CN105803273B - 磁盘用铝合金板、磁盘用铝合金坯体及磁盘用铝合金基片 - Google Patents

磁盘用铝合金板、磁盘用铝合金坯体及磁盘用铝合金基片 Download PDF

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Abstract

本发明提供抑制了微小的镀层缺陷的磁盘用铝合金板。本发明的磁盘用铝合金板，其构成为：含有Mg：3.5～5.5质量％、Fe：0.025质量％以下、Si：0.020质量％以下，并且，含有Cu：0.010～0.1质量％和Zn：0.05～0.4质量％之中的至少一者，余量由Al和不可避免的杂质构成，存在于表面的Al‑O‑C系夹杂物的绝对最大长度低于8μm，并且，存在于表面的绝对最大长度为0.5μm以上且低于2μm的Al‑O‑C系夹杂物的个数密度为3个/mm2以下。

Description

磁盘用铝合金板、磁盘用铝合金坯体及磁盘用铝合金基片
技术领域
本发明涉及磁盘用铝合金板、磁盘用铝合金坯体及磁盘用铝合金基片。
背景技术
作为计算机等的记录介质使用的磁盘，是在非磁性的基板上形成磁性膜而成。一般来说，对于该基板，要求轻量且具有高刚性，并有平滑的表面，为此使用JIS H 4000：2014所规定的5086合金(Al－Mg系合金)。
该基板在使用所述合金作为板材进行制造后，例如，按顺序进行如下处理：对该板材的表面进行镜面加工，并进行脱脂处理、酸蚀刻处理、剥黑膜处理、1st锌酸盐处理、硝酸剥离处理、2nd锌酸盐处理、非电解Ni－P镀覆处理。然后，在非电解Ni－P镀膜之上形成磁性膜等，制造磁盘。
用于磁盘的铝(Al)合金基板，例如，记述于专利文献1、2中。
具体来说，在专利文献1中，记述有一种磁盘用铝合金基板，其由含有Mg：3.5～15质量％、Si：0.01～0.1质量％、Fe：0.01～0.1质量％、Cr：0.02～0.35质量％，此外还含有Cu：0.01质量％以上且0.2质量％以下，和Zn：0.01质量％以上且低于0.4质量％之中的至少一种，余量由Al和不可避免的杂质构成的铝合金所形成。而且，在该专利文献1中，记述的要旨在于，该磁盘用铝合金基板中，表面的Al－Fe系金属间化合物的最大长度为7μm以下，Mg－Si系金属间化合物的最大长度为4μm以下，表面的Al3Mg2相的面积率为1％以下。
另外，在专利文献2中，记述有一种磁盘用铝合金基板，其含有Mg：3.5质量％以上且4.5质量％以下、Si：0.001质量％以上且0.06质量％以下及Fe：0.001质量％以上且0.06质量％以下，含有Cu：0.01质量％以上且0.2质量％以下和Zn：0.001质量％以上且0.4质量％以下之中的至少一种，此外作为必须成分，含有Cr：高于0.10质量％并在0.3质量％以下和Mn：高于0.10质量％并在0.3质量％以下之中的至少一种，余量由Al和不可避免的杂质构成，最大长度高于5μm的金属间化合物为1个/mm2以下，且平均晶粒直径为20μm以下。
专利文献1所述的磁盘用铝合金基板，强度优异，Ni－P镀覆后的表面的平滑性优异。另外，专利文献2所述的磁盘用铝合金基板，因为镀层凹坑等的表面缺陷(在以下的说明中，将镀层表面产生的缺陷称为“镀层缺陷”。)少，并且具有微细的晶粒组织，所以能够减少Ni－P镀覆表面的微小起伏。
【现有技术文献】
【专利文献】
专利文献1：日本特开2009－79286号公报
专利文献2：日本专利第5199714号公报
但是，近年来，随着磁盘的记录高密度化推进，专利文献1、2所述这样的现有技术中允许的宽为100nm以下的微小的凹陷和高度为10nm以下的微小的、平缓的突起被视为问题。该凹陷形成于Ni－P镀覆表面，被称为气蚀坑(ガスピット)，该突起被称为起泡。还有，这些气蚀坑和起泡也是镀层缺陷。
发明内容
本发明鉴于上述问题而形成，其课题在于，提供一种抑制了微小的镀层缺陷的磁盘用铝合金板、磁盘用铝合金坯体及磁盘用铝合金基片。
本发明者们为了解决所述课题而进行锐意研究开发时查明，存在于磁盘用铝合金板(以下，仅称为“Al合金板”。)的表面的Al－O－C系夹杂物会取得下述3个存在形态，而其分别导致微小的镀层缺陷。
〔1〕如图1的A所示，Al合金板的表面有绝对最大长度为8μm以上的Al－O－C系夹杂物，该Al－O－C系夹杂物经由镀前处理的酸蚀刻处理而完全熔化时，如图1的B所示，在Al合金板的表面形成塌陷(凹坑)。因此，在形成Ni－P镀膜时发生镀层凹坑。另外，若在Al合金板的表面有绝对最大长度8μm以上的Al－O－C系夹杂物，则在切削、磨削等的镜面加工时，该Al－O－C系夹杂物从Al合金板的表面脱落。这种情况下，也如图1的B所示，会在Al合金板的表面形成塌陷。因此，在Al合金板形成Ni－P镀膜时发生镀层凹坑。
另外，如图1的A所示，可知在Al合金板的表面有绝对最大长度8μm以上的Al－O－C系夹杂物，如图1的C所示，经镀前处理的酸蚀刻处理，该Al－O－C系夹杂物的一部分未熔化时，该未熔化Al－O－C系夹杂物未与锌酸盐液反应，而不会析出锌，因此镀层无法正常地生长。而且，残留在未熔化Al－O－C系夹杂物上的镀覆药液经过镀后的加热而气化膨胀，在Ni－P镀膜与Al合金板之间形成孔穴，发生起泡。
〔2〕另一方面，如图2的A所示，若形成于Al合金板的表面的绝对最大长度低于2μm(优选为0.5μm以上且低于2μm)的Al－O－C系夹杂物的个数密度超过3个/mm2，则以该Al－O－C系夹杂物为核而形成粗大的Al－Fe系金属间化合物。因此，如图2的B所示，经镀前处理的酸蚀刻处理，该粗大的Al－Fe系金属间化合物未完全被除去，而是有一部分未熔化，在Al合金板的表面形成粗大的塌陷。
然后，若对于图2的B所示的状态的Al合金板进行锌酸盐处理，则如图2的C所示，锌在未熔化Al－Fe系金属间化合物上会异常析出(在Al－Fe系金属间化合物的周边，Zn粒子过剩地析出)。若以此状态进行非电解Ni－P镀覆处理，则如图2的D所示，在锌异常析出的部分Ni－P镀膜异常析出，形成圆顶状的突起(所谓结瘤)。结瘤能够在镀后通过磨光除去，但因为阻碍平滑性，使磨光时间增加，所以生产率变差。
另外，若对于图2的C所示的锌异常析出的Al合金板进行镀前处理的清洗工序，则如图2的E所示，所述未熔化Al－Fe系金属间化合物会与锌一起脱落，Al面露出。若以图2的E所示的状态进行非电解Ni－P镀覆处理，则如图2的F所示，不仅在Al面露出的部分无法形成Ni－P镀膜，而且镀液中所含的次磷酸与Al发生反应，成为H2气发生的起点，因此形成气蚀坑。
另一方面，若对于图2的B所示的状态的Al合金板进行锌酸盐处理，则如图2的G所示，有锌不均匀地析出的情况、和锌不析出的情况。若以图2的G所示的状态进行非电解Ni－P镀覆处理，则如图2的H所示，未熔化Al－Fe系金属间化合物成为阴极，使H2气持续发生。因此，在这部分不会形成Ni－P镀膜，而形成气蚀坑。
〔3〕另外，在Al合金板的表面，若绝对最大长度在5μm以上且低于8μm的Al－O－C系夹杂物的个数密度高于5个/100cm2，则发生图1的A～C所示的现象同样的现象。
〔4〕还有，本发明者们确认到，存在于表面的绝对最大长度低于0.5μm的Al－O－C系夹杂物，因为尺寸微细，所以对于镀层凹坑、气蚀坑、起泡、结瘤等的镀层缺陷的发生几乎没有影响。另外，存在于表面的绝对最大长度为2μm以上且低于5μm的Al－O－C系夹杂物，因为尺寸适当，所以对于镀层凹坑、气蚀坑、起泡，结瘤等的镀层缺陷的发生几乎没有。因此，关于这些Al－O－C系夹杂物，也可以不设置有关个数密度等的规定。
本发明者们，根据所述〔1〕～〔3〕的认知发现，通过分别对其加以解决，从而能够抑制微小的镀层缺陷，也就是能够抑制宽4μm以上的镀层凹坑、气蚀坑和起泡以及宽4μm以上的结瘤的发生，从而完成了本发明。具体来说，本发明者们，根据所述〔1〕、〔2〕的认知，发现能够抑制宽4μm以上的镀层凹坑、气蚀坑及起泡的发生，和宽4μm以上的结瘤的发生，根据所述〔3〕的认知，发现能够抑制宽4μm以上的镀层凹坑和起泡的发生，从而完成了本发明。
解决所述课题的本发明的磁盘用铝合金板，其构成为，含有Mg：3.5～5.5质量％、Fe：0.025质量％以下、Si：0.020质量％以下，并且含有，Cu：0.010～0.1质量％和Zn：0.05～0.4质量％之中的至少一者，余量由Al和不可避免的杂质构成，存在于表面的Al－O－C系夹杂物的绝对最大长度低于8μm，并且，存在于表面的绝对最大长度为0.5μm以上且低于2μm的Al－O－C系夹杂物的个数密度为3个/mm2以下。
如此，本发明的磁盘用铝合金板，因为特定化学组成，由适当的制造条件(热处理和加工)制造，所以能够确实地得到作为磁盘用铝合金板所需要的机械的特性，例如，屈服强度。
另外，因为存在于磁盘用铝合金板的表面的Al－O－C系夹杂物，没有绝对最大长度在8μm以上的，所以能够抑制镀层凹坑和起泡等的微小的镀层缺陷。
此外，使存在于磁盘用铝合金板的表面的绝对最大长度为0.5μm以上且低于2μm的Al－O－C系夹杂物的个数密度为3个/mm2以下，因此能够抑制结瘤和气蚀坑等的微小的镀层缺陷。
本发明的磁盘用铝合金板，优选存在于表面的绝对最大长度为5μm以上且低于8μm的Al－O－C系夹杂物的个数密度为5个/100cm2以下。
如此，因为在磁盘用铝合金板的表面，绝对最大长度在5μm以上且低于8μm的Al－O－C系夹杂物的个数密度为5个/100cm2以下，所以能够抑制镀层凹坑和起泡等的微小的镀层缺陷。
另外，本发明的磁盘用铝合金坯体，采用的构成是，将所述的磁盘用铝合金板冲孔成圆盘状。
本发明的磁盘用铝合金坯体，因为将所述磁盘用铝合金板冲孔成圆盘状，所以难以发生微小的镀层缺陷。
此外，本发明的磁盘用铝合金基片，采用的构成是，使用所述磁盘用铝合金坯体。
本发明的磁盘用铝合金基片，因为使用所述磁盘用铝合金坯体，所以难以发生微小的镀层缺陷。
本发明的磁盘用铝合金板，因为特定化学组成，控制存在于表面的Al－O－C系夹杂物的大小和个数密度，所以能够抑制微小的镀层缺陷
本发明的磁盘用铝合金坯体，因为将所述磁盘用铝合金板冲孔成圆盘状，所以微小的镀层缺陷难以发生。
本发明的磁盘用铝合金基片，因为使用所述磁盘用铝合金坯体，所以微小的镀层缺陷难以发生。
附图说明
图1是说明在磁盘用铝合金板的表面，有绝对最大长度在8μm以上的Al－O－C系夹杂物时发生的微小的镀层缺陷(镀层凹坑和起泡)的概念图。
图2是说明在磁盘用铝合金板的表面，绝对最大长度低于2μm的Al－O－C系夹杂物的个数密度超过3个/mm2时发生的微小的镀层缺陷(结瘤和气蚀坑)的概念图。
具体实施方式
以下，对于本发明的磁盘用铝合金板、磁盘用铝合金坯体(以下，仅称为“坯体”。)及磁盘用铝合金基片(以下，仅称为“基片”。)的一个实施方式详细地加以说明。
[Al合金板]
本实施方式的Al合金板的化学组成，含有Mg：3.5～5.5质量％、Fe：0.025质量％以下、Si：0.020质量％以下，并且，含有Cu：0.010～0.1质量％和Zn：0.05～0.4质量％之中的至少一者，余量由Al和不可避免的杂质构成。这一化学组成相当于JIS H 4000：2014所规定的5086合金(Al－Mg系合金)。
在由这样的化学组成构成的Al合金板中，存在于表面的Al－O－C系夹杂物的绝对最大长度低于8μm，并且，使存在于表面的绝对最大长度在0.5μm以上且低于2μm的Al－O－C系夹杂物的个数密度为3个/mm2以下。还有，本说明书中的所谓“绝对最大长度”是指，例如以光学显微镜观察，或以扫描型电子显微镜(Scanning Electron Microscope，SEM)像(二次电子像)等观察时辨认到的该粒子上，相距最远的2点间的距离。
以下，对于规定化学组成、Al－O－C系夹杂物的大小和个数密度的理由等进行说明。
(Mg：3.5～5.5质量％)
Mg承担的作用是，具备作为Al合金板所需要的规定的机械的特性。作为机械的特性，例如，可列举屈服强度。屈服强度，例如，优选为90MPa以上。若屈服强度为90MPa以上，则作为Al合金板能够具有充分的强度。
若Mg量处于所述数值范围，则Al合金板的机械的特性，例如，屈服强度能够达到优异。若Mg量低于3.5质量％，则作为Al合金板的机械的特性差。另一方面，若Mg量高于5.5质量％，则热轧裂纹容易发生。
还有，Mg量的下限优选为3.7质量％，更优选为4.0质量％。另外，Mg量的上限优选为5.4质量％，更优选为5.2质量％。
(Fe：0.025质量％以下)
Fe通常作为基体金属杂质而混入Al合金中，在铸造工序中使Al－Fe系金属间化合物结晶出来。
若Fe量为0.025质量％以下，则不会对基片制造时的表面性状和品质造成影响，而能够使磨削性提高。
若Fe量高于0.025质量％，则Al－Fe系金属间化合物的绝对最大长度变得过大。若Al－Fe系金属间化合物的绝对最大长度过大，则进行镀前处理的酸蚀刻处理时，Al－Fe系金属间化合物的一部分不熔解而残留，其导致结瘤和气蚀坑等的镀层缺陷发生。另外，若Al－Fe系金属间化合物的绝对最大长度变得过大，则进行切削、磨削等的镜面加工时，Al－Fe系金属间化合物从Al合金板的表面脱落而形成塌陷，形成镀层凹坑。因此，若Fe量高于0.025质量％，则Ni－P镀膜表面的平滑性降低。因此，使Fe量为0.025质量％以下。
Fe量的下限没有特别规定，但如所述，由于作为基体金属杂质而混入Al合金中，所以如果规定下限，则将高于0质量％(即，不包括0质量％)。还有，为了使Fe量低于0.005质量％，需要使用高纯度的基体金属，成本非常高，所以不现实。因此，从成本方面出发，优选Fe量的下限为0.005质量％。优选Fe量的下限为0.009质量％，优选上限为0.021质量％。
(Si：0.020质量％以下)
Si通常作为基体金属杂质而混入铝合金中，使Mg－Si系金属间化合物产生。
若Si量高于0.020质量％，则Mg－Si系金属间化合物的绝对最大长度过大。若Mg－Si系金属间化合物的绝对最大长度变得过大，则进行切削、磨削等的镜面加工时，Mg－Si系金属间化合物从Al合金板的表面脱落而形成塌陷，形成镀层凹坑。因此，若Si量高于0.020质量％，则Ni－P镀膜表面的平滑性降低。另外，绝对最大长度过大的Mg－Si系金属间化合物，经过蚀刻处理，只有Mg熔解，而Si残留。在镀前处理的锌酸盐处理中，在Si上不会发生与Zn的置换反应，因此经非电解Ni－P镀覆处理，镀膜不会生长，Ni－P镀膜的密接性不足。因此，通过磁性膜成膜时等的加热，Al合金板上所形成的Ni－P镀膜发生起泡。因此，使Si量为0.020质量％以下。
Si量的下限没有特别规定，但如所述，由于作为基体金属杂质而混入Al合金中，所以如果规定下限，则是指高于0质量％(即，不包括0质量％)。还有，为了使Si量低于0.005质量％，则需要使用高纯度的基体金属，因为成本非常高，所以不现实。因此，优选Si量的下限为0.005质量％。优选Si量的下限为0.008质量％，优选上限为0.015质量％。
另外，本实施方式的Al合金板的Mg－Si系金属间化合物的绝对最大长度优选为4μm以下，更优选为3μm以下，进一步优选为2μm以下。
Mg－Si系金属间化合物的绝对最大长度，能够通过使Si量和Mg量在所述数值范围内，或使均质化热处理的条件为后述的条件而加以控制。
所述Fe、Si的含量的控制，例如，能够通过使用经三层电解法精炼的基体金属，或利用偏析法将其排除来进行，但Fe、Si的含量的控制并不受这些手段限定，而是能够应用公知的技术进行。
(Cu：0.010～0.1质量％和Zn：0.05～0.4质量％之中的至少一者)
Cu在Al合金板中均匀地固溶，在镀前处理的锌酸盐处理中，能够使锌酸盐浴中的Zn离子向Al合金板的表面均匀地微细析出。总之，通过在所述数值范围内含有Cu量，能够使锌酸盐皮膜均匀地形成，能够抑制Ni－P镀膜表面的结瘤的发生。即，Cu在所述范围含有，具有使Al合金板的Ni－P镀覆性提高的效果。
若Cu量低于0.01质量％，则锌酸盐皮膜的均匀性降低，结瘤发生。因此，Ni－P镀膜表面的平滑性降低。
另一方面，若Cu量高于0.1质量％，则在晶界析出Cu，因此在镀前处理的酸蚀刻处理中晶界部受到过蚀刻而形成塌陷，发生镀层凹坑，并且Ni－P镀膜表面的结瘤的发生非常多。
Cu量的下限优选为0.02质量％，上限优选为0.05质量％。
Zn也与Cu同样，在Al合金板中均匀地固溶，在镀前处理的锌酸盐处理中，能够使锌酸盐浴中的Zn离子向Al合金板的表面均匀地微细析出。总之，通过在所述的数值范围内含有Zn量，能够使锌酸盐皮膜均匀地形成，能够抑制Ni－P镀膜表面的结瘤的发生。即，Zn在所述范围含有，则具有使Al合金板的Ni－P镀覆性提高的效果。另外，伴随含量的增加的Zn在Al合金板中均匀地析出，在镀前处理的酸蚀刻处理中变成蚀刻起点，以及锌酸盐处理时的Zn离子析出据点。因此，在所述范围含有Zn，能够具有抑制因晶粒形成的高差这一效果。
若Zn量低于0.05质量％，则锌酸盐皮膜的均匀性降低，结瘤发生。因此，Ni－P镀膜表面的平滑性降低。
另一方面，若Zn量高于0.4质量％，则Zn的析出核变大，随之而来的是在镀前处理的酸蚀刻处理中所形成的塌陷也变大。因此，若Zn量高于0.4质量％，则镀层凹坑形成，Ni－P镀膜表面的平滑性降低。另外，若Zn量高于0.4质量％，则在晶界析出Al－Mg－Zn系金属间化合物，因此在镀前处理的酸蚀刻处理中，晶界部受到过蚀刻，Ni－P镀膜表面的结瘤的发生非常多。此外，若Zn量高于0.4质量％，则Al－Mg－Zn系金属间化合物也熔解，成为塌陷，其在镀后也残存(形成镀层凹坑)。因此，Ni－P镀膜表面的平滑性降低。
Zn量的下限优选为0.1质量％，上限优选为0.35质量％。更优选为的Zn量的下限值为0.15质量％。
(余量：Al和其他的不可避免的杂质)
构成本发明的Al合金板的化学组成的基本成分如所述，余量成分是Al和其他不可避免的杂质。作为其他的不可避免的杂质，例如，可列举Ti、Zr、V、B等。所述Fe、Si、Mn和Ni这样不可避免的杂质(基体金属杂质)及这里所列举的其他的不可避免的杂质，是在熔解时不可避免混入的杂质。还有，所述其他的不可避免的杂质，如果分别在0.005质量％以下，合计0.015质量％以下，则不会阻碍本发明的效果，因此只要满足所述条件，也可以使所述其他的不可避免的杂质、本说明书中说明的元素以外的元素积极地含有(总之，包含在本发明的技术的范围内。)。
(存在于表面的Al－O－C系夹杂物的绝对最大长度低于8μm)
本实施方式的Al合金板，使存在于表面的Al－O－C系夹杂物的绝对最大长度低于8μm。就是说，本实施方式的Al合金板，在表面不存在绝对最大长度为8μm以上的Al－O－C系夹杂物。
如此，若使存在于Al合金板的表面的Al－O－C系夹杂物的绝对最大长度低于8μm，则Al－O－C系夹杂物的尺寸小，因此在切削、磨削等的镜面加工时，能够抑制该Al－O－C系夹杂物从Al合金板的表面脱落而形成粗大的塌陷。因此，在形成Ni－P镀膜时，能够抑制微小的镀层缺陷发生。
另一方面，若存在于Al合金板的表面的Al－O－C系夹杂物的绝对最大长度处于8μm以上，则在切削、磨削等的镜面加工时，该Al－O－C系夹杂物从Al合金板的表面脱落而形成粗大的塌陷。因此，在Al合金板形成Ni－P镀膜时发生镀层凹坑，或由于镀后的加热导致起泡发生。总是，发生微小的镀层缺陷。
(存在于表面的绝对最大长度为0.5μm以上且低于2μm的Al－O－C系夹杂物的个数密度为3个/mm2以下)
存在于Al合金板的表面的绝对最大长度在0.5μm以上且低于2μm的Al－O－C系夹杂物，在铸造工序中成为Al－Fe系金属间化合物的核，使该Al－Fe系金属间化合物粗大化。
若该Al－O－C系夹杂物的个数密度为3个/mm2以下，则能够抑制在铸造工序中Al－Fe系金属间化合物以该夹杂物为核而粗大化。
另一方面，若该Al－O－C系夹杂物的个数密度超过3个/mm2，则以该Al－O－C系夹杂物为核而容易形成粗大的Al－Fe系金属间化合物。因此，镀前处理的酸蚀刻处理中粗大的Al－Fe系金属间化合物的一部分未熔化，形成塌陷。然后，通过镀前处理的锌酸盐处理，锌在所述未熔化Al－Fe系金属间化合物上异常析出，在进行非电解Ni－P镀覆处理时形成结瘤。另外，异常析出的锌与未熔化Al－Fe系金属间化合物一起在清洗时脱落，Al面露出。因此，镀覆成膜时发生异常的H2气，发生气蚀坑。
还有，该Al－O－C系夹杂物的个数密度优选为2个/mm2以下的，更优选为1个/mm2以下。
(存在于表面的绝对最大长度为5μm以上且低于8μm的Al－O－C系夹杂物的个数密度为5个/100cm2以下)
本实施方式的Al合金板，优选使存在于Al合金板的表面的绝对最大长度为5μm以上且低于8μm的Al－O－C系夹杂物的个数密度为5个/100cm2以下。通常，Al－O－C系夹杂物在酸蚀刻液中容易熔化，虽然8μm以下的夹杂物残存于表面的情况少，但由于夹杂物露出到磨削表面的状态会导致未熔化。因为Al－O－C系夹杂物和Ni－P镀膜的密接度不高，所以若在形成Ni－P镀膜后加热，则残存的夹杂物的位置容易发生起泡。但是，若使该Al－O－C系夹杂物的个数密度处于5个/100cm2以下，则Al－O－C系夹杂物的尺寸小，另外，Al－O－C系夹杂物的个数密度低，因此，即使在形成Ni－P镀膜后进行加热，也能够使起泡难以发生。因此，作为这样的构成时，能够在有抑制起泡这一课题时而将其解决。
另一方面，若存在于Al合金板的表面的绝对最大长度为5μm以上且低于8μm的Al－O－C系夹杂物的个数密度超过5个/100cm2，则该夹杂物的数量多，因此，通过镀前处理的酸蚀刻处理不一定能够完全除去全部的夹杂物，而是容易概率性发生未熔化。因此，经过形成Ni－P镀膜之后进行的加热而容易发生起泡。另外，若存在于Al合金板的表面的绝对最大长度为5μm以上且低于8μm的Al－O－C系夹杂物的个数密度超过5个/100cm2，则通过镀前处理的酸蚀刻处理完全熔化，或在切削、磨削等的镜面加工时，该Al－O－C系夹杂物从Al合金板的表面脱落，在Al合金板的表面容易形成塌陷。因此，在形成Ni－P镀膜时容易形成镀层凹坑。
根据以上说明的本实施方式的Al合金板，因为使化学组成在特定的范围，实施后述这样的热处理和加工，所以能够使存在于表面的Al－O－C系夹杂物的绝对最大长度低于8μm，并且，使存在于表面的绝对最大长度为0.5μm以上且低于2μm的Al－O－C系夹杂物的个数密度为3个/mm2以下，在Al合金板上形成Ni－P镀膜时，能够抑制镀层凹坑、气蚀坑、起泡和结瘤发生。
另外，在所述本实施方式的Al合金板中，如果使存在于表面的绝对最大长度为5μm以上且低于8μm的Al－O－C系夹杂物的个数密度为5个/100cm2以下，则能够抑制起泡、镀层凹坑。
[坯体和基片]
本实施方式的坯体，是根据需要调制所述本实施方式的Al合金板，通过对其进行冲压成形而冲孔成既定的圆盘状而制造。
