JP2007311447A - 光電変換装置 - Google Patents

光電変換装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2007311447A
JP2007311447A JP2006137270A JP2006137270A JP2007311447A JP 2007311447 A JP2007311447 A JP 2007311447A JP 2006137270 A JP2006137270 A JP 2006137270A JP 2006137270 A JP2006137270 A JP 2006137270A JP 2007311447 A JP2007311447 A JP 2007311447A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
infrared
region
light
photoelectric conversion
filter
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2006137270A
Other languages
English (en)
Inventor
Yoshihito Higashitsutsumi
良仁 東堤
Shinichiro Izawa
慎一郎 伊澤
Kuniyuki Tani
邦之 谷
Kazuhiro Suzuki
和博 鈴木
Yukiko Mishima
由紀子 三島
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sanyo Electric Co Ltd
Original Assignee
Sanyo Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sanyo Electric Co Ltd filed Critical Sanyo Electric Co Ltd
Priority to JP2006137270A priority Critical patent/JP2007311447A/ja
Priority to KR1020070047673A priority patent/KR20070111379A/ko
Priority to US11/804,181 priority patent/US20070272836A1/en
Publication of JP2007311447A publication Critical patent/JP2007311447A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01JMEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J3/00Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
    • G01J3/28Investigating the spectrum
    • G01J3/30Measuring the intensity of spectral lines directly on the spectrum itself
    • G01J3/36Investigating two or more bands of a spectrum by separate detectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14601Structural or functional details thereof
    • H01L27/1462Coatings
    • H01L27/14621Colour filter arrangements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14601Structural or functional details thereof
    • H01L27/1462Coatings
    • H01L27/14623Optical shielding
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/148Charge coupled imagers
    • H01L27/14806Structural or functional details thereof
    • H01L27/14812Special geometry or disposition of pixel-elements, address lines or gate-electrodes
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N23/00Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
    • H04N23/10Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof for generating image signals from different wavelengths
    • H04N23/11Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof for generating image signals from different wavelengths for generating image signals from visible and infrared light wavelengths
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/10Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof for transforming different wavelengths into image signals
    • H04N25/11Arrangement of colour filter arrays [CFA]; Filter mosaics
    • H04N25/13Arrangement of colour filter arrays [CFA]; Filter mosaics characterised by the spectral characteristics of the filter elements
    • H04N25/131Arrangement of colour filter arrays [CFA]; Filter mosaics characterised by the spectral characteristics of the filter elements including elements passing infrared wavelengths
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/10Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof for transforming different wavelengths into image signals
    • H04N25/11Arrangement of colour filter arrays [CFA]; Filter mosaics
    • H04N25/13Arrangement of colour filter arrays [CFA]; Filter mosaics characterised by the spectral characteristics of the filter elements
    • H04N25/135Arrangement of colour filter arrays [CFA]; Filter mosaics characterised by the spectral characteristics of the filter elements based on four or more different wavelength filter elements
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01JMEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J3/00Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
    • G01J3/46Measurement of colour; Colour measuring devices, e.g. colorimeters
    • G01J3/50Measurement of colour; Colour measuring devices, e.g. colorimeters using electric radiation detectors
    • G01J3/51Measurement of colour; Colour measuring devices, e.g. colorimeters using electric radiation detectors using colour filters
    • G01J3/513Measurement of colour; Colour measuring devices, e.g. colorimeters using electric radiation detectors using colour filters having fixed filter-detector pairs
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N2209/00Details of colour television systems
    • H04N2209/04Picture signal generators
    • H04N2209/041Picture signal generators using solid-state devices
    • H04N2209/042Picture signal generators using solid-state devices having a single pick-up sensor
    • H04N2209/047Picture signal generators using solid-state devices having a single pick-up sensor using multispectral pick-up elements

Abstract

【課題】カラー再現性の高い画像を撮像することを可能とする光電変換装置を提供する。
【解決手段】可視光領域から赤外光領域までの波長領域に対して光電変換の感度を有する光電変換素子20を含む複数の画素と、複数の画素の一部の受光面側に配置された可視光領域を透過領域とするカラーフィルタ22R,22G,22Bと、複数の画素の残りの受光面側に配置された赤外光領域を透過領域とする赤外フィルタと、複数の画素の受光面側に設けられた650nm以上750nm以下の波長領域の光を遮断するカットフィルタ24とを備えることによって上記課題を解決することができる。
【選択図】図2

Description

本発明は、近赤外領域を遮断するカットフィルタを備えた光電変換装置に関する。
カメラに装着されるCCD(Charge Coupled Device:電荷結合素子)やC−MOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)等の撮像素子は、二次元に配列され、光を電気信号に変換する光電変換素子を備える。シリコン基板上に形成された光電変換素子は、可視光領域(380nm〜700nm程度)から赤外光領域(700nm〜1100nm程度)までの光電変換感度を有する。したがって、カラー撮像を行うためには、光電変換素子の受光面側に原色(RGB)系又は補色(YMC)系のカラーフィルタを配置し、入射光をカラーフィルタで色分解して各波長領域毎に光電変換を行う。
また、図7の平面図に示すように、原色(RGB)系(又は補色(YMC)系)のカラーフィルタを設けた画素に加えて、赤外光領域(IR)を透過領域とする赤外フィルタを受光面側に備えた画素をモザイク状に組み合わせることによって、可視光のカラー撮像のみならず、赤外領域での撮像も可能とした光電変換装置も用いられている。例えば、昼間の屋外での撮像ではカラーフィルタを備えた画素で得られた信号から赤外フィルタを備えた画素で得られた信号を減算してカラー画像の撮像を行い、夜間や暗い屋内での撮像では赤外フィルタを備えた画素で得られた信号と赤外光も透過できるカラーフィルタを備えた画素で得られた信号とを用いて撮像を行うことができる。
特開平11−239356号公報
図8に、原色(RGB)系のカラーフィルタを備えたCCD撮像素子の感度の波長依存性を示す。図8において、横軸は光の波長(nm)を示し、縦軸は相対的な透過率を示す。赤、緑、青に対するカラーフィルタは、図8のラインR,G,Bにそれぞれ示すように、650nm以上の赤外光領域の光に対して感度を有する。したがって、各カラーフィルタを備えた画素で生成される情報電荷には赤外光領域の光によって生成される電荷が含まれることになる。この赤外光領域の光による電荷は、カラー画像においてノイズとして重畳されることになる。
例えば、図9に示すように、自然光を反射する植生からの反射光には650nm以上の赤外光の成分が多く含まれる。植生をカラー撮像する際には赤や青に対するカラーフィルタを備えた画素においてもカラーフィルタを透過した赤外光によって情報電荷が生成されるため、赤,青,緑の画素から得られた信号によってカラー画像を構成した場合に赤外光によるノイズ成分が大きくなり、植生が自然な緑色として表現されなくなる問題を生ずる。
また、光電変換装置では、カラー撮像においては赤外光領域の光の影響を除いてカラー再現性を高めることが要求されている。しかしながら、図8に示すように、650nm〜800nmの近赤外領域に対するカラーフィルタの透過特性は各色において異なっており、各色に対して一律の処理を施すことによって近赤外領域の光によるノイズを除去することが困難である。
本発明は、可視光領域及び赤外光領域での撮像が可能な光電変換装置において、可視光領域におけるカラー再現性を高めることを目的とする。
本発明は、入射光を受けて、入射光の強度に応じた電荷を生成する光電変換装置であって、可視光領域から赤外光領域までの波長領域に対して光電変換の感度を有する光電変換素子をそれぞれ含む複数の画素と、前記複数の画素の一部の受光面側に配置された可視光領域及び赤外光領域を透過領域とするカラーフィルタと、前記複数の画素の残りの受光面側に配置された赤外光領域を透過領域とする赤外フィルタと、前記複数の画素の受光面側に設けられた650nm以上750nm以下の波長領域の光を遮断するカットフィルタと、を備えることを特徴とする。
この光電変換装置によれば、カラー画像を撮像する際に、可視光領域以外の成分によるノイズを従来よりも取り除き、カラー再現性の高い画像を得ることができる。
ここで、前記カラーフィルタは、赤・緑・青、イエロー・シアン・マゼンダ、イエロー・シアン・グリーン及びイエロー・シアン・マゼンダ・グリーンのいずれか1の組み合わせに含まれる3色又は4色であることが好適である。前記カラーフィルタの少なくとも2種類は、赤外光領域の光を透過するフィルタであり、前記赤外フィルタは、前記カラーフィルタのうち赤外光領域の光を透過するカラーフィルタを積層して構成されることが好適である。
このカラー撮像素子によれば、別途赤外光透過フィルタを備える必要が無いため、低コストで高感度なカラー撮像素子を実現することができる。
特に、前記赤外フィルタは、赤及び青のカラーフィルタを積層して構成されることが好適である。また、前記赤外フィルタは、イエロー、シアン及びマゼンダのカラーフィルタを積層して構成されることも好適である。
このような光電変換装置では、前記カラーフィルタが受光面側に配置された画素から出力された信号を前記赤外フィルタが受光面側に配置された画素から出力された信号によって補正することができる。
また、前記赤外フィルタが設けられた画素は、前記カラーフィルタが設けられた画素より構成される撮像領域の外縁の一部に設けてもよい。このような構成によれば、撮像のための可視光成分および赤外光成分を光電変換する光電変換素子を緻密に配列できるため高解像度の撮像を行うことができ、かつ被写体の赤外光成分を検出し、赤外光成分を補正するための赤外光信号を選択的に出力することができるので、適切な色再現を行うことができる。
本発明によれば、可視光領域及び赤外光領域の両方において撮像が可能な光電変換装置において、カラー再現性の高い画像を撮像することが可能となる。すなわち、良好なカラー画像を得ることができる。
本発明の実施の形態における光電変換装置100は、図1に示すように、撮像部10、クロック制御部12、信号処理部14及び赤外光源16を含んで構成される。光電変換装置100は、撮像部10において入射光に応じた情報電荷を生成し、クロック制御部12から撮像部10に供給されるクロック信号(φv,φh,φo)によって情報電荷を転送する。情報電荷は電気信号(SR,SG,SB,SIR)に変換されて信号処理部14へと順次出力され、信号処理部14においてノイズ除去等の処理が施される。
また、光電変換装置100は、昼間の屋外や明るい屋内ではカラー画像の撮像を可能とし、夜間の屋外や暗い屋内では赤外画像の撮像を可能とする。赤外画像の撮像を行う場合、撮像のタイミングに応じてクロック制御部12から赤外光源16へと光源オン信号(Lon)を出力することによって、赤外光源16から被写体に対して赤外領域の光を照射し、被写体からの反射光によって撮像することもできる。
撮像部10は、図2の平面図及び図3,図4の断面図に示すように、光電変換素子20、カラーフィルタ22R,22G,22B、近赤外カットフィルタ24、垂直レジスタ26、水平レジスタ28及び出力部30を含んで構成される。ここで、図3は、図2のA−Aに沿った断面図を示し、図4は、図2のB−Bに沿った断面図を示す。
本実施の形態では、撮像部10には、それぞれ光電変換素子20を含む複数の画素がマトリックス状に配置されている。各光電変換素子20は、SiフォトダイオードやCMOSセンサで構成することができる。垂直レジスタ26及び水平レジスタ28はそれぞれCCD(Charge Coupled Device:電荷結合素子)から構成される。光電変換素子20は、垂直レジスタ26に結合されており、光電変換素子20での光電変換によって生成された情報電荷は、クロック制御部12からのクロック信号(φv)に応じて垂直レジスタ26により垂直方向(図2の下方向)に転送され、水平レジスタ28へと出力される。情報電荷は、クロック制御部12からのクロック信号(φh)に応じて水平レジスタ28によって水平方向(図2の左方向)に転送され、出力部30において電圧信号に変換されて信号処理部14へ順次出力される。
マトリックス状に配置された画素の受光面側には、図8のラインRで示すように赤色の波長領域を透過するカラーフィルタ22R、図8のラインGで示すように緑色の波長領域を透過するカラーフィルタ22G、図8のラインBで示すように青色の波長領域を透過するカラーフィルタ22B、並びに、カラーフィルタ22R及びカラーフィルタ22Bを重ねることによって赤外領域を透過する赤外フィルタがそれぞれ配置される。撮像部10には、これら4つの異なる波長領域を透過領域とするフィルタがそれぞれ配置された画素がモザイク状に配置される。ここで、モザイク状とは、4つの異なる波長領域を透過領域とするフィルタを備える画素が二次元状に偏り無く配置されていることを意味する。
カラーフィルタ22Rは、約350nmから約420nmに向けて透過率が徐々に下がり、約420nm〜約500nmの波長領域の光はほぼ透過させず、約500nmから透過率が再び上昇し、約550nmより長い波長の光に対して高い透過率を有する。カラーフィルタ22Gは、約360〜約420nmの波長領域の光はほぼ透過させず、約420nmより長い波長の光から透過が増え、緑色である約520nmにピークを有し、約650nmに向けて透過率が徐々に低下し、約650nmより長波長領域では再び透過率が徐々に上昇し、約880nmより長波長の赤外光に対しては高い透過率を有する。カラーフィルタ22Bは、約380nmより長い波長の光から透過が増え、青色である約460nmにピークを有し、約580nmに向けて透過率が低下し、約620nmより長波長領域では再び透過率が徐々に上昇し、約690nmで小さなピークを有し、約800nmより長波長の赤外光に対しては高い透過率を有する。一方、光電変換素子20は、約500nmに最大の感度を持ち、可視光領域の780nmを超え、1100nm程度の赤外領域まで感度を有する。
また、本実施形態においては、図2及び図3に示すように、カラーフィルタ22Rとカラーフィルタ22Bとの積層により赤外フィルタを構成している。赤外フィルタは、カラーフィルタ22Rのみが設けられた画素から赤外フィルタを設ける画素へとカラーフィルタ22Rを延設し、一方では、カラーフィルタ22Bのみが設けられた画素から赤外フィルタを設ける画素へとカラーフィルタ22Bを延設することによって構成される。この構成によれば、カラーフィルタ22Rとカラーフィルタ22Bとを形成する製造工程と同時に赤外フィルタを形成することができる。
赤外フィルタは、図8のラインIRで示すように、約580nmまではほぼ光を透過させず、約580nmから徐々に透過率が上昇し、約690nm以上ではカラーフィルタ22Bとほぼ同じ透過特性を示す。
本実施の形態では、さらに、画素の受光面側に近赤外領域を透過しない近赤外カットフィルタ24が配置される。ここで、近赤外カットフィルタ24は、少なくとも650nm以上750nm以下の波長領域の光を透過しないフィルタ特性を有することが好適である。特に、赤外光源16の出力光の波長領域よりも短い波長領域を遮断領域とするフィルタ特性を有することが好適である。例えば、赤外光源16の出力光のピーク波長が850nmである場合、赤外光源16の波長分散が±50nm程度であるとすると、近赤外カットフィルタ24は、650nm以上800nm以下の波長領域の光を透過しないフィルタ特性を有することが好適である。また、赤外光源16の出力光のピーク波長が900nmである場合、赤外光源16の波長分散が±50nm程度であるとすると、近赤外カットフィルタ24は、650nm以上850nm以下の波長領域の光を透過しないフィルタ特性を有することが好適である。
カラーフィルタ22Rが設けられた画素は、可視光領域では赤色の約600nmにピークを有し、赤外領域まで広がる感度分布を示す。カラーフィルタ22Gが設けられた画素は、可視光領域では緑色の約520nmにピークを有し、赤外領域まで広がる感度分布を示す。カラーフィルタ22Bが設けられた画素は、可視光領域では青色の約460nmにピークを有し、赤外領域まで広がる感度分布を示す。赤外フィルタが設けられた画素は、入射光を導く受光面側にカラーフィルタ22Rとカラーフィルタ22Bが重ねて設けられているため、可視光領域にはほとんど感度が無く、波長が650nm以上の近赤外領域から赤外領域まで広がる感度分布を示す。ただし、撮像部10には、近赤外領域の光をカットする近赤外カットフィルタが設けられているため、図5に示されるようにカラーフィルタ22R,22G,22Bが設けられた画素から出力される信号SR,SG,SBには近赤外カットフィルタの遮断領域の光による成分は含まれない。
撮像部10から出力される信号SR,SG,SBには依然として赤外領域の光による電荷がノイズとして含まれる。したがって、これらの信号SR,SG,SBをそのまま用いてカラー画像を構成すると、正しいカラー再現性を得ることができない。そこで、信号処理部14では、赤外フィルタが設けられた画素からの出力信号SIRに基づいて、出力信号SR,SG,SBから赤外光領域の成分を除去する処理を行う。
具体的には、赤外光成分を除去する信号処理として、例えば、出力信号SRから信号SIRを引き算する処理を行う。出力信号SG,SBに対しても同様に信号SIRを引き算する処理を行う。このとき、色毎に感度が異なる近赤外領域、特に650nm以上750nm以下の波長領域、については近赤外カットフィルタによって除去されているので三原色の信号に対して等しく適切な色再現を行うことができる。
また、信号処理部14は、例えば、赤外に対する信号SIRに基づいて、緑色に対する信号SGのゲインを基準にして赤色に対する信号SRおよび青色に対する信号SBのゲインを制御することにより色信号のホワイトバランス調整処理を行うことも好ましい。色信号のホワイトバランス調整は、例えば、赤外に対する信号SIRが所定の信号量より大きい場合には、赤色に対する信号SRのゲインを所定の量だけ小さくし、青色に対する信号SBのゲインを所定の量だけ大きくする制御を行い、逆に赤外に対する信号SIRが所定の信号量より小さい場合には、赤色に対する信号SRのゲインおよび青色に対する信号SBのゲインを同等にする制御を行う。
以上、撮像部10としてCCDを例に説明したが、電荷の転送方法はどのような方法であってもよく、例えば、FT(フレーム・トランスファ)方式、IT(インターライン・トランスファ)方式、FIT(フレーム・インターライン・トランスファ)方式のCCDとすることができる。また、本発明の光電変換素子20は、CMOSイメージセンサでも同様に構成することができる。
また、本実施の形態の撮像部10では、赤色に対するカラーフィルタ22Rおよび青色に対するカラーフィルタ22Bは、4つの光電変換素子20で構成される光電変換素子ブロックごとに形成される形状としたが、カラーフィルタ22Rは二次元に配列された光電変換素子20の一列に連続して一体で形成し、カラーフィルタ22Bは二次元に配列された光電変換素子20の一行に連続して一体で形成してもよい。
また、本発明の実施形態に係る撮像部10では三原色である赤、青、緑に対するカラーフィルタ22R,22G,22Bを用いる構成としたが、補色のイエローYe、マゼンダMg、シアンCyの組み合わせ、イエローYe、シアンCy・グリーンGの組み合わせ、またはイエローYe、シアンCy、マゼンダMg、グリーンGの組み合わせに対するカラーフィルタを用いる構成としてもよい。この場合、赤色に対するカラーフィルタ22R、青色に対するカラーフィルタ22B、および緑色に対するカラーフィルタ22Gの代わりに、イエロー、マゼンダ、シアンに対するカラーフィルタを光電変換素子の受光面に配置する。その場合、これらのフィルタの配列は、補色市松色差順次配列もしくは補色市松配列とすることが好適である。
補色系のカラーフィルタを用いる場合、例えば、イエロー、マゼンダ及びシアンに対するカラーフィルタを積層させることによって赤外領域のみを透過領域とする赤外フィルタを構成することができる。この赤外フィルタを受光面側に設けることによって、可視光領域にはほとんど感度が無く、波長約650nm以上の赤外領域に最も高い感度を有する画素を構成することができる。
このように補色系フィルタを用いた場合にも、撮像部10の受光面側に近赤外カットフィルタ24を設ける。これによって、少なくとも650nm以上750nm以下の波長領域の光をカットするフィルタであることが好適である。
撮像部10から出力される信号SYe,SMg,SCy(,SG)には依然として赤外領域の光による電荷がノイズとして含まれる。したがって、これらの信号SYe,SMg,SCy(,SG)をそのまま用いてカラー画像を構成すると、正しいカラー再現性を得ることができない。そこで、信号処理部14では、赤外フィルタが設けられた画素からの出力信号SIRに基づいて、出力信号SYe,SMg,SCy(,SG)から赤外光領域の成分を除去する処理を行う。
具体的には、赤外光成分を除去する信号処理として、例えば、出力信号SYeから信号SIRを引き算する処理を行う。出力信号SMg,SCy(,SG)に対しても同様に信号SIRを引き算する処理を行う。このとき、色毎に感度が異なる近赤外領域、特に650nm以上750nm以下の波長領域、については近赤外カットフィルタによって除去されているので補色系の信号に対して等しく適切な色再現を行うことができる。
以上説明したように、補色系の色分解をするフィルタ構成とした場合でも、赤色、緑色、青色の光分解をするフィルタ構成の実施形態に係る撮像部10と同様に本発明を適用できる。
本願発明では、撮像部10に近赤外カットフィルタ24を設けたが、この構造に限られるものではない。例えば、図6の断面図に示すようなカメラモジュール102において、撮像装置を構成する基板50、カラーフィルタ52aを撮像面に備える撮像素子52、の撮像面上に集光レンズ54と撮像素子52との間に挟まれるように近赤外カットフィルタ56を配置してもよい。このとき、図に示すように、集光レンズ54を支持するレンズホルダー58によって同時に近赤外カットフィルタ56を支持する構造としてもよい。
本発明の実施の形態における光電変換装置の構成を示すブロック図である。 本発明の実施の形態における撮像部の構成を模式的に示す平面図である。 本発明の実施の形態における撮像部の構成を模式的に示す断面図である。 本発明の実施の形態における撮像部の構成を模式的に示す断面図である。 本発明の実施の形態における撮像部の光の透過の波長依存性を示す図である。 本発明の実施の形態における光電変換装置の別例の構成を示す図である。 カラーフィルタの配置を示す図である。 一般的な原色系のカラーフィルタを備えた撮像素子(シリコン基板)の感度の波長依存性を示す図である。 植生の反射スペクトルを示す図である。
符号の説明
10 撮像部、12 クロック制御部、14 信号処理部、16 赤外光源、20 光電変換素子、22R,22G,22B カラーフィルタ、24 近赤外カットフィルタ、26 垂直レジスタ、28 水平レジスタ、30 出力部、50 基板、52 撮像素子、52a カラーフィルタ、54 集光レンズ、56 近赤外カットフィルタ、58 レンズホルダー、100 光電変換装置、102 カメラモジュール。

Claims (6)

  1. 入射光を受けて、入射光の強度に応じた電荷を生成する光電変換装置であって、
    可視光領域から赤外光領域までの波長領域に対して光電変換の感度を有する光電変換素子をそれぞれ含む複数の画素と、
    前記複数の画素の一部の受光面側に配置された可視光領域及び赤外光領域を透過領域とするカラーフィルタと、前記複数の画素の残りの受光面側に配置された赤外光領域を透過領域とする赤外フィルタと、
    前記複数の画素の受光面側に設けられた650nm以上750nm以下の波長領域の光を遮断するカットフィルタと、
    を備えることを特徴とする光電変換装置。
  2. 請求項1に記載の光電変換装置において、
    前記カラーフィルタは、赤・緑・青、イエロー・シアン・マゼンダ、イエロー・シアン・グリーン及びイエロー・シアン・マゼンダ・グリーンのいずれか1の組み合わせに含まれる3色又は4色であることを特徴とする光電変換装置。
  3. 請求項1又は2に記載の光電変換装置において、
    前記カラーフィルタの少なくとも2種類は、赤外光領域の光を透過するフィルタであり、前記赤外フィルタは、前記カラーフィルタのうち赤外光領域の光を透過するカラーフィルタを積層して構成されることを特徴とする光電変換装置。
  4. 請求項3に記載の光電変換装置において、
    前記赤外フィルタは、赤及び青のカラーフィルタを積層して構成されることを特徴とする光電変換装置。
  5. 請求項3に記載の光電変換装置において、
    前記赤外フィルタは、イエロー、シアン及びマゼンダのカラーフィルタを積層して構成されることを特徴とする光電変換装置。
  6. 請求項1〜5のいずれか1つに記載の光電変換装置において、
    前記カラーフィルタが受光面側に配置された画素から出力された信号を前記赤外フィルタが受光面側に配置された画素から出力された信号によって補正することを特徴とする光電変換装置。
JP2006137270A 2006-05-17 2006-05-17 光電変換装置 Pending JP2007311447A (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006137270A JP2007311447A (ja) 2006-05-17 2006-05-17 光電変換装置
KR1020070047673A KR20070111379A (ko) 2006-05-17 2007-05-16 광전 변환 장치
US11/804,181 US20070272836A1 (en) 2006-05-17 2007-05-17 Photoelectric conversion apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006137270A JP2007311447A (ja) 2006-05-17 2006-05-17 光電変換装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2007311447A true JP2007311447A (ja) 2007-11-29

Family

ID=38748675

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006137270A Pending JP2007311447A (ja) 2006-05-17 2006-05-17 光電変換装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20070272836A1 (ja)
JP (1) JP2007311447A (ja)
KR (1) KR20070111379A (ja)

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010011415A (ja) * 2008-06-30 2010-01-14 Panasonic Corp 固体撮像装置及びカメラ
US8138467B2 (en) 2008-06-26 2012-03-20 Samsung Electronics Co., Ltd. Color filter array including color filters only of first type and second type, method of fabricating the same, and image pickup device including the same
US8344306B2 (en) 2008-07-25 2013-01-01 Samsung Electronics Co., Ltd. Imaging method and apparatus
JP2013150269A (ja) * 2012-01-23 2013-08-01 Fujitsu Ltd 撮像装置、撮像方法、及びプログラム
WO2014041866A1 (ja) * 2012-09-14 2014-03-20 シャープ株式会社 センサ、表示装置、制御プログラムおよび記録媒体
JP2014199925A (ja) * 2013-03-14 2014-10-23 富士フイルム株式会社 固体撮像素子及びその製造方法、赤外光カットフィルタ形成用硬化性組成物、カメラモジュール
JP2016019022A (ja) * 2014-07-04 2016-02-01 キヤノン株式会社 撮像装置、撮像装置の制御方法及びプログラム
JP2016096423A (ja) * 2014-11-13 2016-05-26 ジェコー株式会社 撮像装置
JPWO2014041742A1 (ja) * 2012-09-14 2016-08-12 パナソニックIpマネジメント株式会社 固体撮像装置及びカメラモジュール
JP2016208470A (ja) * 2015-04-28 2016-12-08 日立マクセル株式会社 撮像装置
JP2017034676A (ja) * 2015-07-31 2017-02-09 デュアル アパーチャー インターナショナル カンパニー リミテッド 選択的赤外線フィルタアレイを有するセンサアセンブリ
CN107359174A (zh) * 2017-07-11 2017-11-17 展谱光电科技(上海)有限公司 多光谱摄像装置
WO2020036025A1 (ja) * 2018-08-13 2020-02-20 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 固体撮像装置及び電子機器

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100891825B1 (ko) * 2007-11-27 2009-04-07 삼성전기주식회사 디지털 영상의 컬러 노이즈 제거 장치 및 방법
FR2929477B1 (fr) * 2008-03-25 2010-04-09 E2V Semiconductors Camera a prise de vue simultanee couleur et infrarouge
WO2010052593A1 (en) * 2008-11-04 2010-05-14 Ecole Polytechnique Federale De Lausanne (Epfl) Camera design for the simultaneous capture of near-infrared and visible images
US8164042B2 (en) * 2008-11-06 2012-04-24 Visera Technologies Company Limited Color filter arrays and image sensors using the same
KR20110003696A (ko) * 2009-07-06 2011-01-13 삼성전자주식회사 단일 칩 입체 영상 센서용 광학 필터 배열 및 그 필터 제조 방법
KR20110007408A (ko) * 2009-07-16 2011-01-24 삼성전자주식회사 3차원 컬러 입체 영상 센서용 광학 필터를 갖는 반도체 소자 및 제조 방법
US8619143B2 (en) * 2010-03-19 2013-12-31 Pixim, Inc. Image sensor including color and infrared pixels
KR101736330B1 (ko) * 2010-09-03 2017-05-30 삼성전자주식회사 픽셀, 이미지 센서, 및 이를 포함하는 이미지 처리 장치들
US8408821B2 (en) * 2010-10-12 2013-04-02 Omnivision Technologies, Inc. Visible and infrared dual mode imaging system
CA2769358C (en) * 2011-03-08 2016-06-07 Research In Motion Limited Quantum dot image sensor with dummy pixels used for intensity calculations
KR101262507B1 (ko) 2011-04-11 2013-05-08 엘지이노텍 주식회사 픽셀, 픽셀 어레이, 픽셀 어레이의 제조방법 및 픽셀 어레이를 포함하는 이미지센서
JP6060494B2 (ja) * 2011-09-26 2017-01-18 ソニー株式会社 撮像装置
US9485439B2 (en) 2013-12-03 2016-11-01 Sensors Unlimited, Inc. Shortwave infrared camera with bandwidth restriction
JP6613028B2 (ja) * 2014-03-25 2019-11-27 キヤノン株式会社 撮像装置
US9666620B2 (en) * 2014-10-06 2017-05-30 Visera Technologies Company Limited Stacked filter and image sensor containing the same
US9570491B2 (en) * 2014-10-08 2017-02-14 Omnivision Technologies, Inc. Dual-mode image sensor with a signal-separating color filter array, and method for same
US9699394B2 (en) * 2015-03-09 2017-07-04 Microsoft Technology Licensing, Llc Filter arrangement for image sensor
EP3113478A1 (en) * 2015-06-30 2017-01-04 Thomson Licensing Plenoptic foveated camera
US20180315788A1 (en) * 2017-05-01 2018-11-01 Visera Technologies Company Limited Image sensor
US11153514B2 (en) 2017-11-30 2021-10-19 Brillnics Singapore Pte. Ltd. Solid-state imaging device, method for driving solid-state imaging device, and electronic apparatus

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE69124410T2 (de) * 1990-04-18 1997-07-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd Kompositschicht, Glaskompositmaterial und Verfahren zu seiner Herstellung
JP2008092247A (ja) * 2006-10-02 2008-04-17 Sanyo Electric Co Ltd 固体撮像素子

Cited By (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8138467B2 (en) 2008-06-26 2012-03-20 Samsung Electronics Co., Ltd. Color filter array including color filters only of first type and second type, method of fabricating the same, and image pickup device including the same
US8227883B2 (en) 2008-06-30 2012-07-24 Panasonic Corporation Solid-state imaging device and camera
JP2010011415A (ja) * 2008-06-30 2010-01-14 Panasonic Corp 固体撮像装置及びカメラ
US8344306B2 (en) 2008-07-25 2013-01-01 Samsung Electronics Co., Ltd. Imaging method and apparatus
US8633431B2 (en) 2008-07-25 2014-01-21 Samsung Electronics Co., Ltd. Image method and apparatus
JP2013150269A (ja) * 2012-01-23 2013-08-01 Fujitsu Ltd 撮像装置、撮像方法、及びプログラム
WO2014041866A1 (ja) * 2012-09-14 2014-03-20 シャープ株式会社 センサ、表示装置、制御プログラムおよび記録媒体
US10014335B2 (en) 2012-09-14 2018-07-03 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Solid-state imaging device and camera module
JPWO2014041742A1 (ja) * 2012-09-14 2016-08-12 パナソニックIpマネジメント株式会社 固体撮像装置及びカメラモジュール
JPWO2014041866A1 (ja) * 2012-09-14 2016-08-18 シャープ株式会社 センサ、表示装置、制御プログラムおよび記録媒体
US9818778B2 (en) 2013-03-14 2017-11-14 Fujifilm Corporation Solid-state image sensor and its manufacturing method, curable composition for forming infrared cut-off filters, and camera module
JP2014199925A (ja) * 2013-03-14 2014-10-23 富士フイルム株式会社 固体撮像素子及びその製造方法、赤外光カットフィルタ形成用硬化性組成物、カメラモジュール
JP2016019022A (ja) * 2014-07-04 2016-02-01 キヤノン株式会社 撮像装置、撮像装置の制御方法及びプログラム
JP2016096423A (ja) * 2014-11-13 2016-05-26 ジェコー株式会社 撮像装置
JP2016208470A (ja) * 2015-04-28 2016-12-08 日立マクセル株式会社 撮像装置
JP2017034676A (ja) * 2015-07-31 2017-02-09 デュアル アパーチャー インターナショナル カンパニー リミテッド 選択的赤外線フィルタアレイを有するセンサアセンブリ
CN107359174A (zh) * 2017-07-11 2017-11-17 展谱光电科技(上海)有限公司 多光谱摄像装置
CN107359174B (zh) * 2017-07-11 2023-07-25 展谱光电科技(上海)有限公司 多光谱摄像装置
WO2020036025A1 (ja) * 2018-08-13 2020-02-20 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 固体撮像装置及び電子機器

Also Published As

Publication number Publication date
KR20070111379A (ko) 2007-11-21
US20070272836A1 (en) 2007-11-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2007311447A (ja) 光電変換装置
JP4286123B2 (ja) カラー撮像素子およびカラー信号処理回路
JP2008092247A (ja) 固体撮像素子
WO2017203936A1 (ja) 固体撮像素子
JP3981034B2 (ja) カラー画像取得装置およびカラー電子カメラ
JP4984634B2 (ja) 物理情報取得方法および物理情報取得装置
TWI499045B (zh) 固態影像擷取器件及影像擷取裝置
US8619143B2 (en) Image sensor including color and infrared pixels
JP5187433B2 (ja) 物理情報取得方法および物理情報取得装置
US8035710B2 (en) Solid-state imaging device and signal processing method
JP4603011B2 (ja) イメージ撮像装置及びその動作方法
US20060186322A1 (en) Color filter array and solid-state image pickup device
JP4867448B2 (ja) 物理情報取得方法および物理情報取得装置
US20060177129A1 (en) Color signal processing method
JP2005006066A (ja) 固体撮像素子用カラーフィルタおよびこれを用いたカラー撮像装置
JP2002142228A (ja) 撮像装置
US20160249025A1 (en) Imaging device
JP4253943B2 (ja) 固体撮像装置
US20020140832A1 (en) Optimization of CCD microlens size for color balancing
JP2006352466A (ja) 撮像装置
TW201926984A (zh) 固態攝影裝置、用於驅動固態攝影裝置的方法和電子設備
JP2009232351A (ja) 撮像装置及びカラーフィルタアレイ
JP6595161B2 (ja) 画像処理装置、画像処理方法、及び、撮像装置
JP4304788B2 (ja) カラー撮像装置
JP4004302B2 (ja) 撮像素子