CN105556660A - 电子器件密封用片及电子器件封装体的制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供可以防止基材的浮起(基材的剥离)的电子器件密封用片及电子器件封装体的制造方法。本发明涉及具备具有在基材上层叠了粘合剂层的结构的保护膜、以及层叠于上述粘合剂层上的热固化性树脂层的电子器件密封用片。

Description

电子器件密封用片及电子器件封装体的制造方法
技术领域
本发明涉及电子器件密封用片及电子器件封装体的制造方法。
背景技术
作为密封电子器件的方法，已知将电子器件用树脂片进行密封的方法。
例如，专利文献1及专利文献2公开了一种封装体的制造方法，其在安装于基板的电子功能元件(SAW滤波器等)上配置树脂片和隔片等基材，接着，将安装于基板上的电子功能元件、树脂片及基材装入具备阻气性的袋中，接着，将袋内的电子功能元件用树脂片密封，形成密封体，接着，使密封体的来自树脂片的部分热固化，形成固化体，接着，对固化体进行切割，从而制造封装体。在该方法中，通过将基材配置于树脂片与袋之间，从而防止树脂片粘贴到袋上。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：国际公开WO2005/071731号(或国际公开第05/071731号小册子)
专利文献2：日本专利第5223657号公报
发明内容
发明要解决的技术问题
然而，在专利文献1及专利文献2记载的方法中，基材的一部分会从树脂片浮起(剥离)。若基材从树脂片浮起，则气泡会侵入到树脂片与基材之间。其结果会在封装体表面形成不刻意的图案(水珠图案等)。即，封装体的外观会变差。
基材的浮起(基材的剥离)在除专利文献1及专利文献2记载的方法以外的方法中也成为问题。例如，将具有在基材上层叠有树脂层的结构的片，以使树脂层与安装于基板的电子器件对置的方式载置于电子器件上而形成层叠体，接着，将层叠体用2片加热板(例如下侧加热板及上侧加热板)夹持，从而对电子器件进行密封，在该方法中，基材的一部分也会从树脂层浮起，由此会使封装体的外观变差。
本发明的目的在于为解决上述技术问题而提供能够防止基材的浮起的电子器件密封用片及电子器件封装体的制造方法。
用于解决技术问题的手段
本发明涉及一种电子器件密封用片，其具备：具有在基材上层叠了粘合剂层的结构的保护膜、以及层叠于上述粘合剂层上的热固化性树脂层。
本发明的片将粘合剂层配置于热固化性树脂层与基材之间，因此能够防止基材的浮起。因此，能够防止电子器件封装体的外观不良。
在温度25℃、拉伸速度300mm/秒、剥离角度180度的条件下，从上述热固化性树脂层剥离上述保护膜时的剥离强度优选为0.03N/20mm以上。由此，能够良好地防止保护膜从热固化性树脂层浮起。
上述粘合剂层优选为选自紫外线固化性粘合剂层、热固化性粘合剂层及热发泡性粘合剂层中的至少1种。若为这些种类的粘合剂层，则通过加热或照射放射线，从而可以降低从热固化性树脂层剥离保护膜时的剥离强度。
优选的是：上述热固化性树脂层包含无机填充剂，上述热固化性树脂层中的上述无机填充剂的含量为70～90体积％。由此，在对SAW滤波器等中空型电子器件进行树脂密封时，能够容易地维持中空部。另外，能够降低封装体的翘曲。
本发明还涉及一种电子器件封装体的制造方法，其包括：准备具备保护膜以及热固化性树脂层的片的工序，所述保护膜具有在基材上层叠了粘合剂层的结构，所述热固化性树脂层层叠于上述粘合剂层上；以上述热固化性树脂层与电子器件对置的方式使上述片载置于上述电子器件上的工序；通过用上述热固化性树脂层密封上述电子器件而形成密封体的工序；通过使上述密封体的来自上述热固化性树脂层的部分固化而形成固化体的工序；和从上述固化体剥离上述保护膜的工序。
在上述粘合剂层为紫外线固化性粘合剂层的情况下，本发明的电子器件封装体的制造方法优选还包括：在从上述固化体剥离上述保护膜的工序之前，使上述紫外线固化性粘合剂层固化的工序。
在上述粘合剂层为热固化性粘合剂层的情况下，本发明的电子器件封装体的制造方法优选还包括：在从上述固化体剥离上述保护膜的工序之前，使上述热固化性粘合剂层固化的工序。
在上述粘合剂层为热发泡性粘合剂层的情况下，本发明的电子器件封装体的制造方法优选还包括：在从上述固化体剥离上述保护膜的工序之前，使上述热发泡性粘合剂层发泡的工序。
附图说明
图1是实施方式1的片的剖面示意图。
图2是安装SAW滤波器的LTCC基板的剖面示意图。
图3是示意性表示在安装于LTCC基板的SAW滤波器上层叠有片的状态的图。
图4是示意性表示在真空包装容器中放入有安装于LTCC基板的SAW滤波器及SAW滤波器上的片的状态的图。
图5是示意性表示密封了真空包装容器后的状态的图。
图6是示意性表示从真空包装容器取出固化体、层叠于固化体上的保护膜的状态的图。
图7是固化体的剖面示意图。
图8是将固化体分割而得到的SAW滤波器封装体的剖面示意图。
具体实施方式
以下列举实施方式对本发明进行详细地说明，但是本发明并不仅限定为这些实施方式。
[实施方式1]
图1是实施方式1的片11的剖面示意图。片11具备：具有在基材1上层叠有粘合剂层2的结构的保护膜5、以及层叠于粘合剂层2上的热固化性树脂层3。即，片11具有依次层叠有基材1、粘合剂层2及热固化性树脂层3的结构。需要说明的是，可以给片11的热固化性树脂层3设置聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜等支承体。为了容易进行从片11的剥离，可以对支承体实施脱模处理。
在片11中，粘合剂层2被配置于热固化性树脂层3与基材1之间，因此可以防止基材1浮起。因此，可以防止电子器件封装体的外观不良。
在温度25℃、拉伸速度300mm/秒、剥离角度180度的条件下，从热固化性树脂层3剥离保护膜5时的剥离强度为0.03N/20mm以上。若该剥离强度为0.03N/20mm以上，则可以良好地防止保护膜5从热固化性树脂层3浮起。另外，剥离强度的上限并无特别限定，例如为1N/20mm以下。
作为粘合剂层2，并无特别限定，但优选紫外线固化性粘合剂层、热固化性粘合剂层、热发泡性粘合剂层。若为这些种类的粘合剂层，则通过加热或照射放射线，从而可以降低从热固化性树脂层3剥离保护膜5时的剥离强度。
需要说明的是，作为紫外线固化性粘合剂层、热固化性粘合剂层、热发泡性粘合剂层，可以使用以往公知的粘合剂层。需要说明的是，对于热发泡性粘合剂层，在日本特开2012-117040号公报等中有详细地记载。
作为基材1，可以使用例如：塑料片等塑料系基材；橡胶片等橡胶系基材；发泡片等发泡体基材；金属箔、金属板等金属系基材；布、无纺布、毡、网状物等纤维系基材；纸等纸系基材；上述基材的层叠体等。作为此种塑料材料中的原材料，可列举例如：聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)、乙烯-丙烯共聚物等烯烃系树脂；乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)、离聚物树脂、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯(无规、交替)共聚物等以乙烯为单体成分的共聚物；聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸丁二醇酯(PBT)等聚酯；丙烯酸系树脂；聚氯乙烯(PVC)；聚氨酯；聚碳酸酯；聚苯硫醚(PPS)；聚酰胺(尼龙)、全芳香族聚酰胺(aramid)等酰胺系树脂；聚醚醚酮(PEEK)；聚酰亚胺；聚醚酰亚胺；聚偏氯乙烯；ABS(丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物)；纤维素系树脂；硅酮树脂；氟树脂等。需要说明的是，作为基材1，适合为能够透射紫外线的基材。
热固化性树脂层3为用于密封电子器件的层。
热固化性树脂层3在25℃时的拉伸储能弹性模量优选为1MPa以上。若该拉伸储能弹性模量为1MPa以上，则可以防止或降低由片11与真空包装容器的内面的接触等所致的热固化性树脂层3的变形。另外，当在包装容器内将SAW滤波器进行树脂密封时，可以容易地维持中空部。25℃时的拉伸储能弹性模量优选为1000MPa以下。若该储能弹性模量为1000MPa以下，则可以得到良好的与电子器件的粘合性。
需要说明的是，25℃时的拉伸储能弹性模量可以利用实施例中记载的方法来测定。
热固化性树脂层3优选包含环氧树脂。
作为环氧树脂，并无特别限定。例如可以使用三苯基甲烷型环氧树脂、甲酚线型酚醛型环氧树脂、联苯型环氧树脂、改性双酚A型环氧树脂、双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、改性双酚F型环氧树脂、二环戊二烯型环氧树脂、苯酚线型酚醛型环氧树脂、苯氧基树脂等各种环氧树脂。这些环氧树脂可以单独使用，也可以并用2种以上。
从确保环氧树脂的反应性的观点出发，优选环氧当量为150～250、软化点或熔点为50～130℃、在常温为固态的环氧树脂。其中，从可靠性的观点出发，更优选三苯基甲烷型环氧树脂、甲酚酚醛型环氧树脂、联苯型环氧树脂。
热固化性树脂层3优选包含酚醛树脂。
酚醛树脂只要是与环氧树脂之间发生固化反应的酚醛树脂，则并无特别限定。例如可以使用苯酚线型酚醛树脂、苯酚芳烷基树脂、联苯芳烷基树脂、二环戊二烯型酚醛树脂、甲酚线型酚醛树脂、甲阶酚醛树脂等。这些酚醛树脂可以单独使用，也可以并用2种以上。
作为酚醛树脂，从与环氧树脂的反应性的观点出发，优选使用羟基当量为70～250、软化点为50～110℃的酚醛树脂。尤其从固化反应性高的观点出发，可以适合使用苯酚线型酚醛树脂。另外，从可靠性的观点出发，也可以适宜使用苯酚芳烷基树脂、联苯芳烷基树脂之类的低吸湿性的酚醛树脂。
热固化性树脂层3中的环氧树脂及酚醛树脂的总含量优选为5重量％以上。若该总含量为5重量％以上，则良好地得到对电子器件、基板等的粘合力。热固化性树脂层3中的环氧树脂及酚醛树脂的总含量优选为20重量％以下。若该总含量为20重量％以下，则可以较低地抑制吸湿性。
从固化反应性的观点出发，环氧树脂与酚醛树脂的配合比例优选按照相对于环氧树脂中的环氧基1当量而使酚醛树脂中的羟基的合计达到0.7～1.5当量的方式进行配合、更优选为0.9～1.2当量。
热固化性树脂层3优选包含固化促进剂。
作为固化促进剂，只要是使环氧树脂与酚醛树脂的固化进行的物质，则并无特别限定，例如可列举：2-甲基咪唑(商品名；2MZ)、2-十一烷基咪唑(商品名；C11-Z)、2-十七烷基咪唑(商品名；C17Z)、1,2-二甲基咪唑(商品名；1.2DMZ)、2-乙基-4-甲基咪唑(商品名；2E4MZ)、2-苯基咪唑(商品名；2PZ)、2-苯基-4-甲基咪唑(商品名；2P4MZ)、1-苄基-2-甲基咪唑(商品名；1B2MZ)、1-苄基-2-苯基咪唑(商品名；1B2PZ)、1-氰基乙基-2-甲基咪唑(商品名；2MZ-CN)、1-氰基乙基-2-十一烷基咪唑(商品名；C11Z-CN)、1-氰基乙基-2-苯基咪唑鎓偏苯三酸盐(商品名；2PZCNS-PW)、2,4-二氨基-6-[2’-甲基咪唑基-(1’)]-乙基均三嗪(商品名；2MZ-A)、2,4-二氨基-6-[2’-十一烷基咪唑基-(1’)]-乙基均三嗪(商品名；C11Z-A)、2,4-二氨基-6-[2’-乙基-4’-甲基咪唑基-(1’)]-乙基均三嗪(商品名；2E4MZ-A)、2,4-二氨基-6-[2’-甲基咪唑基-(1’)]-乙基均三嗪异氰脲酸加成物(商品名；2MA-OK)、2-苯基-4,5-二羟基甲基咪唑(商品名；2PHZ-PW)、2-苯基-4-甲基-5-羟基甲基咪唑(商品名；2P4MHZ-PW)等咪唑系固化促进剂(均为四国化成工业(株)制)。
固化促进剂的含量相对于环氧树脂及酚醛树脂的合计100重量份优选为0.1重量份以上、更优选为1重量份以上。另外，固化促进剂的含量优选为15重量份以下、更优选为10重量份以下。
热固化性树脂层3优选包含热塑性树脂(弹性体)。
作为热塑性树脂，可列举：天然橡胶、丁基橡胶、异戊二烯橡胶、氯丁二烯橡胶、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、乙烯-丙烯酸酯共聚物、聚丁二烯树脂、聚碳酸酯树脂、热塑性聚酰亚胺树脂、6-尼龙或6,6-尼龙等聚酰胺树脂、苯氧基树脂、丙烯酸类树脂、PET或PBT等饱和聚酯树脂、聚酰胺酰亚胺树脂、氟树脂、苯乙烯-异丁烯-苯乙烯三嵌段共聚物、甲基丙烯酸甲酯-丁二烯-苯乙烯共聚物(MBS树脂)等。这些热塑性树脂可以单独使用或并用2种以上。
热固化性树脂层3中的热塑性树脂的含量优选为1重量％以上。若该含量为1重量％以上，则可以将25℃的拉伸储能弹性模量容易地调整为上述范围。热固化性树脂层3中的热塑性树脂的含量优选为30重量％以下、更优选为15重量％以下。若该含量为30重量％以下，则得到对电子器件等良好的粘合力。
热固化性树脂层3优选包含无机填充剂。通过配合无机填充剂，从而可以减小热膨胀系数。
作为无机填充剂，可列举例如：石英玻璃、滑石、二氧化硅(熔融二氧化硅、结晶性二氧化硅等)、氧化铝、氮化铝、氮化硅、氮化硼等。其中，基于能够良好地降低热膨胀系数的理由，优选二氧化硅、氧化铝，更优选二氧化硅。作为二氧化硅，基于流动性优异的理由，优选熔融二氧化硅，更优选球状熔融二氧化硅。
无机填充剂的平均粒径优选为5μm以上。若该平均粒径为5μm以上，则容易得到热固化性树脂层3的可挠性、柔软性。无机填充剂的平均粒径优选为50μm以下、更优选为30μm以下。若该平均粒径为50μm以下，则容易将无机填充剂进行高填充率化。
需要说明的是，例如，可以通过使用从母集团中任意抽取的试样、并采用激光衍射散射式粒度分布测定装置进行测定，从而导出平均粒径。
无机填充剂优选被硅烷偶联剂处理(前处理)过的无机填充剂。由此，可以提高与树脂的润湿性，并且可以提高无机填充材料的分散性。
硅烷偶联剂为在分子中具有水解性基团及有机官能团的化合物。
作为水解性基团，可列举例如：甲氧基、乙氧基等碳数1～6的烷氧基；乙酰氧基、2-甲氧基乙氧基等。其中，基于容易除去利用水解产生的醇等挥发成分的理由，优选甲氧基。
作为有机官能团，可列举：乙烯基、环氧基、苯乙烯基、甲基丙烯酰基、丙烯酰基、氨基、酰脲基、巯基、硫醚基、异氰酸酯基等。其中，基于容易与环氧树脂、酚醛树脂反应的理由，优选环氧基。
作为硅烷偶联剂，可列举例如：乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷等含乙烯基硅烷偶联剂；2-(3,4-环氧环己基)乙基三甲氧基硅烷、3-环氧丙氧基丙基甲基二甲氧基硅烷、3-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷、3-环氧丙氧基丙基甲基二乙氧基硅烷、3-环氧丙氧基丙基三乙氧基硅烷等含环氧基硅烷偶联剂；对苯乙烯基三甲氧基硅烷等含苯乙烯基硅烷偶联剂；3-甲基丙烯酰氧基丙基甲基二甲氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基甲基二乙氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基三乙氧基硅烷等含甲基丙烯酰基硅烷偶联剂；3-丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷等含丙烯酰基硅烷偶联剂；N-2-(氨基乙基)-3-氨基丙基甲基二甲氧基硅烷、N-2-(氨基乙基)-3-氨基丙基三甲氧基硅烷、3-氨基丙基三甲氧基硅烷、3-氨基丙基三乙氧基硅烷、3-三乙氧基甲硅烷基-N-(1,3-二甲基-亚丁基)丙胺、N-苯基-3-氨基丙基三甲氧基硅烷、N-(乙烯基苄基)-2-氨基乙基-3-氨基丙基三甲氧基硅烷等含氨基硅烷偶联剂；3-酰脲基丙基三乙氧基硅烷等含酰脲基硅烷偶联剂；3-巯基丙基甲基二甲氧基硅烷、3-巯基丙基三甲氧基硅烷等含巯基硅烷偶联剂；双(三乙氧基甲硅烷基丙基)四硫醚等含硫醚基硅烷偶联剂；3-异氰酸酯丙基三乙氧基硅烷等含异氰酸酯基硅烷偶联剂等。
作为利用硅烷偶联剂对无机填充剂进行处理的方法，并无特别限定，可列举：在溶剂中对无机填充剂和硅烷偶联剂进行混合的湿式法、在气相中对无机填充剂和硅烷偶联剂进行处理的干式法等。
硅烷偶联剂的处理量并无特别限定，优选相对于未处理的无机填充剂100重量份，处理硅烷偶联剂0.1～1重量份。
热固化性树脂层3中的无机填充剂的含量优选为70体积％以上、更优选为74体积％以上。若该含量为70体积％以上，则可以将25℃的拉伸储能弹性模量容易地调整为上述范围。另外，可以减小热膨胀系数、吸水率。另一方面，无机填充剂的含量优选为90体积％以下、更优选为85体积％以下。若该含量为90体积％以下，则得到良好的柔软性、流动性、粘合性。
无机填充剂的含量也可以以“重量％”为单位来进行说明。代表性地对于二氧化硅的含量，以“重量％”为单位进行说明。
二氧化硅的比重通常为2.2g/cm3，因此二氧化硅的含量(重量％)的适合范围例如如以下所示。
即，热固化性树脂层3中的二氧化硅的含量优选为81重量％以上、更优选为84重量％以上。热固化性树脂层3中的二氧化硅的含量优选为94重量％以下、更优选为91重量％以下。
氧化铝的比重通常为3.9g/cm3，因此氧化铝的含量(重量％)的适合范围例如如以下所示。
即，热固化性树脂层3中的氧化铝的含量优选为88重量％以上、更优选为90重量％以上。热固化性树脂层3中的氧化铝的含量优选为97重量％以下、更优选为95重量％以下。
除上述成分以外，热固化性树脂层3也可以适当含有在密封树脂的制造中通常所使用的配合剂、例如阻燃剂成分、颜料等。
作为阻燃剂成分，可以使用例如：氢氧化铝、氢氧化镁、氢氧化铁、氢氧化钙、氢氧化锡、复合化金属氢氧化物等各种金属氢氧化物；膦腈化合物等。其中，基于阻燃性、固化后的强度优异的理由，优选膦腈化合物。
作为颜料，并无特别限定，可列举炭黑等。
热固化性树脂层3的制造方法并无特别限定，优选将混炼上述各成分(例如环氧树脂、酚醛树脂、固化促进剂、热塑性树脂及无机填充剂等)而得的混炼物塑性加工成片状的方法。由此，可以将无机填充剂进行高填充。
具体而言，通过将环氧树脂、酚醛树脂、固化促进剂、热塑性树脂及无机填充剂等利用混炼机、加压式捏合机、挤出机等公知的混炼机进行熔融混炼，从而制备混炼物，并将所得的混炼物塑性加工成片状。作为混炼条件，温度的上限优选为140℃以下、更优选为130℃以下。温度的下限优选为上述的各成分的软化点以上，例如30℃以上、优选为50℃以上。混炼的时间优选为1～30分钟。另外，混炼优选在减压条件下(减压气氛下)进行，减压条件下的压力为例如1×10-4～0.1kg/cm2。
熔融混炼后的混炼物优选不进行冷却而直接以高温状态进行塑性加工。作为塑性加工方法，并无特别限制，可列举平板压制法、T型模挤出法、螺杆式模头挤出法、辊压延法、辊混炼法、吹塑挤出法、共挤出法、压延成形法等。作为塑性加工温度，优选为上述的各成分的软化点以上，若考虑环氧树脂的热固化性及成形性，则例如为40～150℃、优选为50～140℃、进一步优选为70～120℃。
热固化性树脂层3的厚度并无特别限定，优选为100μm以上、更优选为150μm以上。另外，热固化性树脂层3的厚度优选为2000μm以下、更优选为1000μm以下。若该厚度为上述范围内，则可以将电子器件良好地密封。
需要说明的是，在图1中，示出热固化性树脂层3为单层的情况，但是热固化性树脂层3并不限定于此，也可以为多层。同样，粘合剂层2也可以为多层。基材1也可以为多层。
片11是为了密封电子器件而使用的。作为电子器件，可列举：传感器、MEMS(MicroElectroMechanicalSystems)、SAW(SurfaceAcousticWave)滤波器等具有中空结构的电子器件(中空型电子器件)；半导体芯片、IC(集成电路)、晶体管等半导体元件；电容器；电阻等。其中，可以特别适合用于SAW滤波器。需要说明的是，中空结构是指：在将电子器件搭载于基板时，形成于电子器件与基板之间的中空部。作为基板，并无特别限定，例如可列举印刷布线基板、LTCC(LowTemperatureCo-firedCeramics)基板(低温同时烧成陶瓷基板)、陶瓷基板、硅基板、金属基板等。
片11可以适合地用于密封配置于真空包装容器内的电子器件。
作为用片11对电子器件进行密封的方法，代表性的为例如将电子器件埋入热固化性树脂层3的方法。更具体而言，例如，以使热固化性树脂层3与电子器件对置的方式，将片11载置于电子器件上后，将电子器件埋入热固化性树脂层3，从而可以密封电子器件。
热固化性树脂层3可以作为保护电子器件及其附带的元件免受外部环境影响的密封树脂来发挥功能。
[电子器件封装体的制造方法]
作为电子器件封装体的制造方法，以利用片11对搭载于LTCC基板12上的SAW滤波器13进行密封而制造SAW滤波器封装体16为例进行说明。
(搭载SAW滤波器的基板的准备工序)
在搭载SAW滤波器的基板的准备工序中，准备搭载有多个SAW滤波器13的LTCC基板12(参照图2)。通过利用公知的方法对形成有规定梳形电极的压电晶体进行切割，使其单片化，由此可以形成SAW滤波器13。SAW滤波器13在LTCC基板12上的搭载可以使用倒装芯片接合器、芯片接合器等公知的装置。SAW滤波器13与LTCC基板12借助凸块等突起电极13a进行电连接。另外，在SAW滤波器13与LTCC基板12之间，以不阻碍SAW滤波器表面的表面弹性波的传播的方式维持中空部14。SAW滤波器13与LTCC基板12之间的距离可以适当地设定，通常为15～50μm左右。
(配置工序)
以使热固化性树脂层3与SAW滤波器13对置的方式将片11载置于SAW滤波器13上(参照图3)。
(插入工序)
接着，将安装于LTCC基板12的SAW滤波器13及SAW滤波器13上的片11装入真空包装容器21中(参照图4)。
作为真空包装容器21，并无特别限定，例如可以使用具备阻气性的袋等。另外，作为真空包装容器21，优选具备耐热性的容器，具体而言，可以为具有耐受热固化时的温度的耐热性的容器。另外，作为真空包装容器21，优选具备柔软性、热密封性的容器。
作为真空包装容器21，具体而言，可列举：以聚酯系膜为外层且以具备热密封性的聚乙烯系膜为内层(密封层)的多层结构的容器。作为内层，也可以适合使用聚丙烯系膜等。作为外层，也可以适合使用聚酰亚胺膜、聚酰胺膜等。需要说明的是，在外层与内层之间可以具有中间层。作为中间层，优选阻气性高的层，优选例如铝层等。
(真空包装工序)
接着，将真空包装容器21的内部减压(例如500Pa以下)后，对真空包装容器21进行密封(参照图5)。
具体而言，将装有LTCC基板12、SAW滤波器13及片11的真空包装容器21放置于密闭容器内，接着，利用真空泵对密闭容器内进行脱气，使密闭容器内减压。之后，利用热熔接用加热器(热封机)将真空包装容器21的开口部的附近从两侧熔接，对真空包装容器21进行密封(参照图5)。需要说明的是，该情况被示于国际公开WO2005/071731号的图3中。真空包装容器21的开口部也可以用夹具等进行密闭。
若将密封状态的真空包装容器21从密闭容器取出至大气压中，则因真空包装容器21内外的压力差，而成为真空包装容器21与LTCC基板12及片11密合的状态。
需要说明的是，作为对真空包装容器21的内部进行减压的方法，还可列举：将与真空泵连接的金属管气密性地插入真空包装容器21的开口部内，对真空包装容器21内进行脱气的方法等。
(加热工序)
在加热工序中，连同真空包装容器21一起对热固化性树脂层3进行加热，使热固化性树脂层3软化。加热温度通常低于热固化性树脂层3的固化温度，例如为100℃～140℃。
由此，在安装于LTCC基板12上的SAW滤波器13之间浸入软化后的热固化性树脂层3。结果：SAW滤波器13被热固化性树脂层3覆盖。即，连同真空包装容器21一起对热固化性树脂层3进行加热，形成密封体15。
在加热工序中，可以在比真空包装容器21的内部高的压力下(例如大气压下)对真空包装容器21进行加热。由此，利用真空包装容器21内外的压力差，可以使安装于LTCC基板12上的SAW滤波器13之间浸入软化后的热固化性树脂3。利用加热工序得到的密封体15具备LTCC基板12、安装于LTCC基板12的SAW滤波器13及覆盖SAW滤波器13的部分4(来自热固化性树脂层3的部分4)。
需要说明的是，如国际公开WO2005/071731号的图8、9及日本专利第5223657号公报的图8等所示，利用加热·加压辊或压制机等对真空包装容器21进行加热及加压，可以使安装于LTCC基板12上的SAW滤波器13之间浸入软化后的热固化性树脂3。
(热固化工序)
接着，连同真空包装容器21一起对密封体15进行加热，使密封体15的来自热固化性树脂层3的部分4固化，从而形成固化体16(参照图6)。固化体16具备LTCC基板12、安装于LTCC基板12的SAW滤波器13及覆盖SAW滤波器13的部分4(来自热固化性树脂层3的部分4)。在固化体16中包含部分4固化而成的树脂。
需要说明的是，在固化体16上层叠有保护膜5。
作为具体的方法，例如有如下方法：在将密封后的真空包装容器21装入密闭容器后，利用填充于密闭容器内的压力介质对真空包装容器21施加压力，并在该状态下，对真空包装容器21进行加热，使密封体15的来自热固化性树脂层3的部分4热固化。在该方法中，可以借助压力介质对真空包装容器21进行加压及加热，因此容易管理中空部14的形状或尺寸。作为压力介质，可列举空气、水、油等。需要说明的是，该情况被示于国际公开WO2005/071731号的图4中。
加热温度为例如60℃～150℃。
作为其他的具体方法，例如也适合为：利用压制机对真空包装容器21进行热压，使密封体15的来自热固化性树脂层3的部分4热固化的方法；在比真空包装容器21的内部高的压力下(例如大气压下)对真空包装容器21进行加热，使密封体15的来自热固化性树脂层3的部分4热固化的方法等。该情况示于日本专利第5223657号公报的图8、图9中。
(取出工序)
对真空包装容器21进行开封，从真空包装容器21取出固化体16及层叠于固化体16上的保护膜5。
(剥离强度降低工序)
接着，在粘合剂层2为紫外线固化性粘合剂层的情况下，优选通过对粘合剂层2照射紫外线而使粘合剂层2固化。由此，可以降低从热固化性树脂层3剥离保护膜5时的剥离强度。需要说明的是，作为紫外线的照射方法，并无特别限定，例如可列举从基材1的上方朝向粘合剂层2照射紫外线的方法等。
在粘合剂层2为热固化性粘合剂层的情况下，优选通过对固化体16及层叠于固化体16上的保护膜5进行加热而使粘合剂层2固化。在粘合剂层2为热发泡性粘合剂层的情况下，优选通过对固化体16及层叠于固化体16上的保护膜5进行加热而使粘合剂层2发泡。
接着，从固化体16剥离保护膜5(参照图7)。
将固化体16按照SAW滤波器13进行分割(参照图8)。由此，可以得到SAW滤波器封装体17。作为分割方法，可列举例如划片、切割-断开(カット·ブレイク)等。
上述例的方法由于能够在减压下密封SAW滤波器，因此具有能够降低孔隙的产生、能够利用简单的减压装置来实施等优点。
需要说明的是，在上述的例子中，在代替SAW滤波器13而使用半导体芯片的情况下，可以在半导体芯片与基板之间填充底部填充材料。需要说明的是，该情况示于国际公开WO2005/071731号的图7中。
需要说明的是，在上述的例子中，示出了将真空包装容器21密封后进行加热的方法，也适合为例如：在减压的密闭容器内，将装有LTCC基板12、SAW滤波器13及片11的真空包装容器21以不足片11的固化温度的温度进行加热，之后，对真空包装容器21进行密封的方法。由此，在片11中存在溶剂的情况下，可以使溶剂挥发。该情况示于日本专利第5223657号公报的图3中。
在上述的例子中示出以2阶段进行加热工序和热固化工序的方法，也适合为将它们合并而以1个工序进行的方法。
在上述的例子中示出如下情况：从真空包装容器21取出固化体16及层叠于固化体16上的保护膜5后，对它们进行加热，由此使粘合剂层2固化或发泡。电子器件封装体的制造方法并不限定于该例子，也适合为例如：通过将固化体16及层叠于固化体16上的保护膜5连同真空包装容器21一起加热，而使粘合剂层2固化或发泡，然后将它们从真空包装容器21取出的方法。由此，可以简化工序。
需要说明的是，在上述的例子中示出对真空包装容器21内的SAW滤波器13进行密封的情况，但电子器件封装体的制造方法自然并不限定于此，也可以不使用真空包装容器。作为不使用真空包装容器的电子器件封装体的制造方法，适合为例如：以使热固化性树脂层3与SAW滤波器13对置的方式，将片11载置于SAW滤波器13上，形成层叠体，之后，利用2片加热版(例如下侧加热板及上侧加热板)夹持层叠体，从而形成密封体的方法等。
如以上所示，对于电子器件封装体的制造方法，可以适合通过例如如下的方法来制造电子器件封装体，该方法包括：准备具备保护膜5以及热固化性树脂层3的片的工序，所述保护膜5具有在基材1上层叠有粘合剂层2的结构，所述热固化性树脂层3层叠于上述粘合剂层2上；以上述热固化性树脂层3与电子器件对置的方式使上述片11载置于上述电子器件上的工序；通过用上述热固化性树脂层3密封上述电子器件而形成密封体的工序；通过使上述密封体的来自上述热固化性树脂层3的部分固化而形成固化体的工序；和从上述固化体剥离上述保护膜5的工序。
在上述粘合剂层2为紫外线固化性粘合剂层的情况下，上述电子器件封装体的制造方法优选还包括：在从上述固化体剥离上述保护膜5的工序之前，使上述紫外线固化性粘合剂层固化的工序。
在上述粘合剂层2为热固化性粘合剂层的情况下，上述电子器件封装体的制造方法优选还包括：在从上述固化体剥离上述保护膜5的工序之前，使上述热固化性粘合剂层固化的工序。
在上述粘合剂层2为热发泡性粘合剂层的情况下，上述电子器件封装体的制造方法优选还包括：在从上述固化体剥离上述保护膜5的工序之前，使上述热发泡性粘合剂层发泡的工序。
上述电子器件封装体的制造方法可以还包括例如：准备安装于基板的上述电子器件的工序；和将安装于上述基板的上述电子器件及上述片装入真空包装容器的工序。
实施例
以下，例示性地对本发明的适合的实施例进行详细说明。但是，关于该实施例中记载的材料、配合量等，只要没有特别限定性的记载，其主旨并非将本发明的范围仅限定为这些实施例。
对实施例中使用的成分进行说明。
环氧树脂：新日铁化学(株)制的YSLV-80XY(双酚F型环氧树脂、环氧当量200g/eq.软化点80℃)
酚醛树脂：明和化成公司制的MEH-7851-SS(具有联苯芳烷基骨架的酚醛树脂、羟基当量203g/eq.软化点67℃)
热塑性树脂：三菱丽阳公司制METABLENC-132E(MBS树脂、平均粒径120μm)
无机填充剂：电气化学工业公司制的FB-9454FC(熔融球状二氧化硅、平均粒径20μm)
硅烷偶联剂：信越化学公司制的KBM-403(3-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷)
炭黑：三菱化学公司制的#20
固化促进剂：四国化成工业公司制的2PHZ-PW(2-苯基-4,5-二羟基甲基咪唑)
基材：三菱化学公司制的MRF75(材质PET)
保护膜：具备聚对苯二甲酸乙二醇酯膜、及层叠于聚对苯二甲酸乙二醇酯膜上的紫外线固化性粘合剂层的保护膜。下述制作例
(制作例)
在具备冷凝管、氮气导入管、温度计及搅拌装置的反应容器中加入丙烯酸-2-乙基己酯(以下，也称作“2EHA”。)86.4份、丙烯酸-2-羟基乙酯(以下，也称作“HEA”。)13.6份、过氧化苯甲酰0.2份及甲苯65份，在氮气气流中以61℃进行6小时聚合处理，得到丙烯酸系聚合物A。
在丙烯酸系聚合物A中加入2-甲基丙烯酰氧基乙基异氰酸酯(以下，也称作“MOI”。)14.6份，在空气气流中以50℃进行48小时加成反应处理，得到丙烯酸系聚合物A’。
接着，相对于丙烯酸系聚合物A’100份，加入聚异氰酸酯化合物(商品名“CORONATEL”、日本聚氨酯(株)制)8份及光聚合引发剂(商品名“Irgacure651”、CibaSpecialtychemical公司制)5份，得到粘合剂组合物溶液A。
在脱模处理后的厚度50μm的聚对苯二甲酸乙二醇酯膜(三菱化学社制的MRF75)上涂布所得的粘合剂组合物溶液A，进行干燥，形成紫外线固化性粘合剂层。由此，得到具备聚对苯二甲酸乙二醇酯膜、及层叠于聚对苯二甲酸乙二醇酯膜上的紫外线固化性粘合剂层的保护膜。
[实施例]
按照表1中记载的配合比，配合各成分，利用辊式混炼机在60～120℃、10分钟、减压条件下(0.01kg/cm2)进行熔融混炼，制备成混炼物。接着，将所得的混炼物利用平板压制法形成为片状，从而制作片状的热固化性树脂组合物。
将片状的热固化性树脂组合物层叠于保护膜的紫外线固化性粘合剂层上，从而制作具有依次层叠有基材(厚度75μm)、紫外线固化性粘合剂层(厚度20μm)及热固化性树脂层(厚度200μm)的结构的片。
[比较例]
按照表1中记载的配合比，将各成分配合，利用辊式混炼机在60～120℃、10分钟、减压条件下(0.01kg/cm2)进行熔融混炼，制备混炼物。接着，将所得的混炼物利用平板压制法形成为片状，制作成厚度200μm的片。在所得的片上层叠了聚对苯二甲酸乙二醇酯膜(三菱化学公司制的MRF75)。
【表1】
[评价]
使用所得的片进行下述的评价。将结果示于表2中。
(基材浮起)
在25℃的环境下利用切刀将片从基材侧(聚对苯二甲酸乙二醇酯膜侧)裁断，以目视确认保护层的浮起。
(外观)
在安装于氧化铝基板(尺寸70mm见方、厚度0.25mm)的SAW滤波器上载置树脂片(尺寸65mm见方、厚度200μm)后，将氧化铝基板、SAW滤波器及树脂片装入真空包装容器(铝·蒸馏用三方袋、白色型、HA-1013H、尺寸100mm×130mm)，在90℃、1torr的条件进行真空包装。将氧化铝基板、SAW滤波器及树脂片连同真空包装容器一起以150℃加热1小时，由此用树脂片的热固化性树脂层覆盖SAW滤波器，得到密封体。再进行加热，从而使密封体的来自热固化性树脂层的部分固化。从密封体的固化物剥离保护膜，对固化物以目视评价外观的污物不良等。
【表2】
符号说明
1基材
2粘合剂层
3热固化性树脂层
4来自热固化性树脂层的部分
5保护膜
11片
12LTCC基板
13SAW滤波器
13a突起电极
14中空部
15密封体
16固化体
17电子器件封装体
21真空包装容器

Claims (8)

1.一种电子器件密封用片，其具备：具有在基材上层叠了粘合剂层的结构的保护膜、以及层叠于所述粘合剂层上的热固化性树脂层。
2.根据权利要求1所述的电子器件密封用片，在温度25℃、拉伸速度300mm/秒、剥离角度180度的条件下，从所述热固化性树脂层剥离所述保护膜时的剥离强度为0.03N/20mm以上。
3.根据权利要求1或2所述的电子器件密封用片，其中，所述粘合剂层为选自紫外线固化性粘合剂层、热固化性粘合剂层及热发泡性粘合剂层中的至少1种。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的电子器件密封用片，其中，
所述热固化性树脂层包含无机填充剂，
所述热固化性树脂层中的所述无机填充剂的含量为70～90体积％。
5.一种电子器件封装体的制造方法，其包括：
准备具备保护膜以及热固化性树脂层的片的工序，所述保护膜具有在基材上层叠了粘合剂层的结构，所述热固化性树脂层层叠于所述粘合剂层上；
以所述热固化性树脂层与电子器件对置的方式使所述片载置于所述电子器件上的工序；
通过用所述热固化性树脂层密封所述电子器件而形成密封体的工序；
通过使所述密封体的来自所述热固化性树脂层的部分固化而形成固化体的工序；和
从所述固化体剥离所述保护膜的工序。
6.根据权利要求5所述的电子器件封装体的制造方法，其中，
所述粘合剂层为紫外线固化性粘合剂层，
该制造方法还包括：在从所述固化体剥离所述保护膜的工序之前，使所述紫外线固化性粘合剂层固化的工序。
7.根据权利要求5所述的电子器件封装体的制造方法，其中，
所述粘合剂层为热固化性粘合剂层，
该制造方法还包括：在从所述固化体剥离所述保护膜的工序之前，使所述热固化性粘合剂层固化的工序。
8.根据权利要求5所述的电子器件封装体的制造方法，其中，
所述粘合剂层为热发泡性粘合剂层，
该制造方法还包括：在从所述固化体剥离所述保护膜的工序之前，使所述热发泡性粘合剂层发泡的工序。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2017088758A (ja) * 2015-11-11 2017-05-25 リンテック株式会社 接着シート
JP2017105527A (ja) * 2015-12-01 2017-06-15 信越化学工業株式会社 半導体封止用硬化性樹脂シートの梱包方法及び半導体封止用硬化性樹脂シートの梱包体

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004055729A (ja) * 2002-07-18 2004-02-19 Sony Corp 半導体モジュール装置の製造方法
TWI263403B (en) * 2004-01-22 2006-10-01 Murata Manufacturing Co Electronic component manufacturing method
JP4519762B2 (ja) * 2005-11-21 2010-08-04 リンテック株式会社 樹脂封止型半導体装置の製造方法
JP5452353B2 (ja) * 2010-05-14 2014-03-26 三井化学東セロ株式会社 半導体ウェハ保護用粘着フィルム及び半導体ウェハ保護用粘着フィルムロール
JP5961015B2 (ja) * 2012-03-06 2016-08-02 日東電工株式会社 アンダーフィル材及び半導体装置の製造方法

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