CN105637621B - 射频功率组件及射频信号收发设备 - Google Patents

射频功率组件及射频信号收发设备 Download PDF

Info

Publication number
CN105637621B
CN105637621B CN201480030190.XA CN201480030190A CN105637621B CN 105637621 B CN105637621 B CN 105637621B CN 201480030190 A CN201480030190 A CN 201480030190A CN 105637621 B CN105637621 B CN 105637621B
Authority
CN
China
Prior art keywords
bonding line
radio
frequency power
power assembly
bonding
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201480030190.XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN105637621A (zh
Inventor
黄安
林燕海
刘伟
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Huawei Technologies Co Ltd
Original Assignee
Huawei Technologies Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Huawei Technologies Co Ltd filed Critical Huawei Technologies Co Ltd
Priority to CN201811032774.7A priority Critical patent/CN109065517B/zh
Publication of CN105637621A publication Critical patent/CN105637621A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN105637621B publication Critical patent/CN105637621B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
    • H01L23/64—Impedance arrangements
    • H01L23/66—High-frequency adaptations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/065—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L25/0655—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for
    • H01L2223/64—Impedance arrangements
    • H01L2223/66—High-frequency adaptations
    • H01L2223/6605—High-frequency electrical connections
    • H01L2223/6611—Wire connections
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for
    • H01L2223/64—Impedance arrangements
    • H01L2223/66—High-frequency adaptations
    • H01L2223/6644—Packaging aspects of high-frequency amplifiers
    • H01L2223/6655—Matching arrangements, e.g. arrangement of inductive and capacitive components
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45117—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/45124—Aluminium (Al) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4801—Structure
    • H01L2224/48011—Length
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48153—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
    • H01L2224/48195—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being arranged next to each other, e.g. on a common substrate the item being a discrete passive component
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/4905—Shape
    • H01L2224/49051—Connectors having different shapes
    • H01L2224/49052—Different loop heights
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/4905—Shape
    • H01L2224/4909—Loop shape arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/4912—Layout
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/4912—Layout
    • H01L2224/49175—Parallel arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2225/00—Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2225/03—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
    • H01L2225/04—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers
    • H01L2225/065—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L2225/06503—Stacked arrangements of devices
    • H01L2225/06506—Wire or wire-like electrical connections between devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details

Abstract

本发明提供了一种射频功率组件，包括第一器件、第二器件及第一邦定线组，第一邦定线组包括至少三个第一邦定线单元，第一邦定线单元包括至少一根呈弧线形状的邦定线，第一邦定线单元的一端及另一端分别电连接至所述第一及第二器件的电极，第一邦定线组中位于两侧的第一邦定线单元的弧高高于其他位置的第一邦定线单元的弧高，且第一邦定线组中位于中心区域的第一邦定线单元的弧高低于其他位置的第一邦定线单元的弧高，以使得通过至少三个第一邦定线单元的电流相同，或者通过任意两个第一邦定线单元的电流之间的相位差小于预设门限值。本发明显著减小了所述射频功率组件的能量损耗，同时避免了器件损坏，降低使用成本。

Description

射频功率组件及射频信号收发设备
技术领域
本发明涉及通信技术领域，尤其涉及一种射频功率组件及射频信号收发设备。
背景技术
在移动通信网络中，射频载波信号通过射频功率管进行功率放大后从天线发射到空间。射频功率管主要由放大器芯片、电容芯片、邦定线和封装等器件组成。其中邦定线用于将任意两个器件的电极进行电气连接，起到阻抗匹配、传输直流和射频信号作用。
由于射频信号的相位和幅度具有空间分布特性，在现有的邦定线组上的各个邦定线上的电流及电压存在差异，使得射频功率管存在能量损耗，且承载电流过大的邦定线也存在烧毁的危险，使得射频功率管存在安全隐患。
发明内容
本发明实施例所要解决的技术问题在于，提供一种射频功率组件，能显著减小射频功率组件的能量损耗。
本发明实施例还提供了一种射频功率收发设备。
第一方面，提供一种射频功率组件，其特征在于，包括第一器件、第二器件及第一邦定线组，第一器件和第二器件分别焊接在板体的同一侧，
所述第一邦定线组包括至少三个第一邦定线单元，每两个所述第一邦定线单元之间有间距，所述第一邦定线单元包括至少一根呈弧线形状的邦定线，所述邦定线的弧高顶点远离所述板体，每个所述第一邦定线单元的一端电连接至所述第一器件的电极，每个所述第一邦定线单元的另一端电连接至所述第二器件的电极，以在所述第一器件与所述第二器件之间进行射频信号传输，
其中，所述第一邦定线组中位于两侧的第一邦定线单元的弧高高于所述第一邦定线组中其他位置的第一邦定线单元的弧高，且所述第一邦定线组中位于中心区域的第一邦定线单元的弧高低于所述第一邦定线组中其他位置的第一邦定线单元的弧高，以使得通过所述至少三个第一邦定线单元的电流相同，或者通过任意两个第一邦定线单元的电流之间的相位差小于预设门限值。
在第一方面的第一种可能的实现方式中，当所述第一邦定线组包括多于三个第一邦定线单元时，所述第一邦定线组中位于两侧与所述中心区域之间的第一邦定线单元的弧高从所述第一邦定线组两侧向所述中心区域方向依次降低。
在第一方面的第二种可能的实现方式中，或结合第一方面的第一种可能的实现方式，在第一方面的第二种可能的实现方式中，所述第一邦定线组的中心区域包括一个第一邦定线单元。
在第一方面的第三种可能的实现方式中，或结合第一方面的第一种可能的实现方式，在第一方面的第三种可能的实现方式中，所述第一邦定线组的中心区域包括至少两个弧高相等的第一邦定线单元。
在第一方面的第四种可能的实现方式中，相邻的两个所述第一邦定线单元之间的距离相等。
在第一方面的第五种可能的实现方式中，或结合第一方面的第一至第四种任一种可能的实现方式，在第一方面的第五种可能的实现方式中，所述第一邦定线单元包括多根邦定线，所述多根邦定线的弧高相同，所述第一邦定线单元的弧高顶点为其中任意一根邦定线的弧高顶点。
在第一方面的第六种可能的实现方式中，或结合第一方面的第一至第四种中任一种可能的实现方式，在第一方面的第六种可能的实现方式中，所述第一邦定线组是以所述第一邦定线组的中间位置为对称轴的轴对称结构。
在第一方面的第七种可能的实现方式中，或结合第一方面的第一至第六种中任一种可能的实现方式，在第一方面的第七种可能的实现方式中，射频功率组件还包括第二邦定线组，所述第二邦定线组位于所述第一邦定线组的一侧，所述第二邦定线组包括至少三个第二邦定线单元，每两个所述第二邦定线单元之间具有间距，所述第二邦定线单元包括至少一根呈弧线形状的邦定线，所述邦定线的弧高顶点远离所述板体，每个所述第二邦定线单元的一端电连接至所述第一器件的电极，每个所述第二邦定线单元的另一端电连接至所述第二器件的电极，以与所述第一邦定线单元共同在所述第一器件与所述第二器件之间进行射频信号传输，
其中，所述第二邦定线组位于两侧的第二邦定线单元的弧高高于所述第二邦定线组中其他位置的第二邦定线单元的弧高，所述第二邦定线组的中心区域的第二邦定线单元的弧高低于所述第二邦定线组中其他位置的第二邦定线单元的弧高，以使得通过所述至少三个第二邦定线单元的电流相同，或者通过任意两个第二邦定线单元的电流之间的相位差小于预设门限值。
结合第一方面的第七种可能的实现方式，在第八种可能的实现方式中，当所述第二邦定线组包括多于三个第二邦定线单元时，所述第二邦定线组中位于两侧与所述中心区域之间的第二邦定线单元的弧高从所述第二邦定线组两侧向所述中心区域方向依次降低。
结合第一方面的第七种可能的实现方式，在第九种可能的实现方式中，所述第一邦定线组与所述第二邦定线组之间的距离大于相邻的两个第一邦定线单元之间的距离及相邻的第二邦定线单元之间的距离。
结合第一方面的第七至第九种中任一种可能的实现方式，在第十种可能的实现方式中，所述第二邦定线组的中心区域包括一个第二邦定线单元。
结合第一方面的第七至第九种中任一种可能的实现方式，在第十一种可能的实现方式中，所述第二邦定线组的中心区域包括至少两个弧高相等的第二邦定线单元。
结合第一方面的第七至第十二种中任一种可能的实现方式，在第十三种可能的实现方式中，所述第二邦定线单元包括多根邦定线，所述多根邦定线的弧高相同，所述第二邦定线单元的弧高顶点为其中任意一根邦定线的弧高顶点。
结合第一方面的第七至第十三种中任一种可能的实现方式，在第十四种可能的实现方式中，所述第二邦定线组是以所述第二邦定线组的中间位置为对称轴的轴对称结构。
在第一方面的第十五种可能的实现方式中，或结合第一方面第一至第十四种中任一种可能的实现方式中，所述第一器件和所述第二器件均为放大器芯片，或者所述第一器件为放大器芯片且第二器件为电容芯片，或者所述第一器件和所述第二器件均为电容芯片。
第二方面，提供一种射频信号收发设备，包括上述各种可能的实现方式中任一种可能的实现方式提供的射频功率组件，以及天线，其中，所述射频功率组件用于处理射频信号；所述天线用于接收经过所述射频功率组件处理的射频信号并发射。
本发明实施例中，所述射频功率组件包括第一器件、第二器件及第一邦定线组，第一器件和第二器件分别焊接在板体的同一侧，所述第一邦定线组包括至少三个第一邦定线单元，每两个所述第一邦定线单元之间有间距，所述第一邦定线单元包括至少一根呈弧线形状的邦定线，所述邦定线的弧高顶点远离所述板体，每个所述第一邦定线单元的一端电连接至所述第一器件的电极，每个所述第一邦定线单元的另一端电连接至所述第二器件的电极，以在所述第一器件与所述第二器件之间进行射频信号传输，其中，所述第一邦定线组中位于两侧的第一邦定线单元的弧高高于所述第一邦定线组中其他位置的第一邦定线单元的弧高，且所述第一邦定线组中位于中心区域的第一邦定线单元的弧高低于所述第一邦定线组中其他位置的第一邦定线单元的弧高，以使得通过所述至少三个第一邦定线单元的电流相同，或者通过任意两个第一邦定线单元的电流之间的相位差小于预设门限值。因此，本发明中，所述至少三个第一邦定线单元上的电流尽可能相同，即尽可能不存在相位差，使得所述射频功率组件的总合成功率达到最优，从而显著减小了所述射频功率组件的能量损耗。同时，由于电流强度与邦定线弧高成反比，通过增加两侧邦定线单元的弧高，可以避免了两侧的邦定线单元上的电流过高而存在烧坏的风险，进而避免器件损坏，降低使用成本。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明第一方面第一实施方式提供的射频功率组件的示意图；
图2是图1的正面图；
图3是本发明第一方面第二实施方式提供的射频功率组件的正面图；
图4是本发明第一方面第三实施方式提供的射频功率组件的正面图；
图5是本发明第二方面实施方式提供的射频信号收发设备。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本文中描述的各种技术可用于各种通信系统，包括2G、3G通信系统和下一代通信系统，例如全球移动通信(GSM，global system for mobile communication)等2G通信系统，宽带码分多址(WCDMA，wideband code division multiple access)，时分同步码分多址(TD-SCDMA，time division-synchronization code division multiple access)等3G通信系统；长期演进(LTE，long-term evolution)通信系统及其后续演进系统等下一代通信系统。
本发明实施例提供的射频功率组件可集成在基站等任意需要进行无线信号功率放大的网元设备中。具体地，本发明实施例提供的射频功率组件可以在基站的射频部分工作，例如可以布置在基站的射频拉远单元(RRU，radio remote unit)中。所述基站可以是GSM系统或CDMA系统中的基站收发台(BTS，base transceiver station)、或者WCDMA系统中的节点B(Node B)、或者LTE系统中的演进型节点B(e-NodeB，evolved NodeB)或者LTE后续演进的通信系统中的类似设备。
在现有技术提供的邦定线组中，邦定线的弧高均相等。发明人经过实验及仿真发现，射频信号在邦定线组中传输过程中，其信号电流强度具有不均衡性：即位于邦定线组两侧的邦定线单元中的电流最大，位于邦定线组中间位置的邦定线单元中的电流最小，其余的邦定线单元中电流从两侧至中间依次减小。因此，射频功率组件的总合成功率无法达到最优，能量损耗较大；同时，由于两侧邦定线上的电流明显较中间区域大，因此，位于两侧的邦定线存在烧坏的风险。
请参阅图1及图2，为本发明第一方面的第一实施方式提供的一种射频功率组件100。所述射频功率组件100包括第一邦定线组10、第一器件20及第二器件30。所述第一器件20及所述第二器件30分别焊接在板体的同一侧。所述第一邦定线组10包括至少三个第一邦定线单元11。每两个所述第一邦定线单元11之间具有间距。所述第一邦定线单元11包括至少一根呈弧线形状的邦定线。所述邦定线的弧高顶点远离所述板体。每个所述第一邦定线单元11的一端电连接至所述第一器件20的电极，每一所述第一邦定线单元11的另一端电连接至所述第二器件30的电极，以在所述第一器件20与所述第二器件30之间进行射频信号传输。
其中，所述第一邦定线组10中位于两侧的第一邦定线单元11的弧高高于所述第一邦定线组10中其他位置的第一邦定线单元11的弧高，且所述第一邦定线组10中位于中心区域的第一邦定线单元11的弧高低于所述第一邦定线组10中其他位置的第一邦定线单元11的弧高，以使得通过所述至少三个第一邦定线单元11的电流相同，或者通过任意两个第一邦定线单元11的电流之间的相位差小于预设门限值。
其中，所述中心区域可以是所述第一邦定线组10的中间位置左侧x微米，且右侧y微米所形成的区域。其中，中心区域的具体范围可以根据射频功率组件的尺寸及性能需求，通过实验及测试确定，本发明实施例对此不做特别限定。例如，射频功率组件仅包括一个邦定线组，该邦定线组的总长度为6mm，其中每个邦定线单元的间隔为120um，则中间区域可以为左侧距离中间位置240um，右侧距离中间位置240um的区域，在该区域内的邦定线单元作为中心区域的邦定线单元，可以理解，在该实施例中，中心区域包含了多个邦定线单元，则所述多个邦定线单元可以设置为等高。又如图2所示的第一邦定线组10中的中心区域包含5个等高的第一邦定线单元11。
其中，上述预设门限值可以以不影响射频功率组件的总合成功率达到最优为确定依据，即根据射频功率组件的性能需求来确定，不同场景下使用的射频功率管的尺寸、邦定线单元数量、通过的电流强度均会有差异，因此，本发明实施例对预设门限值不做特别限定，本领域的技术人员可以通过实验或经验确定。在实际应用中，通过多次调节邦定线单元的弧高，可以使各邦定线单元上通过的电流达到完全一致。
可选地，在本发明的其他实施例中，中心区域可以仅包含一个邦定线单元，该邦定线单元的弧高是整个邦定线组中最低的。
可选地，所述第一器件20可以为放大器芯片。所述第二器件30可以为电容芯片。可选地，所述第一器件20及所述第二器件30也可以均为放大器芯片。所述第一器件20也可以为放大器芯片且所述第二器件30可以为电容芯片，或者所述第一器件20和所述第二器件30为电容芯片。本发明实施例对第一器件20及第二器件30的具体形式不做任何限定。
可选地，如图2所示，当所述第一邦定线组10包括多于三个第一邦定线单元11时，所述第一邦定线组10中位于两侧与所述中心区域之间的第一邦定线单元11的弧高从所述第一邦定线组10两侧向所述中心区域方向依次降低。
可选地，每一个第一邦定线单元11可以包含一根邦定线。所述邦定线为金属线，如铝线或金线。
可选地，所述射频功率组件100可以为射频功率管。所述射频功率组件100也可以为射频连接器、功分器或合路器等，本发明实施例对此不做任何限定。
需要说明的是，所述第一邦定线单元10包括至少一根呈弧线形状的邦定线。所述邦定线的弧高顶点远离所述板体。每个所述第一邦定线单元11的一端电连接至所述第一器件20的电极，每个所述第一邦定线单元11的另一端电连接至所述第二器件30的电极表明所述第一器件20到所述二器件30之间的距离小于所述第一邦定线单元11的长度。所述第一邦定线单元11上距离所述板体距离最高的点就是弧高顶点。该弧高顶点到所述板体的距离即为相应第一邦定线单元11的弧高。
通过测试实验和软件仿真确定，任意两个邦定线单元之间都存在互感，且邦定线单元的弧高增高，所述邦定线单元的电感量就增加。由于电感量与电流大小成反比的关系，则电感量增加，电流就会减弱。即，弧高的高低与电流的大小呈反比关系。因此，本实施方式中，位于所述第一邦定线组10两侧的第一邦定线单元11的弧高高于所述第一邦定线组10中其他位置的第一邦定线单元11的弧高，且所述第一邦定线组10中位于中心区域的第一邦定线单元11的弧高低于所述第一邦定线组10中其他位置的第一邦定线单元11的弧高，以使得通过所述至少三个第一邦定线单元11的电流相同，或者通过任意两个第一邦定线单元11的电流之间的相位差小于预设门限值，从而平衡了射频信号在邦定线组中传输的不均衡性，使得所述至少三个第一邦定线单元11上的电流尽可能地相同。因此，本发明中，所述至少三个第一邦定线单元11上的电流尽可能相同，即尽可能不存在相位差，使得所述射频功率组件100的总合成功率达到最优，从而显著减小了所述射频功率组件100的能量损耗，同时，由于电流强度与邦定线弧高成反比，通过增加两侧邦定线单元11的弧高，可以避免了两侧的邦定线单元11上的电流过高而存在烧坏的风险，避免器件损坏，降低使用成本。
例如，有两个射频信号A和B合路，两者的相位差为Y，合成射频信号为C，则所述合成射频信号C与射频信号A和B及相位差Y具有如下定理关系式：C*C＝A*A+B*B-2*A*B*cos(Y)，其中A、B、C均可以表示幅值。由此可知，当所述第一邦定线单元11上的电流不存在相位差时，则Y＝0，所述合成射频信号的幅值最大，总合成功率达到最大。
当然，由于靠近中间位置的第一邦定线单元11的电流与位于中间位置的第一邦定线单元11的电流大小相差无几，故，所述第一邦定线组的中心区域可以包括的至少两个弧高相等的第一邦定线单元11。
进一步地，相邻的两个第一邦定线单元11之间的间距相等，以提高所述射频功率组件100的稳定性。同时，所述放大器芯片20与所述第一邦定线组10之间可以达到良好的阻抗匹配。
需要说明的是，可以将所述放大器芯片20抽象分割为若干个放大单元。每一放大单元对应第一邦定线组10中的一个第一邦定线单元11，由于相邻的两个第一邦定线单元11之间的间距相等，则表明所述放大器芯片20被平均分割。因此，每一放大单元对应的第一邦定线单元11上的射频信号的电压相同。同时，由于第一邦定线单元11的弧高由两侧向中心区域依次递减，则每一第一邦定线单元11上的射频信号的电流相同。由于每个第一邦定线单元11的射频信号的电压及电流均相同，即功率均相同，则不会发生射频信号横向传输的问题，从而提高了所述射频功率组件100的稳定性。其中，所述横向传输是指在一个邦定线单元11上传输的射频信号向相邻的另一个邦定线单元的方向传输。
由于所述放大器芯片20抽象平均分割为若干个放大单元，则放大器芯片20的自身阻抗也被抽象地平均分配。假设放大器芯片的自身阻抗为Z，则每一放大单元均有一个固定且相等的自身阻抗Z0＝Z/N，其中，N为放大单元的个数，N大于或等于2，N为整数。所述第一邦定线组的阻抗Zi＝Vi/Ii，其中，Vi为第i个第一邦定线单元11对应的放大单元的电压幅值；Ii为第i个第一邦定线单元11对应的放大单元的电流值。由于每个放大单元的电压幅值均相同，且每个放大单元的电流幅值均相同。因此，所述第一邦定线单元11的阻抗Zi相同，即所述第一邦定线单元11可以同时与相应放大单元的自身阻抗Z0达到阻抗共轭匹配状态。因此，所述射频功率组件100可以输出最佳功率。
进一步地，所述第一邦定线组10是以所述第一邦定线组的中间位置为对称轴的轴对称结构。
可选地，所述第一邦定线单元11中，最高弧高可以是最低弧高的两倍高。在其他实施方式中，各个第一邦定线单元11的弧高可以根据实际需要进行调整，只要确保位于两侧所述第一邦定线单元11的弧高高于所述第一邦定线组10的其他第一邦定线11的弧高，位于中间位置的第一邦定线单元11的弧高低于所述第一邦定线组10的其他位置的第一邦定线单元11的弧高，其余的第一邦定线单元11的弧高从两侧到中间位置依次降低即可。
其中，当所述第一邦定线组10包括的第一邦定线单元11的数量为单数时，所述第一邦定线组10中间位置的一个第一邦定线单元11作为对称轴，使得所述第一邦定线组10相对于所述对称轴呈对称结构。当所述第一邦定线组10包括的第一邦定线单元11的数量为双数时，所述第一邦定线组10中间的两根第一邦定线11之间的中心线作为对称轴，使得所述第一邦定线组10相对于所述中心线呈轴对称结构。即该邦定线组是一个对称的结构，左侧及右侧每一个对应位置上的第一邦定线单元11都是等高的，且从两侧至中心区域的第一邦定线单元11的弧高依次递减，该对应位置是指与上述对称轴距离相等的邦定线组10中的物理位置。
需要说明的是，当中心区域包括至少两个等高的第一邦定线单元11时，其中任意一个第一邦定线单元11的弧高可以作为该中心区域的弧高。
需要说明的是，可以通过检测各个第一邦定线单元11上的电流来调整所述第一邦定线单元11的弧高，从而当各个第一邦定线单元11上的电流均相同的情况，停止调整所述第一邦定线单元11的弧高。此时所述第一邦定线组10的截面如图2所述。
请参阅图3，本发明第一方面的第二实施方式提供的一种射频功率组件200。本发明第二实施方式提供的射频功率组件200与所述第一实施方式提供的射频功率组件100相似，两者的区别在于：在第二实施方式中，每一第一邦定线单元210包括多根邦定线211，所述多根邦定线211的弧高可以相同。
在本实施方式中，每一第一邦定线单元210为一簇邦定线。每一簇邦定线包括的邦定线211的数量可以不同，如图3所示。在其他实施例中，每一簇邦定线包括的邦定线211的数量也可以相同。每一簇邦定线中相邻的两根邦定线211之间的距离相同。
其中，每一簇邦定线中相邻的两根邦定线211之间的距离相同所可以达到的效果与上述图1或图2实施例中相邻的两个第一邦定线单元11之间的距离相同所可以到达的效果相同，在此不再赘述。
在本实施方式中，每一第一邦定线单元210中的邦定线211的弧高相同。在此情况下，所述第一邦定线单元210的弧高即为该单元中任一邦定线211的弧高。在其他的实施方式中，每一第一邦定线单元210中的邦定线211的弧高可以不同，保证第一邦定线单元210中靠近外侧的邦定线211依次高于靠近内侧的邦定线211即可。在此情况下，所述第一邦定线单元210的弧高为该单元中弧高最小的邦定线211的弧高。故，本发明未对每一第一邦定线单元210中的邦定线211的弧高关系做具体限定。
请继续参阅图4，本发明第一方面的第三实施方式提供的一种射频功率组件300。本发明第三实施方式提供的射频功率组件300与所述第一实施方式提供的射频功率组件100相似，两者的区别在于：在第三实施方式中，所述射频功率组件300包括第一邦定线组10以及第二邦定线组310，第一邦定线组10可以是图1或图2所示实施例中的第一邦定线组10，在此不做赘述。
所述第二邦定线组310包括至少三个第二邦定线单元312。每两个所述第二邦定线单元312之间具有间距。所述第二邦定线单元312包括至少一根呈弧线形状的邦定线。所述邦定线的弧高顶点远离所述板体。每一第二邦定线单元312的一端电连接至所述第一器件20的电极。每一第二邦定线单元312的另一端电连接至所述第二器件30的电极，且与所述第一邦定线单元11并排设置，以与所述第一邦定线单元11共同在所述第一器件与所述第二器件之间进行射频信号传输。
其中，所述第二邦定线组310位于两侧的第二邦定线单元312的弧高高于所述第二邦定线组310中其他位置的第二邦定线单元312的弧高。所述第二邦定线组310的中心区域的第二邦定线单元312的弧高低于所述第二邦定线组310中其他位置的第二邦定线单元312的弧高，以使得通过所述至少三个第二邦定线单元312的电流相同，或者通过任意两个第二邦定线单元312的电流之间的相位差小于预设门限值。所述中心区域是所述第二邦定线单元组310的中间位置左侧x微米，且右侧y微米所形成的区域。
进一步地，当所述第二邦定线组310包括多于三个第二邦定线单元312时，所述第二邦定线组310中位于两侧与所述中心区域之间的第二邦定线单元312的弧高从所述第二邦定线组310两侧向所述中心区域方向依次降低。
所述第一邦定线组10与所述第二邦定线组310之间的距离大于第一邦定线组10中的相邻的两个第一邦定线单元11之间的距离大于第二邦定线组310中的相邻的第二邦定线单元312之间的距离。
两个邦定线组之间保持合适的距离，可以防止所述第一邦定线组10与所述第二邦定线组310彼此相互影响，破坏所述第一邦定线组10的电流平衡及所述第二邦定线组310的电流平衡，从而影响所述射频功率组件300的稳定性。
需要说明的是，在第一实施例中，若所述第一器件20与所述第二器件30之间的电流过大时，位于两侧的第一邦定线单元11的弧高就会被要求更高来平衡过大的电流。因此，在第三实施方式中，增加了第二邦定线组310来分配所述第一器件20与所述第二器件30之间的电流，从而防止第一邦定线组10中的第一邦定线单元11的弧高过高而触碰到射频功率组件300的壳体而影响所述射频功率组件300的稳定性。
其中，所述第二邦定线单元312包括至少一根呈弧线形状的邦定线，且所述第二邦定线单元312的一端电连接至所述第一器件20的电极，所述第二邦定线单元312的另一端电连接至所述第二器件30的电极表明所述第一器件20到所述二器件30之间的距离小于所述第二邦定线单元312的长度。所述第二邦定线单元312上距离所述板体最高的点就是弧高顶点。该弧高顶点到所述板体的距离即为相应第二邦定线单元312的弧高。
当然，由于靠近所述第二邦定线组310的中间位置的第二邦定线单元312的电流与位于所述第二邦定线组310的中间位置的第二邦定线单元312的电流大小相差无几，故，所述第二邦定线组310的中心区域可以包括至少两个弧高相等的第二邦定线单元312。
进一步地，相邻的两个第二邦定线单元312之间的间距相等，以提高所述射频功率组件300的稳定性。同时，所述放大器芯片20与所述第二邦定线组310之间达到良好的阻抗匹配。
需要说明的是，将所述放大器芯片20抽象分割为若干个放大单元。每一个第二邦定线单元312对应一个放大单元，每一个第一邦定线单元11也对应一个放大单元。第一邦定线组10的以上具体排布可以提高所述射频功率组件300的稳定性已详尽阐述，故在此不再赘述。对于所述第二邦定线组310，由于相邻的两个第二邦定线单元312之间的间距相等，则表明所述放大器芯片20对应所述第二邦定线组310的部分也被平均分割。因此，每一放大单元对应的第二邦定线单元312上的射频信号的电压相同。同时，由于第二邦定线单元312的弧高由两侧向中心区域依次递减，则每一第二邦定线单元312上的射频信号的电流相同。由于每个第二邦定线单元312的射频信号的电压及电流均相同，即功率均相同，则不会发生所述射频信号横向传输的问题，从而提高了所述射频功率组件300的稳定性。
由于所述放大器芯片20对应所述第二邦定线组310的部分也被抽象平均分割为若干个放大单元，则放大器芯片20对应所述第二邦定线组310的部分的自身阻抗也被抽象地平均分配。假设放大器芯片20的自身阻抗为Z，且第一邦定线组10和第二邦定线组310是相同的，则所述第一邦定线组10及所述第二邦定线组310分别对应的二分之一放大器芯片20的自身阻抗，即为Z/2。若所述放大器芯片20被抽象平均分割为2M(M大于或等于1，M为整数)个放大单元，则所述第一邦定线组10及所述第二邦定线组310均对应M个放大单元，第二邦定线组310中的每一第二邦定线单元312均对应的放大单元的自身阻抗为Z0＝Z/(2*M)。同理，所述第一邦定线组10中的每一第一邦定线单元11对应的放大单元的自身阻抗为Z0＝Z/(2*M)。所述第二邦定线组的阻抗Zi＝Vi/Ii，其中，Vi为第i个第二邦定线单元312对应的放大单元的电压幅值；Ii为第i个第二邦定线单元312对应的放大单元的电流值。由于每个放大单元的电压幅值均相同，且每个放大单元的电流幅值均相同。因此，所述第二邦定线单元312的阻抗Zi相同，即若干个第二邦定线单元312可以同时与相应放大单元的自身阻抗Z0达到阻抗共轭匹配状态。因此，所述射频功率组件300可以输出最佳功率。
需要说明的是，上述假设性地对所述第一邦定线组10、所述第二邦定线组310及所述放大器芯片20进行平均分配，使得每一第一邦定线单元11与每一第二邦定线单元312对应的放大单元的阻抗均相同仅为了便于解释说明。具体如何抽象分割所述放大器芯片20还需要根据所述第一邦定组10及所述第二邦定组310之间的实际阻抗比例关系来确定，即可以将所述放大器芯片20按照所述实际阻抗比例关系进行相应地分割。
可选地，本实施方式中，所述第一邦定线组10及所述第二邦定线组310中的邦定线单元11及312可以是一根邦定线，也可以是多根邦定线。或者在第一及第二邦定线组10及310中，一个邦定线组中的邦定线单元是一根邦定线，另一个邦定线组中的邦定线单元是多根邦定线。其中，一根邦定线的情况可以参考图1及图2所示实施例，多根邦定线的情况可以参考图3所示实施例。
进一步地，所述第二邦定线组310是以所述第二邦定线组的中间位置为对称轴的轴对称结构。
可选地，所述第二邦定线单元312中，最高弧高可以是最低弧高的两倍高。在其他实施方式中，各个第二邦定线单元312的弧高可以根据实际需要进行调整，只要确保位于两侧所述第二邦定线单元312的弧高高于所述第二邦定线组310的其他第二邦定线312的弧高，位于中间位置的第二邦定线单元312的弧高低于所述第二邦定线组310的其他第二邦定线单元312的弧高，其余的第二邦定线单元312的弧高从两侧到中间位置依次降低即可。
其中，当所述第二邦定线组310包括的第二邦定线单元312的数量为单数时，所述第二邦定线组310中间位置的一根第二邦定线单元312作为对称轴，使得所述第二邦定线组310相对于所述对称轴呈对称结构。当所述第二邦定线组310包括的第二邦定线单元312的数量为双数时，所述第二邦定线组310中间的两根第二邦定线312的中心线作为对称轴，使得所述第二邦定线组310相对于该中心线呈对称结构。
需要说明的是，可以通过检测各个第二邦定线单元312上的电流来调整所述第二邦定线单元312的弧高，从而当各个第一邦定线单元11上的电流均相同的情况，停止调整所述第二邦定线单元312的弧高。此时所述第二邦定线组310的截面如图4所示。可以理解，本实施方式中，第一邦定线组10和第二邦定线组310是独立设置的，可以独立调节每个邦定线组中的邦定线单元数量及邦定线高度。例如，可以将第第二邦定线组310的结构设置为与第一邦定线组10完全相同的结构，以降低器件的加工复杂度。对第二邦定线组310的更多描述可以参照对第一邦定组10的描述，在此不做赘述。
可以理解，在本发明的其他实施例中，还可以设置多于两个的独立邦定线组单元，结构和排布方式参照以上实施例提供的邦定线组设计，具体的邦定线组数量根据设备性能需求决定，本发明实施例对此不做特别限定。
在本实施方式中，除了前述实施方式所具有的效果之外，本实施方式邦定线采用所述第二邦定线组310与所述第一邦定线组10并排设置，用于来分配所述第一器件20与所述第二器件30之间的电流，还可以防止第一邦定线组10中的第一邦定线单元11的弧高被要求更高而触碰到射频功率组件300的壳体而影响所述射频功率组件300的稳定性。
请参阅图5，本发明第二方面的可选实施方式提供一种射频信号收发设备500。所述射频信号收发设备500包括天线510及射频功率组件520。其中，所述天线510与所述射频功率组件520可以直接连接，也可以间接连接。所述射频功率组件520用于处理射频信号。所述天线510用于接收经过所述射频功率组件520处理的射频信号并发射。所述射频功率组件520可以为上述第一方面的第一至第三实施方式中任一实施方式提供的射频功率组件100、200或300。所述射频功率组件100、200或300的具体结构及排布方式已在上述第一方案的第一至第三实施方式中进行了具体阐述，在此不再赘述。
其中，所述射频信号收发设备500可以为发射机、基站或射频拉远单元等。
在本实施方式中，在所述第一邦定线组10中，位于所述第一邦定线组10两侧的第一邦定线单元11的弧高高于所述第一邦定线组10中其他位置的第一邦定线单元11的弧高，且所述第一邦定线组10中位于中心区域的第一邦定线单元11的弧高低于所述第一邦定线组10中其他位置的第一邦定线单元11的弧高，以使得通过所述至少三个第一邦定线单元11的电流相同，或者通过任意两个第一邦定线单元11的电流之间的相位差小于预设门限值，从而平衡了射频信号在邦定线组中传输的不均衡性，使得所述至少三个第一邦定线单元11上的电流尽可能地相同。
因此，本发明中，所述至少三个第一邦定线单元11上的电流尽可能相同，即尽可能不存在相位差，使得所述射频功率组件100的总合成功率达到最优，从而显著减小了所述射频功率组件100的能量损耗，进而显著地减小了所述射频信号收发设备500的能量损耗。同时，由于电流强度与邦定线弧高成反比，通过增加两侧邦定线单元11的弧高，可以避免了两侧的邦定线单元11上的电流过高而存在烧坏的风险，进而避免器件损坏，降低使用成本。
最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以权利要求的保护范围为准。

Claims (103)

1.一种射频功率组件，其特征在于，包括第一器件、第二器件及第一邦定线组，第一器件和第二器件分别焊接在板体的同一侧，
所述第一邦定线组包括至少三个第一邦定线单元，每两个所述第一邦定线单元之间有间距，所述第一邦定线单元包括至少一根呈弧线形状的邦定线，所述邦定线的弧高顶点远离所述板体，每个所述第一邦定线单元的一端电连接至所述第一器件的电极，每个所述第一邦定线单元的另一端电连接至所述第二器件的电极，以在所述第一器件与所述第二器件之间进行射频信号传输，
其中，所述第一邦定线组中位于两侧的第一邦定线单元的弧高高于所述第一邦定线组中其他位置的第一邦定线单元的弧高，且所述第一邦定线组中位于中心区域的第一邦定线单元的弧高低于所述第一邦定线组中其他位置的第一邦定线单元的弧高，以使得通过所述至少三个第一邦定线单元的电流相同，或者通过任意两个第一邦定线单元的电流之间的相位差小于预设门限值。
2.根据权利要求1所述的射频功率组件，其特征在于，
当所述第一邦定线组包括多于三个第一邦定线单元时，所述第一邦定线组中位于两侧与所述中心区域之间的第一邦定线单元的弧高从所述第一邦定线组两侧向所述中心区域方向依次降低。
3.根据权利要求1所述的射频功率组件，其特征在于，所述第一邦定线组的中心区域包括一个第一邦定线单元。
4.根据权利要求2所述的射频功率组件，其特征在于，所述第一邦定线组的中心区域包括一个第一邦定线单元。
5.根据权利要求1所述的射频功率组件，其特征在于，所述第一邦定线组的中心区域包括至少两个弧高相等的第一邦定线单元。
6.根据权利要求2所述的射频功率组件，其特征在于，所述第一邦定线组的中心区域包括至少两个弧高相等的第一邦定线单元。
7.如权利要求1所述的射频功率组件，其特征在于，相邻的两个所述第一邦定线单元之间的距离相等。
8.如权利要求1所述的射频功率组件，其特征在于，所述第一邦定线单元包括多根邦定线，所述多根邦定线的弧高相同，所述第一邦定线单元的弧高顶点为其中任意一根邦定线的弧高顶点。
9.如权利要求2所述的射频功率组件，其特征在于，所述第一邦定线单元包括多根邦定线，所述多根邦定线的弧高相同，所述第一邦定线单元的弧高顶点为其中任意一根邦定线的弧高顶点。
10.如权利要求3所述的射频功率组件，其特征在于，所述第一邦定线单元包括多根邦定线，所述多根邦定线的弧高相同，所述第一邦定线单元的弧高顶点为其中任意一根邦定线的弧高顶点。
11.如权利要求4所述的射频功率组件，其特征在于，所述第一邦定线单元包括多根邦定线，所述多根邦定线的弧高相同，所述第一邦定线单元的弧高顶点为其中任意一根邦定线的弧高顶点。
12.如权利要求5所述的射频功率组件，其特征在于，所述第一邦定线单元包括多根邦定线，所述多根邦定线的弧高相同，所述第一邦定线单元的弧高顶点为其中任意一根邦定线的弧高顶点。
13.如权利要求6所述的射频功率组件，其特征在于，所述第一邦定线单元包括多根邦定线，所述多根邦定线的弧高相同，所述第一邦定线单元的弧高顶点为其中任意一根邦定线的弧高顶点。
14.如权利要求7所述的射频功率组件，其特征在于，所述第一邦定线单元包括多根邦定线，所述多根邦定线的弧高相同，所述第一邦定线单元的弧高顶点为其中任意一根邦定线的弧高顶点。
15.根据权利要求1所述的射频功率组件，其特征在于，所述第一邦定线组是以所述第一邦定线组的中间位置为对称轴的轴对称结构。
16.根据权利要求2所述的射频功率组件，其特征在于，所述第一邦定线组是以所述第一邦定线组的中间位置为对称轴的轴对称结构。
17.根据权利要求3所述的射频功率组件，其特征在于，所述第一邦定线组是以所述第一邦定线组的中间位置为对称轴的轴对称结构。
18.根据权利要求4所述的射频功率组件，其特征在于，所述第一邦定线组是以所述第一邦定线组的中间位置为对称轴的轴对称结构。
19.根据权利要求5所述的射频功率组件，其特征在于，所述第一邦定线组是以所述第一邦定线组的中间位置为对称轴的轴对称结构。
20.根据权利要求6所述的射频功率组件，其特征在于，所述第一邦定线组是以所述第一邦定线组的中间位置为对称轴的轴对称结构。
21.根据权利要求7所述的射频功率组件，其特征在于，所述第一邦定线组是以所述第一邦定线组的中间位置为对称轴的轴对称结构。
22.如权利要求1-21任一所述的射频功率组件，其特征在于，射频功率组件还包括第二邦定线组，所述第二邦定线组位于所述第一邦定线组的一侧，所述第二邦定线组包括至少三个第二邦定线单元，每两个所述第二邦定线单元之间具有间距，所述第二邦定线单元包括至少一根呈弧线形状的邦定线，所述邦定线的弧高顶点远离所述板体，每个所述第二邦定线单元的一端电连接至所述第一器件的电极，每个所述第二邦定线单元的另一端电连接至所述第二器件的电极，以与所述第一邦定线单元共同在所述第一器件与所述第二器件之间进行射频信号传输，
其中，所述第二邦定线组位于两侧的第二邦定线单元的弧高高于所述第二邦定线组中其他位置的第二邦定线单元的弧高，所述第二邦定线组的中心区域的第二邦定线单元的弧高低于所述第二邦定线组中其他位置的第二邦定线单元的弧高，以使得通过所述至少三个第二邦定线单元的电流相同，或者通过任意两个第二邦定线单元的电流之间的相位差小于预设门限值。
23.根据权利要求22所述的射频功率组件，其特征在于，
当所述第二邦定线组包括多于三个第二邦定线单元时，所述第二邦定线组中位于两侧与所述中心区域之间的第二邦定线单元的弧高从所述第二邦定线组两侧向所述中心区域方向依次降低。
24.如权利要求22所述的射频功率组件，其特征在于，所述第一邦定线组与所述第二邦定线组之间的距离大于相邻的两个第一邦定线单元之间的距离及相邻的第二邦定线单元之间的距离。
25.根据权利要求22所述的射频功率组件，其特征在于，所述第二邦定线组的中心区域包括一个第二邦定线单元。
26.根据权利要求23所述的射频功率组件，其特征在于，所述第二邦定线组的中心区域包括一个第二邦定线单元。
27.根据权利要求24所述的射频功率组件，其特征在于，所述第二邦定线组的中心区域包括一个第二邦定线单元。
28.根据权利要求22所述的射频功率组件，其特征在于，所述第二邦定线组的中心区域包括至少两个弧高相等的第二邦定线单元。
29.根据权利要求23所述的射频功率组件，其特征在于，所述第二邦定线组的中心区域包括至少两个弧高相等的第二邦定线单元。
30.根据权利要求24所述的射频功率组件，其特征在于，所述第二邦定线组的中心区域包括至少两个弧高相等的第二邦定线单元。
31.如权利要求22所述的射频功率组件，其特征在于，相邻的两个第二邦定线单元之间的距离相等。
32.如权利要求22所述的射频功率组件，其特征在于，所述第二邦定线单元包括多根邦定线，所述多根邦定线的弧高相同，所述第二邦定线单元的弧高顶点为其中任意一根邦定线的弧高顶点。
33.如权利要求23所述的射频功率组件，其特征在于，所述第二邦定线单元包括多根邦定线，所述多根邦定线的弧高相同，所述第二邦定线单元的弧高顶点为其中任意一根邦定线的弧高顶点。
34.如权利要求24所述的射频功率组件，其特征在于，所述第二邦定线单元包括多根邦定线，所述多根邦定线的弧高相同，所述第二邦定线单元的弧高顶点为其中任意一根邦定线的弧高顶点。
35.如权利要求25所述的射频功率组件，其特征在于，所述第二邦定线单元包括多根邦定线，所述多根邦定线的弧高相同，所述第二邦定线单元的弧高顶点为其中任意一根邦定线的弧高顶点。
36.如权利要求26所述的射频功率组件，其特征在于，所述第二邦定线单元包括多根邦定线，所述多根邦定线的弧高相同，所述第二邦定线单元的弧高顶点为其中任意一根邦定线的弧高顶点。
37.如权利要求27所述的射频功率组件，其特征在于，所述第二邦定线单元包括多根邦定线，所述多根邦定线的弧高相同，所述第二邦定线单元的弧高顶点为其中任意一根邦定线的弧高顶点。
38.如权利要求28所述的射频功率组件，其特征在于，所述第二邦定线单元包括多根邦定线，所述多根邦定线的弧高相同，所述第二邦定线单元的弧高顶点为其中任意一根邦定线的弧高顶点。
39.如权利要求29所述的射频功率组件，其特征在于，所述第二邦定线单元包括多根邦定线，所述多根邦定线的弧高相同，所述第二邦定线单元的弧高顶点为其中任意一根邦定线的弧高顶点。
40.如权利要求30所述的射频功率组件，其特征在于，所述第二邦定线单元包括多根邦定线，所述多根邦定线的弧高相同，所述第二邦定线单元的弧高顶点为其中任意一根邦定线的弧高顶点。
41.如权利要求31所述的射频功率组件，其特征在于，所述第二邦定线单元包括多根邦定线，所述多根邦定线的弧高相同，所述第二邦定线单元的弧高顶点为其中任意一根邦定线的弧高顶点。
42.根据权利要求22所述的射频功率组件，其特征在于，所述第二邦定线组是以所述第二邦定线组的中间位置为对称轴的轴对称结构。
43.根据权利要求23所述的射频功率组件，其特征在于，所述第二邦定线组是以所述第二邦定线组的中间位置为对称轴的轴对称结构。
44.根据权利要求24所述的射频功率组件，其特征在于，所述第二邦定线组是以所述第二邦定线组的中间位置为对称轴的轴对称结构。
45.根据权利要求25所述的射频功率组件，其特征在于，所述第二邦定线组是以所述第二邦定线组的中间位置为对称轴的轴对称结构。
46.根据权利要求26所述的射频功率组件，其特征在于，所述第二邦定线组是以所述第二邦定线组的中间位置为对称轴的轴对称结构。
47.根据权利要求27所述的射频功率组件，其特征在于，所述第二邦定线组是以所述第二邦定线组的中间位置为对称轴的轴对称结构。
48.根据权利要求28所述的射频功率组件，其特征在于，所述第二邦定线组是以所述第二邦定线组的中间位置为对称轴的轴对称结构。
49.根据权利要求29所述的射频功率组件，其特征在于，所述第二邦定线组是以所述第二邦定线组的中间位置为对称轴的轴对称结构。
50.根据权利要求30所述的射频功率组件，其特征在于，所述第二邦定线组是以所述第二邦定线组的中间位置为对称轴的轴对称结构。
51.根据权利要求31所述的射频功率组件，其特征在于，所述第二邦定线组是以所述第二邦定线组的中间位置为对称轴的轴对称结构。
52.根据权利要求32所述的射频功率组件，其特征在于，所述第二邦定线组是以所述第二邦定线组的中间位置为对称轴的轴对称结构。
53.根据权利要求33所述的射频功率组件，其特征在于，所述第二邦定线组是以所述第二邦定线组的中间位置为对称轴的轴对称结构。
54.根据权利要求34所述的射频功率组件，其特征在于，所述第二邦定线组是以所述第二邦定线组的中间位置为对称轴的轴对称结构。
55.根据权利要求35所述的射频功率组件，其特征在于，所述第二邦定线组是以所述第二邦定线组的中间位置为对称轴的轴对称结构。
56.根据权利要求36所述的射频功率组件，其特征在于，所述第二邦定线组是以所述第二邦定线组的中间位置为对称轴的轴对称结构。
57.根据权利要求37所述的射频功率组件，其特征在于，所述第二邦定线组是以所述第二邦定线组的中间位置为对称轴的轴对称结构。
58.根据权利要求38所述的射频功率组件，其特征在于，所述第二邦定线组是以所述第二邦定线组的中间位置为对称轴的轴对称结构。
59.根据权利要求39所述的射频功率组件，其特征在于，所述第二邦定线组是以所述第二邦定线组的中间位置为对称轴的轴对称结构。
60.根据权利要求40所述的射频功率组件，其特征在于，所述第二邦定线组是以所述第二邦定线组的中间位置为对称轴的轴对称结构。
61.根据权利要求41所述的射频功率组件，其特征在于，所述第二邦定线组是以所述第二邦定线组的中间位置为对称轴的轴对称结构。
62.如权利要求1-21任一所述的射频功率组件，其特征在于，所述第一器件和所述第二器件均为放大器芯片，或者所述第一器件为放大器芯片且第二器件为电容芯片，或者所述第一器件和所述第二器件均为电容芯片。
63.如权利要求23所述的射频功率组件，其特征在于，所述第一器件和所述第二器件均为放大器芯片，或者所述第一器件为放大器芯片且第二器件为电容芯片，或者所述第一器件和所述第二器件均为电容芯片。
64.如权利要求24所述的射频功率组件，其特征在于，所述第一器件和所述第二器件均为放大器芯片，或者所述第一器件为放大器芯片且第二器件为电容芯片，或者所述第一器件和所述第二器件均为电容芯片。
65.如权利要求25所述的射频功率组件，其特征在于，所述第一器件和所述第二器件均为放大器芯片，或者所述第一器件为放大器芯片且第二器件为电容芯片，或者所述第一器件和所述第二器件均为电容芯片。
66.如权利要求26所述的射频功率组件，其特征在于，所述第一器件和所述第二器件均为放大器芯片，或者所述第一器件为放大器芯片且第二器件为电容芯片，或者所述第一器件和所述第二器件均为电容芯片。
67.如权利要求27所述的射频功率组件，其特征在于，所述第一器件和所述第二器件均为放大器芯片，或者所述第一器件为放大器芯片且第二器件为电容芯片，或者所述第一器件和所述第二器件均为电容芯片。
68.如权利要求28所述的射频功率组件，其特征在于，所述第一器件和所述第二器件均为放大器芯片，或者所述第一器件为放大器芯片且第二器件为电容芯片，或者所述第一器件和所述第二器件均为电容芯片。
69.如权利要求29所述的射频功率组件，其特征在于，所述第一器件和所述第二器件均为放大器芯片，或者所述第一器件为放大器芯片且第二器件为电容芯片，或者所述第一器件和所述第二器件均为电容芯片。
70.如权利要求30所述的射频功率组件，其特征在于，所述第一器件和所述第二器件均为放大器芯片，或者所述第一器件为放大器芯片且第二器件为电容芯片，或者所述第一器件和所述第二器件均为电容芯片。
71.如权利要求31所述的射频功率组件，其特征在于，所述第一器件和所述第二器件均为放大器芯片，或者所述第一器件为放大器芯片且第二器件为电容芯片，或者所述第一器件和所述第二器件均为电容芯片。
72.如权利要求32所述的射频功率组件，其特征在于，所述第一器件和所述第二器件均为放大器芯片，或者所述第一器件为放大器芯片且第二器件为电容芯片，或者所述第一器件和所述第二器件均为电容芯片。
73.如权利要求33所述的射频功率组件，其特征在于，所述第一器件和所述第二器件均为放大器芯片，或者所述第一器件为放大器芯片且第二器件为电容芯片，或者所述第一器件和所述第二器件均为电容芯片。
74.如权利要求34所述的射频功率组件，其特征在于，所述第一器件和所述第二器件均为放大器芯片，或者所述第一器件为放大器芯片且第二器件为电容芯片，或者所述第一器件和所述第二器件均为电容芯片。
75.如权利要求35所述的射频功率组件，其特征在于，所述第一器件和所述第二器件均为放大器芯片，或者所述第一器件为放大器芯片且第二器件为电容芯片，或者所述第一器件和所述第二器件均为电容芯片。
76.如权利要求36所述的射频功率组件，其特征在于，所述第一器件和所述第二器件均为放大器芯片，或者所述第一器件为放大器芯片且第二器件为电容芯片，或者所述第一器件和所述第二器件均为电容芯片。
77.如权利要求37所述的射频功率组件，其特征在于，所述第一器件和所述第二器件均为放大器芯片，或者所述第一器件为放大器芯片且第二器件为电容芯片，或者所述第一器件和所述第二器件均为电容芯片。
78.如权利要求38所述的射频功率组件，其特征在于，所述第一器件和所述第二器件均为放大器芯片，或者所述第一器件为放大器芯片且第二器件为电容芯片，或者所述第一器件和所述第二器件均为电容芯片。
79.如权利要求39所述的射频功率组件，其特征在于，所述第一器件和所述第二器件均为放大器芯片，或者所述第一器件为放大器芯片且第二器件为电容芯片，或者所述第一器件和所述第二器件均为电容芯片。
80.如权利要求40所述的射频功率组件，其特征在于，所述第一器件和所述第二器件均为放大器芯片，或者所述第一器件为放大器芯片且第二器件为电容芯片，或者所述第一器件和所述第二器件均为电容芯片。
81.如权利要求41所述的射频功率组件，其特征在于，所述第一器件和所述第二器件均为放大器芯片，或者所述第一器件为放大器芯片且第二器件为电容芯片，或者所述第一器件和所述第二器件均为电容芯片。
82.如权利要求42所述的射频功率组件，其特征在于，所述第一器件和所述第二器件均为放大器芯片，或者所述第一器件为放大器芯片且第二器件为电容芯片，或者所述第一器件和所述第二器件均为电容芯片。
83.如权利要求43所述的射频功率组件，其特征在于，所述第一器件和所述第二器件均为放大器芯片，或者所述第一器件为放大器芯片且第二器件为电容芯片，或者所述第一器件和所述第二器件均为电容芯片。
84.如权利要求44所述的射频功率组件，其特征在于，所述第一器件和所述第二器件均为放大器芯片，或者所述第一器件为放大器芯片且第二器件为电容芯片，或者所述第一器件和所述第二器件均为电容芯片。
85.如权利要求45所述的射频功率组件，其特征在于，所述第一器件和所述第二器件均为放大器芯片，或者所述第一器件为放大器芯片且第二器件为电容芯片，或者所述第一器件和所述第二器件均为电容芯片。
86.如权利要求46所述的射频功率组件，其特征在于，所述第一器件和所述第二器件均为放大器芯片，或者所述第一器件为放大器芯片且第二器件为电容芯片，或者所述第一器件和所述第二器件均为电容芯片。
87.如权利要求47所述的射频功率组件，其特征在于，所述第一器件和所述第二器件均为放大器芯片，或者所述第一器件为放大器芯片且第二器件为电容芯片，或者所述第一器件和所述第二器件均为电容芯片。
88.如权利要求48所述的射频功率组件，其特征在于，所述第一器件和所述第二器件均为放大器芯片，或者所述第一器件为放大器芯片且第二器件为电容芯片，或者所述第一器件和所述第二器件均为电容芯片。
89.如权利要求49所述的射频功率组件，其特征在于，所述第一器件和所述第二器件均为放大器芯片，或者所述第一器件为放大器芯片且第二器件为电容芯片，或者所述第一器件和所述第二器件均为电容芯片。
90.如权利要求50所述的射频功率组件，其特征在于，所述第一器件和所述第二器件均为放大器芯片，或者所述第一器件为放大器芯片且第二器件为电容芯片，或者所述第一器件和所述第二器件均为电容芯片。
91.如权利要求51所述的射频功率组件，其特征在于，所述第一器件和所述第二器件均为放大器芯片，或者所述第一器件为放大器芯片且第二器件为电容芯片，或者所述第一器件和所述第二器件均为电容芯片。
92.如权利要求52所述的射频功率组件，其特征在于，所述第一器件和所述第二器件均为放大器芯片，或者所述第一器件为放大器芯片且第二器件为电容芯片，或者所述第一器件和所述第二器件均为电容芯片。
93.如权利要求53所述的射频功率组件，其特征在于，所述第一器件和所述第二器件均为放大器芯片，或者所述第一器件为放大器芯片且第二器件为电容芯片，或者所述第一器件和所述第二器件均为电容芯片。
94.如权利要求54所述的射频功率组件，其特征在于，所述第一器件和所述第二器件均为放大器芯片，或者所述第一器件为放大器芯片且第二器件为电容芯片，或者所述第一器件和所述第二器件均为电容芯片。
95.如权利要求55所述的射频功率组件，其特征在于，所述第一器件和所述第二器件均为放大器芯片，或者所述第一器件为放大器芯片且第二器件为电容芯片，或者所述第一器件和所述第二器件均为电容芯片。
96.如权利要求56所述的射频功率组件，其特征在于，所述第一器件和所述第二器件均为放大器芯片，或者所述第一器件为放大器芯片且第二器件为电容芯片，或者所述第一器件和所述第二器件均为电容芯片。
97.如权利要求57所述的射频功率组件，其特征在于，所述第一器件和所述第二器件均为放大器芯片，或者所述第一器件为放大器芯片且第二器件为电容芯片，或者所述第一器件和所述第二器件均为电容芯片。
98.如权利要求58所述的射频功率组件，其特征在于，所述第一器件和所述第二器件均为放大器芯片，或者所述第一器件为放大器芯片且第二器件为电容芯片，或者所述第一器件和所述第二器件均为电容芯片。
99.如权利要求59所述的射频功率组件，其特征在于，所述第一器件和所述第二器件均为放大器芯片，或者所述第一器件为放大器芯片且第二器件为电容芯片，或者所述第一器件和所述第二器件均为电容芯片。
100.如权利要求60所述的射频功率组件，其特征在于，所述第一器件和所述第二器件均为放大器芯片，或者所述第一器件为放大器芯片且第二器件为电容芯片，或者所述第一器件和所述第二器件均为电容芯片。
101.如权利要求61所述的射频功率组件，其特征在于，所述第一器件和所述第二器件均为放大器芯片，或者所述第一器件为放大器芯片且第二器件为电容芯片，或者所述第一器件和所述第二器件均为电容芯片。
102.如权利要求22所述的射频功率组件，其特征在于，所述第一器件和所述第二器件均为放大器芯片，或者所述第一器件为放大器芯片且第二器件为电容芯片，或者所述第一器件和所述第二器件均为电容芯片。
103.一种射频信号收发设备，其特征在于，包括如权利要求1-102项任一项所述的射频功率组件，以及天线，其中，所述射频功率组件用于处理射频信号；所述天线用于接收经过所述射频功率组件处理的射频信号并发射。
CN201480030190.XA 2014-09-23 2014-09-23 射频功率组件及射频信号收发设备 Active CN105637621B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811032774.7A CN109065517B (zh) 2014-09-23 2014-09-23 射频功率组件及射频信号收发设备

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/CN2014/087183 WO2016044993A1 (zh) 2014-09-23 2014-09-23 射频功率组件及射频信号收发设备

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201811032774.7A Division CN109065517B (zh) 2014-09-23 2014-09-23 射频功率组件及射频信号收发设备

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN105637621A CN105637621A (zh) 2016-06-01
CN105637621B true CN105637621B (zh) 2018-09-28

Family

ID=55580042

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201480030190.XA Active CN105637621B (zh) 2014-09-23 2014-09-23 射频功率组件及射频信号收发设备
CN201811032774.7A Active CN109065517B (zh) 2014-09-23 2014-09-23 射频功率组件及射频信号收发设备

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201811032774.7A Active CN109065517B (zh) 2014-09-23 2014-09-23 射频功率组件及射频信号收发设备

Country Status (6)

Country Link
US (1) US10347596B2 (zh)
EP (1) EP3188221B1 (zh)
JP (1) JP6523439B2 (zh)
KR (1) KR101941795B1 (zh)
CN (2) CN105637621B (zh)
WO (1) WO2016044993A1 (zh)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20170287380A1 (en) * 2016-04-05 2017-10-05 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Cof structure, driving circuit and display device
WO2019229796A1 (ja) * 2018-05-28 2019-12-05 三菱電機株式会社 増幅器
CN112216686A (zh) * 2019-07-09 2021-01-12 上海华为技术有限公司 一种封装结构以及功率放大器

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102506347A (zh) * 2011-08-26 2012-06-20 友达光电股份有限公司 发光二极管灯条及背光模块

Family Cites Families (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61220357A (ja) * 1985-03-26 1986-09-30 Nec Corp 高周波高出力トランジスタ
JPS62206844A (ja) * 1986-03-06 1987-09-11 Nec Corp 高周波トランジスタ
JPH0697203B2 (ja) 1986-08-29 1994-11-30 富士レビオ株式会社 粒子凝集判定装置
JPH0697203A (ja) * 1992-05-28 1994-04-08 Nec Corp 半導体装置
JP2795251B2 (ja) * 1996-02-21 1998-09-10 日本電気株式会社 半導体装置
JPH11238851A (ja) * 1998-02-23 1999-08-31 Hitachi Ltd 集積回路装置およびそれを用いた通信機
JP2001148616A (ja) * 1999-11-19 2001-05-29 Nec Corp 高周波増幅器
JP2003110382A (ja) * 2001-09-27 2003-04-11 Mitsubishi Electric Corp マイクロ波半導体増幅器
CN1191001C (zh) * 2001-10-24 2005-02-23 矽统科技股份有限公司 一种电路基板
CN1195323C (zh) * 2001-11-05 2005-03-30 扬智科技股份有限公司 阵列式焊垫的晶片封装结构
DE10204157B4 (de) * 2002-02-01 2005-03-03 Semikron Elektronik Gmbh Drahtbondverbindung für Leistungshalbleiterbauelemente
TWI242275B (en) * 2003-05-16 2005-10-21 Via Tech Inc Multi-column wire bonding structure and layout method for high-frequency IC
US6812580B1 (en) * 2003-06-09 2004-11-02 Freescale Semiconductor, Inc. Semiconductor package having optimized wire bond positioning
JP2005064248A (ja) * 2003-08-12 2005-03-10 Renesas Technology Corp 半導体装置およびその製造方法
JP2005251957A (ja) * 2004-03-04 2005-09-15 Renesas Technology Corp 半導体装置
US7675168B2 (en) * 2005-02-25 2010-03-09 Agere Systems Inc. Integrated circuit with staggered differential wire bond pairs
US7456505B2 (en) * 2005-07-29 2008-11-25 Infineon Technologies Ag Integrated circuit chip and integrated device
US7786603B2 (en) * 2005-10-28 2010-08-31 Freescale Semiconductor, Inc. Electronic assembly having graded wire bonding
JP2007141969A (ja) * 2005-11-15 2007-06-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd テープ配線基板およびその製造方法ならびに半導体装置
US8352232B2 (en) * 2007-10-25 2013-01-08 Georgia Tech Research Corporation Modeling electrical interconnections in three-dimensional structures
US8431973B2 (en) * 2008-12-10 2013-04-30 Kabushiki Kaisha Toshiba High frequency semiconductor device
JP5375307B2 (ja) * 2009-04-23 2013-12-25 株式会社村田製作所 半導体装置
SG169241A1 (en) * 2009-08-12 2011-03-30 Sony Corp An integrated circuit
DE102009029040A1 (de) * 2009-08-31 2011-03-03 Robert Bosch Gmbh Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
US9123713B2 (en) * 2010-11-24 2015-09-01 Tessera, Inc. Lead structures with vertical offsets
EP2463905B1 (en) * 2010-12-10 2014-10-01 Nxp B.V. Packaged RF transistor with special supply voltage leads
US8889995B2 (en) * 2011-03-03 2014-11-18 Skyworks Solutions, Inc. Wire bond pad system and method
EP2681765B1 (en) * 2011-03-03 2022-04-06 Skyworks Solutions, Inc. Apparatus and method related to reduction of RF signal losses
CN104169032B (zh) * 2012-03-15 2016-03-16 松下知识产权经营株式会社 电弧焊接方法和电弧焊接装置
US9281283B2 (en) * 2012-09-12 2016-03-08 Freescale Semiconductor, Inc. Semiconductor devices with impedance matching-circuits
CN202977406U (zh) * 2012-11-14 2013-06-05 华东科技股份有限公司 避免打线造成晶片断裂的多晶片堆叠封装结构
US8680690B1 (en) * 2012-12-07 2014-03-25 Nxp B.V. Bond wire arrangement for efficient signal transmission
CN103500736B (zh) * 2013-08-22 2017-04-26 上海华虹宏力半导体制造有限公司 芯片封装结构和芯片封装方法
US20150221592A1 (en) * 2014-02-03 2015-08-06 Chetan Verma Semiconductor device with package-level decoupling capacitors formed with bond wires

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102506347A (zh) * 2011-08-26 2012-06-20 友达光电股份有限公司 发光二极管灯条及背光模块

Also Published As

Publication number Publication date
EP3188221A4 (en) 2017-09-27
KR20170063775A (ko) 2017-06-08
CN109065517B (zh) 2020-12-01
KR101941795B1 (ko) 2019-01-23
CN109065517A (zh) 2018-12-21
EP3188221B1 (en) 2021-08-18
WO2016044993A1 (zh) 2016-03-31
US20170194282A1 (en) 2017-07-06
JP6523439B2 (ja) 2019-05-29
JP2017531914A (ja) 2017-10-26
CN105637621A (zh) 2016-06-01
US10347596B2 (en) 2019-07-09
EP3188221A1 (en) 2017-07-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9935379B2 (en) Communication system node comprising a re-configuration network
CN102110900B (zh) 一种移动终端的阵列天线及其实现方法
CN105870612B (zh) 宽带紧凑型微带阵列天线
CN105637621B (zh) 射频功率组件及射频信号收发设备
US10680303B2 (en) Combiner with a common port and a dually layered cavity
CN103956564B (zh) 一种宽带双极化辐射单元及天线
CN104134856B (zh) 一种双极化宽频天线振子单元以及宽频双极化天线
CN106129596A (zh) 天线辐射单元及多频宽带基站天线
CN104979635B (zh) 一种阵列天线
CN105552519A (zh) 一种宽频双极化辐射单元及基站天线
CN104269618B (zh) 频率可重构微带天线及其开关配置方法
CN106299689B (zh) 一种超宽带低剖面垂直极化全向天线
CN105703084B (zh) 一种室分天线
RU172803U1 (ru) Широкополосная направленная антенна с двойной поляризацией
CN104064867B (zh) 多频段辐射单元及移动通信天线
CN103682594B (zh) 低频辐射单元以及双频天线
CN104836008B (zh) 一种频率大范围可重构的功率分配器
CN207116684U (zh) 一种套筒式lte宽频微带全向天线
CN106027077B (zh) 集成载波聚合的射频前端装置及包含其的移动终端
CN105071025B (zh) 一种双室内吸顶宽带全向mimo天线
CN106299640A (zh) 微带天线
Zhang et al. Diagonal antenna-chassis mode for wideband LTE MIMO antenna arrays in mobile handsets
CN103618149A (zh) 一种双极化辐射单元及天线
CN205846229U (zh) 一种微带天线
CN204103039U (zh) 频率可重构微带天线

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant