CN105575569A - 热敏电阻芯片及其制备方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种热敏电阻芯片及其制备方法，其原料包括如下质量比的组分：硝酸锰40-60％、硝酸钴20-35％、硝酸镍10-20％、硝酸铝5-10％，所述原料均为化学纯晶体，将上述晶体溶解于去离子水中配制成混合溶液，将混合溶液进行热分解得到混合粉体，将粉体与溶剂、粘合剂、分散剂及增塑剂混合配制成浆料，并将浆料通过湿法流延成膜得到巴块，巴块经过烘干、切割、排胶、烧结、抛磨、涂银、划片工艺后，即得到所述热敏电阻芯片。本发明提供的热敏电阻芯片的电阻率为20-30KΩ·mm，材料B值为4100-4700K，其制备方法简单且无需沉淀静置或凝胶过程，具有灵敏度高、能耗少、生产周期短的特点。

Description

热敏电阻芯片及其制备方法

技术领域

本发明涉及热敏电阻生产技术领域，具体地，涉及一种热敏电阻芯片及其制备方法。

背景技术

热敏电阻是一种电阻阻值会随温度升高而变化的电阻，通常用电阻温度系数来表示温度改变1度时电阻值的相对变化率。由于制造方法和烧结温度的不同，每个热敏电阻有且只有一个材料常数B值，且B值与电阻温度系数正相关，即B值越大，其电阻温度系数越大，电阻阻值受到温度变化的影响越大，热敏电阻本身的灵敏性就越好。热敏电阻被广泛应用于电力电信、家用电器、汽车及医疗等领域，尤其是在温度控制、温度检测及集成电路保护上起到重要作用。其生产原理是将镍、锰、钴等金属氧化物混合共热并在高温下煅烧，得到组分均一的亚微米级超细粉体，即粒径在100-1000nm范围内的高活性粉体颗粒，再对其进行深加工，由于金属氧化物是固体且在混合时难以避免出现混合不均、粒度差异大的问题，会对生产出的热敏电阻的精度和可靠性产生影响，目前可通过溶胶-凝胶法和液相共沉淀法对该问题进行改善。

专利CN200310108060公开了一种多层片式负温度系数热敏电阻及其制备方法，是由硝酸镍、乙酸锰、乙酸钴、硝酸镁、硝酸铝、硝酸铬为原料，以柠檬酸为络合剂，将原料与络合剂分别溶解于去离子水中并相互混合，调节混合溶液的pH值并在60-90℃下得到干凝胶，使各组分混合均匀且粒径一致，再在180-220℃下得到浅黄色粉末，研磨后在600-900℃下煅烧分解得到黑色精细粉体，然后通过湿法流延、叠片、热压、切割、排胶、烧结、倒角、涂银、划片等工艺得到成品热敏电阻。该热敏电阻的B值为3500-4500K，具有精度高、灵敏性好的特点，但凝胶过程通常需要3-5天的时间，大大延长了生产时间，降低了生产效率，加之该过程中还需要不断加热使其保持一个较高的温度，能耗很大，致使生产成本也被提高。

专利CN200910113607公开了一种三元系芯片型负温度系数热敏电阻器，是由硝酸锰、硝酸镍、硝酸钴为原料，以碳酸氢铵为沉淀剂，将原料与沉淀剂分别溶解于去离子水中并将二者缓慢混合，采用液相共沉淀法并通过调节混合溶液中硝酸盐与沉淀剂的摩尔比及pH值得到混合沉淀，对其多次洗涤以除去杂质，干燥后得到微细、均匀的粉末，充分研磨后在700-900℃下煅烧分解得到热敏电阻纳米粉体，然后通过压块成型、冷等静压、高温烧结、半导体切割、涂烧电极、划片等工艺得到热敏电阻芯片，最后经环氧树脂封装得到成品热敏电阻器。该热敏电阻器具有一致性好、稳定高、可重复的特点，但其B值仅为3880-3960K，灵敏性不高，同时由于沉淀剂的加入速度非常缓慢且沉淀产生后需静置1-2天，同样延长了生产时间，降低了生产效率，加之该过程中还需要对其不断加热乃至于烘干，能耗很大，致使生产成本也被提高。

发明内容

为克服现有技术中生产周期长、生产效率低、能耗大的技术问题，本发明提供一种灵敏性好、能耗少、生产周期短的热敏电阻芯片及其制备方法。

一种热敏电阻芯片，其原料包括如下质量百分含量的组分：硝酸锰40-60％、硝酸钴20-35％、硝酸镍10-20％、硝酸铝5-10％，且所述原料均为化学纯晶体，将上述晶体溶解于去离子水中并搅拌均匀，配制成混合溶液，将混合溶液进行热分解得到混合粉体，将粉体与溶剂、粘合剂、分散剂及增塑剂混合配制成浆料，并将浆料通过湿法流延成膜及其后处理工艺后，即可得到所述热敏电阻芯片。

根据本发明所述热敏电阻芯片的制备方法，具体按如下步骤进行：

1)按质量比称取硝酸锰、硝酸钴、硝酸镍和硝酸铝的晶体，将上述晶体充分溶解于去离子水中并配制成混合溶液，搅拌均匀；

2)将混合溶液导入热分解塔中，在600-900℃下进行高温分解，得到亚微米级的尖晶石结构粉体；

3)将粉体与溶剂、粘合剂、分散剂及增塑剂混合配制成浆料，并用球磨机对浆料进行充分研磨；

4)浆料在流延机上流延成膜，可根据产品所需厚度重复成膜，且每次成膜后都要对其进行2-10分钟的快速烘干，最终得到成型的巴块；

5)将成型的巴块在45-75℃的环境下烘干，并对其进行切割、排胶、烧结、抛磨、倒角、涂银、划片工艺，得到所述热敏电阻芯片。

根据本发明所述制备方法的一个优选实施例，所述步骤1)中的混合晶体与去离子水的质量比为1:0.4-0.7。

根据本发明所述制备方法的一个优选实施例，所述步骤3)中的浆料组分的质量比为：粉体:溶剂:粘合剂:分散剂:增塑剂＝1:0.4-0.7:0.5-0.8:0.005-0.02:0.01-0.04。

根据本发明所述制备方法的一个优选实施例，所述溶剂为醋酸正丙酯和异丁醇的混合溶液。

根据本发明所述制备方法的一个优选实施例，所述溶剂中醋酸正丙酯的含量高于异丁醇的含量。

根据本发明所述制备方法的一个优选实施例，所述粘合剂为丙烯酸树脂，所述分散剂为聚乙二醇辛基苯基醚，所述增塑剂为邻苯二甲酸二丁酯。

根据本发明所述制备方法的一个优选实施例，所述步骤4)中每一次成膜的厚度为20-60um，成膜后的烘干温度为70-120℃。

根据本发明所述制备方法的一个优选实施例，所述步骤5)中对巴块进行烘干操作时，使其在45-55℃、56-65℃及66-75℃的环境下各烘干24小时。

根据本发明所述制备方法的一个优选实施例，所述步骤5)中的烧结温度为1150-1250℃，烧结时间为3-6小时

本发明提供的技术方案具有如下有益效果：

1、所述热敏电阻芯片的电阻率范围为20-30KΩ·mm，B值范围为4100-4700K，其电阻精度高、材料稳定性及灵敏性好，能够被广泛应用于高精度测温及控温领域。

2、所述热敏电阻芯片的制备方法简单，无需沉淀静置或凝胶过程，不仅大大缩短了生产时间，提高了生产效率，还减少了上述过程中因加热步骤带来的巨大能耗，降低了生产成本，达到节能环保的效果。

具体实施方式

下面将对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。

一种热敏电阻芯片，其原料包括如下质量百分含量的组分：硝酸锰40-60％、硝酸钴20-35％、硝酸镍10-20％、硝酸铝5-10％，且所述原料均为化学纯晶体，将上述晶体溶解于去离子水中并搅拌均匀，配制成混合溶液，将混合溶液进行热分解得到混合粉体，将粉体与溶剂、粘合剂、分散剂及增塑剂混合配制成浆料，并将浆料通过湿法流延成膜得到巴块，成型的巴块经过烘干、切割、排胶、烧结、抛磨、涂银、划片工艺后，即可得到所述热敏电阻芯片。

在上述配制浆料的过程中，使用的溶剂为醋酸正丙酯和异丁醇的混合溶液，此二者极性较大，可使粉体溶解地更加充分、均匀，且相对于甲苯及丁酮等有毒溶剂来说更加环保。

实施例1

1)按照50％、27％、15％和8％的比例称取775g硝酸锰、418.5g硝酸钴、232.5g硝酸镍和124g硝酸铝，将上述物质按照1:0.65的质量比充分溶解于1L去离子水中，搅拌均匀，配制成混合溶液；

2)将混合溶液导入热分解塔中，在900℃下进行高温分解，得到亚微米级的尖晶石结构粉体1460g；

3)按照1:0.6:0.55:0.01:0.03的质量比，将粉体与876g溶剂、803g粘合剂、14.6g分散剂及43.8g增塑剂混合配制成浆料，并将浆料放入球磨机中充分研磨24小时，其中，溶剂中醋酸正丙酯与异丁醇的质量比为3:1，粘合剂为丙烯酸树脂，分散剂为聚乙二醇辛基苯基醚，增塑剂为邻苯二甲酸二丁酯；

4)浆料在流延机上重复成膜并形成巴块，且一次成膜的厚度为40um，每次成膜后在100℃下烘干4分钟；

5)将成型的巴块在50℃、60℃、70℃下各烘干24小时，然后对其进行切割、排胶，并在1200℃下烧结5小时，巴块经过抛磨、倒角、涂银、划片等工艺，得到热敏电阻芯片成品1。

实施例2

1)按照60％、20％、10％和10％的比例称取966g硝酸锰、322g硝酸钴、161g硝酸镍和161g硝酸铝，将上述物质按照1:0.62的质量比充分溶解于1L去离子水中，搅拌均匀，配制成混合溶液；

2)将混合溶液导入热分解塔中，在820℃下进行高温分解，得到亚微米级的尖晶石结构粉体1481g；

3)按照1:0.57:0.61:0.015:0.025的质量比，将粉体与844g溶剂、903.5g粘合剂、22.2g分散剂及37g增塑剂混合配制成浆料，并将浆料放入球磨机中充分研磨24小时，其中，溶剂中醋酸正丙酯与异丁醇的质量比为3:1，粘合剂为丙烯酸树脂，分散剂为聚乙二醇辛基苯基醚，增塑剂为邻苯二甲酸二丁酯；

4)浆料在流延机上重复成膜并形成巴块，且一次成膜的厚度为55um，每次成膜后在120℃下烘干7分钟；

5)将成型的巴块在45℃、57℃、66℃下各烘干24小时，然后对其进行切割、排胶，并在1250℃下烧结6小时，巴块经过抛磨、倒角、涂银、划片等工艺，得到热敏电阻芯片成品2。

实施例3

1)按照40％、35％、20％和5％的比例称取684g硝酸锰、598.5g硝酸钴、342g硝酸镍和85.5g硝酸铝，将上述物质按照1:0.59的质量比充分溶解于1L去离子水中，搅拌均匀，配制成混合溶液；

2)将混合溶液导入热分解塔中，在750℃下进行高温分解，得到亚微米级的尖晶石结构粉体1625g；

3)按照1:0.4:0.5:0.005:0.01的质量比，将粉体与650g溶剂、812.5g粘合剂、8.1g分散剂及16.3g增塑剂混合配制成浆料，并将浆料放入球磨机中充分研磨24小时，其中，溶剂中醋酸正丙酯与异丁醇的质量比为3:1，粘合剂为丙烯酸树脂，分散剂为聚乙二醇辛基苯基醚，增塑剂为邻苯二甲酸二丁酯；

4)浆料在流延机上重复成膜并形成巴块，且一次成膜的厚度为50um，每次成膜后在95℃下烘干5分钟；

5)将成型的巴块在48℃、56℃、72℃下各烘干24小时，然后对其进行切割、排胶，并在1150℃下烧结3小时，巴块经过抛磨、倒角、涂银、划片等工艺，得到热敏电阻芯片成品3。

实施例4

1)按照48％、27％、18％和7％的比例称取1200g硝酸锰、675g硝酸钴、450g硝酸镍和175g硝酸铝，将上述物质按照1:0.4的质量比充分溶解于1L去离子水中，搅拌均匀，配制成混合溶液；

2)将混合溶液导入热分解塔中，在680℃下进行高温分解，得到亚微米级的尖晶石结构粉体2337g；

3)按照1:0.7:0.8:0.02:0.04的质量比，将粉体与1636g溶剂、1870g粘合剂、46.7g分散剂及93.5g增塑剂混合配制成浆料，并将浆料放入球磨机中充分研磨24小时，其中，溶剂中醋酸正丙酯与异丁醇的质量比为3:1，粘合剂为丙烯酸树脂，分散剂为聚乙二醇辛基苯基醚，增塑剂为邻苯二甲酸二丁酯；

4)浆料在流延机上重复成膜并形成巴块，且一次成膜的厚度为35um，每次成膜后在70℃下烘干3分钟；

5)将成型的巴块在50℃、62℃、74℃下各烘干24小时，然后对其进行切割、排胶，并在1180℃下烧结4.5小时，巴块经过抛磨、倒角、涂银、划片等工艺，得到热敏电阻芯片成品4。

实施例5

1)按照50％、30％、12％和8％的比例称取714g硝酸锰、428.4g硝酸钴、171.4g硝酸镍和114.2g硝酸铝，将上述物质按照1:0.7的质量比充分溶解于1L去离子水中，搅拌均匀，配制成混合溶液；

2)将混合溶液导入热分解塔中，在600℃下进行高温分解，得到亚微米级的尖晶石结构粉体1352g；

3)按照1:0.45:0.55:0.012:0.02的质量比，将粉体与608.4g溶剂、743.6g粘合剂、16.2g分散剂及27g增塑剂混合配制成浆料，并将浆料放入球磨机中充分研磨24小时，其中，溶剂中醋酸正丙酯与异丁醇的质量比为3:1，粘合剂为丙烯酸树脂，分散剂为聚乙二醇辛基苯基醚，增塑剂为邻苯二甲酸二丁酯；

4)浆料在流延机上重复成膜并形成巴块，且一次成膜的厚度为38um，每次成膜后在110℃下烘干4分钟；

5)将成型的巴块在54℃、61℃、75℃下各烘干24小时，然后对其进行切割、排胶，并在1220℃下烧结5.5小时，巴块经过抛磨、倒角、涂银、划片等工艺，得到热敏电阻芯片成品5。

实施例6

1)按照50％、27％、15％和8％的比例称取770g硝酸锰、415.8g硝酸钴、231g硝酸镍和123.2g硝酸铝，将上述物质按照1:0.65的质量比充分溶解于1L去离子水中，搅拌均匀，配制成混合溶液；

2)将混合溶液导入热分解塔中，在900℃下进行高温分解，得到亚微米级的尖晶石结构粉体1416g；

3)按照1:0.6:0.55:0.01:0.03的质量比，将粉体与849.6g溶剂、778.8g粘合剂、14.2g分散剂及42.5g增塑剂混合配制成浆料，并将浆料放入球磨机中充分研磨24小时，其中，溶剂中醋酸正丙酯与异丁醇的质量比为1:1，粘合剂为丙烯酸树脂，分散剂为聚乙二醇辛基苯基醚，增塑剂为邻苯二甲酸二丁酯；

4)浆料在流延机上重复成膜并形成巴块，且一次成膜的厚度为40um，每次成膜后在100℃下烘干4分钟；

5)将成型的巴块在50℃、60℃、70℃下各烘干24小时，然后对其进行切割、排胶，并在1200℃下烧结5小时，巴块经过抛磨、倒角、涂银、划片等工艺，得到热敏电阻芯片成品6。

实施例7

1)按照50％、27％、15％和8％的比例称取770g硝酸锰、415.8g硝酸钴、231g硝酸镍和123.2g硝酸铝，将上述物质按照1:0.65的质量比充分溶解于1L去离子水中，搅拌均匀，配制成混合溶液；

2)将混合溶液导入热分解塔中，在900℃下进行高温分解，得到亚微米级的尖晶石结构粉体1443g；

3)按照1:0.6:0.55:0.01:0.03的质量比，将粉体与865.8g溶剂、793.7g粘合剂、14.4g分散剂及43.2g增塑剂混合配制成浆料，并将浆料放入球磨机中充分研磨24小时，其中，溶剂中醋酸正丙酯与异丁醇的质量比为3:1，粘合剂为聚乙烯醇缩丁醛，分散剂为聚乙二醇辛基苯基醚，增塑剂为邻苯二甲酸二丁酯；

4)浆料在流延机上重复成膜并形成巴块，且一次成膜的厚度为40um，每次成膜后在100℃下烘干4分钟；

5)将成型的巴块在50℃、60℃、70℃下各烘干24小时，然后对其进行切割、排胶，并在1200℃下烧结5小时，巴块经过抛磨、倒角、涂银、划片等工艺，得到热敏电阻芯片成品7。

实施例8

1)按照50％、27％、15％和8％的比例称取770g硝酸锰、415.8g硝酸钴、231g硝酸镍和123.2g硝酸铝，将上述物质按照1:0.65的质量比充分溶解于1L去离子水中，搅拌均匀，配制成混合溶液；

2)将混合溶液导入热分解塔中，在900℃下进行高温分解，得到亚微米级的尖晶石结构粉体1396g；

3)按照1:0.6:0.55:0.01:0.03的质量比，将粉体与837.6g溶剂、767.8g粘合剂、14g分散剂及41.9g增塑剂混合配制成浆料，并将浆料放入球磨机中充分研磨24小时，其中，溶剂中醋酸正丙酯与异丁醇的质量比为3:1，粘合剂为丙烯酸树脂，分散剂为三油酸甘油酯，增塑剂为邻苯二甲酸二丁酯；

4)浆料在流延机上重复成膜并形成巴块，且一次成膜的厚度为40um，每次成膜后在100℃下烘干4分钟；

5)将成型的巴块在50℃、60℃、70℃下各烘干24小时，然后对其进行切割、排胶，并在1200℃下烧结5小时，巴块经过抛磨、倒角、涂银、划片等工艺，得到热敏电阻芯片成品8。

实施例9

1)按照50％、27％、15％和8％的比例称取770g硝酸锰、415.8g硝酸钴、231g硝酸镍和123.2g硝酸铝，将上述物质按照1:0.65的质量比充分溶解于1L去离子水中，搅拌均匀，配制成混合溶液；

2)将混合溶液导入热分解塔中，在900℃下进行高温分解，得到亚微米级的尖晶石结构粉体1421g；

3)按照1:0.6:0.55:0.01:0.03的质量比，将粉体与852.6g溶剂、781.6g粘合剂、14.2g分散剂及42.6g增塑剂混合配制成浆料，并将浆料放入球磨机中充分研磨24小时，其中，溶剂中醋酸正丙酯与异丁醇的质量比为3:1，粘合剂为丙烯酸树脂，分散剂为聚乙二醇辛基苯基醚，增塑剂为已二酸二辛酯；

4)浆料在流延机上重复成膜并形成巴块，且一次成膜的厚度为40um，每次成膜后在100℃下烘干4分钟；

5)将成型的巴块在50℃、60℃、70℃下各烘干24小时，然后对其进行切割、排胶，并在1200℃下烧结5小时，巴块经过抛磨、倒角、涂银、划片等工艺，得到热敏电阻芯片成品9。

随上述1-9号实施例中的热敏电阻芯片成品进行检测，所得数据见表一。

表一

	电阻率(KΩ·mm)	材料B值(K)
			1	24.3	4300
2	29.3	4680
			3	27.8	4500
4	22.5	4220
			5	26.2	4460
6	22.9	4250
			7	23.3	4270
8	22.5	4210
			9	21.9	4140

对比成品1和成品6的检测数据，成品6中的醋酸正丙酯与异丁醇的质量比为1:1，虽然溶剂组成物质不变，但在同样的生产条件下，所得热敏电阻芯片的B值明显小于成品1，所以最好选用质量比为3:1的醋酸正丙酯与异丁醇作为溶剂使用，可增加混合溶剂的极性，生产出灵敏性更好的热敏电阻芯片。

对比成品1和成品7的检测数据，成品7中用聚乙烯醇缩丁醛代替丙烯酸树脂作为粘合剂组分，在同样的生产条件下，所得热敏电阻芯片的B值小于成品1，所以最好选用丙烯酸树脂作为粘合剂，且由于丙烯酸树脂的软化温度为70～80℃，巴块容易受热软化，避免切割时出现切割移位的情况。

对比成品1和成品8的检测数据，成品8中用三油酸甘油酯代替聚乙二醇辛基苯基醚作为分散剂组分，在同样的生产条件下，所得热敏电阻芯片的B值明显小于成品1，所以最好选用聚乙二醇辛基苯基醚作为分散剂，其具有更好分散作用，使浆料组分混合得更加均匀。

对比成品1和成品9的检测数据，成品9中用已二酸二辛酯代替邻苯二甲酸二丁酯作为增塑剂组分，在同样的生产条件下，所得热敏电阻芯片的B值小于成品1，且其形成的巴块在烘干过程中的开裂率也大于成品1，所以最好选用邻苯二甲酸二丁酯作为增塑剂，因为其对于树脂具有极强的溶解力，与粘合剂具有很好的相容性，可以起到更好的增塑效果，增加巴块的柔韧性。

从成品1-5的检测数据可以看出，所得热敏电阻芯片的电阻率的范围为20-30KΩ·mm，B值的范围为4100-4700K，其电阻精度高、材料稳定性及灵敏性好，能适用于高精度测温及控温领域。

在对混合原料进行热分解操作前，本发明方法需要的生产时间为3-5小时，而液相共沉淀法需要2-3天的时间缓慢混合溶液并静置沉淀，溶胶-凝胶法则需要3-5天的时间脱水形成干凝胶，且此两种方法在该过程中均要不断加热、长时间保温，最后还要烘干得到粉末。

相对之下，本发明提供的热敏电阻芯片的制备方法简单，不仅大大缩短了生产时间，提高了生产效率，还减少了上述过程中因加热步骤带来的巨大能耗，降低了生产成本，达到节能环保的效果。

其步骤简单不仅以上所述仅为本发明的实施例，并非因此限制本发明的专利保护范围，凡是利用本发明说明书内容所作的等效结构或等效流程变换，直接或间接运用在其它相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。

Claims (10)

1.一种热敏电阻芯片，其特征在于，其原料包括如下质量百分含量的组分：硝酸锰40-60％、硝酸钴20-35％、硝酸镍10-20％、硝酸铝5-10％，且所述原料均为化学纯晶体，将上述晶体溶解于去离子水中并搅拌均匀，配制成混合溶液，将混合溶液进行热分解得到混合粉体，将粉体与溶剂、粘合剂、分散剂及增塑剂混合配制成浆料，并将浆料通过湿法流延成膜及其后处理工艺后，得到所述热敏电阻芯片。

2.一种如权利要求1所述的热敏电阻芯片的制备方法，其特征在于，具体按如下步骤进行：

1)按质量比称取硝酸锰、硝酸钴、硝酸镍和硝酸铝的晶体，将上述晶体充分溶解于去离子水中并配制成混合溶液，搅拌均匀；

2)将混合溶液导入热分解塔中，在600-900℃下进行热分解，得到亚微米级的尖晶石结构粉体；

3)将粉体与溶剂、粘合剂、分散剂及增塑剂混合配制成浆料，并用球磨机对浆料进行充分研磨；

4)浆料在流延机上流延成膜，可根据产品所需厚度重复成膜，且每次成膜后都要对其进行2-10分钟的快速烘干，最终得到成型的巴块；

5)将成型的巴块在45-75℃的环境下烘干，并对其进行切割、排胶、烧结、抛磨、倒角、涂银、划片工艺，得到所述热敏电阻芯片。

3.根据权利要求2所述的热敏电阻芯片的制备方法，其特征在于，所述步骤1)中的混合晶体与去离子水的质量比为1:0.4-0.7。

4.根据权利要求2所述的热敏电阻芯片的制备方法，其特征在于，所述步骤3)中的浆料组分的质量比为：粉体:溶剂:粘合剂:分散剂:增塑剂＝1:0.4-0.7:0.5-0.8:0.005-0.02:0.01-0.04。

5.根据权利要求4所述的热敏电阻芯片的制备方法，其特征在于，所述溶剂为醋酸正丙酯和异丁醇的混合溶液。

6.根据权利要求5所述的热敏电阻芯片的制备方法，其特征在于，所述溶剂中醋酸正丙酯的含量高于异丁醇的含量。

7.根据权利要求6所述的热敏电阻芯片的制备方法，其特征在于，所述粘合剂为丙烯酸树脂，所述分散剂为聚乙二醇辛基苯基醚，所述增塑剂为邻苯二甲酸二丁酯。

8.根据权利要求2所述的热敏电阻芯片的制备方法，其特征在于，所述步骤4)中每一次成膜的厚度为20-60um，成膜后的烘干温度为70-120℃。

9.根据权利要求2所述的热敏电阻芯片的制备方法，其特征在于，所述步骤5)中对巴块进行烘干操作时，使其在45-55℃、56-65℃及66-75℃的环境下各烘干24小时。

10.根据权利要求2所述的热敏电阻芯片的制备方法，其特征在于，所述步骤5)中的烧结温度为1150-1250℃，烧结时间为3-6小时。