CN105717972B - 半导体器件以及电流限制方法 - Google Patents

半导体器件以及电流限制方法 Download PDF

Info

Publication number
CN105717972B
CN105717972B CN201510749485.9A CN201510749485A CN105717972B CN 105717972 B CN105717972 B CN 105717972B CN 201510749485 A CN201510749485 A CN 201510749485A CN 105717972 B CN105717972 B CN 105717972B
Authority
CN
China
Prior art keywords
current
voltage
transistor
current limit
main transistor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201510749485.9A
Other languages
English (en)
Other versions
CN105717972A (zh
Inventor
岩水守生
竹内茂行
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fuji Electric Co Ltd
Original Assignee
Fuji Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fuji Electric Co Ltd filed Critical Fuji Electric Co Ltd
Publication of CN105717972A publication Critical patent/CN105717972A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN105717972B publication Critical patent/CN105717972B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02H—EMERGENCY PROTECTIVE CIRCUIT ARRANGEMENTS
    • H02H9/00—Emergency protective circuit arrangements for limiting excess current or voltage without disconnection
    • H02H9/02—Emergency protective circuit arrangements for limiting excess current or voltage without disconnection responsive to excess current
    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
    • G05F1/00—Automatic systems in which deviations of an electric quantity from one or more predetermined values are detected at the output of the system and fed back to a device within the system to restore the detected quantity to its predetermined value or values, i.e. retroactive systems
    • G05F1/10—Regulating voltage or current
    • G05F1/46—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc
    • G05F1/56—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc using semiconductor devices in series with the load as final control devices
    • G05F1/565—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc using semiconductor devices in series with the load as final control devices sensing a condition of the system or its load in addition to means responsive to deviations in the output of the system, e.g. current, voltage, power factor
    • G05F1/569—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc using semiconductor devices in series with the load as final control devices sensing a condition of the system or its load in addition to means responsive to deviations in the output of the system, e.g. current, voltage, power factor for protection
    • G05F1/573—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc using semiconductor devices in series with the load as final control devices sensing a condition of the system or its load in addition to means responsive to deviations in the output of the system, e.g. current, voltage, power factor for protection with overcurrent detector
    • G05F1/5735—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc using semiconductor devices in series with the load as final control devices sensing a condition of the system or its load in addition to means responsive to deviations in the output of the system, e.g. current, voltage, power factor for protection with overcurrent detector with foldback current limiting
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/08—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage
    • H03K17/082—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage by feedback from the output to the control circuit
    • H03K17/0822—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage by feedback from the output to the control circuit in field-effect transistor switches
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K2217/00—Indexing scheme related to electronic switching or gating, i.e. not by contact-making or -breaking covered by H03K17/00
    • H03K2217/0027—Measuring means of, e.g. currents through or voltages across the switch

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Radar, Positioning & Navigation (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Emergency Protection Circuit Devices (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)
  • Direct Current Feeding And Distribution (AREA)

Abstract

公开了一种半导体器件以及电流限制方法。获得了稳定的负载启动以及过电流检测准确度的增大。半导体器件包括主晶体管和电流限制单元。该主晶体管实现电力向负载的供给。该电流限制单元包括控制该主晶体管的栅极电压的控制晶体管并且具有限制流过该主晶体管的电流的电流限制功能。该电流限制单元具有电流限制值并检测过电流从该主晶体管流出，并且当该电流等于或大于该电流限制值，并且该控制晶体管接通时的运行电压等于或大于电流限制激活电压时，激活该电流限制功能，该电流限制激活电压是当该电流上升到该电流限制值时与该控制晶体管的栅极处产生的预定电压相加的校正电压。

Description

半导体器件以及电流限制方法
技术领域
本发明涉及半导体器件和电流限制方法。
背景技术
被称为智能功率开关(IPS)的半导体器件(其中，功率半导体元件以及其周围的控制电路、保护电路等被集成在单个芯片上或单个封装中)的发展近年来被不断改进。
由于IPS广泛地用于汽车电气系统(诸如变速器、发动机和刹车)，存在对提供尺寸减小、提高性能以及提高可靠性的产品的需求。
包括具有线性的并且相对于主晶体管的漏极-源极电压具有负依赖性的电流检测特性的电流检测单元的半导体器件已经被提出为现有技术(JP-A-2014-128005)。
并且已经提出了技术，其中，可变电压源的输出电压根据功率半导体器件附近的温度和流过感测端的电流来调节，由此校正功率半导体器件的主区域与感测区域的特性之间的差异(日本专利号5,590,240)。
此外已经提出了技术，其中，当半导体器件的主电流达到断路电平时执行半导体器件保护操作，而当执行半导体激活操作时降低断路电平(JP-A-2013-62730)。
发明内容
在IPS中提供了执行电流限制从而当负载短路时约束电流流动过量(过电流)的功能。电流限制功能使得：当从功率半导体元件流入IPS的电流流动达到或超过预先设定的阈值(过电流限制值)时，检测到过电流的发生并且限制电流量。
同时，诸如电动机的负载具有当负载启动时一涌入电流流动的特性。在IPS中，为了稳定地启动此类负载，过电流限制值被设定为高于该涌入电流的最大瞬时值从而电流限制不被施加在该涌入电流上。
然而，当过电流限制值被设定为高于该涌入电流的最大瞬时值，存在低于该涌入电流的最大瞬时值的电流值难以被检测为过电流的问题，并且过电流检测准确度降低了。
考虑这点而设计出的本发明具有提供一种半导体器件和电流限制方法从而获得稳定的负载启动以及过电流检测准确度增大的目的。
为了解决前文所述的问题，提供了一种半导体器件。该半导体器件包括主晶体管，该主晶体管执行电力从电源到负载的供给；以及电流限制单元，其包括控制该主晶体管的栅极电压的控制晶体管，具有限制流过该主晶体管的电流的电流限制功能。
并且，电流限制单元具有电流限制值以用于判定当负载运行在稳态时大于运行电流的电流流动。此外，电流限制单元检测过电流从主晶体管流出，当流过该主晶体管的电流等于或大于电流限制值以及当控制晶体管接通时的运行电压等于或大于电流限制激活电压时激活电流限制功能，该电流限制激活电压是当流过该主晶体管的电流上升到电流限制值时与控制晶体管的栅极处产生的预定电压相加的校正电压。
可获得稳定的负载启动以及过电流检测准确度的增大。
附图说明
图1是示出半导体器件的配置示例的图；
图2是示出IPS的配置示例的图；
图3是用于描述电荷泵升压运行的图；
图4是示出过电流限制值和涌入电流的图；
图5是示出IPS的配置示例的图；
图6是示出闩锁(latch)电路和钳位(clamping)电路的配置示例的图；
图7是示出当启动一电动机而未发生负载短路时的运行波形的图；以及
图8是示出当存在负载短路时的运行波形的图。
具体实施方式
在下文中，将参考附图描述本发明的各实施例。在说明书和附图中，具有本质上相同功能并且给予相同附图标记的组件省略了冗余的描述。
第一实施例
图1是示出半导体器件的配置示例的图。第一实施例的半导体器件1包括主晶体管m0和电流限制单元1a，且半导体器件1经由主晶体管m0连接至负载3。
主晶体管m0执行电力向负载3的供给。电流限制单元1a包括控制主晶体管m0的栅极电压的控制晶体管m2并且具有控制流过主晶体管m0的电流i的电流限制功能。
并且，电流限制单元1a具有用于判定大于负载3运行在稳态中时的运行电流的电流(大电流)流动的电流限制值Ith。
此外，当流过主晶体管m0的电流i等于或大于该电流限制值Ith并且控制晶体管m2的运行电压等于或大于电流限制激活电压V1时，电流限制单元1a检测到过电流从主晶体管m0流出并激活电流限制功能。
控制晶体管m2的运行电压是用于驱动电流限制功能的电压(也可被称为电流限制单元1a的运行电压)。并且，电流限制激活电压V1是一电压，其中，当流过主晶体管m0的电流上升到该电流限制值Ith时与控制晶体管m2的栅极处产生的预定电压相加的校正电压(将在下文描述)。
在此，图1中所示的波形是用于描述电流限制单元1a的运行，其中竖轴是电流或电压，而横轴是时间。曲线g1示出控制晶体管m2的运行电压，而曲线g2示出从主晶体管m0流到负载3的电流i。
在时间周期Ta中，流过主晶体管m0的电流i等于或大于电流限制值Ith，且运行电压等于或大于电流限制激活电压V1。当这两个条件都满足时，电流限制单元1a检测过电流从主晶体管m0流出并且激活电流限制功能以约束该过电流。相反，当两个条件不满足时，不激活电流限制功能。
以此方式，当检测到过电流从主晶体管m0流出时，半导体器件1的电流限制单元1a激活用于约束该过电流的电流限制功能。
并且，当两个条件满足时激活电流限制功能，这两个条件是流过主晶体管m0的电流i等于或大于电流限制值Ith以及控制晶体管m2的运行电压等于或大于电流限制激活电压V1。根据此类半导体器件1配置，可获得负载3的稳定启动以及过电流检测准确度的增大。
接着，在描述本发明的细节之前，利用图2到4，将给出IPS的一般配置和运行以及所解决问题的说明。
IPS配置和运行
首先，将给出高侧型IPS的配置和运行的说明，其中半导体器件设置在电源侧而负载设置在GND侧。
图2是示出IPS的配置示例的图。IPS 100是包括负载运行电路11、电流限制电路12以及晶体管M0的半导体器件并且使用从输出端OUT输出的电流来使负载3运行。负载3是L负载(电感负载)，诸如电动机、螺线管或继电器。
负载运行电路11包括控制电路11a、电荷泵(升压电路)11b以及保护电路11c。并且，电流限制电路12包括晶体管M1和M2以及电阻器R1。
晶体管M0是功率半导体元件，例如使用了功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。例如，N沟道MOSFET被用于晶体管M0到M2。
关于元件连接关系，控制电路11a的输入口连接至IPS 100的输入端IN，而控制电路11a的输出口连接至电荷泵11b的输入口。
电荷泵11b的输出口连接至晶体管M0的栅极、晶体管M1的栅极以及晶体管M2的漏极。晶体管M0和M1的漏极连接至IPS 100的电源电压端VCC。
晶体管M1的源极连接至晶体管M2的栅极和电阻器R1的一端。晶体管M2的源极连接至电阻器R1的另一端、IPS 100的输出端OUT和晶体管M0的源极。
输出端OUT连接至负载3(电动机等)的一端，而电源电压端VCC连接至电池BAT的正极端。电池BAT的负极端连接至负载3的另一端和GND。
在以下描述中，晶体管M0也被称为主晶体管M0，而晶体管M1被称为感测(检测)晶体管M1。此外，作为栅极电压控制晶体管的晶体管M2也被称为控制晶体管M2，而电阻器R1被称为感测电阻器R1。
在此，接收到经由输入端IN从上游(例如，发动机控制单元(ECU))传输的输入信号Sin时，控制电路11a执行输入信号Sin与该电路内设定的阈值的电平比较并且根据比较结果来控制电荷泵11b。
例如，当输入信号Sin的电平超过阈值电平时，控制电路11a判定负载3要被运行并将电荷泵11b的充电功能控制到启动状态从而接通主晶体管M0。
并且，当输入信号Sin的电平下降到阈值电平之下时，控制电路11a判定负载3的运行要被停止并且将电荷泵11b的充电功能控制到禁止状态从而断开主晶体管M0。
当充电功能被控制电路11a启动时，电荷泵11b产生并输出具有高于电源电压VCC的电压的电压信号。即，电荷泵11b产生为了使主晶体管M0达到完全接通状态(全部接通状态)所需要的电压并且将该电压施加到主晶体管M0的栅极。
保护电路11c是用于保护IPS 100的每个内部电路的电路，其检测过电流、过热等并且基于检测结果执行保护过程。例如，当保护电路11c检测到器件处于过热状态时，保护电路11c停止电荷泵11b的驱动。
电流限制电路12执行用于限制电流从主晶体管M0的源极流向负载3的控制。例如，当负载3短路等时，电流限制电路12通过执行电流限制来实现负载短路时的保护从而使得没有过电流流动。
作为从电荷泵11b输出的电压被施加到主晶体管M0的栅极的响应，主晶体管M0输出为了使负载3运行所需要的预定电流并且使该电流经由输出端OUT流到负载3。
主晶体管M0的栅极与感测晶体管M1的栅极彼此连接。因此，当电荷泵11b处于启动状态时，相同的栅极电压被施加到主晶体管M0与感测晶体管M1，两者都被接通。
然而，由于流过主晶体管M0的电流与流过感测晶体管M1的电流是基于一感测比率来确定的，电流量彼此不同。
例如，在当两者接通时认为流过感测晶体管M1的电流是1，流过主晶体管M0的电流处于10000的区域中的情况下，那么感测比率IM1:IM0＝1:10000。
因此，来自主晶体管M0与感测晶体管M1两者的电流是从输出端OUT输出的，但是如前文所述，使负载3运行的主电流是从主晶体管M0流出的电流。
接着，将描述电荷泵11b的升压运行。图3是用于描述电荷泵升压运行的图。电荷泵11b包括n沟道MOS晶体管M11、二极管D2以及电容器C1和C2。
关于元件连接关系，电容器C1的一端连接至电源电压VCC与二极管D2的阳极，而电容器C1的另一端连接至晶体管M11的漏极。
电容器C2的一端连接至电源电压VCC与二极管D2的阴极，而电容器C2的另一端与晶体管M11的源极连接至GND。
在此，例如在H电平与L电平之间反复切换的脉冲信号被施加到晶体管M11的栅极。当脉冲信号处于H电平时，晶体管M11接通。
在此情况下，电容器C1是从电源电压VCC进行充电(电容器C1被充电直到其端电压达到VCC)。
同时，当脉冲信号处于L电平时，晶体管M11断开，由此点P1的电势上升超过了当晶体管M11处于接通状态时的电势。因此，电容器C1中累积的电荷经由二极管D2流到电容器C2。
此时，在电容器C2中执行了通过电源电压VCC与从电容器C1流出的等价于VCC的电荷对电容器C2的充电，由此点P2的电势上升到两倍的VCC。
使用此类配置，电荷泵11b产生足以全部接通主晶体管M0的电压信号。原则上，当执行n倍VCC的升压时，提供n阶前文描述的这类电路配置。
接着，使用图2，将给出电流限制电路12的正常运行模式和电流限制运行模式的说明。正常运行模式是处于正常运行的时间的运行，其中没有过电流发生(不存在负载3的短路)，而且使预定电流从主晶体管M0流到负载3。
并且，电流限制运行模式是当处于负载3短路且过电流流动的状态时限制电流从主晶体管M0流到负载3的运行。
首先，将描述正常运行模式。如前所述，流过感测晶体管M1的电流量与从主晶体管M0流出的电流量相比是极小的。
因此，当负载3正常地运行时，连接至感测晶体管M1的源极的电流感测点CS的电势不会上升到超过控制晶体管M2的阈值电压。
下文中，电流感测点CS将被简单地称为点CS。并且，点CS的电压将被称为CS电压VCS，而控制晶体管M2的阈值电压将被称为Vth。
由于点CS连接至控制晶体管M2的栅极，当CS电压VCS没有超过控制晶体管M2的阈值电压Vth时控制晶体管M2处于截止状态。
因此，在正常运行模式下，从电荷泵11b输出的升压电压信号被施加到主晶体管M0的栅极，由此用于使负载3运行的预定电流从主晶体管M0流出。
接着，将描述电流限制运行模式。当负载3短路时，输出端OUT呈现GND电势并且过电流从主晶体管M0经由输出端OUT流出。当过电流流动时，存在由于电池电压波动或过电流传导的缘故而将发生周围部件的故障或损坏的担忧，由此，执行过电流约束。
当过电流从主晶体管流出时，大于正常运行模式下流动的电流的电流也流入感测晶体管M1。
在此情况下，连接至感测晶体管M1的源极的点CS的CS电压VCS上升超过了正常运行模式的电势，而当CS电压VCS上升到超过控制晶体管M2的阈值电压Vth时，控制晶体管M2转换为接通状态。
控制晶体管M2的漏极连接至电荷泵11b的输出口。因此，当控制晶体管M2处于接通状态时，控制晶体管M2从电荷泵11b内与电荷泵11b的输出口内部连接的电容中以栅极电流的形式提取电荷。因此，主晶体管M0的栅极电压下降了。
当主晶体管M0的栅极电压下降时，限制了从主晶体管M0流出的电流并且先前过大的电流量降低了。过电流通过此类电流限制操作来约束。
当负载3短路且过电流以此方式流过主晶体管M0时，感测电阻器R1的上游侧上的点CS的CS电压VCS上升。此时，在电流限制运行模式中，流过主晶体管M0的电流通过控制晶体管M2被接通来限制，由此控制主晶体管M0的栅极电压。
接着，将描述用于驱动电流限制运行模式的条件。对于IPS 100的电流限制电路12，存在进入电路限制运行模式的两个条件。
第一个条件是从主晶体管M0流出的电流超过预先设定的过电流限制值。过电流限制值是相对于从主晶体管M0流出的电流被视为过电流的阈值，并且是过电流的最小值。
