CN105552221A - 基于单层二硫化钼纳米复合材料的电存储器及其制备方法 - Google Patents
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- CN105552221A CN105552221A CN201510955488.8A CN201510955488A CN105552221A CN 105552221 A CN105552221 A CN 105552221A CN 201510955488 A CN201510955488 A CN 201510955488A CN 105552221 A CN105552221 A CN 105552221A
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- 238000003860 storage Methods 0.000 title claims abstract description 28
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 17
- CWQXQMHSOZUFJS-UHFFFAOYSA-N molybdenum disulfide Chemical compound S=[Mo]=S CWQXQMHSOZUFJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 15
- 229910052982 molybdenum disulfide Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 15
- 239000002131 composite material Substances 0.000 title claims abstract description 8
- 239000002356 single layer Substances 0.000 title abstract 2
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 37
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 23
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 20
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 17
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 15
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 38
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 38
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 38
- 239000002114 nanocomposite Substances 0.000 claims description 24
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 17
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 13
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 9
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 9
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 5
- 238000010926 purge Methods 0.000 claims description 5
- 238000003756 stirring Methods 0.000 claims description 5
- HBBGRARXTFLTSG-UHFFFAOYSA-N Lithium ion Chemical compound [Li+] HBBGRARXTFLTSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 4
- 229910001416 lithium ion Inorganic materials 0.000 claims description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical group [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 claims description 3
- 239000008346 aqueous phase Substances 0.000 claims description 3
- 238000000703 high-speed centrifugation Methods 0.000 claims description 3
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 claims description 3
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 3
- 239000012071 phase Substances 0.000 claims description 3
- -1 15 minutes Chemical compound 0.000 claims description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 2
- 239000000428 dust Substances 0.000 claims description 2
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 abstract 6
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- KJOLVZJFMDVPGB-UHFFFAOYSA-N perylenediimide Chemical compound C=12C3=CC=C(C(NC4=O)=O)C2=C4C=CC=1C1=CC=C2C(=O)NC(=O)C4=CC=C3C1=C42 KJOLVZJFMDVPGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- MCEWYIDBDVPMES-UHFFFAOYSA-N [60]pcbm Chemical compound C123C(C4=C5C6=C7C8=C9C%10=C%11C%12=C%13C%14=C%15C%16=C%17C%18=C(C=%19C=%20C%18=C%18C%16=C%13C%13=C%11C9=C9C7=C(C=%20C9=C%13%18)C(C7=%19)=C96)C6=C%11C%17=C%15C%13=C%15C%14=C%12C%12=C%10C%10=C85)=C9C7=C6C2=C%11C%13=C2C%15=C%12C%10=C4C23C1(CCCC(=O)OC)C1=CC=CC=C1 MCEWYIDBDVPMES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 229920000036 polyvinylpyrrolidone Polymers 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 2
- 235000013855 polyvinylpyrrolidone Nutrition 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 238000005411 Van der Waals force Methods 0.000 description 1
- 238000000637 aluminium metallisation Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000002860 competitive effect Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 239000002135 nanosheet Substances 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 239000001267 polyvinylpyrrolidone Substances 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000001894 space-charge-limited current method Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- MEYZYGMYMLNUHJ-UHFFFAOYSA-N tunicamycin Natural products CC(C)CCCCCCCCCC=CC(=O)NC1C(O)C(O)C(CC(O)C2OC(C(O)C2O)N3C=CC(=O)NC3=O)OC1OC4OC(CO)C(O)C(O)C4NC(=O)C MEYZYGMYMLNUHJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
- H10N70/881—Switching materials
- H10N70/882—Compounds of sulfur, selenium or tellurium, e.g. chalcogenides
- H10N70/8822—Sulfides, e.g. CuS
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/011—Manufacture or treatment of multistable switching devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
- H10N70/881—Switching materials
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Abstract
本发明公开了基于单层二硫化钼纳米复合材料的电存储器，在玻璃基底的上表面镀有ITO膜层，ITO膜层上设有活性层，活性层上设有金属电极，活性层为二硫化钼与另一种半导体材料组成的纳米复合材料，该纳米复合材料以二硫化钼为多体，另一种半导体材料的纯度大于90%。本发明还公开了上述电存储器的制备方法。本发明通过将二硫化钼与另一种半导体材料掺杂得到的纳米复合材料作为活性层，得到Flash型存储器件，且存储器件的性能有所提高。
Description
技术领域
本发明属于有机电子学领域，特别涉及了一种基于纳米复合材料的电存储器及其制备方法。
背景技术
20世纪60年代以来，科学家们发现许多的无机材料具有电存储现象，此后，科学家们不仅拓展了许多具有电存储现象的无机材料，而且也发现了很多具有电存储现象的基于聚合物体系的有机材料。随后学术界开始越来越关注有机电存储器件的现象。
二维层状纳米材料（2D），包括石墨烯和二硫化钼（molybdenumdisulfide）等，因为其材料所具备的新颖的层状结构和独特的电学以及光学性质而引起了学术界广泛的关注。单层的二硫化钼是一种通过弱范德华力相互作用，堆叠共价结合的S-Mo-S的构造的石墨烯类似物。
近年来，作为2D层状纳米材料的代表的二硫化钼已经引起了学术界越来越多的关注。二硫化钼（MoS2）纳米片具有特殊层厚度相关的光学和电学性能，特别是由间接向直接带隙转变的单层MoS2纳米片，使MoS2纳米片比石墨烯在光电应用方面更具有一定的优势，不仅在理论研究、合成和物理性质研究方面，更在场效应晶体管（FET，field-effecttransistors），光电二极管，以及锂离子电池等光电器件的应用中。此外，因为其合适的能级以及量子限制效应会使类石墨烯二硫化钼成为一个有竞争力的电荷替代材料，在未来聚合物存储器件中作为一种电荷捕获材料。
目前国内张华课题组率先研究了将类石墨烯二硫化钼纳米片与PVP（聚乙烯吡咯烷酮）材料进行混合，用以制备出纳米复合材料，并使用具有还原态的氧化石墨烯（rGO）作为存储器件的柔性电极，加入MoS2-PVP纳米复合材料所作为的器件活性层以及蒸镀的金属Al电极的光电存储器件，制作完成了具备Flash特性的电存储器件，器件开关比达到了102。2013年，张华课题组又将类石墨烯二硫化钼与氧化石墨烯混合，形成MoS2-GO的纳米复合材料，并用于光电存储器件的活性层，展现了102的开关比的Flash型电存储器件。虽然电存储器件的性能不是很优越，但其两度形成的纳米复合材料都展现了一定的Flash存储特性，这也发现了二硫化钼在电存储领域的应用。
综上所述，如何通过将二硫化钼这种2D材料与其他材料复合，从而制备出性能更优的电存储器是该领域的研究热点。
发明内容
为了解决上述背景技术提出的技术问题，本发明旨在提供基于单层二硫化钼纳米复合材料的电存储器及其制备方法，通过将二硫化钼与另一种半导体材料掺杂得到的纳米复合材料作为活性层，得到Flash型存储器件，且存储器件的性能有所提高。
为了实现上述技术目的，本发明的技术方案为：
基于单层二硫化钼纳米复合材料的电存储器，在玻璃基底的上表面镀有ITO膜层，ITO膜层上设有活性层，活性层上设有金属电极，所述活性层为二硫化钼与另一种半导体材料组成的纳米复合材料，该纳米复合材料以二硫化钼为多体，另一种半导体材料的纯度大于90%。
基于上述技术方案的一种优选方案，所述活性层的厚度为40-60nm，金属电极的厚度为80-120nm。
基于上述技术方案的一种优选方案，所述活性层的厚度为50nm，金属电极的厚度为80nm。
基于上述技术方案的一种优选方案，所述金属电极为铝电极。
基于上述技术方案的一种优选方案，所述另一种半导体材料的纯度大于99.5%。
本发明还包括基于上述电存储器的制备方法，包括以下步骤：
（1）对镀有ITO膜层的玻璃基底依次经去离子水清洗5-15分钟、丙酮清洗5-15分钟、乙醇清洗5-15分钟，在100-120oC温度下干燥15-40分钟后取出，再放入紫外照射装置进行紫外处理；
（2）选取与二硫化钼复合的另一种半导体材料，先将二硫化钼通过锂离子插层法进行剥离，通过高速离心液相转移将水相二硫化钼制备成异丙醇相二硫化钼，再将另一种半导体材料溶于有机溶剂，最后按照质量比5:1至30:1将二硫化钼与另一种半导体材料混合，并在搅拌、加热30-60min的条件下进行复合；
（3）将玻璃基底固定在旋涂仪器上，通过滴管将步骤（2）制得的复合材料的混合溶液滴在ITO膜层上，调整旋涂仪器的转速为1200-2000r/min、持续时间为30秒进行旋涂，旋涂完毕后，将玻璃基底放入干燥箱中，100-120oC温度下退火5-10分钟，形成活性层；
（4）在蒸镀设备中装好金属掩模板，在活性层上蒸镀金属电极，蒸镀速率为4.3-5埃每秒，直至电极厚度达到80-120nm。
基于上述技术方案的一种优选方案，步骤（1）中，对镀有ITO膜层的玻璃基底依次经去离子水清洗10分钟、丙酮清洗15分钟、乙醇清洗15分钟，在120oC温度下干燥30分钟后取出，再放入紫外照射装置进行紫外处理。
基于上述技术方案的一种优选方案，步骤（2）中，按照质量比10:1将二硫化钼与另一种半导体材料混合，并在搅拌、加热30min的条件下进行复合。
基于上述技术方案的一种优选方案，步骤（3）中，调整旋涂仪器的转速为2000r/min、持续时间为30秒进行旋涂，旋涂完毕后，将玻璃基底放入干燥箱中，120oC温度下退火10分钟，形成活性层。
基于上述技术方案的一种优选方案，步骤（4）中，在蒸镀设备中装好金属掩模板，在活性层上蒸镀金属电极，蒸镀速率为4.3埃每秒，直至电极厚度达到80nm。
采用上述技术方案带来的有益效果：
（1）本发明的活性层的制备比一般聚合物的制备方法简单，且原料易得；
（2）通过几种材料的复合用于存储器件的活性层，简化了器件结构；
（3）由于掺杂的效果，能够提高器件性能，且存储器件开关比达到103。
附图说明
图1是本发明的结构示意图。
图2是本发明中纳米复合材料的实现示意图。
图3是本发明中活性层的制备示意图。
图4是实施例1的电流-电压曲线图。
图5是实施例1的电流-维持时间曲线图。
图6是实施例2的电流-电压曲线图。
图7是实施例2的电流-维持时间曲线图。
具体实施方式
以下将结合附图，对本发明的技术方案进行详细说明。
如图1所示本发明的结构示意图，在玻璃基底（Glasssubstrate）的上表面镀有ITO膜层，ITO膜层上设有活性层（ActiveLayer），活性层上设有金属电极，所述活性层为二硫化钼与另一种半导体材料组成的纳米复合材料，该纳米复合材料以二硫化钼为多体，另一种半导体材料的纯度大于90%。其中，活性层的厚度为40-60nm，优选为50nm，金属电极的厚度为80-120nm，优选为80nm。金属电极优选采用铝（Al）电极。
实施例1，以PC60BM作为纳米复合材料中的其他半导材料，与二硫化钼复合作为活性层，制备过程如下。
（1）用去离子水、丙酮、乙醇等溶剂依次清洗ITO玻璃基底。
（2）将二硫化钼与PC60BM进行复合。如图2所示，将二硫化钼通过锂离子插层法进行剥离，通过高速离心液相转移将水相二硫化钼制备成异丙醇相二硫化钼，再将PC60BM溶于有机溶剂，最后按照质量比10:1将二硫化钼与另一种半导体材料混合，并在搅拌、加热的条件下进行复合。
（3）将复合材料旋涂在ITO上，厚度约为50nm。如图3所示，首先将ITO放在旋涂仪的吸盘正中间，待吸住后，用滴管吸取溶液，然后均匀滴在基片中央，待溶液铺满整个基片后，开始旋涂，为了增加活性层膜的平整性，采用了多次旋涂的实验过程。
（4）旋涂完后在蒸镀设备中蒸镀铝电极。
实施例2，以苝酰亚胺作为纳米复合材料中的其他半导材料，与二硫化钼复合作为活性层，制备过程如实施例1所述。
存储器件制作完毕后，在真空环境下，将器件从蒸发室传递到清洗室内，通过探针台与安捷伦B1500组合的设备以及导线，将电源（S）正极与基底相连，负极与电机相连（如图1所示），通过设置相关参数，对存储器件的性能进行测量，根据测试所得的数据，使用Origin8.0软件，绘制出实施例1、2的电流-电压(I-V)曲线（S1为电压从0到-6V的曲线图，S2为电压从-6到6V的曲线图，S3为电压从6到0V的曲线图）、电流-维持时间(I-T)曲线等存储器件的主要性能表征图，如图4-7所示。
随着少体材料的掺杂比从3%增加到10%，器件性能有所转变，存储器件的阈值电压在一定程度上有所降低。原因可能是跟PCBM/苝酰亚胺在二硫化钼中的分布有关。当有少量的PCBM或苝酰亚胺分子后，存储器件表现出存储特性，原因可能是PCBM/苝酰亚胺与二硫化钼之间产生电荷的捕获作用，随着PCBM/苝酰亚胺掺杂含量的增多，这种电荷捕获的作用越强烈，使得PCBM/苝酰亚胺分子能够在更短的时间里捕获到更多的电荷，从而形成一个导电通路。当给器件施加正向偏压的时候，由于PCBM/苝酰亚胺分子与二硫化钼之间是通过一些缺陷或不饱和健所结合的，在这些复合处会产生陷阱，同时由于二硫化钼是很好的P型半导体，而PCBM/苝酰亚胺是很好的N型半导体，这之间会很易于发生电荷转移的现象。之后由于大量空间电荷的堆叠，导致了在内部生成了与外加电场所相反的一个内部电场，阻碍了电荷的正常传输，形成空间电荷限制电流。随着外加电压的不断增大，陷阱也被电荷所填满，这样使得大量的电荷可以继续前进，并形成电流通路。这样在外部则会表现为器件从OFF态转为ON态的跳变过程。之后，在对器件施加反向偏压的时候，由于外部电场的作用，尤其是在超过之前阈值电压处，会使得电荷从之前填满的陷阱中再被施放出来，这样当所有的电荷都被从陷阱中施放出来之后，器件就会从ON状态回归到之前的OFF状态。经测试，实施例1、2制备的存储器件的开关比能达到103。
需要说明的是，上述制备的纳米复合材料不仅可以用在存储器件中，还可以应用在有机太阳能电池（OPV）、有机场效应晶体管（OFET）等器件中，例如应用于OLED的空穴注入层，OPV的空穴注入层，OFET的活性层等。
以上实施例仅为说明本发明的技术思想，不能以此限定本发明的保护范围，凡是按照本发明提出的技术思想，在技术方案基础上所做的任何改动，均落入本发明保护范围之内。
Claims (10)
1.基于单层二硫化钼纳米复合材料的电存储器，其特征在于：在玻璃基底的上表面镀有ITO膜层，ITO膜层上设有活性层，活性层上设有金属电极，所述活性层为二硫化钼与另一种半导体材料组成的纳米复合材料，该纳米复合材料以二硫化钼为多体，另一种半导体材料的纯度大于90%。
2.根据权利要求1所述基于单层二硫化钼纳米复合材料的电存储器，其特征在于：所述活性层的厚度为40-60nm，金属电极的厚度为80-120nm。
3.根据权利要求2所述基于单层二硫化钼纳米复合材料的电存储器，其特征在于：所述活性层的厚度为50nm，金属电极的厚度为80nm。
4.根据权利要求1所述基于单层二硫化钼纳米复合材料的电存储器，其特征在于：所述金属电极为铝电极。
5.根据权利要求1所述基于单层二硫化钼纳米复合材料的电存储器，其特征在于：所述另一种半导体材料的纯度大于99.5%。
6.权利要求1所述电存储器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
（1）对镀有ITO膜层的玻璃基底依次经去离子水清洗5-15分钟、丙酮清洗5-15分钟、乙醇清洗5-15分钟，在100-120oC温度下干燥15-40分钟后取出，再放入紫外照射装置进行紫外处理；
（2）选取与二硫化钼复合的另一种半导体材料，先将二硫化钼通过锂离子插层法进行剥离，通过高速离心液相转移将水相二硫化钼制备成异丙醇相二硫化钼，再将另一种半导体材料溶于有机溶剂，最后按照质量比5:1至30:1将二硫化钼与另一种半导体材料混合，并在搅拌、加热30-60min的条件下进行复合；
（3）将玻璃基底固定在旋涂仪器上，通过滴管将步骤（2）制得的复合材料的混合溶液滴在ITO膜层上，调整旋涂仪器的转速为1200-2000r/min、持续时间为30秒进行旋涂，旋涂完毕后，将玻璃基底放入干燥箱中，100-120oC温度下退火5-10分钟，形成活性层；
（4）在蒸镀设备中装好金属掩模板，在活性层上蒸镀金属电极，蒸镀速率为4.3-5埃每秒，直至电极厚度达到80-120nm。
7.根据权利要求6所述电存储器的制备方法，其特征在于：步骤（1）中，对镀有ITO膜层的玻璃基底依次经去离子水清洗10分钟、丙酮清洗15分钟、乙醇清洗15分钟，在120oC温度下干燥30分钟后取出，再放入紫外照射装置进行紫外处理。
8.根据权利要求6所述电存储器的制备方法，其特征在于：步骤（2）中，按照质量比10:1将二硫化钼与另一种半导体材料混合，并在搅拌、加热30min的条件下进行复合。
9.根据权利要求6所述电存储器的制备方法，其特征在于：步骤（3）中，调整旋涂仪器的转速为2000r/min、持续时间为30秒进行旋涂，旋涂完毕后，将玻璃基底放入干燥箱中，120oC温度下退火10分钟，形成活性层。
10.根据权利要求6所述电存储器的制备方法，其特征在于：步骤（4）中，在活性层上蒸镀金属电极，蒸镀速率为4.3埃每秒，直至电极厚度达到80nm。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN105552221A true CN105552221A (zh) | 2016-05-04 |
| CN105552221B CN105552221B (zh) | 2018-10-02 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201510955488.8A Active CN105552221B (zh) | 2015-12-18 | 2015-12-18 | 基于单层二硫化钼纳米复合材料的电存储器及其制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN105552221B (zh) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| CN107863442A (zh) * | 2017-10-30 | 2018-03-30 | 深圳大学 | 一种柔性阻变式存储器及其制备方法 |
| CN110137357A (zh) * | 2019-05-23 | 2019-08-16 | 苏州大学 | 良柔性三明治型pn结电存储器件 |
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- 2015-12-18 CN CN201510955488.8A patent/CN105552221B/zh active Active
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|---|---|
| CN105552221B (zh) | 2018-10-02 |
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