CN107463044A - 像素结构及主动开关阵列基板 - Google Patents

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Abstract

本发明实施例公开一种像素结构及主动开关阵列基板，该像素结构包括：第一扫描线、与第一扫描线相邻的第二扫描线、第一数据线、与第一数据线相邻的第二数据线以及像素电极；第一扫描线及第二扫描线与第一数据线及第二数据线交叉设置共同围成一个像素单元区域；像素电极位于像素单元区域内且电连接第一扫描线和第一数据线，像素电极上设有从第一扫描线向第二扫描线延伸的至少一条狭隙，狭隙的长度方向相对于第一扫描线的长度方向倾斜。本发明实施例通过在像素电极上倾斜开设至少一条狭隙，能够为液晶分子的排布预置一定的倾斜角度，从而提高具有该像素结构的显示设备的可视角度。

Description

像素结构及主动开关阵列基板
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种像素结构及主动开关阵列基板。
背景技术
液晶显示器具有高画质、体积小、重量轻、低电压驱动、低消耗功率及应用范围广等优点，因此，已被广泛的应用在中、小型可携式电视、行动电话、摄录放影机、笔记型电脑、桌上型显示器以及投影电视等消费性电子或电脑产品，并且更逐渐取代阴极射线管(Cathode Ray Tube，CRT)而成为显示器的主流。然而，液晶显示器仍有视角范围狭窄与价格偏高等问题，因此如何增加其视角范围，是目前急需改善的课题之一。
发明内容
本发明的实施例提供一种像素结构以及一种主动开关阵列基板，以实现增大可视角度的技术效果。
本发明实施例提供的一种像素结构，包括：第一扫描线；
第二扫描线，与所述第一扫描线相邻；第一数据线；第二数据线，与所述第一数据线相邻，所述第一扫描线及所述第二扫描线与所述第一数据线及所述第二数据线交叉设置共同围成一个像素单元区域；以及像素电极，所述像素电极位于所述像素单元区域内且电连接所述第一扫描线和所述第一数据线，所述像素电极上设有从所述第一扫描线向所述第二扫描线延伸的至少一条狭隙，且所述狭隙的长度方向相对于所述第一扫描线的长度方向倾斜。
在本发明的一个实施例中，所述狭隙的长度方向相对于所述第一扫描线的长度方向倾斜的夹角取值范围为75°～85°。
在本发明的一个实施例中，所述像素结构还包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管的源极连接所述第一数据线，所述第一薄膜晶体管的栅极连接所述第一扫描线，所述第一薄膜晶体管的漏极连接所述第二薄膜晶体管的源极，所述第二薄膜晶体管的栅极连接所述第一扫描线，所述第二薄膜晶体管的漏极连接所述像素电极。
在本发明的一个实施例中，第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管为NMOS晶体管或PMOS晶体管。
在本发明的一个实施例中，所述像素电极采用透明导电材料制成，所述透明导电材料包括ITO、IZO和ITZO中的一种或多种。
另外，本发明实施例提供的一种主动开关阵列基板，包括：透明基板；
以及第一扫描线，设置在所述透明基板上；第三扫描线，设置在所述透明基板上；第二扫描线，设置在所述透明基板上且所述第二扫描线位于所述第一扫描线和所述第三扫描线之间；第一数据线，设置在所述透明基板上；第二数据线，设置在所述透明基板上，所述第一扫描线及所述第二扫描线与所述第一数据线及所述第二数据线交叉设置共同围成一个第一像素单元区域，所述第二扫描线及所述第三扫描线与所述第一数据线及所述第二数据线交叉设置共同围成与所述第一像素单元区域相邻的一个第二像素单元区域；第一像素电极，设置在所述透明基板上且所述第一像素电极位于所述第一像素单元区域内且电连接所述第一扫描线和所述第一数据线，所述第一像素电极上设有从所述第一扫描线向所述第二扫描线延伸的至少一条第一狭隙；第二像素电极，设置在所述透明基板上且所述第二像素电极位于所述第二像素单元区域内且电连接所述第二扫描线和所述第一数据线，所述第二像素电极上设有从所述第二扫描线向所述第三扫描线延伸的至少一条第二狭隙；所述第一狭隙邻近所述第二扫描线的一端相对于所述第一狭隙邻近所述第一扫描线的一端更靠近所述第一数据线；所述第二狭隙邻近所述第二扫描线的一端相对于所述第二狭隙邻近所述第三扫描线的一端更靠近所述第一数据线。
在本发明的一个实施例中，所述第一狭隙的长度方向相对于所述第二扫描线的长度方向的倾斜夹角的取值范围为75°～85°。
在本发明的一个实施例中，所述主动开关阵列基板还包括：公共电极，与所述第一像素电极及所述第二像素电极同层设置在所述透明基板上。
在本发明的另一个实施例中，所述主动开关阵列基板还包括：公共电极，设置在所述第一像素电极及所述第二像素电极和所述透明基板之间。
在本发明的一个实施例中，所述第一像素电极和第二像素电极均采用透明导电材料制成，所述透明导电材料包括ITO、IZO和ITZO中的一种或多种。
