態様59に係る固体撮像装置1b~1gは、上記態様8、23、29のいずれか一態様において、前記光学フィルタ2a~2d、又は、前記第1~第n光学フィルタに対する光の透過方向に垂直な平面に沿った前記光学フィルタ2a~2d、又は、前記第1~第n光学フィルタの寸法に対する、前記平面に垂直な方向に沿った前記光学フィルタ2a~2d、又は、前記第1~第n光学フィルタの寸法の比率が0.5以上であってもよい。
 本発明の態様60に係る固体撮像装置1c・1eは、上記態様9において、前記複数の光学フィルタ2a~2dのそれぞれが周期性を有して平面状に配置される周期と、前記複数の光センサ3a~3dが周期性を有して平面状に配置される周期と、前記複数のレンズが周期性を有して平面状に配置される周期とが異なってもよい。
 本発明の態様61に係る固体撮像装置1b~1gは、複数の複合光学フィルタ5aを有する複合光学フィルタアレイ8aと、複数の光センサ3a~3dが配置された光センサアレイ6aとを備え、前記複数の複合光学フィルタ5aのそれぞれは、透過波長域の異なる複数の光学フィルタ2a~2dを有し、前記複数の光学フィルタ2a~2dのそれぞれは、所定の波長の紫外線、所定の波長の可視光線、及び所定の波長の赤外線を透過させ、前記複数の光学フィルタ2a~2dのそれぞれには、異なる屈折率を有する複数の積層部材S1~Siが積層されており、前記複数の光センサ3a~3dは、前記紫外線、前記可視光線、及び前記赤外線に感度を有し、前記複数の光学フィルタ2a~2dのそれぞれは、周期性を有して平面状に配置され、前記複数の光センサ3a~3dは、周期性を有して平面状に配置される。
 本発明の態様62に係る固体撮像装置の製造方法は、半導体基板11に第1光センサ及び第2光センサ(光電変換部12)を形成し、前記第1光センサ及び第2光センサ(光電変換部12)を覆うように前記半導体基板11の上に絶縁膜16を形成し、前記第1光センサに対応する第1光学フィルタ18を前記絶縁膜16の上に形成し、前記第2光センサに対応する第2光学フィルタ19を前記絶縁膜16の上に形成し、前記第1及び第2光学フィルタ18・19は、透過波長域が異なっており、所定の波長の可視光線及び所定の波長の赤外線を透過させ、前記第1及び第2光学フィルタ18・19のそれぞれには、異なる屈折率を有する複数の積層部材S1~Siが積層されており、前記第1及び第2光センサ(光電変換部12)は、前記可視光線及び前記赤外線に感度を有する。
 本発明の態様63に係る固体撮像装置1b~1gは、上記態様のいずれか一態様において、被写体に紫外波長領域、マゼンダ波長領域、青色波長領域、シアン波長領域、緑色波長領域、黄色波長領域、橙色波長領域、赤色波長領域、第1赤外波長領域、第2赤外波長領域、第3赤外波長領域・・・、第n赤外波長領域のいずれか一つまたは複数の光などを照射する照射部をさらに備えてもよい。
 本発明の態様64に係る固体撮像装置1b~1gは、天井、壁、電柱などに設置可能であり、車両、船舶、ウェアラブルなどに搭載することが出来る。
 本発明の態様65に係る光検出装置1a・1hは、上記態様2において、各光学フィルタ2a~2dに積層された複数の積層部材のうちの少なくとも一つが、他の積層部材の屈折率よりも高い屈折率を有する高屈折層(高屈折材料H~H)であり、前記複数の光学フィルタのうちの少なくとも一つの高屈折層が、他の光学フィルタの高屈折層と屈折率が異なっていてもよい。
 本発明の態様66に係る光検出装置1a・1hは、上記態様65において、前記複数の光学フィルタ2a~2dのうちの少なくとも前記一つは、前記可視光線および前記赤外線の波長領域において他の光学フィルタが透過する光の波長よりも短い波長の光を透過し、前記複数の光学フィルタ2a~2dのうちの少なくとも前記一つの高屈折層の屈折率が、他の光学フィルタの高屈折層の屈折率よりも小さくてもよい。
 本発明の態様67に係る光検出装置1a・1hは、上記態様2において、前記複数の積層部材のうちの一つが前記光センサ3a~3dに最も近い最下層(低屈折材料L)であり、前記複数の積層部材のうちの他の一つが前記光センサ3a~3dに最も遠い最上層(低屈折材料L)であり、前記最下層(低屈折材料L)の屈折率と前記最下層に隣接する層(絶縁膜16)の屈折率との比率が85%以上115%以下であり、前記最上層(低屈折材料L)の屈折率と前記最上層に隣接する層(スペーサ膜21)の屈折率との比率が85%以上115%以下であってもよい。
 本発明の態様68に係る固体撮像装置1cは、上記態様8において、前記複合光学フィルタアレイ8aに対して前記光センサアレイ6aの反対側に配置されて複数のレンズを有するレンズアレイ9aをさらに備え、前記複数のレンズは、周期性を有して平面状に配置されてもよい。
 本発明の態様69に係る固体撮像装置1f・1gは、上記態様23において、前記第1複合光学フィルタを構成する各光学フィルタ2a~2dに積層された複数の積層部材のうちの少なくとも一つが、他の積層部材の屈折率よりも高い屈折率を有する高屈折層(高屈折材料H~H)であり、前記複数の第1複合光学フィルタを構成する複数の光学フィルタのうちの少なくとも一つの高屈折層が、他の光学フィルタの高屈折層と屈折率が異なっていてもよい。
 本発明の態様70に係る固体撮像装置1f・1gは、上記態様69において、前記第1複合光学フィルタを構成する前記複数の光学フィルタ2a~2dのうちの少なくとも前記一つは、前記可視光線および前記赤外線の波長領域において他の光学フィルタが透過する光の波長よりも短い波長の光を透過し、前記複数の光学フィルタ2a~2dのうちの少なくとも前記一つの高屈折層の屈折率が、他の光学フィルタの高屈折層の屈折率よりも小さくてもよい。
 本発明の態様71に係る固体撮像装置1f・1gは、上記態様23において、前記第1複合光学フィルタを構成する前記複数の光学フィルタ2a~2dの複数の積層部材のうちの一つが前記光センサ3a~3dに最も近い最下層(低屈折材料L)であり、前記複数の積層部材のうちの他の一つが前記光センサ3a~3dに最も遠い最上層(低屈折材料L)であり、前記最下層(低屈折材料L)の屈折率と前記最下層に隣接する層(絶縁膜16)の屈折率との比率が85%以上115%以下であり、前記最上層(低屈折材料L)の屈折率と前記最上層に隣接する層(スペーサ膜21)の屈折率との比率が85%以上115%以下であってもよい。
 本発明の態様72に係る固体撮像装置1f・1gは、上記態様23において、前記第1複合光学フィルタアレイ(複合光学フィルタアレイ8a)に対して前記光センサアレイ6aの反対側に配置されて複数のレンズを有するレンズアレイをさらに備え、前記複数のレンズは、周期性を有して平面状に配置されてもよい。
 本発明の態様73に係る固体撮像装置1b~1gは、上記態様30において、前記n=3であり、前記第(1,1)波長範囲が赤色波長領域であり、前記第(1,2)波長範囲が第1赤外波長領域であり、前記第(2,1)波長範囲が青色波長領域であり、前記第(2,2)波長範囲が第2赤外波長領域であり、前記第(3,1)波長範囲が緑色波長領域であり、前記第(3,2)波長範囲が第3赤外波長領域であり、前記第2赤外波長領域が前記第1赤外波長領域よりも長波長側に位置し、前記第3赤外波長領域が前記第2赤外波長領域よりも長波長側に位置してもよい。
 本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。さらに、各実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を組み合わせることにより、新しい技術的特徴を形成することができる。
 本発明は、通常照度環境、低照度環境、極低照度環境およびゼロルクス環境における被写体を対象とする光検出装置および固体撮像装置並びにそれらの製造方法に利用することができる。
 1 光検出装置
1a、1h 光検出装置
1b~1g 固体撮像装置
 2 光学フィルタ 
2a~2v 光学フィルタ(第1光学フィルタ、第2光学フィルタ)
 3 光センサ
3a~3d 光センサ
 4 解析部
5a~5g 複合光学フィルタ
 6、6a 光センサアレイ
 7 スペーサ部材
7a~7f スペーサ部材
8a 複合光学フィルタアレイ(第1複合光学フィルタアレイ)
9a、9b レンズアレイ
10a 有機フィルタアレイ(第2複合光学フィルタアレイ)
11 半導体基板
12 光電変換部(第1光センサ、第2光センサ)
13 電荷転送部
14 転送電極
15 遮光膜
16 絶縁膜(最下層に隣接する層)
17 無機膜光学フィルタ
18、18a 第1光学フィルタ
19、19a 第2光学フィルタ
20、20a 第3光学フィルタ
21 スペーサ膜(最上層に隣接する層)
22 集光レンズ
23 有機膜光学フィルタ
24 有機膜光学フィルタ
25 有機膜光学フィルタ
26 第2平坦化膜
27 集光レンズ
S1~S6 積層部材
SP 空間
L1~L4 光線
T 情報
W 波形
W1~W5 波形
~H 高屈折材料(高屈折層)
~L 低屈折材料(低屈折層、最下層、最上層)

Claims (19)

  1.  被写体からの光のうち第1波長範囲の波長を有する第1波長光、第2波長範囲の波長を有する第2波長光、・・・および第n波長範囲の波長を有する第n波長光(nは整数)を透過させる光学フィルタと、
     前記第1波長光の第1波長光強度、前記第2波長光の第2波長光強度、・・・および前記第n波長光の第n波長光強度の少なくとも一つを検出する光センサと、
     前記光センサにより検出された前記第1波長光強度、前記第2波長光強度、・・・および前記第n波長光強度の少なくとも一つに基づいて、前記第1波長範囲、前記第2波長範囲、・・・および前記第n波長範囲の少なくとも一つ以外の波長範囲の波長を有する光の光強度を推定する解析部とを備え、
     前記少なくとも一つの波長範囲の波長を有する光の光強度と前記少なくとも一つ以外の波長範囲の波長を有する光の光強度との間には相関関係が有ることを特徴とする光検出装置。
  2.  透過波長域が異なる複数の光学フィルタと、
     前記複数の光学フィルタのそれぞれを透過した光を受光する複数の光センサとを備え、
     前記複数の光学フィルタのそれぞれは、可視光線および赤外線の波長領域において透過率が50%以上の複数の積層部材が積層されて成り、
     前記複数の積層部材のそれぞれは、同一または異なる屈折率を有し、
     前記複数の光学フィルタのそれぞれは、所定の波長範囲の光を反射することで他の波長範囲の光を透過し、
     前記複数の光学フィルタは、空間またはスペーサ部材を介して、平面に配置されることを特徴とする光検出装置。
  3.  各光学フィルタに積層された複数の積層部材のうちの少なくとも一つが、他の積層部材の屈折率よりも高い屈折率を有する高屈折層であり、
     前記複数の光学フィルタのうちの少なくとも一つの高屈折層が、他の光学フィルタの高屈折層と屈折率が異なる請求項2に記載の光検出装置。
  4.  前記複数の光学フィルタのうちの少なくとも前記一つは、前記可視光線および前記赤外線の波長領域において他の光学フィルタが透過する光の波長よりも短い波長の光を透過し、
     前記複数の光学フィルタのうちの少なくとも前記一つの高屈折層の屈折率が、他の光学フィルタの高屈折層の屈折率よりも小さい請求項3に記載の光検出装置。
  5.  前記複数の積層部材のうちの一つが前記光センサに最も近い最下層であり、前記複数の積層部材のうちの他の一つが前記光センサに最も遠い最上層であり、
     前記最下層の屈折率と前記最下層に隣接する層の屈折率との比率が85%以上115%以下であり、前記最上層の屈折率と前記最上層に隣接する層の屈折率との比率が85%以上115%以下である請求項2に記載の光検出装置。
  6.  前記複数の光学フィルタに対して前記複数の光センサの反対側に配置された複数のレンズをさらに備える請求項2に記載の光検出装置。
  7.  前記被写体からの光は赤外線であり、
     前記解析部は、前記光センサにより検出された前記第1波長光強度、前記第2波長光強度、・・・および前記第n波長光強度の少なくとも一つに基づいて、前記赤外線を反射した被写体の可視光線下の色を推定する請求項1に記載の光検出装置。
  8.  複数の複合光学フィルタを有する複合光学フィルタアレイと、
     複数の光センサが配置された光センサアレイとを備え、
     前記複数の複合光学フィルタのそれぞれは、透過波長域の異なる複数の光学フィルタを有し、
     前記複数の光学フィルタのそれぞれは、所定の波長の可視光線及び所定の波長の赤外線を透過させ、
     前記複数の光学フィルタのそれぞれは、異なる屈折率を有する複数の積層部材が積層されて成り、
     前記複数の光センサは、前記可視光線及び前記赤外線に感度を有し、
     前記複数の光学フィルタのそれぞれは、周期性を有して平面状に配置され、
     前記複数の光センサは、周期性を有して平面状に配置されることを特徴とする固体撮像装置。
  9.  前記複合光学フィルタアレイに対して前記光センサアレイの反対側に配置されて複数のレンズを有するレンズアレイをさらに備え、
     前記複数のレンズは、周期性を有して平面状に配置される請求項8に記載の固体撮像装置。
  10.  前記複数の光学フィルタの間にスペーサ部材が形成されている請求項8に記載の固体撮像装置。
  11.  第1複合光学フィルタアレイと、光センサアレイと、前記第1複合光学フィルタアレイと前記光センサアレイとの間、又は、前記第1複合光学フィルタアレイの前記光センサアレイと反対側に配置された第2複合光学フィルタアレイとを備えた固体撮像装置であって、
     前記第1複合光学フィルタアレイは、複数の第1複合光学フィルタを有し、前記複数の第1複合光学フィルタのそれぞれは、透過波長域の異なる複数の光学フィルタを有し、
     前記第2複合光学フィルタアレイは、複数の第2複合光学フィルタを有し、前記複数の第2複合光学フィルタのそれぞれは、透過波長域の異なる複数の光学フィルタを有し、
     前記複数の第1複合光学フィルタを構成する複数の光学フィルタのそれぞれは、無機または有機材料からなり、
     前記複数の第2複合光学フィルタを構成する複数の光学フィルタのそれぞれは、有機または無機材料からなり、
     前記複数の第1複合光学フィルタを構成する複数の光学フィルタのそれぞれは、周期性を有して平面状に配置され、
     前記複数の第2複合光学フィルタを構成する複数の光学フィルタのそれぞれは、前記複数の第1複合光学フィルタを構成する複数の光学フィルタのそれぞれと対応するように周期性を有して平面状に配置され、
     前記複数の第1複合光学フィルタを構成する複数の光学フィルタのうちの一つと、前記複数の第1複合光学フィルタを構成する複数の光学フィルタのうちの前記一つに対応する前記複数の第2複合光学フィルタを構成する複数の光学フィルタのうちの一つとを組み合わせることにより、所定の波長の可視光線及び所定の波長の赤外線を透過させ、
     前記光センサアレイは、前記可視光線及び前記赤外線に感度を有する複数の光センサを有し、
     前記複数の光センサのそれぞれは、前記複数の第1複合光学フィルタを構成する複数の光学フィルタと対応するように周期性を有して平面状に配置されることを特徴とする固体撮像装置。
  12.  前記第1複合光学フィルタを構成する各光学フィルタに積層された複数の積層部材のうちの少なくとも一つが、他の積層部材の屈折率よりも高い屈折率を有する高屈折層であり、
     前記複数の第1複合光学フィルタを構成する複数の光学フィルタのうちの少なくとも一つの高屈折層が、他の光学フィルタの高屈折層と屈折率が異なる請求項11に記載の固体撮像装置。
  13.  前記第1複合光学フィルタを構成する前記複数の光学フィルタのうちの少なくとも前記一つは、前記可視光線および前記赤外線の波長領域において他の光学フィルタが透過する光の波長よりも短い波長の光を透過し、
     前記複数の光学フィルタのうちの少なくとも前記一つの高屈折層の屈折率が、他の光学フィルタの高屈折層の屈折率よりも小さい請求項12に記載の固体撮像装置。
  14.  前記第1複合光学フィルタを構成する前記複数の光学フィルタの複数の積層部材のうちの一つが前記光センサに最も近い最下層であり、前記複数の積層部材のうちの他の一つが前記光センサに最も遠い最上層であり、
     前記最下層の屈折率と前記最下層に隣接する層の屈折率との比率が85%以上115%以下であり、前記最上層の屈折率と前記最上層に隣接する層の屈折率との比率が85%以上115%以下である請求項11に記載の固体撮像装置。
  15.  前記第1複合光学フィルタアレイに対して前記光センサアレイの反対側に配置されて複数のレンズを有するレンズアレイをさらに備え、
     前記複数のレンズは、周期性を有して平面状に配置される請求項11に記載の固体撮像装置。
  16.  複数の複合光学フィルタを有する複合光学フィルタアレイと、
     複合光センサが配置された光センサアレイとを備え、
     前記複数の複合光学フィルタのそれぞれが、第1波長範囲グループの光を透過させる第1光学フィルタ、第2波長範囲グループの光を透過させる第2光学フィルタ、・・・および第n波長範囲グループの光を透過させる第n光学フィルタを有しており(nは整数)、
     第k波長範囲グループ(kは1≦k≦nを満足する整数)は、それぞれ、第(k,1)波長範囲、第(k,2)波長範囲、・・・および第(k,m)波長範囲を含み(mは整数)、
     前記第(k,1)波長範囲、第(k,2)波長範囲、・・・および第(k,m)波長範囲のそれぞれの光強度の間には相関関係が有り、
     前記複合光センサは、第1光センサ、第2光センサ、・・・および第n光センサを有し、
     第k光センサは、前記第(k,1)波長範囲、第(k,2)波長範囲、・・・および第(k,m)波長範囲のそれぞれの光強度のうちの少なくとも一つを検出し、
     前記少なくとも一つの波長範囲の波長を有する光の光強度から、前記少なくとも一つ以外の波長範囲の波長を有する光の光強度を推定する解析部をさらに備え、
     前記少なくとも一つの波長範囲の波長を有する光の光強度と前記少なくとも一つ以外の波長範囲の波長を有する光の光強度との間には相関関係が有ることを特徴とする固体撮像装置。
  17.  前記第1~第n光学フィルタのうちの一つは、赤色光波長領域を有する赤色光、及び、前記赤色光波長領域に最も近い波長領域を有する赤外線を透過する請求項16に記載の固体撮像装置。
  18.  前記n=3であり、
     前記第(1,1)波長範囲が赤色波長領域であり、前記第(1,2)波長範囲が第1赤外波長領域であり、前記第(2,1)波長範囲が青色波長領域であり、前記第(2,2)波長範囲が第2赤外波長領域であり、前記第(3,1)波長範囲が緑色波長領域であり、前記第(3,2)波長範囲が第3赤外波長領域であり、
     前記第2赤外波長領域が前記第1赤外波長領域よりも長波長側に位置し、前記第3赤外波長領域が前記第2赤外波長領域よりも長波長側に位置する請求項17に記載の固体撮像装置。
  19.  半導体基板に第1光センサ及び第2光センサを形成し、
     前記第1光センサ及び第2光センサを覆うように前記半導体基板の上に絶縁膜を形成し、
     前記第1光センサに対応する第1光学フィルタを前記絶縁膜の上に形成し、
     前記第2光センサに対応する第2光学フィルタを前記絶縁膜の上に形成し、
     前記第1及び第2光学フィルタは、透過波長域が異なっており、所定の波長の可視光線及び所定の波長の赤外線を透過させ、
     前記第1及び第2光学フィルタのそれぞれは、異なる屈折率を有する複数の積層部材が積層されて成り、
     前記第1及び第2光センサは、前記可視光線及び前記赤外線に感度を有することを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
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