CN105483654A - 一种用于生成纳米晶硅薄膜的装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种用于生成纳米晶硅薄膜的装置，所述装置包括射频阴极、匹配网络、射频源、进气口、排气口、样品、下电极、绝缘支柱、热电偶测温测加热系统、脉冲偏压源、腔体、废气处理系统、总流量控制器、分子泵和机械泵。其中，腔体为金属反应腔，射频阴极、样品、下电极以及绝缘支柱设置在腔体内。进气口和出气口设置在腔体上。射频阴极与下电极相对设置，二者之间形成等离子放电区，所述样品置于等离子放电区内，脉冲偏压源为下电极提供偏压，输出电压为60-200V。本发明的用于生成纳米晶硅薄膜的装置，具有结构简单，易于操控，生长的纳米晶硅薄膜质量优良的特点。

Description

一种用于生成纳米晶硅薄膜的装置
技术领域
本发明涉及一种用于生成纳米晶硅薄膜的装置。
背景技术
等离子体增强化学气相沉积技术是借助于辉光放电等离子体使含有薄膜组分的气态物质发生化学反应，从而实现薄膜材料生长的一种新的制备技术。PECVD沉积薄膜过程中，可以改变各种参量(如改变反应气体硅氢比例，改变衬底温度，改变馈入功率等)，来提高成膜质量和沉积速率。纳米晶硅粒子在薄膜中成核生长一般得需要成膜后经过高温退火(温度时间)才能实现，即使是低温沉积，衬底温度也需在300-400度之间，这样给柔性衬底生长带来一定的困难。找到一种合适的低温成核的方法是目前生长纳米晶硅遇到的主要问题。
衬底偏压的应用可以在没有衬底温度的情况下，通过调节偏压参数达到控制纳米晶硅成核的目的。气相生长过程中，等离子中的正离子和中性基移向衬底表面，在表面吸附并发生反应。来自等离子体中的活性氢和离子也会对膜有一定地刻蚀和溅射作用，膜的生长是增长和刻蚀相互竞争两方面共同作用的结果。现有普通PECVD装置中，活性氢和离子的能量比较低，对膜的刻蚀和溅射作用比较小，因此膜的表面比较疏松粗糙。另外，随着衬底生长的薄膜中纳米硅粒子尺度增大孔隙缺陷也越多，这些非晶成分的出现限制了落在薄膜表面离子的传导和扩散，使得到达薄膜表面的电荷形成了积累，从对随后趁机下来的活性离子集团起到一个排斥作用，这种电荷积累现象最终导致成核速率和沉积速率减低。
发明内容
鉴于现有技术中的上述问题，提出了本发明,本发明的目的在于提供一种用于生长纳米晶硅薄膜的装置。该装置的目的在于解决在直流偏压中电荷积累问题，避免生长中弧光放电现象出现，提高薄膜的均匀性减少缺陷形成。根据本发明的一方面，提供一种用于生成纳米晶硅薄膜的装置，所述装置包括射频阴极、匹配网络、射频源、进气口、排气口、样品、下电极、绝缘支柱、热电偶测温测加热系统、脉冲偏压源、腔体、废气处理系统、总流量控制器、分子泵和机械泵；其中，所述腔体为金属反应腔，射频阴极、样品、下电极以及绝缘支柱设置在所述腔体内，所述分子泵和机械泵设置在所述腔体外，为所述腔体提供真空环境；所述进气口和所述排气口设置在所述腔体上，并且所述排气口与所述废气处理系统连接，反应气体经多个流量控制器后进入经总流量控制器，从所述进气口进入所述腔体，反应后的气体从所述排气口排出，并进入所述废气处理系统；所述射频阴极与所述下电极相对设置，二者之间形成等离子放电区，所述样品置于等离子放电区内，所述下电极为扁圆筒状铜电极，上底面直径10cm，壁高2cm，所述射频阴极与所述下电极之间的距离为5cm，所述绝缘支柱对所述下电极进行支撑，其中，所述射频阴极、匹配网络和射频源依次连接，所述下电极分别与所述热电偶测温加热系统和所述脉冲偏压源连接，所述热电偶测温加热系统测量所述样品的温度，所述脉冲偏压源为所述下电极提供偏压，输出电压为60-200V。
作为优选的方案，所述脉冲偏压源提供直流负偏压，所述样品为双面抛光的P型(100)晶相单晶硅，所述样品的电阻率为5-10Ω·cm，从所述进气口进入的反应气体为SiH4、H2、和N2O的混合气体,H2和N2O总流量为90sccm-150sccm，反应气体的流量比2:98:2-2:98:10，反应气压为100--300pa，所述射频源的频率为13.56Mz，功率为80-200w，所述脉冲偏压源提供电压的电压值为10-100v。
