CN105951153A - 一种用磺基水杨酸制备近共晶铝硅合金阳极氧化膜的方法 - Google Patents

一种用磺基水杨酸制备近共晶铝硅合金阳极氧化膜的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN105951153A
CN105951153A CN201610543354.XA CN201610543354A CN105951153A CN 105951153 A CN105951153 A CN 105951153A CN 201610543354 A CN201610543354 A CN 201610543354A CN 105951153 A CN105951153 A CN 105951153A
Authority
CN
China
Prior art keywords
acid
alloy
nearly cocrystallized
cocrystallized
nearly
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201610543354.XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN105951153B (zh
Inventor
黄宏军
李双双
左晓姣
董福宇
袁晓光
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shenyang University of Technology
Original Assignee
Shenyang University of Technology
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shenyang University of Technology filed Critical Shenyang University of Technology
Priority to CN201610543354.XA priority Critical patent/CN105951153B/zh
Publication of CN105951153A publication Critical patent/CN105951153A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN105951153B publication Critical patent/CN105951153B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D11/00—Electrolytic coating by surface reaction, i.e. forming conversion layers
    • C25D11/02—Anodisation
    • C25D11/04—Anodisation of aluminium or alloys based thereon
    • C25D11/06—Anodisation of aluminium or alloys based thereon characterised by the electrolytes used
    • C25D11/10—Anodisation of aluminium or alloys based thereon characterised by the electrolytes used containing organic acids
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D11/00—Electrolytic coating by surface reaction, i.e. forming conversion layers
    • C25D11/02—Anodisation
    • C25D11/024—Anodisation under pulsed or modulated current or potential
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D11/00—Electrolytic coating by surface reaction, i.e. forming conversion layers
    • C25D11/02—Anodisation
    • C25D11/04—Anodisation of aluminium or alloys based thereon
    • C25D11/16—Pretreatment, e.g. desmutting
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D11/00—Electrolytic coating by surface reaction, i.e. forming conversion layers
    • C25D11/02—Anodisation
    • C25D11/04—Anodisation of aluminium or alloys based thereon
    • C25D11/18—After-treatment, e.g. pore-sealing

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
  • Chemical Treatment Of Metals (AREA)

Abstract

一种用磺基水杨酸制备近共晶铝硅合金阳极氧化膜的方法，其特征在于经过表面除污、碱性腐蚀、化学抛光等预处理，之后采用硫酸140～160g/L、硫酸铝2～4g/L、硫酸镍2～4g/L、草酸4～10g/L、酒石酸15～25g/L、磺基水杨酸5～20g/L的复合电解液在室温下选取带梯形波脉冲信号电流进行阳极氧化，之后在沸水中进行封孔处理。本发明的有益之处在于：本发明的一种用磺基水杨酸制备近共晶铝硅合金阳极氧化膜的方法提高了成膜速度、常温氧化、能耗低，而且所制备的近共晶铝硅合金阳极氧化膜的孔致密均匀，硬度较高，耐蚀性能好。

