CN105928461A - 一种精确测量超薄四面非晶体碳膜膜厚的方法 - Google Patents

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李玉宏
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Abstract

本发明涉及一种精确测量超薄四面体非晶碳膜膜厚的方法，该方法包括以下步骤：（1）将石英片背面处理成粗糙面，并测量该衬底的光学常数；（2）在石英衬底外，再新增加硅衬底，在同一炉中两种衬底按常规方法制备膜厚小于50nm的超薄ta‑C膜；（3）测量超薄ta‑C膜的透过率T；（4）测量超薄ta‑C 膜的椭偏参数 j 与 Δ；（5）将透过率T经数据格式转换后，导入椭偏仪，并与椭偏参数 j 及 Δ进行拟合；（6）以硅衬底层、超薄ta‑C膜层及表面粗糙层构建数学物理模型，并通过Wvase32拟合软件获得超薄ta‑C膜的膜厚即可。本发明可以快速、方便、准确的测量超薄ta‑C 碳膜，提高表征精度，制备简单。

Description

一种精确测量超薄四面非晶体碳膜膜厚的方法
技术领域
本发明涉及材料表征技术领域，尤其涉及一种精确测量超薄四面体非晶碳膜膜厚的方法。
背景技术
四面体非晶碳膜具有高硬度、光滑、低摩擦系数、良好的光学特性等优点，在微电子器件、汽车发动机、薄膜太阳能电池等方面具有广阔的应用前景。特别是作为一种保护涂层已被广泛应用于磁存储器件。为了满足磁存储密度迅速提高的要求，必须减小读写磁头和磁盘间的距离，有效的办法是减小保护涂层的厚度；同时，随着各种微电器器件微型化、小型化的发展趋势，需要一种只有几十到几个纳米厚度且满足各种器件要求的保护涂层。在实际研究中，能够快速、方便、准确表征超薄ta-C膜膜厚的方法较少，且精确表征较为困难。因此，针对不同的应用需求，如何方便、快速、准确的测量超薄ta-C 膜的膜厚，进而深入研究薄膜的微观特性和力学特性，已经成为限制超薄ta-C膜研究和应用的关键。
目前，测量超薄ta-C 碳膜膜厚的方法主要有AFM（原子力显微镜）、XRR（X射线反射）、椭偏法等。这些方法在测定薄膜厚度方面都具有各自的优点，但作为精确测量超薄（≤50nm）四面体非晶碳膜膜厚的方法都存在不足。AFM可以准确测得超薄薄膜厚度，但测量速度慢、且容易损伤样品。XRR法需要建立光谱模型，且光学常数未知，拟合过程较为复杂。传统上仅利用椭偏仪测量薄膜厚度，由于需要对材料本身性质非常了解，再根据材料性质选择模型经过拟合得到结果，因此测量准确性较差，不适合超薄（≤50nm）薄膜厚度测量，特别是对于在一些波段区域不透明的薄膜材料，更不适合。
发明内容
本发明的目的在于提供一种可以快速、方便、准确的测量超薄ta-C 碳膜，提高表征精度，制备简单的精确测量超薄四面体非晶碳膜膜厚方法。
为解决上述问题，本发明所述的一种精确测量超薄四面体非晶碳膜膜厚的方法，包括以下步骤：
（1）将石英片背面用喷砂机喷砂处理成粗糙面，或用尺寸与石英片大小相同的带磨砂的透明胶带粘贴在石英片背面，并用椭偏仪测量该衬底的光学常数；
（2）在所述步骤⑴所得的石英衬底外，再新增加硅衬底，在同一炉中两种衬底按常规方法制备膜厚小于50nm的超薄ta-C膜；
（3）利用分光光度计测量所述超薄ta-C膜的透过率T；
（4）启动椭偏仪，将表面沉积超薄ta-C膜的硅衬底加载在样品台上，测量超薄ta-C 膜的椭偏参数 j 与 Δ；
（5）将所述透过率T经数据格式转换后，导入所述椭偏仪，并与所述椭偏参数 j 及Δ进行拟合；
（6）以Si_jaw模型表示的硅衬底层、Genosc函数模型表示的超薄ta-C膜层及Bruggeman有效介质近似理论处理的表面粗糙层构建数学物理模型，并通过Wvase32拟合软件获得超薄ta-C膜的膜厚即可。
所述步骤（1）中石英片的尺寸为4cm×4cm。
所述步骤（1）中椭偏仪的工作参数是指波长为190~1700nm，扫描步长为1nm。
所述步骤（1）中光学常数是指折射率和消光系数。
所述步骤（4）中椭偏仪的测量参数设在波长为250~1700nm，光线入射角分别选择55°、60°、65°。
与现有技术相比，本发明具有以下有益效果：
（1）对样品无特殊要求，样品制备相对简单；
（2）测量过程简单、方便、快速，且对样品无损；
（3）该方法拟合得到的不同膜厚的超薄ta-C膜厚度与原子力显微镜AFM、X射线反射XRR法测量相比具有更高的超薄ta-C碳膜膜厚表征准确度。
附图说明
下面结合附图对本发明的具体实施方式作进一步详细的说明。
图1是本发明通过不同方法测量超薄ta-C碳膜膜厚的比较图。
具体实施方式
下面结合具体的实施例对本发明做进一步的详细说明，所述是对本发明的解释而不是限定。
实施例1 一种精确测量超薄四面体非晶碳膜膜厚的方法，包括以下步骤：
（1）将尺寸为4cm×4cm石英片背面用喷砂机喷砂处理成粗糙面，或用尺寸与石英片大小相同的带磨砂的透明胶带粘贴在石英片背面，并用波长为190~1700nm，扫描步长为1nm的椭偏仪测量该衬底的折射率和消光系数；
（2）在步骤⑴所得的石英衬底外，再新增加硅衬底，在同一炉中两种衬底按常规方法沉积4min，开始制备超薄ta-C膜；
（3）利用分光光度计测量超薄ta-C膜的透过率T；
（4）启动椭偏仪，设定工作参数的波长为250-1700nm，光线入射角分别为55°、60°、65°，将表面沉积超薄ta-C膜的硅衬底加载在样品台上，测量超薄ta-C 膜的椭偏参数 j 与 Δ；
（5）将透过率T经数据格式转换后，导入椭偏仪，并与椭偏参数 j 及 Δ进行拟合；
（6）以Si_jaw模型表示的硅衬底层、Genosc函数模型表示的超薄ta-C膜层及Bruggeman有效介质近似理论处理的表面粗糙层构建数学物理模型，并通过Wvase32拟合软件获得超薄ta-C膜的膜厚为7.6nm。
实施例2 一种精确测量超薄四面体非晶碳膜膜厚的方法，包括以下步骤：
（1）将尺寸为4cm×4cm石英片背面用喷砂机喷砂处理成粗糙面，或用尺寸与石英片大小相同的带磨砂的透明胶带粘贴在石英片背面，并用波长为190~1700nm，扫描步长为1nm的椭偏仪测量该衬底的折射率和消光系数；
（2）在步骤⑴所得的石英衬底外，再新增加硅衬底，在同一炉中两种衬底按常规方法沉积10min，开始制备超薄ta-C膜；
（3）利用分光光度计测量超薄ta-C膜的透过率T；
（4）启动椭偏仪，设定工作参数的波长为250-1700nm，光线入射角分别为55°、60°、65°，将表面沉积超薄ta-C膜的硅衬底加载在样品台上，测量超薄ta-C 膜的椭偏参数 Y 与 Δ；
（5）将透过率T经数据格式转换后，导入椭偏仪，并与椭偏参数 Y 及Δ进行拟合；
（6）以Si_jaw模型表示的硅衬底层、Genosc函数模型表示的超薄ta-C膜层及Bruggeman有效介质近似理论处理的表面粗糙层构建数学物理模型，并通过Wvase32拟合软件获得超薄ta-C膜的膜厚为17.5nm。
实施例3 一种精确测量超薄四面体非晶碳膜膜厚的方法，包括以下步骤：
（1）将尺寸为4cm×4cm石英片背面用喷砂机喷砂处理成粗糙面，或用尺寸与石英片大小相同的带磨砂的透明胶带粘贴在石英片背面，并用波长为190~1700nm，扫描步长为1nm的椭偏仪测量该衬底的折射率和消光系数；
（2）在步骤⑴所得的石英衬底外，再新增加硅衬底，在同一炉中两种衬底按常规方法沉积15min，开始制备超薄ta-C膜；
（3）利用分光光度计测量超薄ta-C膜的透过率T；
（4）启动椭偏仪，设定工作参数的波长为250-1700nm，光线入射角分别为55°、60°、65°，将表面沉积超薄ta-C膜的硅衬底加载在样品台上，测量超薄ta-C 膜的椭偏参数 Y 与 Δ；
（5）将透过率T经数据格式转换后，导入椭偏仪，并与椭偏参数 Y 及 Δ进行拟合；
（6）以Si_jaw模型表示的硅衬底层、Genosc函数模型表示的超薄ta-C膜层及Bruggeman有效介质近似理论处理的表面粗糙层构建数学物理模型，并通过Wvase32拟合软件获得超薄ta-C膜的膜厚为24nm。
实施例4一种精确测量超薄四面体非晶碳膜膜厚的方法，包括以下步骤：
（1）将尺寸为4cm×4cm石英片背面用喷砂机喷砂处理成粗糙面，或用尺寸与石英片大小相同的带磨砂的透明胶带粘贴在石英片背面，并用波长为190~1700nm，扫描步长为1nm的椭偏仪测量该衬底的折射率和消光系数；
（2）在步骤⑴所得的石英衬底外，再新增加硅衬底，在同一炉中两种衬底按常规方法沉积4min，开始制备超薄ta-C膜；
（3）利用分光光度计测量超薄ta-C膜的透过率T；
（4）启动椭偏仪，设定工作参数的波长为190-1700nm，光线入射角分别为55°、60°、65°，将表面沉积超薄ta-C膜的硅衬底加载在样品台上，测量超薄ta-C 膜的椭偏参数 Y 与 Δ；
（5）将透过率T经数据格式转换后，导入椭偏仪，并与椭偏参数 Y 及 Δ进行拟合；
（6）以Si_jaw模型表示的硅衬底层、Genosc函数模型表示的超薄ta-C膜层及Bruggeman有效介质近似理论处理的表面粗糙层构建数学物理模型，并通过Wvase32拟合软件获得超薄ta-C膜的膜厚为10nm。
实施例5 一种精确测量超薄四面体非晶碳膜膜厚的方法，包括以下步骤：
（1）将尺寸为4cm×4cm石英片背面用喷砂机喷砂处理成粗糙面，或用尺寸与石英片大小相同的带磨砂的透明胶带粘贴在石英片背面，并用波长为190~1700nm，扫描步长为1nm的椭偏仪测量该衬底的折射率和消光系数；
（2）在步骤⑴所得的石英衬底外，再新增加硅衬底，在同一炉中两种衬底按常规方法沉积10min，开始制备膜超薄ta-C膜；
（3）利用分光光度计测量超薄ta-C膜的透过率T；
（4）启动椭偏仪，设定工作参数的波长为190-1700nm，光线入射角分别为55°、60°、65°，将表面沉积超薄ta-C膜的硅衬底加载在样品台上，测量超薄ta-C 膜的椭偏参数 Y 与 Δ；
（5）将透过率T经数据格式转换后，导入椭偏仪，并与椭偏参数 Y 及Δ进行拟合；
（6）以Si_jaw模型表示的硅衬底层、Genosc函数模型表示的超薄ta-C膜层及Bruggeman有效介质近似理论处理的表面粗糙层构建数学物理模型，并通过Wvase32拟合软件获得超薄ta-C膜的膜厚为21nm。
实施例6 一种精确测量超薄四面体非晶碳膜膜厚的方法，包括以下步骤：
（1）将尺寸为4cm×4cm石英片背面用喷砂机喷砂处理成粗糙面，或用尺寸与石英片大小相同的带磨砂的透明胶带粘贴在石英片背面，并用波长为190~1700nm，扫描步长为1nm的椭偏仪测量该衬底的折射率和消光系数；
（2）在步骤⑴所得的石英衬底外，再新增加硅衬底，在同一炉中两种衬底按常规方法沉积15min，开始制备超薄ta-C膜；
（3）利用分光光度计测量超薄ta-C膜的透过率T；
（4）启动椭偏仪，设定工作参数的波长为190-1700nm，光线入射角分别为55°、60°、65°，将表面沉积超薄ta-C膜的硅衬底加载在样品台上，测量超薄ta-C 膜的椭偏参数 Y 与 Δ；
（5）将透过率T经数据格式转换后，导入椭偏仪，并与椭偏参数 Y 及Δ进行拟合；
（6）以Si_jaw模型表示的硅衬底层、Genosc函数模型表示的超薄ta-C膜层及Bruggeman有效介质近似理论处理的表面粗糙层构建数学物理模型，并通过Wvase32拟合软件获得超薄ta-C膜的膜厚为28.1nm。

Claims (5)

1.一种精确测量超薄四面体非晶碳膜膜厚的方法，包括以下步骤：
（1）将石英片背面用喷砂机喷砂处理成粗糙面，或用尺寸与石英片大小相同的带磨砂的透明胶带粘贴在石英片背面，并用椭偏仪测量该衬底的光学常数；
（2）在所述步骤⑴所得的石英衬底外，再新增加硅衬底，在同一炉中两种衬底按常规方法制备膜厚小于50nm的超薄ta-C膜；
（3）利用分光光度计测量所述超薄ta-C膜的透过率T；
（4）启动椭偏仪，将表面沉积超薄ta-C膜的硅衬底加载在样品台上，测量超薄ta-C 膜的椭偏参数 j 与 Δ；
（5）将所述透过率T经数据格式转换后，导入所述椭偏仪，并与所述椭偏参数 j 及Δ进行拟合；
（6）以Si_jaw模型表示的硅衬底层、Genosc函数模型表示的超薄ta-C膜层及Bruggeman有效介质近似理论处理的表面粗糙层构建数学物理模型，并通过Wvase32拟合软件获得超薄ta-C膜的膜厚即可。
2.如权利要求1所述的一种精确测量超薄四面体非晶碳膜膜厚的方法，其特征在于：所述步骤（1）中石英片的尺寸为4cm×4cm。
3.如权利要求1所述的一种精确测量超薄四面体非晶碳膜膜厚的方法，其特征在于：所述步骤（1）中椭偏仪的工作参数是指波长为190~1700nm，扫描步长为1nm。
4.如权利要求1所述的一种精确测量超薄四面体非晶碳膜膜厚的方法，其特征在于：所述步骤（1）中光学常数是指折射率和消光系数。
5.如权利要求1所述的一种精确测量超薄四面体非晶碳膜膜厚的方法，其特征在于：所述步骤（4）中椭偏仪的测量参数设在波长为250~1700nm，光线入射角分别选择55°、60°、65°。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110208213A (zh) * 2019-05-22 2019-09-06 电子科技大学 碳化硅-二氧化硅界面过渡层的光学表征方法
CN110243331A (zh) * 2019-07-17 2019-09-17 上海华力集成电路制造有限公司 非晶碳膜的膜厚监测方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101629319A (zh) * 2009-08-11 2010-01-20 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 一种退除钢铁表面类金刚石碳膜的方法
US20100203299A1 (en) * 2009-02-10 2010-08-12 David Abdallah Hardmask Process for Forming a Reverse Tone Image Using Polysilazane
CN102680410A (zh) * 2012-05-03 2012-09-19 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 无损、快速、准确表征四面体非晶碳薄膜键态结构的方法
CN105869995A (zh) * 2016-04-22 2016-08-17 酒泉职业技术学院 一种降低超薄四面体非晶碳膜应力的方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100203299A1 (en) * 2009-02-10 2010-08-12 David Abdallah Hardmask Process for Forming a Reverse Tone Image Using Polysilazane
CN101629319A (zh) * 2009-08-11 2010-01-20 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 一种退除钢铁表面类金刚石碳膜的方法
CN102680410A (zh) * 2012-05-03 2012-09-19 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 无损、快速、准确表征四面体非晶碳薄膜键态结构的方法
CN105869995A (zh) * 2016-04-22 2016-08-17 酒泉职业技术学院 一种降低超薄四面体非晶碳膜应力的方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
李倩、杭凌侠、徐均琪: "UBMS技术制备DLC薄膜的光学常数椭偏分析", 《应用光学》 *

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110208213A (zh) * 2019-05-22 2019-09-06 电子科技大学 碳化硅-二氧化硅界面过渡层的光学表征方法
CN110243331A (zh) * 2019-07-17 2019-09-17 上海华力集成电路制造有限公司 非晶碳膜的膜厚监测方法
CN110243331B (zh) * 2019-07-17 2022-02-01 上海华力集成电路制造有限公司 非晶碳膜的膜厚监测方法

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