CN105870254B - 一种双靶直流共溅射制备铜铟镓硒吸收层的方法 - Google Patents
一种双靶直流共溅射制备铜铟镓硒吸收层的方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN105870254B CN105870254B CN201610266729.2A CN201610266729A CN105870254B CN 105870254 B CN105870254 B CN 105870254B CN 201610266729 A CN201610266729 A CN 201610266729A CN 105870254 B CN105870254 B CN 105870254B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- targets
- target
- absorbed layer
- copper
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 42
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 26
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 24
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 19
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 19
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 18
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 18
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims abstract description 18
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 18
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 18
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 10
- 238000010792 warming Methods 0.000 claims abstract description 6
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 5
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 5
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 claims description 5
- 229910052774 Proactinium Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 abstract description 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 230000009102 absorption Effects 0.000 abstract 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 abstract 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 9
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 5
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 3
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 3
- 238000001237 Raman spectrum Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 2
- WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 3-(oxolan-2-yl)propanoic acid Chemical compound OC(=O)CCC1CCCO1 WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001369 Brass Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000010951 brass Substances 0.000 description 1
- 229910052980 cadmium sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000224 chemical solution deposition Methods 0.000 description 1
- 238000010549 co-Evaporation Methods 0.000 description 1
- HVMJUDPAXRRVQO-UHFFFAOYSA-N copper indium Chemical compound [Cu].[In] HVMJUDPAXRRVQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- QNWMNMIVDYETIG-UHFFFAOYSA-N gallium(ii) selenide Chemical compound [Se]=[Ga] QNWMNMIVDYETIG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009776 industrial production Methods 0.000 description 1
- 229910052500 inorganic mineral Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000011707 mineral Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 1
- 230000036632 reaction speed Effects 0.000 description 1
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000005118 spray pyrolysis Methods 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
- H01L31/0264—Inorganic materials
- H01L31/032—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only compounds not provided for in groups H01L31/0272 - H01L31/0312
- H01L31/0322—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only compounds not provided for in groups H01L31/0272 - H01L31/0312 comprising only AIBIIICVI chalcopyrite compounds, e.g. Cu In Se2, Cu Ga Se2, Cu In Ga Se2
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/541—CuInSe2 material PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
本发明属于一种双靶直流共溅射制备铜铟镓硒吸收层的方法，包括以下步骤：①提供基底，共溅射CuGa合金靶和In靶，制备铜铟镓预制层，共溅射的工艺条件为：本底真空为4~5×10‑4Pa，工作压强0.5~0.6 Pa，In靶的溅射功率为80 W，CuGa合金靶的溅射功率为25 W，溅射时间35~40 min；②将铜铟镓预制层放入快速退火炉中，20~25s内升温至545~550℃，545~550℃下硒化30~35 min，自然冷却至室温，即可得到铜铟镓硒吸收层。该发明将所制备的CIG预制层在特定的真空条件下进行快速退火硒化处理，即可得到电池级的、高质量的CIGS吸收层薄膜。
Description
技术领域
本发明属于光电功能材料技术领域，具体涉及一种双靶直流共溅射制备铜铟镓硒吸收层的方法。
背景技术
近年来，光伏行业的发展趋势是发展薄膜太阳能电池，因为它具有节省材料、运输成本低且生产速率高的优点。其中，铜铟硒(CIS)/铜铟镓硒(CIGS)为吸收层的薄膜太阳电池因其具有高效率、稳定性高的特点，有望成为新一代太阳电池的主流产品之一，CIGS是在CIS的基础上发展起来相同体系的太阳能电池，通过适量的Ga取代In，成为CuIn1-xGaxSe2多晶固溶体，其禁带宽度可以通过改变In和Ga的比例来调整。
CIGS吸收层的制备方法主要有真空蒸发法、金属预制层硒化法、分子束外延技术、喷涂热解法、磁控溅射法和电沉积方法等。其中真空共蒸发法在制备过程中可以有效地控制CIGS薄膜的成分。然而，蒸发法制备CIGS薄膜的工艺复杂、重复性较差、难以大面积构筑、反应速度慢、成本较高，因此不适合大规模工业化生产。
发明内容
本发明的目的是提供一种便于大面积获取和工业化应用的双靶直流共溅射制备铜铟镓硒吸收层的方法。
为实现上述目的，本发明采用的技术方案是，一种双靶直流共溅射制备铜铟镓硒吸收层的方法，包括以下步骤：①提供基底，共溅射CuGa合金靶和In靶，制备铜铟镓预制层，共溅射的工艺条件为：本底真空为4~5×10-4Pa，工作压强0.5~0.6 Pa，In靶的溅射功率为80W，CuGa合金靶的溅射功率为25 W，溅射时间35~40 min；②将铜铟镓预制层放入快速退火炉中，20~25s内升温至545~550℃，545~550℃下硒化30~35 min，自然冷却至室温，即可得到铜铟镓硒吸收层。
所述CuGa合金靶的原子数比为Cu:Ga=4:1。
优选的，步骤①中所用的基底为镀钼的钠钙玻璃基底。
本发明产生的有益效果是：本发明采用双靶直流共溅射方法制备铜铟镓（CIG）预制层，通过控制铟靶的溅射功率可以有效地控制CIG合金预制层中铟元素的含量，该发明为获取符合化学计量比的铜铟镓硒（CIGS）吸收层材料提供了一种简便易行的方法；将所制备的CIG预制层在特定的真空条件下进行快速退火硒化处理，即可得到电池级的、高质量的CIGS吸收层薄膜，通过构筑完善的CIGS薄膜光伏器件，可得到>8%的光电转换效率。该发明提供的完整的CIGS吸收层的溅射和硒化工艺为大规模工业化组配高效率CIGS薄膜光伏器件提供了新的途径。
附图说明
图1为本实施例1制备的铜铟镓预制层表面的SEM图，表面呈现颗粒状聚集；
图2为实施例1制备的铜铟镓预制层截面的SEM图，厚度约为500 nm；
图3为实施例1制备的铜铟镓硒吸收层表面的SEM图，呈现结晶良好的阶梯状形貌；
图4为实施例1制备的铜铟镓硒吸收层截面的SEM图，厚度约为1.5 µm，结晶良好；
图5为实施例1制备的铜铟镓硒吸收层的拉曼光谱曲线图；
图6为实施例1制备的CIGS薄膜太阳能电池的J-V曲线图。
具体实施方式
下面结合具体实施例对本发明作进一步说明，但本发明的保护范围不限于此。
