CN105762237B - 半导体发光器件封装件及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种用于制造半导体发光器件封装件的方法和一种发光器件封装件。所述方法包括步骤：形成发光结构，其包括按顺序堆叠在生长衬底上的第一导电类型的半导体层、有源层和第二导电类型的半导体层；在与第二导电类型的半导体层的表面相对应的发光结构的第一表面上形成反射层；在第一表面上形成凸块，所述凸块电连接至第一导电类型的半导体层或第二导电类型的半导体层并且从反射层突出；将支承衬底键合至第一表面上的凸块；去除生长衬底；将涂覆有波长转换层的光透射衬底键合至已去除生长衬底的发光结构的第二表面；以及去除支承衬底。反射层覆盖发光结构的侧表面和凸块的侧表面的至少一部分。

Description

半导体发光器件封装件及其制造方法
相关申请的交叉引用
本申请要求于2015年1月5日提交给韩国知识产权局的韩国专利申请No.10-2015-0000803的优先权，该申请的公开以引用方式并入本文中。
技术领域
与示例性实施例一致的设备和方法涉及一种半导体发光器件封装件及其制造方法。
背景技术
已知发光二极管(LED)是具有诸如长寿命、低功耗、快响应速度和环保的多种优点的下一代光源。已出现作为用于多种不同的产品(例如照明装置以及显示装置的背光)的光源的LED。这种LED可按照封装件的形式设置，以容易地安装在多种不同的装置中。
随着LED的使用已延伸至多种领域，LED封装件的尺寸减小，以允许在设计专用照明装置中的充分的自由度。已经积极地进行了研究，以利用简化工艺来制造可在低成本下制造的较小的LED封装件，同时提高散热性能和发光效率。
发明内容
一个或多个示例性实施例提供了一种半导体发光器件封装件及其制造方法，其可通过简化的工艺降低制造成本，同时确保改善的发光性能和可靠性。
根据示例性实施例的一方面，一种用于制造半导体发光器件封装件的方法可包括步骤：形成发光结构，其包括按顺序堆叠在生长衬底上的第一导电类型的半导体层、有源层和第二导电类型的半导体层；在与所述第二导电类型的半导体层的表面相对应的发光结构的第一表面上形成反射层；在所述发光结构的第一表面上形成凸块，所述凸块电连接至第一导电类型的半导体层或第二导电类型的半导体层并且从反射层突出；将支承衬底键合至所述发光结构的第一表面上的凸块；去除生长衬底；将涂覆有波长转换层的光透射衬底键合至已去除生长衬底的发光结构的第二表面；以及去除支承衬底，其中所述反射层可覆盖所述发光结构的侧表面的至少一部分和所述凸块的侧表面的至少一部分。
所述发光结构的各侧表面可被反射层和波长转换层覆盖。
所述发光结构的各侧表面中的至少一个可包括具有不同倾斜度的至少两个倾斜表面。
所述两个倾斜表面之间的边界可对应于反射层与波长转换层之间的边界。
所述波长转换层可形成在所述光透射衬底的面对所述第一导电类型的半导体层的表面上。
所述反射层的形成可包括步骤：在所述发光结构的第一表面上形成掩模层，其覆盖将要在其中形成凸块的区域以及在其中将所述发光结构切割成多个封装件单元的隔离区；形成用于形成所述反射层的材料层，以覆盖所述发光结构通过所述掩模层暴露的多个部分；利用平面化方法去除用于形成所述反射层的材料层的一部分，以暴露出所述掩模层的顶表面；以及去除所述掩模层。
所述凸块可从反射层的顶表面突出。
所述方法还可包括步骤：在形成所述反射层之前，对所述发光结构进行台面刻蚀，以暴露出所述发光结构的第一导电类型的半导体层的一部分；以及在所述发光结构的第一表面上形成电极和凸块焊盘。
可利用粘合剂层将所述支承衬底键合至所述发光结构的第一表面上的凸块。
所述方法还可包括步骤：在去除所述生长衬底之后在所述发光结构的第二表面上形成不平整部分。
所述方法还可包括步骤：在去除所述生长衬底之后去除所述发光结构的一部分并将所述发光结构划分为多个封装件单元。
所述方法还可包括步骤：在去除所述支承衬底之后将所述光透射衬底和所述波长转换层切割成多个封装件单元。
可以在晶圆级制造多个半导体发光器件封装件，并且可在晶圆级将所述波长转换层键合至所述发光结构。
在晶圆级制造的所述多个半导体发光器件封装件当中，所述波长转换层的厚度变化可为1μm至3μm。
根据另一示例性实施例的一个方面，一种用于制造半导体发光器件封装件的方法可包括以下步骤：形成发光结构，其包括按顺序堆叠在生长衬底上的第一导电类型的半导体层、有源层和第二导电类型的半导体层；在与所述第二导电类型的半导体层的表面相对应的发光结构的第一表面上形成反射层；在所述发光结构的第一表面上形成凸块，所述凸块电连接至第一导电类型的半导体层或第二导电类型的半导体层、被所述反射层包围并且从所述反射层突出；将支承衬底键合至所述发光结构的第一表面上的凸块；去除生长衬底；去除所述发光结构的一部分并且将所述发光结构划分为多个封装件单元；将涂覆有波长转换层的光透射衬底键合至已去除生长衬底的发光结构的第二表面；以及去除支承衬底，其中所述发光结构的各侧表面可被所述反射层和所述波长转换层覆盖。
所述方法还可包括步骤：在形成反射层之前对所述发光结构进行台面刻蚀，以暴露出所述发光结构的第一导电类型的半导体层的一部分，其中对所述发光结构进行的台面刻蚀可产生所述发光结构的第一侧表面。
对所述发光结构的划分可产生所述发光结构的第二侧表面，并且第一侧表面和第二侧表面可具有不同的倾斜度。
所述波长转换层可覆盖所述发光结构的第二侧表面。
所述反射层可覆盖所述发光结构的第一侧表面。
所述反射层可与在所述发光结构的各侧表面中的至少一个上的波长转换层进行接触。
根据另一示例性实施例的一个方面，一种半导体发光器件封装件可包括：发光结构，其包括第一导电类型的半导体层、有源层以及第二导电类型的半导体层；凸块，其设置在所述发光结构的第一表面上，并且电连接至第一导电类型的半导体层或第二导电类型的半导体层；反射层，其设置在所述发光结构的第一表面上，并且覆盖发光结构的侧表面的至少一部分以及所述凸块的侧表面的至少一部分；以及波长转换层，其设置在与所述发光结构的第一表面相对的所述发光结构的第二表面上。
所述半导体发光器件封装件还可包括设置在波长转换层上的光透射衬底。
所述发光结构的各侧表面可被反射层和波长转换层覆盖。
所述发光结构的各侧表面中的至少一个可包括具有不同倾斜度的至少两个倾斜表面。
两个倾斜表面之间的边界可对应于反射层与波长转换层之间的边界。
根据另一示例性实施例的一个方面，提供了一种半导体发光器件封装件。所述半导体发光器件封装件包括：发光结构；多个凸块，其设置在所述发光结构的第一表面上，并且电连接至所述发光结构；反射层，其设置在所述发光结构的第一表面上，并且覆盖所述发光结构的侧表面的至少一部分；以及波长转换层，其设置在与所述发光结构的第一表面相对的所述发光结构的第二表面上。
所述半导体发光器件封装件还可包括设置在波长转换层上的透镜。
附图说明
通过以下结合附图的详细描述将更加清楚地理解示例性实施例的以上和其它方面、特征和优点，其中：
图1是示出根据示例性实施例的半导体发光器件封装件的截面图；
图2至图12是示出根据示例性实施例的用于制造半导体发光器件封装件的方法的示图；
图13是示出根据示例性实施例的半导体发光器件封装件的截面图；
图14是示出根据示例性实施例的半导体发光器件封装件的截面图；
图15是示出根据示例性实施例的半导体发光器件封装件的截面图；
图16至图18是示出设置在根据示例性实施例的半导体发光器件封装件中的发光结构的示例的截面图；
图19和图20示出了包括根据示例性实施例的半导体发光器件封装件的背光单元的示例；
图21示出了包括根据示例性实施例的半导体发光器件封装件的照明装置的示例；
图22示出了包括根据示例性实施例的半导体发光器件封装件的前灯的示例；以及
图23示出了家庭网络的示例，其应用了包括根据示例性实施例的半导体发光器件封装件的照明系统。
具体实施方式
现在，将参照附图详细描述本发明构思的示例性实施例。
然而，本发明构思可按照许多不同形式进行示例，并且不应理解为限于本文阐述的特定示例性实施例。相反，提供这些示例性实施例以使得本公开将是彻底和完整的，并且将向本领域技术人员全面传递本发明构思的范围。
在附图中，为了清楚起见，可放大元件的形状和尺寸，并且相同的附图标记将始终用于指代相同或相似的元件。
在说明书中，除非另有限定，否则基于附图的方向性对诸如“顶部”或“上部”、“顶表面”、“底部”或“下部”、“底表面”、“侧表面”等的术语进行定义，所述附图的方向性可根据在其中装置或封装件实际安装的方向改变。
图1是示出根据示例性实施例的半导体发光器件封装件的截面图。
参照图1，根据示例性实施例的半导体发光器件封装件100可包括具有第一表面PS1和第二表面PS2的发光结构110、设置在第一表面PS1上的凸块焊盘115、反射层130、凸块140、设置在第二表面PS2上的波长转换层165以及光透射衬底160。
根据当前示例性实施例的半导体发光器件封装件100可为芯片级封装件(CSP)和晶圆级封装件(WLP)。
发光结构110可包括第一导电类型的半导体层、有源层、第二导电类型的半导体层和电极，并且将参照图16至图18提供它们的细节。
发光结构110可包括具有不同倾斜度的第一侧表面LS1和第二侧表面LS2。可形成倾斜度以允许发光结构110的横截面积在发光结构110的厚度方向上从发光结构110的中心部分朝着发光结构110的顶部和底部减小。也就是说，发光结构110的在其厚度方向上的第一表面PS1(底表面)或第二表面PS2(顶表面)的面积可小于沿着垂直于所述厚度方向的方向截取的发光结构110的中心部分的横截面积。因此，发光结构110可以是具有不止六个表面的多面体。例如，发光结构110可具有十个表面。
发光结构110的第二表面PS2可以是发光结构110中产生的光通过其发射的发光表面。因此，可在第二表面PS2上形成不平整部分，以提高光提取效率。
凸块焊盘115可设置在发光结构110的第一表面PS1上。凸块焊盘115可电连接至发光结构110的电极。凸块140可设置在凸块焊盘115上以与其电连接，并且可从反射层130突出。
凸块焊盘115和凸块140可由导电材料形成。例如，凸块焊盘115和凸块140可包括铜(Cu)、铝(Al)、银(Ag)、锡(Sn)或金(Au)中的至少一个。
凸块焊盘115和凸块140的数量和形状不限于附图中示出的那些，而是可根据发光结构110的大小、设置在其中的电极结构等进行改变。
反射层130可设置为覆盖发光结构110的第一表面PS1和第一侧表面LS1。反射层130可设置为覆盖凸块140的侧表面的多个部分。由于反射层130设置为覆盖发光结构110的第一侧表面LS1以及第一表面PS1，因此其可反射从发光结构110的侧表面提取的光，从而提高光提取效率。覆盖凸块140的侧表面的多个部分的反射层130的厚度可根据示例性实施例改变。
反射层130可包括反射性材料，并且可包括诸如TiO2或Al2O3的具有优秀反射率的金属氧化物。例如，反射层130可通过在高聚合物(例如硅树脂)中使用包含具有较高的光反射率的TiO2或Al2O3的材料来形成，并且可由耐热性高和耐光性高的材料形成。
光透射衬底160可由透明材料形成，并且可由光透射绝缘材料形成。光透射衬底160可由玻璃、石英、透明树脂、SiO2、SiN、Al2O3、HfO、TiO2或ZrO中的至少一个形成。
波长转换层165可设置在光透射衬底160的一个表面上，并且可设置为覆盖发光结构110的第二表面PS2和第二侧表面LS2。波长转换层165的面积大于发光结构110的面积，从而可提高亮度。另外，由于发光结构110具有倾斜的侧表面LS1和LS2，发光结构110与波长转换层165之间的接触面积增大，因此可避免诸如波长转换层165的脱层(delamination)之类的缺陷。
波长转换层165可包括磷光体，发光结构110所发射的光使磷光体激发，以产生波长与发光结构110所发射的光的波长不同的光。通过对磷光体所发射的光与发光结构110所发射的光进行组合，可产生期望颜色的光(例如白光)。在示例性实施例中，波长转换层165可包括量子点。可替换地，波长转换层165可包括磷光体和量子点二者，或者可仅包括量子点。
凸块140具有第一厚度T1，而光透射衬底160和波长转换层165具有第二厚度T2。例如，第一厚度T1可在50μm至120μm的范围内。例如，第二厚度T2可在40μm至120μm的范围内。第一厚度T1和第二厚度T2可相对于彼此进行调整，以在制造半导体发光器件封装件100的过程中稳定地支承发光结构110。例如，在第一厚度T1相对较小的情况下，可将第二厚度T2调整为相对较大。另外，可选择第一厚度T1和第二厚度T2，以使其适于半导体发光器件封装件100的小型化，同时足以稳定地支承发光结构110。
就根据当前示例性实施例的半导体发光器件封装件100而言，凸块140可直接安装在诸如发光模块的外部装置上，从而可简化制造工艺并且可减少制造成本。另外，发光结构110中产生的热可通过凸块140有效地向外消散。
图2至图12是示出根据示例性实施例的用于制造半导体发光器件封装件的方法的示图。
参照图2，多个半导体层可生长在衬底101上，以形成包括第一导电类型的半导体层、有源层和第二导电类型的半导体层的发光结构110。接着，可对发光结构110进行刻蚀以形成台面区M和刻蚀区E。设置在刻蚀区E下方的第一导电类型的半导体层可通过刻蚀区E暴露。
如图1所示，作为发光结构110的顶表面的第二导电类型的半导体层的表面被称作第一表面PS1，发光结构110的与衬底101接触的底表面被称作第二表面PS2。
可利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)、氢化物气相外延(HVPE)、分子束外延(MBE)等形成发光结构110。
例如，衬底101可以是具有晶圆形式的生长衬底。多个发光结构110可同时形成，以制造多个半导体发光器件。衬底101可由诸如蓝宝石、SiC、MgAl2O4、MgO、LiAlO2、LiGaO2或GaN的绝缘材料、导电材料或半导体材料制成。就由蓝宝石(具有六方菱形R3C对称性的晶体)制成的衬底101而言，蓝宝石衬底的C轴上的晶格常数为A轴上的晶格常数为并且包括C(0001)面、A(11-20)面、R(1-102)面等。由于C面有利于氮化物膜的生长并且在高温下稳定，因此其主要用作用于氮化物半导体生长的衬底。同时，在衬底101由Si制成的情况下，Si衬底可容易地形成为具有较大的直径，并且会相对便宜，因此可提高制造产量。
在示例性实施例中，还可在衬底101上设置缓冲层以提高发光结构110的结晶度。例如，缓冲层可由在低温下生长而没有掺杂的AlxGa1-xN制成。
虽然示出了两个邻近的半导体发光器件封装件，但是可在晶圆级执行制造工艺。图2示出了与两个半导体发光器件封装件相对应的设置为基于中心刻蚀区E彼此邻近的区域。然而，刻蚀区E可以不只设置在用于单个半导体发光器件封装件的区域的边缘，而是还可设置在用于单个半导体发光器件封装件的区域中的各台面区M之间。
参照图3，导电材料可沉积在发光结构110的第一表面PS1上，以形成凸块焊盘115，并且可在其上形成掩模层120。掩模层120可包括：第一掩模层120a，其覆盖将在其上形成凸块140(见图1)的区域；以及第二掩模层120b，其覆盖用于将发光结构110彼此隔离的隔离区，在隔离区中将发光结构切割成多个封装件单元。
凸块焊盘115可形成为具有单层结构或者包括不同材料的多层结构。例如，凸块焊盘115可包括铜(Cu)、镍(Ni)、铝(Al)、银(Ag)、锡(Sn)或金(Au)中的至少一个。例如，掩模层120可为光致抗蚀剂层。
参照图4，预备反射层130p可形成为覆盖发光结构110的第一表面PS1和掩模层120。
预备反射层130p可形成为覆盖各掩模层120的顶表面，同时填充各掩模层120之间的空间。
预备反射层130p可为在图5所示的后续工序中用于形成反射层130的一层。预备反射层130p可包括反射性材料，并且可包括诸如TiO2或Al2O3的反射率高的金属氧化物。
参照图5，可执行平面化以暴露出掩模层120的顶表面。
可通过化学机械抛光(CMP)执行平面化。此时，反射层130可形成在各掩模层120之间。
参照图6，可去除掩模层120。可在位于已去除了第一掩模层120a的区域中的凸块焊盘115上形成凸块140。
凸块140可形成为比反射层130的顶表面更高，以从反射层130突出。凸块140可为导电性粘合剂构件，其允许利用倒装芯片键合的方法将制造的半导体发光器件安装在封装件衬底或模块衬底上。例如，凸块140可为焊料凸块，并且在所述焊料凸块中可含有少量Ag、Ni或Cu。
凸块140可通过各种方法形成在凸块焊盘115上，所述方法诸如电镀法、焊料印刷法或落球法(ball dropping)，并且可额外执行回流操作。
在前述工艺中，可形成反射层130，并且随后可形成凸块140。然而，这仅是示例性的，并且本发明构思不限于此。例如，在示例性实施例中，可在形成凸块140之后形成反射层130。在这种情况下，作为图3至图5所示的工艺的替代，可使用暴露出凸块焊盘115的掩模层以在发光结构110的第一表面PS1上形成凸块140。然后，可形成反射层130，以覆盖凸块140的侧表面的多个部分以及发光结构110的第一侧表面LS1。
参照图7，可利用粘合剂层155将支承衬底150键合至发光结构110的第一表面PS1上的凸块140。
支承衬底150可以暂时性地使用，并且可由包括Au、Ni、Al、Cu、W、Si、Se或GaAs中的任一个的绝缘材料或导电材料形成。用于支承衬底150的材料不限于此。
可利用粘合剂层155对支承衬底150进行键合。例如，粘合剂层155可包括环氧树脂或有机硅、无机聚合物。在示例性实施例中，粘合剂层155可包括作为用于提高粘合剂强度的添加剂的基于硅烷的材料。
在支承衬底150由氧化物形成的情况下，粘合剂层155也可由氧化物形成。支承衬底150可通过氧化物-氧化物键合来进行键合。
参照图8，可从发光结构110的第二表面PS2去除衬底101。
为了去除衬底101，可使用湿法刻蚀、干法刻蚀或激光剥离(LLO)技术。另外，在示例性实施例中，也可使用机械抛光方法。
由于支承衬底150键合至发光结构110的第一表面PS1上的凸块140，因此即使去除衬底101之后，在后续工序中也可容易地处理相对薄的发光结构110。
参照图9，可在发光结构110的第二表面PS2中形成不平整部分P。
由于光通过发光结构110的第二表面PS2发射，因此可通过在发光结构110的表面中形成不平整部分P来提高光提取效率。不平整部分P的形状不限于图9所示的形状。
参照图10，可去除发光结构110的一部分，以将发光结构110划分为多个封装件单元。
可在发光结构110的第二表面PS2上执行刻蚀，以将发光结构110划分为多个封装件单元。隔离区(ISO)可形成在邻近的发光结构110之间，并且可通过隔离区(ISO)暴露出粘合剂层155。
此时，被切割的发光结构110的第二侧表面LS2可具有预定的倾斜度。另外，第二侧表面LS2的倾斜度可与第一侧表面LS1的倾斜度不同。因此，发光结构110可具有不止四个侧表面。例如，发光结构110可具有八个侧表面。
参照图11A和图11B，可制备涂覆有波长转换层165的光透射衬底160，并且可将其键合至发光结构110的第二表面PS2。
例如，可通过喷涂或旋涂在光透射衬底160上形成波长转换层165。可替换地，可通过将磷光体薄膜或陶瓷磷光体片附着至光透射衬底160来形成波长转换层165。
波长转换层165可由粘合剂材料形成，因此可附着至发光结构110。因此，波长转换层165的形状可根据发光结构110的第二表面PS2、反射层130和粘合剂层155的形状而改变以进行附着。波长转换层165可形成为覆盖发光结构110的第二侧表面LS2，并且可在隔离区(ISO)(见图10)中与粘合剂层155和反射层130接触。
根据当前示例性实施例，可通过光透射衬底160的附着容易地形成波长转换层165，并且可在所述多个半导体发光器件封装件之间具有均匀的厚度。例如，波长转换层165可具有1μm至3μm的厚度变化。因此，制造的半导体发光器件封装件可具有均匀的光发射。
参照图12，可去除支承衬底150。
在支承衬底150由透明材料形成的情况下，可利用LLO技术将其去除。在支承衬底150由不透明材料形成的情况下，可利用机械抛光、湿法刻蚀或干法刻蚀将其去除。
由于光透射衬底160键合至发光结构110的第二表面PS2，因此即使在去除支承衬底150之后，也可在不损坏发光结构110的情况下执行后续工序。
然后，可通过将光透射衬底160和波长转换层165切割为多个封装件单元来将发光结构110划分为多个半导体发光器件单元。
按照这种方式，最终可制造图1所示的半导体发光器件封装件100。根据当前示例性实施例，在发光结构110下方不存在分离的封装衬底，因此可改善半导体发光器件封装件100的散热。
图13是示出根据示例性实施例的半导体发光器件封装件的截面图。
参照图13，根据示例性实施例的半导体发光器件封装件100a可包括具有第一表面PS1和第二表面PS2的发光结构110、设置在第一表面PS1上的凸块焊盘115、反射层130、凸块140以及设置在第二表面PS2上的波长转换层165。
与图1所示的示例性实施例不同的是，根据当前示例性实施例的半导体发光器件封装件100a可以不包括波长转换层165上的光透射衬底160。例如，在图11A和图11B所示的工序中，可以通过将带型波长转换层165附着至发光结构110来形成这种封装件的结构。
另外，根据当前示例性实施例的凸块140可具有第三厚度T3，其大于图1所示的半导体发光器件封装件100中的凸块140的第一厚度。即使没有光透射衬底160，也可通过相对厚的凸块140对发光结构110进行支承，因此可有利于半导体发光器件封装件100a的制造。
图14是示出根据本发明构思的示例性实施例的半导体发光器件封装件的截面图。
参照图14，根据示例性实施例的半导体发光器件封装件100b可包括具有第一表面PS1和第二表面PS2的发光结构110、设置在第一表面PS1上的凸块焊盘115、反射层130、凸块140、设置在第二表面PS2上的波长转换层165和透镜部分180。
与图1和图13所示的示例性实施例不同，根据当前示例性实施例的半导体发光器件封装件100b还可包括设置在波长转换层165上的透镜部分180。
透镜部分180可具有对通过其顶部凸表面发射的光的角度进行调整的能力。如示出的那样，透镜部分180的顶表面可具有圆顶形，但是其形状不限于此。在示例性实施例中，透镜部分180可具有非球面形状和/或不对称形状。另外，透镜部分180可包括具有菲涅尔(Fresnel)结构的光收集部分，以改善闪光灯等中的光的直线性，并且还可包括其顶表面上的不平整部分。
透镜部分180可由透明度高的树脂形成，以允许由发光结构110发射的光从中穿过，同时具有显著减小的光损失。例如，可针对其使用弹性树脂、硅树脂、环氧树脂或塑料。透镜部分180可包括胶体粒子，以改善光漫射。
在图12所示的工序中，在将发光结构110划分为多个封装件单元之前，透镜部分180可形成在已去除了光透射衬底160的波长转换层165上。透镜部分180可附着于晶圆级的发光结构，或者可在波长转换层165的顶表面上形成为具有预定形状并被硬化。在示例性实施例中，光透射衬底160(见图1)还可设置在波长转换层165与透镜部分180之间。
图15是示出根据示例性实施例的半导体发光器件封装件的截面图。
参照图15，根据示例性实施例的半导体发光器件封装件100c可包括具有第一表面PS1和第二表面PS2的发光结构110、设置在第一表面PS1上的凸块焊盘115、反射层130、凸块140、设置在第二表面PS2上的波长转换层165和光透射衬底160。
与图1、图13和图14所示的示例性实施例不同，在根据当前示例性实施例的半导体发光器件封装件100c中，发光结构110的侧表面LS可垂直于发光结构110的顶表面和底表面。由于发光结构110的侧表面LS被反射层130和波长转换层165覆盖，因此可使通过侧表面发射的光的损失最小化。
可在图2和图10所示的工序中对发光结构110进行竖直刻蚀，从而使其具有侧表面LS。
图16至图18是示出设置在根据示例性实施例的半导体发光器件封装件中的发光结构的示例的截面图。
可采用图16至图18所示的发光结构110a、110b和110c作为设置在图1和图13至图15所示的半导体发光器件封装件100、100a、100b和100c中的发光结构110。图16至图18所示的发光结构110a、110b和110c可按照在半导体发光器件封装件100、100a、100b和100c内旋转180度的方式设置。因此，凸块焊盘115(见图1)可设置在图16和图17中的连接电极116a、118a、116b和118b以及图18中的第一电极114c和第二电极118c上。
参照图16，根据示例性实施例的发光结构110a可具有包括第一导电类型的半导体层111a、有源层112a和第二导电类型的半导体层113a的半导体结构SSa。另外，发光结构110a还可包括电连接至第一导电类型的半导体层111a和第二导电类型的半导体层113a的第一接触电极114a和第二接触电极115a、连接至第一接触电极114a和第二接触电极115a的连接电极116a和118a以及绝缘层117a。
凸块焊盘115(见图1)可设置在连接电极116a和118a上。
第一导电类型的半导体层111a和第二导电类型的半导体层113a可由分别掺有n型杂质和p型杂质的半导体材料形成，但不限于此。相反，第一导电类型的半导体层111a和第二导电类型的半导体层113a可由分别掺有p型杂质和n型杂质的半导体形成。例如，第一导电类型的半导体层111a和第二导电类型的半导体层113a可由诸如AlxInyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1并且0≤x+y≤1)的氮化物半导体形成。第一导电类型的半导体层111a和第二导电类型的半导体层113a中的每一个可形成为单层或者可包括具有关于掺杂浓度、组成等的不同特性的多层。可替换地，第一导电类型的半导体层111a和第二导电类型的半导体层113a可由基于AlInGaP的半导体或者基于AlInGaAs的半导体形成。在当前示例性实施例中，例如，第一导电类型的半导体层111a可由掺有硅(Si)或碳(C)的n型GaN形成，而第二导电类型的半导体层113a可由掺有镁(Mg)或锌(Zn)的p型GaN形成。
有源层112a可设置在第一导电类型的半导体层111a与第二导电类型的半导体层113a之间。有源层112a可通过电子-空穴复合而发射具有预定能级的光。有源层112a可由诸如InGaN的单一材料形成。可替换地，有源层112a可具有单量子阱(SQW)结构或者量子阱层与量子势垒层交替堆叠的多量子阱(MQW)结构。例如，就氮化物半导体而言，可使用GaN/InGaN结构。在有源层112a包括InGaN的情况下，铟(In)的含量的增加可减轻由晶格失配导致的晶体缺陷，并且提高半导体发光器件的内量子效率。另外，可根据有源层112a中的In的含量来调整从有源层112a发射的光的波长。
连接电极116a和118a的多个部分可连接至第一接触电极114a和第二接触电极115a的多个部分。
第一接触电极114a和第二接触电极115a以及连接电极116a和118a可由导电材料形成，并且可具有单层结构或多层结构。例如，第一接触电极114a和第二接触电极115a以及连接电极116a和118a可包括以下材料中的至少一种：金(Au)、银(Ag)、铜(Cu)、锌(Zn)、铝(Al)、铟(In)、钛(Ti)、硅(Si)、锗(Ge)、锡(Sn)、镁(Mg)、钽(Ta)、铬(Cr)、钨(W)、钌(Ru)、铑(Rh)、铱(Ir)、镍(Ni)、钯(Pd)、铂(Pt)或它们的合金。
绝缘层117a可设置在第二接触电极115a上，以防止第二接触电极115a或第二导电类型的半导体层113a与连接电极116a接触。例如，绝缘层117a可由氧化物或氮化物形成。
参照图17，根据示例性实施例的发光结构110b可具有半导体结构SSb，其包括第一导电类型的半导体层111b、有源层112b以及第二导电类型的半导体层113b。另外，发光结构110b还可包括电连接至第一导电类型的半导体层111b和第二导电类型的半导体层113b的第一接触电极114b和第二接触电极115b、连接至第一接触电极114b和第二接触电极115b的连接电极116b和118b以及绝缘层117b。
在当前示例性实施例中，第一接触电极114b可形成为穿过第二导电类型的半导体层113b和有源层112b，以使其设置为电连接至第一导电类型的半导体层111b的通孔电极。例如，第一接触电极114b可按照多行多列进行布置。
绝缘层117b可形成在第一接触电极114b和第二接触电极115b的周围，以使第一接触电极114b与第二导电类型的半导体层113b和有源层112b电绝缘，并且使第二接触电极115b与连接电极116b电绝缘。
参照图18，根据当前示例性实施例的发光结构110c可具有半导体结构SSc，其为包括第一导电类型的半导体核111c、有源层112c和第二导电类型的半导体层113c的核-壳纳米结构。另外，发光结构110c还可包括基底层119c、设置在基底层119c上的掩模层117c、设置在第二导电类型的半导体层113c上的透明电极层115c、电连接至基底层119c的第一电极114c、电连接至第二导电类型的半导体层113b的第二电极118c以及填充剂层116c。半导体结构SSc的数量不限于图18所示的数量，并且半导体结构SSc可按照六边形的形式布置。