作为优选的方案，在从所述进气口进入的所述反应气体中，H2和N2O总流量为104sccm，反应气体的流量比为2:98:4，反应气压为230pa，所述射频源的功率为120w，所述脉冲偏压源的提供电压的电压值为65v。
作为优选的方案，所述脉冲偏压源提供直流脉冲负偏压，所述样品别为肖特基玻璃和双面抛光的P型(100)晶相单晶硅，所述单晶硅的电阻率为5-10Ω·cm，从所述进气口进入的反应气体为SiH4和H2的混合气体，SiH4和H2总流量为90sccm-150sccm，流量比为2:100-6:100，反应气压为100-300pa，所述射频源的频率为13.56Mz，功率为80-200w，所述脉冲偏压源提供直流脉冲负偏压，脉冲频率为5～100Hz,占空比为0-80％，电压幅值为,60-200v，电压值为10-100v。
作为优选的方案，在从所述进气口进入的所述反应气体中，SiH4和H2总流量为104sccm，流量比为4:100，反应气压为优选190pa，所述射频源功率为120w，所述脉冲偏压源提供直流脉冲负偏压，脉冲频率为60Hz，占空比为40％，电压幅值为120v，电压值为65v。
作为优选的方案，所述绝缘支柱为聚四氟材质，包括多个直径1cm，高度8cm的圆柱体。
作为优选的方案，所述热电偶测温加热系统为加热控温电源，电阻丝加热电流范围0-20A，温度范围0-600℃。
本发明提供了一种用于生长纳米晶硅薄膜的装置。相对于现有技术,本发明通过增加衬底脉冲偏压，影响脉冲调制放电得到更高的等离子密度,并且通过控制离子能量来增加颗粒成核率，减少缺陷态形成。同时通过控制脉冲偏压占空比，调节离子达到薄膜表面数量，从而抑制电荷在样品表面积累，提高薄膜均匀度。此外，本发明的用于生长纳米晶硅薄膜的装置操作方便，只需增加一个脉冲片偏压源就可以达到提高纳米晶硅薄膜质量的目的，并且加工成本底，只需在原有PECVD衬底上引出导线连接即可。
附图说明
图1为本发明的用于生长纳米晶硅薄膜的装置的结构示意图。
具体实施方式
现在，参照附图详细说明本发明的示例性实施例。应当指出，除非另外具体说明，在这些实施例中描述的部件、数字表示和数值的相对配置不限制本发明的范围。
在本发明的装置中，采用加衬底偏压的辅助技术，即在衬底电极上输入偏压，如脉冲偏压或者直流偏压等。当增加负偏压时，等离子体与偏压电极之间会形成鞘层，从而在等离子体反应过程中鞘层会排斥电子，加速离子，使得离子在穿越鞘层的过程中获得能量，再和其他粒子分子碰撞后提高了分子的分解率。到达薄膜表面后较高的能量使其扩散率和迁移率增加，增强了和衬底表面的碰撞效应，使得成核密度增加。如果这些高能离子遇到悬键时会和其结合形成稳定的键，减少缺陷的形成。
首先参照图1说明本发明的用于生成纳米晶硅薄膜的装置。附图标记说明如下：
1射频阴极2匹配网络3射频源4进气口5排气口6样品
7下电极8绝缘支柱9测温加热系统10脉冲偏压源
11金属反应腔12废气处理系统13总流量控制器14分子泵
15机械泵16流量控制器
本发明制备设备包括射频阴极1、匹配网络2、射频源3、进气口4、排气口5、样品6、下电极7、绝缘支柱8、热电偶测温测加热系统9、脉冲偏压源10、腔体11、废气处理系统12、总流量控制器13、分子泵14、机械泵15和流量控制器16。
其中，射频阴极1、匹配网络2、射频源3用于产生等离子体。
气体从进气口4进入，反应完成后从排气口5排出，排出的气体包括未反应完的SiH4和H2及其衍生物。多个流量控制器16分别与总流量控制器13连接，总流量控制器与进气口4连接，提供进气。废气处理系统12与排气口5连接，对排出的气体进行处理。
样品6放置在下电极7上，绝缘支柱8在下电极7下面，对下电极7进行支撑，下电极7分别与热电偶测温加热系统9和脉冲偏压源10连接。其中，样品6为生成纳米晶硅薄膜的衬底，如肖特基玻璃或晶体硅基片，其表面积3cm×3cm，厚度0.1mm。下电极7为扁圆筒状铜电极，上底面直径10cm，壁高2cm，射频阴极1与下电极7之间的距离为5cm。绝缘支柱8共四根，每根为聚四氟材质，为直径1cm，高度8cm的圆柱体。热电偶测温加热系统9测量衬底的温度，例如可以为加热控温电源，电阻丝加热电流范围0-20A，温度范围0-600℃。脉冲偏压源10给为下电极7施加偏压，脉冲偏压源例如可以为直流脉冲电源，频率、占空比、换向时间均可调，工作电压为60-200V，工作电流峰值为5-200A，输出频率0-100Hz可调，尺寸为370*170*330mm。
腔体11为提供真空环境的不锈钢金属反应腔，在生成纳米晶硅薄膜时，反应在腔体内进行。进气口4和排气口5设置在腔体11上。此外，腔体11还与分子泵14连接，并且分子泵14与机械泵15连接。
在制备纳米晶硅薄膜时，在射频阴极1和下电极7之间形成等离子放电区，样品6位于等离子放电区内。
在制备纳米晶硅薄膜时，腔体内从上到下结构为电极、等离子区、鞘层区、衬底。
下面，分别以两个具体实施例来具体说明该用于制备纳米晶硅薄膜的装置。
实施例一
在实施例一中，脉冲偏压源提供加直流负偏压，生长的薄膜为纳米晶硅氧薄膜nc-Si/SiOX。其中，样品6为双面抛光的P型(100)晶相单晶硅(电阻率5-10Ω·cm。从进气口进入的反应气体为SiH4、H2、N2O和SiH4的混合气体,H2和N2O总流量90sccm-150sccm，优选104sccm，流量比2:98:2--2:98:10，优选2:98:4，反应气压为100--300pa，优选230pa。射频源3的频率为13.56Mz，功率为80-200w，优选120w。脉冲偏压源10提供直流负偏压，电压值为10-100v，优选65v。薄膜生长时间为1-2小时。
使用实施例一中的装置制备的纳米晶硅氧薄膜，通过加衬底负偏压控制等离子体的能量和离子流密度，增大了N2O分解的氧离子和Si结合速率同时抑制了氮粒子和Si的结合，因此避免和衬底上的硅活性基团生成Si-N键，减少膜中载流子陷阱的形成，从而提高薄膜的载流子输运效率。
实施例二
在实施例二中，脉冲偏压源提供脉冲负偏压，生长的薄膜为氢化纳米晶硅。其中，样品6别为肖特基玻璃和双面抛光的P型(100)晶相单晶硅(电阻率5-10Ω·cm)。从进气口进入的反应气体为SiH4和H2的混合气体，SiH4和H2总流量90sccm-150sccm，优选104sccm，流量比2:100-6:100，优选4:100，反应气压为100-300pa，优选190pa。功率为40-120w，优选80w。射频源3的频率为13.56Mz，功率为80-200w，优选120w。脉冲偏压源10提供直流脉冲负偏压，脉冲频率为5～100Hz,优选60Hz占空比0-80％，优选40％，电压幅值为,60-200v，优选120v，电压值为10-100v，优选65v。薄膜生长时间为1-2小时。
在实施例二中，衬底脉冲负偏压主要影响鞘层区等离子分布，负偏压的增加使得通过等离子体鞘区域被加速的离子能量增加(尤其是正离子)，离子到达表面后平均动能和扩散能力增加,同时与衬底表面的相互作用也得到了加强。同时,一些吸附在衬底面的离子直接变成了沉积粒子,具有高能量的沉积粒子在相对低的衬底温度下形核、生长,并且最终形成具有良好结晶性的纳米晶硅薄膜。
根据实施例二的生长纳米晶硅薄膜的装置，在脉冲偏压的间隙时间里给了表面离子扩散足够的时间，缓解了后面沉积下来的活性集团离子在薄膜表面的电荷堆积，促使纳米晶硅离子成核后持续增长。同时这些扩散的离子遇到悬键时会和其结合形成稳定的键，减少缺陷的形成。另一方面，衬底脉冲负偏压对等离子体中的电子起到一个排斥作用，当电子从等离子区运动到鞘层区时。负偏压的存在减小了电子对薄膜的轰击，有些电子还会在负偏压的斥力作用下重返等离子区，由于加速度，电子获得了更高的速率。这些高能电子与反应气体发生离化反应，增加了活性基团数量，对提高沉积速率起到一个积极作用。
另外，根据本发明的用于生成纳米晶硅薄膜的装置，由于气体放电过程中当放电周期足够长,就会在鞘层区形成一个没有电子、只有正负离子的“离子鞘层”，所以不同占空比的脉冲偏压选用,一方面可以通过调节等离子体密度，沉积速率来提高晶硅成核率和晶化度这些物理参量,另一方面还可以调节放电腔室中负离子逃逸到下极板上的数量多少。

Claims (7)

1.一种用于生成纳米晶硅薄膜的装置，所述装置包括射频阴极(1)、匹配网络(2)、射频源(3)、进气口(4)、排气口(5)、样品(6)、下电极(7)、绝缘支柱(8)、热电偶测温加热系统(9)、脉冲偏压源(10)、腔体(11)、废气处理系统(12)、总流量控制器(13)、分子泵(14)、机械泵(15)和流量控制器(16)；
其中，所述腔体(11)为金属反应腔，射频阴极(1)、样品(6)、下电极(7)以及绝缘支柱(8)设置在所述腔体(11)内，所述分子泵(14)和机械泵(15)设置在所述腔体(11)外，为所述腔体(11)提供真空环境；
所述进气口(4)和所述排气口(5)设置在所述腔体(11)上，并且所述进气口(4)与所述总流量控制器(13)连接，所述排气口(5)与所述废气处理系统(12)连接，反应气体经多个流量控制器(16)后进入经总流量控制器(13)，从所述进气口(4)进入所述腔体(11)，反应后的气体从所述排气口(5)排出，并进入所述废气处理系统(12)；
所述射频阴极(1)与所述下电极(7)相对设置，二者之间形成等离子放电区，所述样品(6)置于等离子放电区内，所述下电极(7)为扁圆筒状铜电极，上底面直径10cm，壁高2cm，所述射频阴极(1)与所述下电极(7)之间的距离为5cm，所述绝缘支柱(8)对所述下电极(6)进行支撑，其中，所述射频阴极(1)、匹配网络(2)和射频源(3)依次连接，所述下电极(7)分别与所述热电偶测温加热系统(9)和所述脉冲偏压源(10)连接，所述热电偶测温加热系统(9)测量所述样品(6)的温度，所述脉冲偏压源(10)为所述下电极(6)提供偏压，输出电压为60-200V。
2.根据权利要求1所述的用于生成纳米晶硅薄膜的装置，其特征在于，所述脉冲偏压源(10)提供直流负偏压，所述样品(6)为双面抛光的P型(100)晶相单晶硅，所述样品(6)的电阻率为5-10Ω·cm，从所述进气口(4)进入的反应气体为SiH4、H2和N2O的混合气体,H2和N2O总流量为90sccm-150sccm，反应气体的流量比2:98:2-2:98:10，反应气压为100--300pa，所述射频源(3)的频率为13.56Mz，功率为80-200w，所述脉冲偏压源(10)提供电压的电压值为10-100v。
3.根据权利要求2所述的用于生成纳米晶硅薄膜的装置，其特征在于，在从所述进气口(4)进入的所述反应气体中，H2和N2O总流量为104sccm，反应气体的流量比为2:98:4，反应气压为230pa，所述射频源(3)的功率为120w，所述脉冲偏压源(10)的提供电压的电压值为65v。
4.根据权利要求1所述的用于生成纳米晶硅薄膜的装置，其特征在于，所述脉冲偏压源(10)提供直流脉冲负偏压，所述样品(6)分别为肖特基玻璃和双面抛光的P型(100)晶相单晶硅，所述单晶硅的电阻率为5-10Ω·cm，从所述进气口(4)进入的反应气体为SiH4和H2的混合气体，SiH4和H2总流量为90sccm-150sccm，流量比为2:100-6:100，反应气压为100-300pa，所述射频源(3)的频率为13.56Mz，功率为80-200w，所述脉冲偏压源(10)提供直流脉冲负偏压，脉冲频率为5～100Hz,占空比为0-80％，电压幅值为,60-200v，电压值为10-100v。
5.根据权利要求4所述的用于生成纳米晶硅薄膜的装置，其特征在于，在从所述进气口(4)进入的所述反应气体中，SiH4和H2总流量为104sccm，流量比为4:100，反应气压为190pa，所述射频源(3)功率为120w，所述脉冲偏压源(10)提供直流脉冲负偏压，脉冲频率为60Hz，占空比为40％，电压幅值为120v，电压值为65v。
6.根据权利要求1所述的用于生成纳米晶硅薄膜的装置，其特征在于，所述绝缘支柱(8)为聚四氟材质，包括多个直径1cm，高度8cm的圆柱体。
7.根据权利要求1-6所述的用于生成纳米晶硅薄膜的装置，其特征在于，所述热电偶测温加热系统为加热控温电源，电阻丝加热电流范围0-20A，温度范围0-600℃。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114855270A (zh) * 2022-04-21 2022-08-05 南昌大学 一种类分子束外延设备及薄膜制备方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1075173A (zh) * 1992-12-28 1993-08-11 北京航空航天大学 一种纳米硅薄膜的制备方法
JPH06287759A (ja) * 1992-07-02 1994-10-11 Nissin Electric Co Ltd 薄膜形成方法
CN101066842A (zh) * 2007-06-05 2007-11-07 浙江大学 制备非晶氢硅薄膜的方法及装置
CN101237006A (zh) * 2007-02-02 2008-08-06 财团法人工业技术研究院 制造微晶硅薄膜的方法
KR20090093024A (ko) * 2008-02-28 2009-09-02 인하대학교 산학협력단 직류 바이어스를 이용한 수소화된 나노결정 실리콘 박막 및이의 제조방법
CN102534570A (zh) * 2012-01-04 2012-07-04 北京印刷学院 一种等离子体增强化学气相沉积微晶硅薄膜的方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06287759A (ja) * 1992-07-02 1994-10-11 Nissin Electric Co Ltd 薄膜形成方法
CN1075173A (zh) * 1992-12-28 1993-08-11 北京航空航天大学 一种纳米硅薄膜的制备方法
CN101237006A (zh) * 2007-02-02 2008-08-06 财团法人工业技术研究院 制造微晶硅薄膜的方法
CN101066842A (zh) * 2007-06-05 2007-11-07 浙江大学 制备非晶氢硅薄膜的方法及装置
KR20090093024A (ko) * 2008-02-28 2009-09-02 인하대학교 산학협력단 직류 바이어스를 이용한 수소화된 나노결정 실리콘 박막 및이의 제조방법
CN102534570A (zh) * 2012-01-04 2012-07-04 北京印刷学院 一种等离子体增强化学气相沉积微晶硅薄膜的方法

Non-Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JEF POORTMANS等: "《薄膜太阳能电池》", 31 August 2014, 上海交通大学出版社 *
戴达煌等: "《现代材料表面技术科学》", 31 January 2004, 冶金工业出版社 *
李学丹等: "《真空沉积技术》", 31 August 1994, 浙江大学出版社 *
杭凌侠等: ""PECVD工艺参数对SiO2薄膜光学性能的影响"", 《西安工业大学学报》 *

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114855270A (zh) * 2022-04-21 2022-08-05 南昌大学 一种类分子束外延设备及薄膜制备方法
CN114855270B (zh) * 2022-04-21 2023-07-28 南昌大学 一种类分子束外延设备及薄膜制备方法

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