CN105789247A - 有机发光显示面板 - Google Patents

有机发光显示面板 Download PDF

Info

Publication number
CN105789247A
CN105789247A CN201410820908.7A CN201410820908A CN105789247A CN 105789247 A CN105789247 A CN 105789247A CN 201410820908 A CN201410820908 A CN 201410820908A CN 105789247 A CN105789247 A CN 105789247A
Authority
CN
China
Prior art keywords
light
display panel
organic electroluminescence
shield layer
light shield
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201410820908.7A
Other languages
English (en)
Inventor
金荣浩
朴俊浩
朴印哲
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
LG Display Co Ltd
Original Assignee
LG Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by LG Display Co Ltd filed Critical LG Display Co Ltd
Publication of CN105789247A publication Critical patent/CN105789247A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/86Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • H10K50/865Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. light-blocking layers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772Field effect transistors
    • H01L29/78Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • H01L29/78606Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device
    • H01L29/78633Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device with a light shield
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/123Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/126Shielding, e.g. light-blocking means over the TFTs
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/8791Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • H10K59/8792Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. black layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

有机发光显示面板。提供了显示装置。该显示装置包括:位于基板上的图案,所述图案包括多层结构,所述多层结构全部或部分包括导电层和至少一个遮光层;和位于所述图案上的堤,所述堤包括吸光材料。

Description

有机发光显示面板
技术领域
本发明涉及有机发光显示面板。
背景技术
在平板显示器的领域中,鉴于亮度的强度和低功耗,液晶显示器已被广泛应用。但是,由于液晶显示器是不能发光的非发光器件,所以在器件的亮度、对比度、视角和放大率方面是不利的。
因此,目前正在开发的新的平板显示器是为了应对液晶显示器的这些缺点。新的平板显示器中的一种是有机发光显示器,它是发光器件。因为有机发光显示器能够发光,所以相比于液晶显示器它表现出增强的亮度、更宽的视角和改进的对比度。另外,有机发光显示器不需要背光单元,因此它可以被设计得轻薄,并且在其功耗方面是优选的。
有机发光显示器的有机发光显示面板可以通过使用从连接到在每个像素区域中的薄膜晶体管的有机发光器件发射光而显示图像。有机发光器件通过将电场施加到位于阳极和阴极之间的由有机化合物制成的有机发光层来发光。此外,有机发光器件可以在低电压下以低功耗工作。此外,有机发光器件足够轻能够设置在柔性基板上。
当有机发光显示器被用于室外或明亮的场所时,由于从外部入射的光,导致有机发光显示面板的可视性和亮度会减少,且有机发光显示面板的对比度性能可能会降低。
发明内容
在这种背景下,本发明的一方面在于提供一种提高可视度、亮度和对比度特性的有机发光显示面板。
本发明提高了有机发光显示面板的可视度、亮度和对比度特性。
本发明的一方面是一种显示装置,该显示装置包括:位于基板上的图案,所述图案包括多层结构,所述多层结构全部或部分包括导电层和至少一个遮光层;和位于所述图案上的堤,所述堤包括吸光材料。
本发明的另一方面是一种有机发光显示面板,该有机发光显示面板包括:形成在基板上的多个信号线;形成在所述基板上并包括栅极、源极和漏极的晶体管;形成在所述基板和所述晶体管之间的遮光层;连接到所述源极或所述漏极的像素电极;和堤,所述堤沿所述像素电极的边缘形成以使所述像素电极部分地露出,所述堤包括吸光材料或涂敷有吸光物质,其中,所述信号线、所述栅极、所述源极、所述漏极和所述遮光层中的至少一个包括多层结构,所述多层结构全部或部分包括导电层和至少一个遮光层。
在示例性实施方式中,所述图案包括信号线、晶体管的电极和所述遮光层,所述遮光层被构造为对应于形成在所所述基板上的晶体管。
在示例性实施方式中,所述导电层包括Al、Pt、Pd、Ag、Mg、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、Mo、Ti、W和Cu中的至少一种或它们的合金。
在示例性实施方式中,所述遮光层包括能够吸收穿过所述基板入射的外部光的吸光物质或材料。
在示例性实施方式中,所述遮光层包括金属氧化物、吸光金属或它们的合金。
在示例性实施方式中,所述金属氧化物选自IGZO、IGO、IZO、ZTO、IHZO和IZZO构成的组。
在示例性实施方式中,穿过所述基板入射的外部光是非偏振光。
在示例性实施方式中,所述遮光层为基于黑色的颜色。
在示例性实施方式中,所述基板选自PET、PEN、聚酰胺和玻璃构成的组。
在示例性实施方式中,所述堤包括碳黑、作为碳黑和两种或更多种颜料的混合物的黑色颜料、单一成分的黑色染料或者两种或更多种不同颜色的染料的混合物、黑色树脂、石墨粉末、凹版油墨、黑色喷涂、或黑色瓷漆。
附图说明
本发明的以上和其它的目的、特征和优点将通过与附图结合的以下详细描述而更清楚,其中:
图1示出应用了本发明的实施方式的有机发光显示器的系统结构。
图2是根据本发明的实施方式的有机发光显示面板的示意平面图。
图3是根据本发明的实施方式的图2中的有机发光显示面板沿着线A-A'和B-B'的示意性剖面图。
图4A至图4D示出根据本发明的其它实施方式的有机发光显示面板中的用于遮挡光的层的示例。
图5A至图5C是根据本发明的其它实施方式的沿图2的线A-A'和B-B'的示意性剖面图。
图6是根据本发明的另一实施方式的沿图2的线A-A'和B-B'的示意性剖面图。
图7A至图7G例示用于示出在典型有机发光显示面板中外部光的反射率的曲线图和表。
图8A至图8G例示用于示出在根据本发明的另一实施方式的有机发光显示面板中外部光的反射率的曲线图和表。
具体实施方式
以下,将参照附图对本发明的实施方式进行说明。在以下的描述中,虽然被示出在不同的附图中,但是相同的元件将由相同的附图标记来指定。此外,在本发明的实施方式的以下描述中,并入本文的已知功能和配置的详细描述将被省略,因为这可能使本发明的主题不清楚。
此外,诸如第一、第二、A、B、(a)、(b)之类的术语,可在本文中描述本发明的部件时使用。这些术语仅仅用于将一个结构元件与其它结构元件区分开,相应结构元件的特性、顺序、序列等不受该术语限制。应当注意的是,如果在说明书中描述一个组件“连接”、“耦合”或“接合”到另一组件,则尽管第一组件可以直接连接、耦接或接合到第二组件,但第三组件可以“连接”,“耦合”、“接合”在第一组件和第二组件之间的。同样地,当描述某个元件形成在另一元件“上”或“下”时,应该理解的是,所述某个元件可直接或经由另一元件间接地形成在另一元件上或下。
图1示出应用了本发明的实施方式的有机发光显示器的系统结构。
参照图1,有机发光显示器100包括有机发光显示面板140、数据驱动单元120、选通驱动单元130和定时控制器110。
首先,定时控制器110基于外部定时信号,诸如从主机系统输入的垂直/水平同步信号Vsync和Hsync、图像数据和时钟信号CLK,输出用于控制数据驱动单元120的数据控制信号DCS和用于控制选通驱动单元130的选通控制信号GCS。此外,定时控制器110可将从主机系统输入的图像数据“Data”转换为在数据驱动单元120中使用的数据信号,并将经过转换的图像数据“Data”提供给驱动单元120。
数据驱动单元120响应于从定时控制器110输入的数据控制信号DCS和经过转换的图像数据“Data”,将图像数据的“Data”转换为与灰度值相对应的电压的数据信号(模拟像素信号的或数据电压)并将其提供给数据线D1到Dm。
选通驱动单元130响应于从定时控制器110输入的选通控制信号GCS依次向选通线G1至Gn提供扫描信号(选通脉冲或扫描脉冲、栅导通信号)。
同时,在由数据线D1到Dm和选通线G1至Gn限定的像素区域中以矩阵排列方式形成有机发光显示面板140的各像素P,并且它可以是包括作为阳极的第一电极(即,像素电极)和作为阴极的第二电极(即,公共电极)和有机层的至少一种有机发光器件。
选通线G1至Gn、数据线D1至Dm和用于提供高电势电压的高电势电压线形成在每个像素P中。此外,在各像素P中,开关晶体管形成在选通线G1至Gn和数据线D1至Dm之间,并且形成了包括正电极,负电极和有机发光层的有机发光二极管。此外,在每个像素中,驱动晶体管形成在开关晶体管的源极(或漏极)和高电势电压线之间。
在此,选通线G1至Gn、数据线D1至Dm以及每个晶体管的栅极和源极(或漏极)中的至少一个可以是由导电层和至少一个遮光层构成的多层结构。
另外,用于遮挡外部光的层可以形成在每个晶体管的半导体层下方,并且用于遮挡光的该层可以由导电层和至少一个遮光层构成。
以下将参照附图对此进行更详细地描述。
图2是根据本发明的一个实施方式的有机发光显示面板的示意平面图。图2示出四个子像素,这四个子像素被示出为3T-1C结构,所述3T-1C结构包括三个晶体管T21、T22和T23以及一个存储电容器Cstg,但这仅仅是为了解释方便的一个例子,本发明不限于此。每个子像素可以发射红光、绿光、蓝光和白光的一种。
参照图2,有机发光显示面板200可以包括:形成于基板202上的多个信号线250、252、254、260a、260b、260c、260d和260e;形成在基板202的由栅极230和252、源极和漏极240、256和258构成的晶体管T21、T22和T23;形成在基板202与晶体管T21、T22和T23之间的用于遮挡光的层210、210’和210”;与源极或漏极240、256和258连接的像素电极272;沿像素电极272的边缘形成以使得像素电极272的一部分露出的堤274,堤274由吸光材料制成或涂敷有吸光物质。此外,信号线250、252、254、260a、260b、260c、260d和260e中的至少一个、栅极230和252、源极、漏极240、256和258、和用于遮挡光的层210、210'和210”可以具有多层结构,所述多层结构被全部或部分地由导电层(未示出)和至少一个遮光层(未示出)构成。
有机发光显示面板200可以包括基板202上的多个信号线,并且第一线260a、第二线260b、第三线260c、第四线260d和第五线260e被彼此间隔且平行地布置在第一方向(图2中的垂直方向)。
第一线260a和第五线260e可以是高电势电压线(VDD线),而第二线260b和第四线260d可以是数据线。另外,第三线260c可以是基准电压线,但本发明不限于此。
第六线250、第七线252和第八线254彼此间隔开且平行布置在第二方向(图2中的水平方向)。这里,第六线250可以通过接触孔与第一线260a连接,从而向相邻的子像素提供高电压电力。第七线252可以是选通线(或扫描线),第八线254可通过接触孔与作为基准电压线的第三线260c连接,从而提供向相邻的子象素提供基准电压。
同时,每个子像素可以包括晶体管T21、T22和T23。
第一晶体管T21可以是用于驱动像素电极272的驱动晶体管,并且可以包括第一栅极230和第一源极/第一漏极240。
第二晶体管T22可以是感测晶体管,并且可包括第二栅极252和第二源极/第二漏极256。第二晶体管的T22的一端与存储电容器Cstg相连,第二晶体管的T22的另一端与第八线254相连。
第三晶体管T23可以是开关晶体管,并且可以包括第三栅极252和第三源极/第三漏极258。第三晶体管T23的一端与第二线260B相连,第三晶体管T23的另一端通过接触孔与第一晶体管T21的第一栅极230相连。
在有机发光显示面板200的电操作中,首先,第三晶体管T23由于从第六线252提供的扫描信号而导通,并将通过第二线250b提供的数据信号传送到第一晶体管T21的第一栅极230。此外,存储电容器Cstg存储通过第三晶体管T23提供的数据信号以保持第二晶体管T22导通超过预定时间(一帧)。此外,第一晶体管T21响应于存储在存储电容器Cstg的数据信号进行操作。也就是说,第一晶体管T21响应于该数据信号控制提供给像素电极272的驱动电流或驱动电压。
当第一晶体管T21操作时,有机层(未示出)的发光层(未示出)由于通过第一线260a所提供的电流而发光。通过驱动晶体管T21提供的驱动电流被传输到像素电极272,并流过有机层(未示出),从而通过电子和空穴的复合而发射光,然后电流最终流至公共电极(未示出)。
同时,有机发光显示面板200可以包括像素电极272、间隔开以面对像素电极的公共电极(未示出)、和沿像素电极272的边缘形成的堤274。堤274可以是由基于黑色的材料制成的黑色堤。此外,堤274可以由吸光材料制成或涂敷有吸光物质,以吸收来自外部的入射光。
根据本发明的实施方式,有机发光显示面板200的晶体管T21、T22和T23可以是氧化物晶体管,其半导体层由金属氧化物制成。此外,用于遮挡光的层210、210’和210”可以形成在与晶体管T21、T22和T23的半导体层相对应的区域中,因为入射到半导体层上的外部光可能会影响氧化物晶体管的电性能或化学性质。这将参照相应附图稍后详细描述。
同时,上述的信号线250、252、254、260a、260b、260c、260d和260e、栅极230和252、源极、漏极240、256和258以及用于遮挡光的层210、210’和210”中的至少一个可全部或部分为由导电层(未示出)和至少一个遮光层构成的多层结构(未示出)。
在此,遮光层(未示出)可以由吸收穿过基板202入射的外部光的材料制成或可以涂覆有吸光物质。本发明的实施方式不需要偏振片或偏振层,因此外部光指的是非偏振光。
另外,遮光层(未示出)可以由金属氧化物、吸光金属或其合金制成,并且可以具有基于黑色的颜色。这将在下面进行详细说明。
图3是沿着图2的线A-A'和B-B'的有机发光显示面板的示意性剖面图。
图3的A-A'示出发光显示面板200的第一线260a和第一晶体管T21的剖面图,图3的B-B'示出图2的子像素在第一方向上的剖面图。
在此,各子像素可分别发射红光、蓝光、绿光和白光,有机发光显示面板200被设计为左右对称。另外,各子像素可以被划分为光被发射的区域、以及形成有晶体管T21、T22和T23和存储电容器Cstg的区域,但是这仅仅是为了解释的方便,根据实施方式的有机发光显示面板200可以被不同地设计。例如,有机发光显示面板200可以是2T-1C的结构,并且可以具有两个或更多个选通线或更多个晶体管。
此外,尽管图3的有机发光显示面板200被例示为发射的光从像素电极272朝向基板202的底部发射型,但本发明不限于此,并且可以通过顶部发射型来实现。
如图3的A-A'所示,有机发光显示面板200可以包括:形成在基板202上的第一绝缘层218;形成在第一绝缘层218上的第一晶体管T21和第一线260a;第一晶体管T21上的像素电极272;形成为覆盖像素电极272的堤274;依次形成在堤274上的有机层276和公共电极278。
在这里,有机发光显示面板200的第一晶体管T21可以是例如氧化物晶体管。此外,第一晶体管T21可以包括第一半导体层220、形成在第一半导体层220上的第二绝缘层222、形成在第二绝缘层222上的第一栅极230、形成在第一栅极230上的第三绝缘层238、和形成在第三绝缘层238上经由接触孔与第一半导体层220连接的第一源极/第一漏极240。这里,第二绝缘层222可以是将第一栅极230与第一半导体层220绝缘的栅绝缘层。
同时,有机发光显示面板200可以包括形成在第一线260a和第一源极/第一漏极240上的第四绝缘层248、和形成在第四绝缘层248上的平坦化层270。
基板202可以采用包括聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸(PEN)和聚酰亚胺以及玻璃基板的塑料基板。此外,可以在基板202上进一步设置缓冲层,以防止杂质渗透。缓冲层例如可以由单层或多层的硅氮化物或硅氧化物制成。
第一晶体管T21的第一半导体层220可以由金属氧化物制成,金属氧化物例如可以是铟镓锌氧化物(IGZO)、铟镓氧化物(IGO)、铟锌氧化物(IZO)、锌锡氧化物(ZTO)、铟铪锌氧化物(IHZO)和铟锆锌氧化物(IZZO)之一。
由于第一半导体层220的电性能或它的化学性质会因为从外部入射的光而改变,所以可以在第一半导体层220的下面形成用于遮挡光的第一层210。用于遮挡光的第一层210可位于基板202和第一晶体管T21的半导体层220之间,以对应于第一晶体管T21的半导体层220。用于遮挡光的第一层210可以保护第一半导体层220不受外部光影响,从而防止能见度、亮度和对比度特性由于反射外部光而降低。
同时,第一线260a、用于遮挡光的层210、第一晶体管T21的第一栅极230、第一源极和第一漏极240中的至少一个可以为多层结构。具体地,该多层结构可以包括导电层262a、212、232和242、以及一个或更多个遮光层264a、214、234和244。
虽然遮光层264a、214、234和244在图3中被示出为单层,但是本发明的实施方式不限于此,并且遮光层264a、214、234和244可以具有多层结构。稍后将参照附图进一步描述多层结构的遮光层264a、214、234和244。
导电层262a、212、232和242可以由例如Al、Pt、Pd、Ag、Mg、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、Mo、Ti、W和Cu中的一个或它们的合金制成。
该遮光层264a、214、234和244可以由吸收外部光的材料制成或涂敷有吸光物质。
具体地,遮光层264a、214、234和244可以是金属氧化物,如铟锡氧化物(ITO)和铟锌氧化物(IZO)。外部光可包括由遮光层264a、214、234和244的边界面反射的光、和穿过遮光层264a、214、234和244并且由导电层262a、212、232和242的边界面反射的光。在这里,由不同的边界面反射的光之间发生相消干涉,从而使入射光没有朝向有机发光显示面板200的外部被重定向。因此,可以防止能见度由于外部光而降低。
进一步地,遮光层264a、214、234和244可以由吸光的基于黑色的材料制成。例如,遮光层264a、214、234和244可以是Mo、Cr、Ti、Nb、Mn和Ta中的一个或它们的合金。然而,本发明的实施方式不限于此,并且可以采用可吸光的其它金属。因此,外部光被阻止反射回外部。
第一线260a的导电层的262a、用于遮光的第一层210的导电层212、第一栅极230的导电层232、以及第一源极/第一漏极240的导电层242可以由相同材料或不同材料制成。另外,第一线260a的遮光层264a、用于遮挡光的第一层210的遮光层214、所述第一栅极230的遮光层234、以及第一源极/第一漏极240的遮光层244可以由相同材料或不同材料制成。
虽然在图3中未示出,但是应该注意的是,图2中的第二晶体管T22的第二栅极252和第二源极/第二漏极256,以及第三晶体管T23的第三栅极252和第三源极/第三漏极258可以形成有导电层和一个或更多个遮光层。
同时,第一绝缘层218、第二绝缘层222、第三绝缘层238和第四绝缘层248可以是包括SiOx、SiNx、SiON、Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2、ZrO2、BST和PZT中的一种的无机绝缘材料、包括苯并环丁烯(BCB)或丙烯酸类树脂(acryl-basedresin)、或它们的组合的有机绝缘材料。
同时,如图3中的B-B'所示,有机发光显示面板200可以包括形成在基板202上的第一绝缘层218、形成在第一绝缘层218上的第三绝缘层238、形成在第三绝缘层238上的多个的信号线260b、260c、260d和260e、形成在第四绝缘层248上的滤色器268、形成在滤色器268上的平坦化层270、形成在平坦化层270上的像素电极272、沿像素电极272的边缘形成以使像素电极272部分露出的堤274、和依次形成在像素电极272和堤274上的有机层276和公共电极278。
在此,第二条线260b、第三线260c、第四线260d和第五线260e中的至少一个可以由导电层262b、262c、262d和262d以及一个或更多个遮光层264b、264c、264d和264e构成。
导电层262b、262c、262d和262e可以由例如Al、Pt、Pd、Ag、Mg、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、Mo、Ti、W和Cu中的一个或它们的合金制成,但导电层262b、262c、262d和262e不限于此。
遮光层264b、264c、264d和264e可以由吸收通过基板202入射的外部光的材料制成或涂敷有吸光物质。此外,遮光层264b、264c、264d和264e可以是金属氧化物,如ITO和IZO,或可以由吸光金属或其合金制成,并且可以具有基于黑色的颜色。
导电层262b、262c、262d和262e与所述遮光层264b、264c、264d和264e可以由相同材料或不同材料制成。
另外,虽然遮光层264b、264c、264d和264e在图3中被示为单层,但是本发明的实施方式不限于此,并且遮光层264b、264c、264d和264e可以具有多层结构。
像素电极272可以是阳极(正电极),它可以由具有高逸出功值的透明导电材料制成,即,金属氧化物,如铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO);金属和氧化物的混合物,诸如ZnO:Al或SnO2:Sb;和导电聚合物,如聚(3-甲基噻吩)、聚[3,4-(乙烯-1,2-二噁英)噻吩](PEDT)、聚吡咯和聚苯胺。此外,像素电极272可以是碳纳米管(CNT)、石墨烯、银纳米线等。
同时,堤274在基板202具有矩阵形式的晶格结构,并且围绕所述像素电极272的边缘,以将像素电极272的一部分露出。
堤274可以由基于黑色的材料制成,并且可以包括碳黑、作为碳黑和两种或更多种颜料的混合物的黑色颜料、单一成分的黑色染料或两种或更多种不同颜色的染料的混合物、黑色树脂、石墨粉末、凹版油墨、黑色喷涂、或黑色瓷漆中的一种。
堤274可以吸收从外部入射的光以防止可视性和对比度降低,并提高亮度。
同时,有机层276可以包括空穴注入层、空穴传输层、发光层、发光辅助层、电子传输层、电子注入层等。图3的有机层276未经构图地涂敷在整个表面上。因此,通过免除构图工艺而使制造过程简单。
公共电极278形成在有机层276上。公共电极278可以为阴极(负电极),并且可以由具有相对低的逸出功值的材料制成。例如,在底部发射型的情况下,公共电极278可以是金属,也就是,诸如Ag的第一金属和诸如Mg的第二金属以预定的比率组成的合金的单层或多层。
图3的有机发光显示面板200的有机发光二极管(OLED)可以是发射白光的白光OLED。这里,OLED包括像素电极272、有机层276和公共电极278。OLED的有机层可以在单个工艺中涂覆在整个表面上,并且在这种情况下,可以包括滤色器268。
各子像素的滤色器268可以为红色、蓝色和绿色中的一种颜色。此外,在白色子像素的情况下,可以不设置滤色器268。红色、蓝色和绿色的布置可以不同地设计,由能够吸收外部光的材料制成的黑底(未示出)可以插入在滤色器268之间。
在底部发射型的有机发光显示面板200的情况下,滤色器268可以位于像素电极272的下方。有机层中产生的光被作为阴极的公共电极278反射并通过该滤色器268朝向有机发光显示面板200的外部引导。
图4A至图4D示出根据本发明的另一实施方式的有机发光显示面板200中的用于遮挡光的层210的示例。
尽管在图4A至图4D中例示了用于遮挡光的层210的示例以描述遮挡外部光的操作,但是图4A至图4D中的示例可以应用于信号线250、252、254、260a、260b、260c、260d和260e、栅极230和252、源极、漏极240、256和258、以及用于遮挡光的层210、210’和210”。
根据本发明实施方式的有机发光显示面板200不包括偏振片或偏振层,因此外部光是指非偏振光。
图4A和图4B示出由导电层212和单个遮光层214制成的用于遮挡光的层210。
参照图4A,遮光层214由可吸光的基于黑色的材料制成或涂敷有可吸光的基于黑色的材料,所以用于遮挡光的层210可以吸收从外部入射的第一光L41。
参照图4B,遮光层214由金属氧化物或吸光金属和金属氧化物的合金制成,因此,用于遮挡光的层210可以遮挡从外部入射的第二光L42。具体地,由遮光层214的表面反射的第二光L42可以与穿过遮光层214并由导电层212和遮光层214的边界面反射的第二光L42产生相消干涉,从而防止第二光L42被朝向外部重定向。
图4C示出由导电层212以及两个遮光层215和216制成的用于遮挡光的层210。
参照图4C,遮光层215和216可以包括第一遮光层215和第二遮光层216。第一遮光层215可以包括金属氧化物,第二遮光层216可以包括吸光材料或可涂覆有吸光物质。具体而言,第一遮光层215可以是ITO、IZO和ITZO中的至少一种,而第二遮光层216可以包括Mo、Cr、Ti、Ta、Mn和Nb中的至少一种。
如该图所示,外部光L43a和外部光L43c可能由于相消干扰而消失,并且光L43b可以通过被第二遮光层216的吸收金属吸收而消除。
包括双层结构的遮光层215和216的有机发光显示面板200可具有以各种方法显著地减少来自外部的入射光的反射率。
参照图4D,有机发光显示面板200的用于遮挡光的层210可以包括遮光层215、216和217的三层结构。即,用于遮光的层210可以包括第一遮光层215、第二遮光层216和第三遮光层217。第一遮光层215、第二遮光层216和第三遮光层217可以包括金属氧化物或吸光材料,或者可以涂覆有吸光物质。
此外,应该注意的是,根据实施方式的有机发光显示面板200不限于上述结构,并且可以包括具有各种形式和顺序的遮光层。
上述的遮光层214、215和216具有通过相消干涉或吸收来防止由来自外部的入射光L41、L42、L43a、L43b和L43c的反射导致的可视性和对比度的劣化并提高亮度的效果。
图5A至图5C是根据本发明的其它实施方式的沿图2的线A-A'和B-B'的剖面图。
如图2和3中所述,信号线250、252、254、260a、260b、260c、260d和260e、栅极230和252、源极、漏极240、256和258、以及用于遮挡光的层210、210'和210“中的至少一个可具有借以遮挡外部光的结构。图5A至图5C示出这样的结构的一些示出,但本发明的实施方式不限于此,可以进行各种设计。
参照图5A至图5C,有机发光显示面板200可以包括多个信号线260a、260b、260c、260d和260e、用于遮挡光的层210、第一栅极230、第一源极/第一漏极240、像素电极272、堤274和公共电极278。
所述多条信号线260a、260b、260c、260d和260e、和用于遮挡光的层210可以包括导电层262a、262b、262c、262d、262e和212、第一遮挡层265a、265b、265c、265d、265e和215、以及第二遮挡层266a、266b、266c、266d、266e和216。
这里,第一遮挡层265a、265b、265c、265d、265e和215可以由金属氧化物(例如,ITO、IZO和ITZO)制成,并且第二遮挡层266a、266b、266c、266d、266e和216可以包括Mo、Cr、Ti、Ta、Mn和Nb中的至少一种。
在图5B的有机发光显示面板200的情况下,用于遮挡光的层210与第一栅极230可以不包括遮光层,并且所述多个信号线260a、260b、260c、260d和260e、以及第一源极/第一漏极240可以包括单层的遮光层264a、264b、264c、264d、264e和244。
同时,在图5C的有机发光显示面板200的情况下,多条信号线260a、260b、260c、260d和260e可以不包括遮光层,第一栅极230、第一源极/第一漏极240和用于遮挡光的层210可包括由金属氧化物制成的第一遮挡层215、235和245以及由基于黑色的吸光材料制成的第二遮挡层216、236和246。
图5A至图5C中所示的有机发光显示面板200的堤274可以是由基于黑色的材料制成的黑色堤,并且可以包括例如碳黑、作为碳黑和两种或更多种颜料的混合物的黑色颜料、单一成分的黑色染料、或者两种或更多种的不同颜色染料的混合物、黑色树脂、石墨粉末、凹版油墨、黑色喷涂或黑色瓷漆中的一种。
在外部光从外部入射到有机发光显示面板200上的情况下,外部光可以被遮光层264a、264b、264c、264d、264e和244、第一遮挡层265a、265b、265c、265d、265e、215、235和245、以及第二遮挡层266a、266b、266c、266d、266e、216、236和246、还有堤274所吸收,或可以因相消干扰而消失,从而改善可见度、对比度和亮度。
至此,对根据本发明实施方式的有机发光显示面板200的结构进行了说明,下文中将详细说明其效果。
图6是根据本发明的另一实施方式的沿着图2的线A-A'和B-B'的示意性剖视图。
参看图6的有机发光显示面板200,用于遮挡光的层210、多个信号线260a、260b、260c、260d和260e、第一栅极230、第一源极/第一漏极240可以由导电层212、262a、262b、262c、262d、262e、232和242、第一遮挡层215、265a、265b、265c、265d、265e、235和245、以及第二遮挡层216、266a、266b、266c、266d、266e、236和246构成。
此外,有机发光显示面板200可以包括:堤274,其沿着像素电极272的边缘形成,并且由基于黑色的材料制成;有机层276,其形成在像素电极272和堤274的前表面上;以及公共电极278,其形成在有机层276的整个表面上。
此外,有机发光显示面板200被示为具有例如白光OLED,因此滤色器268(其可以是红色“R”滤色器、绿色“G”滤色器和蓝色“B”滤色器)形成在第四绝缘层248上。
在典型的有机发光显示面板中,从外部入射的外部光可以由各种信号线或电极反射,并可能导致可见性、亮度和对比度劣化。
相反,参照图2中沿着有机发光显示面板200的线A-A'的剖面图,作为外部光的第一光L71可能彼此相消干涉,或者可以被第一线260的第一遮挡层265a和第二遮挡层266a吸收。第二光L72可以在第一线260a和第一晶体管T21之间穿透,并且可以被堤274吸收。此外,第三光L73可能会由于相消干涉和用于遮光的层210的第一遮挡层215和第二遮挡层216吸收而消失。此外,第一栅极230和第一源极/第一漏极240可起到遮挡外部光的作用。
参照沿着图2中的有机发光显示面板200的线B-B'的剖面图,第四光L74、第六光L76、第七光L77和第八光L78可以分别被第二线260b、第三线260c、第四线260d和第五线260e遮挡。此外,倾斜入射在基板202上的第五光L75也可以被堤274吸收。
尽管有机发光显示面板200被例示为底部发射型,但并不限于此,它可以由顶部发射型来实现。
在底部发光型的有机发光显示面板200的情况下,非偏振的外部光L71至L78可以从基板202的底部(像素电极272的相对侧)入射。在这种情况下,可以由能够吸收光的堤274和多个遮光层来防止由于外部光L71至L78造成的能见度、亮度和对比度的劣化。此时,堤274吸收没有设置所述第一遮挡层215、265a、265b、265c、265d、265e、235和245、以及第二遮挡层216,266a、266b、266c、266d、266e、236和246的区域中的外部光L71至L78。
此外,堤274具有减少公共电极278的反射率的效果。在底部发射型的有机发光显示面板200的情况下,因为公共电极278由高反射率的金属制成,所以它可能造成对外部光L71至L78的高反射率。此时,公共电极278的反射率可以通过堤274而被最小化。
同时,在整个表面上涂覆根据本发明的实施方式的有机层276和公共电极278,这可能带来简化过程而无需构图处理的优点,从而降低制造成本。这里,有机层276被例示为具有发射例如白光的发光层。
在另一个方面来看,本发明的显示设备100可以包括位于基板202上的图案250、252、254、260a、260b、260c、260d、260e、230、252、240、256、258、210、210'和210“的多层结构(其全部或部分由导电层和一个或更多遮光层构成)、以及图案250、252、254、260a、260b、260c、260d、260e、230、252、240、256、258、210、210'和210“上的由吸光材料制成的堤274。
在此,图案250、252、254、260a、260b、260c、260d、260e、230、252、240、256、258、210、210’和210”可包括信号线250、252、254、260a、260b、260c、260d和260e、晶体管的电极230、252、240、256和258、以及与形成在基板202上的晶体管相对应地形成的用于遮挡光的层210、210’和210”。
在下文中,将参照曲线图和表说明关于外部光在有机发光显示面板200上的实验结果。
实验是使用波长为360nm至740nm的光进行的,并且光在基板202上的入射角相对于垂直轴为8°。此外,使用了积分球型(integratingspheretype)的设备。实验中所用的有机发光显示面板200的直径为3mm,并且实验是在无光书写纸的环境下进行的。以下,反射率指的是入射光与反射光的比率。
图7A至图7G例示了曲线图和表,以表示外部光在一般的有机发光显示面板上的反射率。
图7A示出测量入射在一般有机发光显示面板的栅极和源极/漏极上的光的反射率的结果,图7B示出测量入射在形成有用于遮挡光的层的区域上的光的反射率的结果。此外,图7C示出测量入射在形成有红色滤色器的区域上的光的反射率,图7D示出测量入射在没有形成彩色滤光器的区域(也就是,发射白光的区域)上的光的反射率的结果。此外,图7E示出测量入射在形成有绿色滤色器的区域上的光的反射率的结果,图7F示出测量入射在形成有蓝色滤色器的区域上的光的反射率的结果。
图7A、图7B、图7C、图7D、图7E和图7F中的反射率的平均值分别是41.1%、46.5%、13.5%、74.3%、24.8%和6.6%。
上述结果示于图7G的表中。在图7G中,R'、G'和B'是指在光入射到滤色器与堤交叠的区域上的情况,R、G和B是指光入射在滤色器与堤不交叠的区域(也就是,开口区域)上的情况。另外,面积比是指各元件占用的面积与单位像素的比例,而面反射率表示由所测量的反射率乘以面积比所得到的值。反射率的总计值可以通过对每个区域的面反射率求和来得到。
一般有机发光显示面板显示,总共约39.05%的外部光被反射。反射的外部光可能会导致对比度的劣化以及有机发光显示面板的亮度和能见度两者的劣化。
图8A至图8G例示了曲线图和表,以示出根据本发明的另一实施方式的外部光在有机发光显示面板上的反射率。
图8A至图8G示出在用于遮挡光的层210、210’和210”、多个信号线250、252、254、260a、260b、260c、260d和260e、栅极230和252、源极及漏极240、256和258由导电层和双层遮光层(第一遮挡层和第二遮挡层)形成,并且堤274由吸光材料制成的情况下测量反射率的结果。
特别地,图8A示出测量入射在有机发光显示面板200的堤274上的光的反射率的结果。图8B示出测量入射在用于遮挡光的层210、210’和210”、多个信号线250、252、254、260a、260b、260c、260d和260e、栅极230和252、源极和漏极240、256和258上的光的反射率的结果。此外,图8C示出测量入射在有机发光显示面板200中红色“R”滤色器268与堤274交叠的区域上的光的反射率的结果,而图8D示出测量入射在未形成堤274(即,与发射白光的区域交叠的堤274)的区域上的光的反射率的结果。此外,图8E示出测量入射在有机发光显示面板200中绿色“G”滤色器268与堤274交叠的区域中的光的反射率的结果。图8F示出测量入射在蓝色“B”滤色器与堤274交叠的区域上的光的反射率的结果。
图8A、图8B、图8C、图8D、图8E和图8F中的反射率的平均值分别是5.08%、7.44%、6.12%、6.07%、5.97%和6.02%。
上述结果示出在图8G的表中。
比较图7G与图8G,形成有用于遮挡光的层210的区域的反射率从46.5%下降到7.5%,而形成有栅极230和252、以及源极及漏极240,256和258的区域的反射率从41.1%下降到7.5%。另外,它表明,红色“R”滤色器、绿色“G”滤色器和蓝色“B”滤色器分别与堤274交叠的每个区域中的反射率分别从13.5%、24.8%和6.6%降低到6.0%。另外,可以看出,公共电极278与堤274交叠的区域中的反射率从74.3%下降到5.0%。整体反射率共计从39.5%下降到15.16%。
如上所述,根据本发明的有机发光显示面板200具有显着地降低外部光的反射率的效果。因此,有机发光显示面板200的可视性和对比度特性可以在增加亮度的情况下得到提高。
此外,根据本发明的有机发光显示器板200,可通过消除高成本的偏振片或偏振层结构并且用有机层276涂敷整个表面,来降低制造成本和简化制造处理。
虽然至此参照附图对各种实施方式进行了描述,但是本发明并不限定于这些实施方式。
此外,上面提到的术语“包括”、“构成”、或“具有”意味着一个相应的结构元件被包括,除非它们没有相反的含义。因此,应解释的是,该术语可能不排除,而是进一步包括其它的结构元件。所有那些技术的、科学的或以其它方式的术语都与本领域技术人员所理解的含义一致,除非定义为相反。字典中的常见术语应在相关技术的描述的背景下进行解释,不用太理想,或不切实际,除非本公开明确地定义这些术语。
尽管出于说明的目的对本发明的实施方式进行了描述,但是本领域的技术人员将理解,在不脱离本发明的范围和精神的情况下,各种修改、增加和替换都是可能的。因此,本发明中所公开的实施方式不是为了限制本发明的技术精神,而是为了描述本发明的技术精神。另外,本发明的技术精神的范围并非由实施方式限定。本发明的范围应在所附权利要求的基础上,以所有包含在等同于权利要求书的范围内的技术思想都属于本发明的方式来解释。
标号说明
[00136]202:基板
210:遮光层
230:栅极
272:像素电极
274:堤
278:公共电极
相关申请的交叉引用
本申请要求在2014年8月14日提交的韩国专利申请No.10-2014-0105779的优先权,在此为了所有目的通过引用并入,就好像在这里进行了充分阐述。

Claims (20)

1.一种显示装置,该显示装置包括:
位于基板上的图案,所述图案包括多层结构,所述多层结构全部或部分包括导电层和至少一个遮光层;和
位于所述图案上的堤,所述堤包括吸光材料。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述图案包括形成在所述基板上的信号线、晶体管的电极和所述遮光层,所述遮光层被构造为对应于所述晶体管。
3.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述导电层包括Al、Pt、Pd、Ag、Mg、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、Mo、Ti、W和Cu中的至少一种或它们的合金。
4.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述遮光层包括能够吸收穿过所述基板入射的外部光的吸光物质或材料。
5.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述遮光层包括金属氧化物、吸光金属或它们的合金。
6.根据权利要求5所述的显示装置,其中,所述金属氧化物选自IGZO、IGO、IZO、ZTO、IHZO和IZZO构成的组。
7.根据权利要求4所述的显示装置,其中,穿过所述基板入射的所述外部光是非偏振光。
8.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述遮光层具有基于黑色的颜色。
9.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述基板选自PET、PEN、聚酰胺和玻璃构成的组。
10.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述堤包括碳黑、作为碳黑和两种或更多种颜料的混合物的黑色颜料、单一成分的黑色染料或者两种或更多种不同颜色的染料的混合物、黑色树脂、石墨粉末、凹版油墨、黑色喷涂、或黑色瓷漆。
11.一种有机发光显示面板,该有机发光显示面板包括:
形成在基板上的多个信号线;
形成在所述基板上并包括栅极、源极和漏极的晶体管;
形成在所述基板和所述晶体管之间的遮光层;
连接到所述源极或所述漏极的像素电极;和
堤,所述堤沿所述像素电极的边缘形成,以使所述像素电极部分地露出,所述堤包括吸光材料或涂敷有吸光物质,
其中,所述信号线、所述栅极、所述源极、所述漏极和所述遮光层中的至少一个包括多层结构,所述多层结构全部或部分包括导电层和至少一个遮光层。
12.根据权利要求11所述的有机发光显示面板,其中,所述导电层包括Al、Pt、Pd、Ag、Mg、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、Mo、Ti、W和Cu中的至少一种或它们的合金。
13.根据权利要求11所述的有机发光显示面板,其中,所述遮光层包括能够吸收穿过所述基板入射的外部光的吸光物质或材料。
14.根据权利要求11所述的有机发光显示面板,其中,所述导电层包括Al、Pt、Pd、Ag、Mg、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、Mo、Ti、W和Cu中的至少一种或它们的合金。
15.根据权利要求11所述的有机发光显示面板,其中,所述遮光层包括能够吸收穿过所述基板入射的外部光的吸光物质或材料。
16.根据权利要求11所述的有机发光显示面板,其中,所述遮光层包括金属氧化物、吸光金属或它们的合金。
17.根据权利要求16所述的有机发光显示面板,其中,所述金属氧化物选自IGZO、IGO、IZO、ZTO、IHZO和IZZO构成的组。
18.根据权利要求15所述的有机发光显示面板,其中,穿过所述基板入射的所述外部光是非偏振光。
19.根据权利要求11所述的有机发光显示面板,其中,所述基板选自PET、PEN、聚酰胺和玻璃构成的组。
20.根据权利要求11所述的有机发光显示面板,其中,所述堤包括碳黑、作为碳黑和两种或更多种颜料的混合物的黑色颜料、单一成分的黑色染料或者两种或更多种不同颜色的染料的混合物、黑色树脂、石墨粉末、凹版油墨、黑色喷涂、或黑色瓷漆。
CN201410820908.7A 2014-08-14 2014-12-24 有机发光显示面板 Pending CN105789247A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2014-0105779 2014-08-14
KR1020140105779A KR102182828B1 (ko) 2014-08-14 2014-08-14 유기발광표시패널

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN105789247A true CN105789247A (zh) 2016-07-20

Family

ID=55302803

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201410820908.7A Pending CN105789247A (zh) 2014-08-14 2014-12-24 有机发光显示面板

Country Status (3)

Country Link
US (1) US9306190B2 (zh)
KR (1) KR102182828B1 (zh)
CN (1) CN105789247A (zh)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107256872A (zh) * 2017-07-10 2017-10-17 厦门天马微电子有限公司 一种阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置
CN109273482A (zh) * 2017-07-17 2019-01-25 和鑫光电股份有限公司 触控显示装置
CN109427874A (zh) * 2017-08-31 2019-03-05 株式会社日本显示器 显示装置及其制造方法
CN109638053A (zh) * 2018-12-15 2019-04-16 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 柔性显示器的散热结构
CN109964540A (zh) * 2016-12-01 2019-07-02 东丽株式会社 有机el显示装置
CN109994525A (zh) * 2017-12-29 2019-07-09 乐金显示有限公司 有机发光显示面板和使用它的有机发光显示设备
WO2020147216A1 (zh) * 2019-01-16 2020-07-23 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Tft阵列基板的制备方法及tft阵列基板
WO2023184342A1 (zh) * 2022-03-31 2023-10-05 京东方科技集团股份有限公司 发光基板及其制备方法、显示装置

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102458864B1 (ko) * 2015-10-16 2022-10-26 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
KR102568383B1 (ko) * 2016-06-17 2023-08-21 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
KR102519678B1 (ko) * 2016-08-01 2023-04-07 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
JP7086582B2 (ja) * 2017-12-11 2022-06-20 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
JP2019174609A (ja) * 2018-03-28 2019-10-10 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置および表示装置の製造方法
CN109300957B (zh) 2018-09-30 2021-10-08 京东方科技集团股份有限公司 一种oled基板及透明显示器
KR20200116576A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 패널 및 이를 포함한 디스플레이 장치
KR20210069289A (ko) 2019-12-03 2021-06-11 엘지디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR20220051871A (ko) 2020-10-19 2022-04-27 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20220061338A (ko) * 2020-11-05 2022-05-13 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치 및 전자기기
KR20230025562A (ko) 2021-08-12 2023-02-22 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이를 포함하는 센싱 시스템

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1897269A (zh) * 2005-07-15 2007-01-17 三星电子株式会社 布线结构、布线形成方法、薄膜晶体管基板及其制造方法
CN1971938A (zh) * 2005-11-24 2007-05-30 三星电子株式会社 有机发光二极管显示器
CN101093853A (zh) * 2006-06-21 2007-12-26 三星电子株式会社 有机发光二极管显示器及其制造方法
US20100124044A1 (en) * 2008-11-20 2010-05-20 Sony Corporation Reflector, display device, and method of manufacturing the same
US20120319122A1 (en) * 2011-06-17 2012-12-20 Ma Jang-Seok Organic light-emitting display device including black matrix-containing neutral density film
CN102959713A (zh) * 2010-07-02 2013-03-06 株式会社半导体能源研究所 半导体装置
US20130264568A1 (en) * 2010-12-22 2013-10-10 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor device, color filter substrate, display device provided with color filter substrate, and method for manufacturing semiconductor device
CN103633112A (zh) * 2012-08-22 2014-03-12 乐金显示有限公司 有机发光二极管显示设备

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4096585B2 (ja) * 2001-03-19 2008-06-04 セイコーエプソン株式会社 表示装置の製造方法及び表示装置並びに電子機器
WO2003076476A2 (en) * 2002-01-14 2003-09-18 Ansell Healthcare Products, Inc. Magnetically detectable latex articles
KR100845557B1 (ko) * 2002-02-20 2008-07-10 삼성전자주식회사 액티브 매트릭스형 유기전계발광 표시장치 및 그 제조방법
JP4240276B2 (ja) * 2002-07-05 2009-03-18 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
JP3915734B2 (ja) * 2003-05-12 2007-05-16 ソニー株式会社 蒸着マスクおよびこれを用いた表示装置の製造方法、ならびに表示装置
JP2005005227A (ja) * 2003-06-16 2005-01-06 Hitachi Displays Ltd 有機el発光表示装置
KR100741967B1 (ko) * 2004-11-08 2007-07-23 삼성에스디아이 주식회사 평판표시장치
KR20070096609A (ko) * 2006-03-27 2007-10-02 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법
US7800101B2 (en) * 2006-01-05 2010-09-21 Samsung Electronics Co., Ltd. Thin film transistor having openings formed therein
US7960916B2 (en) * 2007-05-16 2011-06-14 Advanced Lcd Technologies Development Center Co., Ltd. Display device and electronic device using thin-film transistors formed on semiconductor thin films which are crystallized on insulating substrates
JP2008310298A (ja) * 2007-05-16 2008-12-25 Advanced Lcd Technologies Development Center Co Ltd 表示装置および電子装置
CN101685233B (zh) * 2008-09-23 2012-06-27 乐金显示有限公司 电泳显示设备及其制造方法
KR101922937B1 (ko) * 2012-02-28 2018-11-28 엘지디스플레이 주식회사 박막트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법
KR102038817B1 (ko) * 2013-06-28 2019-11-01 엘지디스플레이 주식회사 유기전계 발광소자 및 이의 제조 방법

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1897269A (zh) * 2005-07-15 2007-01-17 三星电子株式会社 布线结构、布线形成方法、薄膜晶体管基板及其制造方法
CN1971938A (zh) * 2005-11-24 2007-05-30 三星电子株式会社 有机发光二极管显示器
CN101093853A (zh) * 2006-06-21 2007-12-26 三星电子株式会社 有机发光二极管显示器及其制造方法
US20100124044A1 (en) * 2008-11-20 2010-05-20 Sony Corporation Reflector, display device, and method of manufacturing the same
CN102959713A (zh) * 2010-07-02 2013-03-06 株式会社半导体能源研究所 半导体装置
US20130264568A1 (en) * 2010-12-22 2013-10-10 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor device, color filter substrate, display device provided with color filter substrate, and method for manufacturing semiconductor device
US20120319122A1 (en) * 2011-06-17 2012-12-20 Ma Jang-Seok Organic light-emitting display device including black matrix-containing neutral density film
CN103633112A (zh) * 2012-08-22 2014-03-12 乐金显示有限公司 有机发光二极管显示设备

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109964540A (zh) * 2016-12-01 2019-07-02 东丽株式会社 有机el显示装置
CN109964540B (zh) * 2016-12-01 2022-04-01 东丽株式会社 有机el显示装置
US11011707B2 (en) 2016-12-01 2021-05-18 Toray Industries, Inc. Organic EL display device
CN107256872B (zh) * 2017-07-10 2019-11-26 厦门天马微电子有限公司 一种阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置
CN107256872A (zh) * 2017-07-10 2017-10-17 厦门天马微电子有限公司 一种阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置
CN109273482B (zh) * 2017-07-17 2021-12-31 和鑫光电股份有限公司 触控显示装置
CN109273482A (zh) * 2017-07-17 2019-01-25 和鑫光电股份有限公司 触控显示装置
CN109427874A (zh) * 2017-08-31 2019-03-05 株式会社日本显示器 显示装置及其制造方法
CN109427874B (zh) * 2017-08-31 2021-07-27 株式会社日本显示器 显示装置及其制造方法
CN109994525A (zh) * 2017-12-29 2019-07-09 乐金显示有限公司 有机发光显示面板和使用它的有机发光显示设备
CN109994525B (zh) * 2017-12-29 2023-06-13 乐金显示有限公司 有机发光显示面板和使用它的有机发光显示设备
CN109638053A (zh) * 2018-12-15 2019-04-16 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 柔性显示器的散热结构
US10923686B2 (en) 2018-12-15 2021-02-16 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Heat dissipating structure of a flexible display
WO2020147216A1 (zh) * 2019-01-16 2020-07-23 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Tft阵列基板的制备方法及tft阵列基板
WO2023184342A1 (zh) * 2022-03-31 2023-10-05 京东方科技集团股份有限公司 发光基板及其制备方法、显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20160049615A1 (en) 2016-02-18
KR102182828B1 (ko) 2020-11-26
US9306190B2 (en) 2016-04-05
KR20160021330A (ko) 2016-02-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105789247A (zh) 有机发光显示面板
US10804340B2 (en) Display device with light transmission control layer
KR102291619B1 (ko) 유기 발광 표시 장치
US8674346B2 (en) Organic light-emitting display device and method of manufacturing the same
CN105374846B (zh) 有机发光显示面板
US20180182836A1 (en) Display device
US11313891B2 (en) Display device
CN108470842A (zh) 显示装置及其制造方法
KR102184904B1 (ko) 유기발광표시패널 및 표시장치
US20160163769A1 (en) Organic light emitting display device and method of manufacturing the same
CN103681736A (zh) 有机发光显示装置及其制造方法
US20230189576A1 (en) Display panel
CN103000660A (zh) 阵列基板、白光有机发光二极管显示装置
KR20150131428A (ko) 유기전계발광소자 및 이를 제조하는 방법
US11296180B2 (en) Display apparatus having a transmitting area
KR20170035698A (ko) 유기전계발광 표시장치
KR102412010B1 (ko) 유기발광소자
KR102464904B1 (ko) 유기발광표시장치
KR102242350B1 (ko) 유기발광 디스플레이 장치
KR102657279B1 (ko) 미러 겸용 표시장치
CN114429752A (zh) 显示装置
KR20170064606A (ko) 유기발광 표시패널 및 이를 포함하는 유기발광 표시장치
US12010901B2 (en) Display apparatus
CN220935484U (zh) 显示装置
US20230028691A1 (en) Display device

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20160720

RJ01 Rejection of invention patent application after publication