CN211293540U - 一种显示面板和显示装置 - Google Patents

Abstract

本申请公开一种显示面板和显示装置，所述显示面板包括，阵列基板、与所述阵列基板相对设置的彩膜基板；所述阵列基板包括，数据线、扫描线以及由扫描线与数据线形成的像素单元；所述像素单元包括主像素区和次像素区，以及连接所述像素单元的薄膜晶体管；所述薄膜晶体管包括连接所述主像素区像素电极的第一薄膜晶体管和连接所述次像素区像素电极的第二薄膜晶体管；所述第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管的数量有且只有一个。通过减少薄膜晶体管的数量以及增大薄膜晶体管沟道的宽长比，减小薄膜晶体管的占用面积，增大显示面板的开口率，改善广视角面板发生色偏的问题。

Description

一种显示面板和显示装置

技术领域

本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板和显示装置。

背景技术

VA(VerticalAlignment)面板，是现在高端液晶应用较多的面板类型，属于广视角面板。传统的VA模式液晶面板在广视角观看时，往往会出现色偏的问题。为改善广视角面板的色偏，现有的广视角面板将像素分为两个区，面板工作时，一个区(Main)的亮度较高，另外一个区(Sub)亮度较低，以通过该两个亮度不同的区来改善面板的广视角特性。

由于Sub区的面积较大(占像素开口区的60％左右)，整个像素的穿透率会有较大的牺牲，增加了背光的功耗，不符合现在绿色环保节能的理念。此外，由于Main区内均是高亮度像素，而Sub区内均是低亮度像素，高亮度像素和低亮度像素分别过于集中，使得两个区的亮度差异过于明显，导致视觉效果不佳。

实用新型内容

本申请的目的是提供一种显示面板和显示装置，以解决现有多畴垂直取向型液晶显示面板在大视角位置观看时，画面会出现对比度下降，以及色偏，进而导致显示效果欠佳的技术问题。

为实现上述目的，本申请公开一种显示面板，包括阵列基板以及与所述阵列基板相对设置的彩膜基板；其中，所述阵列基板包括，数据线、扫描线、由扫描线与数据线交错形成的像素单元以及连接所述像素单元的薄膜晶体管；所述像素单元包括主像素区和次像素区，所述薄膜晶体管包括连接所述主像素区像素电极的第一薄膜晶体管和连接所述次像素区像素电极的第二薄膜晶体管；所述第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管的数量有且只有一个。

可选的，所述像素单元包括多个子像素，所述主像素区和所述次像素区分贝包括四个畴，其中，所述主像素区的四个畴的同一个子像素与次像素区的四个畴的同一子像素转动角度不同。

可选的，所述薄膜晶体管包括源极和与源极相对设置的漏极，以及由所述源极和所述漏极定义的沟道区；所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管的沟道区宽长比不同。

可选的，所述第一薄膜晶体管的沟道区和所述第二薄膜晶体管的沟道区的宽度相同，所述第一薄膜晶体管沟道区的长度大于所述第二薄膜晶体管沟道区的长度。

可选的，所述第一薄膜晶体管的沟道区和所述第二薄膜晶体管的沟道区的长度相同，所述第一薄膜晶体管沟道区的宽度小于所述第二薄膜晶体管沟道区的宽度。

可选的，所述第二薄膜晶体管的沟道区的长度小于所述第一薄膜晶体管，并且所述第二薄膜晶体管的沟道区的宽度大于所述第一薄膜晶体管沟道区的宽度。

可选的，所述沟道区的长度不小于4um。

可选的，所述薄膜晶体管的材料为Al、Cu、Mo、MoW、AlNd、和 Cr之一，所述沟道区形状为U形。

本申请还公开一种显示面板，包括阵列基板以及与所述阵列基板相对设置的彩膜基板和位于所述阵列基板与所述彩膜基板之间的液晶层；其中，所述阵列基板包括，数据线、扫描线、由扫描线与数据线交错形成的像素单元以及连接所述像素单元的薄膜晶体管；所述像素单元包括由所述扫描线和数据线定义的主像素区和次像素区；所述薄膜晶体管包括连接所述主像素区像素电极的第一薄膜晶体管和连接所述次像素区像素电极的第二薄膜晶体管；所述主像素区和所述次像素区分贝包括四个畴；所述第二薄膜晶体管的沟道宽长比大于所述第一薄膜晶体管的沟道宽长比；所述薄膜晶体管包括源极，漏极以及沟道区；所述第二薄膜晶体管的沟道区的长度小于所述第一薄膜晶体管的沟道区的长度，所述第二薄膜晶体管的沟道区的宽度大于所述第一薄膜晶体管的沟道区的宽度。

本申请还公开一种显示装置，包括上述显示面板。

相对于市场上的多畴垂直取向型液晶显示面板，具体的，八畴对应三个薄膜晶体管；本申请在主像素区和次像素区均只设置一个薄膜晶体管，并且通过增大沟道的宽长比，相应减小薄膜晶体管的占用面积，增大显示面板的开口率，进而可以在显示面板显示相同亮度的情况下，相应降低显示面板的功耗，改善广视角面板发生色偏的问题。

附图说明

所包括的附图用来提供对本申请实施例的作为本申请的一实施方式理解，其构成了说明书的一部分，用于例示本申请的实施方式，并与文字描述一起来阐释本申请的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。在附图中：

图1是本申请示例性一种显示面板的结构示意图；

图2是本申请其中一实施例一种显示面板的结构示意图；

图3是本申请其中一实施例一种显示面板的结构示意图；

图4是本申请其中一个实施例一种显示面板的薄膜晶体管的结构示意图；

图5是本申请其中一个实施例一种显示面板的结构示意图；

图6是本申请其中另一个实施例一种显示面板的结构示意图；

图7是本申请其中一个实施例一种显示面板的结构示意图；

图8是本申请其中一个实施例一种显示装置的结构示意图。

其中，100、显示面板；110、扫描线；120、数据线；130、像素单元；140、主像素区；150、次像素区；160、阵列基板；170、彩膜基板；200、薄膜晶体管；210、第一薄膜晶体管；220、第二薄膜晶体管；230、源极；240、漏极；250、沟道区；300、显示装置。

具体实施方式

这里所公开的具体结构和功能细节仅仅是代表性的，并且是用于描述本申请的示例性实施例的目的。但是本申请可以通过许多替换形式来具体实现，并且不应当被解释成仅仅受限于这里所阐述的实施例。

在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“横向”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本申请的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。另外，术语“包括”及其任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。

在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。

这里所使用的术语仅仅是为了描述具体实施例而不意图限制示例性实施例。除非上下文明确地另有所指，否则这里所使用的单数形式“一个”、“一项”还意图包括复数。还应当理解的是，这里所使用的术语“包括”和/或“包含”规定所陈述的特征、整数、步骤、操作、单元和/或组件的存在，而不排除存在或添加一个或更多其他特征、整数、步骤、操作、单元、组件和/或其组合。

下面参考附图和可选的实施例对本申请作进一步说明。

如图1至图3所示，本申请公开一种显示面板100包括阵列基板 160以及与所述阵列基板160相对设置的彩膜基板170；其中，所述阵列基板160包括，数据线120、扫描线110、由扫描线110与数据线120交错形成的像素单元130以及连接所述像素单元130的薄膜晶体管200；所述像素单元130包括由所述扫描线110和数据线120定义的主像素区140和次像素区150，所述薄膜晶体管200包括连接所述主像素区140像素电极的第一薄膜晶体管210和连接所述次像素区 150像素电极的第二薄膜晶体管220；所述第一薄膜晶体管210和第二薄膜晶体管220的数量有且只有一个。

在主像素区140和次像素区150均只设置一个薄膜晶体管200，相对于一般的显示面板，次像素区150通常有两个薄膜晶体管200，减少一个薄膜晶体管200，对应的减少薄膜晶体管200占像素单元130 中面积，增大了显示面板100的开口率，改善广视角面板发生色偏的问题。

进一步的，像素单元130包括多个子像素，所述主像素区140和所述次像素区150分贝包括四个畴，其中，所述主像素区140的四个畴的同一个子像素与次像素区150的四个畴的同一子像素转动角度不同。

以八畴显示面板为例，将八畴像素设定为四畴主像素区140和四畴次像素区150，并且主像素区140的子像素与次像素区150的子像素转动角度不同，分别给予主像素和次像素区150不同的电压和面积，使得主像素和次像素区150显示不同的灰阶，通过空间上的混合，达到改善视角的效果。

如图4所示，薄膜晶体管200包括源极230和与源极230相对设置的漏极240，以及由所述源极230和所述漏极240定义的沟道区250；所述第一薄膜晶体管210和所述第二薄膜晶体管220的沟道区250宽长比不同。

在对扫描线110输入扫描信号时，与扫描线110连接的薄膜晶体管处于开启状态，数据线120加载的灰阶信号通过薄膜晶体管施加到像素电极上，对像素电极进行充电。由于像素电极的充电速率与薄膜晶体管200的开启电流有关，薄膜晶体管200的开启电流又受薄膜晶体管的沟道区250的宽长比影响，薄膜晶体管200的沟道的宽长比在主像素区140和次像素区150的不同，薄膜晶体管200的沟道的宽长比比值越大，对应的像素区越亮，从而减小广视角色偏的问题。

现有的影响薄膜晶体管200的沟道的宽长比

的方法，具体的增大薄膜晶体管的沟道区250的宽长比的方法有两种，一种方法是通过增大沟道的宽度W来实现，另一种方法是通过减小沟道的长度L来实现。因为次像素区150的亮度较低，本申请需要增大次像素区150 的第二薄膜晶体管220的沟道区的宽长比

从而增大次像素区150 的亮度，使次像素区150和主像素区140的亮度接近一致，两个像素区的亮度差异性减小，提高视觉效果。

如图5所示，第一薄膜晶体管210的沟道区250和所述第二薄膜晶体管220的沟道区250的宽度相同W1＝W2，所述第一薄膜晶体管210 沟道区250的长度L1大于所述第二薄膜晶体管220沟道区250的长度L2。

其中，第一薄膜晶体管210的沟道区250的宽度为W1,第二薄膜晶体管220的沟道区250的宽度为W2，通过减小第二薄膜晶体管220 的沟道区250的长度L2，又因为沟道区250的宽度不变W1＝W2,L1>L2, 所以第二薄膜晶体管220沟道区250的宽长比大于第一薄膜晶体管 210的沟道区250宽长比为

整个次像素区150的亮度增大，减少与主像素区140亮度的差异性。

可替代的，如图6所示，所述第一薄膜晶体管210的沟道区250 和所述第二薄膜晶体管220的沟道区250的长度相同L1＝L2，所述第一薄膜晶体管210沟道区250的宽度W1小于所述第二薄膜晶体管220 沟道区的宽度W2。

通过增大第二薄膜晶体管220的沟道区的宽度W2，第一薄膜晶体管210的沟道区的长度为L1,宽度为W1；第二薄膜晶体管220的沟道区250的宽度为L2，又因为L1＝L2,W1<W2,第一薄膜晶体管210和第二薄膜晶体管220的沟道区250宽长比为

第二薄膜晶体管220的宽长比增大，使整个次像素区150的亮度增大，趋近于主像素区140的亮度，使亮度差异性不明显，提升显示效果。

当然，如图7所示，第二薄膜晶体管220也可以通过同时调节两个变量，即又增大其沟道区250的宽度W2又减小其沟道区250的长度L2，即W1<W2,L1>L2，宽长比为

从而使次像素区150的亮度与主像素区140的亮度接近一致，改善广视角面板特性引起的画面亮度不均引起的色偏。

更具体的，通过减小沟道区250的长度L增大沟道区250的宽长比的方法，由于显示面板100的基板设置，沟道区250的长度L不能小于4um，不限制沟道区250的宽度W的设置。

薄膜晶体管200的材料为Al、Cu、Mo、MoW、AlNd、和Cr之一，所述沟道区250形状为U形。

薄膜晶体管200的材料可以是上述任意金属或合金材料，第一薄膜晶体管210和第二薄膜晶体管220的源漏极240都可以通过同一金属层制作；像素单元130均用氧化铟锡制程；另外，沟道区250的形状也可以是川字型，凡是通过源极230、漏极240形成的沟道结构，无论沟道形状如何，都属于本申请的内容。

作为本申请的另一实施例，本申请还包括一种显示面板100，包括，阵列基板160、与所述阵列基板160相对设置的彩膜基板170和位于所述阵列基板160与所述彩膜基板170之间的液晶层；其中，所述阵列基板160包括，数据线120、扫描线110、由扫描线110与数据线120交错形成的像素单元130以及连接所述像素单元130的薄膜晶体管200；所述像素单元130包括由所述扫描线110和数据线120 定义的主像素区140和次像素区150；所述薄膜晶体管200包括连接所述主像素区140的第一薄膜晶体管210和连接所述次像素区150的第二薄膜晶体管220；所述主像素区140和所述次像素区150分贝包括四个畴；所述第二薄膜晶体管220的沟道宽长比大于所述第一薄膜晶体管210的沟道宽长比；所述薄膜晶体管包括源极230，漏极240 以及沟道区250；所述第二薄膜晶体管220的沟道区250的长度小于所述第一薄膜晶体管210的沟道区250的长度，所述第二薄膜晶体管 220的沟道区250的宽度大于所述第一薄膜晶体管210的沟道区250 的宽度。

作为本申请的另一实施例，如图8所示，本申请还公开一种显示装置300，包括上述任意一项所述的显示面板100。

本申请的技术方案可以广泛用于各种显示面板，如TN(Twisted Nematic，扭曲向列型)显示面板、IPS(In-Plane Switching，平面转换型)显示面板、VA(VerticalAlignment，垂直配向型)显示面板、MVA(Multi-Domain Vertical Alignment，多象限垂直配向型) 显示面板，当然，也可以是其他类型的显示面板，如OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管)显示面板，均可适用上述方案。

以上内容是结合具体的可选的实施方式对本申请所作的进一步详细说明，不能认定本申请的具体实施只局限于这些说明。对于本申请所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本申请的保护范围。

Claims (10)

1.一种显示面板，其特征在于，包括：

阵列基板；

彩膜基板，与所述阵列基板相对设置；

所述阵列基板包括：数据线、扫描线，由扫描线与数据线交错形成的像素单元以及连接所述像素单元的薄膜晶体管；

所述像素单元包括主像素区和次像素区，所述薄膜晶体管包括连接所述主像素区像素电极的第一薄膜晶体管和连接所述次像素区像素电极的第二薄膜晶体管；

所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管的数量有且只有一个。

2.如权利要求1所述的一种显示面板，其特征在于，所述像素单元包括多个子像素，所述主像素区和所述次像素区分别包括四个畴，其中，所述主像素区的同一个子像素与次像素区的同一子像素转动角度不同。

3.如权利要求1所述的一种显示面板，其特征在于，所述薄膜晶体管包括源极和与所述源极相对设置的漏极，以及由所述源极和所述漏极定义的沟道区；

其中，所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管的沟道区宽长比不同。

4.如权利要求3所述的一种显示面板，其特征在于，所述第一薄膜晶体管的沟道区和所述第二薄膜晶体管的沟道区的宽度相同，所述第一薄膜晶体管沟道区的长度大于所述第二薄膜晶体管沟道区的长度。

5.如权利要求3所述的一种显示面板，其特征在于，所述第一薄膜晶体管的沟道区和所述第二薄膜晶体管的沟道区的长度相同，所述第一薄膜晶体管沟道区的宽度小于所述第二薄膜晶体管沟道区的长度。

6.如权利要求3所述的一种显示面板，其特征在于，所述第二薄膜晶体管的沟道区的长度小于所述第一薄膜晶体管的沟道区的长度，并且所述第二薄膜晶体管的沟道区的宽度大于所述第一薄膜晶体管沟道区的宽度。

7.如权利要求3所述的一种显示面板，其特征在于，所述沟道区的长度不小于4um。

8.如权利要求3所述的一种显示面板，其特征在于，所述薄膜晶体管的材料为Al、Cu、Mo、MoW、AlNd、和Cr之一，所述沟道区形状为U形。

9.一种显示面板，其特征在于，包括：

阵列基板；

彩膜基板，与所述阵列基板相对设置；

其中，所述阵列基板包括：数据线、扫描线、由扫描线与数据线交错形成的像素单元以及连接所述像素单元的薄膜晶体管；

所述像素单元包括由所述扫描线和数据线定义的主像素区和次像素区；所述主像素区和所述次像素区分别包括四个畴；所述薄膜晶体管包括连接所述主像素区像素电极的第一薄膜晶体管和连接所述次像素区像素电极的第二薄膜晶体管；

所述薄膜晶体管包括源极，漏极以及沟道区；

所述第二薄膜晶体管的沟道区的长度小于所述第一薄膜晶体管的沟道区的长度，所述第二薄膜晶体管的沟道区的宽度大于所述第一薄膜晶体管的沟道区的宽度。

10.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1至9任意一项所述的显示面板。

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