另外，本实施方式的基片，是通过对于所述本实施方式的坯体进行磨削加工(镜面加工)而制造。
还有，关于本实施方式的坯体和基片的制造方法后述。
本实施方式的坯体和基片，与所述的实施方式的Al合金板同样，特定化学组成，存在于表面的Al－O－C系夹杂物的绝对最大长度低于8μm，并且，存在于表面的绝对最大长度为0.5μm以上且低于2μm的Al－O－C系夹杂物的个数密度为3个/mm2以下。因此，能够确实地得到作为坯体和基片所需要的机械的特性，例如，屈服强度，能够抑制镀层凹坑和起泡，此外，还能够抑制气蚀坑和结瘤。
另外，本实施方式的坯体和基片，与所述实施方式的Al合金板同样，如果使存在于表面的绝对最大长度为5μm以上且低于8μm的Al－O－C系夹杂物的个数密度为5个/100cm2以下，则能够抑制起泡、镀层凹坑。[Al合金板的制造方法]
本实施方式的Al合金板，能够通过制造磁盘用的基板的通常条件的制造方法和设备进行制造。例如，能够通过送至包括如下工序的一系列工序而制造：熔化所述化学组成的Al合金，铸造调整成所述化学组成的铸块的工序；对于该铸块进行均质化热处理的工序；热轧进行了均质化热处理的铸块而得到既定的板厚的热轧板的工序；对热轧板进行冷轧而得到冷轧板的工序。还有，根据需要，也可以在冷轧工序之前，或冷轧工序的途中进行中间退火。
在此，Al－O－C系夹杂物，以如下方式形成。即，由铝土矿制造氧化铝(Al2O3)(以下，称为“氧化铝”。)后，使用该氧化铝，通过霍尔－埃鲁法(hall heroult process)等精炼铝基体金属(以下，仅称为“Al基体金属”。)时，Al与碳电极反应而形成Al－C系夹杂物。然后，用熔炉熔化Al基体金属，调整化学组成而制造Al合金时、在铸造铸块时等，Al－C系夹杂物与大气中的氧反应，或与基体金属杂质和成分金属中的氧化物等反应，形成Al－O－C系夹杂物。因此，存在于Al合金板的表面的Al－O－C系夹杂物的绝对最大长度和个数密度的控制，优选通过熔化Al基体金属的熔化工序，和将熔化并调整了化学组成的Al合金铸造成既定的形状的铸造工序来进行。还有，铸块的铸造，例如优选以30～80mm/分的铸造速度进行。
存在于Al合金板的表面的Al－O－C系夹杂物的绝对最大长度和个数密度的控制，例如，能够通过下述(1)～(5)进行。
(1)使用Al－C系夹杂物的含量少的基体金属。还有，该基体金属，能够通过三层电解法等精炼而取得。
(2)熔液的精炼时使用适当量的助熔剂，借助发生的气体的气泡(例如AlCl3)，使Al－O－C系的夹杂物从熔液浮起分离。
(3)熔液的精炼时喷送适当量的Ar气和Cl2气之中的至少一者气体，使Al－O－C系夹杂物从熔液中浮起分离。
(4)熔液的脱气处理时喷送适当量的Ar气和Cl2气之中的至少一者气体，使Al－O－C系夹杂物从熔液中浮起分离。还有，熔液的脱气处理，例如，能够以透气塞(ポーラスプラグ)和旋转喷嘴惰性浮选(SNIF)进行。脱气处理时的熔液的停留时间、使用SNIF时的喷嘴转速可以任意设定，但为了有效率地除去夹杂物，优选使气体量例如为2～4Nm3/小时，优选使喷嘴转速例如为400～600rpm，优选使停留时间例如为3～8分。
(5)过滤时，使用网眼细小的过滤器，在过滤器内捕捉Al－O－C系夹杂物。过滤器，例如可以使用由氧化铝等制作的陶瓷管。
还有，存在于表面的绝对最大长度为0.5μm以上且低于2μm的Al－O－C系夹杂物的个数密度的控制，能够通过采用所述(1)～(4)之中的至少1个来进行。另外，存在于表面的绝对最大长度为2μm以上的Al－O－C系夹杂物的个数密度的控制，通过采用所述(1)～(5)之中的至少1个来进行。
均质化热处理，优选在对于Al合金的铸块进行表面切削后，例如，以500～570℃进行2小时以上。若是这样，则能够使Mg2Si等的Mg－Si系金属间化合物充分固溶。还有，表面切削量能够考虑偏析的程度而适宜变更，但其量优选每一面例如为3～20mm的范围，例如，优选以偏析有可能发生的、距铸造表皮10mm附近被充分除去的方式进行表面切削。
热轧优选例如对于490℃至400℃的温度域，以30分钟以内的短时间结束这样的条件进行。若是这样，则直到热轧结束而能够使金属间化合物不会粗大化或析出。
还有，若热轧结束温度低于300℃左右，则在其后的冷轧工序中发生滑移图案。滑移图案不会残留在磨削后的表面，因此不会损害作为磁盘基板的功能，但磨削前的Al合金板(坯体)的美观受损。因此，为了对其加以防止，优选热轧结束温度为300℃以上。
冷轧，例如，热轧结束温度为250℃以上时，优选以70％以上的冷轧率进行，热轧结束温度低于250℃时，优选以55％以上的冷轧率进行。若是如此，则能够施加使堆叠退火后的晶粒直径微细化所需要的应变能。
在此，在冷轧之前，或在冷轧的途中进行中间退火时，优选在中间退火后进行70％以上的冷轧。通过至此为止的工序，能够制造本实施方式的Al合金板。
[坯体的制造方法]
本实施方式的坯体，例如，能够通过进行制造坯体的工序和施加堆叠退火的工序来制造。
坯体的制造能够根据需要调质进行了所述冷轧的板材，再通过冲压成形将该板材冲孔成既定的圆盘状而进行。
堆叠退火能够通过将冲孔的圆盘状的板材(圆盘状板材)堆叠在高平坦度的隔板间，一边对整体加压一边退火(一般，将该经过加压退火的称为坯体)而进行。该堆叠退火，例如，优选以30℃/小时以上的升温速度加热，在300～360℃的温度范围保持1～5小时保持后，以30℃/小时以上的冷却速度冷却至200℃以下。若是如此，则能够除去圆盘状板材内的加工残留应力以及使平坦度提高。另外，能够得到微细的组织，可以使镀后的表面的微小起伏比现有的圆盘状板材有所减少。
如此制造的坯体，在进行了堆叠退火之后，能够对于圆盘状板材的内周边和外周边的端面施加规定的端面加工。
[基片的制造方法]