实施例1
一种双靶直流共溅射制备铜铟镓硒吸收层的方法，包括以下步骤：①提供镀钼的钠钙玻璃基底，直流共溅射CuGa合金靶和In靶制备铜铟镓预制层，本底真空为4×10-4Pa，工作气体为高纯氩气（99.999%），工作压强0.5 Pa，In靶的溅射功率为80 W，CuGa合金靶的溅射功率为25 W，溅射时间40 min；②将铜铟镓预制层放入快速退火炉中，用固态硒粉和密封石墨盒在炉体压强为60 mtorr（毫托）真空下对铜铟镓预制层进行硒化处理，20s内升温至550℃，550℃下硒化30 min，自然冷却至室温，即可得到厚度为500 nm的铜铟镓硒吸收层。
所述CuGa合金靶的原子数比为Cu:Ga=4:1。
将实施例1制备得到的铜铟镓硒薄膜上用使用化学浴沉积的方法沉积一层硫化镉薄膜，然后磁控溅射法沉积ZnO和ITO薄膜，最后将样品放入掩模板中，采用真空蒸镀的方法蒸上一层Ag电极，得到CIGS太阳能薄膜电池（这些方法都是现有技术，在此不再赘述）。
实施例1制备的铜铟镓硒吸收层的拉曼光谱曲线图如图5所示，由图可以看出主峰在173cm-1 处显现出较强的CIGS特征峰，且在262cm-1处没有Cu2-xSe的特征峰，表明我们制备的吸收层中没有有害二元相的生成，只有纯黄铜矿相结构的CIGS存在。实施例1制备的CIGS薄膜太阳能电池的J-V曲线图如图6所示，从图6可以看出，制得的CIGS太阳能薄膜电池效率为8.5550%。
实施例2
一种双靶直流共溅射制备铜铟镓硒吸收层的方法，包括以下步骤：①提供镀钼的钠钙玻璃基底，直流共溅射CuGa合金靶和In靶制备铜铟镓预制层，本底真空为4×10-4Pa，工作气体为高纯氩气（99.999%），工作压强0.5 Pa，In靶的溅射功率为80 W，CuGa合金靶的溅射功率为25 W，溅射时间40 min；②将铜铟镓预制层放入快速退火炉中，用固态硒粉和密封石墨盒在炉体压强为60 mtorr（毫托）真空下对铜铟镓预制层进行硒化处理，25s内升温至545℃，545℃下硒化35 min，自然冷却至室温，即可得到厚度为500 nm的铜铟镓硒吸收层。
所述CuGa合金靶的原子数比为Cu:Ga=4:1。
实施例3
一种双靶直流共溅射制备铜铟镓硒吸收层的方法，包括以下步骤：①提供镀钼的钠钙玻璃基底，直流共溅射CuGa合金靶和In靶制备铜铟镓预制层，本底真空为5×10-4Pa，工作气体为高纯氩气（99.999%），工作压强0.5 Pa，In靶的溅射功率为80 W，CuGa合金靶的溅射功率为25 W，溅射时间40 min；②将铜铟镓预制层放入快速退火炉中，用固态硒粉和密封石墨盒在炉体压强为60 mtorr（毫托）真空下对铜铟镓预制层进行硒化处理，20s内升温至550℃，550℃下硒化30 min，自然冷却至室温，即可得到厚度为500 nm的铜铟镓硒吸收层。
所述CuGa合金靶的原子数比为Cu:Ga=4:1。
Claims (2)
1.一种双靶直流共溅射制备铜铟镓硒吸收层的方法，其特征在于，包括以下步骤：①提供基底，共溅射CuGa合金靶和In靶，所述CuGa合金靶的原子数比为Cu:Ga=4:1，制备铜铟镓预制层，共溅射的工艺条件为：本底真空为4~5×10-4Pa，工作压强0 .5~0 .6 Pa，In靶的溅射功率为80 W，CuGa合金靶的溅射功率为25 W，溅射时间35~40 min；②将铜铟镓预制层放入快速退火炉中，20~25s内升温至545~550℃，545~550℃下硒化30~35 min，自然冷却至室温，即可得到铜铟镓硒吸收层。
2.如权利要求1所述双靶直流共溅射制备铜铟镓硒吸收层的方法，其特征在于：步骤①中所用的基底为镀钼的钠钙玻璃基底。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201610266729.2A CN105870254B (zh) | 2016-04-27 | 2016-04-27 | 一种双靶直流共溅射制备铜铟镓硒吸收层的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201610266729.2A CN105870254B (zh) | 2016-04-27 | 2016-04-27 | 一种双靶直流共溅射制备铜铟镓硒吸收层的方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN105870254A CN105870254A (zh) | 2016-08-17 |
| CN105870254B true CN105870254B (zh) | 2017-08-25 |
Family
ID=56629366
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201610266729.2A Expired - Fee Related CN105870254B (zh) | 2016-04-27 | 2016-04-27 | 一种双靶直流共溅射制备铜铟镓硒吸收层的方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN105870254B (zh) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101740660A (zh) * | 2008-11-17 | 2010-06-16 | 北京华仁合创太阳能科技有限责任公司 | 铜铟镓硒太阳能电池、其吸收层薄膜及该薄膜的制备方法、设备 |
| CN101814553A (zh) * | 2010-03-05 | 2010-08-25 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 光辅助方法制备铜铟镓硒薄膜太阳电池光吸收层 |
| CN102044577A (zh) * | 2010-11-18 | 2011-05-04 | 深圳丹邦投资集团有限公司 | 一种柔性薄膜太阳电池及其制造方法 |
| CN102569514A (zh) * | 2012-01-04 | 2012-07-11 | 中国科学院合肥物质科学研究院 | 一种制备铜铟镓硒太阳能电池光吸收层的方法 |
| CN104319305A (zh) * | 2014-10-30 | 2015-01-28 | 上海科慧太阳能技术有限公司 | 一种制备cigs薄膜的方法及cigs薄膜 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005098968A1 (ja) * | 2004-04-09 | 2005-10-20 | Honda Motor Co., Ltd. | カルコパイライト型薄膜太陽電池用光吸収層の製造方法 |
| CN101459200B (zh) * | 2007-12-14 | 2011-07-20 | 中国电子科技集团公司第十八研究所 | 柔性铜铟镓硒薄膜太阳电池吸收层的制备方法 |
-
2016
- 2016-04-27 CN CN201610266729.2A patent/CN105870254B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101740660A (zh) * | 2008-11-17 | 2010-06-16 | 北京华仁合创太阳能科技有限责任公司 | 铜铟镓硒太阳能电池、其吸收层薄膜及该薄膜的制备方法、设备 |
| CN101814553A (zh) * | 2010-03-05 | 2010-08-25 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 光辅助方法制备铜铟镓硒薄膜太阳电池光吸收层 |
| CN102044577A (zh) * | 2010-11-18 | 2011-05-04 | 深圳丹邦投资集团有限公司 | 一种柔性薄膜太阳电池及其制造方法 |
| CN102569514A (zh) * | 2012-01-04 | 2012-07-11 | 中国科学院合肥物质科学研究院 | 一种制备铜铟镓硒太阳能电池光吸收层的方法 |
| CN104319305A (zh) * | 2014-10-30 | 2015-01-28 | 上海科慧太阳能技术有限公司 | 一种制备cigs薄膜的方法及cigs薄膜 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN105870254A (zh) | 2016-08-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN100413097C (zh) | 铜铟镓硒或铜铟镓硫或铜铟镓硒硫薄膜太阳能电池吸收层的制备方法 | |
| CN101814553B (zh) | 光辅助方法制备铜铟镓硒薄膜太阳电池光吸收层 | |
| CN107871795A (zh) | 一种基于柔性钼衬底的镉掺杂铜锌锡硫硒薄膜的带隙梯度的调控方法 | |
| CN102751388B (zh) | 一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池的制备方法 | |
| CN101527332B (zh) | 一种高效薄膜太阳能电池光吸收层的制备方法 | |
| CN102634767A (zh) | 一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池吸收层的制备方法 | |
| CN102694077B (zh) | 一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池的制备方法 | |
| CN101752451A (zh) | 一种薄膜太阳电池吸收层的制备方法 | |
| CN106549082B (zh) | 合金靶与硫化物靶共溅射制备铜锌锡硫薄膜吸收层的方法 | |
| CN101908580A (zh) | 一种连续制备铜铟镓硒硫太阳能电池吸收层的工艺 | |
| CN106449816B (zh) | 一种铜铟镓硒薄膜的制备方法 | |
| CN101805890A (zh) | 一种原位生长Cu2ZnSnS4光伏薄膜方法 | |
| CN104465807A (zh) | 一种czts纳米阵列薄膜太阳能光伏电池及其制备方法 | |
| CN105304763A (zh) | 全真空法制备铜锌锡硫薄膜太阳电池的方法 | |
| CN102751387B (zh) | 一种薄膜太阳能电池吸收层Cu(In,Ga)Se2薄膜的制备方法 | |
| CN110257770B (zh) | 一种pvd法制备v型掺杂铜铟镓硒吸收层的方法 | |
| CN111128747A (zh) | 一种双梯度带隙cigs太阳能电池的叠层吸收层的制备方法 | |
| CN103469170B (zh) | 一种用于薄膜太阳能电池的溅射靶 | |
| CN105870254B (zh) | 一种双靶直流共溅射制备铜铟镓硒吸收层的方法 | |
| CN103346213A (zh) | 一种太阳能电池吸收层的制备方法 | |
| CN103194726A (zh) | 一种铜铟镓硒薄膜的制造工艺 | |
| CN105932093B (zh) | 一种高质量cigs薄膜太阳能电池吸收层的制备方法 | |
| CN103474514B (zh) | 铜铟镓硒太阳能电池的制备方法 | |
| CN105428212A (zh) | 单靶溅射制备铜锌锡硒薄膜吸收层的方法 | |
| CN101967624A (zh) | Cu2ZnSnS4光伏薄膜的制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20170825 Termination date: 20180427 |
|
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |