CN105914181A - 一种再分布层的制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种再分布层的制备方法,其包括如下步骤:a、提供待进行RDL工艺的晶圆器件体,所述晶圆器件体包括晶圆体以及位于所述晶圆体上的器件层;b、在上述器件层上沉积TiCu层,并在所述TiCu层上设置掩膜层;c、对上述掩膜层进行选择性地掩蔽和刻蚀,以得到贯通掩膜层的刻蚀窗口;d、在上述刻蚀窗口内进行Cu电镀,以得到电镀Cu层;e、在上述电镀Cu层上设置保护层,所述保护层覆盖在电镀Cu层上;f、去除上述的掩膜层,以得到位于TiCu层上的电镀Cu层以及保护层;g、利用上述的电镀Cu层以及保护层对TiCu层进行刻蚀,以得到与器件层匹配连接的布线结构体。
Description
技术领域
本发明涉及一种方法,尤其是一种再分布层的制备方法,属于半导体器件的技术领域。
背景技术
在RDL(重布线层)制备过程中,RDL表面的Cu层会被腐蚀,而Cu层被腐蚀后,会存在如下的问题:1)、在进行自动光学检测时,会将RDL表面的刻蚀痕迹误报为缺陷;2)、RDL表面被刻蚀,会导致整个晶圆上RDL的厚度一致性降低;3)、RDL表面被刻蚀,针对细线条的情况,会出现RDL线条丢失。
发明内容
本发明的目的是克服现有技术中存在的不足,提供一种再分布层的制备方法,其工艺步骤简单,能有效避免对Cu层表面的腐蚀,提高RDL厚度的一致性,避免细线条情况的线条丢失以及自动光学检测时的缺陷误报,安全可靠。
按照本发明提供的技术方案,一种再分布层的制备方法,所述再分布层制备方法包括如下步骤:
a、提供待进行RDL工艺的晶圆器件体,所述晶圆器件体包括晶圆体以及位于所述晶圆体上的器件层;
b、在上述器件层上沉积TiCu层,并在所述TiCu层上设置掩膜层;
c、对上述掩膜层进行选择性地掩蔽和刻蚀,以得到贯通掩膜层的刻蚀窗口;
d、在上述刻蚀窗口内进行Cu电镀,以得到电镀Cu层;
e、在上述电镀Cu层上设置保护层,所述保护层覆盖在电镀Cu层上;
f、去除上述的掩膜层,以得到位于TiCu层上的电镀Cu层以及保护层;
g、利用上述的电镀Cu层以及保护层对TiCu层进行刻蚀,以得到与器件层匹配连接的布线结构体。
所述晶圆体包括硅晶圆,所述掩膜层包括光刻胶层。
所述保护层为电镀在电镀Cu层上的Ni层。
本发明的优点:通过在电镀Cu层上电镀Ni层形成保护层,利用保护层的作用,能有效避免在TiCu层刻蚀时,对电镀Cu层表面的腐蚀,同时也能避免电镀Cu层的氧化,工艺步骤简单,提高RDL后晶圆厚度的一致性,避免细线条情况的线条丢失,且也有效避免自动光学检测时的缺陷误报,安全可靠。
附图说明
图1~图8为本发明的具体实施工艺步骤图,其中
图1为本发明晶圆器件体的示意图。
图2为本发明得到TiCu层后的示意图。
图3为本发明得到掩膜层后的示意图。
图4为本发明得到刻蚀窗口后的示意图。
图5为本发明得到电镀Cu层后的示意图。
图6为本发明得到保护层后的示意图。
图7为本发明去除掩膜层后的示意图。
图8为本发明对TiCu层进行刻蚀后的示意图。
附图标记说明:1-晶圆体、2-器件层、3-TiCu层、4-掩膜层、5-刻蚀窗口、6-电镀Cu层以及7-保护层。
具体实施方式
下面结合具体附图和实施例对本发明作进一步说明。
如图1~图8所示:为了能有效避免对Cu层的腐蚀,提高RDL厚度的一致性,避免细线条情况的线条丢失,本发明的再分布层制备方法包括如下步骤:
a、提供待进行RDL工艺的晶圆器件体,所述晶圆器件体包括晶圆体1以及位于所述晶圆体1上的器件层2;
如图1所示,晶圆体1可以为硅晶圆,当然也可以为其他半导体材料晶圆,器件层2位于晶圆体1的正面,器件层2的具体结构以及制备工艺均可以根据需要进行选择,具体的过程为本技术领域人员所熟知,此处不再赘述。
b、在上述器件层2上沉积TiCu层3,并在所述TiCu层3上设置掩膜层4;
如图2和图3所示,可以采用本技术常用的工艺条件在器件层2上沉积TiCu层3,掩膜层4可以为光刻胶层,当掩膜层4为光刻胶层时,将光刻胶涂覆在TiCu层3,具体工艺过程为本技术领域人员所熟知,此处不再赘述。
c、对上述掩膜层4进行选择性地掩蔽和刻蚀,以得到贯通掩膜层4的刻蚀窗口5;
如图4所示,当掩膜层4采用光刻胶时,对掩膜层4进行选择性地掩蔽和光刻,得到刻蚀窗口5,所述刻蚀窗口5贯通掩膜层4,以使得对应的TiCu层3裸露,具体得到刻蚀窗口5的工艺过程为本技术领域人员所熟知,此处不再赘述。
d、在上述刻蚀窗口5内进行Cu电镀,以得到电镀Cu层6;
如图5所示,所述电镀Cu层6位于刻蚀窗口5内,电镀Cu层6与裸露的TiCu层3表面直接接触,具体电镀得到电镀Cu层6的工艺条件以及工艺过程为本技术领域人员所熟知,此处不再赘述。
e、在上述电镀Cu层6上设置保护层7,所述保护层7覆盖在电镀Cu层6上;
如图6所示,所述保护层7可以为Ni层,所述Ni层可以通过电镀的方式设置在电镀Cu层6上,具体在电镀Cu层6上电镀Ni层的工艺条件及过程均为本技术领域人员所熟知,此处不再赘述。一般地,电镀Cu层6以及保护层7的高度不大于刻蚀窗口5的深度。
f、去除上述的掩膜层4,以得到位于TiCu层3上的电镀Cu层6以及保护层7;
如图7所示,采用本技术领域常规的工艺步骤能去除掩膜层4,在去除掩膜层4后,电镀Cu层6以及保护层7均支撑在TiCu层3上。
g、利用上述的电镀Cu层6以及保护层7对TiCu层3进行刻蚀,以得到与器件层2匹配连接的布线结构体。
如图8所示,在对TiCu层3进行刻蚀时,支撑电镀Cu层6以及保护层7区域的TiCu层3由于遮挡保留,其余区域的TiCu层3被去除,同时,利用Ni层的保护层7的作用,避免对电镀Cu层6的刻蚀,也能避免电镀Cu层6的氧化;保护层7的存在也不会影响整个再分布层的功能与使用。
本发明通过在电镀Cu层6上电镀Ni层形成保护层7,利用保护层7的作用,能有效避免在TiCu层刻蚀时,对电镀Cu层6表面的腐蚀,同时也能避免电镀Cu层6的氧化,工艺步骤简单,提高刻蚀后RDL厚度的一致性,避免细线条情况的线条丢失,且也有效避免自动光学检测时的缺陷误报,安全可靠。
Claims (3)
1.一种再分布层的制备方法,其特征是,所述再分布层制备方法包括如下步骤:
(a)、提供待进行RDL工艺的晶圆器件体,所述晶圆器件体包括晶圆体(1)以及位于所述晶圆体(1)上的器件层(2);
(b)、在上述器件层(2)上沉积TiCu层(3),并在所述TiCu层(3)上设置掩膜层(4);
(c)、对上述掩膜层(4)进行选择性地掩蔽和刻蚀,以得到贯通掩膜层(4)的刻蚀窗口(5);
(d)、在上述刻蚀窗口(5)内进行Cu电镀,以得到电镀Cu层(6);
(e)、在上述电镀Cu层(6)上设置保护层(7),所述保护层(7)覆盖在电镀Cu层(6)上;
(f)、去除上述的掩膜层(4),以得到位于TiCu层(3)上的电镀Cu层(6)以及保护层(7);
(g)、利用上述的电镀Cu层(6)以及保护层(7)对TiCu层(3)进行刻蚀,以得到与器件层(2)匹配连接的布线结构体。
2.根据权利要求1所述的再分布层的制备方法,其特征是:所述晶圆体(1)包括硅晶圆,所述掩膜层(4)包括光刻胶层。
3.根据权利要求1所述的再分布层的制备方法,其特征是:所述保护层(7)为电镀在电镀Cu层(6)上的Ni层。
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