本实施方式的基片，例如，能够以如下方式制造。
在预设在双面研磨机的托架的袋内设置所述坯体。然后，若利用磨石进行磨削加工(镜面加工)至目标的板厚，则能够制造本实施方式的基片(还有，该基片也被称为研磨基片。)。
如此制造的本实施方式的基片的化学组成和金属组织与所述坯体同样，但因为进行镜面加工，所以与坯体比较而具备高平滑性。
(磁盘)
然后，对于如此制造的基片的表面进行酸蚀刻处理，形成非电解Ni－P镀膜，研磨其表面(还有，形成有非电解Ni－P镀膜的基片，被称为镀覆基片。)。接着，在该基片上，通过溅射等形成用于提高磁特性的衬底膜、由Co基合金构成的磁性膜、和用于保护磁性膜的由C(碳)构成的保护膜等，从而能够制作磁盘。
还有，所述的酸蚀刻处理、非电解Ni－P镀膜、衬底膜、磁性膜、保护膜的形成，能够以制造磁盘时通常所实施的条件进行。
另外，关于Al合金板、坯体以及基片等的制造条件，例如，详细记述在日本专利第3471557号公报和日本专利第5199714号公报中。因此，在制造坯体时也能够以其为参照。
(Al－O－C系夹杂物的绝对最大长度和个数密度的测量方法)
Al－O－C系夹杂物的绝对最大长度和个数密度的测量方法，有绝对最大长度为5μm以上的情况，和低于2μm的情况这两种。
绝对最大长度为5μm以上的Al－O－C系夹杂物的尺寸和个数密度的测量，能够通过如下方式进行，即，对于经切削加而成为镜面的Al合金板的表面，使用光学显微镜以任意的倍率(例如物镜5倍，目镜10倍)在亮视野像中观察。观察时也可以使用微分干渉滤光镜。另外，观察优选在外径95mm、内径25mm的圆环形状的整个单面(面积约6600mm2)进行。Al－O－C系夹杂物的绝对最大长度，能够用光学显微镜的亮视野像，测量粒子中相距最远的2点间的距离而计算。
绝对最大长度为0.5μm以上且低于2μm的Al－O－C系夹杂物的尺寸和个数密度，能够通过如下方式测量，即，对于经过镜面加工的Al合金板的表面，用扫描型电子显微镜(Scanning Electron Microscope，SEM)上连接有能量色散型X射线分析装置(EnergyDispersive Spectroscopy，EDS)的装置(以下，称为“SEM－EDS”。)，以任意的倍率拍摄1mm2(例如以1000倍拍摄100个视野)左右，分析所得到的SEM像(二次电子像)。还有，拍摄时优选照射W/ZrO的电子射线5秒左右。通过使用市场销售的粒子分析程序，能够确认绝对最大长度为0.5μm以上且低于2μm的Al－O－C系夹杂物。
屈服强度等的机械的特性，例如，能够依据JIS Z 2241：2011，由Al合金板(坯体，基片)制作试验片，通过进行金属材料拉伸试验而求得。
Al－Fe系金属间化合物的绝对最大长度和Mg－Si系金属间化合物的绝对最大长度能够以如下方式求得。首先，对于Al合金板(坯体，基片)的表面，使用SEM－EDS，例如，以1000倍的倍率拍摄20个视野(0.2mm2)，得到COMPO像(组成像)。然后，比母相显得白的部分视为Al－Fe系金属间化合物，比母相显得黑的部分视为Mg－Si系金属间化合物，由此能够测量各自的绝对最大长度(μm)。
还有，如所述，本实施方式的坯体和基片的差别，在于是否进行磨削加工(镜面加工)，本实施方式的坯体与Al合金板的差别，在于是否冲孔成圆盘状。因此，对于基片进行的Al－O－C系夹杂物的绝对最大长度和个数密度的测量结果、Al－Fe系金属间化合物的绝对最大长度的测量结果、Mg－Si系金属间化合物的绝对最大长度的测量结果，能够直接视为坯体和Al合金板的测量结果。
【实施例】
接下来，参照起到本发明的效果的实施例和未起到的比较例，对于本发明的内容具体地加以说明。
首先，以700℃熔化材料，得到Al合金的熔液，以成为表1的No.1～25所示的化学组成的方式调整成分。以保持炉保持调整了成分的熔液后，使用SNIF进行脱气处理。脱气处理，使用氩气，如表1所示，分别调节气体量(导入量)(Nm3/小时)·喷嘴转速·停留时间而进行。以SNIF进行熔液的脱气处理后，进行铸造前通常会进行的用过滤器进行的过滤，铸造铸块。
接着，进行除去铸块表面的偏析层的表面切削，以540℃进行8小时的均质化热处理。之后，立即进行热轧，制作板厚3mm的热轧板。然后，冷轧该热轧板，制造板厚1.0mm的冷轧板。
将制造的冷轧板冲孔成外径95mm，内径25mm的圆环形状，各20片进行堆叠，以320℃进行3小时退火后，以30℃/小时的冷却速度进行加压退火。然后，进行端面加工，制造3.5英寸型的坯体。而后，对于坯体表面(两面)用磨石进行单面10μm磨削加工(镜面加工)而制造基片。
对于制作的No.1～25的基片，以如下方式评价：〔1〕存在于表面的Al－O－C系夹杂物的绝对最大长度；〔2〕存在于表面的绝对最大长度为0.5μm以上且低于2μm的Al－O－C系夹杂物的个数密度；〔3〕存在于表面的绝对最大长度为5μm以上且低于8μm的Al－O－C系夹杂物的个数密度；〔4〕Al－Fe系金属间化合物的绝对最大长度；〔5〕Mg－Si系金属间化合物的绝对最大长度；〔6〕Ni－P镀膜的平滑性(镀层凹坑，气蚀坑和结瘤的确认)；〔7〕Ni－P镀膜的平滑性(起泡的发生状况)；以及〔8〕屈服强度。
〔1〕存在于表面的Al－O－C系夹杂物的绝对最大长度
〔2〕存在于表面的绝对最大长度为0.5μm以上且低于2μm的Al－O－C系夹杂物的个数密度
〔3〕存在于表面的绝对最大长度为5μm以上且低于8μm的Al－O－C系夹杂物的个数密度
绝对最大长度为5μm以上的Al－O－C系夹杂物的尺寸和个数密度的测量，通过对于经过切削加工而作为镜面的基片的表面，使用光学显微镜(物镜5倍，目镜10倍)以亮视野像观察而进行。观察时使用微分干涉滤光镜。另外，观察在外径95mm、内径25mm的圆环形状的整个单面(面积约6600mm2)进行。Al－O－C系夹杂物的绝对最大长度，在光学显微镜的明视野像中，测量粒子中相距最远的2点间的距离而计算。
绝对最大长度为0.5μm以上且低于2μm的Al－O－C系夹杂物的尺寸和个数密度，通过对经过镜面加工的基片的表面，以SEM－EDS照射W/ZrO的电子射线5秒左右，以1000倍的倍率拍摄100个视野(1mm2)，根据所得到的SEM像(二次电子像)分析粒子尺寸和成分而进行测量。然后，使用市场销售的粒子分析程序，确认绝对最大长度为0.5μm以上且低于2μm的Al－O－C系夹杂物。
〔4〕Al－Fe系金属间化合物的绝对最大长度
〔5〕Mg－Si系金属间化合物的绝对最大长度
对于经过镜面加工的基片的表面，使用SEM－EDS(日本电子株式会社制JSM－7001M)，以1000倍的倍率拍摄20个视野(0.2mm2)，得到COMPO像(组成像)。比母相显得白的部分视为Al－Fe系金属间化合物，比母相显得黑的部分视为Mg－Si系金属间化合物，测量各自的绝对最大长度(μm)。
〔6〕Ni－P镀膜的平滑性(镀层凹坑、气蚀坑和结瘤的确认)
将进行了镜面加工的基片，浸渍在镀前处理液(上村工业制AD－68F)中，进行50℃、5分钟的脱脂。之后，以镀前处理液(上村工业株式会社制AD－101F)进行68℃、2分钟的酸蚀刻，以30％硝酸在25℃下进行1分钟浸渍，进行剥黑膜处理。对于进行了剥黑膜处理的基片，使用锌酸盐处理液(上村工业株式会社制AD－301F－3X)，进行20℃、30秒的锌酸盐处理，先以30％硝酸使Zn熔解后，再进行20℃、15秒钟的锌酸盐处理。然后，将进行了锌酸盐处理的基片，浸渍在非电解Ni－P镀液(上村工业株式会社制ニムデン(注册商标)HDX)中，进行90℃、2小时的非电解Ni－P镀覆处理，形成单面10μm左右的非电解Ni－P镀膜，制造镀覆基片。然后，对于形成有非电解Ni－P镀膜的镀覆基片的表面，使用硅胶系的研磨剂(株式会社フジミインコーポレーティッド制DISKLITE Z5601A)和衬垫(カネボウ株式会社(现アイオン株式会社)制的N0058 72D等)进行研磨，制作进行磁性膜的成膜之前的状态的镀覆基片。
而后，对于该基片使用光学显微镜，以50倍(物镜5倍，目镜10倍)的倍率得到亮视野像。还有，拍摄时使用微分干涉滤光镜，观察约6600mm2。观察的结果是，镀层凹坑、气蚀坑和结瘤分别只确认到宽度低于4μm时，评价为良好(○)，确认到宽度为4μm以上时，评价为不良(×)。表1相应一栏中记录这些评价结果。另外，如果是夹杂物，则使倍率为500倍(物镜50倍，目镜10倍)来测量绝对最大长度。
〔7〕Ni－P镀膜的平滑性(起泡的发生状况)
为了模拟镀覆成膜后的加热，而对于所述〔6〕中形成有Ni－P镀膜的基片，以300℃进行60分钟的加热。
之后，使用ブルカーナノ社制ContourGT X3(非接触三维光干涉型表面形状粗糙度计)，以物镜×10，FOV×1，VSI模式测量表面。观察Ni－P镀膜，确认起泡的发生状况。只确认到宽度低于4μm的起泡的，平滑性良好(○)，确认到宽度在4μm以上的起泡的为不良(×)。
〔8〕屈服强度
切下冷轧后的冷轧板的一部分，以所述加压退火同等的条件，即，以320℃进行3小时的加压退火。而后，由退火的冷轧板，依据JIS Z 2241：2011制作试验片，进行金属材料拉伸试验，由此求得屈服强度(MPa)。屈服强度为90MPa以上的评价为良好评价，低于90MPa的评价为不良。表1中，表示No.1～25的基片的化学组成，使用SNIF进行的脱气处理中的气体量(SNIF气量(Nm3/小时))，喷嘴转速(rpm)，停留时间(min)以及所述〔1〕～〔8〕中测量或评价的结果。还有，表1中的“－”，表示没有添加该元素，下划线表示不满足本发明的要件。
如表1所示，No.1～11的基片，因为满足本发明的要件，所以Ni－P镀膜的平滑性良好(均为实施例)。其中，No.1～10的基片，因为存在于表面的Al－O－C系夹杂物没有绝对最大长度为8μm以上的，存在于表面的绝对最大长度为0.5μm以上且低于2μm的Al－O－C系夹杂物的个数密度，以及存在于表面的绝对最大长度为5μm以上且低于8μm的Al－O－C系夹杂物的个数密度适当，所以，相比存在于表面的绝对最大长度为5μm以上且低于8μm的Al－O－C系夹杂物的个数密度多的No.11的基片，Ni－P镀膜的平滑性良好。具体来说，No.1～10的基片与No.11的基片比较，因为绝对最大长度为5μm以上且低于8μm的Al－O－C系夹杂物的个数密度低，所以有起泡小的倾向。另外，No.1～10的基片，因为绝对最大长度为5μm以上且低于8μm的Al－O－C系夹杂物的个数密度低，所以推测镀层凹坑更难以发生。特别是No.1～4的基片，将来即使镀前处理条件更弱，也不用担心Ni－P镀膜的平滑性受损。
相对于此，No.12～25的基片中，因为不满足本发明的要件之中的至少1个，所以Ni－P镀膜的平滑性或屈服强度不良(比较例)。
具体来说，No.12的基片，因为Mg量过少，所以屈服强度不良。
No.13的基片，因为Mg量过多，所以热轧裂纹发生。因此，未能制板，不能进行以后的评价。
No.14的基片，因为Cu量和Zn量均过少，所以结瘤发生。因此，No.14的基片中，Ni－P镀膜的平滑性不良。
No.15的基片因为Cu量少，不含Zn，所以结瘤发生。因此，No.15的基片中，Ni－P镀膜的平滑性不良。
No.16的基片，因为不含Cu，Zn量也过少，所以结瘤发生。因此，No.16的基片中，Ni－P镀膜的平滑性不良。
No.17的基片，因为Cu量过多，所以结瘤发生。另外，No.17的基片，因为Cu量过多，所以Cu在晶界析出，在镀前处理的酸蚀刻处理中晶界部受到过蚀刻而形成塌陷，镀层凹坑发生。因此，No.17的基片中，Ni－P镀膜的平滑性不良。
No.18的基片，因为Zn量过多，所以经镀前处理的酸蚀刻处理而形成的塌陷变大，镀层凹坑发生。另外，No.18的基片因为Zn量过多，所以Al－Mg－Zn系金属间化合物在晶界析出，在镀前处理的酸蚀刻处理中晶界部受到过度蚀刻，结瘤发生。因此，No.18的基片中，Ni－P镀膜的平滑性不良。
No.19的基片，因为Si量过多，所以Mg－Si系金属间化合物变大。因此，在进行切削、磨削等的镜面加工时，Mg－Si系金属间化合物从基片的表面脱落而发生塌陷，形成镀层凹坑。另外，No.19的基片中，Mg－Si系金属间化合物，通过蚀刻处理而只有Mg熔解，Si残留，非电解Ni－P镀覆处理中镀膜没有生长。其结果是，No.19的基片中，起泡的发生状况也不良。因此，No.19的基片中，Ni－P镀膜的平滑性不良。
No.20的基片，因为Fe量过多，所以Al－Fe系金属间化合物变大，在镀前处理的酸蚀刻处理中一部分未熔解而残留，由于其导致结瘤和气蚀坑发生。另外，No.20的基片中，因为粗大的Al－Fe系金属间化合物，在进行切削、磨削等的镜面加工时从基片的表面脱落，从而塌陷发生，镀层凹坑形成。因此，No.20的基片中，Ni－P镀膜的平滑性不良。
No.21的基片，因为SNIF气量过少，所以不能使Al－O－C系夹杂物从熔液中浮起分离。因此，绝对最大长度高于8μm的Al－O－C系夹杂物存在于基板的表面，绝对最大长度为0.5μm以上且低于2μm的Al－O－C系夹杂物的个数密度超过3个/mm2。因此，No.21的基片中，Al－Fe系金属间化合物的绝对最大长度高于10μm。此外，No.21的基片中，绝对最大长度为5μm以上且低于8μm的Al－O－C系夹杂物的个数密度超过5个/100cm2。以此为原因导致No.21的基片发生镀层凹坑、结瘤、气蚀坑和起泡，Ni－P镀膜的平滑性不良。
No.22的基片，因为SNIF气量过多，所以由于过剩的气泡，在液面浮起分离的Al－O－C系夹杂物再度混入熔液中，不能有效地使之浮起分离。因此，绝对最大长度高于8μm的Al－O－C系夹杂物存在于基板的表面，绝对最大长度为0.5μm以上且低于2μm的Al－O－C系夹杂物的个数密度超过3个/mm2。因此，No.22的基片中，Al－Fe系金属间化合物的绝对最大长度高于10μm。此外，No.22的基片中，绝对最大长度为5μm以上且低于8μm的Al－O－C系夹杂物的个数密度超过5个/100cm2。以此为原因，No.22的基片中，发生镀层凹坑、结瘤、气蚀坑和起泡，Ni－P镀膜的平滑性不良。
No.23的基片，因为在使用SNIF的脱气处理中，喷嘴转速过低，所以无法生成微细的气泡，不能使Al－O－C系夹杂物从熔液中浮起分离。因此，绝对最大长度高于8μm的Al－O－C系夹杂物存在于基板的表面，绝对最大长度为0.5μm以上且低于2μm的Al－O－C系夹杂物的个数密度超过3个/mm2。因此，No.23的基片中，Al－Fe系金属间化合物的绝对最大长度高于10μm。此外，No.23的基片中，绝对最大长度为5μm以上且低于8μm的Al－O－C系夹杂物的个数密度超过5个/100cm2。以此这原因，No.23的基片发生镀层凹坑、结瘤、气蚀坑和起泡，Ni－P镀膜的平滑性不良。
No.24的基片，因为在使用了SNIF的脱气处理中，喷嘴转速过高，所以发生氧化皮膜被卷入熔液，不能使Al－O－C系夹杂物从熔液中浮起分离。因此，绝对最大长度高于8μm的Al－O－C系夹杂物存在于基板的表面，绝对最大长度为0.5μm以上且低于2μm的Al－O－C系夹杂物的个数密度超过3个/mm2。因此，No.24的基片中，Al－Fe系金属间化合物的绝对最大长度高于10μm。此外，No.24的基片中，绝对最大长度为5μm以上且低于8μm的Al－O－C系夹杂物的个数密度超过5个/100cm2。以此为原因，No.24的基片发生镀层凹坑、结瘤、气蚀坑和起泡，Ni－P镀膜的平滑性不良。
No.25的基片，因为在使用了SNIF的脱气处理中，SNIF中的熔液的停留时间过短，所以不能使Al－O－C系夹杂物从熔液中浮起分离。因此，绝对最大长度高于8μm的Al－O－C系夹杂物存在于基板的表面，绝对最大长度为0.5μm以上且低于2μm的Al－O－C系夹杂物的个数密度超过3个/mm2。因此，No.25的基片中，Al－Fe系金属间化合物的绝对最大长度高于10μm。此外，No.25的基片中，绝对最大长度为5μm以上且低于8μm的Al－O－C系夹杂物的个数密度超过5个/100cm2。以此为原因，No.25的基片发生镀层凹坑、结瘤、气蚀坑和起泡，Ni－P镀膜的平滑性不良。

Claims (4)

1.一种磁盘用铝合金板，其特征在于，
含有Mg：3.5～5.5质量％、
Fe：0.025质量％以下、
Si：0.020质量％以下，并且
含有Cu：0.010～0.1质量％和Zn：0.05～0.4质量％之中的至少一者，余量由Al和不可避免的杂质构成，
存在于表面的Al-O-C系夹杂物的绝对最大长度低于8μm，并且，
存在于表面的绝对最大长度为0.5μm以上且低于2μm的Al-O-C系夹杂物的个数密度为3个/mm2以下。
2.根据权利要求1所述的磁盘用铝合金板，其特征在于，存在于表面的绝对最大长度为5μm以上且低于8μm的Al-O-C系夹杂物的个数密度为5个/100cm2以下。
3.一种磁盘用铝合金坯体，其特征在于，将权利要求1或权利要求2所述的磁盘用铝合金板冲孔成圆盘状而成。
4.一种磁盘用铝合金基片，其特征在于，使用权利要求3所述的磁盘用铝合金坯体而成。
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