上述技术方案具有如下优点或有益效果：在由相邻的两条扫描线和相邻的两条数据线交叉设置共同围成的像素单元区域中设置像素电极，且在像素电极上倾斜开设有至少一条狭隙，其能够为液晶分子的排布预置一定的倾斜角度，从而可以提高具有该像素结构的显示设备的可视角度。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明一实施例中的像素结构的布局示意图；
图2为本发明另一实施例中的主动开关阵列基板的结构示意图；
图3为本发明另一实施例中的主动开关阵列基板的另一示意图；
图4为本发明再一实施例中的主动开关阵列基板的结构示意图；
图5为本发明再一实施例中的主动开关阵列基板的另一示意图；
图6为本发明又一实施例中的显示面板的结构示意图；
图7为本发明又一实施例中的彩膜基板的结构示意图；
图8为本发明其它实施例中的彩膜基板的局部示意图；
图9为本发明一实施例中的液晶显示器的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
如图1所示，本发明一实施例中提供的一种像素结构100，包括：相邻设置的扫描线111和扫描线112、相邻设置的数据线121和数据线122、以及像素电极130。扫描线111及112与数据线121及数据线122交叉设置共同围成一个像素单元区域，像素电极130位于所述像素单元区域内。此外，像素电极130上设有从扫描线111向扫描线112延伸的至少一条狭隙131，狭隙131的长度方向相对于扫描线111的长度方向(例如图1的水平方向)倾斜。
本实施例中，扫描线111和扫描线112大致平行设置，而数据线121和数据线122也是大致平行设置，因此扫描线111、扫描线112、数据线121和数据线122共同围成了一个大致呈四边形的像素单元区域，而像素电极130位于所述像素单元区域内并电连接扫描线111和数据线121。再者，在像素电极130上设有至少一条例如两条狭隙131，如果为多条狭隙131则各条狭隙131例如大致互相平行。每一条狭隙131为从扫描线111向扫描线112延伸并贯穿像素电极130，或换而言之狭缝131为镂空结构且两端封闭，当然也可以是一端封闭而另一端开口的镂空结构；像素电极130典型地为透明电极例如ITO(Indium Tin Oxide，铟锡氧化物)电极，狭隙131的长度方向相对于扫描线111的长度方向是倾斜，具体来说，狭隙131和扫描线111的夹角α取值范围为75°～85°。像素电极130采用透明导电材料制成，例如ITO、IZO(Indium Zinc Oxide，铟锌氧化物)、ITZO(Indium Tin Zinc Oxide，铟锡锌氧化物)中的一种或者多种。
承上述，像素结构100还包括薄膜晶体管140和薄膜晶体管150。薄膜晶体管140的源极141连接数据线121，薄膜晶体管140的栅极142连接扫描线111，薄膜晶体管140的漏极143连接薄膜晶体管150的源极151，薄膜晶体管150的栅极152连接扫描线111以及薄膜晶体管150的漏极153连接像素电极130。换而言之，薄膜晶体管140和薄膜晶体管150串联连接在数据线121和像素电极130之间并且两者的栅极142、153均连接至同一条扫描线111；通过将薄膜晶体管140和薄膜晶体管150串联，既能够减小像素结构100的漏电流，又能够保持像素电极130的电压。再者，从图1的像素结构100的布局(Layout)结构还可以得知：薄膜晶体管140的漏极143自数据线121的一侧延伸跨越数据线121后与薄膜晶体管150的源极151相连，薄膜晶体管140的源极141和薄膜晶体管150的漏极153位于扫描线111的同一侧(例如图1中的扫描线111的上侧)，而薄膜晶体管140的漏极143和薄膜晶体管150的源极151均位于扫描线111的另一相对侧(例如图1中的扫描线111的下侧)，从而使得薄膜晶体管140和薄膜晶体管150整体布局结构大致呈U型，该种布局方式可以大大提升像素开口率。此外，值得一提的是，薄膜晶体管140、150可以是NMOS晶体管，也可以是PMOS晶体管；当然，薄膜晶体管140、150也可以替换成其他三端有源器件。
综上所述，本实施例提供的像素结构100通过在像素电极130中开设一条或多条从相邻两条扫描线111、112中的一条扫描线111向另一条扫描线112延伸的狭隙131，且使狭隙131的长度方向相对于扫描线111/112的长度方向倾斜，其可以为液晶分子的排布预置一定的倾斜角度，从而能够显著提高具有像素结构100的显示设备的可视角度。此外，双薄膜晶体管140、150串联设置，既能够减小像素结构100的漏电流，又能够保持像素电极130的电压。另外，双薄膜晶体管140、150的布局结构可以有效提升像素开口率。
如图2及图3所示，本发明另一实施例中提供的一种主动开关阵列基板200，包括：透明基板250以及设置在透明基板250上的扫描线211、扫描线212、扫描线213、数据线221、数据线222、像素电极230和像素电极240，扫描线212位于扫描线211和扫描线213之间，扫描线211与扫描线212相邻设置且扫描线212与扫描线213相邻设置。扫描线211及扫描线212与数据线221及数据线222交叉设置共同围成一个第一像素单元区域，扫描线212及扫描线213与数据线221及数据线222交叉设置共同围成一个第二像素单元区域，所述第一像素单元区域与所述第二像素单元区域相邻。
像素电极230位于所述第一像素单元区域内并电连接扫描线211和数据线221，像素电极230上设有从扫描线211向扫描线212延伸的至少一条狭隙231。像素电极240位于所述第二像素单元区域内并电连接扫描线212和数据线221，像素电极240上设有从扫描线212向扫描线213延伸的至少一条狭隙241。
像素电极230上的每一条狭隙231邻近扫描线212的一端相对于其邻近扫描线211的一端更靠近数据线221。像素电极240上的每一条狭隙241邻近扫描线212的一端相对于其邻近扫描线213的一端更靠近数据线221。优选地，各条狭隙241的长度方向相对于扫描线212的长度方向的倾斜夹角α的取值范围为75°～85°；类似地，各条狭缝231的长度方向相对于扫描线212的长度方向的倾斜夹角的取值范围也为75°～85°。
更具体地，位于所述第一像素单元区域内的像素电极230与扫描线211及数据线221之间形成电连接可以类似于图1中的像素电极130，由两个串联的三端有源器件例如两个串联的薄膜晶体管来完成；该种采用双薄膜晶体管串联的电连接方式既能够减小像素结构的漏电流，又能够保持像素电极230的电压；再者，这种双薄膜晶体管的布局结构也可以如图1所示的U型，甚至是其他形状例如V型，以提升像素开口率。同理，位于所述第二像素单元区域内的像素电极240与扫描线212及数据线221之间形成电连接可以类似于图1中的像素电极130，由两个串联的三端有源器件例如两个串联的薄膜晶体管来完成；该种采用双薄膜晶体管串联的电连接方式既能够减小像素结构的漏电流，又能够保持像素电极240的电压；再者，这种双薄膜晶体管的布局结构也可以如图1所示的U型，甚至是其他形状例如V型，以提升像素开口率。像素电极230和像素电极240均采用透明导电材料制成，例如ITO、IZO(Indium Zinc Oxide，铟锌氧化物)、ITZO(Indium Tin Zinc Oxide，铟锡锌氧化物)中的一种或者多种。
承上述，如图3所示，主动开关阵列基板200还包括公共电极260。其中，公共电极260与像素电极230及像素电极240同层设置在透明基板250上，因而本实施例的技术方案适用于IPS(In Plane Switching内平面切换)模式的液晶显示设备，具有可视角度大、颜色细腻等优点。再者，从图3中可以得知：公共电极260与像素电极230/240在图3所示水平方向上交替排列，从而像素电极230/240和与其相邻的公共电极260之间可以形成平面电场或称横向电场。
如图4及图5所示，本发明再一实施例中提供的一种主动开关阵列基板300，包括：透明基板350以及设置在透明基板350上的扫描线311、扫描线312、扫描线313、数据线321、数据线322、像素电极330和像素电极340，扫描线312位于扫描线311和扫描线313之间，扫描线311与扫描线312相邻设置且扫描线312与扫描线313相邻设置。扫描线311及扫描线312与数据线321及数据线322交叉设置共同围成一个第一像素单元区域，扫描线312及扫描线313与数据线321及数据线322交叉设置共同围成一个第二像素单元区域，所述第一像素单元区域与所述第二像素单元区域相邻。
像素电极330位于第一像素单元区域内并电连接扫描线311和数据线321，像素电极330上设有从扫描线311向扫描线312延伸的至少一条狭隙331。像素电极340位于所述第二像素单元区域内并电连接扫描线312和数据线321，像素电极340上设有从扫描线312向扫描线313延伸的至少一条狭隙341。
像素电极330上的每一条狭隙331邻近扫描线312的一端相对于其邻近扫描线311的一端更靠近数据线321。像素电极340上的每一条狭隙341邻近扫描线312的一端相对于其邻近扫描线313的一端更靠近数据线321。优选地，各条狭隙331的长度方向相对于扫描线312的长度方向的倾斜夹角α的取值范围为75°～85°，类似地，各条狭隙341的长度方向相对于扫描线312的长度方向的倾斜夹角也为α。
更具体地，位于所述第一像素单元区域内的像素电极330与扫描线311及数据线321之间形成电连接可以类似于图1中的像素电极130，由两个串联的三端有源器件例如两个串联的薄膜晶体管来完成；该种采用双薄膜晶体管串联的电连接方式既能够减小像素结构的漏电流，又能够保持像素电极330的电压；再者，这种双薄膜晶体管的布局结构也可以如图1所示的U型，甚至是其他形状例如V型，以提升像素开口率。同理，位于所述第二像素单元区域内的像素电极340与扫描线312及数据线321之间形成电连接可以类似于图1中的像素电极130，由两个串联的三端有源器件例如两个串联的薄膜晶体管来完成；该种采用双薄膜晶体管串联的电连接方式既能够减小像素结构的漏电流，又能够保持像素电极340的电压；再者，这种双薄膜晶体管的布局结构也可以如图1所示的U型，甚至是其他形状例如V型，以提升像素开口率。
承上述，本实施例技术方案与前述的第二实施例技术方案类似，所不同之处在于，本实施例中的公共电极360设置在像素电极330及像素电极340和透明基板350之间，且典型的是公共电极360整片设置在像素电极330、340下方，从而像素电极330、340可以与下方的公共电极360形成边缘电场。该方案适合于FFS(Fringe Field Switching，边缘场切换)模式的液晶显示设备，FFS技术是藉由边缘电场使面内几乎均质排列的液晶分子在电极表层旋转，具有视角宽广、高穿透性、低功耗等优点，能同时实现高穿透性与大视角等要求。
如图6及图7所示，本发明又一实施例中提供的一种显示面板400包括：薄膜晶体管基板410、彩膜基板420和夹设在薄膜晶体管410和彩膜基板420之间的液晶层440。
其中，主动开关阵列基板410包括多个像素结构(可参考图1所述的像素结构100)，图6中示出三个像素电极411(对应三个像素结构)作为举例，此图中公共电极并未示出。具体而言，每一个像素结构例如包括第一扫描线、与第一扫描线相邻的第二扫描线、第一数据线、与第一数据线相邻的第二数据线、以及像素电极411，所述第一扫描线及所述第二扫描线与所述第一数据线及所述第二数据线交叉设置共同围成一个像素单元区域，像素电极411位于所述像素单元区域内且电连接所述第一扫描线和所述第一数据线，像素电极411上设有从所述第一扫描线向所述第二扫描线延伸的至少一条狭隙，且每一条狭隙邻近所述第二扫描线的一端相对于其邻近所述第一扫描线的一端更靠近或更远离所述第一数据线。可以理解的是，本实施例的主动开关阵列基板410的具体结构与第二、第三实施例所述的主动开关阵列基板410类似，在此不作赘述；
彩膜基板420与主动开关阵列基板410相对设置，彩膜基板420上形成有与具有像素电极411的多个像素结构分别对应的多个彩色滤光片430，每一个彩色滤光片430的长度方向和与该彩色滤光片430相对应的像素结构的像素电极411的狭隙的长度方向平行。
具体地，彩膜基板420上的每一个彩色滤光片430例如为红色(R)滤光片、绿色(G)滤光片和蓝色(B)滤光片中的一种，且在每一行彩色滤光片430中，三种颜色的彩色滤光片430依次间隔排列且每一个彩色滤光片430分别对应一个像素电极411。基于此种结构，该显示面板400能够实现较大的可视角度。
此外，像素电极411上的狭隙的长度方向相对于所述第二扫描线的长度方向的倾斜夹角(参考图2和图4中的α)的取值范围优选为75°～85°，以实现较好的可视角度。
承上述，如图7所示，在列方向上，相邻两个彩色滤光片430沿相反方向倾斜延伸。具体而言，相邻两个彩色滤光片430包括第一彩色滤光片431和第二彩色滤光片432，第一彩色滤光片431包括第一端4311和第二端4312且自第一端4311向第二端4312倾斜延伸，第二彩色滤光片432包括第三端4321和第四端4322且自第三端4321向第四端4322倾斜延伸，且第二端4312和第三端4321相邻。
在其他实施例中，例如图8所示，第一彩色滤光片431的第一投影4313与第二彩色滤光片432的第二投影4323在行方向上部分重合，换句话说，彩膜基板420上的相邻行之间的彩色滤光片430在行方向上交错排列。基于该排布方式，显示面板400的彩膜基板420可以更好地和主动开关阵列基板410适配，以实现较大的可视角度、增大透光率，同时还能改变色差，使显示效果更好。此外，值得一提的是，本发明实施例所述的“行方向”和“列方向”可以互换。
在上述实施例的基础上，本发明的一实施例提供了一种液晶显示器500，例如图9所示，该包括背光模组510及显示面板520；其中显示面板520可以采用上述实施例的显示面板400。具体地，由背光模组510发出的光线依次经过显示面板520的主动开关阵列基板521、彩膜基板522后转换成图像显示给用户。
在本申请所提供的几个实施例中，应该理解到，所揭露的系统，装置和方法，可以通过其它的方式实现。例如，以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，例如，所述单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，例如多路单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另一点，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些接口，装置或单元的间接耦合或通信连接，可以是电性，机械或其它的形式。
所述作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多路网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施例方案的目的。
最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。

Claims (10)

1.一种像素结构，其特征在于，包括：
第一扫描线；
第二扫描线，与所述第一扫描线相邻；
第一数据线；
第二数据线，与所述第一数据线相邻，所述第一扫描线及所述第二扫描线与所述第一数据线及所述第二数据线交叉设置共同围成一个像素单元区域；以及
像素电极，所述像素电极位于所述像素单元区域内且电连接所述第一扫描线和所述第一数据线，所述像素电极上设有从所述第一扫描线向所述第二扫描线延伸的至少一条狭隙，且所述狭隙的长度方向相对于所述第一扫描线的长度方向倾斜。
2.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述狭隙的长度方向相对于所述第一扫描线的长度方向倾斜的夹角取值范围为75°～85°。
3.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述像素结构还包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管的源极连接所述第一数据线，所述第一薄膜晶体管的栅极连接所述第一扫描线，所述第一薄膜晶体管的漏极连接所述第二薄膜晶体管的源极，所述第二薄膜晶体管的栅极连接所述第一扫描线，所述第二薄膜晶体管的漏极连接所述像素电极。
4.根据权利要求3所述的像素结构，其特征在于，第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管为NMOS晶体管或PMOS晶体管。
5.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述像素电极采用透明导电材料制成，所述透明导电材料包括ITO、IZO和ITZO中的一种或多种。
6.一种主动开关阵列基板，其特征在于，包括：
透明基板；
以及第一扫描线，设置在所述透明基板上；
第三扫描线，设置在所述透明基板上；
第二扫描线，设置在所述透明基板上且所述第二扫描线位于所述第一扫描线和所述第三扫描线之间；
第一数据线，设置在所述透明基板上；
第二数据线，设置在所述透明基板上，所述第一扫描线及所述第二扫描线与所述第一数据线及所述第二数据线交叉设置共同围成一个第一像素单元区域，所述第二扫描线及所述第三扫描线与所述第一数据线及所述第二数据线交叉设置共同围成与所述第一像素单元区域相邻的一个第二像素单元区域；
第一像素电极，设置在所述透明基板上且所述第一像素电极位于所述第一像素单元区域内且电连接所述第一扫描线和所述第一数据线，所述第一像素电极上设有从所述第一扫描线向所述第二扫描线延伸的至少一条第一狭隙；
第二像素电极，设置在所述透明基板上且所述第二像素电极位于所述第二像素单元区域内且电连接所述第二扫描线和所述第一数据线，所述第二像素电极上设有从所述第二扫描线向所述第三扫描线延伸的至少一条第二狭隙；
所述第一狭隙邻近所述第二扫描线的一端相对于所述第一狭隙邻近所述第一扫描线的一端更靠近所述第一数据线；
所述第二狭隙邻近所述第二扫描线的一端相对于所述第二狭隙邻近所述第三扫描线的一端更靠近所述第一数据线。
7.根据权利要求6所述的主动开关阵列基板，其特征在于，所述第一狭隙的长度方向相对于所述第二扫描线的长度方向倾斜的夹角取值范围为75°～85°。
8.根据权利要求6所述的主动开关阵列基板，其特征在于，所述主动开关阵列基板还包括：公共电极，与所述第一像素电极及所述第二像素电极同层设置在所述透明基板上。
9.根据权利要求6所述的主动开关阵列基板，其特征在于，所述主动开关阵列基板还包括：公共电极，设置在所述第一像素电极及所述第二像素电极和所述透明基板之间。
10.根据权利要求6所述的主动开关阵列基板，其特征在于，所述第一像素电极和第二像素电极均采用透明导电材料制成，所述透明导电材料包括ITO、IZO和ITZO中的一种或多种。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108279539A (zh) * 2018-02-24 2018-07-13 惠科股份有限公司 一种阵列基板及显示装置
WO2019057069A1 (zh) * 2017-09-22 2019-03-28 惠科股份有限公司 显示面板及液晶显示器
WO2019057071A1 (zh) * 2017-09-22 2019-03-28 惠科股份有限公司 像素结构及主动开关阵列基板
WO2019057064A1 (zh) * 2017-09-22 2019-03-28 惠科股份有限公司 阵列基板和显示面板
CN109683411A (zh) * 2019-01-15 2019-04-26 深圳市华星光电技术有限公司 一种像素结构及其显示面板

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102402087A (zh) * 2011-07-06 2012-04-04 友达光电股份有限公司 像素结构、主动元件阵列基板以及平面显示面板
CN103941490A (zh) * 2013-10-23 2014-07-23 友达光电股份有限公司 像素单元、像素阵列以及液晶显示面板

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104483788B (zh) * 2014-10-10 2018-04-10 上海中航光电子有限公司 像素结构及其制造方法、阵列基板、显示面板和显示装置
CN107490915A (zh) * 2017-09-22 2017-12-19 惠科股份有限公司 阵列基板和显示面板
CN107463044B (zh) * 2017-09-22 2019-10-11 惠科股份有限公司 像素结构及主动开关阵列基板
CN207742444U (zh) * 2017-09-22 2018-08-17 惠科股份有限公司 像素结构及主动开关阵列基板
CN107505791A (zh) * 2017-09-22 2017-12-22 惠科股份有限公司 阵列基板和显示面板
CN107450247A (zh) * 2017-09-22 2017-12-08 惠科股份有限公司 像素结构和阵列基板
CN107422562A (zh) * 2017-09-22 2017-12-01 惠科股份有限公司 主动开关阵列基板
CN107436519A (zh) * 2017-09-22 2017-12-05 惠科股份有限公司 阵列基板和显示面板
CN107422523A (zh) * 2017-09-22 2017-12-01 惠科股份有限公司 彩膜基板及显示面板

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102402087A (zh) * 2011-07-06 2012-04-04 友达光电股份有限公司 像素结构、主动元件阵列基板以及平面显示面板
CN103941490A (zh) * 2013-10-23 2014-07-23 友达光电股份有限公司 像素单元、像素阵列以及液晶显示面板

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019057069A1 (zh) * 2017-09-22 2019-03-28 惠科股份有限公司 显示面板及液晶显示器
WO2019057071A1 (zh) * 2017-09-22 2019-03-28 惠科股份有限公司 像素结构及主动开关阵列基板
WO2019057064A1 (zh) * 2017-09-22 2019-03-28 惠科股份有限公司 阵列基板和显示面板
CN108279539A (zh) * 2018-02-24 2018-07-13 惠科股份有限公司 一种阵列基板及显示装置
CN109683411A (zh) * 2019-01-15 2019-04-26 深圳市华星光电技术有限公司 一种像素结构及其显示面板

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