基底层119c可由导电材料形成。基底层119c可为III-V族化合物半导体层。例如，基底层119c可由GaN或掺有n型杂质的n型GaN形成。基底层119c可提供用于第一导电类型的半导体芯111c的生长的晶面，并且可连接至半导体结构SSc的一端，因此用作接触电极。
掩模层117c可由氧化硅或氮化硅形成。在示例性实施例中，掩模层117c可以是分布式布拉格反射器(DBR)层或全向反射器(ODR)层。掩模层117c可具有暴露出基底层119c多个部分的多个开口。可根据开口的尺寸确定半导体结构SSc的直径、长度、位置和生长条件。半导体结构SSc可定位为对应于所述多个开口。
透明电极层115c可电连接至第二导电类型的半导体层113c。透明电极层115c可覆盖半导体结构SSc的顶表面和侧表面，并且可在邻近的半导体结构SSc之间延伸。例如，透明电极层115c可由铟锡氧化物(ITO)、铝锌氧化物(AZO)、铟锌氧化物(IZO)、氧化锌(ZnO)、GZO(ZnO：Ga)、氧化铟(In2O3)、氧化锡(SnO2)、氧化镉(CdO)、镉锡氧化物(CdSnO4)或氧化镓(Ga2O3)形成。
填充剂层116c可设置在透明电极层115c上，同时覆盖半导体结构SSc的下部。填充剂层116c可填充邻近的半导体结构SSc之间的空间。填充剂层116c可由光透射绝缘材料形成。例如，填充剂层116c可包括氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氧化铝(Al2O3)、氧化铪(HfO)、氧化钛(TiO2)或者氧化锆(ZrO)。可替换地，在示例性实施例中，填充剂层116c可包括导电材料。在这种情况下，填充剂层116c可形成为电连接至第二电极118c，或者可与第二电极118c一体地形成。
第一电极114c和第二电极118c可设为分别电连接至基底层119c和第二导电类型的半导体层113c。然而，第一电极114c和第二电极118c的布置方式和形状可根据示例性实施例而改变。第一电极114c和第二电极118c可由导电材料形成，并且可具有单层结构或者多层结构。考虑到光提取效率，第一电极114c和第二电极118c可为反射性金属层。
图19和图20示出了包括有根据示例性实施例的半导体发光器件封装件的背光单元的示例。
参照图19，背光单元1000可包括安装在衬底1002上的至少一个光源1001以及设置在光源1001上方的至少一个光学片材1003。光源1001可以是参照图1和图13至图15描述的半导体发光器件封装件100、100a、100b或100c。背光单元1000可具有所谓的模块倒装芯片(flip chip on module，FCOM)结构，其中半导体发光器件封装件直接安装在衬底1002上。
图19的背光单元1000中的光源1001朝着设置在其上的液晶显示(LCD)装置发射光，而图20所示的根据另一示例性实施例的背光单元2000中的安装在衬底2002上的光源2001横向发射光，并且光入射至导光板2003，从而使得背光单元2000能够用作表面光源。穿过导光板2003的光可向上发射，并且可将反射层2004设置在导光板2003的底表面下方，以提高光提取效率。
图21示出了包括根据示例性实施例的半导体发光器件封装件的照明装置的示例。
参照图21的分解透视图，照明装置3000示例为灯泡型照明器，并且可包括发光模块3003、驱动器3008和外部连接器3010。另外，照明装置3000还可包括诸如外部壳体3006和内部壳体3009以及盖3007的外部结构。发光模块3003可包括光源3001(具有与参照图1和图13至图15描述的半导体发光器件封装件100、100a、100b或100c的结构相同的结构或者与其相似的结构)以及其上安装有光源3001的电路板3002。在当前示例性实施例中，作为示例，单个光源3001安装在电路板3002上。然而，可根据各种情况在其上安装多个光源。
外部壳体3006可用作散热部分，并且可包括直接接触发光模块3003以改善散热的散热板3004以及包围散热板3004和照明装置3000的侧表面的散热鳍片3005。盖3007可设置在发光模块3003上方并且具有凸透镜形状。驱动器3008可设置在内部壳体3009内，并且连接至诸如插座结构的外部连接器3010，以从外部电源接收功率。另外，驱动器3008可将接收到的功率转换为适于驱动发光模块3003的光源3001的功率，并且向光源3001提供转换后的功率。例如，驱动器3008可设置为AC-DC转换器、整流电路部分等。
另外，照明装置3000还可包括通信模块。
图22示出了包括根据示例性实施例的半导体发光器件封装件的前灯的示例。
参照图22，车辆等中使用的前灯4000可包括光源4001、反射器4005和透镜盖4004，并且透镜盖4004可包括中空引导部分4003和透镜4002。光源4001可包括参照图1和图13至图15描述的半导体发光器件封装件100、100a、100b和100c中的至少一个。前灯4000还可包括使光源4001所产生的热向外消散的散热部分4012。散热部分4012可包括散热器4010和冷却风扇4011，以有效地散热。另外，前灯4000还可包括壳体4009，其允许散热部分4012和反射器4005固定于其上并且受其支承。壳体4009可包括主体4006以及形成在壳体4009的一个表面中的中心孔4008，散热部分4012连接至所述中心孔4008。另外，壳体4009可包括前向开孔4007，其形成在壳体4009的另一个表面中，该表面一体地连接至壳体4009的所述一个表面并且在与其垂直的方向上弯曲。反射器4005可固定至壳体4009，以使得光源4001所产生的光可被反射器4005反射、穿过前向开孔4007并且向外发射。
图23示出了家庭网络的示例，其应用了包括根据示例性实施例的半导体发光器件封装件的照明系统。
参照图23，家庭网络可包括家用无线路由器7000、网关集线器7010、无线通信模块7020、照明装置7030、车库门锁7040、无线门锁7050、家用电器7060、蜂窝电话7070、通用灯开关7080和云网络7090。
例如，无线通信模块7020可为ZigBeeTM模块。为了能够在家中进行无线通信，可将来自照明装置7030的信号通过网关集线器7010发送至诸如车库门锁7040、无线门锁7050、家用电器7060、蜂窝电话7070和灯开关7080的家用电器，从而对家用电器进行控制。另外，可利用来自家用电器的信号对照明装置7030进行控制。因此，家用电器还可包括用于启动无线通信的无线通信模块(例如ZigBeeTM和/或Wi-Fi)。在示例性实施例中，照明装置7030可与家用电器直接通信，而不用网关集线器7010。
通过利用家中的这种无线通信，可根据卧室、起居室、门厅、车库等中的家用电器的操作状态和/或周边环境/情况自动地控制照明装置7030的亮度。
例如，可根据在TV上播放的节目的类型或者屏幕的亮度，利用网关集线器7010和无线通信模块7020自动地调节照明装置7030的亮度。例如，在播放电视剧并且需要舒适气氛的情况下，可调节色调，以使得照明的色温降至5000K或更低。在另一示例中，在因观看诸如喜剧节目的节目而需要轻松气氛的情况下，将照明的色温增大至5000K或更高，并且将照明调节为蓝白色。可替换地，可利用网关集线器7010和无线通信模块7020通过蜂窝电话7070控制照明装置7030的亮度。
无线通信模块7020可与光学传感器模块化，并且还可被配置为与照明装置7030一体化。
如上所述，根据示例性实施例，提供了一种半导体发光器件封装件及其制造方法，所述半导体发光器件封装件采用能够利用反射层对通过其侧表面横向发射的光进行控制的结构，所述制造方法可降低制造成本，同时确保改善的发光性能和可靠性。
虽然上面已经示出和描述了示例性实施例，但是本领域技术人员应该清楚，在不脱离由所附权利要求限定的本发明构思的范围的情况下，可作出修改和变化。

Claims (25)

1.一种用于制造半导体发光器件封装件的方法，所述方法包括步骤：
在生长衬底上形成发光结构；
在所述发光结构的第一表面上形成反射层；
在所述发光结构的第一表面上形成凸块，所述凸块电连接至所述发光结构，并且从所述反射层突出；
将支承衬底键合至所述发光结构的第一表面上的凸块；
去除所述生长衬底；
将涂覆有波长转换层的光透射衬底键合至已去除所述生长衬底的发光结构的第二表面；以及
去除所述支承衬底，
其中，所述反射层覆盖所述发光结构的侧表面的至少一部分以及所述凸块的侧表面的至少一部分。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述发光结构的各侧表面被所述反射层和所述波长转换层覆盖。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述发光结构的各侧表面中的至少一个包括具有不同倾斜度的至少两个倾斜表面。
4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述两个倾斜表面之间的边界对应于所述反射层与所述波长转换层之间的边界。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述发光结构包括第一导电类型的半导体层，并且
其中，所述波长转换层形成在所述光透射衬底的面对所述第一导电类型的半导体层的表面上。
6.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述反射层的步骤包括：
在所述发光结构的第一表面上形成掩模层，其覆盖将要在其中形成凸块的区域以及在其中将所述发光结构切割成多个封装件单元的隔离区；
形成用于形成所述反射层的材料层，以覆盖所述发光结构通过所述掩模层暴露的多个部分；
利用平面化方法去除用于形成所述反射层的材料层的一部分，以暴露出所述掩模层的顶表面；以及
去除所述掩模层。
7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述凸块从所述反射层的顶表面突出。
8.根据权利要求1所述的方法，在形成所述反射层之前还包括步骤：
对所述发光结构进行台面刻蚀，以暴露出所述发光结构的第一导电类型的半导体层的一部分；以及
在所述发光结构的第一表面上形成电极和凸块焊盘。
9.根据权利要求1所述的方法，其中，利用粘合剂层将所述支承衬底键合至所述发光结构的第一表面上的凸块。
10.根据权利要求1所述的方法，还包括步骤：在去除所述生长衬底之后在所述发光结构的第二表面上形成不平整部分。
11.根据权利要求1所述的方法，还包括步骤：在去除所述生长衬底之后去除所述发光结构的一部分并将所述发光结构划分为多个封装件单元。
12.根据权利要求1所述的方法，还包括步骤：在去除所述支承衬底之后将所述光透射衬底和所述波长转换层切割成多个封装件单元。
13.根据权利要求1所述的方法，其中，在晶圆级制造多个半导体发光器件封装件，并且
在晶圆级将所述波长转换层键合至所述发光结构。
14.根据权利要求13所述的方法，其中，在晶圆级制造的所述多个半导体发光器件封装件当中，所述波长转换层的厚度范围为1μm至3μm。
15.一种用于制造半导体发光器件封装件的方法，所述方法包括步骤：
在生长衬底上形成发光结构；
在所述发光结构的第一表面上形成反射层；
在所述发光结构的第一表面上形成凸块，所述凸块电连接至所述发光结构、被所述反射层包围并且从所述反射层突出；
将支承衬底键合至所述发光结构的第一表面上的凸块；
去除所述生长衬底；
去除所述发光结构的一部分并且将所述发光结构划分为多个封装件单元；
将涂覆有波长转换层的光透射衬底键合至已去除所述生长衬底的发光结构的第二表面；以及
去除所述支承衬底，
其中，所述发光结构的各侧表面被所述反射层和所述波长转换层覆盖。
16.根据权利要求15所述的方法，还包括步骤：在形成所述反射层之前对所述发光结构进行台面刻蚀，以暴露出所述发光结构的第一导电类型的半导体层的一部分，
其中，对所述发光结构进行的台面刻蚀产生了所述发光结构的第一侧表面。
17.根据权利要求16所述的方法，其中，对所述发光结构的划分产生了所述发光结构的第二侧表面，并且
所述第一侧表面和所述第二侧表面具有不同的倾斜度。
18.根据权利要求17所述的方法，其中，所述波长转换层覆盖所述发光结构的第二侧表面。
19.根据权利要求16所述的方法，其中，所述反射层覆盖所述发光结构的第一侧表面。
20.根据权利要求15所述的方法，其中，所述反射层与所述发光结构的各侧表面中的至少一个上的波长转换层接触。
21.一种半导体发光器件封装件，包括：
发光结构，其包括第一导电类型的半导体层、有源层和第二导电类型的半导体层；
多个凸块，其设置在所述发光结构的第一表面上，并且电连接至所述第一导电类型的半导体层或所述第二导电类型的半导体层；
反射层，其设置在所述发光结构的第一表面上，并且直接覆盖所述发光结构的侧表面的至少一部分以及所述多个凸块的侧表面的至少一部分；以及
波长转换层，其设置在与所述发光结构的第一表面相对的所述发光结构的第二表面上，并且直接覆盖所述发光结构的所述侧表面的未被所述反射层覆盖的部分。
22.根据权利要求21所述的半导体发光器件封装件，还包括设置在所述波长转换层上的光透射衬底。
23.根据权利要求21所述的半导体发光器件封装件，其中，所述发光结构的各侧表面被所述反射层和所述波长转换层完全覆盖。
24.根据权利要求21所述的半导体发光器件封装件，其中，所述发光结构的各侧表面中的至少一个包括具有不同倾斜度的至少两个倾斜表面。
25.根据权利要求24所述的半导体发光器件封装件，其中，所述两个倾斜表面之间的边界对应于所述反射层与所述波长转换层之间的边界。
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Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI575676B (zh) * 2014-11-17 2017-03-21 矽品精密工業股份有限公司 電子封裝結構及其製法
JP2018010899A (ja) * 2016-07-11 2018-01-18 株式会社ディスコ 発光ダイオードチップの製造方法及び発光ダイオードチップ
JP2018010898A (ja) * 2016-07-11 2018-01-18 株式会社ディスコ 発光ダイオードチップの製造方法及び発光ダイオードチップ
TWI705581B (zh) * 2016-09-09 2020-09-21 晶元光電股份有限公司 發光裝置以及其製造方法
KR102652087B1 (ko) * 2016-12-16 2024-03-28 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
US10193018B2 (en) * 2016-12-29 2019-01-29 Intel Corporation Compact low power head-mounted display with light emitting diodes that exhibit a desired beam angle
CN106935693A (zh) * 2017-04-11 2017-07-07 安徽芯瑞达科技股份有限公司 一种五面发光的量子点csp背光源及其制备方法
KR102409963B1 (ko) * 2017-08-22 2022-06-15 삼성전자주식회사 솔더 범프를 구비한 반도체 발광소자 패키지
KR20190134941A (ko) * 2018-05-24 2019-12-05 서울반도체 주식회사 발광 소자
KR102657089B1 (ko) * 2018-09-21 2024-04-15 주식회사 루멘스 부분 점등 가능한 조명 장치 및 그 제조방법
US11271141B2 (en) * 2018-11-26 2022-03-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh Light-emitting device with wavelenght conversion layer having quantum dots
CN115881555B (zh) * 2022-12-23 2024-06-14 杰创半导体(苏州)有限公司 半导体器件的制作方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2388838A1 (en) * 2010-05-18 2011-11-23 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting diode chip having wavelength converting layer and method of fabricating the same, and package having the light emitting diode chip and method of fabricating the same
CN102709451A (zh) * 2011-03-28 2012-10-03 日东电工株式会社 发光二极管装置及其制造方法
CN103003966A (zh) * 2010-05-18 2013-03-27 首尔半导体株式会社 具有波长变换层的发光二级管芯片及其制造方法，以及包括其的封装件及其制造方法

Family Cites Families (45)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1758169A3 (en) 1996-08-27 2007-05-23 Seiko Epson Corporation Exfoliating method, transferring method of thin film device, and thin film device, thin film integrated circuit device, and liquid crystal display device produced by the same
USRE38466E1 (en) 1996-11-12 2004-03-16 Seiko Epson Corporation Manufacturing method of active matrix substrate, active matrix substrate and liquid crystal display device
US7208725B2 (en) 1998-11-25 2007-04-24 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Optoelectronic component with encapsulant
JP3906654B2 (ja) 2000-07-18 2007-04-18 ソニー株式会社 半導体発光素子及び半導体発光装置
EP1420463A4 (en) 2001-08-22 2008-11-26 Sony Corp NITRID SEMICONDUCTOR ELEMENT AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF
JP2003218034A (ja) 2002-01-17 2003-07-31 Sony Corp 選択成長方法、半導体発光素子及びその製造方法
JP3815335B2 (ja) 2002-01-18 2006-08-30 ソニー株式会社 半導体発光素子及びその製造方法
KR100499129B1 (ko) 2002-09-02 2005-07-04 삼성전기주식회사 발광 다이오드 및 그 제조방법
US7002182B2 (en) 2002-09-06 2006-02-21 Sony Corporation Semiconductor light emitting device integral type semiconductor light emitting unit image display unit and illuminating unit
US7118438B2 (en) * 2003-01-27 2006-10-10 3M Innovative Properties Company Methods of making phosphor based light sources having an interference reflector
JP2004363380A (ja) * 2003-06-05 2004-12-24 Sanyo Electric Co Ltd 光半導体装置およびその製造方法
KR100714639B1 (ko) 2003-10-21 2007-05-07 삼성전기주식회사 발광 소자
KR100506740B1 (ko) 2003-12-23 2005-08-08 삼성전기주식회사 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR100664985B1 (ko) 2004-10-26 2007-01-09 삼성전기주식회사 질화물계 반도체 소자
KR100665222B1 (ko) 2005-07-26 2007-01-09 삼성전기주식회사 확산재료를 이용한 엘이디 패키지 및 그 제조 방법
KR100661614B1 (ko) 2005-10-07 2006-12-26 삼성전기주식회사 질화물계 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR100723247B1 (ko) 2006-01-10 2007-05-29 삼성전기주식회사 칩코팅형 ｌｅｄ 패키지 및 그 제조방법
KR100735325B1 (ko) 2006-04-17 2007-07-04 삼성전기주식회사 발광다이오드 패키지 및 그 제조방법
KR100930171B1 (ko) 2006-12-05 2009-12-07 삼성전기주식회사 백색 발광장치 및 이를 이용한 백색 광원 모듈
US9024349B2 (en) * 2007-01-22 2015-05-05 Cree, Inc. Wafer level phosphor coating method and devices fabricated utilizing method
US9159888B2 (en) * 2007-01-22 2015-10-13 Cree, Inc. Wafer level phosphor coating method and devices fabricated utilizing method
KR100855065B1 (ko) 2007-04-24 2008-08-29 삼성전기주식회사 발광 다이오드 패키지
KR100982980B1 (ko) 2007-05-15 2010-09-17 삼성엘이디 주식회사 면 광원 장치 및 이를 구비하는 ｌｃｄ 백라이트 유닛
KR101164026B1 (ko) 2007-07-12 2012-07-18 삼성전자주식회사 질화물계 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR100891761B1 (ko) 2007-10-19 2009-04-07 삼성전기주식회사 반도체 발광소자, 그의 제조방법 및 이를 이용한 반도체발광소자 패키지
KR101332794B1 (ko) 2008-08-05 2013-11-25 삼성전자주식회사 발광 장치, 이를 포함하는 발광 시스템, 상기 발광 장치 및발광 시스템의 제조 방법
KR20100030470A (ko) 2008-09-10 2010-03-18 삼성전자주식회사 다양한 색 온도의 백색광을 제공할 수 있는 발광 장치 및 발광 시스템
KR101530876B1 (ko) 2008-09-16 2015-06-23 삼성전자 주식회사 발광량이 증가된 발광 소자, 이를 포함하는 발광 장치, 상기 발광 소자 및 발광 장치의 제조 방법
US8008683B2 (en) 2008-10-22 2011-08-30 Samsung Led Co., Ltd. Semiconductor light emitting device
KR20110099512A (ko) * 2010-03-02 2011-09-08 삼성엘이디 주식회사 발광소자 패키지 및 그 제조방법
CN102194985B (zh) 2010-03-04 2013-11-06 展晶科技(深圳)有限公司 晶圆级封装之方法
JP2011199193A (ja) 2010-03-23 2011-10-06 Toshiba Corp 発光装置及びその製造方法
US8232117B2 (en) 2010-04-30 2012-07-31 Koninklijke Philips Electronics N.V. LED wafer with laminated phosphor layer
JP5356312B2 (ja) 2010-05-24 2013-12-04 株式会社東芝 半導体発光装置
KR20110130851A (ko) 2010-05-28 2011-12-06 삼성전자주식회사 발광 장치, 이를 포함하는 발광 시스템, 및 이들의 제조 방법
WO2012101489A1 (en) 2011-01-24 2012-08-02 Koninklijke Philips Electronics N.V. Light emitting device chip scale package
JP2013084889A (ja) 2011-09-30 2013-05-09 Toshiba Corp 半導体発光装置及びその製造方法
US8896010B2 (en) * 2012-01-24 2014-11-25 Cooledge Lighting Inc. Wafer-level flip chip device packages and related methods
KR102025719B1 (ko) * 2012-03-14 2019-09-26 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 및 그 제조방법
JP2013197309A (ja) * 2012-03-19 2013-09-30 Toshiba Corp 発光装置
KR101350159B1 (ko) 2012-08-31 2014-02-13 한국광기술원 백색 발광 다이오드 제조방법
JP2013042191A (ja) * 2012-11-30 2013-02-28 Toshiba Corp 半導体発光装置
JP2014139998A (ja) * 2013-01-21 2014-07-31 Toshiba Corp 半導体発光装置
JP6097084B2 (ja) * 2013-01-24 2017-03-15 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置
JP5837006B2 (ja) 2013-07-16 2015-12-24 株式会社東芝 光半導体装置の製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2388838A1 (en) * 2010-05-18 2011-11-23 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting diode chip having wavelength converting layer and method of fabricating the same, and package having the light emitting diode chip and method of fabricating the same
CN103003966A (zh) * 2010-05-18 2013-03-27 首尔半导体株式会社 具有波长变换层的发光二级管芯片及其制造方法，以及包括其的封装件及其制造方法
CN102709451A (zh) * 2011-03-28 2012-10-03 日东电工株式会社 发光二极管装置及其制造方法

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