CN105762291B - 透明电极及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及透明电极，根据本发明的透明电极包括：透明基板100；和导电层，其包括形成网络的导电性纳米线10和使所述纳米线10相互接合的纳米颗粒，并排置在所述透明基板上。

Description

透明电极及其制造方法
技术领域
本发明涉及透明电极及其制造方法，更详细说，涉及透明电极及其制造方法，该电极包含导电性纳米线和多孔性纳米颗粒，有效地降低了薄层电阻，并且改善了基板粘合力，分散度，表面粗糙度。
背景技术
最近由于对便携电子设备需求量持续增高，开发具有柔性和伸缩性的电子设备正迎合了市场的需求。随着研究的开展，各种柔性电子设备已经得到普及，其中最具有代表性的就是应用了有机发光二极管的柔性屏幕屏幕。
屏幕该屏幕由于可以自由弯曲或折叠，因此被应用于各种便携设备，例如移动电话，便携式理疗设备等等。这类屏幕的电极不仅要可以自由弯曲，而且还要有较高的导电性和透明度。目前市场中广泛使用的透明的导电性氧化物为铟锡氧化物(Indium tin oxide,ITO)。屏幕
虽然ITO较高的透明度和导电性，作为陶瓷的一种，但是电极在弯曲或折叠的时候会轻易地出现裂痕或者断裂的现象，从而导致大幅增加薄层电阻(sheet resistance)。这是该电极缺少机械稳定性的主要原因。
此外，因为制作ITO薄膜的原材料铟稀缺，所以存在制造成本昂贵的问题。
为了解决上述ITO薄膜的问题，如专利文献中所述，纳米碳管(Carbon nano-tube,CNT)被用为为可替代ITO透明薄膜电极。。
但是，由于纳米碳管非常容易吸收空气中的水分，导致其薄层电阻大幅增加，由此存在保护涂层的问题。
尽管相比于ITO,CNT具有更高的柔性，但是相对较低的导电性和透明度很大程度上限制了其适用范围。。
因此，为解决透明电极现存问题，使用各种薄膜制作技术将网状或网格状银纳米线大面积涂布在柔性聚合物基板上用作柔性透明电极的技术也陆续出现。。
但是网格状的纳米线的问题在于纳米线与涂层物质的非常容易发生反应。并且由于纳米线表面较高粗糙度(surface roughness,Rrms)，无法形成均匀的截面接触(uniforminterfacial contact)，从而形成短路。。
此外，因为纳米线的不均匀分布，薄层电阻(Rs)会发生较大偏差。
现有技术文献
专利文献
KR10-2013-0026643
发明内容
要解决的技术问题
本发明为解决上述现有问题而提出，本发明的一个方面，提供一种透明电极，导电层包含导电性纳米线及多孔性纳米颗粒，因此薄层电阻小、基板粘合性和分散性提高、表面糙度优秀。
另外，本发明的另一个方面，提供一种透明电极，由于导电层嵌入(embedded)聚合物透明基板，因此其对反复弯曲的弯曲稳定性(bending stability)较优。
技术方案
根据本发明的实施例的透明电极，包括：透明基板；和导电层，其包括形成网络的导电性纳米线和使所述纳米线相互接合的纳米颗粒，并排置在所述透明基板上。
在根据本发明的实施例的透明电极中，所述纳米颗粒，基于与所述导电性纳米线之间的强烈的吸引力(strong attraction)，中介从所述释放基板到所述透明基板的转移(transfer)。
此外，在根据本发明的实施例的透明电极中，所述透明基板可具有柔软性。
此外，在根据本发明的实施例的透明电极中，所述透明基板具有的透光率的范围为80％至95％。
此外，在根据本发明的实施例的透明电极中，所述纳米线，可以是以银(Ag)、金(Au)和铜(Cu)中任何一种材料构成的纳米线。
此外，在根据本发明的实施例的透明电极中，所述纳米颗粒，是形成多个细孔(pore)的多孔性纳米颗粒，所述纳米线的浓度(wt％)相对于所述多孔性纳米颗粒的浓度(wt％)的比率可为0.8～1.2。
此外，在根据本发明的实施例的透明电极中，所述纳米颗粒可以是气凝胶，所述气凝胶，可以是二氧化硅气凝胶(silica aerogel)。
此外，在根据本发明的实施例的透明电极中，多孔性纳米颗粒的细孔(pore)，内部可分散有所述银(Ag)纳米线的银原子(Ag atom)，可形成导电性通道。
在根据本发明的实施例的透明电极中，所述导电层被嵌入(embedded)所述透明基板。
在根据本发明的实施例的电子元件中，可包括透明电极，所述透明电极中，有形成网络的导电性纳米线及将所述纳米线相互接合的纳米颗粒所构成的导电层嵌入透明基板上。
此外，在根据本发明的实施例的电子元件中，所述纳米颗粒，可基于与所述导电性纳米线之间的强烈的吸引力，中介从所述释放基板到所述透明基板的转移(transfer)。
此外，在根据本发明的实施例的电子元件中，所述纳米颗粒，是形成多个细孔(pore)的多孔性纳米颗粒，所述纳米线的浓度(wt％)相对于所述多孔性纳米颗粒的浓度(wt％)的比为0.8～1.2。
此外，在根据本发明的实施例的电子元件中，所述纳米颗粒可为气凝胶。
此外，在根据本发明的实施例的电子元件中，所述电子元件，可以是柔性显示器、有机太阳能电池(organic solar cells)、和有机发光二极管OLED(Organic light-emitting diode)、触控面板和薄膜加热器中的任何一个。
根据本发明的实施例的透明电极的制造方法，包括以下步骤：将形成网络的导电性纳米线及将所述纳米线相互接合的纳米颗粒混合来制作分散液的步骤；将所述分散液涂覆在释放基板(release substrate)上来形成导电层的步骤；向所述导电层涂敷聚合物的步骤；固化所述聚合物，来形成有所述导电层嵌入(embedded)的透明基板的步骤；和从所述透明基板及所述导电层去除所述释放基板(release substrate)的步骤。
此外，在根据本发明的实施例的透明电极的制造方法中，所述纳米线，是以银(Ag)、金(Au)和铜(Cu)中任何一种材料构成的纳米线。
此外，在根据本发明的实施例的透明电极的制造方法中，在制造所述分散液的步骤中，所述纳米线的浓度(wt％)相对于所述纳米颗粒的浓度(wt％)的比为0.8～1.2。
此外，在根据本发明的实施例的透明电极的制造方法中，所述纳米颗粒可以是气凝胶，所述气凝胶，可以是二氧化硅气凝胶(silica aerogel)。
此外，在根据本发明的实施例的透明电极的制造方法中，所述纳米颗粒的细孔(pore)，内部分散有所述银(Ag)纳米线的银原子(Ag atom)，形成导电性通道。
此外，在根据本发明的实施例的透明电极的制造方法中，在形成所述导电层的步骤中，向释放基板上涂敷所述分散液后，热处理来蒸发溶剂。
此外，在根据本发明的实施例的透明电极的制造方法中，所述释放基板(releasesubstrate)，是硅基板及玻璃(glass)基板中的任何一个。
本发明的特征和优点，可通过附图以及下面的解释说明而变得简单明了。
由此，本说明书和权利要求范围中使用的术语或单词，不应当被理解为通常的和词典意义，而应当被理解为，在发明人为使用最好的方法来说明自己的发明而可以对术语的概念进行适当定义的原则下，以符合本发明的技术思想的意思和概念来进行解释。
发明的效果
根据本发明，由于导电层包含导电性纳米线及多孔性纳米颗粒，因此导电性纳米线被多孔性纳米颗粒相互接合形成复合材料网格线，因此具有薄层电阻小、基板粘合性和分散性提高、表面糙度优秀的效果。
另外，根据本发明，由于导电层嵌入(embedded)聚合物透明基板，多孔性纳米颗粒被排置在聚合物矩阵内部，由此来防止由于压缩应力造成导电性纳米线的移动，因此可具有对反复弯曲的弯曲稳定性较优的优点。
附图说明
图1是根据本发明的实施例的透明电极的剖视图。图2示出了将图1中图示的导电层放大的FE-SEM图像。
图3是示出银纳米线网络以及其复合材料网格线的薄层电阻随银纳米线浓度变化的曲线图。
图4是示出薄层电阻随多孔性纳米颗粒(气凝胶)浓度的变化的曲线图。
图5是用于说明根据本发明的实施例的透明电极的制造方法的流程图，图6是示出根据本发明的实施例的透明电极的制造方法的过程的示意图。
图7a和图7b为对根据本发明的实施例的复合材料网格线的转印程度进行说明，示出了的释放基板上残存的银纳米线网络及复合材料网格线的图像。
图8为对根据本发明的实施例的转印效率进行说明，示出在焦耳加热试验(Jouleheating test)期间的温度分布的IR图像。
图9a和图9b示出了根据本发明的实施例的多孔性纳米颗粒及银纳米线的复合材料网格线的弯曲试验(bending test)结果。
图10a和图10b分别示出了在根据本发明的实施例的嵌入复合材料网格线上制造的OLED的J-V曲线图和L-V曲线图。
符号说明
10:纳米线 20:纳米颗粒
30:纳米线溶液 40:分散液
50:聚合物 100:透明基板
200:导电层 300:释放基板
具体实施方式
为本发明的目的，有点以及特征，以下附图将会被详细说明。值得注意的是在本书中，每个图示中重要的组成部分都会被赋予编号。尽管同一个部分可能在不同的图示中多次出现，但是该部分被赋予的编号不会改变。此外，第一、第二等术语，是为了将一个构成元素和另一组成元素区分开来而使用的，并不局限于上述术语。在接下来的说明中，不会提及不必要的或可能会引起歧义的说明。
下面，将参照附图，对本发明的优选实施例进行描述。
图1是根据本发明的实施例的透明电极的剖视图，图2示出了将图1中图示的导电层放大的FE-SEM图像。
如图1-图2中所示，根据本发明的实施例的透明电极，包括：透明基板100；和导电层200，其包括形成网络的导电性纳米线10和使所述纳米线10相互接合的纳米颗粒，并排置在所述透明基板100上。
纳米颗粒可以是形成多个细孔(pore)的多孔性纳米颗粒，在下面，将所述纳米颗粒限定为多孔性纳米颗粒20来进行说明。
根据本发明的透明电极，作为显示器或者使用显示器的机器等中使用的电极，包括透明基板100及导电层200。
在这里，透明电极可以是导电性优良，可见光范围内透光率为80％至95％的范围内的薄膜。透明电极根据其光透射率与的导电率的比其应用范围不同，可被用作抗静电膜、热反射膜、免发热体、光电转换元件及各种平板显示器的电极等。
最近，由于具有柔软性和伸缩性的柔性电子机器，尤其是柔性(flexible)显示器的电极备受瞩目，因此，在下面，将假设根据本发明的电极是柔性显示器的透明电极而进行说明。但是，根据本发明的透明电极，并一定限定为柔性显示器的电极，而是可以应用于柔性显示器，有机太阳电池(organic solar cells)及有机发光二极管(Organic light-emitting diode)、触摸面板及薄膜加热器中任何一种电子元件。
另一方面，透明基板100可以是光透射率具有80％-95％的范围的基板。透明基板100具有柔软性，可被用于透明的柔性显示器。
