CN105637640A - 摄像元件搭载用基板以及摄像装置 - Google Patents

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Abstract

本发明的摄像元件搭载用基板(1)具有：绝缘基体(2)，其由在中央具有开口部(3)的多个绝缘层(2a)构成；连接电极(6)，其设置在绝缘基体(2)的下表面中的开口部(3)的周边，连接摄像元件(10)；和多个光透过抑制层(4)，其分别设置在多个绝缘层(2a)之间，包围开口部(3)，并在平面透视下相互大部分重叠，内缘位于开口部(3)的外侧，多个光透过抑制层(4)当中的1个光透过抑制层(4a)的内缘在平面透视下比其他光透过抑制层(4b)的内缘更接近于开口部(3)，绝缘基体(2)在下表面的开口部(3)的周边具有倾斜部(5)，其倾斜，使开口部(3)的大小随着朝向绝缘基体(2)的上表面而变小。

Description

摄像元件搭载用基板以及摄像装置
技术领域
本发明涉及搭载了摄像元件例如CCD(ChargeCoupledDevice，电荷耦合器件)型或CMOS(ComplementaryMetalOxideSemiconductor，互补金属氧化物半导体)型等摄像元件的摄像元件搭载用基板以及摄像装置。
背景技术
过去以来，已知将CCD型或CMOS型等摄像元件搭载在绝缘基体的运用于数码相机、光学传感器等的摄像装置。作为这样的摄像装置，已知如下那样的摄像装置(例如参考专利文献1)，其具备：绝缘基体，其在中央部形成开口部，且在下表面形成凹部，平面透视下开口部位于凹部的内侧；和摄像元件，其倒装安装在绝缘基体的凹部的底面。在绝缘基体中，分别在其下表面的开口部的周边配置连接电极，在凹部的外周部配置外部电极。这样的摄像装置例如用摄像元件将经由开口部输入到摄像元件的受光部的光(图像)变换成电信号，将电信号传送到绝缘基体的连接电极。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：JP特开2006-201427号公报
发明内容
发明要解决的课题
但例如在绝缘基体由陶瓷构成的情况下，在将构成绝缘基体的成为绝缘层的陶瓷生片层叠并加压时，由于在绝缘基体的开口部的周边的正下方没有支撑该部分的构成，因此绝缘基体的开口部的周边垂下那样变形，绝缘基体的开口部的周边和搭载于绝缘基体的摄像元件有可能会接触。对于此，考虑在开口部的周边设置缺口，以使得即使开口部的周边变形也不会与摄像元件接触，使绝缘基体的厚度阶梯状地变薄。但若通过在开口部的周边设置缺口来使绝缘基体的厚度变薄，则透过绝缘基体的变薄的部分的光就会在摄像元件受光，有成为显像中的噪声的原因的可能性。
本发明鉴于上述现有技术的问题点而提出，其目的在于提供一种摄像元件搭载用基板以及摄像装置，能够抑制向摄像装置入射的光透过绝缘基体，从而结果降低显像中的噪声。
用于解决课题的手段
本发明的摄像元件搭载用基板具有：绝缘基体，其由在中央具有开口部的多个绝缘层构成；连接电极，其设置在该绝缘基体的下表面中的所述开口部的周边，连接摄像元件；和多个光透过抑制层，其分别设置在所述多个绝缘层之间，包围所述开口部，并且平面透视下相互大部分重叠，内缘位于所述开口部的外侧，该多个光透过抑制层当中的1个光透过抑制层的内缘在平面透视下比其他光透过抑制层的内缘更接近于所述开口部，所述绝缘基体在下表面的所述开口部的周边具有倾斜部，其倾斜，使得该开口部的大小随着朝向所述绝缘基体的上表面而变小。
本发明的摄像装置具备上述构成的摄像元件搭载用基板、和与所述连接电极连接的摄像元件。
发明效果
根据本发明的摄像元件搭载用基板，由于使多个光透过抑制层当中的1个光透过抑制层的内缘在平面透视下比其他光透过抑制层的内缘更接近于开口部，并且在绝缘基体的开口部的周边设置了倾斜部，因此例如和在开口部的周边设置缺口的情况相比较，能抑制在开口部的周边绝缘基体的厚度变得过薄。因而能抑制光透过开口部的周边的绝缘基体。另外，能由设置在绝缘层之间的光透过抑制层进一步良好地抑制光透过。因此，能抑制多余的光入射到摄像元件，能得到良好的图像。另外，绝缘基体由于在下表面的开口部的周边具有开口部的大小随着朝向绝缘基体的上表面而变小那样倾斜的倾斜部，因此能在下表面中的开口部的周边通过倾斜部确保空间，能抑制开口部的周边与摄像元件接触。
本发明的摄像装置通过具有上述构成的摄像元件搭载用基板，能抑制多余的光入射到摄像元件，能得到良好的图像。
附图说明
图1的(a)是表示本发明的实施方式中的摄像装置的平面透视图，(b)是表示图1的(a)所示的摄像装置的X-X线的第1实施方式截面的纵截面图。
图2的(a)、(b)分别是表示设于图1中的摄像元件搭载用基板的绝缘层间(γ)的光透过抑制层的状态的一例的从下方观察的平面透视图。
图3的(a)、(b)分别是表示本发明的第1实施方式的变形例的形状下的摄像装置的纵截面图。
图4的(a)、(b)分别是表示本发明的第2实施方式中的摄像装置的纵截面图。
图5是表示本发明的第3实施方式中的摄像装置的纵截面图。
具体实施方式
(第1实施方式)
以下参考附图来说明本发明的几个例示的实施方式。
参考图1～图3来说明本发明的实施方式中的摄像装置。本实施方式中的摄像装置21具有：摄像元件搭载用基板1；配置为与形成于摄像元件搭载用基板1的开口部3重叠的摄像元件10；和配置为平面透视下与摄像元件10重叠的盖体13。摄像装置21将哪个方向设为上方或下方都没关系，但为了方便，定义正交坐标系xyz，并在纵截面观察下，将z方向的正侧设为上方来使用上表面或下表面的用词。
摄像元件搭载用基板1具有：绝缘基体2，其由在中央有开口部3的多个绝缘层2a构成；连接电极6，其设置在绝缘基体2的开口部3的周边，与摄像元件10(的电极)电连接；和外部电极7，其配置在绝缘基体2的下表面，与外部电路(未图示)连接。
绝缘基体2例如将氧化铝质烧结体、莫来石质烧结体、碳化硅质烧结体、氮化铝质烧结体、氮化硅质烧结体、玻璃陶瓷烧结体等电绝缘性陶瓷、或环氧树脂、聚酰亚胺树脂、丙烯酸树脂、苯酚树脂、聚酯树脂或以四氟乙烯为首的氟系树脂等树脂(塑料)所构成的大致四边形的绝缘层2a上下层叠多层而形成。
绝缘基体2在图1所示的示例中层叠6层的绝缘层2a而形成，但绝缘层2a只要是3层以上，则由几层形成都可以。在图1所示的示例中，绝缘基体2由6层的绝缘层2a形成，通过使下表面侧的2个绝缘层2a的开口大于上表面侧的4个绝缘层2a的开口，来在上表面侧的4个绝缘层2a与下表面侧的2个绝缘层2a之间设置阶梯。由此成为在绝缘基体2设置从下表面侧的凹部的底面贯通到上表面的贯通孔的构成。另外，也可以使全部绝缘层2a的开口的大小相同，来作为平板形状的摄像元件搭载用基板1。
