CN109683411A - 一种像素结构及其显示面板 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种像素结构及其显示面板。其中所述像素结构包括分别设有4个畴的主区和从区，其中所述主区位于所述从区的上部，所述主区和从区分别连接有驱动TFT进行电流充电。其中所述主区连接的驱动TFT的数量大于所述从区连接的驱动TFT的数量，从而使得所述主区的电压大于所述从区的电压。本发明提供了一种像素结构，其采用新型的8畴结构设计，提高了其开口率，进而降低了其成为亮点的风险。

Description

一种像素结构及其显示面板
技术领域
本发明涉及发光显示技术领域，尤其是，其中的一种像素结构及其显示面板。
背景技术
已知，液晶面板特别是大尺寸的液晶面板在大视角观看会出现色偏的情况，而且观看角度越大，色偏越严重。
对此，为了提高显示面板的显示视角并同时降低色偏，业界对于大尺寸的显示面板通常会做低色偏(Low color shift)的设计。例如，其中一种常见的解决方案是增加像素的畴(domain)数量，如习知的，一个像素通常会分成4个畴，而如果将一个像素分成主区(Main区)和从区(Sub区)两个区，每一区同时都包括4个畴，如此，也就使得一个像素具有了8个畴，从而可以提高视角，改善色偏情况。
如图1所示，其图示了一种常见的像素结构，其中所述像素分为主区10’和从区20’两个区域，每个区域都设置4个畴，从而实现其8个畴的设计。如图中所示，所述像素的主区10’和从区20’均是通过一个横向设置的TFT30’进行充电，两者的充电电流是一致的，相应的，两者的电压也就是一样的。
而为了实现8畴结构，需要将所述主区10’和从区20’两者的电压关系设置为主区电压大于从区电压，而一般降低电压的方式为降低其电流。对此，业界在所述从区20’下设置了一个降压电容(C down电容)，以存储部分所述从区20’的充电电流，进而降低所述从区20’的电压，从而使得所述主区10’的电压大于所述从区20’的电压。
但由于所述像素结构中增设了降压电容器件，这就使得这种结构的像素结构设计由于器件较多而导致的开口率低，进而亮点风险高的问题。因此，确有必要来开发一种新型的8畴像素结构，以克服现有技术中的缺陷。
发明内容
本发明的一个方面是提供一种新型的像素结构，其采用新型的8畴结构设计，提高了其开口率，进而降低了其成为亮点的风险。
本发明采用的技术方案如下：
一种像素结构，包括分别设有4个畴的主区和从区，其中所述主区位于所述从区的上部，所述主区和从区分别连接有驱动TFT进行电流充电。其中所述主区连接的驱动TFT的数量多于所述从区连接的驱动TFT的数量，从而使得所述主区的电压大于所述从区的电压。
进一步的，在不同实施方式中，其中所述主区连接的驱动TFT的数量比所述从区连接的驱动TFT的数量多1个或以上数量。
进一步的，在不同实施方式中，其中所述主区连接2个驱动TFT。
进一步的，在不同实施方式中，其中所述主区连接的驱动TFT相邻并相互平行排列设置。
进一步的，在不同实施方式中，其中所述主区连接的驱动TFT和所述从区连接的驱动TFT，相互间平行排列设置。
进一步的，在不同实施方式中，其中所述从区连接1个驱动TFT。
进一步的，在不同实施方式中，其中所述主区连接的驱动TFT为竖向设置。即，所述第一驱动TFT的开口向下朝向所述主区。
进一步的，在不同实施方式中，其中所述从区连接的驱动TFT为竖向设置。即，所述第二驱动TFT的开口向下朝向所述从区。
进一步的，本发明的又一方面提供了一种显示面板，其包括基板。所述基板上设置有本发明涉及的所述像素结构。
相对于现有技术，本发明的有益效果是：本发明涉及的一种像素结构及其显示面板，其中所述像素结构采用新型的主区、从区驱动TFT结构设置，使具体为所述主区连接的驱动TFT数量多于所述从区连接的驱动TFT数量，从而使得所述主区获得的电压大于所述从区的电压，如此，也就不再需要现有技术中涉及的因两者电压一致而必须设置的用于降低所述从区电压的降压电容，相应的，既简化了所述像素的结构，同时又因为不需在所述像素结构中设置额外的降压电容，从而增加了所述像素结构的开口率，进而降低了所述像素结构成为亮点的风险。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为现有技术中涉及的一种像素结构的结构示意图；
图2为本发明的一个实施方式涉及的一种像素结构的结构示意图。
图1～2中的附图标记说明如下：
主区 10、10’ 从区 20、20’
驱动TFT 31、32、30’ 降压电容 40’
具体实施方式
以下将结合附图和实施例，对本发明涉及的一种像素结构及其显示面板的技术方案作进一步的详细描述。
本发明提供了一种像素结构，包括分别设有4个畴的主区和从区，其中所述主区位于所述从区的上部。
根据如下所示业界习知的充电电流公式可知
所述主区、从区的充电电流大小是同其驱动TFT的沟道宽度W和沟道长度L相关的，若是能降低沟道长度L或是增加沟道宽度W的值，则显然会增加电流值，进而增加电压值，使得所述主区的电压大于所述从区的电压，即可实现所述像素结构的8畴结构。
请参阅图2所示，本发明的一个实施方式引入了一种新型的竖向设置的驱动TFT结构。具体为，其中所述主区10连接有两个竖向设置的驱动TFT31进行电流充电，所述从区20连接有一个竖向设置的驱动TFT32以进行电流充电。这3个驱动TFT相邻且相互平行设置。
这其中所述主区10的两个驱动TFT31，由于这两个驱动TFT是相邻并行竖向设置，因此其沟道宽度W为这两个驱动TFT沟道宽度的叠加，相对于一个驱动TFT的沟道宽度而言，增加了1倍数量。如此，在所述驱动TFT沟道长度L不变的情况下，通过增加所述主区10的驱动TFT的数量，则可明显增加所述主区10的驱动电流，进而增加所述主区10的电压，从而实现所述像素结构的8畴结构；同时，也就无需设置现有技术中涉及的额外的减压电容。
进一步的，在不同实施方式中，其中并不限于所述主区10连接的驱动TFT的数量只比所述从区20连接的驱动TFT数量多一个，以及所述主区10只能连接2个驱动TFT，而所述从区20只能连接1个驱动TFT。其中所述主区10连接的驱动TFT的数量以及从区20连接的所述驱动TFT的数量，可随具体需要而定，并无限定。
举例来讲，其中所述主区10可以连接3个、4个、5个等等数量的驱动TFT，而所述从区20可以连接2个、3个、4个等等数量的驱动TFT。且所述主区10连接的所述驱动TFT的数量也可以是比所述从区20连接的驱动TFT的数量多2个、3个等等数量。
进一步的，本发明的又一方面提供了一种显示面板，其包括基板。所述基板上设置有本发明涉及的所述像素。
本发明涉及的一种像素结构及其显示面板，其中所述像素结构采用新型的主区、从区驱动TFT结构设置，使具体为所述主区连接的驱动TFT数量多于所述从区连接的驱动TFT数量，从而使得所述主区获得的电压大于所述从区的电压，如此，也就不再需要现有技术中涉及的因两者电压一致而必须设置的用于降低所述从区电压的降压电容，相应的，既简化了所述像素的结构，同时又因为不需在所述像素结构中设置额外的降压电容，从而增加了所述像素结构的开口率，进而降低了所述像素结构成为亮点的风险。
本发明的技术范围不仅仅局限于上述说明中的内容，本领域技术人员可以在不脱离本发明技术思想的前提下，对上述实施例进行多种变形和修改，而这些变形和修改均应当属于本发明的范围内。

Claims (10)

1.一种像素结构，包括分别设有4个畴的主区和从区，其中所述主区位于所述从区的上部，所述主区和从区分别连接有驱动TFT进行电流充电；其特征在于，其中所述主区连接的驱动TFT的数量多于所述从区连接的驱动TFT的数量，从而使得所述主区的电压大于所述从区的电压。
2.根据权利要求1所述的像素结构；其特征在于，其中所述主区连接的驱动TFT的数量比所述从区连接的驱动TFT的数量多1个或以上数量。
3.根据权利要求1所述的像素结构；其特征在于，其中所述主区连接2个驱动TFT。
4.根据权利要求1所述的像素结构；其特征在于，其中所述主区连接的驱动TFT相邻并相互平行排列设置。
5.根据权利要求1所述的像素结构；其特征在于，其中所述主区连接的驱动TFT和所述从区连接的驱动TFT，相互间平行排列设置。
6.根据权利要求5所述的像素结构；其特征在于，其中所述主区连接的驱动TFT和所述从区连接的驱动TFT，相互间竖向平行排列设置。
7.根据权利要求1所述的像素结构；其特征在于，其中所述从区连接1个驱动TFT。
8.根据权利要求1所述的像素结构；其特征在于，其中所述主区连接的驱动TFT为竖向设置。
9.根据权利要求1所述的像素结构；其特征在于，其中所述从区连接的驱动TFT为竖向设置。
10.一种显示面板，包括基板；其特征在于，其中所述基板上设置有根据权利要求1所述的像素结构。
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