CN105514141A

CN105514141A - 有机发光显示设备

Info

Publication number: CN105514141A
Application number: CN201510661328.2A
Authority: CN
Inventors: 柳春基; 金大宇; 朴钟贤; 李炚瑾
Original assignee: Samsung Display Co Ltd
Current assignee: Samsung Display Co Ltd
Priority date: 2014-10-14
Filing date: 2015-10-14
Publication date: 2016-04-20
Anticipated expiration: 2035-10-14
Also published as: TW201620173A; KR102327087B1; CN105514141B; KR20160044172A; US9698206B2; TWI692891B; US20160104858A1

Abstract

提供一种有机发光显示(OLED)设备，所述OLED设备包括：基底；TFT，位于基底上并且包括有源层、栅电极、源电极和漏电极；第一层间绝缘层，位于栅电极与源电极之间以及栅电极与漏电极之间，并且包括无机材料；第二层间绝缘层，位于第一层间绝缘层与源电极之间以及第一层间绝缘层与漏电极之间，并且包括有机材料；第一有机层，覆盖源电极和漏电极；第二有机层，位于第一有机层上；电容器，包括第一电极和第二电极，第一电极包括与栅电极相同的材料，第二电极包括与源电极和漏电极相同的材料；像素电极，位于在不与TFT和电容器叠置的区域中形成的开口中，并与源电极和漏电极中的一个接触；发射层，位于像素电极上；对电极，位于发射层上。

Description

有机发光显示设备

本申请要求于2014年10月14日向韩国知识产权局提交的第10-2014-0138614号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。

技术领域

一个或更多个示例实施例涉及一种有机发光显示设备。

背景技术

有机发光显示设备是一种自发光显示设备，其包括空穴注入电极、电子注入电极以及形成在空穴注入电极和电子注入电极之间的发射层，其中，从空穴注入电极注入的空穴和从电子注入电极注入的电子在发射层中复合，从而从发射层发光。有机发光显示设备因其诸如低功耗、高对比度和快速响应时间等高品质特性而被期望作为下一代显示设备。

发明内容

一个或更多个示例实施例包括一种具有改善的显示质量的有机发光显示设备。

附加方面将在下面的描述中部分地阐述，并部分地将通过下面的描述而明显，或者可通过提供的实施例的实践而理解。

根据本发明的一些实施例，一种有机发光显示设备包括：基底；薄膜晶体管(TFT)，位于所述基底上并包括有源层、栅电极、源电极和漏电极；第一层间绝缘层，位于栅电极与源电极之间以及栅电极与漏电极之间，并包括无机材料；第二层间绝缘层，位于第一层间绝缘层与源电极和漏电极之间，并包括有机材料；第一有机层，覆盖源电极和漏电极；第二有机层，位于第一有机层上；电容器，包括第一电极和第二电极，第一电极包括与栅电极相同的材料，第二电极包括与源电极和漏电极相同的材料；像素电极，位于在不与TFT和电容器叠置的区域中形成的开口中，并与源电极和漏电极中的一个接触；发射层，位于像素电极上；对电极，位于发射层上。

像素电极可以是半透明电极，对电极可以是反射电极。

像素电极可以包括第一透明导电氧化物层、半透明金属层和第二透明导电氧化物层。

像素电极的端部可以位于第一有机层上并且可以被第二有机层覆盖。

布置有像素电极的开口可以使第二层间绝缘层、第一有机层和第二有机层以叠置的方式暴露。

第一有机层中的开口的宽度可以比第二有机层中的开口的宽度大，并且可以比第二层间绝缘层中的开口的宽度小。

布置有像素电极的开口还可以使第一层间绝缘层以叠置的方式暴露。

第一有机层中的开口的宽度可以比第二有机层中的开口的宽度大，并且可以比第一层间绝缘层和第二层间绝缘层中的开口的宽度小。

像素电极的底表面可以与第一层间绝缘层的顶表面接触。

栅电极的厚度可以在大约至大约之间。

电容器的第二电极可以布置在第二层间绝缘层的开口中。

电容器的第二电极的底表面可以与第一层间绝缘层的顶表面接触。

源电极和漏电极中的每个可以包括第一金属层和位于第一金属层上的第二金属层。

所述有机发光显示设备还可以包括位于源电极和漏电极上的保护层。

所述有机发光显示设备还可以包括与源电极和漏电极处于同一层上的焊盘电极。

焊盘电极可以包括第一焊盘层和位于第一焊盘层上的第二焊盘层。

所述有机发光显示设备还可以包括位于焊盘电极上的保护层。

所述有机发光显示设备还可以包括阴极接触层，所述阴极接触层位于第二层间绝缘层上并通过第一有机层和第二有机层中的接触孔与所述对电极接触。

阴极接触层可以包括与源电极和漏电极相同的材料。

所述有机发光显示设备还可以包括位于阴极接触层上的保护层。

附图说明

通过下面结合附图的对示例实施例进行的描述，这些和/或其它方面将变得明显和更加容易理解，在附图中：

图1是根据本发明的一些实施例的有机发光显示设备的平面图；

图2是示出根据本发明的一些实施例的有机发光显示设备的发射像素的一部分和焊盘的一部分的剖视图；

图3A至图3I是示出制造根据本发明的一些实施例的有机发光显示设备的方法的剖视图；

图4是示出根据本发明的一些实施例的有机发光显示设备的阴极接触部的一部分的剖视图；

图5是示出根据本发明的一些实施例的有机发光显示设备的发射像素的一部分和焊盘的一部分的剖视图；

图6是示出根据本发明的一些实施例的有机发光显示设备的发射像素的一部分和焊盘的一部分的剖视图；

图7是示出根据本发明的一些实施例的有机发光显示设备的发射像素的一部分和焊盘的一部分的剖视图。

具体实施方式

由于本发明的实施例允许各种变化和许多实施例，因此将在附图中示出并以书面描述来详细地描述具体实施例。可通过参照接下来对示例实施例的详细描述和附图来使本发明及其实现方法的各方面和特征变得更加容易理解。然而，本发明可以以许多不同的形式实施，并且不应被解释为限制于这里所阐述的实施例。

在下文中，将在下面参照附图更详细地描述一个或更多个示例实施例。相同或相应的组件都将以相同的附图标记表示，而与图号无关，省略了多余的解释。

以下，在一个或更多个示例实施例中，虽然可以使用“第一”、“第二”等这样的术语，但是这些组件不必受到上述术语的限制。上述术语仅用于将一个组件与另一个组件区分开。

以下，在一个或更多个示例实施例中，单数形式可以包括复数形式，除非存在与之相反的具体描述。

以下，在一个或更多个示例实施例中，术语诸如“包括”或“包含”用于说明存在所述的特征或组件，但不排除存在一个或更多个其它所述的特征或一个或更多个其它的组件。

以下，在一个或更多个示例实施例中，还将理解的是，当元件(诸如，层、区域或组件)被称为“在”另一元件“上”时，该元件可以直接在所述另一元件上，或者它们之间也可以插入中间元件(诸如，层、区域或组件)。

在附图中，为了便于描述，为了清楚起见而夸大了层和区域的尺寸。例如，为了便于描述，每个元件的尺寸和厚度会是随意的，因此，一个或更多个示例实施例不限于此。

如这里所使用的，术语“和/或”包括一个或更多个相关所列项的任意和全部组合。

图1是根据第一示例实施例的有机发光显示设备1的平面图。图2是示出根据第一示例实施例的有机发光显示设备1的发射像素的一部分和焊盘的一部分的剖视图。

参照图1，有机发光显示设备1包括基底10上的显示区域DA，显示区域DA包括多个像素P从而显示图像。显示区域DA形成在密封线SL内，包封构件(未示出)被布置为沿着密封线SL对显示区域DA进行包封。阴极接触部CECNT形成在显示区域DA和焊盘PAD之间，从而对公共地形成在显示区域DA中的阴极供电。

参照图2，具有至少一个发射层121的像素区域PXL1、具有至少一个薄膜晶体管的薄膜晶体管区域TR1、具有至少一个电容器的电容器区域CAP1和焊盘区域PAD1布置在基底10上。

在薄膜晶体管区域TR1中，薄膜晶体管的有源层212布置在基底10和缓冲层11的上方。

基底10可以形成为包括玻璃基底或塑料基底的透明基底，塑料基底包括聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)或聚酰亚胺等。

可以在基底10上进一步布置缓冲层11，以在基底10上形成平坦的表面，并防止外来物质或污染物的渗透。缓冲层11可以形成为包括氮化硅和/或氧化硅的单层或多层。

有源层212在薄膜晶体管区域TR1中布置在缓冲层11上。有源层212可以由包括非晶硅或多晶硅的半导体形成。有源层212可以包括沟道区212c以及布置在沟道区212c的两侧并掺杂有杂质的源区212a和漏区212b。有源层212的材料不限于非晶硅或多晶硅，可以包括氧化物半导体。

栅极绝缘层13布置在有源层212上。栅极绝缘层13可以形成为包括氮化硅和/或氧化硅的单层或多层。

栅电极214布置在栅极绝缘层13上。栅电极214可以形成为单层或多层，所述单层或多层包括从铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和铜(Cu)中选择(例如，从由前述物质组成的组中选择)的至少一种金属材料。

虽然图2中未示出，但诸如扫描线的布线可以通过使用与栅电极214相同的材料而与栅电极214形成在同一层上。随着有机发光显示设备1的屏幕尺寸的增大，可以增加布线的厚度以防止或减少由于大屏幕导致的信号延迟。在本实施例中，栅电极214和布线的厚度可被设置为在大约至大约之间。当栅电极214和布线的厚度等于或大于至少时，可以防止或减少在至少50英寸的大屏幕中的信号延迟。就这一点而言，难以通过沉积将栅电极214和布线的厚度形成为大于

第一层间绝缘层15-1和第二层间绝缘层15-2沉积在栅电极214上。第一层间绝缘层15-1可以形成为无机绝缘层，第二层间绝缘层15-2可以形成为有机绝缘层。为了防止或减少具有大屏幕的有机发光显示设备1中的信号延迟，栅电极214和布线可以形成为相对厚，并且如果仅形成诸如第一层间绝缘层15-1的无机绝缘层，则由于布线的厚度会导致在无机绝缘层中产生裂纹。另外，如果仅形成第一层间绝缘层15-1，则形成在第一层间绝缘层15-1的下方的布线与形成在第一层间绝缘层15-1上的布线之间的寄生电容会增大，从而会发生电容耦合，因此会防止或减少精确信号传输。

然而，在根据本实施例的有机发光显示设备1中，即使当栅电极214和布线相对厚时，由于进一步形成有作为有机层的第二层间绝缘层15-2，因此可以防止或减少在第一层间绝缘层15-1中裂纹的发生率，并且可以减小位于第一层间绝缘层15-1的上方和下方的布线之间的寄生电容，从而可以保持精确的或更准确的信号传输。

源电极216a和漏电极216b布置在第二层间绝缘层15-2上。源电极216a和漏电极216b可以是具有不同的电子迁移率的至少两个不同的金属层。例如，源电极216a和漏电极216b可以形成为至少两个不同的金属层，所述至少两个不同的金属层包括从Al、Pt、Pd、Ag、Mg、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、Mo、Ti、W、Cu以及它们的合金中选择的金属材料。

源电极216a和漏电极216b中的每个可以形成为双金属层。例如，源电极216a可以形成为源电极的第一层216a-1和覆盖第一层216a-1的第二层216a-2。此外，漏电极216b可以形成为漏电极的第一层216b-1和覆盖第一层216b-1的第二层216b-2。作为金属层的第一层216a-1、216b-1和第二层216a-2、216b-2中的每层可以形成为至少两个不同的金属层，所述至少两个不同的金属层包括从Al、Pt、Pd、Ag、Mg、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、Mo、Ti、W、Cu以及它们的合金中选择的金属材料。以这种方式，由于源电极216a和漏电极216b中的每个形成为双金属层，因此可以增加源电极216a和漏电极216b的厚度。通过这样做，可以减小布线处的电阻，从而可以减小由于布线处的电阻导致的信号延迟。

保护层418形成在源电极216a的第二层216a-2和漏电极216b的第二层216b-2上。由于保护层418布置在第二层216a-2和第二层216b-2上，因此在蚀刻像素电极120时，保护层418可以防止或减少源电极216a和漏电极216b暴露于蚀刻剂，从而可以防止或减少微粒缺陷。

由于保护层418和源电极216a的第二层216a-2以及保护层418和漏电极216b的第二层216b-2通过使用同一掩模进行蚀刻，因此保护层418、源电极216a的第二层216a-2和漏电极216b第二层的216b-2的端部的蚀刻表面可以相互一致。

覆盖源电极216a和漏电极216b的第一有机层19布置在源电极216a和漏电极216b上。第二有机层20布置在第一有机层19上。第一有机层19和第二有机层20可以包括具有商用聚合物(PMMA和PS)和酚基的聚合物衍生物、丙烯酸类聚合物、酰亚胺类聚合物、烯丙醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物或它们的组合。

像素电极120通过形成在第一有机层19中的接触孔C6接触源电极216a和漏电极216b中的一个。

像素电极120在像素区域PXL1中布置在缓冲层11和栅极绝缘层13的上方。像素电极120布置在形成在不与下面更详细地描述的薄膜晶体管或电容器叠置的区域中的开口中。

形成在第一有机层19中的开口C5的宽度比形成在第二有机层20中的开口C8的宽度大，并且比形成在第一层间绝缘层15-1和第二层间绝缘层15-2中的开口C1的宽度小。形成在第二有机层20中的开口C8、形成在第一有机层19中的开口C5以及形成在第一层间绝缘层15-1和第二层间绝缘层15-2中的开口C1彼此叠置。

像素电极120的端部位于形成在第一有机层19中的开口C5中并被第二有机层20覆盖。

像素电极120包括半透明金属层120b。此外，像素电极120还可以包括层120a和120c，层120a和120c包括透明导电氧化物并分别形成在半透明金属层120b的下方和上方，以保护半透明金属层120b。

半透明金属层120b可以由Ag或银合金形成。半透明金属层120b和稍后将要描述的作为反射电极的对电极122可以形成微腔结构，因此可以改善有机发光显示设备1的发光效率。

包括透明导电氧化物的层120a和120c可以包括从由氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In₂O₃)、氧化铟镓(IGO)和氧化铝锌(AZO)组成的组中选择的至少一种材料。半透明金属层120b下方的透明导电氧化物层120a可以加强栅极绝缘层13和像素电极120之间的粘附力，半透明金属层120b上的透明导电氧化物层120c可用作阻挡层以保护半透明金属层120b。

高度可还原的诸如银的金属材料会导致在蚀刻像素电极120时银颗粒被提取的问题。被提取的银颗粒会是导致黑斑的颗粒缺陷的因素。在对包括银的像素电极120进行蚀刻时，如果源电极216a、漏电极216b、焊盘电极416或布线暴露于蚀刻剂，则具有高度可还原的银离子会从前述金属材料接收电子并会被再次提取为银颗粒。然而，在根据本实施例的有机发光显示设备1中，源电极216a、漏电极216b和焊盘电极416被保护层418保护，因此不被暴露于蚀刻剂。因此，可以防止或减少由于银颗粒的再提取导致的颗粒缺陷。

包括发射层121的中间层布置在像素电极120上，像素电极120的顶表面被形成在第二有机层20中的开口C8暴露。发射层121可以包括小分子有机材料或聚合物有机材料。

如果发射层121包括小分子有机材料，则中间层还可以包括空穴传输层(HTL)、空穴注入层(HIL)、电子传输层(ETL)或电子注入层(EIL)。除了这些层外，如果需要，中间层还可以包括各种层。这里，可以使用包括酞菁铜(CuPc)、N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二苯基-联苯胺(NPB)或三-8-羟基喹啉铝(Alq₃)等的各种有机材料。

如果发射层121包括聚合物有机材料，则中间层还可以包括HTL。HTL可以由聚-(2,4)-乙撑-二羟基噻吩(PEDOT)或聚苯胺(PANI)形成。这里，聚合物有机材料可以包括聚对苯乙烯撑(PPV)或聚芴等。另外，无机材料还可以布置在发射层121和像素电极120之间，并且还可以布置在发射层121和对电极122之间。

参照图2，发射层121位于开口C8中，但这仅是为了便于说明，且一个或更多个示例实施例不限于此。发射层121不仅可以形成在开口C8中，而且可以沿着形成在第一有机层19中的开口C5的的蚀刻表面延伸到第二有机层20的顶表面。

公共地形成在像素中的对电极122布置在发射层121上。在根据本实施例的有机发光显示设备1中，像素电极120用作阳极，对电极122用作阴极，但电极的极性可以转换。

对电极122可以是包括反射材料的反射电极。对电极122可以包括从Al、Mg、Li、Ca、LiF/Ca和LiF/Al中选择的至少一种材料。由于对电极122形成为反射电极，从发射层121发射的光从对电极122反射，从而经由半透明金属形成的像素电极120朝向的基底10释放。

电容器区域CAP1具有电容器，所述电容器包括与栅电极214布置在同一层上的第一电极314以及与源电极216a和漏电极216b布置在同一层上的第二电极316。第一层间绝缘层15-1和第二层间绝缘层15-2布置在第一电极314和第二电极316之间。

第一电极314可以由与栅电极214相同的材料形成。第二电极316可以形成为双金属层。即，第二电极316可以包括第一层316-1和第二层316-2。

保护层418形成在第二电极316的第二层316-2上。保护层418可以防止在蚀刻像素电极120时电容器的第二电极316暴露于蚀刻剂，从而可以防止或减少颗粒缺陷的情形。

由于通过使用同一掩模对保护层418和第二电极316的第二层316-2进行蚀刻，因此保护层418和第二电极316的第二层316-2的端部的蚀刻表面可以相互一致。

在焊盘区域PAD1(即，显示区域DA的外部区域)中，设置有作为外部驱动器的连接端子的焊盘电极416。

焊盘电极416布置在第二层间绝缘层15-2上，焊盘电极416的端部被第一有机层19覆盖。

焊盘电极416由与源电极216a和漏电极216b相同的材料形成。焊盘电极416可以形成为双金属层，例如，焊盘电极416可包括第一焊盘层416-1和第二焊盘层416-2。

保护层418形成在第二焊盘层416-2上。在蚀刻像素电极120时，保护层418防止焊盘电极416暴露于蚀刻剂，从而可以防止或减少颗粒缺陷的情形。另外，保护层418防止焊盘电极416暴露于湿气和氧，从而能够防止焊盘的可靠性劣化。

由于通过使用同一掩模对保护层418和第二焊盘层416-2进行蚀刻，因此保护层418和第二焊盘层416-2的端部的蚀刻表面可以相互一致。

对电极122不是单独地形成在每个像素中，而是形成为完全覆盖显示区域DA(参照图1)的共电极，并且阴极接触部CECNT形成在显示区域DA的外侧并向共电极供应信号。

参照图1，阴极接触部CECNT位于显示区域DA和焊盘PAD之间，但一个或更多个示例实施例不限于此。阴极接触部CECNT可位于显示区域DA和密封线SL之间的任何位置。

图4是示出根据第一示例实施例的有机发光显示设备1的阴极接触部CECNT的一部分的剖视图。

布线514位于基底10、缓冲层11和栅极绝缘层13的上方。布线514可以是结合到扫描线的信号线。

第一层间绝缘层15-1和第二层间绝缘层15-2布置在布线514上，阴极接触层516布置在第二层间绝缘层15-2上。

阴极接触层516可以由与源电极216a和漏电极216b相同的材料形成。阴极接触层516可以形成为双金属层。即，阴极接触层516可以包括第一层516-1和第二层516-2。

保护层418形成在第二层516-2上。在蚀刻像素电极120时，保护层418防止阴极接触层516暴露于蚀刻剂，从而可以防止或减少颗粒缺陷的情形。

对电极122通过形成在第一有机层19中的接触孔C9和形成在第二有机层20中的接触孔C10电结合到阴极接触层516。由于增大了有机发光显示设备1的屏幕的尺寸，因此可以通过扩大阴极接触部CECNT的区域来减少由于电极电源导致的发热。如果扩大阴极接触部CECNT的区域，则该区域与布置在阴极接触层516下方的布线514部分地叠置。如果布线514的厚度大，则可能在叠置区域中发生布线514与阴极接触层516的短接。然而，在本实施例中，作为无机层的第一层间绝缘层15-1和作为有机层的第二层间绝缘层15-2布置在布线514和阴极接触层516之间，从而可以防止布线514和阴极接触层516之间的短接。

有机发光显示设备1还可以包括包封构件，包封构件包封像素区域PXL1、电容器区域CAP1和薄膜晶体管区域TR1。包封构件可以形成为基底，所述基底包括玻璃材料、金属膜或者由交替堆叠的有机绝缘膜和无机绝缘膜形成的包封薄膜。

以下，将参照图3A至图3I描述制造有机发光显示设备1的方法。

图3A是示出根据示例实施例的用于有机发光显示设备1的第一工序的剖视图。

参照图3A，在基底10上形成缓冲层11，在缓冲层11上形成半导体层，然后使其图案化，以形成薄膜晶体管的有源层212。

在将光致抗蚀剂涂敷在半导体层上后，利用第一光掩模通过光刻工艺对半导体层进行图案化，从而形成有源层212。光刻工艺以如下方式进行：通过曝光装置对第一光掩模进行曝光，然后依次执行显影工艺、蚀刻工艺以及剥离工艺或灰化工艺。

半导体层可以由非晶硅或多晶硅形成。这里，可以通过使非晶硅结晶来形成多晶硅。可以通过使用各种方法来执行非晶硅的结晶，所述方法包括快速热退火(RTA)方法、固相结晶(SPC)方法、准分子激光退火(ELA)方法、金属诱导结晶(MIC)方法、金属诱导横向结晶(MILC)方法和顺序横向固化(SLS)方法等。然而，用于半导体层的材料不限于非晶硅或多晶硅，并且可以包括氧化物半导体。

图3B是示出根据示例实施例的用于有机发光显示设备1的第二工序的剖视图。

在图3A中示出的第一工序的结果上形成栅极绝缘层13，在栅极绝缘层13上形成第一金属层并且使其图案化。在堆叠第一金属层后，使其图案化。第一金属层可以形成为单层或多层，所述单层或多层包括从Al、Pt、Pd、Ag、Mg、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、Mo、Ti、W和Cu中选择的至少一种金属材料。

作为图案化结果，在栅极绝缘层13上形成栅电极214和电容器的第一电极314。

将离子杂质掺杂于上述结构上。可以掺杂包括n型离子或p型离子的离子杂质，更具体地，以薄膜晶体管的有源层212为目标，可以掺杂具有至少1×10¹⁵atoms/cm²的密度的离子杂质。

通过利用栅电极214作为自对齐掩模对有源层212掺杂离子杂质，使得有源层212具有源区212a和漏区212b以及源区212a和漏区212b之间的沟道区212c。

图3C是示出根据示例实施例的用于有机发光显示设备1的第三工序的剖视图。

在图3B中示出的第二工序的结果上形成第一层间绝缘层15-1并使其图案化，从而形成用于暴露有源层212的源区212a和漏区212b的开口C3和C4，并在将要布置像素电极120且沿着侧面方向与有源层212分开的区域上形成开口C1。

图3D是示出根据示例实施例的有机发光显示设备1的第四工序的剖视图。

在图3C中示出的第三工序的结果上形成第二层间绝缘层15-2。在先前工序中形成的开口C1、C3和C4被延长。

图3E是示出根据示例实施例的用于有机发光显示设备1的第五工序的剖视图。

参照图3E，在图3D示出的第四工序的结果上形成第二金属层并使其图案化，从而同时形成源电极216a的第一层216a-1、漏电极216b的第一层216b-1、电容器的第二电极316的第一层316-1以及焊盘电极416的第一焊盘层416-1。

第二金属层可以是具有不同的电子迁移率的至少两个不同的金属层。例如，第二金属层可以形成为至少两个不同的金属层，所述两个不同的金属层包括从Al、Pt、Pd、Ag、Mg、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、Mo、Ti、W、Cu以及它们的合金中选择的金属材料。

图3F是示出根据示例实施例的用于有机发光显示设备1的第六工序的剖视图。

参照图3F，在图3E中示出的第五工序的结果上依次沉积第三金属层和透明导电氧化物层并使其图案化，从而共同地(例如，同时地)形成源电极216a的第二层216a-2、漏电极216b的第二层216b-2、电容器的第二电极316的第二层316-2以及焊盘电极416的第二焊盘层416-2。这里，通过使透明导电氧化物层图案化而形成的保护层418公共地形成在源电极216a的第二层216a-2、漏电极216b的第二层216b-2、电容器的第二电极316的第二层316-2以及焊盘电极416的第二焊盘层416-2上。

由于第三金属层和透明导电氧化物层被共同地(例如，同时地)图案化，因此形成在其上的源电极216a的第二层216a-2的端部的蚀刻表面、漏电极216b的第二层的216b-2的端部的蚀刻表面、电容器的第二电极316的第二层316-2的端部的蚀刻表面、焊盘电极416的第二焊盘层416-2的端部的蚀刻表面以及保护层418的端部的蚀刻表面相互一致。

图3G是示出根据示例实施例的用于有机发光显示设备1的第七工序的剖视图。

参照图3G，在图3F中示出的第六工序的结果上形成第一有机层19并使其图案化，从而形成接触孔C6和用于使焊盘电极416的保护层418的顶表面暴露的接触孔C7，并且在将要布置像素电极120的像素区域PXL1中形成开口C5。

第一有机层19形成为覆盖源电极216a和漏电极216b，因此，当蚀刻像素电极120时，第一有机层19防止具有电势差的不同类型的布线暴露于包括银离子的蚀刻剂或其它污染物。

图3H是示出根据示例实施例的用于有机发光显示设备1的第八工序的剖视图。

参照图3H，在图3G中示出的第七工序的结果上形成半透明金属层并使其图案化，从而形成像素电极120。

图3I是示出根据示例实施例的用于有机发光显示设备1的第九工序的剖视图。

参照图3I中，在图3H中示出的第八工序的结果上形成第二有机层20之后，执行形成开口C8的第九工序，以暴露像素电极120的顶表面。

第二有机层20用作像素限定层，并且可以形成为包括含有商用聚合物(PMMA和PS)和酚基的聚合物衍生物、丙烯酸类聚合物、酰亚胺类聚合物、烯丙醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物或它们的组合的有机绝缘层。

在图3I中示出的第九工序的结果上形成包括发射层121(参照图2)的中间层，并形成对电极122(参照图2)。

在根据第一示例实施例的有机发光显示设备1中，像素电极120包括半透明金属层120b，使得有机发光显示设备1的发光效率会由于微腔结构而得到改善。

另外，由于第一有机层19完全覆盖源电极216a或漏电极216b，使得源电极216a或漏电极216b不被暴露于包括银离子的蚀刻剂，因此，可以防止由于银的再提取而导致的颗粒缺陷。

由于作为无机层的第一层间绝缘层15-1和作为有机层的第二层间绝缘层15-2形成在栅电极214与源电极216a和漏电极216b之间，因此即使当栅电极214和布线的厚度大时，也可以防止或减少第一层间绝缘层15-1中的裂纹的情形，并且会降低第一层间绝缘层15-1和第二层间绝缘层15-2的上方和下方的布线之间的寄生电容，从而可以保持精确的信号传输。

图5是示出根据第二示例实施例的有机发光显示设备2的发射像素的一部分和焊盘的一部分的剖视图。

参照图5，具有至少一个发射层121的像素区域PXL2、具有至少一个薄膜晶体管的薄膜晶体管区域TR2、具有至少一个电容器的电容器区域CAP2以及焊盘区域PAD2布置在基底10上。

以下，参照与根据第一实施例的有机发光显示设备1的不同来描述根据本实施例的有机发光显示设备2。

在本实施例中，像素区域PXL2、薄膜晶体管区域TR2和焊盘区域PAD2与第一示例实施例相同，电容器区域CAP2的结构与第一示例实施例不同。

电容器区域CAP2具有包括第一电极314和第二电极316的电容器，第一电极314与栅电极214布置在同一层上，第二电极316与源电极216a和漏电极216b布置在同一层上。

在第一电极314和第二电极316之间，只有作为无机层的第一层间绝缘层15-1被布置为电容器的介电层。也就是说，与第一示例实施例不同，未形成有第二层间绝缘层15-2。与电容器的第一电极314相对应的开口C11形成在作为有机层的第二层间绝缘层15-2中，并且第二电极316形成在开口C11中。第二电极316的底表面接触第一层间绝缘层15-1的顶表面。因此，与第一示例实施例相比，减小了介电层的厚度，从而使得本实施例中的电容增大。

保护层418形成在第二电极316的第二层316-2上。在蚀刻像素电极120时，保护层418可以防止电容器的第二电极316暴露于蚀刻剂，从而可以防止或减少微粒缺陷的情形。

由于通过利用同一掩模对保护层418和第二电极316的第二层316-2进行蚀刻，因此保护层418和第二电极316的第二层316-2的端部的蚀刻表面可以相互一致。

图6是示出根据第三示例实施例的有机发光显示设备3的发射像素的一部分和焊盘的一部分的剖视图。

参照图6，具有至少一个发射层121的像素区域PXL3、具有至少一个薄膜晶体管的薄膜晶体管区域TR3、具有至少一个电容器的电容器区域CAP3以及焊盘区域PAD3布置在基底10上。

以下，参照与根据第一实施例的有机发光显示设备1的不同来描述根据本实施例的有机发光显示设备3。

在本实施例中，薄膜晶体管区域TR3、电容器区域CAP3和焊盘区域PAD3与第一示例实施例相同，像素区域PXL3的结构与第一示例实施例不同。

像素电极120在像素区域PXL3中布置在缓冲层11、栅极绝缘层13和第一层间绝缘层15-1的上方。像素电极120布置在形成于未与薄膜晶体管和电容器叠置的区域中的开口中。在本实施例中，像素电极120形成在第一层间绝缘层15-1上，同时像素电极120直接接触第一层间绝缘层15-1。

形成在第一有机层19中的开口的C5的宽度比形成在第二有机层20中的开口C8的宽度大，并且比形成在第二层间绝缘层15-2中的开口C1的宽度小。形成在第二有机层20中的开口C8、形成在第一有机层19中的开口C5以及形成在第二层间绝缘层15-2中的开口C1彼此叠置。在第一层间绝缘层15-1中未形成开口。

像素电极120包括半透明金属层120b。另外，像素电极120还可以包括层120a和120c，层120a和120c包括透明导电氧化物并分别形成在半透明金属层120b的下方和上方，从而保护半透明金属层120b。

半透明金属层120b可以由Ag或银合金形成。半透明金属层120b和作为反射电极的对电极122可以形成微腔结构，并因此可以改善有机发光显示设备3的发光效率。虽然微腔结构可能导致色移(colorshift)，但可以通过适当地调整像素电极120下方的第一层间绝缘层15-1的厚度来减少色移。

图7是示出根据第四示例实施例的有机发光显示设备4的发射像素的一部分和焊盘的一部分的剖视图。

参照图7，具有至少一个发射层121的像素区域PXL4、具有至少一个薄膜晶体管的薄膜晶体管区域TR4、具有至少一个电容器的电容器区域CAP4和焊盘区域PAD4布置在基底10上。

以下，参照与根据第一实施例的有机发光显示设备1的不同来描述根据本实施例的有机发光显示设备4。

在本实施例中，薄膜晶体管区域TR4和焊盘区域PAD4与第一示例实施例相同，像素区域PXL4和电容器区域CAP4的结构与第一示例实施例不同。

电容器区域CAP4具有包括第一电极314和第二电极316的电容器，第一电极314与栅电极214布置在同一层上，第二电极316布置在与源电极216a和漏电极216b同一层上。

仅作为无机层的第一层间绝缘层15-1被布置为第一电极314和第二电极316之间的介电层。即，开口C12形成在第二层间绝缘层15-2(其为有机层)中，第二电极316形成在开口C12中。第二电极316的底表面与第一层间绝缘层15-1的顶表面接触。因此，与第一示例实施例相比，减小了介电层的厚度，从而使本实施例中的电容增大。

由于通过使用同一掩模对保护层418和第二电极316的第二层316-2进行蚀刻，因此保护层418和第二电极316的第二层316-2的端部的蚀刻表面可以彼此一致。

像素电极120在像素区域PXL4中布置在缓冲层11、栅极绝缘层13和第一层间绝缘层15-1的上方。像素电极120布置在不与薄膜晶体管和电容器叠置的区域中形成的开口中。在本实施例中，像素电极120形成在第一层间绝缘层15-1上，同时像素电极120直接接触第一层间绝缘层15-1。

形成在第一有机层19中的开口的C5的宽度比形成在第二有机层20中的开口C8的宽度大，且比形成在第二层间绝缘层15-2中的开口C1的宽度小。形成在第二有机层20中的开口C8、形成在第一有机层19中的开口C5和形成在第二层间绝缘层15-2中的开口C1彼此叠置。第一层间绝缘层15-1中未形成开口。

像素电极120包括半透明金属层120b。另外，像素电极120还可以包括层120a和120c，层120a和120c包括透明导电氧化物并分别形成在半透明金属层120b的下方和上方，以保护半透明金属层120b。

半透明金属层120b可以由Ag或银合金形成。半透明金属层120b和作为反射电极的对电极122可以形成微腔结构，并因此可以改善有机发光显示设备4的发光效率。虽然微腔结构可能导致色移，但可以通过适当地调整像素电极120下方的第一层间绝缘层15-1的厚度来减少色移。

如上所述，根据上述示例实施例中的一个或更多个，有机发光显示设备具有改善的显示质量。

应该理解的是，这里描述的示例实施例应该仅被认为描述性的含义而非出于限制的目的。每个示例实施例中的特征或方面的描述通常应该被认为为适用于其它示例实施例中的其它相似的特征或方面。

虽然已经参照附图描述了一个或更多个示例实施例，但本领域的普通技术人员将理解的是，在不脱离由权利要求及其等同物限定的精神和范围的情况下，可在示例实施例中做出形式上和细节上的各种变化。

Claims

1.一种有机发光显示设备，其特征在于，所述有机发光显示设备包括：

基底；

薄膜晶体管，位于所述基底上并且包括有源层、栅电极、源电极和漏电极；

第一层间绝缘层，位于所述栅电极与所述源电极之间以及所述栅电极与所述漏电极之间，并且包括无机材料；

第二层间绝缘层，位于所述第一层间绝缘层与所述源电极之间以及所述第一层间绝缘层与所述漏电极之间，并且包括有机材料；

第一有机层，覆盖所述源电极和所述漏电极；

第二有机层，位于所述第一有机层上；

电容器，包括第一电极和第二电极，所述第一电极包括与所述栅电极相同的材料，所述第二电极包括与所述源电极和所述漏电极相同的材料；

像素电极，位于在不与所述薄膜晶体管和所述电容器叠置的区域中形成的开口中，并与所述源电极和所述漏电极中的一个接触；

发射层，位于所述像素电极上；以及

对电极，位于所述发射层上。

2.如权利要求1所述的有机发光显示设备，其中，所述像素电极是半透明电极，所述对电极是反射电极。

3.如权利要求2所述的有机发光显示设备，其中，所述像素电极包括第一透明导电氧化物层、半透明金属层和第二透明导电氧化物层。

4.如权利要求1所述的有机发光显示设备，其中，所述像素电极的端部位于所述第一有机层上并被所述第二有机层覆盖。

5.如权利要求1所述的有机发光显示设备，其中，布置有所述像素电极的所述开口使所述第二层间绝缘层、所述第一有机层和所述第二有机层以叠置的方式暴露。

6.如权利要求5所述的有机发光显示设备，其中，所述第一有机层中的开口的宽度比所述第二有机层中的开口的宽度大，并且比所述第二层间绝缘层中的开口的宽度小。

7.如权利要求5所述的有机发光显示设备，其中，布置所述有像素电极的所述开口还使所述第一层间绝缘层以叠置的方式暴露。

8.如权利要求7所述的有机发光显示设备，其中，所述第一有机层中的开口的宽度比所述第二有机层中的开口的宽度大，且比所述第一层间绝缘层和所述第二层间绝缘层中的开口的宽度小。

9.如权利要求1所述的有机发光显示设备，其中，所述像素电极的底表面与所述第一层间绝缘层的顶表面接触。

10.如权利要求1所述的有机发光显示设备，其中，所述栅电极的厚度在至之间。

11.如权利要求1所述的有机发光显示设备，其中，所述电容器的第二电极布置在所述第二层间绝缘层的开口中。

12.如权利要求11所述的有机发光显示设备，其中，所述电容器的所述第二电极的底表面与所述第一层间绝缘层的顶表面接触。

13.如权利要求1所述的有机发光显示设备，其中，所述源电极和所述漏电极中的每个包括第一金属层和位于第一金属层上的第二金属层。

14.如权利要求1所述的有机发光显示设备，所述有机发光显示设备还包括位于所述源电极和所述漏电极上的保护层。

15.如权利要求1所述的有机发光显示设备，所述有机发光显示设备还包括与所述源电极和所述漏电极处于同一层上的焊盘电极。

16.如权利要求15所述的有机发光显示设备，其中，所述焊盘电极包括第一焊盘层和位于所述第一焊盘层上的第二焊盘层。

17.如权利要求15所述的有机发光显示设备，所述有机发光显示设备还包括位于所述焊盘电极上的保护层。

18.如权利要求1所述的有机发光显示设备，所述有机发光显示设备还包括阴极接触层，所述阴极接触层位于所述第二层间绝缘层上并通过所述第一有机层中的接触孔和所述第二有机层中的接触孔与所述对电极接触。

19.如权利要求18所述的有机发光显示设备，其中，所述阴极接触层包括与所述源电极和所述漏电极相同的材料。

20.如权利要求18所述的有机发光显示设备，所述有机发光显示设备还包括位于所述阴极接触层上的保护层。