另外，连接电极6设置在绝缘基体2的下表面中的开口部3的周边，并连接摄像元件10。在图1～3所示的示例中，在构成阶梯的上表面侧的绝缘层2a(从上起第4层的绝缘层2a)的下表面的开口部3的周边设置连接电极6。如图1～图3所示的示例那样，构成阶梯的上表面侧的绝缘层2a(从上起第4层的绝缘层2a)的下表面也可以视作“绝缘基体2的下表面”。另外，绝缘基体2的开口部3也可以在俯视下使全部的绝缘层2a的开口的大小相同从而作为平板形状的摄像元件搭载用基板1，在该情况下，连接电极6设置在最下层的绝缘层2a的下表面的开口部3的周边。
外部电极7是用于与外部电路连接的电极，设置在绝缘基体2的下表面。在图1所示的示例中，外部电极7设置在最下层的绝缘层2a的下表面且绝缘基体2的下表面外周。另外，在绝缘基体2的内部，可以设置布线导体，也可以用该布线导体将外部电极7与连接电极6电连接。另外，外部电极7也可以设置在绝缘基体2的侧面或上表面。
在绝缘基体2由电绝缘性陶瓷构成的情况下，连接电极6以及外部电极7、和布线导体由钨(W)、钼(Mo)、锰(Mn)、银(Ag)或铜(Cu)等金属导体构成。另外，在绝缘基体2由树脂构成的情况下，连接电极6以及外部电极7由铜(Cu)、金(Au)、铝(Al)、镍(Ni)、铬(Cr)、钼(Mo)或钛(Ti)以及它们的合金等金属材料构成。
为了保护连接电极6以及外部电极7来防止氧化，并且使得与摄像元件10、外部电路的电连接良好，在连接电极6以及外部电极7的露出的表面披覆厚度0.5～10μm的Ni镀层，或者依次披覆该Ni镀层和厚度0.5～3μm的金(Au)镀层。
如图1～图3所示的示例那样，多个光透过抑制层4分别设置在多个绝缘层2a之间，使得平面透视下相互大部分重叠，包围开口部3。多个光透过抑制层4的内缘在平面透视时分别位于开口部3的外侧。多个光透过抑制层4具有1个光透过抑制层4a、和该1个光透过抑制层4a以外其他光透过抑制层4b，1个光透过抑制层4a的内缘在平面透视下比其他光透过抑制层4b的内缘更接近于开口部3。通过如此设置光透过抑制层4，绝缘基体2能在下表面的开口部3的周边形成倾斜部5，该倾斜部5是开口部3的大小随着朝向绝缘基体2的上表面而变小地倾斜。即，在本发明的摄像元件搭载用基板1的制造时，通过在成为各绝缘层2a的生片之间配置光透过抑制层4，使得成为上述构成，从而在将成为多个绝缘层2a的生片层叠并加压时，1个光透过抑制层4a和其他光透过抑制层4b平面透视下不重叠或重叠少的区域相比于其他重叠的区域厚度变得更薄，其结果，开口部3的大小随着朝向绝缘基体2的上表面而变小地开口部3的周边倾斜，从而能在生片层叠体的开口部3的周边形成倾斜部5。
通过这样的倾斜部5，能在下表面的开口部3的周边确保空间，能用该空间抑制开口部3的周边与摄像元件10接触。另外，由于使多个光透过抑制层4当中的1个光透过抑制层4a的内缘平面透视下比其他光透过抑制层4b的内缘更接近于开口部3，从而设置倾斜部5，因此例如和在开口部3的周边设置缺口的情况比较，能抑制在开口部3的周边绝缘基体2的厚度变得过薄。因而能抑制光透过开口部3的周边的绝缘基体2。另外，能通过设置在绝缘层2a之间的光透过抑制层4进一步良好地抑制光透过。因此，能抑制多余的光入射到摄像元件10，能得到良好的图像。
另外，多个光透过抑制层4在例如由电绝缘性陶瓷构成的情况下，也可以设置为内缘离开开口部3的外缘0.3～0.5mm左右。若设为这样的构成，则在附加层叠时的压力时，在开口部3的外缘附近的不存在光透过抑制层4的区域，能使绝缘基体2的厚度最薄。
在绝缘基体2由电绝缘性陶瓷构成的情况下，光透过抑制层4通过由钨(W)、钼(Mo)、锰(Mn)、银(Ag)或铜(Cu)等金属化层构成的光透过抑制金属层、或由氮化铝质烧结体、氮化硅质烧结体或者玻璃陶瓷烧结体等构成的光透过抑制绝缘层形成。
若是光透过抑制层4由光透过抑制金属层构成的情况，则在绝缘层2a用的生片上用丝网印刷法等以给定形状印刷光透过抑制金属层4用的金属膏。接下来，层叠前述的生片，使得这些金属膏配置在绝缘层2a之间，并进行烧成，由此在多个绝缘层2a之间形成金属所构成的光透过抑制层4。在钨、钼、锰、银或铜等金属粉末加入适当的溶剂以及粘合剂并进行混炼，来调整为适度的粘度，来制作这样的金属膏。另外，光透过抑制金属层所构成的光透过抑制层4也可以与形成于绝缘基体2的内部的布线导体电连接。另外，例如在绝缘基体2由电绝缘性陶瓷构成的情况下，通过用光透过抑制金属层形成光透过抑制层4，能更有效果地降低光透过到绝缘基体2的内部。这是因为，电绝缘性陶瓷有较多包含光的透过率高的玻璃成分等的情况，和这样的绝缘基体2比较，光透过抑制金属层更有效果地使光难以透过。
光透过抑制绝缘层所构成的光透过抑制层4例如由氧化铝质烧结体、莫来石质烧结体、碳化硅质烧结体、氮化铝质烧结体、氮化硅质烧结体或玻璃陶瓷烧结体等构成，形成和绝缘层2a的生片同样制作的光透过抑制层4用的生片，在该生片冲孔加工比开口部3稍大或同程度的成为开口的孔，配置在开口部3的周边，以包围开口部3，将多个绝缘层2a用生片层叠，使得这些光透过抑制层4用的生片配置在绝缘层2a之间，来加压并进行烧成，由此形成光透过抑制层4。另外，也可以在将与绝缘层2a实质包含同样陶瓷成分的光透过抑制层4用的陶瓷膏印刷在开口部3的周边后进行烧成，由此形成光透过抑制层4。在光透过抑制层4由光透过抑制绝缘层形成的情况下，由于例如即使光透过抑制层4与形成于绝缘基体2的内部的布线导体接触也不发生短路等，因此使摄像元件搭载用基板1易于小型化，并且由于绝缘基体2和光透过抑制层4用同样的材质形成，因此在摄像元件搭载用基板1的制作时或摄像元件10的安装时的加热工序中，绝缘基体2与光透过抑制层4之间的热膨胀之差变小，能降低在开口部3的周边出现变形等的可能性。
另外，在绝缘基体2由树脂构成的情况下，光透过抑制层4由铜、金、铝、镍、铬、钼、钛以及它们的合金等金属材料、或者环氧树脂、聚酰亚胺树脂、丙烯酸树脂、苯酚树脂、聚酯树脂或以四氟乙烯为首的氟系树脂等树脂(塑料)所构成的绝缘层形成。
由金属材料形成的光透过抑制层4披覆形成在绝缘基体2的表面或内部。光透过抑制层4由金(Au)、铝(Al)、镍(Ni)、铬(Cr)、钼(Mo)或钛(Ti)以及它们的合金等金属材料构成。例如，在由玻璃环氧树脂构成的树脂薄片上转印加工成布线导体的形状的铜箔，将转印了铜箔的树脂薄片层叠并用粘结剂粘结，由此来形成。另外，也可以使金属箔或金属柱与树脂所构成的绝缘基体2一体化，或者用溅射法、蒸镀法等或镀法等披覆在绝缘基体2来形成。另外，由金属材料构成的光透过抑制层4也可以与其他布线导体电导通。
另外，在光透过抑制层4的材料和绝缘基体2的绝缘材料是同一部件的情况下，例如可以在气孔率设置差异。例如，光透过抑制层4优选使用气孔率小于绝缘基体2的气孔率的材料。这是为了能由光透过抑制层4更有效果地抑制光透过。为了在气孔率设置差异，例如可以改变制造光透过抑制层4、绝缘基体2时的制造方法。如此，在光透过抑制层4的材料和绝缘基体2的绝缘材料是同一部件的情况下，为了判断是光透过抑制层4还是绝缘基体2的绝缘层2a，例如可以根据气孔率进行判断。
在图2示出设置在本发明的绝缘层2a间的光透过抑制层4的概略。另外，图2是将图1简化的图，仅图示了图1所示的绝缘基体2的上表面侧的4层的绝缘层2a，是从绝缘层间γ的面向上表面侧平面透视的图。图2分别示出设置在绝缘层间α的光透过抑制层41、设置在绝缘层间β的光透过抑制层42、设置在绝缘层间γ的光透过抑制层43。在图2中，用实线表示光透过抑制层43，用虚线表示光透过抑制层42，用单点划线表示光透过抑制层41。另外，图2是用于说明的概略图，不仅设置图2所示的示例那样的覆盖绝缘基体2的大部分的光透过抑制层4，作为实施本发明的形态，还可以通过至少在希望设置倾斜部5的部位不设置光透过抑制层4来形成倾斜部5。
如图2所示的示例那样，光透过抑制层4设置为用其开口包围开口部3。如图2(a)所示那样，在开口部3为矩形的情况下，光透过抑制层4通过将与开口部3的各边对置的长度设为与开口部3的各个边同程度或更大，能在开口部3的周边的绝缘层2a没有偏倚。另外，若如图2(b)所示的示例那样，将光透过抑制层4设为包围开口部3的框状，则即使光入射到绝缘基体2的内部，也能遍及开口部3的全周良好地抑制光透过。
另外，光透过抑制层4优选比绝缘基体2更黑。通过光透过抑制层4比绝缘基体2更黑，即使光入射到绝缘基体2，也能在光透过抑制层4将光良好地吸收，因此能更良好地降低绝缘基体2的内部的光的透过。另外，所谓比绝缘基体2更黑，是指黑色或接近于黑色的颜色中比绝缘基体2更黑的颜色，能用目视的观察确认。
为了使光透过抑制层4比绝缘基体2更黑，例如若是绝缘基体2由氧化铝质烧结体构成的情况，则能合适地使用由W或Mo构成的光透过抑制金属层、或者由比绝缘基体2浓的含有较多铬等颜料的氧化铝构成的光透过抑制绝缘层。
另外，多个光透过抑制层4的内缘如图1(b)、图3以及后述的图4所示的示例那样，优选平面透视下相较于连接电极6更靠近开口部3侧。根据该构成，由于连接电极6未设置在倾斜部5，因此连接电极6的表面易于变得平坦，能使摄像元件10与连接电极6的连接良好。
另外，优选如图3所示那样，多个光透过抑制层4当中的内缘接近于开口部3的1个光透过抑制层4a的内缘与开口部3的内壁重叠。根据构成，由于在进行平面透视时，能在开口部3的近旁消除未设置光透过抑制层4的区域，因此能更加降低透过绝缘基体2的光。进而，若如图3(b)所示的示例那样，将内缘与开口部3的内壁重叠的光透过抑制层4a设置在多个绝缘层2a间，则能更有效果地降低绝缘基体2的内部的光的透过。
另外，若如图1～图3所示的示例那样，多个光透过抑制层4当中内缘接近于开口部3的1个光透过抑制层4a位于绝缘基体2的最上表面侧，其他光透过抑制层4b的内缘随着接近于绝缘基体2的下表面而位于逐渐从开口部3远离的位置，则在将多个成为绝缘层2a的生片层叠并进行加压时，由于平面透视下光透过抑制层4a彼此的重叠少的区域相比于其他重叠的区域厚度渐渐变薄，因此易于在绝缘基体2的下表面更良好地形成倾斜部5，并且由于内缘接近于开口部3的1个光透过抑制层4a位于绝缘基体2的最上表面侧而使得绝缘基体2的上表面易于平坦，因此能更良好地接合盖体13。这样的摄像元件搭载用基板1适于用在单反相机等那样更重视图像的质量的摄像装置21中。
在图1～图3所示的示例中，光透过抑制层4设置在比安装摄像元件10的连接电极6更靠上表面侧的全部绝缘层2a间，但绝缘基体2也可以具有未设置光透过抑制层4的绝缘层2a间。如上述那样，通过调整多个绝缘层2a间的光透过抑制层4的数量、厚度，能调整倾斜部5的倾斜度、绝缘基体2的厚度等。
另外，倾斜部5中的开口部3侧的前端部3b的厚度T1优选设为倾斜部5的外侧的绝缘基体2的厚度T2的75％～95％左右。由于若将厚度T1设为厚度T2的75％以上，则光难以透过绝缘基体2，因此能抑制多余的光入射到摄像元件10。另外，若将厚度T1设为厚度T2的95％以下，则能有效地降低绝缘基体2的开口部3的周边与摄像元件10接触。
在摄像元件搭载用基板1搭载摄像元件10。摄像元件10例如是CCD型摄像元件或CMOS型摄像元件。在图1、图3所示的示例中，摄像元件10的各电极通过连接部件11(金突起等)与连接电极6电连接。连接电极6除了金突起以外还使用焊料等。同时，绝缘基体2和摄像元件10用树脂等密封材料(未图示)以树脂粘结外周部，使受光面从外部大气阻断而被密闭。另外，在绝缘基体2安装盖体13。盖体13由水晶或玻璃等透光性部件构成，盖体13接合在平面透视下与摄像元件10重叠的位置。
接下来说明本实施方式的摄像元件搭载用基板1的制造方法。
(1)首先形成构成绝缘基体2的生片。例如在得到氧化铝(Al2O3)质烧结体的绝缘基体2的情况下，在Al2O3的粉末中添加二氧化硅(SiO2)、氧化镁(MgO)或氧化钙(CaO)等粉末作为烧结辅助材料，进而添加适当的粘合剂、溶剂以及可塑剂，接下来将这些混合物混炼来成为浆料状。之后，用众所周知的刮刀法或砑光辊法等成形方法得到用于获取多个的的生片。
另外，在绝缘基体2例如由树脂构成的情况下，使用能成形为给定的形状的模具，用压模法或注塑模法等进行成形，能由此形成绝缘基体2。另外，绝缘基体2也可以是如例如玻璃环氧树脂那样使由玻璃纤维构成的基材浸透树脂的基板。在该情况下，使由玻璃纤维构成的基材浸透环氧树脂的前体，使该环氧树脂前体在给定的温度下热固化，由此形成绝缘基体2。
(2)在所得到的生片，用丝网印刷法等在成为连接电极6、内部布线导体以及外部电极7的部分印刷涂布以及填充金属膏。该金属膏通过和成为绝缘基体2的生片同时进行烧成，来形成阶梯地设置的连接电极6、设置在成为绝缘基体2的下表面或上表面或侧面的部位的外部电极7、以及包含内部配线或贯通导体的布线导体。在钨、钼、锰、银或铜等的金属粉末中加入适当的溶剂以及粘合剂并混炼，来调整成适度的粘度，从而制作金属膏。另外，金属膏为了提高与绝缘基体2的接合强度，也可以包含玻璃或陶瓷。另外在这时，通过将光透过抑制层4用的金属膏或陶瓷膏等同样包围开口部3地印刷涂布在生片，将光透过抑制层4用的金属膏或陶瓷膏配置在成为绝缘层2a的生片间，能制作由光透过抑制金属层或光透过抑制绝缘层构成的光透过抑制层4。
(3)通过将成为各绝缘层2a的生片层叠并进行加压，来制作生片层叠体。另外，这时，通过取代光透过抑制层4用的金属膏或陶瓷膏，将前述那样的光透过抑制层4用的生片配置在成为绝缘层2a的生片间，将它们同时层叠并进行加压，能制作由绝缘光透过抑制层构成的光透过抑制层4。
另外，如图1(b)所示那样，在形成向上方倾斜的(随着朝向绝缘基体2的上表面而开口部3的大小变小)倾斜部5的情况下，在生片层叠体的加压时，可以在将上表面抵在平板的状态下从下表面进行加压。
(4)将该生片层叠体在约1500～1800℃的温度下烧成，得到排列多个绝缘基体2的多拼(多数個取り)基板。另外，通过该工序，前述的金属膏成为连接电极6、外部电极7以及布线导体。
(5)将烧成而得到的多拼基板分断为多个绝缘基体2。在该分断中，能使用沿着成为绝缘基体2的外缘的部位在多拼基板形成分割槽、沿着分割槽来使多拼基板破断从而进行分割的方法，或者用切割法等沿着成为绝缘基体2的外缘的部位进行切断的方法等。另外，分割槽能在烧成后用切割装置切入小于多拼基板的厚度的厚度而形成，但也可以将刀具刀刃抵在多拼基板用的生片层叠体，或者用切割装置切入比生片层叠体的厚度小的厚度来形成。
在如此形成的摄像元件搭载用基板1安装摄像元件10，将安装了摄像元件10的摄像元件搭载用基板1搭载于外部电路基板(未图示)，由此摄像元件10经由连接电极6以及外部电极7等与外部电路基板电连接。
在如此形成的摄像元件搭载用基板1倒装安装摄像元件10，使得在平面透视下与开口部3重叠，摄像元件10的各电极以金突起等连接部件11与形成于绝缘基体2的下表面的多个连接电极6分别电连接，作为所谓的底部填充，将例如环氧树脂等树脂所构成的密封材料(未图示)从开口部3注入到摄像元件搭载用基板1与摄像元件10之间，在绝缘基体2的上表面接合盖体13以使得覆盖开口部3，由此成为摄像装置21。
另外，在摄像元件10的各电极与多个连接电极6的电连接中，也可以取代上述的金突起等连接部件11而使用由焊料或导电性树脂(各向异性导电树脂等)构成的连接部件11。
摄像元件10例如是CCD型电子元件或CMOS型摄像元件等半导体元件。
(第2实施方式)
接下来，参考图4来说明本发明的第2实施方式的摄像装置21。
在本实施方式的摄像装置21中，与上述的第1实施方式的摄像装置21的不同点在于设置1个光透过抑制层4a的位置、绝缘基体2的形状以及接合部件12的接合状态。
在图4所示的示例中，通过将1个光透过抑制层4a设置在绝缘基体2的中间的绝缘层2a间，使绝缘基体2的开口部3的近旁较薄、且使绝缘基体2中的光的透过降低。如第2实施方式那样，能通过变更设置1个光透过抑制层4a的绝缘层2a间的位置来调整倾斜部5的倾斜角度等。另外，通过如图4(b)所示的示例那样，通过将在设于中间的1个光透过抑制层4a的上下所设的其他光透过抑制层4b的内缘设置得平面透视下成为相同位置，成为绝缘基体2的上表面侧也与下表面侧同样具有其他倾斜部5a的形状。通过如此设置其他倾斜部5a，在接合盖体13时，能使接合部件12沿着倾斜部5a形成良好的嵌边。如此，能增大绝缘基体2与盖体13的接合强度。另外，若接合部件12为黑色等深的颜色，则会吸收穿过接合部件12而透过的光，能降低图像的噪声。另外，若如图4(b)所示的示例那样，在绝缘基体2的上表面侧设置其他倾斜部5a，则由于能在其他倾斜部5a吸收多余的量的接合部件12，因此能抑制接合部件12向开口部3侧流出，能抑制接合部件12的影等映入到图像中。
另外，绝缘基体2和盖体13能通过树脂或玻璃等的接合部件12接合。
另外，在如图4(a)所示的示例那样，制作仅在下表面具有倾斜部5的绝缘基体2时，可以采用和前述的图1所示的示例中的倾斜部5的形成方法同样的加压方法。另一方面，在如图4(b)所示的示例那样，制作在下表面侧有倾斜部5并在上表面侧有其他倾斜部5a的绝缘基体2时，可以在生片层叠体的加压时从下方以及上方两侧均等地进行加压。
(第3实施方式)
接下来参考图5来说明本发明的第3实施方式的摄像装置21。
在本实施方式的摄像装置21中，和上述的第1实施方式的摄像装置21的不同点在于1个光透过抑制层4a设置在最接近于摄像元件10的层这一点。
如图5所示的示例那样，多个光透过抑制层4当中内缘最接近于开口部3的1个光透过抑制层4a位于绝缘基体2的最下表面侧，其他光透过抑制层4b的内缘随着接近于绝缘基体2的上表面而位于逐渐从开口部3远离的位置。如此，若对1个光透过抑制层4a缩小距摄像元件10的距离，则和距摄像元件10的距离大的情况相比较，通过使1个光透过抑制层4a与摄像元件10的距离较小，能减小漫反射的光或在1个光透过抑制层4折射的光等在1个光透过抑制层4a与摄像元件10之间扩散的距离。由此能在摄像元件10进行受光时降低闪光等噪声的发生，能摄像更良好的图像。
另外，在图5所示那样的光透过抑制层4的配置下，若也和图1所示的示例同样地在生片层叠体的加压时以将上表面抵在平板的状态从下表面进行加压，则也能在绝缘基体2的下表面侧形成向上方倾斜的倾斜部5。
另外，本发明并不限定于上述的实施方式的示例，能进行各种变形。例如绝缘基体2的开口部3的形状也可以不是矩形，而是圆形或其他多边形状。另外，本实施方式中的连接电极6以及外部电极7的配置、数量以及形状等并没有任何限定。

Claims (9)

1.一种摄像元件搭载用基板，具有：
绝缘基体，其由在中央具有开口部的多个绝缘层所构成的绝缘层构成；
连接电极，其设置在该绝缘基体的下表面中的所述开口部的周边，连接摄像元件；和
多个光透过抑制层，其分别设置在所述多个绝缘层之间，包围所述开口部，并在平面透视下相互大部分重叠，内缘位于所述开口部的外侧，
该多个光透过抑制层当中的1个光透过抑制层的内缘在平面透视下比其他光透过抑制层的内缘更接近于所述开口部，
所述绝缘基体在下表面的所述开口部的周边具有：倾斜部，其倾斜，使该开口部的大小随着朝向所述绝缘基体的上表面而变小。
2.根据权利要求1所述的摄像元件搭载用基板，其中，
所述多个光透过抑制层当中内缘接近于所述开口部的所述1个光透过抑制层位于所述绝缘基体的最上表面侧，
所述其他光透过抑制层的内缘随着接近于所述绝缘基体的下表面而位于逐渐从所述开口部远离的位置。
3.根据权利要求1所述的摄像元件搭载用基板，其中，
所述多个光透过抑制层当中内缘接近于所述开口部的所述1个光透过抑制层位于所述绝缘基体的最下表面侧，
所述其他光透过抑制层的内缘随着接近于所述绝缘基体的上表面而位于逐渐从所述开口部远离的位置。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的摄像元件搭载用基板，其中，
所述多个光透过抑制层的至少1个比所述绝缘基体更黑。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的摄像元件搭载用基板，其中，
所述多个光透过抑制层当中内缘接近于所述开口部的所述1个光透过抑制层的内缘与所述开口部的内壁重叠。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的摄像元件搭载用基板，其中，
所述多个光透过抑制层的内缘在平面透视下相较于所述连接电极位置更靠所述开口部侧。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的摄像元件搭载用基板，其中，
所述多个光透过抑制层的形状为框状。
8.根据权利要求1～7中任一项所述的摄像元件搭载用基板，其中，
所述绝缘基体具有未设置所述光透过抑制层的绝缘层间。
9.一种摄像装置，具备：
权利要求1～8中任一项所述的摄像元件搭载用基板；和
与所述连接电极连接的摄像元件。
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