CN105940507A - 光电组件以及用于生产所述光电组件的方法 - Google Patents
光电组件以及用于生产所述光电组件的方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN105940507A CN105940507A CN201580007495.3A CN201580007495A CN105940507A CN 105940507 A CN105940507 A CN 105940507A CN 201580007495 A CN201580007495 A CN 201580007495A CN 105940507 A CN105940507 A CN 105940507A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- contact pad
- chip
- leadframe segments
- shell
- photoelectric subassembly
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 title claims abstract description 55
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 56
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims description 80
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 26
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 18
- 238000011010 flushing procedure Methods 0.000 claims description 7
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 4
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims description 3
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 abstract description 12
- 239000004020 conductor Substances 0.000 abstract description 7
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 21
- 239000008187 granular material Substances 0.000 description 8
- 238000004581 coalescence Methods 0.000 description 7
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 7
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 239000011469 building brick Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 208000002925 dental caries Diseases 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 238000011031 large-scale manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000002211 ultraviolet spectrum Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0756—Stacked arrangements of devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
- H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0066—Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
本发明涉及一种光电组件（10），包括：具有第一电接触、第二电接触的光电半导体芯片（100）；第一导体框部分（200），其具有第一芯片接触表面（210）以及与所述第一芯片接触表面相对的第一焊接接触表面（220）；以及第二导体框部分（300），其具有第二芯片接触表面（310）以及与所述第二芯片接触表面相对的第二焊接接触表面（320）。所述第一电接触被以导电方式连接到所述第一芯片接触表面。所述第二电接触被以导电方式连接到所述第二芯片接触表面。所述第一导体框部分和所述第二导体框部分嵌入到外壳中，以使得所述第一焊接接触表面的至少部分和所述第二焊接接触表面的至少部分可以被从所述外壳的下面出入。介电元件（500）被布置在所述第一导体框部分与所述第二导体框部分之间。所述介电元件的表面暴露在所述外壳的下面上。
Description
技术领域
本发明涉及根据专利权利要求1的光电组件以及根据专利权利要求13的用于生产光电组件的方法。
本专利申请要求德国专利申请10 2014 101 557.6的优先权，其公开内容被通过引用合并到此。
背景技术
已知的是，在针对表面安装提供的电子组件和光电组件（SMD组件）的情况下，相互相邻的焊接接触焊盘不应当降低到在200μm的最小距离之下。否则，各电接触焊盘之间的焊料的聚结以及因此电短路可能在组件的焊接安装期间产生。进一步已知的是借助于嵌入到塑料外壳中的引线框区段来形成SMD组件的电接触焊盘。这样的组件的电子和光电半导体芯片可以以如下这样的方式被布置在引线框区段上：半导体芯片的电接触焊盘直接连接到引线框区段。由于现有技术中各焊接接触焊盘之间的所要求的最小距离限定各引线框区段之间的最小距离，因此这造成阻碍进一步的小型化的半导体芯片的最小大小。
发明内容
本发明的一个目的在于提供一种光电组件。通过包括权利要求1的特征的光电组件来实现该目的。本发明的进一步的目的在于指定一种用于生产光电组件的方法。通过包括权利要求13的特征的方法来实现该目的。在从属权利要求中指定各种改进。
一种光电组件，包括：光电半导体芯片，包括第一电接触和第二电接触；第一引线框区段，包括第一芯片接触焊盘以及被定位成与所述第一芯片接触焊盘相对的第一焊接接触焊盘；以及第二引线框区段，包括第二芯片接触焊盘以及被定位成与所述第二芯片接触焊盘相对的第二焊接接触焊盘。所述第一电接触被导电地连接到所述第一芯片接触焊盘。所述第二电接触被导电地连接到所述第二芯片接触焊盘。所述第一引线框区段和所述第二引线框区段被以如下这样的方式嵌入到外壳中：所述第一焊接接触焊盘的至少部分和所述第二焊接接触焊盘的至少部分在所述外壳的下侧处是可出入的。在所述第一引线框区段与所述第二引线框区段之间布置介电元件。所述介电元件的表面暴露在所述外壳的所述下侧处。有利地，该光电组件的所述外壳的所述下侧处的所述介电元件的所述表面在空间上将所述光电组件的所述第一焊接接触焊盘与所述第二焊接接触焊盘分离，其结果是：可以防止在所述光电组件的安装期间所述光电组件的各焊接接触焊盘之间的焊料的聚结以及所造成的短路。
在所述光电组件的一个实施例中，所述第一芯片接触焊盘和所述第二芯片接触焊盘包括小于200μm的距离。这使得所述光电组件的所述光电半导体芯片的所述第一电接触和所述第二电接触也可以包括小于200μm的距离。结果，可以有利地利用非常小的尺寸来实施该光电组件的所述光电半导体芯片。所述第一芯片接触焊盘与所述第二芯片接触焊盘之间的小距离的进一步的优点是：所述光电组件的所述引线框区段的所述芯片接触焊盘可以充当用于由所述光电半导体芯片在所述引线框区段的所述芯片接触焊盘的方向上发射的电磁辐射的反射器。作为所述引线框区段的各芯片接触焊盘之间的小于200μm的小距离的结果，所述电磁辐射的仅小部分在所述第一芯片接触焊盘与所述第二芯片接触焊盘之间通过，其结果是：高比例的电磁辐射被反射。结果，所述光电组件可以有利地具有低光损耗。
在所述光电组件的一个实施例中，在所述外壳的所述下侧处暴露的所述介电元件的所述表面包括至少200μm的边沿长度。这有利地确保所述光电组件的所述第一焊接接触焊盘和所述第二焊接接触焊盘还包括距彼此至少200μm的距离。结果，可以有利地防止在所述光电组件的安装期间所述光电组件的所述第一焊接接触焊盘与所述第二焊接接触焊盘之间的焊料的聚结以及短路的产生。
在所述光电组件的一个实施例中，所述第一焊接接触焊盘和所述第二焊接接触焊盘与所述外壳的所述下侧齐平地终止。有利地，所述光电组件由此适合作为用于表面安装（例如用于通过回流焊接进行的表面安装）的SMD组件。
在所述光电组件的一个实施例中，在所述外壳的所述下侧处暴露的所述介电元件的所述表面与所述第一焊接接触焊盘和所述第二焊接接触焊盘齐平地终止。有利地，所述介电元件的所暴露的表面可以由此特别有效地防止所述光电组件的所述第一焊接接触焊盘与所述第二焊接接触焊盘之间的焊料的聚结。
在所述光电组件的一个实施例中，所述介电元件在光学上实质上是透明的。有利地，结果，在所述介电元件中不发生由所述光电组件的所述光电半导体芯片发射的电磁辐射的吸收。已经传递到所述介电元件中的电磁辐射可以在所述光电组件的所述引线框区段之一处被反射，并且作为结果被使得是可出入的以用于使用。结果，所述光电组件可以有利地具有高效率。
在所述光电组件的一个实施例中，所述介电元件包括：第一区段，被定向为与所述外壳的所述下侧平行；第三区段，被定向为与所述第一芯片接触焊盘平行；以及第二区段，将所述第一区段连接到所述第三区段。所述第一区段包括在所述外壳的所述下侧处暴露的表面。所述第三区段被布置在所述第一芯片接触焊盘与所述第二芯片接触焊盘之间。有利地，所述介电元件的该实施例使得能够实施所述光电组件的所述第一焊接接触焊盘与所述第二焊接接触焊盘之间的距离，以使得其大于所述第一芯片接触焊盘与所述第二芯片接触焊盘之间的距离。
在所述光电组件的一个实施例中，所述第二区段被定向为与所述第一区段垂直。在此情况下，所述第一区段和所述第三区段在从所述第二区段前进的相对的空间方向上延伸。通过示例的方式，所述第一区段可以在所述第二引线框区段的方向上延伸，而所述第三区段在所述第一引线框区段的方向上延伸。这有利地造成所述介电元件的近似z形状的横截面，这使得可以将所述光电组件的所述第一引线框区段和所述第二引线框区段布置得彼此特别靠近，而这并不造成在所述第一焊接接触焊盘与所述第二焊接接触焊盘之间的过度小的距离。
在所述光电组件的一个实施例中，所述外壳包括在被定位成与所述下侧相对的顶侧处的腔体。在此情况下，所述第一芯片接触焊盘的至少部分和所述第二芯片接触焊盘的至少部分在所述腔体中是可出入的。所述光电半导体芯片被布置在所述腔体中。有利地，所述腔体可以充当用于由所述光电组件的所述光电半导体芯片发射的电磁辐射的反射器。结果，有利地，所述光电组件在想要的空间方向上发射由所述光电半导体芯片发射的电磁辐射的大部分。
在所述光电组件的一个实施例中，灌封材料被布置在所述腔体中。所述灌封材料可以有利地用来保护所述光电半导体芯片而抵抗作为外部机械影响的结果的损坏。所述灌封材料可以还包括用于转换由所述光电半导体芯片发射的电磁辐射的波长的嵌入的转换器颗粒或其它嵌入的颗粒。
在所述光电组件的一个实施例中，所述第一电接触和所述第二电接触被布置在所述光电半导体芯片的公共表面上。有利地，结果，所述光电半导体芯片可以在不使用键合布线的情况下被导电地连接到所述光电组件的所述引线框区段。
在所述光电组件的一个实施例中，所述光电半导体芯片实施为体发射蓝宝石倒装芯片。有利地，结果，所述光电半导体芯片可以包括特别紧凑的尺寸。
一种用于生产光电组件的方法，包括：用于提供包括第一焊接接触焊盘的第一引线框区段以及包括第二焊接接触焊盘的第二引线框区段的步骤；用于在所述第一引线框区段与所述第二引线框区段之间布置介电元件的步骤；以及用于以如下这样的方式将所述第一引线框区段和所述第二引线框区段嵌入到外壳中的步骤：所述第一焊接接触焊盘的至少部分和所述第二焊接接触焊盘的至少部分在所述外壳的下侧处保持可出入，并且所述介电元件的表面暴露在所述外壳的下侧处。有利地，可通过该方法获得的所述光电组件中的所述外壳的所述下侧处暴露的所述介电元件的所述表面带来所述光电组件的所述第一焊接接触焊盘与所述第二焊接接触焊盘的空间分离，这使得可以防止在可通过所述方法获得的所述光电组件的安装期间所述第一焊接接触焊盘与所述第二焊接接触焊盘之间的焊料的聚结以及所造成的短路。
在所述方法的一个实施例中，方法包括：用于在被定位成与所述下侧相对的所述外壳的顶侧处的腔体中布置光电半导体芯片的进一步的步骤。有利地，在此情况下，可以使用包括小的外部尺寸的光电半导体芯片，所述芯片的所述电接触被布置成靠近在一起。
在所述方法的一个实施例中，通过模制方法来执行在所述第一引线框区段与所述第二引线框区段之间布置所述介电元件。结果，所述方法有利地是可简单地并且成本有效地实现的，并且适合用于大规模生产。
附图说明
与关联于附图更详细地解释的示例性实施例的以下描述关联地，本发明的上面描述的性质、特征和优点以及其中实现它们的方式将变得更清楚并且被更清楚地理解。在此在每种情况下在示意性的图解中：
图1示出光电组件的截面侧视图；
图2示出在电路板上的安装之后的光电组件的截面侧视图。
具体实施方式
图1示出光电组件10的示意性截面侧视图。提供光电组件10以用于发射电磁辐射（例如可见光）。例如，光电组件10可以是发光二极管组件（LED组件）。光电组件10也可以被指定为封装。
光电组件10包括光电半导体芯片100。例如，光电半导体芯片100可以被实施为发光二极管芯片（LED芯片）。光电半导体芯片100优选地被实施为倒装芯片（例如被实施为体发射蓝宝石倒装芯片或被实施为表面发射倒装芯片）。
光电半导体芯片100包括发射侧101以及被定位成与发射侧101相对的接触侧102。光电半导体芯片100的第一电接触110和第二电接触120被布置在光电半导体芯片100的接触侧102处。经由电接触110、120，电压可以被应用到光电半导体芯片100，以便引起光电半导体芯片100发射电磁辐射。例如，第一电接触110可以被实施为阳极。例如，第二电接触120可以被实施为阴极。然而，第一电接触110也可以被实施为阴极，并且第二电接触120也可以被实施为阳极。
由光电半导体芯片100生成的电磁辐射在光电半导体芯片100的发射侧101处发射。如果光电半导体芯片100被实施为体发射半导体芯片，则那么电磁辐射还在光电半导体芯片100的操作期间在光电半导体芯片100的其它表面处发射。
光电组件10包括第一引线框区段200和第二引线框区段300。第一引线框区段200和第二引线框区段300在每种情况下包括导电材料（优选地，金属）。第一引线框区段200和第二引线框区段300可以已经在光电组件10的生产期间由公共引线框的区段来形成。第一引线框区段200和第二引线框区段300彼此间隔开，并且彼此电绝缘。
光电组件10包括外壳400。外壳400包括电绝缘外壳材料（优选地，塑料）。通过示例的方式，外壳400的外壳材料可以包括环氧树脂。优选地通过模制方法（例如，通过注入模制方法）生产外壳400。外壳400可以被生产在具有相同类型的多个进一步的外壳400的组件组装中，并且随后通过被从进一步的外壳400分离而被单独化。
第一引线框区段200和第二引线框区段300在每种情况下至少部分地嵌入在外壳400的材料中。优选地，第一引线框区段200和第二引线框区段300已经在外壳400的生产期间被嵌入到外壳400的材料中。在此情况下，引线框区段200、300可以被实施为进入包括随后被划分的多个外壳400的组件组装中的连续引线框的部分。
第一引线框区段200包括第一芯片接触焊盘210以及被定位成与第一芯片接触焊盘210相对的第一焊接接触焊盘220。第二引线框区段300包括第二芯片接触焊盘310以及被定位成与第二芯片接触焊盘310相对的第二焊接接触焊盘320。
第一引线框区段200的第一焊接接触焊盘220和第二引线框区段300的第二焊接接触焊盘320至少部分地未被外壳400的材料覆盖，而是相反至少部分地在外壳400的下侧402处暴露。在此情况下，第一焊接接触焊盘220和第二焊接接触焊盘320被在外壳400的下侧402处彼此并排地横向布置。优选地，第一焊接接触焊盘220和第二焊接接触焊盘320实质上与外壳400的下侧402齐平地终止。第一焊接接触焊盘220和第二焊接接触焊盘320形成光电组件10的电连接焊盘，并且被提供用于在光电组件10的安装期间电接触。可以将光电组件10提供例如作为用于表面安装的SMD组件。可以例如通过回流焊接来执行在光电组件10的安装期间的光电组件10的焊接接触焊盘220、320的电接触。
外壳400包括在被定位成与下侧402相对的外壳400的顶侧401处的腔体410。腔体410被实施为在外壳400的顶侧401处的凹陷。在腔体410的底部处，第一引线框区段200的第一芯片接触焊盘210的部分和第二引线框区段300的第二芯片接触焊盘310的部分是可出入的，并且未被外壳400的材料覆盖。
在光电组件10的外壳400的腔体410中，光电半导体芯片100被布置在第一芯片接触焊盘210和第二芯片接触焊盘310之上。在此情况下，光电半导体芯片100的接触侧102面对芯片接触焊盘210、310。光电半导体芯片100的接触侧102处的第一电接触110被导电地连接到第一引线框区段200的第一芯片接触焊盘210。光电半导体芯片100的接触侧102处的第二电接触120被导电地连接到第二引线框区段300的第二芯片接触焊盘310。例如，光电半导体芯片100的电接触110、120与引线框区段200、300的芯片接触焊盘210、310之间的导电连接可以被实施为焊接连接。
灌封材料420被布置在光电组件10的外壳400的腔体410中。光电半导体芯片100嵌入到灌封材料420中。灌封材料420优选地对于由光电半导体芯片100发射的电磁辐射而言实质上是透明的。例如，灌封材料420可以包括硅酮。灌封材料420可以用来保护光电半导体芯片100而抵抗作为外部机械影响的结果的损坏。灌封材料420可以附加地包括被提供用于转换由光电半导体芯片100发射的电磁辐射的波长的被嵌入的转换器颗粒。通过示例的方式，嵌入到灌封材料420中的转换器颗粒可以被配置为：将具有由光电半导体芯片100发射的从蓝色或紫外谱范围的波长的电磁辐射转换为白色光。嵌入到灌封材料420中的波长转换颗粒可以包括例如有机磷、无机磷或量子点。
除了嵌入到灌封材料420中的波长转换颗粒之外或者作为对于嵌入到灌封材料420中的波长转换颗粒的替换，散射颗粒也可以被嵌入到灌封材料420中，所述散射颗粒用来散射由光电半导体芯片100发射的电磁辐射。然而，可以省略嵌入到灌封材料420中的颗粒或者还可以省略灌封材料420。
介电元件500被布置在第一引线框区段200与第二引线框区段300之间。介电元件500同样嵌入到外壳400的材料中。介电元件500包括介电材料。优选地，介电元件500对于由光电组件10的光电半导体芯片100发射的电磁辐射而言在光学上实质上是透明的。
介电元件500优选地已经在嵌入第一引线框区段200和第二引线框区段300之前被布置在第一引线框区段200与第二引线框区段300之间。通过示例的方式，介电元件500可以借助于模制方法被布置在第一引线框区段200与第二引线框区段300之间。此后，引线框区段200、300和介电元件500联合地嵌入到外壳400的材料中。
介电元件500的表面511暴露在外壳400的下侧402处。在外壳400的下侧402处暴露的介电元件500的表面511被布置在第一焊接接触焊盘220与第二焊接接触焊盘320之间。优选地，介电元件500的表面511与第一焊接接触焊盘220和第二焊接接触焊盘320实质上齐平地终止。
在第一引线框区段200的第一焊接接触焊盘220与第二引线框区段300的第二焊接接触焊盘320之间的连接方向上，在外壳400的下侧402处暴露的介电元件500的表面511包括边沿长度512。结果，第一焊接接触焊盘220和第二焊接接触焊盘320包括至少与介电元件500的表面511的边沿长度512相同量级的彼此相距的距离。优选地，边沿长度512是至少200μm。因此，光电组件10的第一焊接接触焊盘220和第二焊接接触焊盘320还包括彼此相距的至少200μm的距离。这有利地防止焊料在光电组件10的安装期间在光电组件10的焊接接触焊盘220、320之间聚结以及引起短路。
在第一芯片接触焊盘210与第二芯片接触焊盘310之间的腔体410的底部处，介电元件500的进一步的表面暴露，并且优选地与第一芯片接触焊盘210和第二芯片接触焊盘310实质上齐平地终止。在腔体410的底部处暴露的介电元件500的表面被布置在第一芯片接触焊盘210与第二芯片接触焊盘310之间。
第一引线框区段200的第一芯片接触焊盘210和第二引线框区段300的第二芯片接触焊盘310包括彼此相距的距离250。优选地，在腔体410的底部处暴露的介电元件500的表面在第一芯片接触焊盘210与第二芯片接触焊盘310之间的连接方向上包括实质上与距离250对应的边沿长度。优选地，第一芯片接触焊盘210与第二芯片接触焊盘310之间的距离250小于200μm。
光电半导体芯片100的接触侧102处的第一电接触110和第二电接触120可以于是还包括彼此相距的小于200μm的距离。这使得可以利用小于200μm的边沿长度来实施整个光电半导体芯片100。介电元件500包括第一区段510、第二区段520和第三区段530。介电元件500的第一区段510被定向为与外壳400的下侧402平行，并且包括在外壳400的下侧402处暴露的表面511。在介电元件500的第一部分510的区域中，第二引线框区段300在与第二焊接接触焊盘320垂直的方向上被薄化，以使得被定位成与第二引线框区段300的第二芯片接触焊盘310相对的第二引线框区段300的后侧在介电元件500的第一区段510的区域中被相对于第二引线框区段300的第二焊接接触焊盘320后移。介电元件500的第一区段510在第二引线框区段300的该区域中沿着第二引线框区段300的被后移的后侧延伸。
介电元件500的第三区段530被定向为与第一引线框区段200的第一芯片接触焊盘210平行，并且包括在外壳400的腔体410的底部处暴露的介电元件500的表面。在介电元件500的第三区段530的区域中，第一引线框区段200相对于第一引线框区段200的其它区段被薄化，以使得被定位成与第一引线框区段200的第一焊接接触焊盘220相对的第一引线框区段200的前侧在介电元件500的第三区段530的区域中被相对于第一引线框区段200的第一芯片接触焊盘210后移。介电元件500的第三区段530在该区域中沿着第一引线框区段200的被后移的前侧延伸。
介电元件500的第二区段520将介电元件500的第一区段510连接到第三区段530。在此情况下，介电元件500的第二区段520被定向为与第一区段510垂直并且与第三区段530垂直。介电元件500的第一区段510和第三区段530在从介电元件500的第二区段520前进的相互相对的空间方向上延伸。在与行进通过第一引线框区段200和第二引线框区段300的外壳400的下侧402垂直的截面图中，因此近似地以z形状方式实施介电元件500。然而，也可以不同地实施介电元件500。特别是，可以省略介电元件500的第三区段530。
第一引线框区段200的表面和第二引线框区段300的表面（特别是，芯片接触焊盘210、310）可以具有针对由光电组件10的光电半导体芯片100发射的电磁辐射的高反射率。通过示例的方式，引线框区段200、300的表面可以是银涂敷的。结果，在外壳400的下侧402的方向上的由光电半导体芯片100发射的电磁辐射在引线框区段200、300的表面处被反射，其结果是，所述电磁辐射可以随后在外壳400的顶侧401处被耦合出。结果，光电组件10内的光损耗被避免。照射在介电元件500的第三区段530的区域中的介电元件500上的电磁辐射可以穿透通过透明的介电元件500，并且随后在第一引线框区段200的被后移的前侧处被反射，其结果是，这些辐射部分也可以随后在外壳400的顶侧401处从光电组件10耦合出。归因于第一引线框区段200与第二引线框区段300之间的仅非常小的距离，光损耗在光电组件10的情况下可以被保持为非常小。
图2示出在电路板600的顶侧上安装光电组件10之后的光电组件10的示意性截面侧视图。电路板600也可以被指定为印刷电路板或PCB。电路板600可以充当用于图2中的示意性图解中未示出的进一步的电子组件和电路的载体。
第一焊接接触焊盘610和第二焊接接触焊盘620被布置在电路板600的表面处。第一焊接接触焊盘610和第二焊接接触焊盘620可以经由线路（未图解）连接到进一步的电路部分。第一焊接接触焊盘610和第二焊接接触焊盘620包括彼此相距的距离630。距离630优选地近似地对应于光电组件10的第一焊接接触焊盘220与第二焊接接触焊盘320之间的距离，并且因此还近似地对应于在光电组件10的外壳400的下侧402处暴露的介电元件500的表面511的边沿长度512。特别是，焊接接触焊盘610、620之间的距离630优选地至少为200μnm，以便可靠地防止在第一焊接接触焊盘610与第二焊接接触焊盘620之间的焊料的聚结。
光电组件10被布置在电路板600的顶侧处。光电组件10的外壳400的下侧402面对电路板600的顶侧。第一引线框区段200的第一焊接接触焊盘220被导电地连接到电路板600的第一焊接接触焊盘610。光电组件10的第二引线框区段300的第二焊接接触焊盘320被导电地连接到电路板600的第二焊接接触焊盘620。光电组件10的焊接接触焊盘220、320可以已经例如通过回流焊接或通过用于表面安装的某种其它方法连接到电路板600的焊接接触焊盘610、620。在此情况下，电路板600的焊接接触焊盘610、620之间的距离630以及光电组件10的第一焊接接触焊盘220和第二焊接接触焊盘320的分开的间隔防止第一焊接接触焊盘220、610与第二焊接接触焊盘320、620之间的焊料的聚结以及所造成的短路。
已经在优选的示例性实施例的基础上更详细地图解并且描述了本发明。然而，本发明不局限于所公开的示例。相反，在不脱离本发明的保护范围的情况下，本领域技术人员可以由此得到其它变化。
参考标号列表
10光电组件
100光电半导体芯片
101发射侧
102接触侧
110第一电接触
120第二电接触
200第一引线框区段
210第一芯片接触焊盘
220第一焊接接触焊盘
250距离
300第二引线框区段
310第二芯片接触焊盘
320第二焊接接触焊盘
400外壳
401顶侧
402下侧
410腔体
420灌封材料
500介电元件
510第一区段
511表面
512边沿长度
520第二区段
530第三区段
600电路板
610第一焊接接触焊盘
620第二焊接接触焊盘
630距离。
Claims (15)
1. 一种光电组件（10），
包括：光电半导体芯片（100），包括第一电接触（110）和第二电接触（120），
第一引线框区段（200），包括第一芯片接触焊盘（210）以及被定位成与所述第一芯片接触焊盘（210）相对的第一焊接接触焊盘（220），以及
第二引线框区段（300），包括第二芯片接触焊盘（310）和被定位成与所述第二芯片接触焊盘（310）相对的第二焊接接触焊盘（320），
其中，所述第一电接触（100）被导电地连接到所述第一芯片接触焊盘（210），并且所述第二电接触（120）被导电地连接到所述第二芯片接触焊盘（310），
其中，所述第一引线框区段（200）和所述第二引线框区段（300）以如下这样的方式嵌入到外壳（400）中：所述第一焊接接触焊盘（220）的至少部分和所述第二焊接接触焊盘（320）的至少部分在所述外壳（400）的下侧（402）处是可出入的，
其中，介电元件（500）被布置在所述第一引线框区段（200）与所述第二引线框区段（300）之间，
其中，所述介电元件（500）的表面（511）暴露在所述外壳（400）的所述下侧（402）处。
2. 如权利要求1所述的光电组件（10），
其中，所述第一芯片接触焊盘（210）和所述第二芯片接触焊盘（310）包括小于200μm的距离（250）。
3.如前述权利要求中的任一项所述的光电组件（10），
其中，暴露在所述外壳（400）的所述下侧（402）处的所述介电元件（500）的所述表面（511）包括至少200μm的边沿长度（512）。
4.如前述权利要求中的任一项所述的光电组件（10），
其中，所述第一焊接接触焊盘（220）和所述第二焊接接触焊盘（320）与所述外壳（400）的所述下侧（402）齐平地终止。
5.如前述权利要求中的任一项所述的光电组件（10），
其中，暴露在所述外壳（400）的所述下侧（402）处的所述介电元件（500）的所述表面（511）与所述第一焊接接触焊盘（220）和所述第二焊接接触焊盘（320）齐平地终止。
6.如前述权利要求中的任一项所述的光电组件（10），
其中，所述介电元件（500）在光学上实质上是透明的。
7.如前述权利要求中的任一项所述的光电组件（10），
其中，所述介电元件（500）包括被定向为与所述外壳（400）的所述下侧（402）平行的第一区段（510）、被定向为与所述第一芯片接触焊盘（210）平行的第三区段（530）以及将所述第一区段（510）连接到所述第三区段（530）的第二区段（520），
其中，所述第一区段（510）包括在所述外壳（400）的所述下侧（402）处暴露的所述表面（511），
其中，所述第三区段（530）被布置在所述第一芯片接触焊盘（210）与所述第二芯片接触焊盘（310）之间。
8.如权利要求7所述的光电组件（10），
其中，所述第二区段（520）被定向为与所述第一区段（510）垂直，
其中，所述第一区段（510）和所述第三区段（530）在从所述第二区段（520）前进的相对的空间方向上延伸。
9.如前述权利要求中的任一项所述的光电组件（10），
其中，所述外壳（400）包括在被定位成与所述下侧（400）相对的顶侧（401）处的腔体（410），
其中，所述第一芯片接触焊盘（210）的至少部分和所述第二芯片接触焊盘（310）的至少部分在所述腔体（410）中是可出入的，
其中，所述光电半导体芯片（100）被布置在所述腔体（410）中。
10.如权利要求9所述的光电组件（10），
其中，灌封材料（420）被布置在所述腔体（410）中。
11.如前述权利要求中的任一项所述的光电组件（10），
其中，所述第一电接触（110）和所述第二电接触（120）被布置在所述光电半导体芯片（100）的公共表面（102）上。
12.如权利要求11所述的光电组件（10），
其中，所述光电半导体芯片（100）被实施为体发射蓝宝石倒装芯片。
13.一种用于生产光电组件（10）的方法，
包括以下步骤：
—提供包括第一焊接接触焊盘（220）的第一引线框区段（200）以及包括第二焊接接触焊盘（320）的第二引线框区段（300）；
—在所述第一引线框区段（200）与所述第二引线框区段（300）之间布置介电元件（500）；
—以如下这样的方式将所述第一引线框区段（200）和所述第二引线框区段（300）嵌入到外壳（400）中：所述第一焊接接触焊盘（220）的至少部分和所述第二焊接接触焊盘（320）的至少部分在所述外壳（400）的下侧（402）处保持可出入，并且所述介电元件（500）的表面（511）暴露在所述外壳（400）的所述下侧（402）处。
14.如权利要求13所述的方法，
其中，所述方法包括以下的进一步的步骤：
—在被定位成与所述下侧（402）相对的所述外壳（400）的顶侧（401）处的腔体（410）中布置光电半导体芯片（100）。
15.如权利要求13和14中的任一项所述的方法，
其中，通过模制方法来执行在所述第一引线框区段（200）与所述第二引线框区段（300）之间布置所述介电元件（500）。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE102014101557.6 | 2014-02-07 | ||
| DE102014101557.6A DE102014101557A1 (de) | 2014-02-07 | 2014-02-07 | Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung |
| PCT/EP2015/052173 WO2015117946A1 (de) | 2014-02-07 | 2015-02-03 | Optoelektronisches bauelement und verfahren zu seiner herstellung |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN105940507A true CN105940507A (zh) | 2016-09-14 |
Family
ID=52440691
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201580007495.3A Pending CN105940507A (zh) | 2014-02-07 | 2015-02-03 | 光电组件以及用于生产所述光电组件的方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20170084805A1 (zh) |
| CN (1) | CN105940507A (zh) |
| DE (1) | DE102014101557A1 (zh) |
| WO (1) | WO2015117946A1 (zh) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108735879A (zh) * | 2018-07-26 | 2018-11-02 | 易美芯光（北京）科技有限公司 | 一种含有量子点的smd封装结构 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1455960A (zh) * | 2001-01-24 | 2003-11-12 | 日亚化学工业株式会社 | 发光二极管、光学半导体元件及适用的环氧树脂组合物及其制造方法 |
| CN102856483A (zh) * | 2011-06-29 | 2013-01-02 | 日立电线株式会社 | 发光元件搭载用基板及led封装件 |
| US20130285077A1 (en) * | 2012-04-27 | 2013-10-31 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Light emitting module |
| CN103972372A (zh) * | 2013-01-29 | 2014-08-06 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 发光二极管封装结构 |
Family Cites Families (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3910171B2 (ja) * | 2003-02-18 | 2007-04-25 | シャープ株式会社 | 半導体発光装置、その製造方法および電子撮像装置 |
| KR20050092300A (ko) * | 2004-03-15 | 2005-09-21 | 삼성전기주식회사 | 고출력 발광 다이오드 패키지 |
| US7868345B2 (en) * | 2004-10-27 | 2011-01-11 | Kyocera Corporation | Light emitting device mounting substrate, light emitting device housing package, light emitting apparatus, and illuminating apparatus |
| CN101420007B (zh) * | 2008-10-23 | 2010-12-29 | 旭丽电子(广州)有限公司 | 一种led晶片的封装结构和封装方法 |
| KR101064090B1 (ko) * | 2009-11-17 | 2011-09-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 패키지 |
| JP2012019062A (ja) * | 2010-07-08 | 2012-01-26 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 発光半導体装置、実装基板及びそれらの製造方法 |
| DE102010027253B4 (de) * | 2010-07-15 | 2022-05-12 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Optoelektronisches Halbleiterbauteil |
| JP5756803B2 (ja) * | 2010-07-23 | 2015-07-29 | シャープ株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
| KR101114197B1 (ko) * | 2010-08-09 | 2012-02-22 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 및 이를 구비한 조명 시스템 |
| JP2012080026A (ja) * | 2010-10-06 | 2012-04-19 | Toshiba Corp | Ｌｅｄパッケージ |
| US8901578B2 (en) * | 2011-05-10 | 2014-12-02 | Rohm Co., Ltd. | LED module having LED chips as light source |
| JP2013033910A (ja) * | 2011-06-29 | 2013-02-14 | Hitachi Cable Ltd | 発光素子搭載用基板、ｌｅｄパッケージ、及びｌｅｄパッケージの製造方法 |
| JP2013033909A (ja) * | 2011-06-29 | 2013-02-14 | Hitachi Cable Ltd | 発光素子搭載用基板及びｌｅｄパッケージ |
| CN102881812B (zh) * | 2011-07-15 | 2015-03-25 | 赛恩倍吉科技顾问（深圳）有限公司 | 发光二极管封装结构的制造方法 |
| KR101905535B1 (ko) * | 2011-11-16 | 2018-10-10 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 패키지 및 이를 구비한 조명 장치 |
| CN103367619B (zh) * | 2012-03-30 | 2015-12-02 | 光宝电子(广州)有限公司 | 金属支架结构及发光二极管结构 |
| KR102033928B1 (ko) * | 2012-09-13 | 2019-10-18 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 및 조명 시스템 |
| KR101974354B1 (ko) * | 2013-02-14 | 2019-05-02 | 삼성전자주식회사 | 발광소자 패키지 및 그 제조 방법 |
-
2014
- 2014-02-07 DE DE102014101557.6A patent/DE102014101557A1/de active Pending
-
2015
- 2015-02-03 WO PCT/EP2015/052173 patent/WO2015117946A1/de active Application Filing
- 2015-02-03 CN CN201580007495.3A patent/CN105940507A/zh active Pending
- 2015-02-03 US US15/116,846 patent/US20170084805A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1455960A (zh) * | 2001-01-24 | 2003-11-12 | 日亚化学工业株式会社 | 发光二极管、光学半导体元件及适用的环氧树脂组合物及其制造方法 |
| CN102856483A (zh) * | 2011-06-29 | 2013-01-02 | 日立电线株式会社 | 发光元件搭载用基板及led封装件 |
| US20130285077A1 (en) * | 2012-04-27 | 2013-10-31 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Light emitting module |
| CN103972372A (zh) * | 2013-01-29 | 2014-08-06 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 发光二极管封装结构 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE102014101557A1 (de) | 2015-08-13 |
| US20170084805A1 (en) | 2017-03-23 |
| WO2015117946A1 (de) | 2015-08-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US20180254605A1 (en) | Laser component and method of producing same | |
| US20050045903A1 (en) | Surface-mounted light-emitting diode and method | |
| US9709250B2 (en) | Lighting device for moving body | |
| JP2006093470A (ja) | リードフレーム、発光装置、発光装置の製造方法 | |
| CN104798215A (zh) | 带有蓝宝石倒装芯片的光电半导体组件 | |
| EP2990725B1 (en) | Socket and lighting device | |
| US9625142B2 (en) | Luminaire | |
| US20120132947A1 (en) | Light-emitting diode and method for producing a light-emitting diode | |
| US20160190410A1 (en) | Optoelectronic component and method for the production thereof | |
| KR20130079501A (ko) | 적어도 하나의 광전자 반도체 소자를 제조하기 위한 방법 | |
| KR101052967B1 (ko) | 레이저다이오드 소자의 제조 방법, 레이저다이오드 소자의하우징 및 레이저다이오드 소자 | |
| CN106576433B (zh) | 印刷电路板 | |
| US20110101409A1 (en) | LED Lamp Package with Integral Driver | |
| US7626212B2 (en) | Light-emitting device and light source apparatus using the same | |
| CN105940507A (zh) | 光电组件以及用于生产所述光电组件的方法 | |
| US20160064634A1 (en) | Optoelectronic component | |
| US9899574B2 (en) | Method for producing an optoelectronic component, and optoelectronic component | |
| US10411157B2 (en) | Optoelectronic component and method for the production thereof | |
| CN105874620B (zh) | 用作完整led封装的深模制反射器杯体 | |
| US11662223B2 (en) | Optoelectronic device including a shielding cap and methods for operating and fabricating an optoelectronic device | |
| JP6217962B2 (ja) | 車両用照明装置、および車両用灯具 | |
| US20160245474A1 (en) | System for the electrically connecting at least one light source to an electrical power supply system | |
| JP6390899B2 (ja) | 車両用照明装置および車両用灯具 | |
| KR20110119200A (ko) | 발광 장치 | |
| KR100888815B1 (ko) | 발광다이오드 패키지 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20160914 |