通过确定过电流限制值，意味着从主晶体管M0流出什么程度的电流被视为过电流，确定了感测电阻器R1的电阻值。
此处，根据欧姆定律，点CS的CS电压VCS、感测电阻器R1的电阻值R1与流过感测晶体管M1的电流IM1之间的关系是如下表达式1。
VCS＝R1·IM1… 1
当电流限制运行模式下CS电压VCS变为等于或大于控制晶体管M2的阈值电压Vth(VCS≥Vth)时，控制晶体管M2接通。
在此情况下，当感测电阻器R1的电阻值R1很小时，不会建立VCS≥Vth，除非流过电阻器R1的电流IM1很大，如表达式1清楚所示。因此，从表达式1清楚地得出当电阻器R1的电阻值R1很大时，即使当流过电阻器R1的电流IM1很小时，也建立VCS≥Vth。
因此，感测电阻器R1的电阻值R1根据此类关系来确定。即，确定了感测电阻器R1的电阻值R1从而当过电流限制值的电流从主晶体管M0流出时，流过感测晶体管M1的电流IM1与感测电阻器R1的电阻值R1之积等于或大于控制晶体管M2的阈值电压Vth的值。
以此方式，当等于或大于控制晶体管M2的阈值电压Vth的CS电压VCS被产生时，进入电流限制运行模式。并且，该电路配置如此：为了让CS电压VCS等于或大于阈值电压Vth，IPS100的电源电压端VCC与输出端OUT之间的电压(VCC-OUT电压)等于或大于阈值电压Vth是必要的。
例如，当控制晶体管M2的阈值电压Vth为1V时，当等于或大于1V的CS电压VCS被产生时，进入电流限制运行模式，但在此情况下，VCC-OUT电压等于或大于1V以使CS电压VCS等于或大于1V发生是必要的。
因此，对于电流限制电路12进入电路限制运行模式的第二条件是VCC-OUT电压等于或大于控制晶体管M2的阈值电压Vth。
为了概括IPS 100的电流限制电路12进入电流限制运行模式的条件，该条件是从主晶体管M0流出的电流超过过电流限制值以及VCC-OUT电压等于或大于控制晶体管M2的阈值电压Vth。
因为VCC-OUT电压等于主晶体管M0的漏极-源极电压，所以VCC-OUT电压可被取为主晶体管M0的漏极-源极电压。
所解决的问题
接着，将描述过电流限制值与涌入电流之间的关系。图4是示出过电流限制值和涌入电流的图。竖轴是电流，而横轴是时间。
过电流限制值IOC(引入的过电流)是过电流的发生或不发生的阈值，如前所述。因此，流过主晶体管M0的电流值等于或大于过电流限制值IOC的情况被视为发生了负载短路而引起过电流的状态。
因此，流过主晶体管M0的电流值少于过电流限制值IOC的情况不被检测为过电流。
在此，假设由IPS 100导致运行的负载3是电动机。当从时间T1使用于导致电动机运行的电流流出IPS 100时，在时间T1与T2期间产生了涌入电流(启动电流)，而从时间T2起电流在稳态下流动。
以此方式，电仪器(即L负载，诸如电动机)具有使得所谓涌入电流的电流在第一时间周期中流动的特性，在该第一时间周期中电流的流动开始(电动机启动)，而在一定的时间流逝之后稳态电流流动且仪器运行。
同时，优选设定过电流限制值IOC尽可能低以防止由于电池电压波动或过电流传导导致周围部件的故障或损坏。并且，通过将过电流限制值IOC设定低，能降低器件的可允许的传导电流，由此凭借芯片尺寸减小等的高可靠性和成本减少是可能的。
然而，因为当电动机启动时图4所示的这类涌入电流流动，所以当设定过电流限制值IOC时，过电流限制值IOC要被设定为高于涌入电流的最大瞬时值。
这是因为，诸如电动机的电仪器可通过在图4所示的此类涌入电流流动之后转换为稳态而稳定地启动，存在涌入电流受限的情况下电动机将不能稳定地启动的担忧。
在过电流限制值IOC被设定为低于涌入电流的最大瞬时值的情况下，当启动电动机时，涌入电流超过电流限制值IOC且进入电流限制运行模式。因此，应该流动的涌入电流被电流限制电路12限制，由此不能执行稳定的电动机启动。
因此，过电流限制值IOC被设定为高于涌入电路的最大瞬时值，但相反地，当执行此类设定时，稳态中的电流值与涌入电流的最大瞬时值之间的范围H中产生的电流不能被检测为过电流的发生。即，存在过电流检测范围窄和过电流检测准确度降低的问题。
考虑这点而设计出的本发明提供了一种半导体器件和电流限制方法从而获得稳定的负载启动以及过电流检测准确度增大。
第二实施例
接着，将详细地描述本发明的半导体器件应用到IPS的情况。图5是示出IPS的配置示例的图。第二实施例的IPS 10包括负载运行电路11、电流限制电路12-1、恒定电流控制电路13和主晶体管M0。
与图2的配置相比，IPS 10是包括新的电流限制电路12-1和恒定电流控制电路13的配置。电流限制电路12-1包括感测晶体管M1、控制晶体管M2、电阻器R1和二极管D1。并且，恒定电流控制电路13包括闩锁电路13a和钳位电路13b。
主晶体管M0对应于图1的主晶体管m0，而电流限制电路12-1对应于图1的电流限制单元1a并且实现电流限制单元1a的控制和功能。
恒定电流控制电路13在过电流发生时将主晶体管M0的栅极电压固定在预先设定的电压并且基于所固定的设定电压产生低于过电流的恒定电流以从主晶体管M0稳定地输出。
为了描述电流限制电路12-1与恒定电流控制电路13中元件的连接关系，闩锁电路13a的端a1连接至电源电压端VCC、晶体管M0的漏极和晶体管M1的漏极。
闩锁电路13a的端a2连接至电阻器R1的一端、晶体管M2的源极、钳位电路13b的端b2和二极管D1的阳极。
闩锁电路13a的端a3连接至钳位电路13b的端b3，而闩锁电路13a的设定端ST连接至晶体管M2的栅极、晶体管M1的源极和电阻器R1的另一端。
钳位电路13b的端b1连接至电荷泵11b的输出口、晶体管M2的漏极和晶体管M0与M1的栅极。二极管D1的阴极连接至晶体管M0的源极和负载3的一端。
以此方式，电流限制电路12-1和恒定电流控制电路13是在电源电压端VCC与输出端OUT之间插入并且由VCC-OUT电压驱动的配置，该VCC-OUT电压是电源电压端VCC与输出端OUT之间的电压。
在此，CS电压VCS被输入闩锁电路13a的设定端ST。并且，重置信号被输入闩锁电路13a的重置端RS。例如，当输入信号Sin被输入IPS 10的输入端IN时，闩锁状态由从上游传输的重置信号所重置。
当过电流发生时，诸如当负载短路时，钳位电路13b将主晶体管M0的栅极电压固定在预先设定的设定电压，由此降低栅极电压。
接着，将描述闩锁电路13a与钳位电路13b的电路配置的概要。图6是示出闩锁电路和钳位电路的配置示例的图。关于闩锁电路13a，示出了设定端ST与端a1至a3的外围内的电路配置。
闩锁电路13a包括p沟道MOS晶体管M5、n沟道MOS晶体管M6以及反相器IC1与IC2。钳位电路13b包括n沟道MOS晶体管M7和二极管D3。
关于元件连接关系，闩锁电路13a的设定端ST连接至晶体管M5的栅极和晶体管M6的栅极。晶体管M5的源极经由端a1连接至IPS 10的电源电压端VCC，而晶体管M6的源极经由端a2连接至二极管D1的阳极等并且连接至IPS 10的输出端OUT。
晶体管M5的漏极连接至晶体管M6的漏极与反相器IC1的输入口。反相器IC1的输出口连接至反相器IC2的输入口，而反相器IC2的输出口经由端a3连接至钳位电路13b的端b3。
钳位电路13b的端b3连接至晶体管M7的栅极。晶体管M7的漏极连接至二极管D3的阴极，而二极管D3的阳极连接至电荷泵11b的输出口、主晶体管M0的栅极等。晶体管M7的源极经由端b2连接至二极管D1的阳极等并且连接至IPS 10的输出端OUT。
接着，将说明电流限制电路12与12-1中的控制晶体管M2的运行电压。首先，将说明图2所示的电流限制电路12中的控制晶体管M2的运行电压。
当过电流从主晶体管M0流出时，控制晶体管M2被接通，由此降低主晶体管M0的栅极电压。这表示当从主晶体管M0流出的电流上升到过电流限制值时(当电流达到过电流限制值时)控制晶体管M2接通。
因此，当从主晶体管M0流出的电流上升到过电流限制值时在控制晶体管M2的栅极处产生的预定电压可被假定为控制晶体管M2的阈值电压Vth，根据预定电压达到阈值电压Vth，控制晶体管M2被接通且激活电流限制运行模式。
即，电流限制电路12的控制晶体管M2的运行电压等于当从主晶体管M0流出的电流上升到过电流限制值时在控制晶体管M2的栅极处产生的预定电压。
例如，当控制晶体管M2的阈值电压Vth为1V时，通过当过电流发生时产生等于或大于1V的CS电压VCS，控制晶体管M2接通，由此当从主晶体管M0流出的电流上升到过电流限制值时在控制晶体管M2的栅极处产生的预定电压为1V。因此，控制晶体管M2的运行电压为1V。
接着，将说明电流限制电路12-1中的控制晶体管M2的运行电压图5的电流限制电路12-1是在控制晶体管M2的源极一侧上增加二极管D1的配置。
这类配置如此：为了在过电流发生时使电流限制电路12-1进入电流限制运行模式(即，接通控制晶体管M2)，作为增加到预定电压的二极管D1的正向电压(该电压在电流被导致向前流动时下降)的电压是必要的。下文中，二极管D1的正向电压(下文中的正向电压Vf)将被称为校正电压，作为增加到预定电压的校正电压的电压将被称为电流限制激活电压。
电流限制激活电压(用于接通控制晶体管M2的运行电压)是控制晶体管M2的阈值电压Vth与二极管D1的正向电压Vf之和。关于在过电流发生时接通控制晶体管M2，控制晶体管M2由二极管D1通电而接通，但是二极管D1不会被通电，除非在点CS处产生了控制晶体管M2的阈值电压Vth与二极管D1的正向电压Vf之和。
即，当电压等于或大于电流限制激活电压时获得为了接通控制晶体管M2所需的运行电压，该电流限制激活电压是当流过主晶体管M0的电流上升到过电流限制值时与控制晶体管M2的栅极处产生的预定电压相加的校正电压。
例如，当控制晶体管M2的阈值电压Vth为1V而二极管D1的正向电压Vf为0.6V时，控制晶体管M2不会被接通，除非电流限制电路12-1的控制晶体管M2的栅极电压达到1.6V或更高。通过多阶串联连接多个二极管，校正电压可被改变为任意值。
在上文的描述中，增加了二极管，且将增加了等同于二极管的正向电压的量值的电压用作电流限制电路12-1的运行电压，但是通过使用大的主晶体管M0代替增加二极管来降低主晶体管M0的漏极-源极电压也是可能的。
接着，将说明恒定电流控制电路13的运行电压。闩锁电路13a是互补金属氧化物半导体(CMOS)结构，如图6所示，由此当PMOS晶体管M5与NMOS晶体管M6中的每个的阈值电压为1.5V时运行电压为总和3V。
并且，当同样增加二极管D1的正向电压Vf时，运行电压为3.6V。即，闩锁电路13a的运行电压为3.6V或更高。钳位电路13b以与闩锁电路13a相同的电压运行。因此，激活恒定电流控制电路13(下文也称为稳定电流产生电压)的电压需要为3.6V或更高。
在此，将简述电流限制电路12-1与恒定电流控制电路13被激活的条件。首先，对于电流限制电路12-1激活电流限制功能的第一条件是流过主晶体管M0的电流等于或大于电流限制值。电流限制值是用于判定大于运行电流的电流在负载3运行在稳态时流动的阈值。
此外，第二条件是运行电压在接通控制晶体管M2时等于或大于电流限制激活电压，该电流限制激活电压是当流过主晶体管M0的电流上升到电流限制值时与控制晶体管M2的栅极处产生的预定电压相加的校正电压。当这两个条件满足时，电流限制电路12-1检测到过电流从主晶体管M0流出并且激活电流限制功能。
同时，对于恒定电流控制电路13被激活的第一条件是流过主晶体管M0的电流等于或大于电流限制值。此外，第二条件是恒定电流控制电路13的运行电压等于或大于被设定高于电流限制激活电压的稳定电流产生电压。
当这两个条件满足时，恒定电流控制电路13将主晶体管M0的栅极电压固定在设定电压并且基于所固定的设定电压使低于过电流的恒定电流从主晶体管M0输出。
接着，将进一步详细说明IPS 10的运行，分成当启动电动机时未发生负载短路时的运行和存在负载短路时的运行。
图7是示出当启动电动机时未发生负载短路时运行波形的图。竖轴是电流或电压，而横轴是时间t。曲线k1是主晶体管M0的漏极-源极电压VDS的转变。曲线k2是流过主晶体管M0的电流的转变。
如前所述，用于使电流限制电路12-1中的控制晶体管M2接通以及电流限制电路12-1进入电流限制运行模式的运行电压是与校正电压(二极管D1的正向电压Vf)相加的预定电压(控制晶体管M2的阈值电压Vth)。并且，IPS 10的电路配置如此：运行电压等于VCC-OUT电压且等于漏极-源极电压VDS。下文中，将给出假定运行电压为漏极-源极电压VDS的说明。
当t0≤t＜t1时，此状态使得电动机不运行且主晶体管M0处于断开状态。因此，电源电压VCC被直接施加到主晶体管M0的漏极-源极电压VDS，使得VDS＝VCC。并且，从主晶体管M0流出的电流为零。
当t＝t1时，输入信号Sin经由IPS 10的输入端IN输入且电动机启动开始。因为电动机是L负载，所以感应电动力V被表达为V＝L·(di/dt)(L是电感，而di/dt是电流关于时间的量)。
当t1＜t≤t2时，当电流流过电动机时主晶体管M0的接通状态电阻降低并且漏极-源极电压VDS被用作电动机的感应电动力V。因此，漏极-源极电压VDS开始急剧降低。并且，涌入电流开始从主晶体管M0流出并且电流值上升。
当t2＜t＜t3时，漏极-源极电压VDS(对应于第一漏极-源极电压)大约下降到控制晶体管M2的阈值电压Vth。并且，涌入电流的上升继续。
当t3≤t≤t4时，漏极-源极电压VDS保持阈值电压Vth值。并且，因为电流限制值IOC1(对应于图1的电流限制值Ith)被设定低于涌入电流的最大瞬时值Im，所以涌入电流的最大瞬时值Im超过电流限制值IOC1。并且，漏极-源极电压VDS大约等于阈值电压Vth。
当考虑图2的IPS 100的情况时，对于进入电流限制运行模式的条件在此状态下满足，由此关于主晶体管M0施加电流限制，且限制了涌入电流。
与此相反，图5所示发明的IPS 10的情况如此：即使过电流等于或大于电流限制值IOC1，漏极-源极电压VDS也低于电流限制激活电压V1，除此以外还低于稳定电流产生电压V2(VDS＜V1,VDS＜V2)。因此，不满足电流限制电路12-1进入电流限制运行模式的条件，也不满足恒定电流控制电路13被激活的条件。
即，因为VDS＜V1，所以电流限制电路12-1不转换到电流限制运行模式，且因为VDS＜V2，恒定电流控制电路13也不被激活。因此，即使当流过主晶体管M0的电流值等于或大于电流限制值IOC1时，此时也不对涌入电流施加限制。
当t4＜t≤t5时，漏极-源极电压VDS保持阈值电压Vth值。并且，涌入电流降低。
当t5＜t时，漏极-源极电压VDS保持阈值电压Vth值。涌入电流流动的状态结束了，存在向稳态的转换且预定电流从主晶体管M0流出。
以此方式，当启动电动机时未发生负载短路时的运行如此：由于漏极-源极电压VDS被用作电动机的感应电动力，几乎没有电压被施加在IPS 10的电源电压端VCC与输出端OUT之间(这是因为电压被施加到电动机的L部件)。
因此，即使当涌入电流等于或大于电流限制值IOC1时，也没有超过电流限制激活电压V1或稳定电流产生电压V2的电压被施加到电流限制电路12-1或恒定电流控制电路13，由此不存在向电流限制运行模式的转换，也不激活恒定电流产生控制。因此，没有电流限制被施加到涌入电流，由此可使超过电流限制值IOC1的电动机涌入电流流动。
图8是示出当存在负载短路时运行波形的图。竖轴是电流或电压，而横轴是时间t。曲线k11是主晶体管M0的漏极-源极电压VDS(对应于第二漏极-源极电压)的转变。曲线k12是流过主晶体管M0的电流的转变。
当t0≤t＜t11，此状态使得电动机不运行且主晶体管M0处于截止状态。因此，电源电压VCC被直接施加到主晶体管M0的漏极-源极电压VDS，使得VDS＝VCC。并且，从主晶体管M0流出的电流为零。
当t＝t11时，假定发生负载短路，输入信号Sin在处于负载短路的状态时经由IPS10的输入端IN输入。因为负载短路，所以输出端OUT具有GND电势，由此电源电压VCC被施加到漏极-源极电压VDS。
当t11＜t＜t12时，负载短路且漏极-源极电压VDS大约等于电源电压VCC。过电流也从主晶体管M0流出，以及电流值上升。
当t＝t12时，存在负载短路状态，而且漏极-源极电压VDS实际上保持电源电压VCC的值。并且，过电流达到电流限制值IOC1。
此时，漏极-源极电压VDS等于或高于电流限制激活电压V1，除此以外还等于或高于稳定电流产生电压V2(VDS≥V1,VDS≥V2)，而过电流等于或高于电流限制值IOC1。
因为VDS≥V1，所以电流限制电路12-1转换到电流限制运行模式。并且，因为VDS≥V2，恒定电流控制电路13被激活。
当t12＜t≤t13时，存在负载短路状态，而且漏极-源极电压VDS实际上保持电源电压VCC的值。电流限制电路12-1处于电流限制运行模式，且接通了控制晶体管M2，由此使主晶体管M0的栅极电压降低，因此流过主晶体管M0的电流降低。
当t13＜t≤t14时，存在负载短路状态，而且漏极-源极电压VDS实际上保持电源电压VCC值。恒定电流控制电路13使主晶体管M0的栅极电压显著地降低，直到从主晶体管M0流出的电流值达到预设的恒定电流Ic。恒定电流控制电路13在时间t12处被激活之后的一定时间延迟之后运行。
当t14＜t时，存在负载短路状态，而且漏极-源极电压VDS实际上保持电源电压VCC的值。由于被恒定电流控制电路13控制，恒定电流Ic从主晶体管M0流出。
以此方式，当存在负载短路时的运行如此：负载3短路，过电流流动，而当过电流等于或高于电流限制值IOC1以及漏极-源极电压VDS等于或高于电流限制激活电压V1时，主晶体管M0的栅极电压被降低。因此，流过主晶体管M0的电流通过主晶体管M0的接通状态电阻增大来限制。
并且，当漏极-源极电压VDS与以上所述同时变为等于或大于稳定电流产生电压V2时，恒定电流控制电路13中的闩锁电路13a与钳位电路13b被激活。
因此，主晶体管M0的栅极电压被很快地固定在设定电压处，由此基于设定电压的恒定电流可从主晶体管M0输出，而且电流可被限制为稳定地降低至期望值的电流。
如前所述，电流限制电路12-1与恒定电流控制电路13的运行电压被设定为高使得电流限制电路12-1与恒定电流控制电路13不以涌入电流发生状态下的VCC-OUT电压运行。
因此，即使当过电流等于或高于电流限制值时，也不对涌入电流施加限制，由此负载可被稳定地启动。并且，因为电流限制值可被设定为低于涌入电流的最大瞬时值，所以过电流检测范围可被增大且可获得过电流检测准确度的增加。
如前所述，根据本发明，电流限制值可被设定为低于涌入电流的最大瞬时值，由此可防止由于存在负载短路时的电池电压波动或过电流传导引起周围部件的故障或损坏。
并且，通过将电流限制值设定为低，可确保高可靠性且可降低功率半导体元件的额定传导电流，即使当存在负载短路时。此外，功率半导体元件等的芯片尺寸上的降低也是可能的，这可有助于成本降低。此外，由于当启动负载时在涌入电流上没有影响，稳定的负载启动是可能的。
至此，实施例作为示例已被给出，但实施例中每个部分的配置可被具有相同功能的不同配置所替代。并且，可增加其他可选组件或步骤。

Claims (7)

1.一种半导体器件，包括：
主晶体管，实现电力从电源向负载的供给；以及
电流限制单元，包括控制所述主晶体管的栅极电压的控制晶体管，且具有限制流过所述主晶体管的电流的电流限制功能，其中
所述电流限制单元具有电流限制值以用于判定大于所述负载运行在稳态时的运行电流的电流流动，以及
检测过电流从所述主晶体管流出，并且当流过所述主晶体管的所述电流等于或大于所述电流限制值，并且所述控制晶体管接通时的运行电压等于或大于电流限制激活电压时，激活所述电流限制功能，所述电流限制激活电压是当流过所述主晶体管的所述电流上升到所述电流限制值时与所述控制晶体管的栅极处产生的预定电压相加的校正电压，
所述电流限制单元将所述电流限制值设定为低于在负载启动时发生的涌入电流的最大瞬时值，并且当所述运行电压低于所述电流限制激活电压时，即使所述涌入电流等于或大于所述电流限制值，也不激活所述电流限制功能。
2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，
所述主晶体管是NMOS晶体管，以及当所述主晶体管的漏极连接至所述电源而源极连接至所述负载时，
所述电流限制激活电压被设定为高于当所述负载启动而发生了涌入电流时在所述主晶体管中产生的第一漏极-源极电压，以及
所述电流限制激活电压被设定为低于当所述负载短路时在所述主晶体管中产生的第二漏极-源极电压。
3.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，
所述电流限制单元包括电流检测感测晶体管、所述控制晶体管、电阻器以及二极管，并且当所述感测晶体管和控制晶体管是NMOS晶体管时，
所述感测晶体管的栅极连接至所述主晶体管的栅极与所述控制晶体管的漏极，所述感测晶体管的漏极连接至所述电源，所述感测晶体管的源极连接至所述控制晶体管的栅极与所述电阻器的一端，所述控制晶体管的源极连接至所述电阻器的另一端与所述二极管的阳极，以及所述二极管的阴极连接至所述主晶体管的源极与所述负载的一端。
4.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，
所述电流限制单元将一个或多个串联连接的二极管的正向电压与所述预定电压相加作为所述校正电压，由此形成所述电流限制激活电压。
5.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件进一步包括：
恒定电流控制单元，当检测到所述过电流时将所述主晶体管的栅极电压固定在预先设定的电压并且基于所固定的设定电压使低于所述过电流的恒定电流从所述主晶体管输出。
6.如权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，
当流过所述主晶体管的电流等于或大于所述电流限制值以及所述恒定电流控制单元本身的运行电压等于或大于设定为高于所述电流限制激活电压的稳定电流产生电压时，激活所述恒定电流控制单元。
7.一种电流限制方法，其特征在于，所述电流限制方法实现流过主晶体管的电流的限制，所述主晶体管实现电力从电源向负载的供给，
所述电流限制方法是电流限制功能，包括控制所述主晶体管的栅极电压的控制晶体管，并限制流过所述主晶体管的电流，其中所述电流限制功能
设定电流限制值以用于判定大于所述负载运行在稳态时的运行电流的电流流动，以及
检测过电流从所述主晶体管流出，并且当流过所述主晶体管的所述电流等于或大于所述电流限制值，并且所述控制晶体管接通时的运行电压等于或大于电流限制激活电压时，激活所述电流限制功能，所述电流限制激活电压是当流过所述主晶体管的所述电流上升到所述电流限制值时与所述控制晶体管的栅极处产生的预定电压相加的校正电压，
将所述电流限制值设定为低于在负载启动时发生的涌入电流的最大瞬时值，并且
当所述运行电压低于所述电流限制激活电压时，即使所述涌入电流等于或大于所述电流限制值，也不激活所述电流限制功能。
CN201510749485.9A 2014-12-17 2015-11-05 半导体器件以及电流限制方法 Active CN105717972B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014-254868 2014-12-17
JP2014254868A JP6520102B2 (ja) 2014-12-17 2014-12-17 半導体装置および電流制限方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN105717972A CN105717972A (zh) 2016-06-29
CN105717972B true CN105717972B (zh) 2019-04-30

Family

ID=54539893

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201510749485.9A Active CN105717972B (zh) 2014-12-17 2015-11-05 半导体器件以及电流限制方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US10103539B2 (zh)
EP (1) EP3035531B1 (zh)
JP (1) JP6520102B2 (zh)
CN (1) CN105717972B (zh)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6520102B2 (ja) * 2014-12-17 2019-05-29 富士電機株式会社 半導体装置および電流制限方法
CN106664010B (zh) * 2015-03-11 2019-06-21 富士电机株式会社 内部电源电路及半导体装置
CN107346965A (zh) * 2017-07-18 2017-11-14 深圳市航天新源科技有限公司 具备过流记忆功能的可重复触发的限流延时关断开关电路
JP7168071B2 (ja) * 2019-04-01 2022-11-09 富士電機株式会社 半導体モジュール
CN110098648B (zh) * 2019-04-24 2023-07-07 青岛海洋科技中心 用于海洋观探测浮标的能源管理系统
JP7199325B2 (ja) 2019-09-02 2023-01-05 株式会社東芝 スイッチ回路

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06276071A (ja) * 1993-03-23 1994-09-30 Fuji Electric Co Ltd 電力用トランジスタの過電流保護回路
US5473276A (en) * 1992-05-15 1995-12-05 Nissan Motor Co., Ltd. MOS type power semiconductor switching device capable of protecting load shortcircuit problem under low heat dissipation
CN1118460A (zh) * 1994-05-31 1996-03-13 大宇电子株式会社 带有过电流保护装置的稳压器
CN101739054A (zh) * 2008-10-13 2010-06-16 盛群半导体股份有限公司 主动式电流限制电路及使用该电路的电源调节器

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3180831B2 (ja) 1991-03-22 2001-06-25 富士電機株式会社 絶縁ゲート制御半導体装置
JP3084982B2 (ja) 1992-11-25 2000-09-04 富士電機株式会社 半導体装置
US5272392A (en) * 1992-12-04 1993-12-21 North American Philips Corporation Current limited power semiconductor device
JP3982842B2 (ja) * 1993-08-18 2007-09-26 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置
JPH08316472A (ja) * 1995-05-23 1996-11-29 Hitachi Ltd 電流供給回路
US6347028B1 (en) * 1999-06-21 2002-02-12 Lutron Electronics Co., Inc. Load control system having an overload protection circuit
JP2003197913A (ja) * 2001-12-26 2003-07-11 Nec Electronics Corp 半導体集積回路
GB2384632B (en) * 2002-01-25 2005-11-16 Zetex Plc Current limiting protection circuit
JP2005260658A (ja) * 2004-03-12 2005-09-22 Nec Electronics Corp 半導体装置
JP4701052B2 (ja) * 2005-09-21 2011-06-15 矢崎総業株式会社 過電流検出装置
JP2009277930A (ja) * 2008-05-15 2009-11-26 Nec Electronics Corp 半導体装置
US8040652B2 (en) * 2008-08-26 2011-10-18 Texas Instruments Incorporated Programmable power distribution switches with two-level current sensing
CN103370877B (zh) * 2011-02-18 2017-12-19 飞思卡尔半导体公司 过电流保护器件以及操作电源开关的方法
JP5750311B2 (ja) * 2011-05-31 2015-07-22 日立オートモティブシステムズ株式会社 インバータ駆動装置
WO2013005520A1 (ja) 2011-07-06 2013-01-10 富士電機株式会社 パワー半導体デバイスの電流補正回路および電流補正方法
JP5645782B2 (ja) 2011-09-14 2014-12-24 三菱電機株式会社 パワーモジュール
JP5950591B2 (ja) * 2012-01-31 2016-07-13 エスアイアイ・セミコンダクタ株式会社 ボルテージレギュレータ
JP5889723B2 (ja) * 2012-06-07 2016-03-22 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置
JP6110133B2 (ja) 2012-12-27 2017-04-05 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置および電子制御装置
CA2906769C (en) * 2013-03-14 2023-03-14 Innovolt, Inc. Systems and methods for detecting and determining sources of power disturbances in connection with effective remediation
JP6520102B2 (ja) * 2014-12-17 2019-05-29 富士電機株式会社 半導体装置および電流制限方法
JP6596948B2 (ja) * 2015-06-10 2019-10-30 富士電機株式会社 半導体装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5473276A (en) * 1992-05-15 1995-12-05 Nissan Motor Co., Ltd. MOS type power semiconductor switching device capable of protecting load shortcircuit problem under low heat dissipation
JPH06276071A (ja) * 1993-03-23 1994-09-30 Fuji Electric Co Ltd 電力用トランジスタの過電流保護回路
CN1118460A (zh) * 1994-05-31 1996-03-13 大宇电子株式会社 带有过电流保护装置的稳压器
CN101739054A (zh) * 2008-10-13 2010-06-16 盛群半导体股份有限公司 主动式电流限制电路及使用该电路的电源调节器

Also Published As

Publication number Publication date
US20160181792A1 (en) 2016-06-23
US10103539B2 (en) 2018-10-16
EP3035531A1 (en) 2016-06-22
CN105717972A (zh) 2016-06-29
JP2016116151A (ja) 2016-06-23
EP3035531B1 (en) 2022-06-29
JP6520102B2 (ja) 2019-05-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105717972B (zh) 半导体器件以及电流限制方法
CN103066852B (zh) 用于源极切换和电压生成的系统和方法
CN106463955B (zh) 电源开关装置及使用该电源开关装置的系统
US9130463B2 (en) Drive circuit for switching element
CN107872212B (zh) 控制方法、功率开关装置和开关装置
CN111435148B (zh) 门级触发去饱和消隐
CN107251397A (zh) 电源控制用半导体装置
CN106664010B (zh) 内部电源电路及半导体装置
CN103001458B (zh) 驱动电路
CN108123623B (zh) 整流器以及使用了该整流器的交流发电机
CN103378725B (zh) 具有多功能引脚的控制器及转换控制器
JP6139794B2 (ja) 電力変換装置
JP6849148B2 (ja) 半導体駆動装置および電力変換装置
CN108832806B (zh) 开关电源控制单元和具有高压启动时间控制及线电压检测的电路
JP5720641B2 (ja) スイッチングモジュール
CN106253753B (zh) 半导体装置
US9490800B2 (en) Control circuit of semiconductor switching element
CN109274072A (zh) 开关电路
US9819257B2 (en) DC-to-DC converter input node short protection
CN108566077A (zh) 一种具有自学习功能的电源系统
US11047328B2 (en) Electromagnetic valve drive device
CN115333342B (zh) 高压集成电路和半导体电路
US20220416787A1 (en) Semiconductor relay device
CN104600993A (zh) 用于源极切换和电压生成的系统和方法
CN108811256B (zh) 一种降压型led电源电路

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant