CN107256872B - 一种阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明实施例提供了一种阵列基板及其制作方法、显示面板和显示装置，涉及显示技术领域。该阵列基板包括衬底基板，以及沿远离衬底基板方向依次设置的辅助遮光层、绝缘层、主遮光层和缓冲层，多条栅线和多条数据线限定出多个像素区域，像素区域内设置有薄膜晶体管；其中，辅助遮光层包括多个第一辅助遮光部，主遮光层包括多个主遮光部，薄膜晶体管的有源层的沟道区在阵列基板上的正投影，位于主遮光部在阵列基板上的正投影内，且薄膜晶体管的有源层的沟道区在阵列基板上的正投影，位于第一辅助遮光部在阵列基板上的正投影内。本发明实施例提供的技术方案能够减小照射至薄膜晶体管的有源层的沟道区的光线的强度，降低薄膜晶体管的光漏流。
Description
【技术领域】
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制作方法、显示面板和显示装置。
【背景技术】
通常，显示装置包括显示面板和背光模组，其中显示面板用于显示画面，但显示面板本身不能发光，需要靠背光模组为其提供光线。
显示面板包括阵列基板、彩膜基板和位于阵列基板和彩膜基板之间的液晶层，其中，阵列基板朝向背光模组设置，阵列基板上设置有多个薄膜晶体管，薄膜晶体管的有源层的沟道区对光照敏感，现有技术中有源层的的朝向背光模组的一侧设置有遮光层，用以遮挡由背光模组射向薄膜晶体管的有源层的沟道区的光线。
本申请的发明人发现，当背光模组照射至阵列基板上的光线较强时，现有技术中的遮光层对光线的遮挡效果不好，穿过遮光层照射至薄膜晶体管的有源层的沟道区上的光线仍然较强，使得薄膜晶体管的光漏流严重，进而导致显示面板出现串扰和残影等不良。
【发明内容】
有鉴于此，本发明实施例提供了一种阵列基板及其制作方法、显示面板和显示装置，用以解决现有技术中因薄膜晶体管中的有源层的沟道区光照严重，而造成薄膜晶体管的光漏流严重的技术问题。
第一方面，本发明实施例提供一种阵列基板，所述阵列基板包括衬底基板，以及沿远离所述衬底基板方向依次设置的辅助遮光层、绝缘层、主遮光层和缓冲层，所述缓冲层远离所述衬底基板的一侧设置有多条沿第一方向延伸的栅线和多条沿第二方向延伸的数据线，多条所述栅线和多条所述数据线限定出多个像素区域，所述像素区域内设置有薄膜晶体管；
其中，所述辅助遮光层包括多个第一辅助遮光部，所述主遮光层包括多个主遮光部，所述薄膜晶体管的有源层的沟道区在所述阵列基板上的正投影，位于所述主遮光部在所述阵列基板上的正投影内，且所述薄膜晶体管的有源层的沟道区在所述阵列基板上的正投影，位于所述第一辅助遮光部在所述阵列基板上的正投影内。
第二方面，本发明实施例提供一种显示面板，所述显示面板包括以上任一项所述的阵列基板。
第三方面，本发明实施例提供一种显示装置，所述显示装置包括以上所述的显示面板。
第四方面，本发明实施例提供一种阵列基板的制作方法，所述阵列基板的制作方法包括：
提供一衬底基板；
在所述衬底基板上形成辅助遮光层，所述辅助遮光层包括多个第一辅助遮光部；
在形成了所述辅助遮光层的所述衬底基板上，形成绝缘层；
在形成了所述绝缘层的所述衬底基板上，形成主遮光层，所述主遮光层包括多个主遮光部；
在形成了所述主遮光层的所述衬底基板上，形成缓冲层；
在形成了所述缓冲层的所述衬底基板上，形成多条沿第一方向延伸的栅线和多条沿第二方向延伸的数据线，多条所述栅线和多条所述数据线限定出多个像素区域；
在所述像素区域内形成薄膜晶体管，所述薄膜晶体管的有源层的沟道区在所述阵列基板上的正投影，位于所述主遮光部在所述阵列基板上的正投影内，且所述薄膜晶体管的有源层的沟道区在所述阵列基板上的正投影，位于所述第一辅助遮光部在所述阵列基板上的正投影内。
本发明实施例提供了一种阵列基板及其制作方法、显示面板和显示装置，其中，阵列基板的衬底基板上依次设置的辅助遮光层、绝缘层、主遮光层和缓冲层，辅助遮光层包括多个第一辅助遮光部，主遮光层包括多个主遮光部，由于薄膜晶体管的有源层的沟道区在阵列基板上的正投影，位于主遮光部在阵列基板上的正投影内，且薄膜晶体管的有源层的沟道区在阵列基板上的正投影，位于第一辅助遮光部在阵列基板上的正投影内，上述主遮光部相当于现有技术中的遮光层，从而使得在本发明实施例中从背光模组照射向薄膜晶体管的有源层的沟道区的光线不仅会受到主遮光部的遮挡，还会受到第一辅助遮光部的遮挡，因此，与现有技术相比，有效减小了照射至薄膜晶体管的有源层的沟道区的光线的强度，进而可以降低薄膜晶体管的光漏流，进而改善显示面板的串扰和残影等不良。
【附图说明】
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
图1是本发明实施例所提供的阵列基板的俯视图一；
图2是本发明实施例所提供的阵列基板的俯视图二；
图3是本发明实施例所提供的阵列基板的俯视图三；
图4是本发明实施例所提供的图1、图2和图3沿A-A’方向的截面示意图；
图5是本发明实施例所提供的阵列基板的俯视图四；
图6是本发明实施例所提供的阵列基板的俯视图五；
图7是本发明实施例所提供的图1和图2沿B-B’方向的截面示意图；
图8是本发明实施例所提供的技术方案与现有技术的反射率对比图；
图9是本发明实施例所提供的显示面板的截面示意图；
图10是本发明实施例所提供的彩膜基板的俯视图；
图11是本发明实施例所提供的方案一、方案二与现有技术的色偏对比图；
图12是本发明实施例所提供的显示装置的俯视图；
图13是本发明实施例所提供的阵列基板的制作方法的流程图。
【具体实施方式】
为了更好的理解本发明的技术方案，下面结合附图对本发明实施例进行详细描述。
应当明确，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。
需要说明的是，在不冲突的情况下，本发明中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本申请。
本发明实施例提供一种阵列基板，如图1、图2、图3和图4所示，图1～图3是本发明实施例所提供的阵列基板的俯视图一～三，需要说明的是，图1～图3所示为同一阵列基板，为清楚地示出阵列基板1包括的栅线60、数据线70、主遮光层40和辅助遮光层20各自与薄膜晶体管80之间的相对位置关系，上述图1中仅示出栅线60、数据线70和薄膜晶体管80，图2中仅示出辅助遮光层20和薄膜晶体管80，图3中仅示出主遮光层40和薄膜晶体管80，图4是本发明实施例所提供的图1、图2和图3沿A-A’方向的截面示意图，阵列基板1包括衬底基板10，以及沿远离衬底基板10方向依次设置的辅助遮光层20、绝缘层30、主遮光层40和缓冲层50，缓冲层50远离衬底基板10的一侧设置有多条沿第一方向x延伸的栅线60和多条沿第二方向y延伸的数据线70，多条栅线60和多条数据线70限定出多个像素区域，像素区域内设置有薄膜晶体管80。
其中，如图2、图3和图4所示，辅助遮光层20包括多个第一辅助遮光部21，主遮光层40包括多个主遮光部41，薄膜晶体管80的有源层81的沟道区在阵列基板1上的正投影位于主遮光部41在阵列基板1上的正投影内，且薄膜晶体管80的有源层81的沟道区在阵列基板1上的正投影位于第一辅助遮光部21在阵列基板1上的正投影内。其中，所述多个主遮光部41沿着第一方向x延伸，并沿着第二方向y排布。在本实施例中，主遮光部41为主遮光层40中的重复单元结构。
需要补充的是，薄膜晶体管80的有源层81的沟道区指的是有源层81中与栅极重叠的部分，有源层81的其他部分用于与薄膜晶体管的源极和漏极电连接，在栅极上施加有薄膜晶体管80的导通电压时，沟道区中载流子可发生定向移动，沟道区处于导电状态，薄膜晶体管80的源极和漏极之间导通，薄膜晶体管80处于导通状态，在栅极上未施加薄膜晶体管80的导通电压时，沟道区处于不导电状态，薄膜晶体管80的源极和漏极之间不导通，薄膜晶体管80处于截止状态。
示例性地，如图1～图4所示，薄膜晶体管80包括有源层81、栅极82、源极83和漏极84，可选地，本发明实施例中的有源层81为U型，其与栅线60具有两处交叠，且与数据线70具有交叠，有源层81与栅线60的交叠部分作为其沟道区，有源层81未与栅线60交叠的区域在制作时需要进行掺杂，用以降低该区域的电阻，改善有源层81与源极83和漏极84之间的电连接性能。栅线60与有源层81交叠的部分直接作为栅极82，数据线70的与有源层81交叠的部分直接作为源极83。如此设置，可以使得薄膜晶体管80具有双沟道，有助于降低薄膜晶体管80的漏电流。
本发明实施例中的主遮光层40相当于现有技术中的遮光层，从而使得在本发明实施例中从背光模组照射向薄膜晶体管80的有源层81的沟道区的光线不仅会受到主遮光层40的遮挡，还会受到第一辅助遮光部21的遮挡，因此，与现有技术相比，有效减小了照射至薄膜晶体管80的有源层81的沟道区的光线的强度，进而可以降低薄膜晶体管80的光漏流，进而改善显示面板的串扰和残影等不良。
当然现有技术中也存在一些提高遮光层遮光效果的方式，例如，将遮光层加厚(例如，遮光层的厚度为150nm)，本申请的发明人发现，当薄膜晶体管80的有源层81的沟道区的材质为多晶硅时，有源层81的沟道区对光照更敏感，若直接将现有技术中的遮光层加厚，虽然可以改善遮光层的遮光效果，减小薄膜晶体管的光漏流，但是，由于遮光层的材质一般为钼(Mo)或者铝(Al)等，具有良好的导热性，在遮光层的厚度加大后，会在将非晶硅转化为多晶硅的激光晶化制程中，导致温度不够，晶化不完全。
而采用本发明实施例中的技术方案，上述主遮光层40包括主遮光部41相当于现有技术中的遮光层，其厚度较小，在将非晶硅转化为多晶硅的激光晶化制程中，不会导走过多的热量，保证了温度，可以有效提高非晶硅的晶化程度，而且缓冲层50的厚度也无需增加，不会影响薄膜晶体管80与其他结构之间的耦合电容，有利于维持薄膜晶体管80的电性能。
由以上所述可知，主遮光部41的厚度越小，其对非晶硅转化为多晶硅的激光晶化过程影响越小，因此，本发明实施例中选择主遮光层40的厚度小于辅助遮光层20的厚度，从而可以在保证主遮光层40和辅助遮光层20的遮光效果的同时，避免对非晶硅转化为多晶硅的激光晶化过程影响过大。可选地，本发明实施例中的主遮光层40的厚度为30nm～60nm，例如35nm。可选地，辅助遮光层20的厚度为90nm～120nm，例如115nm。可选地，缓冲层50的材质为氧化硅，厚度为200nm～400nm。
另外，可选地，辅助遮光层20的材质为铝或者钼；绝缘层30的材质为氮化硅；绝缘层30的厚度为200nm～300nm。本发明实施例中主遮光层40的材质也可以为铝或者钼。其中，辅助遮光层20的材质与主遮光层40的材质可以相同，也可以不同，本发明实施例不进行限定，例如，主遮光层40的材质为钼，辅助遮光层20的材质为铝。
由之前所述可知，本发明实施例中薄膜晶体管80的有源层81的沟道区在阵列基板1上的正投影，位于主遮光部41在阵列基板1上的正投影内，且薄膜晶体管80的有源层81的沟道区在阵列基板1上的正投影位于第一辅助遮光部21在阵列基板1上的正投影内，在满足上述投影关系的情况下，辅助遮光层20包括的第一辅助遮光部21，以及主遮光层40包括的主遮光部41的具体结构可以有多种，下面本发明实施例举例进行描述。
可选地，如图2和图5所示，图5是本发明实施例所提供的阵列基板的俯视图四，第一辅助遮光部21为沿第一方向x延伸的条状结构。其中，如图2所示，第一辅助遮光部21为条状结构，每个第一辅助遮光部21的长度与其延伸方向上设置的所有的薄膜晶体管80的有源层81的沟道区相对应，此时，其延伸方向上的所有薄膜晶体管80的有源层81的沟道区在阵列基板1上的正投影均位于该第一辅助遮光部21在阵列基板1上的正投影内，该第一辅助遮光部21用于遮挡沿其延伸方向上设置的所有薄膜晶体管80的有源层81的沟道区。如图5所示，第一辅助遮光部21为条状结构，每个第一辅助遮光部21的长度仅与一个薄膜晶体管80的有源层81的沟道区相对应，此时，一个薄膜晶体管80的有源层81的沟道区在阵列基板1上的正投影，位于其对应的一个第一辅助遮光部21在阵列基板1上的正投影内，该第一辅助遮光部21仅用于遮挡该薄膜晶体管80的有源层81的沟道区。
可选地，如图3和图6所示，图6是本发明实施例所提供的阵列基板的俯视图五，主遮光部41为沿第一方向x延伸的条状结构。其中，如图3所示，主遮光部41为条状结构，每个主遮光部41的长度与其延伸方向上设置的所有的薄膜晶体管80的有源层81的沟道区相对应，此时，其延伸方向上的所有薄膜晶体管80的有源层81的沟道区在阵列基板1上的正投影，均位于该主遮光部41在阵列基板1上的正投影内，该主遮光部41用于遮挡沿其延伸方向上设置的所有薄膜晶体管80的有源层81的沟道区。如图6所示，主遮光部41为条状结构，每个主遮光部41的长度仅与一个薄膜晶体管80的有源层81的沟道区相对应，此时，一个薄膜晶体管80的有源层81的沟道区在阵列基板1上的正投影，位于其对应的一个主遮光部41在阵列基板1上的正投影内，该主遮光部41仅用于遮挡该薄膜晶体管80的有源层81的沟道区。
此外，如图2和图5所示，本发明实施例中的辅助遮光层20还包括多个第二辅助遮光部22，第二辅助遮光部22为沿第二方向y延伸的条状结构。如图7所示，图7是本发明实施例所提供的图1和图2沿B-B’方向的截面示意图，第二辅助遮光部22可以遮挡从斜向射向阵列基板1的光线，不仅可以进一步减小照射至薄膜晶体管80的有源层81的沟道区的光线的强度，进而进一步降低薄膜晶体管80的光漏流，进一步改善显示面板的串扰和残影等不良，还可以改善显示面板的视角和色偏现象。其中，斜向指的是不与阵列基板1所在平面垂直的方向。
其中，如图2所示，第二辅助遮光部22为条状结构，每个第二辅助遮光部22的长度与其延伸方向上设置的所有像素区域的长度相对应，或者，如图5所示，第二辅助遮光部22为条状结构，每个第二辅助遮光部22的长度仅与一个像素区域在其延伸方向上的长度相对应。
可选地，如图7所示，图7是本发明实施例所提供的图1和图2沿B-B’方向的截面示意图，图7中箭头指示的是射向阵列基板1的光线，数据线70在阵列基板1上的正投影位于第二辅助遮光部22在阵列基板1上的正投影内，从而使得在垂直于阵列基板1的方向上，第二辅助遮光部22和数据线70的遮光面积较小，使得第二辅助遮光层22的设计对显示面板的穿透率的影响最小。
可选地，如图1和图2所示，第二辅助遮光部22与数据线70一一对应，从而使得在第一方向x上，每个薄膜晶体管80的有源层81的沟道区的两侧均设置有第二辅助遮光部22，进而可以进一步减小照射至薄膜晶体管80的有源层81的沟道区的光线的强度，进而进一步降低薄膜晶体管80的光漏流，进一步改善显示面板的串扰和残影等不良。
其中，如图2所示，辅助遮光层20包括多个第一辅助遮光部21和多个第二辅助遮光部22，且第一辅助遮光部21为沿第一方向x延伸的条状结构，每个第一辅助遮光部21的长度与其延伸方向上设置的所有的薄膜晶体管80的有源层81的沟道区相对应，第二辅助遮光部22为沿第二方向y延伸的条状结构，每个第二辅助遮光部22的长度与其延伸方向上设置的所有像素区域的长度相对应，且第二辅助遮光部22与数据线70一一对应时，整个辅助遮光层20呈网状结构，均匀分布在整个阵列基板1上，从而可以使得辅助遮光层20上的温度分布均匀，不会造成局部温度过高，进而可以避免因局部温度过高对薄膜晶体管80的器件稳定性的影响，而且还可以具有较好的遮光效果。
为了使本领域技术人员更直观地了解本发明实施例与现有技术相比在遮光方面的优势，下面本发明实施例对辅助遮光层20具有如图2所示的结构的方案(以下简称为本方案)，与现有技术中仅设置遮光层的技术方案(以下简称为现有技术)的遮光效果进行对比，其中，现有技术中遮光层的厚度为35nm，材质为钼，本发明实施例中主遮光层40的厚度为35nm，材质为钼，第一辅助遮光层20的厚度为115nm，材质为铝。如图8所示，图8是本发明实施例所提供的技术方案与现有技术的反射率对比图，其中，横坐标表示波长，图8中用Wavelength表示，纵坐标表示反射率，图8中用Reflectance表示，针对波长范围为400nm～700nm的可见光，本方案的遮光效果均远大于现有技术的遮光效果，例如，在波长为400nm时，本发明实施例中的技术方案可反射约92％的光线，而现有技术中的技术方案仅能反射约55％的光线。
此外，本发明实施例提供一种显示面板，如图9所示，图9是本发明实施例所提供的显示面板的截面示意图，本发明实施例中的显示面板包括以上任一项所述的阵列基板1。具体地，如图9所示，上述显示面板还包括与阵列基板1相对设置的彩膜基板2，以及位于阵列基板1和彩膜基板2之间的液晶层3。其中，如图10所示，图10是本发明实施例所提供的彩膜基板的俯视图，彩膜基板2上设置有黑矩阵201和色阻202，黑矩阵201与阵列基板1上的栅线60、数据线70和薄膜晶体管80相对应，用于遮挡栅线60、数据线70和薄膜晶体管80。具体地，如图10所示，黑矩阵201包括沿第一方向x延伸的第一黑矩阵201a，以及沿第二方向y延伸的第二黑矩阵201b，色阻202包括不同颜色的色阻202，例如色阻202包括红色色阻202a、绿色色阻202b和蓝色色阻202c，红色色阻202a、绿色色阻202b和蓝色色阻202c在第一方向x上交替设置。
如图2和图5所示，当阵列基板1上的辅助遮光层20还包括多个第二辅助遮光部22，第二辅助遮光部22为沿第二方向y延伸的条状结构时，第二辅助遮光部22可以遮挡从斜向射向阵列基板1的光线，不仅可以进一步减小照射至薄膜晶体管80的有源层81的沟道区的光线的强度，进而进一步降低薄膜晶体管80的光漏流，进一步改善显示面板的串扰和残影等不良，还可以改善显示面板的视角和色偏现象。此时，若只需保证本发明实施例中的显示面板的视角及色偏与现有技术相同，则显示面板中的彩膜基板2上的第二黑矩阵21b的宽度可以适当减小，进而可以提升显示面板的穿透率。本领域技术人员可以根据实际需求选择改善色偏和视角的方案，或者，提升显示面板的穿透率的方案，此处不进行限定。
为了便于本领域技术人员更直观地了解本发明实施例中的技术方案在遮光方面以及提升显示面板的穿透率方面的优势，下面本发明实施例对辅助遮光层20具有如图2所示的结构，第二黑矩阵201b具有不同的宽度时的两个方案(以下分别简称为方案一和方案二)，与现有技术中仅设置遮光层的技术方案(以下简称为现有技术)进行对比。其中，现有技术中遮光层的厚度为35nm，材质为钼，沿第二方向y延伸的黑矩阵的宽度为5.5μm；方案一中主遮光层40的厚度为35nm，材质为钼，辅助遮光层20的厚度为115nm，材质为铝，第二黑矩阵201b的宽度为5.5μm；方案二中主遮光层40的厚度为35nm，材质为钼，辅助遮光层20的厚度为115nm，材质为铝，第二黑矩阵201b的宽度为5.0μm。如图11所示，图11是本发明实施例所提供的方案一、方案二与现有技术的色偏对比图，方案一与现有技术相比，较大视角(例如，视角大于或等于40°)对应的色偏有明显改善，二者的显示面板的穿透率相同，均为5.15％，方案二与现有技术相比，虽然各视角对应的色偏无改善，但由于第二黑矩阵201b的宽度从5.5μm降低到5.0μm，因此，显示面板的穿透率提升至5.28％，涨幅约为2.5％。其中，图11中色偏用△u’v’表示，△u’v’越大，代表色偏越差。
此外，本发明实施例提供一种显示装置，如图12所示，图12是本发明实施例所提供的显示装置的俯视图，显示装置包括以上所述的显示面板600。本发明实施例提供的显示装置可以是例如智能手机、可穿戴式智能手表、智能眼镜、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪、车载显示器、电子书等任何具有显示功能的产品或部件。
显示装置还包括位于靠近显示面板600包括的阵列基板1设置的背光模组，背光模组为显示面板提供光线。
可选地，本发明实施例中的显示装置为抬头显示器，该抬头显示器应用于汽车中，该抬头显示器可以将显示画面投射至汽车的挡风玻璃上，从而使得驾驶员抬头即可观看到显示画面，安全性更高。但由于挡风玻璃在显示画面的同时，能够透射外界光线，从而使得抬头显示器包括的背光模组的亮度需要很高(例如，高达百万nit级别)才会使显示画面清楚。因此，显示装置为抬头显示器时，与现有技术相比，本发明实施例中的技术方案的优势更明显。
此外，本发明实施例提供一种阵列基板的制作方法，该阵列基板的制作方法包括：
提供一衬底基板。
在衬底基板上形成辅助遮光层，辅助遮光层包括多个第一辅助遮光部。可选地，在衬底基板上形成的辅助遮光层还包括多个第二辅助遮光部。其中，第一辅助遮光部和第二辅助遮光部的具体结构以及辅助遮光层的材质和厚度均可参见之前对阵列基板的相关描述，此处不再进行赘述。
在形成了辅助遮光层的衬底基板上，形成绝缘层。
在形成了绝缘层的衬底基板上，形成主遮光层，主遮光层包括多个主遮光部。其中，主遮光部的具体结构以及主遮光层的材质和厚度均可参见之前对阵列基板1的相关描述，此处不再进行赘述。
在形成了主遮光层的衬底基板上，形成缓冲层。
在形成了缓冲层的衬底基板上，形成多条沿第一方向延伸的栅线和多条沿第二方向延伸的数据线，多条栅线和多条数据线限定出多个像素区域。
在像素区域内形成薄膜晶体管，薄膜晶体管的有源层的沟道区在阵列基板上的正投影，位于主遮光部在阵列基板上的正投影内，且薄膜晶体管的有源层的沟道区在阵列基板上的正投影，位于第一辅助遮光部在阵列基板上的正投影内。
其中，形成薄膜晶体管的步骤包括多个子步骤，其中的一些子步骤与以上各步骤可以同时进行，基于此，下面本发明实施例对阵列基板的制作方法进行举例说明：
如图1～图4以及图13所示，图13是本发明实施例所提供的阵列基板的制作方法的流程图，阵列基板1的制作方法包括：
步骤S1、提供一衬底基板10。
步骤S2、在衬底基板10上形成辅助遮光层20，辅助遮光层20包括多个第一辅助遮光部21和多个第二辅助遮光部22。
步骤S3、在形成了辅助遮光层20的衬底基板10上，形成绝缘层30。
步骤S4、在形成了绝缘层30的衬底基板10上，形成主遮光层40，主遮光层40包括多个主遮光部41。
步骤S5、在形成了主遮光层40的衬底基板10上，形成缓冲层50。
步骤S6、在形成了缓冲层50的衬底基板10上，形成薄膜晶体管80的有源层81，其中，薄膜晶体管80的有源层81的沟道区在阵列基板1上的正投影，位于主遮光部41在阵列基板1上的正投影内，且薄膜晶体管80的有源层81的沟道区在阵列基板1上的正投影，位于第一辅助遮光部21在阵列基板1上的正投影内。示例性地，有源层80为U型。
可选地，薄膜晶体管80的有源层81的材质为多晶硅时，在形成了缓冲层50的衬底基板10上，形成薄膜晶体管80的有源层81具体包括：在形成了缓冲层50的衬底基板10上，形成一层非晶硅，对非晶硅进行激光晶化形成多晶硅，进而形成材质为多晶硅的有源层81。
步骤S7、在形成了薄膜晶体管80的有源层81的衬底基板10上，形成栅极绝缘层90。
步骤S8、在形成了栅极绝缘层90的衬底基板10上，形成多条沿第一方向x延伸的栅线60，其中，栅线60具有和薄膜晶体管80的有源层801交叠的部分，此交叠部分直接作为薄膜晶体管80的栅极82。
步骤S9、在形成了多条沿第一方向x延伸的栅线60的衬底基板10上，形成层间绝缘层100，并在层间绝缘层100和栅极绝缘层90上形成与薄膜晶体管80的源极83对应的第一过孔V1，以及与薄膜晶体管80的漏极84对应的第二过孔V2。
步骤S10、在形成了具有第一过孔V1和第二过孔V2的层间绝缘层100的衬底基板10上，形成数据线70和薄膜晶体管的漏极84，其中，数据线70具有和薄膜晶体管80的有源层81交叠的部分，此交叠部分直接作为薄膜晶体管80的源极83，薄膜晶体管80的源极83通过第一过孔V1与薄膜晶体管80的有源层81连接，薄膜晶体管80的漏极84通过第二过孔V2与薄膜晶体管80的有源层81连接。
本发明实施例提供了一种阵列基板及其制作方法、显示面板和显示装置，其中，阵列基板1的衬底基板10上依次设置的辅助遮光层20、绝缘层30、主遮光层40和缓冲层50，辅助遮光层20包括多个第一辅助遮光部21，主遮光层40包括多个主遮光部41，由于薄膜晶体管80的有源层81的沟道区在阵列基板1上的正投影，位于主遮光部41在阵列基板1上的正投影内，且薄膜晶体管80的有源层81的沟道区在阵列基板1上的正投影，位于第一辅助遮光部21在阵列基板上的正投影内，上述主遮光部41相当于现有技术中的遮光层，从而使得在本发明实施例中从背光模组照射向薄膜晶体管80的有源层81的沟道区的光线不仅会受到主遮光部41的遮挡，还会受到第一辅助遮光部21的遮挡，因此，与现有技术相比，有效减小了照射至薄膜晶体管80的有源层81的沟道区的光线的强度，进而可以降低薄膜晶体管80的光漏流，进而改善显示面板的串扰和残影等不良。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明保护的范围之内。
Claims (14)
1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括衬底基板，以及沿远离所述衬底基板方向依次设置的辅助遮光层、绝缘层、主遮光层和缓冲层，所述缓冲层远离所述衬底基板的一侧设置有多条沿第一方向延伸的栅线和多条沿第二方向延伸的数据线，多条所述栅线和多条所述数据线限定出多个像素区域，所述像素区域内设置有薄膜晶体管；
其中，所述辅助遮光层包括多个第一辅助遮光部，所述主遮光层包括多个主遮光部，所述薄膜晶体管的有源层的沟道区在所述阵列基板上的正投影，位于所述主遮光部在所述阵列基板上的正投影内，且所述薄膜晶体管的有源层的沟道区在所述阵列基板上的正投影，位于所述第一辅助遮光部在所述阵列基板上的正投影内；
所述主遮光层的厚度小于所述辅助遮光层的厚度。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一辅助遮光部为沿第一方向延伸的条状结构。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述主遮光部为沿第一方向延伸的条状结构。
4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述辅助遮光层还包括多个第二辅助遮光部，所述第二辅助遮光部为沿第二方向延伸的条状结构。
5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述数据线在所述阵列基板上的正投影位于所述第二辅助遮光部在所述阵列基板上的正投影内。
6.根据权利要求4或5所述的阵列基板，其特征在于，所述第二辅助遮光部与所述数据线一一对应。
7.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述主遮光层的厚度为30nm～60nm。
8.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述辅助遮光层的厚度为90nm～120nm。
9.根据权利要求1～5任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述辅助遮光层的材质为铝或者钼。
10.根据权利要求1～5任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述绝缘层的厚度为200nm～300nm。
11.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1～10任一项所述的阵列基板。
12.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求11所述的显示面板。
13.根据权利要求12所述的显示装置，其特征在于，所述显示装置为抬头显示器。
14.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：
提供一衬底基板；
在所述衬底基板上形成辅助遮光层，所述辅助遮光层包括多个第一辅助遮光部；
在形成了所述辅助遮光层的所述衬底基板上，形成绝缘层；
在形成了所述绝缘层的所述衬底基板上，形成主遮光层，所述主遮光层包括多个主遮光部；
在形成了所述主遮光层的所述衬底基板上，形成缓冲层；
在形成了所述缓冲层的所述衬底基板上，形成多条沿第一方向延伸的栅线和多条沿第二方向延伸的数据线，多条所述栅线和多条所述数据线限定出多个像素区域；
在所述像素区域内形成薄膜晶体管，所述薄膜晶体管的有源层的沟道区在所述阵列基板上的正投影，位于所述主遮光部在所述阵列基板上的正投影内，且所述薄膜晶体管的有源层的沟道区在所述阵列基板上的正投影，位于所述第一辅助遮光部在所述阵列基板上的正投影内；
所述主遮光层的厚度小于所述辅助遮光层的厚度。
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