例如，透明基板100可由固化后也可以自由地弯曲或折叠的聚合物(polymer)构成。所述聚合物，可以是聚对苯二甲酸乙二醇酯(polyethylene terephthalate，PET)、聚丁基人呐对苯二甲酸酯(polyethylene naphtalate，PEN)、聚酰亚胺(polyimide，PI)、聚二甲基硅氧烷(polydimethylsiloxane，PDMS)、聚氨酯(polyurethane)中的任何一种。
另外，所述聚合物具有可被用于透明的柔性显示器中的程度地透明性和柔软性，但并不限于此。
导电层200作为形成在透明基板100上或排置于其上的薄膜，包括导电性纳米线(nanowire)10和多孔性纳米颗粒20。
纳米线10包括导电性优良的以银(Ag)为代表的金(Au)、铜(Cu)等所有金属性纳米线(metal nanowire)，银纳米线(Ag nanowire，AgNW)10在导电性、透明度和柔性等方面是最优选的。
在下文中，假设纳米线10是银纳米线，但并不限于此。银纳米线作为替代现有的透明电极中经常使用的铟锡氧化物(ITO)薄膜、纳米碳管的导电性材料，不仅比ITO薄膜或纳米碳管导电性优良，而且其柔软性也较为突出。银纳米线可构成网络(network)来大面积地排置于透明基板100之上，并可以和多孔性纳米颗粒20混合形成导电层200。
多孔性纳米颗粒20将多个纳米线10相互接合，具备多个细孔(pore)。多孔性纳米颗粒20被均匀地涂敷在多个纳米线10所形成的网络(AgNW networks)上，可形成复合材料(composite)。
此外，多孔性纳米颗粒20可以是气凝胶，可更具体地说，可以是二氧化硅气凝胶(silicaaerogel)。但是，多孔性纳米颗粒20不必限于此。
多孔性纳米颗粒20，可以附着在由纳米线10形成的网络上，尤其是网络的交叉点(junction)处，其附着于此来将多个纳米线10相互紧紧地接合。由此，导电层200可形成混合的复合材料网格线(composite meshes)。
导电层200，可通过分散液被涂敷在释放基板(release substrate)上来形成，所述分散液可通过在乙醇等一定溶剂中混合纳米线10和多孔性纳米颗粒20来制作。关于其详细内容将在后面描述。
纳米颗粒20中形成的细孔的直径，可以以9-11nm贯通形成。此时，纳米颗粒20的细孔，内部分散有银原子，可(Ag atom)，可形成导电性通道(conductive channel)。
此外，导电层200可以形成在或排置在透明基板100上。例如，导电层200可嵌入透明基板100上。于此，根据本发明的透明电极的导电层200，与只由纳米线构成的现有透明电极相比，具有更为优秀的特性。其内容将在以下内容详细说明。
图3是示出银纳米线网络以及其复合材料网格线的薄层电阻随银纳米线浓度变化的曲线图。根据本发明所制造的透明电极，导电层200是由复合材料网格线(compositemesh)形成，并且具有低的薄层电阻。
参照图3，在溶剂中只混合了银纳米线的第一分散液，和在溶剂中混合了银纳米线和多孔性纳米颗粒的第二分散液中，纳米线的浓度每次被提高0.05wt％，用来测定薄层电阻。
如图3所示，可以确认到，与在相同浓度中由第一分散液形成的银纳米线网络(AgNW networks)导电层相比，由第二分散液形成的复合材料网格线(Composite meshes)导电层的薄层电阻更低。
此外，可以确认到，第一分散液和第二分散液的情况，银纳米线的浓度(wt％)越大，薄层电阻越小，这是因为，在银纳米线网络中，银纳米线之间形成绝缘空间，因此银纳米线的浓度(wt％)越大，绝缘空间越小。
因此，为降低薄层电阻，银纳米线的浓度应该高，但随着银纳米线的浓度的增加，会导致透光率降低的问题，因此有必要将银纳米线的浓度限制在一定范围之内。
另一方面，多孔性纳米颗粒的作用在于，不影响透光率，与浓度低的银纳米线混合，来降低薄层电阻。
根据本发明所制作的透明电极，由于复合材料网格线的导电层被嵌入透明基板，因此其对于反复弯曲的抗性较强。这是因为构成导电层的多孔性纳米颗粒被排置在形成透明基板的聚合物矩阵(polymer matrix)内部。
具体地说，由于反复弯曲造成的压缩应力发生作用时，银纳米线会被挤压到透明基板的聚合物矩阵内部，因此多孔性纳米颗粒被排置在聚合物矩阵内部，由此来将银纳米线的移动最小化，提高电极的稳定性。
图4是示出薄层电阻随多孔性纳米颗粒(气凝胶)浓度的变化的曲线图。
根据本发明的透明电极中的银纳米线的浓度(wt％)相对于多孔性纳米颗粒的浓度(wt％)的比率可为0.8～1.2。由于银纳米线的浓度(wt％)相对于构成导电层的多孔性纳米颗粒的浓度会影响薄层电阻，因此有必要计算出其最佳浓度(wt％)。
在图4中，银纳米线的浓度被固定为0.2wt％，将多孔性气凝胶的浓度从0.1wt％每次增加0.05，来测定薄层电阻。
从图4可以看出银纳米线的浓度(wt％)相对于多孔性气凝胶的浓度(wt％)的比为1时，呈现出了最低的薄层电阻。
这是因为当银纳米线的浓度(wt％)相对于多孔性气凝胶的浓度(wt％)的比例小于1时，多孔性气凝胶的量不足以将银纳米线涂敷在释放基板上。
另一方面，当银纳米线的浓度(wt％)相对于多孔性气凝胶的浓度(wt％)的比大于1时，由于过多的多孔性气凝胶反而会妨碍导电率，因此呈现出了较高的薄层电阻。
因此，考虑混合过程中的误差，银纳米线的浓度(wt％)相对于多孔性气凝胶的浓度(wt％)的比为0.8至1.2，优选为0.9至1.1时，其呈现出最佳薄层电阻。
图5是用于说明根据本发明的实施例的透明电极的制造方法的流程图，图6是示出根据本发明的实施例的透明电极的制造方法的过程的示意图。
参照图5和图6，根据本发明的实施例的透明电极的制造方法，在步骤S10中，将形成网络的导电性纳米线10和将纳米线10相互接合的形成有多个细孔(pore)的多孔性纳米颗粒20混合，由此来制作分散液40。
步骤S10，可以是向银纳米线10中混合多孔性纳米颗粒20的过程。例如，可以是将银纳米线10混合入乙醇溶剂来制作银纳米线溶液30的过程。
在这种情况下，在银纳米线溶液30中，银纳米线10的浓度可以是0.15～0.3wt％。向银纳米线溶液30中混合多孔性纳米颗粒20来制作分散液40时，银纳米线10的浓度(wt％)相对于多孔性纳米颗粒20的浓度(wt％)的比例，如前文所述，可以是0.8至1.2，但是最优范围为0.9至1.1。
在步骤S20中，可将分散液40涂敷在释放基板(release substrate)300上，来形成导电层200。
例如，步骤S20，可以是将分散液40在1000rpm下进行60秒旋涂方式的过程，但不限于此，其旋转速度和时间可以不同，也可以不采用旋涂而是采用其他已知涂敷方法。
另外，步骤S20，可包括将分散液40在释放基板300上涂敷之后，为将溶剂蒸发干燥而执行热处理的工艺。
例如，热处理工艺可以在100℃下进行20分钟，但并不限于此，可考虑银纳米线10和多孔性纳米颗粒20的浓度(wt％)来确定热处理的条件。
此外，步骤S20可包括经过了热处理之后有银纳米线10和多孔性纳米颗粒20混合的薄膜形态的复合材料网格线的形成工艺。
例如，多孔性纳米颗粒20被结合于银纳米线10之上，将各银纳米线10相互接合，形成复合材料网格线。
在这种情况下，多孔性纳米颗粒20的细孔，可以形成为很细的9至11nm，所述细孔的内部分散有银纳米线10的银原子，多孔性纳米颗粒20的细孔，可形成导电性通道。
之后，在步骤S30中，向导电层200上涂敷聚合物50，在步骤S40中将聚合物50固化，形成导电层200被嵌入的透明基板100。
例如，在步骤S30中，可将透明基板100的材料即聚合物50以旋转涂敷的方法涂敷至导电层200上。但是，并不局限于旋涂方式，所有已知的解决方案(solution)涂覆方式的涂敷都是可以适用。
此外，在步骤S40中，在将涂敷在导电层200上的聚合物50固化时，聚合物50可以通过紫外线UV来进行固化。例如，可使用紫外线灯照射5分钟来将聚合物50固化。
通过聚合物50被固化，透明基板100被形成，为满足透明基板100中要求的一定条件，也可以在热板(hot plate)上以50℃来进行12个小时对固化的聚合物50的热处理。
于此，聚合物50被涂敷到释放基板300上的导电层200上并被固化，由此导电层200可被嵌入透明基板100中。
然后，在步骤S50中，从透明基板100及导电层200去除释放基板300，制造根据本发明的实施例的透明电极。
另一方面，根据本发明的透明电极的制造方法中使用的释放基板300可以是玻璃或硅(Si)基板，在薄层电阻方面优选硅基板。
另外，聚合物50，可以是聚对苯二甲酸乙二醇酯(polyethylene terephthalate,PET)、聚丁基人呐对苯二甲酸酯(polyethylene naphtalate,PEN)、聚酰亚胺(polyimide,PI)、聚二甲基硅氧烷(polydimethylsiloxane,PDMS)、聚氨酯(polyurethane)中的任何一个，多孔性纳米颗粒20可以是气凝胶，具体而言可以是二氧化硅气凝胶，但其并不限于此。
图7a和图7b为对根据本发明的实施例的复合材料网格线的转印程度进行说明，示出了的释放基板上残存的银纳米线网络及复合材料网格线的图像。
具体地讲，图7a中，示出了多个银纳米线构成的银纳米线网络(AgNW networks)导电层的FE-SEM和OM(光学显微镜)图像，图7b中，示出了将混合银纳米线和多孔性纳米颗粒的复合材料网络(Composite meshes)导电层分别转移的情况下，拍摄释放基板上剩下的导电层的FE-SEM及OM(optical microscopy)的图像。
从图7a可以确认，银纳米线网络导电层上残余的银纳米线网络，在整个释放基板的区域中呈现出不均匀分布。
但是，从图7b可以看出，在复合材料网格线导电层上残存的银纳米线网络，在释放基板上几乎找不到。
可以确认到，通过这样做，多孔性纳米颗粒与银纳米线相互作用，将导电层均匀地转移至透明基板，其转移效率也得到提高。
其原因被分析为，在混合入溶剂，从释放基板上干燥时，银纳米线因为其自身的凝聚力而自己凝集，多孔性纳米颗粒会防止这种凝集现象的发生，使在构成透明基板的聚合物矩阵内部均匀分散。
另外，多孔性纳米颗粒，与银纳米线一并构成复合材料网格线，均匀地嵌入透明基板，因此可改善透明基板的表面粗糙程度。
如果透明基板的表面非常粗糙，即表面粗糙度大时，会发生漏电，造成发光显示元件的亮度不均匀的问题。此外，在构成电路的成型工艺中，会产生因线幅窄而精巧导致加工困难的问题。但是，根据本发明的导电层，多孔性纳米颗粒结合于银纳米线上，均匀地嵌入透明基板中，因此可有效地降低根据本发明的透明电极的表面粗糙程度。
另外，由于导电层均匀分布在透明基板的整个区域内，所以导电层加热面积(heating area)比较大。因为多孔性纳米颗粒的存在，尤其是二氧化硅气凝胶具有较好的隔热性，所以可以快速加热到较高温度，慢慢冷却。
通过根据本发明的透明电极，银纳米线及多孔性纳米颗粒(特别是二氧化硅气凝胶)形成复合材料网格线，从而被嵌入透明基板中，薄层电阻低，导电性高，因此可改善其表面粗糙度。
此外，与透明基板的附着力得到提高，转移效率增加，可得到均匀的分散度。不仅如此，还可以提高其对反复弯曲的稳定性和加热性能(heating performance)。
图8为对根据本发明的实施例的转印效率进行说明，示出在焦耳加热试验(Jouleheating test)期间的温度分布的IR图像。
更具体地，图8的a示出了当没有多孔性纳米颗粒(二氧化硅气凝胶)且银纳米线的浓度为0.3wt％的情况(NW30，Ag30)的IR图像，图8的b示出了银纳米线的浓度为0.25wt％，气凝胶的浓度为0.25wt％的复合材料网格线的情况(C25)的IR图像，图8的c示出了随a和b的时间变化而变化的平均温度变化趋势(average temperature variation)。
参照图8的a和图8的b可以确认到，当在基板上均匀嵌入时，温度分布从中心向边缘(edge)，呈放射状(radially)越靠近边缘越减小，以此同时对于银纳米线和多孔性纳米颗粒的复合材料网格线的情况(C25)，IR图像呈现出了放射状减小的分布，当不存在多孔性纳米颗粒的时(NW30，Ag30)，其没有呈现出这种倾向，而是呈现出了不均匀的分布。
此外，参照图8c,由于温度较为均匀地分布，复合材料网格的情况(C25)的温度的最大值比不存在多孔性纳米颗粒的情况要高。
图9a和图9b示出了根据本发明的实施例的多孔性纳米颗粒及银纳米线的复合材料网格线的弯曲试验(bending test)结果。
更具体地说，图9a和图9b，示出了对多孔性纳米线在没有多孔性纳米颗粒(二氧化硅气凝胶)且银纳米线的浓度为0.3wt％的情况(Ag30)，和银纳米线的浓度为0.3wt％且气凝胶的浓度为0.3wt％的嵌入复合材料网格线的情况(C30)，和在PET上被涂敷的银纳米线的情况(PET上的AgNW)的静态弯曲试验(static bending test)结果和周期弯曲试验(cyclic bending test)结果。
参照图9a，可以确认到，在根据本发明实施例的多孔性纳米颗粒和银纳米线的复合材料网格线(C30)呈现出了最高的弯曲稳定性(bending stability)，在PET上涂敷的银纳米线的情况(PET上的AgNW)，当rb为大于2mm时，Rs的变化率呈现出明显减小的倾向。
进一步，参照图9b，可以确认到，被涂敷在PET上的银纳米线(PET上的AgNW)的情况，Rs的变化率随周期次数的增加幅度比Ag30及C30的样本大。当弯曲周期到1000次周期(cycles)以上的时，Ag30及C30的电阻变化率趋于饱和。
此外，可以确认到，2000次循环期间，C30呈现出比Ag30更高的稳定性,。例如，可以确认到，C30的情况，Rs值在2000次周期之后增加了大约9.5％(1Ω/sq)，而Ag30的情况增加了大约22％(5Ω/sq)。
图10a和图10b分别示出了在根据本发明的实施例的嵌入复合材料网格线上制造的OLED的J-V曲线图和L-V曲线图。
参照图10a及图10b，其示出了当银纳米线的浓度为0.3wt％且气凝胶的浓度为0.3wt％的嵌入复合材料网格线C30上形成的OLED的J-L-V特性(charactreristics)，可确认到，作为根据本发明的实施例的透明电极，其特性得到了较好地实现。
在上面虽然已经通过具体实施例对本发明进行了详细说明，但是其只不过是为了对本发明进行具体说明，本发明并不限于此，很显然，在本发明的技术思想范围内，本领域的普通技术人员可以对其进行修改和改进。
对于本发明的单纯修改和改进均属于本发明的范围内，本发明的具体保护范围将由下面的权利要求书而变得清楚。

Claims (16)

1.一种透明电极，包括：
透明基板；和
导电层，其包括形成网络的导电性纳米线和使所述纳米线相互接合的形成多个细孔的多孔性纳米颗粒，并排置在所述透明基板上，
其中所述多孔性纳米颗粒附着在所述网络的交叉点以使所述纳米线相互接合，和
所述多孔性纳米颗粒被排置在形成所述透明基板的聚合物矩阵内部。
2.如权利要求1所述的透明电极，其特征在于，所述多孔性纳米颗粒，基于与所述导电性纳米线之间的强烈的吸引力，中介从释放基板到所述透明基板的转移。
3.如权利要求1所述的透明电极，其中，所述透明基板具有的透光率的范围为80％至95％。
4.如权利要求1所述的透明电极，其中，所述纳米线，是以银、金和铜中任何一种材料构成的纳米线。
5.如权利要求1所述的透明电极，其中，所述多孔性纳米颗粒，是形成多个细孔的多孔性纳米颗粒，所述纳米线的浓度(wt％)相对于所述多孔性纳米颗粒的浓度(wt％)的比为0.8～1.2。
6.如权利要求1所述的透明电极，其中，所述多孔性纳米颗粒为气凝胶。
7.如权利要求5所述的透明电极，其中，所述多孔性纳米颗粒的细孔，内部分散有银纳米线的银原子，形成导电性通道。
8.如权利要求1所述的透明电极，其中，所述导电层嵌入所述透明基板。
9.一种电子元件，包括透明电极，所述透明电极包括
透明基板，和
导电层，所述导电层包括形成网络的导电性纳米线和将所述纳米线相互接合的形成多个细孔的多孔性纳米颗粒，所述导电层嵌入所述透明基板上，
其中所述多孔性纳米颗粒附着在所述网络的交叉点以使所述纳米线相互接合，和
所述多孔性纳米颗粒被排置在形成所述透明基板的聚合物矩阵内部。
10.如权利要求9所述的电子元件，其特征在于，所述多孔性纳米颗粒，基于与所述导电性纳米线之间的强烈的吸引力，中介从释放基板到所述透明基板的转移。
11.如权利要求9所述的电子元件，其中，所述多孔性纳米颗粒，是形成多个细孔的多孔性纳米颗粒，所述纳米线的浓度(wt％)相对于所述多孔性纳米颗粒的浓度(wt％)的比为0.8～1.2。
12.如权利要求9所述的电子元件，其中，所述多孔性纳米颗粒为气凝胶。
13.如权利要求9所述的电子元件，其特征在于，所述电子元件，是柔性显示器、有机太阳能电池、和有机发光二极管OLED、触控面板和薄膜加热器中的任何一个。
14.一种透明电极的制作方法，包括以下步骤：
将形成网络的导电性纳米线及将所述纳米线相互接合的形成多个细孔的多孔性纳米颗粒混合来制作分散液的步骤；
将所述分散液涂覆在释放基板上来形成导电层的步骤；
向所述导电层涂敷用于嵌入的聚合物的步骤；
固化所述聚合物，来形成有所述导电层嵌入的透明基板的步骤；和
从所述透明基板及所述导电层去除所述释放基板的步骤，
其中所述多孔性纳米颗粒附着在所述网络的交叉点以使所述纳米线相互接合，和
所述多孔性纳米颗粒被排置在形成所述透明基板的聚合物矩阵内部。
15.如权利要求14所述的透明电极的制作方法，其中，在形成导电层的步骤中，向所述释放基板上涂敷所述分散液后，热处理来蒸发溶剂。
16.如权利要求14所述的透明电极的制作方法，其中，所述释放基板是硅基板及玻璃基板中的任何一个。
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