CN105632898A - 一种厚膜光刻加工方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种LTCC模块表面线条精细化加工的方法。一种厚膜光刻加工方法，包括以下步骤：步骤1：Au的厚膜导体浆料进行丝网印刷加工；步骤2：将上述经过丝网印刷的产品干燥十分钟后烘干，并进行烧结；步骤3：对烧结后的导体表面进行匀胶、曝光以及显影，制作出特定形状的掩膜；步骤4：将上述掩膜进行刻蚀；步骤5：刻蚀后采用配套去胶液将多余光刻胶去除；步骤6：在750-850℃下重新烧结后获得所需的图形。本发明采用可刻蚀的厚膜浆料，该种材料具有电导率高、精度高、键合性好等特点，采用本方法加工的线条一般可达25um，衬底状态良好，最细线条可做到10um，通过本加工方法加工的线宽为50um，本方法简单易行，易于操作。
Description
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种LTCC模块表面线条精细化加工的方法。
背景技术
随着通信电子产品逐渐向小型化、高频化等方向发展，模块的尺寸也越来越小。LTCC（低温共烧陶瓷）电路模块由于具有较低的功耗、低的烧成温度、高集成度、可内置无源元件等特点，已经成为制造高集成度电子系统的有利手段之一，在微组装中发挥了重要作用。由于LTCC模块表面线条的精细加工可以提升整体性能，也已经成为LTCC加工中的一项研究热点。
发明内容
本发明旨在提出用于LTCC模块表面线条精细化的一种厚膜光刻加工方法。
本发明的技术方案在于：
一种厚膜光刻加工方法，包括以下步骤：
步骤1：Au的厚膜导体浆料进行丝网印刷加工；
步骤2：将上述经过丝网印刷的产品干燥十分钟后烘干，并进行烧结；
步骤3：对烧结后的导体表面进行匀胶、曝光以及显影，制作出特定形状的掩膜；
步骤4：将上述掩膜进行刻蚀；
步骤5：刻蚀后采用配套去胶液将多余光刻胶去除；
步骤6：在750-850℃下重新烧结后获得所需的图形。
优选地，所述的丝网印刷时采用传统的D33u
m网版。
优选地，所述的烧结温度为750-850℃。
或者优选地，所述的刻蚀溶液为Au导体层的刻蚀溶液12/KI。
或者优选地，所述的配套去胶液为丙酮。
本发明的技术效果在于：
本发明采用可刻蚀的厚膜浆料，该种材料具有电导率高、精度高、键合性好等特点，采用本方法加工的线条一般可达25um，衬底状态良好，最细线条可做到10um，通过本加工方法加工的线宽为50um，本方法简单易行，易于操作。
具体实施方式
一种厚膜光刻加工方法，包括以下步骤：
步骤1：Au的厚膜导体浆料进行丝网印刷加工；
步骤2：将上述经过丝网印刷的产品干燥十分钟后烘干，并进行烧结；
步骤3：对烧结后的导体表面进行匀胶、曝光以及显影，制作出特定形状的掩膜；
步骤4：将上述掩膜进行刻蚀；
步骤5：刻蚀后采用配套去胶液将多余光刻胶去除；
步骤6：在750-850℃下重新烧结后获得所需的图形。
其中，丝网印刷时采用传统的D33um网版。烧结温度为750-850℃。刻蚀溶液为Au导体层的刻蚀溶液12/KI。配套去胶液为丙酮。
在本加工过程中用到的典型设备包括印刷机、匀胶机、UV曝光机、显影机、去胶台、刻蚀台、烧结炉等。采用本方法加工的线条一般可达25um，衬底状态良好，最细线条可做到10um，通过本加工方法加工的线宽为50um。
Claims (5)
1.一种厚膜光刻加工方法，其特征在于：包括以下步骤：
步骤1：Au的厚膜导体浆料进行丝网印刷加工；
步骤2：将上述经过丝网印刷的产品干燥十分钟后烘干，并进行烧结；
步骤3：对烧结后的导体表面进行匀胶、曝光以及显影，制作出特定形状的掩膜；
步骤4：将上述掩膜进行刻蚀；
步骤5：刻蚀后采用配套去胶液将多余光刻胶去除；
步骤6：在750-850℃下重新烧结后获得所需的图形。
2.如权利要求1一种厚膜光刻加工方法，其特征在于：所述的丝网印刷时采用传统的D33um网版。
3.如权利要求1一种厚膜光刻加工方法，其特征在于：所述的烧结温度为750-850℃。
4.如权利要求1一种厚膜光刻加工方法，其特征在于：所述的刻蚀溶液为Au导体层的刻蚀溶液12/KI。
5.如权利要求1一种厚膜光刻加工方法，其特征在于：所述的配套去胶液为丙酮。
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| CN201410595896.2A CN105632898A (zh) | 2014-10-30 | 2014-10-30 | 一种厚膜光刻加工方法 |
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Family
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| CN201410595896.2A Pending CN105632898A (zh) | 2014-10-30 | 2014-10-30 | 一种厚膜光刻加工方法 |
Country Status (1)
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| CN (1) | CN105632898A (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110613167A (zh) * | 2019-09-17 | 2019-12-27 | 深圳市新宜康科技股份有限公司 | 雾化器微孔陶瓷加热装置及其制备工艺 |
| CN113534618A (zh) * | 2021-07-19 | 2021-10-22 | 深圳瑞森特电子科技有限公司 | 加热厚膜的制造方法 |
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2014
- 2014-10-30 CN CN201410595896.2A patent/CN105632898A/zh active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110613167A (zh) * | 2019-09-17 | 2019-12-27 | 深圳市新宜康科技股份有限公司 | 雾化器微孔陶瓷加热装置及其制备工艺 |
| CN110613167B (zh) * | 2019-09-17 | 2022-07-19 | 深圳市新宜康科技股份有限公司 | 雾化器微孔陶瓷加热装置及其制备工艺 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20160601 |
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| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |