CN105522286B - 镭射切割机及其切割方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及显示器制备技术领域,公开了一种镭射切割机及其切割方法,用以提高显示装置的生产效率。本发明提供的镭射切割机包括:镭射切割头;还包括:机台;设置于机台上、与待切割基板的每个子基板一一对应的支撑台,每个支撑台用于支撑对应的子基板,且相邻的两个支撑台之间具有设定间隙,每个设定间隙用于容置相连的两个子基板的切割线上覆盖的覆晶薄膜;设置于机台上、与覆晶薄膜一一对应的分离机构,每个分离机构用于将覆晶薄膜和对应的切割线分离。

Description

镭射切割机及其切割方法
技术领域
本发明涉及显示器制备技术领域,特别涉及一种镭射切割机及其切割方法。
背景技术
液晶显示器的制作过程中有一道切割工序,就是对液晶面板内的线路板上的部分线路进行切割,以便后续工序的进行,由于这种线路板的制作非常精细,线路板上的各种线路又极其复杂,因此难以通过普通的切割工艺来实现。
镭射切割机又称为激光切割机,它是通过发射高能量的激光来对工件进行切割的。由于镭射切割机能够透过玻璃面板进行切割,且切割精度非常高(通常能达到0.001毫米),因此,在液晶显示器的制作过程中通常都采用镭射切割机来对液晶面板下设置的线路板进行切割。
现有技术的镭射切割机只能对未压合电路板或集成电路的基板进行切割,基板被切割为多个子基板后,再进行覆晶薄膜,进行电路板或集成电路的压合工序,这样便会影响液晶显示器的生产效率。
发明内容
本发明提供了一种镭射切割机及其切割方法,用以提高显示装置的生产效率。
为达到上述目的,本发明提供以下技术方案:
本发明提供了一种镭射切割机,包括:镭射切割头;还包括:
机台;
设置于所述机台上、与待切割基板的每个子基板一一对应的支撑台,每个支撑台用于支撑对应的子基板,且相邻的两个支撑台之间具有设定间隙,每个设定间隙用于容置相连的两个子基板的切割线上覆盖的覆晶薄膜;
设置于所述机台上、与覆晶薄膜一一对应的分离机构,每个所述分离机构用于将覆晶薄膜和对应的切割线分离。
本发明提供的镭射切割机,在显示面板的制备过程中,可以先对整个大的基板进行电路板或集成电路的压合工序后,再对基板进行切割,切割时,将整个大的基板放置在机台上,基板的每个子基板与支撑台一一对应,将分离机构一一对应覆晶薄膜,分离机构将覆晶薄膜和对应的切割线分离,这样当镭射切割头切割基板时,镭射切割头切割时产生的热量不会对覆晶薄膜造成影响。
可见,本发明提供的镭射切割机,在显示面板制备过程中,可以先进行电路板或集成电路的压合工序,再进行切割工序,故本发明提供的镭射切割机,可以提高显示装置的生产效率。
在一些可选的实施方式中,每个分离机构为可伸缩吸附单元,所述可伸缩吸附单元用于吸住覆晶薄膜,其中:所述可伸缩吸附单元收缩时,可将其吸住的覆晶薄膜和对应的切割线分离。
在一些可选的实施方式中,每个所述可伸缩吸附单元包括:伸缩式真空吸管,所述伸缩式真空吸管背离所述待切割基板的一端与所述机台固定连接。
在一些可选的实施方式中,每个所述可伸缩吸附单元包括:真空吸管,所述真空吸管滑动安装于所述机台。
在一些可选的实施方式中,每个所述可伸缩吸附单元包括:伸缩缸,所述伸缩缸的伸出端设有吸盘。
在一些可选的实施方式中,每个所述可伸缩吸附单元包括:伸缩杆,所述伸缩杆的伸出端设有吸盘。
在一些可选的实施方式中,每个所述可伸缩吸附单元还包括:
驱动所述可伸缩吸附单元伸缩的第一驱动装置。
在一些可选的实施方式中,所述第一驱动装置包括:电机。
在一些可选的实施方式中,每个所述分离机构包括:
分离杆,所述分离杆的一端设有真空吸盘、另一端与机台铰接;
与所述分离杆传动连接的第二驱动装置,用于驱动所述分离杆绕铰接点旋转。
本发明还提供了一种应用于上述任一项所述的镭射切割机的切割方法,包括:
将基板放置在所述机台上,所述基板包括:多个子基板,且任意相连的两个子基板的切割线上均覆盖有覆晶薄膜,其中:每个子基板位于对应的所述支撑台上,任意相连的两个子基板的切割线位于所述间隙内;
每个所述分离机构将覆晶薄膜和对应的切割线分离;
所述镭射切割头将任意相连的两个子基板沿切割线切开。
附图说明
此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解,构成本发明的一部分,本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明,并不构成对本发明的不当限定。在附图中:
图1为本发明实施例提供的镭射切割机的一种状态示意图;
图2为本发明实施例提供的镭射切割机的另一种状态示意图;
图3为本发明实施例提供的镭射切割机的切割方法流程图。
图中:
1-机台 2-支撑台
3-基板 31-子基板
4-切割线 5-间隙
6-分离机构 7-覆晶薄膜
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。
如图1和图2所示,其中:图1为本发明实施例提供的镭射切割机的一种状态示意图;图2为本发明实施例提供的镭射切割机的另一种状态示意图。
本发明提供了一种镭射切割机,包括:镭射切割头;还包括:
机台1;
设置于机台1上、与待切割基板3的每个子基板31一一对应的支撑台2,每个支撑台2用于支撑对应的子基板31,且相邻的两个支撑台2之间具有设定间隙5,每个设定间隙5用于容置相连的两个子基板31的切割线4上覆盖的覆晶薄膜7;
设置于机台1上、与覆晶薄膜7一一对应的分离机构6,每个分离机构6用于将覆晶薄膜7和对应的切割线4分离。
现有技术中,在制备显示面板时,需要先对整块大的基板进行切割后,再对单一的每个子基板进行电路板或集成电路的压合工序,需要多次运送子基板,工序上较麻烦。
本发明提供的镭射切割机,在显示面板的制备过程中,可以先对整个大的基板3进行电路板或集成电路的压合工序后,再对基板3进行切割,切割时,将整个大的基板3放置在机台1上,基板3的每个子基板31与支撑台2一一对应,将分离机构6一一对应覆晶薄膜7,分离机构6将覆晶薄膜7和对应的切割线4分离,如图1所示,覆晶薄膜会与一子基板分离,这样当镭射切割头切割基板3时,镭射切割头切割时产生的热量不会对覆晶薄膜7造成影响。
可见,本发明提供的镭射切割机,在显示面板制备过程中,可以先进行电路板或集成电路的压合工序,再进行切割工序,故本发明提供的镭射切割机,可以提高显示装置的生产效率。
上述分离机构6的可选结构可以有多种,只需要可以将覆晶薄膜7与基板的切割线4贴合的部分分离即可。
一种具体的实施方式中,可选的,每个分离机构6为可伸缩吸附单元,可伸缩吸附单元用于吸住覆晶薄膜7,其中:可伸缩吸附单元收缩时,可将其吸住的覆晶薄膜7和对应的切割线4分离。
上述每个可伸缩吸附单元的具体结构可以有多种:
本发明提供的一具体实施方式中,每个可伸缩吸附单元包括:伸缩式真空吸管,伸缩式真空吸管背离待切割基板3的一端与机台1固定连接。伸缩式真空吸管与真空泵连通。即真空吸管自身可以伸缩,例如折叠伞的伞杆的结构,真空吸管包括:至少两个空心管,其中一个空心管滑动安装于另一空心管,通过两个空心管之间的相对滑动实现伸缩,空心管与真空泵连通。
本发明提供的另一具体实施方式中,每个可伸缩吸附单元包括:真空吸管,真空吸管滑动安装于机台1。即真空管自身不可以伸缩,通过其与机台1的滑动安装,实现滑动伸缩。
本发明提供的再一种具体实施方式中,每个可伸缩吸附单元包括:伸缩缸,伸缩缸的伸出端设有吸盘。伸缩缸可以为气缸也可以为液压缸。
本发明提供的再一种具体实施方式中,每个可伸缩吸附单元包括:伸缩杆,伸缩杆的伸出端设有吸盘。即伸缩杆可以为实心结构,不需要与真空泵连接,吸盘具有吸附作用。
进一步的上述实施方式中,每个可伸缩吸附单元还包括:
驱动可伸缩吸附单元伸缩的第一驱动装置。
可选的,第一驱动装置包括:电机。当然第一驱动装置不限于电机。
另一种具体实施方式中,每个分离机构6包括:
分离杆,分离杆的一端设有真空吸盘、另一端与机台1铰接;
与分离杆传动连接的第二驱动装置,用于驱动分离杆绕铰接点旋转。通过分离杆的旋转,可以实现分离杆位于覆晶薄膜7和机台1之间竖直长度的变化,达到可以分离覆晶薄膜7与对应的切割线4的目的。
如图3所示,图3为本发明实施例提供的镭射切割机的切割方法流程图。本发明还提供了一种应用于上述任一项的镭射切割机的切割方法,包括:
步骤S301:将基板放置在机台上,基板包括:多个子基板,且任意相连的两个子基板的切割线上均覆盖有覆晶薄膜,其中:每个子基板位于对应的支撑台上,任意相连的两个子基板的切割线位于间隙内;
步骤S302:每个分离机构将覆晶薄膜和对应的切割线分离;
步骤S303:镭射切割头将任意相连的两个子基板沿切割线切开。
当每个分离机构为可伸缩吸附单元时,可伸缩吸附单元伸长时会将对应的覆晶薄膜吸住,当可伸缩吸附单元收缩时,可将其吸住的覆晶薄膜和对应的切割线分离,即如图1所示,覆晶薄膜与一子基板分离。
显然,本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样,倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内,则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (10)

1.一种镭射切割机,包括:镭射切割头;其特征在于,还包括:
机台;
设置于所述机台上、与待切割基板的每个子基板一一对应的支撑台,每个支撑台用于支撑对应的子基板,且相邻的两个支撑台之间具有设定间隙,每个设定间隙用于容置相连的两个子基板的切割线上覆盖的覆晶薄膜;
设置于所述机台上、与覆晶薄膜一一对应的分离机构,每个分离机构用于将覆晶薄膜和对应的切割线分离。
2.根据权利要求1所述的镭射切割机,其特征在于,每个所述分离机构包括:可伸缩吸附单元,所述可伸缩吸附单元用于吸住覆晶薄膜,其中:所述可伸缩吸附单元收缩时,可将其吸住的覆晶薄膜和对应的切割线分离。
3.根据权利要求2所述的镭射切割机,其特征在于,每个所述可伸缩吸附单元包括:伸缩式真空吸管,所述伸缩式真空吸管背离所述待切割基板的一端与所述机台固定连接。
4.根据权利要求2所述的镭射切割机,其特征在于,每个所述可伸缩吸附单元包括:真空吸管,所述真空吸管滑动安装于所述机台。
5.根据权利要求2所述的镭射切割机,其特征在于,每个所述可伸缩吸附单元包括:伸缩缸,所述伸缩缸的伸出端设有吸盘。
6.根据权利要求2所述的镭射切割机,其特征在于,每个所述可伸缩吸附单元包括:伸缩杆,所述伸缩杆的伸出端设有吸盘。
7.根据权利要求2~6任一项所述的镭射切割机,其特征在于,每个所述可伸缩吸附单元还包括:
驱动所述可伸缩吸附单元伸缩的第一驱动装置。
8.根据权利要求7所述的镭射切割机,其特征在于,所述第一驱动装置包括:电机。
9.根据权利要求1所述的镭射切割机,其特征在于,每个所述分离机构包括:
分离杆,所述分离杆的一端设有真空吸盘、另一端与机台铰接;
与所述分离杆传动连接的第二驱动装置,用于驱动所述分离杆绕铰接点旋转。
10.一种应用于如权利要求1~9任一项所述的镭射切割机的切割方法,其特征在于,包括:
将基板放置在所述机台上,所述基板包括:多个子基板,且任意相连的两个子基板的切割线上均覆盖有覆晶薄膜,其中:每个子基板位于对应的所述支撑台上,任意相连的两个子基板的切割线位于所述间隙内;
每个所述分离机构将覆晶薄膜和对应的切割线分离;
所述镭射切割头将任意相连的两个子基板沿切割线切开。
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