Description

一种用磺基水杨酸制备近共晶铝硅合金阳极氧化膜的方法
技术领域
本发明属于阳极氧化膜技术领域，具体涉及一种用磺基水杨酸制备近共晶铝硅合金阳极氧化膜的方法。
背景技术
铝硅合金由于具有重量轻、强度高、成形性好、价格适中、回收利用率高等优点，被广泛应用于汽车、航空航天等领域。但是由于其他合金元素的存在，增加了合金的腐蚀敏感性，在大气环境下容易发生腐蚀而被破坏，需要对其进行表面处理以显著提高合金的耐蚀性和装饰性能。
铝合金的表面处理技术发展迅速，其中阳极氧化是目前常用和发展最快的方法。其工艺简单、经济环保，制得的氧化膜具有良好的耐蚀性以及耐磨性。但是近共晶铝硅合金由于硅含量较高，容易造成硅的偏析，阻碍电流的畅通，使用常规的阳极氧化技术难以获得性能优良的氧化膜。
阳极氧化膜要求铸造铝合金较高的表面性能，尤其是表面硬度、耐腐蚀性以及耐磨性，这些性能关系到阳极氧化膜的使用寿命。阳极氧化膜的厚度、封孔质量和耐磨性等组成了铸造铝合金质量最关键的几项指标，其中耐磨性和阳极氧化膜的厚度是阳极氧化铝使用寿命的一个标志。封孔质量则反映氧化膜耐腐蚀性的重要指标。
在现有的阳极氧化铝的制备过程中，有两个难点：第一，在阳极氧化工序中，生产高膜厚的型材需要的时间较长，大约50分钟时间，发热量大，容易出现阳极氧化膜结构疏松的情况。按照常规的氧化槽的槽液温度在18～22℃时，生产出来的阳极氧化膜的耐磨性很差，而且对封孔质量也有影响。第二是封孔工序，阳极氧化膜厚度越大，越难把阳极氧化膜孔封闭住。然而，这些铝合金阳极氧化工艺生产过程能耗较大，铝合金阳极氧化膜的性能不是特别优异。
发明内容
为解决上述现有技术存在的问题，本发明的目的是提供一种用磺基水杨酸制备近共晶铝硅合金阳极氧化膜的方法，从而解决现有的铸造铝硅合金耐磨性差、封孔质量差和耐腐蚀性差的技术问题，而且该方法在提高成膜速度的同时扩大了阳极氧化的反应温度范围。
一种用磺基水杨酸制备近共晶铝硅合金阳极氧化膜的方法，其特征在于包括以下步骤：
(1)表面除污：将近共晶铝硅合金进行线切割，获得比较规则、干净平整的表面，用蒸馏水洗净；在80℃～90℃的第一碱性溶液中对近共晶铝硅合金件进行表面除油污90s，之后水洗，得到表面除污后近共晶铝硅合金件；
(2)碱性腐蚀：将得到的表面除污后近共晶铝硅合金件在80℃～90℃的第二碱性溶液中进行碱性腐蚀90s，之后水洗，得到碱性腐蚀后的近共晶铝硅合金件；
(3)重复步骤(1)和步骤(2)；
(4)化学抛光：将步骤(3)处理后的近共晶铝硅合金件在酸性溶液中进行化学抛光，水洗得到非常亮的银灰色表面，观察近共晶铝硅合金表面水膜连续后进行后续步骤；
(5)阳极氧化：将步骤(4)处理后的近共晶铝硅合金件作为阳极，铅板作为阴极，置于复合电解液中，在常温下采用带波形的脉冲电源进行阳极氧化，得到负载有阳极氧化膜的近共晶铝硅合金；
(6)封孔：将负载有阳极氧化膜的近共晶铝硅合金放在95℃～100℃的沸水中进行封孔。
进一步地，前述步骤(5)中的复合电解液采用磺基水杨酸、酒石酸、柠檬酸、草酸、硫酸高铈中的任意两种以上作为阳极氧化时的氧化硬膜剂。
进一步地，前述步骤(5)中的复合电解液包括：硫酸140～160g/L，硫酸铝2～4g/L，硫酸镍2～4g/L，草酸4～10g/L，酒石酸15～25g/L，磺基水杨酸5～20g/L。
进一步地，前述步骤(5)中的在常温下采用带波形的脉冲电源进行阳极氧化的具体工艺参数为：电流密度为2.8～3.2A/dm2，频率为40～60Hz，占空比为40％～60％，阳极氧化时间为20～40min，阳极氧化过程采用气体搅拌的方式散热。
更进一步地，前述步骤(1)中的第一碱性溶液为磷酸钠、碳酸钠与曲拉通的混合溶液。
更进一步地，前述步骤(2)中的第二碱性溶液为氢氧化钠溶液。
更进一步地，前述步骤(4)中的酸性溶液为硝酸和氢氟酸的混合溶液，前述氢氟酸浓度为40％，前述的硝酸浓度为65％，在常温下采用的体积比为硝酸∶氢氟酸＝5∶1。
更进一步地，前述步骤(5)中的复合电解液包括硫酸160g/L，硫酸铝4g/L，硫酸镍2g/L，草酸6g/L，酒石酸20g/L，磺基水杨酸10g/L。
更进一步地，前述步骤(5)中的在常温下采用带波形的脉冲电源进行阳极氧化的具体工艺参数为：电流密度位3.2A/dm2，频率为50Hz，占空比为50％，阳极氧化时间为30min。
本发明的有益之处在于：
本发明的一种用磺基水杨酸制备近共晶铝硅合金阳极氧化膜的方法采用的硫酸溶液浓度相对较低比现有技术采用的较高浓度的硫酸溶液环境友好性强；
本发明的一种用磺基水杨酸制备近共晶铝硅合金阳极氧化膜的方法采用带波形的脉冲电源，形成连续性好、较厚的膜层，而常规的阳极氧化表面处理易“烧蚀”，氧化膜表面的连续性和膜层厚度都不如本发明；
本发明的一种用磺基水杨酸制备近共晶铝硅合金阳极氧化膜的方法生产出来的近共晶铝硅合金阳极氧化膜结合力好，不易产生变形、脱落；
采用本发明的一种用磺基水杨酸制备近共晶铝硅合金阳极氧化膜的方法生产出来的近共晶铝硅合金阳极氧化膜能满足铸造铝合金的需要，相比于含硅量较低的铝型材，有较宽的使用范围，可以满足用户更高的需求；
本发明的一种用磺基水杨酸制备近共晶铝硅合金阳极氧化膜的方法与对反应温度要求较高的硬质阳极氧化相比，只需要在常温条件下就能进行反应，减少了能耗，节省了能源和成本；
本发明的一种用磺基水杨酸制备近共晶铝硅合金阳极氧化膜的方法形成氧化膜速度较快，而且工艺简单、经济环保，制得的近共晶铝硅合金阳极氧化膜具有良好的耐蚀性以及耐磨性。
附图说明
图1为本发明的一种用磺基水杨酸制备近共晶铝硅合金阳极氧化膜的方法的实施例1制备的封孔阳极氧化膜的SEM图；
图2为本发明的一种用磺基水杨酸制备近共晶铝硅合金阳极氧化膜的方法的实施例2制备的封孔阳极氧化膜的SEM图；
图3为本发明的一种用磺基水杨酸制备近共晶铝硅合金阳极氧化膜的方法的实施例3制备的封孔阳极氧化膜的SEM图；
图4为本发明的一种用磺基水杨酸制备近共晶铝硅合金阳极氧化膜的方法的实施例4制备的封孔阳极氧化膜的SEM图。
具体实施方式
实施例1
一种用磺基水杨酸制备近共晶铝硅合金阳极氧化膜的方法，包括以下步骤：
(1)预处理
将近共晶铝硅合金进行线切割，获得比较规则、干净平整的表面，用蒸馏水洗净；在80℃～90℃的第一碱性溶液磷酸钠、碳酸钠与曲拉通的混合溶液中对近共晶铝硅合金件进行表面除油污90s后，水洗；在80℃～90℃的第二碱性溶液氢氧化钠溶液中进行碱性腐蚀90s后，水洗；在酸性溶液中进行化学抛光，水洗得到非常亮的银灰色表面，酸性溶液为硝酸和氢氟酸的混合溶液，氢氟酸浓度为40％，硝酸浓度为65％，在常温下采用的体积比为硝酸∶氢氟酸＝5∶1；观察近共晶铝硅合金表面水膜连续后进行阳极氧化；
(2)阳极氧化处理
将近共晶铝硅合金件作为阳极，铅板作为阴极，置于复合电解液中，在常温下采用带波形的脉冲电源进行阳极氧化30min，得到阳极氧化膜。所述复合溶液为：硫酸160g/L，硫酸铝4g/L，硫酸镍2g/L，草酸6g/L，酒石酸20g/L，磺基水杨酸5g/L；所述的在常温下采用带波形的脉冲电源进行阳极氧化的具体工艺参数为：电流密度为3.2A/dm2，频率为50Hz，占空比为50％；
(3)封孔
将负载有阳极氧化膜的近共晶铝硅合金放在95℃～100℃的沸水中进行封孔。
实施例1所制备的封孔阳极氧化膜的膜层结构表征图1所示。从图中可以观察氧化膜孔呈六角蜂窝状结构，氧化膜表面致密，所得的氧化膜厚度为10.89μm，热震试验发现氧化膜层无变形脱落，结合力好。
实施例2
一种用磺基水杨酸制备近共晶铝硅合金阳极氧化膜的方法，包括以下步骤：
(1)预处理
将近共晶铝硅合金进行线切割，获得比较规则、干净平整的表面，用蒸馏水洗净；在80℃～90℃的第一碱性溶液磷酸钠、碳酸钠与曲拉通的混合溶液中对近共晶铝硅合金件进行表面除油污90s后，水洗；在80℃～90℃的第二碱性溶液氢氧化钠溶液中进行碱性腐蚀90s后，水洗；在酸性溶液中进行化学抛光，水洗得到非常亮的银灰色表面，酸性溶液为硝酸和氢氟酸的混合溶液，氢氟酸浓度为40％，硝酸浓度为65％，在常温下采用的体积比为硝酸∶氢氟酸＝5∶1；观察近共晶铝硅合金表面水膜连续后进行阳极氧化；
(2)阳极氧化处理
将近共晶铝硅合金件作为阳极，铅板作为阴极，置于复合电解液中，在常温下采用带波形的脉冲电源进行阳极氧化30min，得到阳极氧化膜。所述复合溶液为：硫酸160g/L，硫酸铝4g/L，硫酸镍2g/L，草酸6g/L，酒石酸20g/L，磺基水杨酸6g/L；所述的在常温下采用带波形的脉冲电源进行阳极氧化的具体工艺参数为：电流密度为3.2A/dm2，频率为50Hz，占空比为50％；
(3)封孔
将负载有阳极氧化膜的近共晶铝硅合金件放在95℃～100℃的沸水中进行封孔。
本实施例2所制备的封孔阳极氧化膜的膜层结构表征图2所示。从图中可以观察氧化膜孔呈六角蜂窝状结构，氧化膜表面致密，所得的氧化膜厚度为12.78μm，热震试验发现氧化膜层无变形脱落，结合力好。
实施例3
一种用磺基水杨酸制备近共晶铝硅合金阳极氧化膜的方法，包括以下步骤：
(1)预处理
将近共晶铝硅合金进行线切割，获得比较规则、干净平整的表面，用蒸馏水洗净；在80℃～90℃的第一碱性溶液磷酸钠、碳酸钠与曲拉通的混合溶液中对近共晶铝硅合金件进行表面除油污90s后，水洗；在80℃～90℃的第二碱性溶液氢氧化钠溶液中进行碱性腐蚀90s后，水洗；在酸性溶液中进行化学抛光，水洗得到非常亮的银灰色表面，酸性溶液为硝酸和氢氟酸的混合溶液，氢氟酸浓度为40％，硝酸浓度为65％，在常温下采用的体积比为硝酸∶氢氟酸＝5∶1；观察近共晶铝硅合金表面水膜连续后进行阳极氧化；
(2)阳极氧化处理
将近共晶铝硅合金件作为阳极，铅板作为阴极，置于复合电解液中，在常温下采用带波形的脉冲电源进行阳极氧化30min，得到阳极氧化膜。所述复合溶液为：硫酸160g/L，硫酸铝4g/L，硫酸镍2g/L，草酸6g/L，酒石酸20g/L，磺基水杨酸8g/L；所述的在常温下采用带波形的脉冲电源进行阳极氧化的具体工艺参数为：电流密度为3.2A/dm2，频率为50Hz，占空比为50％；
(3)封孔
将负载有阳极氧化膜的近共晶铝硅合金放在95℃～100℃的沸水中进行封孔。
本实施例3所制备的封孔阳极氧化膜的膜层结构表征图3所示。从图中可以观察氧化膜孔呈六角蜂窝状结构，氧化膜表面比较致密，所得的氧化膜厚度为16.23μm，热震试验发现氧化膜层无变形脱落，结合力好。
实施例4
一种用磺基水杨酸制备近共晶铝硅合金阳极氧化膜的方法，包括以下步骤：
(1)预处理
将近共晶铝硅合金进行线切割，获得比较规则、干净平整的表面，用蒸馏水洗净；在80℃～90℃的第一碱性溶液磷酸钠、碳酸钠与曲拉通的混合溶液中对近共晶铝硅合金件进行表面除油污90s后，水洗；在80℃～90℃的第二碱性溶液氢氧化钠溶液中进行碱性腐蚀90s后，水洗；在酸性溶液中进行化学抛光，水洗得到非常亮的银灰色表面，酸性溶液为硝酸和氢氟酸的混合溶液，氢氟酸浓度为40％，硝酸浓度为65％，在常温下采用的体积比为硝酸∶氢氟酸＝5∶1；观察近共晶铝硅合金表面水膜连续后进行阳极氧化；
(2)阳极氧化处理
将近共晶铝硅合金件作为阳极，铅板作为阴极，置于复合电解液中，在常温下采用带波形的脉冲电源进行阳极氧化30min，得到阳极氧化膜。所述复合溶液为：硫酸160g/L，硫酸铝4g/L，硫酸镍2g/L，草酸6g/L，酒石酸20g/L，磺基水杨酸6g/L；所述的在常温下采用带波形的脉冲电源进行阳极氧化的具体工艺参数为：电流密度为3.2A/dm2，频率为50Hz，占空比为50％；
(3)封孔
将负载有阳极氧化膜的近共晶铝硅合金放在95℃～100℃的沸水中进行封孔。
实施例4所制备的封孔阳极氧化膜的膜层结构表征图4所示。从图中可以观察氧化膜孔呈六角蜂窝状结构，氧化膜表面致密，所得的氧化膜厚度为18.29μm，热震试验发现氧化膜层无变形脱落，结合力好。
应当理解，以上所描述的具体实施例仅用于解释本发明，并不用于限定本发明。由本发明的精神所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本发明的保护范围之中。

Claims (9)

1.一种用磺基水杨酸制备近共晶铝硅合金阳极氧化膜的方法，其特征在于包括以下步骤：
(1)表面除污：将近共晶铝硅合金进行线切割，获得比较规则、干净平整的表面，用蒸馏水洗净；在80℃～90℃的第一碱性溶液中对近共晶铝硅合金件进行表面除油污90s，之后水洗，得到表面除污后近共晶铝硅合金件；
(2)碱性腐蚀：将得到的表面除污后近共晶铝硅合金件在80℃～90℃的第二碱性溶液中进行碱性腐蚀90s，之后水洗，得到碱性腐蚀后的近共晶铝硅合金件；
(3)重复步骤(1)和步骤(2)；
(4)化学抛光：将步骤(3)处理后的近共晶铝硅合金件在酸性溶液中进行化学抛光，水洗得到非常亮的银灰色表面，观察近共晶铝硅合金表面水膜连续后进行后续步骤；
(5)阳极氧化：将步骤(4)处理后的近共晶铝硅合金件作为阳极，铅板作为阴极，置于复合电解液中，在常温下采用带波形的脉冲电源进行阳极氧化，得到负载有阳极氧化膜的近共晶铝硅合金件；
(6)封孔：将负载有阳极氧化膜的近共晶铝硅合金件放在95℃～100℃的沸水中进行封孔。
2.根据权利要求1所述的一种用磺基水杨酸制备近共晶铝硅合金阳极氧化膜的方法，其特征在于，步骤(5)中所述的复合电解液采用磺基水杨酸、酒石酸、柠檬酸、草酸、硫酸高铈中的任意两种以上作为阳极氧化时的氧化硬膜剂。
3.根据权利要求1或2所述的一种用磺基水杨酸制备近共晶铝硅合金阳极氧化膜的方法，其特征在于，步骤(5)中所述的复合电解液包括：硫酸140～160g/L，硫酸铝2～4g/L，硫酸镍2～4g/L，草酸4～10g/L，酒石酸15～25g/L，磺基水杨酸5～20g/L。
4.根据权利要求3所述的一种用磺基水杨酸制备近共晶铝硅合金阳极氧化膜的方法，其特征在于，步骤(5)中所述的在常温下采用带波形的脉冲电源进行阳极氧化的具体工艺参数为：电流密度为2.8～3.2A/dm2，频率为40～60Hz，占空比为40％～60％，阳极氧化时间为20～40min，阳极氧化过程采用气体搅拌方式散热。
5.根据权利要求4所述的一种用磺基水杨酸制备近共晶铝硅合金阳极氧化膜的方法，其特征在于，步骤(1)中所述的第一碱性溶液为磷酸钠、碳酸钠与曲拉通的混合溶液。
6.根据权利要求5所述的一种用磺基水杨酸制备近共晶铝硅合金阳极氧化膜的方法，其特征在于，步骤(2)中所述的第二碱性溶液为氢氧化钠溶液。
7.根据权利要求6所述的一种用磺基水杨酸制备近共晶铝硅合金阳极氧化膜的方法，其特征在于，步骤(4)中所述酸性溶液为硝酸和氢氟酸的混合溶液，所述氢氟酸浓度为40％，所述硝酸浓度为65％，在常温下采用的体积比为硝酸∶氢氟酸＝5∶1。
8.根据权利要求7所述的一种用磺基水杨酸制备近共晶铝硅合金阳极氧化膜的方法，其特征在于，步骤(5)中所述的复合电解液包括硫酸160g/L，硫酸铝4g/L，硫酸镍2g/L，草酸6g/L，酒石酸20g/L，磺基水杨酸10g/L。
9.根据权利要求8所述的一种用磺基水杨酸制备近共晶铝硅合金阳极氧化膜的方法，其特征在于，步骤(5)中所述的在常温下采用带波形的脉冲电源进行阳极氧化的具体工艺参数为：电流密度为3.2A/dm2，频率为50Hz，占空比为50％，阳极氧化时间为30min。
CN201610543354.XA 2016-06-29 2016-06-29 一种用磺基水杨酸制备近共晶铝硅合金阳极氧化膜的方法 Active CN105951153B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610543354.XA CN105951153B (zh) 2016-06-29 2016-06-29 一种用磺基水杨酸制备近共晶铝硅合金阳极氧化膜的方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610543354.XA CN105951153B (zh) 2016-06-29 2016-06-29 一种用磺基水杨酸制备近共晶铝硅合金阳极氧化膜的方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN105951153A true CN105951153A (zh) 2016-09-21
CN105951153B CN105951153B (zh) 2018-11-27

Family

ID=56899858

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201610543354.XA Active CN105951153B (zh) 2016-06-29 2016-06-29 一种用磺基水杨酸制备近共晶铝硅合金阳极氧化膜的方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN105951153B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111254473A (zh) * 2020-03-18 2020-06-09 哈尔滨工业大学 一种铝硅合金表面高太阳吸收率消杂光膜层的制备方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006328467A (ja) * 2005-05-25 2006-12-07 Al Green Kk 陽極酸化皮膜付きアルミ基材及びその製造方法
CN101575725A (zh) * 2009-05-26 2009-11-11 嘉兴中科亚美合金技术有限责任公司 用于高硅铝合金硬质阳极氧化的添加剂、溶液和工艺
CN102321904A (zh) * 2011-08-25 2012-01-18 东北大学 含镁高硅变形铝合金表面混合酸阳极氧化和封孔的方法
CN103484916A (zh) * 2013-09-29 2014-01-01 苏州利达铸造有限公司 一种数码电子产品用压铸铝合金的阳极氧化处理工艺
CN103484914A (zh) * 2013-09-30 2014-01-01 王才照 一种高硅铝合金阳极氧化方法及其设备

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006328467A (ja) * 2005-05-25 2006-12-07 Al Green Kk 陽極酸化皮膜付きアルミ基材及びその製造方法
CN101575725A (zh) * 2009-05-26 2009-11-11 嘉兴中科亚美合金技术有限责任公司 用于高硅铝合金硬质阳极氧化的添加剂、溶液和工艺
CN102321904A (zh) * 2011-08-25 2012-01-18 东北大学 含镁高硅变形铝合金表面混合酸阳极氧化和封孔的方法
CN103484916A (zh) * 2013-09-29 2014-01-01 苏州利达铸造有限公司 一种数码电子产品用压铸铝合金的阳极氧化处理工艺
CN103484914A (zh) * 2013-09-30 2014-01-01 王才照 一种高硅铝合金阳极氧化方法及其设备

Non-Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
刘应心: "铝硅合金阳极氧化工艺及耐蚀性研究", 《东北大学硕士学位论文》 *
周璐璐: "Al-4%Si合金阳极氧化及耐腐蚀性研究", 《沈阳工业大学硕士学位论文》 *
张允诚 等主编: "《电镀手册》", 31 January 2007, 国防工业出版社 *
黄宏军 等: "添加剂对Al-4%Si合金铸件阳极氧化膜耐腐蚀性的影响", 《2013中国铸造活动周论文集》 *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111254473A (zh) * 2020-03-18 2020-06-09 哈尔滨工业大学 一种铝硅合金表面高太阳吸收率消杂光膜层的制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN105951153B (zh) 2018-11-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102888644B (zh) 铝合金阳极处理方法
CN103668386B (zh) 铝及铝合金表面处理方法
JP6004181B2 (ja) 陽極酸化皮膜及びその製造方法
CN103276429B (zh) 铝或铝合金的超疏水表面的制备方法
US20080149492A1 (en) Surface dyeing process for metal articles
CN103334140B (zh) 铝合金阳极氧化常温金黄染色工艺
CN104593793A (zh) 一种铝和铝合金表面预处理中和液
CN105297011A (zh) 一种在镁合金表面制备超疏水复合膜层的方法
CN107245748A (zh) 一种铝合金的二次阳极氧化工艺
CN103498179A (zh) 一种铝或铝合金表面氧化膜及其制备方法
CN109609992A (zh) 一种铝合金手机外壳阳极氧化处理方法
CN104073849B (zh) 一种烧结钕铁硼磁体表面电镀镍钨磷的工艺
CN110438542A (zh) 一种铝合金汽车行李架的阳极氧化工艺
CN103361688A (zh) 卫浴产品表面处理方法
CN105887152A (zh) 一种铝合金阳极氧化工艺
CN104152887B (zh) 提高铝硅合金耐腐蚀性能的处理方法
CN108315783B (zh) 在铝表面电镀柔性金属锰的方法
CN111074323B (zh) 一种铝及铝合金阳极氧化常温无镍封闭液及封闭方法
CN105951153A (zh) 一种用磺基水杨酸制备近共晶铝硅合金阳极氧化膜的方法
CN105220216B (zh) 一种铝或铝合金电化学抛光方法
WO2023226631A1 (zh) 铝合金阳极氧化成膜方法
KR100489640B1 (ko) 양극산화처리용 전해질 용액 및 이를 이용하는 마그네슘합금의 내부식 코팅 방법
CN115161733B (zh) 一种铝合金的表面处理结构及其制备方法
CN102787335B (zh) 一种钛合金前处理方法
CN105112950A (zh) 一种镀铜电镀工艺

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant