CN105937024A - 一种电子产品防护涂层的制备方法及应用 - Google Patents
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- 239000011253 protective coating Substances 0.000 title claims abstract description 65
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 38
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 69
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 68
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 60
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 42
- 239000000178 monomer Substances 0.000 claims abstract description 37
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 32
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 31
- 239000003999 initiator Substances 0.000 claims abstract description 30
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 claims abstract description 16
- 230000006698 induction Effects 0.000 claims abstract description 4
- 239000000523 sample Substances 0.000 claims description 38
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 28
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 21
- 229910000521 B alloy Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 claims description 15
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 14
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 11
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 9
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 8
- -1 t-amyl peroxy hydrogen Chemical class 0.000 claims description 8
- 150000001335 aliphatic alkanes Chemical class 0.000 claims description 7
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N hydrogen peroxide Substances OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 claims description 6
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000007792 gaseous phase Substances 0.000 claims description 5
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims description 4
- YNJSNEKCXVFDKW-UHFFFAOYSA-N 3-(5-amino-1h-indol-3-yl)-2-azaniumylpropanoate Chemical compound C1=C(N)C=C2C(CC(N)C(O)=O)=CNC2=C1 YNJSNEKCXVFDKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- LUYQYZLEHLTPBH-UHFFFAOYSA-N perfluorobutanesulfonyl fluoride Chemical compound FC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)S(F)(=O)=O LUYQYZLEHLTPBH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- DCKVNWZUADLDEH-UHFFFAOYSA-N sec-butyl acetate Chemical compound CCC(C)OC(C)=O DCKVNWZUADLDEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 claims description 3
- 229910002808 Si–O–Si Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000013068 control sample Substances 0.000 claims description 2
- 238000005304 joining Methods 0.000 claims description 2
- SNVLJLYUUXKWOJ-UHFFFAOYSA-N methylidenecarbene Chemical compound C=[C] SNVLJLYUUXKWOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 13
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 abstract description 9
- 239000002253 acid Substances 0.000 abstract description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 abstract description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 abstract description 2
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 abstract description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 abstract description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 abstract 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 abstract 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 abstract 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 abstract 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 abstract 1
- 238000010526 radical polymerization reaction Methods 0.000 abstract 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 abstract 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 18
- 238000004062 sedimentation Methods 0.000 description 15
- 239000003708 ampul Substances 0.000 description 14
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 14
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 12
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 11
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 8
- 239000010408 film Substances 0.000 description 5
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 4
- 239000003431 cross linking reagent Substances 0.000 description 4
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 4
- 238000013461 design Methods 0.000 description 4
- 238000011161 development Methods 0.000 description 4
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 4
- 229920000052 poly(p-xylylene) Polymers 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 4
- BVTLTBONLZSBJC-UHFFFAOYSA-N 2,4,6-tris(ethenyl)-2,4,6-trimethyl-1,3,5,2,4,6-trioxatrisilinane Chemical compound C=C[Si]1(C)O[Si](C)(C=C)O[Si](C)(C=C)O1 BVTLTBONLZSBJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 3
- HAGZZKFZSAMMFD-UHFFFAOYSA-N 1,1,2,2,3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,10,10,10-henicosafluorodecyl prop-2-enoate Chemical group FC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)OC(=O)C=C HAGZZKFZSAMMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 2
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 239000007888 film coating Substances 0.000 description 2
- 238000009501 film coating Methods 0.000 description 2
- 238000002329 infrared spectrum Methods 0.000 description 2
- 238000001802 infusion Methods 0.000 description 2
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 2
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 2
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 2
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 2
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 2
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 2
- 238000007086 side reaction Methods 0.000 description 2
- DBCAQXHNJOFNGC-UHFFFAOYSA-N 4-bromo-1,1,1-trifluorobutane Chemical compound FC(F)(F)CCCBr DBCAQXHNJOFNGC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000003466 anti-cipated effect Effects 0.000 description 1
- 230000003064 anti-oxidating effect Effects 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000003796 beauty Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000000280 densification Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013536 elastomeric material Substances 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N ethylene glycol Natural products OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- STVZJERGLQHEKB-UHFFFAOYSA-N ethylene glycol dimethacrylate Substances CC(=C)C(=O)OCCOC(=O)C(C)=C STVZJERGLQHEKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 1
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 239000002103 nanocoating Substances 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 1
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000005728 strengthening Methods 0.000 description 1
- 239000002352 surface water Substances 0.000 description 1
- RSNQKPMXXVDJFG-UHFFFAOYSA-N tetrasiloxane Chemical compound [SiH3]O[SiH2]O[SiH2]O[SiH3] RSNQKPMXXVDJFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
- C23C16/4488—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by in situ generation of reactive gas by chemical or electrochemical reaction
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
- C23C16/4581—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber characterised by material of construction or surface finish of the means for supporting the substrate
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
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Abstract
本发明公开了一种电子产品防护涂层的制备方法及其应用，本发明采用引发式化学气相沉积方法在电子产品表面形成防护涂层。制备步骤包括：将电子产品放入反应腔内的样品台台上，利用真空控制系统排出腔体中的空气，使反应腔内处于真空状态；将反应气体按照预设的流量比经进气口通入到腔体中，并达到预设反应压强，反应气体经过已加热到预设温度的合金丝，所述引发剂在已加热合金丝的诱导下会进行热分解形成自由基；自由基和镀层材料单体在位于样品台上的电子产品表面吸附并进行室温下的原位自由基聚合反应，形成本发明所述的电子产品防护涂层。本发明制备的电子产品防护涂层能起到防水防潮效果，还可以阻隔氧气，阻隔酸碱等，起到抗氧化，抗腐蚀，绝缘的作用。
Description
技术领域
本发明属于防护涂层领域，特别涉及一种电子产品防护涂层的制备技术及其在电子产品中的应用。
背景技术
随着科技的发展，电子产品在生活工作中的应用越来越普及，例如智能手机，平板电脑，智能手表、手环等。诸如此类电子产品的发展趋势朝着智能化，轻薄化，大屏化发展。如今智能产品的发展很多已经超出了我们的预料，比如更大、更清晰的屏幕显示，性能超强的处理器和媲美数码相机的拍照效果。但是另一方面，此类电子产品的硬件防护功能，比如防水、防潮、防腐蚀、防霉菌等等基础功能还有待提高，也是目前各生产厂家着力解决的问题。
目前电子产品防水技术主要可以分为密封和防护涂层技术。其中密封技术是在一定的结构设计基础上在缝隙中填入橡胶材料使所有电子部件密封在壳体中。早期的防水电子产品大多是以密封的原理设计的，这类产品往往外观相对厚重。但是，随着智能电子市场的发展，电子产品在功能上更加复杂，外观力求轻薄、高清大屏，密封设计不能满足这种消费趋势。其次，密封技术把电子元件完全密封起来，对于电子设备散热造成影响。且在生产过程中需要较高的生产成本和模具技术，维修也不方便。
除了密封之外，防护涂层技术成为突破现有电子产品防护功能瓶颈的关键。传统的涂层技术以喷涂、浸渍的方法，在电路板等电子元件上涂覆一层三防漆，材料多为含氟树脂，它的自润滑性、憎水性好，耐化学腐蚀性高，低损耗，C-F键的强稳定性使得他具有较强的耐候性和耐盐雾性。一般传统涂层法的薄膜厚度在几到几十微米之间，在一定程度上达到防水防潮防锈等防护效果。但是对于日趋复杂精密的电子器件，简单的涂层方法首先薄膜厚度较厚透明度差，其次因为润湿性差，对于精密的电子元件无法均匀包覆,存在一定的局限。目前气相沉积纳米镀层技术越来越受到重视，纳米镀层是在真空环境下，气体分子在基底表面发生化学反应沉积形成一层肉眼无法看到的纳米厚度的薄膜，能够均匀的覆盖在材料的各个表面，形成完整的保护层。市场上应用并研究较多的等离子体化学气相沉积技术（PECVD）在制备防水智能手机上已经取得了一定的成果。其中美国Liquipel公司是典型代表。将电子产品放在等离子镀膜设备中，真空环境下通入含氟气态单体，然后放出等离子体帮助气体分子在电子产品的内部和表面聚合形成纳米防水涂层（美国专利：US 8852693 B2）。据报道，Liquipel的真空纳米镀膜技术能对智能手机等产品直接处理并达到国际防水指标IPX3级的标准，满足一般产品意外短时间浸水的防护要求。这种技术简单易于操作，但是在理论上而言，等离子体能量相对较高，反应活性强，在聚合反应中常伴随功能基团的破坏和副反应的发生。美国专利（US 8900663 B2）报道，在PTFE 真空纳米薄膜的制备中，利用热丝化学气相沉积最终得到的薄膜中70%以上的CF2能保留下来。这种方法是直接利用加热的热丝来激发反应的进行，通常加热到500℃以上。在PECVD体系中，等离子体的高能高反应活性使得CF2往往只能达到40%-60%程度的保留。市场上另一关于真空纳米技术的代表是美国HZO公司，他们的waterblock技术在电子产品表面形成聚对二甲苯的聚合物涂层，达到不错的防水效果（欧洲专利：EP2328692 A2）。目前HZO公司与Apple、三星等移动设备制造商合作，致力于防水电子产品的研发（美国专利：US 9161434 B2）。 HZO的真空镀膜技术基于聚对二甲苯高温下裂解并在基底材料表面形成聚合物薄膜。聚对二甲苯的裂解温度为700℃左右，温度能耗较大并且对设备安全性能要求较高。另外相关领域人指出聚对二甲苯对基底的物理性质可能会有影响，比如用纸来举例子的话，利用HZO技术处理的纸巾会变的很硬。
发明内容
针对以上电子产品防护涂层的现状和存在的不足，本发明提出一种引发式化学气相沉积技术作为制备电子产品防护涂层的方法，在电子电路板及电子设备表面形成纳米防护涂层，达到防水、防潮、防腐蚀等防护功能。
为达到以上发明目的，本发明采用的技术方案是：
使用引发式化学气相沉积方法在电子产品表面沉积一层纳米防护涂层。具体的，采用引发式化学气相沉积设备制备本发明所述的电子产品防护涂层，所述引发式化学气相沉积设备包括：反应腔、设置于反应腔一侧供反应气体进入反应腔内的进气系统、以及位于反应腔另一侧且与反应腔相联接的真空控制系统；反应腔内设置有用于加热的合金丝、样品台、位于样品台底部的循环水冷却装置。
具体的制备方法，包括步骤如下：将电子产品放入反应腔内的样品台上，利用与出气口连接的真空控制系统排出腔体中的空气，使反应腔内处于真空状态；将反应气体按照预设的流量比经进气口通入到腔体中，并达到预设压强；反应气体包括引发剂和镀层材料单体；反应气体经过已加热到预设温度的合金丝，选用具有高活性的引发剂，由于引发剂具有较高活性，所述引发剂在已加热合金丝的诱导下会进行热分解形成自由基；自由基和镀层材料单体在位于样品台上的电子产品表面吸附并进行室温下的原位自由基聚合反应，形成本发明所述的电子产品防护涂层。
本发明所使用的制备电子产品防护涂层的引发式化学气相沉积方法，能够做到引发剂的低温引发，即能够控制在较低温度下实现所述引发剂分解自由基，也即上述制备步骤中合金丝的加热预设温度。对于镀层单体材料采用含氟烷烃的涂层沉积，本发明实现了150℃～200℃的所述合金丝的预设加热温度，在本发明其中一个实施例中加热合金丝的预设温度为200℃、另一个实施例中加热合金丝的预设温度为180℃。相比美国专利（US 8900663 B2）利用热丝化学气相沉积），直接利用加热的热丝来激发反应的进行，其热丝的加热温度达到500℃以上。本发明实现低温引发，能够整体降低反应腔体内部的温度。而对于待镀膜的电子产品，其材料中常使用热敏感材料，如电子产品中的塑料部件，均不能承受高温，因此要求尽量降低放置待镀膜电子产品的样品台的温度。由于低温引发，整体降低反应腔内温度，促进了有效控制样品台温度和待镀膜电子产品的温度在较低的温度内，为本发明实现室温原位聚和反应形成所述电子产品防护涂层提供了基础。
上面制备步骤所述自由基和镀层材料单体在电子产品表面吸附并进行室温下的原位自由基聚合反应，其中所述室温是指控制样品台温度处于室温下。具体的，本发明控制样品台温度在20℃～40℃，在本发明其中一个实施例中样品台温度20℃，在本发明另一个实施例中样品台温度25℃，还有一个实施例中为30℃。在本发明中，控制样品台温度处于室温的另一关键为通过所在的样品台底部装有的循环水冷却系统进行冷却。样品台温度控制在室温下，一方面：降低了对待镀膜的电子产品的限制，对于热敏感材料，如塑料部件，本发明的制备方法均能够适用；另一方面：待镀膜的电子产品的温度较反应腔体内其他部位的温度低，有利于镀层材料单体和自由基的吸附，提高防护涂层的沉积速率。
使用本发明的制备方法，其中一个实施例的镀层材料单体为硅氧烷，其沉积速率30nm/min，总进气量不超过10sccm；而在另外两个实施例中，镀层材料单体为含氟烷烃，其沉积速率一个实施例中为50nm/min，在另一实施例中沉积速率达到100nm/min，且在总反应气体的进气量不超过2sccm的情况下。相比等离子体镀膜系统，本发明具有高效的沉积速率、环保节约，如在美国专利US8852693B2中，使用等离子体镀膜系统，其镀层材料单体为含氟烷烃，总进气量为30～50sccm，沉积速率为25～75nm/min。
本发明制备方法中，达到上面所述高的防护涂层沉积速率，其一：由于控制了样品台温度在室温下，待镀膜的电子产品的温度较反应腔体内其他部位的温度低，有利于镀层材料单体和自由基的吸附，提高防护涂层的沉积速率；另一方面：为了促进防护涂层更有效的在待镀膜的电子产品表面的吸附和聚合反应，本发明还对反应腔体内其他部位进行加热处理，提高待镀膜的电子产品表面与反应腔体内其他部位的温度差，从而促进镀层材料单体和自由基倾向吸附在待镀膜的电子产品表面，从而提高聚和反应的效率。具体的，本发明各实施例中通过在反应腔外部设置加热带对反应腔体内其他部位进行加热处理。更为具体的，本发明各实施例控制所述加热带的加热温度在30℃～70℃范围内，其中一实施例中加热带的加热温度为70℃，另一实施例中加热带的加热温度为50℃，另一实施例中加热带的加热温度为30℃。
另外，本发明样品台在底部使用循环水冷却系统进行冷却，能够实现在反应腔体中大面积电子产品防护涂层的制备，即电子产品可放在样品台的任何位置。因为整个反应腔体内的气相组分是均匀的，防护涂层沉积过程中的速率由电子产品表面自由基和镀层材料单体的吸附量决定，吸附量直接受样品台温度影响，而样品台温度是通过循环水冷却系统的均匀控制，因此整个样品台内都是有效沉积范围。与本发明的制备方法相比，在等离子体镀膜系统中，沉积发生在等离子束中，并且等离子束不同部位的反应活性不同，导致不同部位涂层厚度和组分不均匀；因此，较等离子体镀膜方法，本发明能实现大面积的均匀镀膜。
另外，本发明采用的制备方法，基于自由基低温下原位聚合的原理，引发剂在诱导下分解成自由基，代替了高能等离子体，反应易于进行且稳定、反应条件温和。与等离子体真空镀膜法相比，本发明制备的涂层组分化学稳定性高和功能基团完整性高；而等离子体反应活性很高，沉积过程中常伴随副反应发生，因此等离子体真空镀膜法制备出的涂层组分中，其关键作用的功能基团保留度只能达到40-60%，如美国专利US8900663B2。；而本发明制备方法制备出来的涂层，可100%保留涂层中的功能基团。且由于涂层的化学稳定性好，涂层中的功能基团保留度高，因此该涂层的疏水效果也佳。
本发明中制备所述电子产品防护涂层所使用的镀层材料单体选自含氟烷烃或硅氧烷中的一种或几种，所述含氟烷烃其结构式为CH2=C(R1)-COO-R2，R1是-H或者-CH3，R2是-(CH2)-(CF2)n-CF3，其中n=3-7。所述硅氧烷其结构式表示为CH2=CH(R3)，R3表示含有Si-O-Si单元的链状结构或者环状结构。所述的氟代烷烃聚合物和硅氧烷聚合物涂层憎水性好，化学稳定性高；再因为如上所述本发明所使用的制备方法反应条件温和，涂层中的功能基团保留度高、涂层表面能低，疏水性好；能够起到很好的防水、防潮的效果，并且可以防止汗液，盐雾、酸碱等液体对电路板尤其是金属部件的腐蚀。镀有本发明防护涂层的电子产品表面水接触角在130°以上，且通过国际IPX7级防水测试即浸水试验，电子产品依然正常工作。
本发明制备方法中使用的引发剂选自二叔丁基过氧化氢（TBP），二叔戊基过氧化氢，过氧化苯甲酸特丁酯或者全氟丁基磺酰氟的一种或几种。所述镀层材料单体和引发剂的流量比控制在1:3～10:1之间。其中，本发明制备方法中，引发剂和镀层材料单体在通过进气口进入反应腔前，分别置于各自的石英管中，石英管与反应腔之间的管路连接有阀门，控制各反应气体的流量。且引发剂的石英管保持室温状态，镀层材料单体的石英管加热温度在30～100℃之间。
进一步地，本发明制备方法中，反应气体还可以包括交联剂，即在防护涂层的沉积过程中通入腔体的气体还可以包括交联剂；所述交联剂可以在镀层材料单体之前通入到腔体中，预先在电子产品表面形成致密的薄膜，起到增强涂层与电子产品表面结合强度的效果。其中交联剂选自乙二醇二丙烯酸酯、乙二醇二甲基丙烯酸酯、1,3,5,7,-四乙烯基-1,3,5,7-四甲基环四硅氧烷、1,3,5-三乙烯基-1,3,5-三甲基环三硅氧烷中的一种或几种。
进一步地，本发明制备的电子产品防护涂层的厚度在10nm～3μm之间，厚度可以根据沉积时间进行精确控制。
本发明中所述的电子产品，包括各类电子元器件、电路板，显示设备，电子传感器部件等，具体如：各类手机，电脑，平板电脑，可穿戴设备、音乐播放器，相机，收音机，录音机，游戏机等。使用本发明制备防护涂层的电子产品，其部件中材料不受限制，可以是金属制品，塑料制品，纸制品等。
与现有技术相比，本发明还具有如下技术优点：
本发明的防护涂层制备方法，较传统的密封法处理过程简单，无需专门的结构上的设计，可以在生产环节对电子器件进行涂层处理，也可以在消费者使用过程中进行处理。其中处理的对象包括集成电路板，电池，外壳等电子产品的任何部位。
与传统的防护涂层制备方法如喷涂法、浸渍法相比，防护涂层均匀、厚度可控、保型性好。喷涂法往往存在阴影区，薄膜存在缺陷；浸渍法基于液相处理的特点，由于液体表面张力浸润性差，对于微小部件无法涂覆，保型性差，且薄膜厚度无法精确控制，导致透明性差、导热性差。本发明采用的防护涂层的制备方法，是一种完全干式镀膜法，不受液体表面张力的影响，气体分子能够到达样品的所有表面，因此涂层的保型性非常好，涂层致密且均匀。
本发明中的制备的电子产品防护涂层起到的防护效果除了防水防潮之外，还可以起到阻隔作用，阻隔氧气，阻隔酸碱等，起到抗氧化，抗腐蚀，绝缘的作用。
另外，较传统的化学气相沉积技术，本发明的制备方法无需复杂的等离子体设备，无需输入较高的能量；同时因为反应条件温和，可以保证薄膜组分的完整性，即实现功能最大化。
附图说明
图1为本发明采用的引发式化学气相沉积设备示意图。
图2为实施例1中的镀层材料单体和制得的电子产品防护涂层的红外光谱图。
图3为实施例1中镀有防护涂层的手机的电子部件表面进行水接触角测试的测试结果图。
其中，1为进气系统，11为石英管，12为流量调节阀，2为反应腔，3为合金丝，4为待镀膜的电子产品，5为样品台，6为循环水冷却装置， 7为真空控制系统，8为激光干涉系统，9为加热带，10为水珠，11为电子产品。
具体实施方式
为了更好的说明本发明的目的及技术方案，下面结合附图以及具体的实施例进一步阐述。基于本发明中的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式，都属于本发明保护的范围。
本发明采用引发式化学气相沉积在电子产品表面制备防护涂层。引发式化学气相沉积是等离子体化学气相沉积和热丝化学气相沉积的延伸和改进，是一种新型绿色的真空镀膜方法。在传统化学气相沉积技术的基础上引入活性较高的引发剂，可在较低的温度下分解成自由基并引发单体进行自由基聚合反应，在基底上形成聚合物薄膜。具体的，如图1所示为本发明采用的引发式化学气相沉积设备，包括反应腔、设置于反应腔一侧供反应气体进入反应腔内的进气系统、以及位于反应腔另一侧的真空控制系统。如图1中，此引发式化学气相沉积设备还包括监测涂层沉积过程和涂层厚度的激光干涉系统，但这不是本发明目的的必须，比如涂层厚度可以通过镀膜后通过其他厚度测试设备进行测试；反应腔内设置有用于加热的合金丝、样品台、位于样品台底部的循环水冷却装置。另外，具体的，本发明的各实施例中，进气系统由放置反应气体原料的石英管、连接石英管和反应腔的管路、以及流量调节阀。
另外，如图1，本发明采用的引发式化学气相沉积设备，还包括在反应腔外部设置的加热带，用于给除样品台外的反应腔内其他部位加热，使待镀膜的电子产品表面与反应腔内其他部位的温度差增加。
工作时，反应气体在各石英管中分别进行气化，再按照一定的流量比流出经混合后通过进气口进入反应腔，各反应气体至少包括引发剂以及镀层材料单体；同时反应腔内的合金丝被加热、样品台则通过底部的循环冷却水冷却保证样品台底部的温度处于室温下，同时控制反应腔外部设置的加热带温度；反应气体经过已加热到预定温度的合金丝时，由于引发剂的活性较高，热诱使反应气体中的引发剂分解成自由基，该自由基和镀层材料单体吸附到待镀膜的电子产品表面进行自由基聚合反应，形成所述的防护涂层。
实施例
1
使用三星某型号手机为本实施例的待镀膜的电子产品，将该手机的电池、主板、手机外壳（屏幕与外壳连接）分离并放入引发式化学气相沉积反应腔内的样品台中，反应腔抽至真空。引发剂为二叔丁基过氧化氢，控制引发剂的石英管温度为25℃；镀层材料单体为全氟癸基丙烯酸酯，结构是为CH2=CH-COO- CH2CH2-(CF2)7-CF3，其中石英管温度加热至80℃；反应腔外部设置的加热带的温度加热至70℃。引发剂和镀层材料单体的流量分别为0.6 sccm、0.6sccm，加热合金丝的温度至200℃，控制样品台温度为20℃，沉积压强为200mTorr，沉积时间5分钟，涂层厚度约为500nm，沉积速率为100nm/min。因为电子元件与样品台接触一面无法与反应气体分子接触，为保证元件（电池、主板、外壳）所有表面被涂层覆盖，在完成一次镀膜过程后，将样品反转重复镀膜过程。
进行红外光谱测试，如附图2所示，是本实施例制得的电子产品防护涂层的红外光谱图，图中所示，图2中左上角是本实施例制得的防护涂层与本实施例使用的镀层材料单体的红外光谱的比对图，标识“*”处为镀层材料单体中C=C键特征峰，在防护涂层中均未出现，表明聚合反应十分完全；另外在1741cm-1处为C=O键特征峰，镀层材料单体和防护涂层中均有出现；1150～1250cm-1范围内三个峰表示F官能团的特征峰，可以看出防护涂层与镀层材料单体中一一对应，表明本发明采用的制备方法对功能基团很好的保留性，达到100%的功能基团保留。
如附图3所示，为对本实施例已镀防护涂层的手机的电子部件表面进行的水接触角测试图，测试结果显示水接触角大于130°。
对本实施例已镀防护涂层的手机进行防水等级测试，参照国际IPX7级防水测试，即浸水试验：将经过本实施例防护涂层制备的手机部件装回，开机测试，屏幕显示，电池能耗，多媒体功能，通话功能均正常；将该手机放入水槽内，手机顶部距离水面距离至少0.15米，试验时间为30分钟；之后从水槽中取出手机，手机正常工作。
实施例
2
使用iPhone 5手机为本实施例的待镀膜的电子产品，电池、主板、手机外壳（屏幕与外壳相连）分离并放入引发式化学气相沉积反应腔内的样品台中，反应腔抽至真空。引发剂为二叔丁基过氧化氢，控制引发剂的石英管温度为30℃；镀层材料单体为全氟癸基丙烯酸酯，结构是为CH2=CH-COO- CH2CH2-(CF2)7-CF3，其石英管温度加热至85℃；反应腔外部设置的加热带的温度加热至50℃；引发剂和镀层材料单体流量分别为0.6 sccm，0.4sccm，加热合金丝的温度至180℃，控制样品台温度为25℃，沉积压强为100mTorr，沉积时间为10分钟，防护涂层厚度为500nm，沉积速率为50nm/min。因为电子元件与样品台接触一面无法与反应气体分子接触，为保证元件（电池、主板、外壳）所有表面被防护涂层覆盖，在完成一次镀膜过程后，将样品反转重复镀膜过程。
对本实施例已镀防护涂层的手机的电子部件表面进行水接触角测试，水接触角大于130°。
对本实施例已镀防护涂层的手机进行防水等级测试，参照国际IPX7级防水测试，即浸水试验：将经过本实施例防护涂层制备的手机部件装回，开机测试，屏幕显示，电池能耗，多媒体功能，通话功能均正常；将该手机放入水槽内，手机顶部距离水面距离至少0.15米，试验时间为30分钟；之后从水槽中取出手机，手机正常工作。
实施例
3
使用普通电路板为本实施例的待镀膜的电子产品，将电子产品放入引发式化学气相沉积反应腔体内的样品台上，反应抽至真空。引发剂为二叔丁基过氧化氢，控制引发剂的石英管温度为30℃；镀层材料单体为1,3,5-三乙烯基-1,3,5-三甲基环三硅氧烷(V3D3)，其石英管温度加热至65℃；反应腔外部设置的加热带的温度加热至30℃；引发剂和镀层材料单体流量分别为1 sccm，6sccm，加热合金丝的温度至250℃，控制样品台温度为30℃，沉积压强为300mTorr，沉积时间为10分钟，防护涂层厚度为300nm，沉积速率为30nm/min。
本实施例制得的防护涂层聚1,3,5-三乙烯基-1,3,5-三甲基环三硅氧烷可用作电子器件的绝缘层与封装层。
Claims (10)
1.一种电子产品防护涂层的制备方法，其特征在于：所述制备方法在引发式化学气相沉积设备中完成，采用引发式化学气相沉积方法在电子产品表面形成防护涂层；
其中，所述引发式化学气相沉积设备包括：反应腔、设置于反应腔一侧供反应气体进入反应腔内的进气系统、以及位于反应腔另一侧且与反应腔相联接的真空控制系统；反应腔内设置有用于加热的合金丝、样品台、位于样品台底部的循环水冷却装置；
所述制备方法的步骤包括：将电子产品放入反应腔内的样品台上，利用真空控制系统排出腔体中的空气，使反应腔内处于真空状态；将反应气体按照预设的流量比经进气系统通入到反应腔体中，并达到预设压强；其中所述反应气体包括引发剂和镀层材料单体；反应气体经过已加热到预设温度的合金丝，其中所述引发剂在已加热合金丝的诱导下会进行热分解形成自由基；自由基和镀层材料单体在位于样品台上的电子产品表面吸附并进行室温下的原位自由基聚合反应，形成本发明所述的电子产品防护涂层。
2.根据权利要求1所述的一种电子产品防护涂层的制备方法，其特征在于：所述引发式化学气相沉积设备还包括设置于反应腔外部的加热带。
3.根据权利要求2所述的一种电子产品防护涂层的制备方法，其特征在于：所述制备方法的步骤包括：所述防护涂层的制备过程中，所述加热带的加热温度控制在30℃～70℃范围内。
4.根据权利要求1～3任意一项所述的一种电子产品防护涂层的制备方法，其特征在于：所述镀层材料单体选自含氟烷烃的一种或几种，其中含氟烷烃类结构式为CH2=C(R1)-COO-R2，R1是-H或者-CH3，R2是-(CH2)-(CF2)n-CF3，其中n=3-7；所述引发剂选自二叔丁基过氧化氢，二叔戊基过氧化氢，过氧化苯甲酸特丁酯或者全氟丁基磺酰氟的一种或几种；所述合金丝的加热预设温度为150℃～200℃。
5.根据权利要求1～3任意一项所述的一种电子产品防护涂层的制备方法，其特征在于：所述镀层材料单体选自硅氧烷中的一种或几种，其中硅氧烷结构式为CH2=CH(R3)，R3表示含有Si-O-Si单元的链状结构或者环状结构；所述引发剂选自二叔丁基过氧化氢，二叔戊基过氧化氢，过氧化苯甲酸特丁酯或者全氟丁基磺酰氟的一种或几种；所述合金丝的加热预设温度为200℃～250℃。
6.根据权利要求4或5所述的一种电子产品防护涂层的制备方法，其特征在于：所述镀层单体和引发剂的流量比控制在1:3～10:1之间。
7.根据权利要求1～3任意一项所述的一种电子产品防护涂层的制备方法，其特征在于：所述室温下的原位自由基聚合反应，其中所述室温是指控制样品台温度在20℃～40℃。
8.根据权利要求1～3任意一项所述的一种电子产品防护涂层的制备方法，其特征在于：所述预设压强范围为100～500mTorr。
9.根据权利要求1～3任意一项所述的一种电子产品防护涂层的制备方法，其特征在于：所述电子产品，包括各类电子元器件、电路板，显示设备；且所述电子产品内的部件材料包括金属制品、塑料制品或纸制品。
10.一种防护涂层在电子产品上的应用，所述防护涂层根据权利要求1～9任一项制备方法制得。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN105937024A true CN105937024A (zh) | 2016-09-14 |
Family
ID=57152233
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|---|---|---|---|
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Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
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