CN105470274A - 一种显示面板、显示面板制造方法和显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明实施例公开了一种显示面板、显示面板制造方法和显示装置，该显示面板包括：至少一个纳米线发光二极管区块，每个纳米线发光二极管区块包括多个纳米线发光二极管，纳米线发光二极管的发光面上设置有纳米线发光二极管的第一极和第二极；第一导电层，设置在纳米线发光二极管的发光面，包括至少一条第一电极连接线，至少一条第一电极连接线与纳米线发光二极管的第一极电连接；第二导电层，与第一导电层绝缘，设置在第一导电层背离纳米线发光二极管发光面的一侧，包括至少一条第二电极连接线，至少一条第二电极连接线与纳米线发光二极管的第二极电连接。本发明无需在玻璃基板或发光二极管基板上穿孔，降低了制作费用。

Description

一种显示面板、显示面板制造方法和显示装置
技术领域
本发明实施例涉及显示面板技术，尤其涉及一种显示面板、显示面板制造方法和显示装置。
背景技术
发光二极管是常见的照明元器件。由于发光二极管含有白壳，且其尺寸大小被限制，导致发光二极管无法达到显示面板的像素等级的大小尺寸，因此现有技术中发光二极管在液晶显示器中仅能作为背光源应用，无法在其中实现其他用途。
近年来，随着纳米技术的不断发展，现已有纳米等级的发光二极管出现，即为纳米线发光二极管。纳米线发光二极管是一种能够实现类似于OLED自发光且低功耗的新显示技术，然而现有的纳米线发光二极管并未在液晶显示器中体现较大的用途。
发明内容
本发明实施例提供一种显示面板、显示面板制造方法和显示装置，以将纳米线发光二极管应用在显示面板技术中。
第一方面，本发明实施例提供了一种显示面板，包括：
至少一个纳米线发光二极管区块，每个所述纳米线发光二极管区块包括多个纳米线发光二极管，所述纳米线发光二极管包括发光面和不发光面，所述发光面上设置有所述纳米线发光二极管的第一极和第二极，其中所述第一极为n极和所述第二极为p极，或者，所述第一极为p极和所述第二极为n极；
第一导电层，设置在所述纳米线发光二极管的发光面，包括至少一条第一电极连接线，所述至少一条第一电极连接线与所述纳米线发光二极管的第一极电连接；
第二导电层，与所述第一导电层绝缘，设置在所述第一导电层背离所述纳米线发光二极管发光面的一侧，包括至少一条第二电极连接线，所述至少一条第二电极连接线与所述纳米线发光二极管的第二极电连接。
第二方面，本发明实施例还提供了一种显示面板的制造方法，包括：
形成至少一个纳米线发光二极管区块，每个所述纳米线发光二极管区块包括多个纳米线发光二极管，所述纳米线发光二极管包括发光面和不发光面，所述发光面上设置有所述纳米线发光二极管的第一极和第二极，其中所述第一极为n极和所述第二极为p极，或者，所述第一极为p极和所述第二极为n极；
形成第一导电层，设置在所述纳米线发光二极管的发光面，包括至少一条第一电极连接线，所述至少一条第一电极连接线与所述纳米线发光二极管的第一极电连接；
形成第二导电层，与所述第一导电层绝缘，设置在所述第一导电层背离所述纳米线发光二极管发光面的一侧，包括至少一条第二电极连接线，所述至少一条第二电极连接线与所述纳米线发光二极管的第二极电连接。
第三方面，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括：如第一方面所述的显示面板；
第一连接端子，与所述显示面板的第一电极连接线电连接；
第二连接端子，与所述显示面板的第二电极连接线电连接；
驱动芯片，分别与所述第一连接端子和第二连接端子电连接，用于通过所述第一连接端子和所述第二连接端子驱动所述显示面板显示画面。
本发明实施例提供的显示面板、显示面板制造方法和显示装置，显示面板包括至少一个纳米线发光二极管区块，纳米线发光二极管区块包括多个纳米线发光二极管，通过在纳米线发光二极管区块上设置第一导电层使第一导电层的第一电极连接线与纳米线发光二极管的第一极电连接，以及在第一导电层上绝缘设置第二导电层使第二导电层的第二电极连接线与纳米线发光二极管的第二极电连接。该显示面板不需要在玻璃基板或发光二极管基板上穿孔，而是采用堆叠的方式直接在纳米线发光二极管区块上制作导电线路，且可以运用现有的LCD黄光制程进行线路制作，相应降低了制作费用、缩短了制程。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图做一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例中提供的第一种显示面板的示意图；
图2A是本发明实施例中提供的一个纳米线发光二极管区块中纳米线发光二极管的排列示意图；
图2B是本发明实施例中提供的多个纳米线发光二极管区块中纳米线发光二极管的排列示意图；
图2C是本发明实施例中提供的第一电极层的一种排列方式的示意图；
图2D是本发明实施例中提供的第一电极层的另一种排列方式的示意图；
图2E是对应图2C的第二电极层的排列示意图；
图2F是对应图2D的第二电极层的排列示意图；
图3是本发明实施例中提供的第二种显示面板的示意图；
图4是本发明实施例中提供的第三种显示面板的示意图；
图5A是本发明实施例中提供的又一种显示面板的示意图；
图5B是本发明实施例中提供的另一种显示面板的示意图；
图6A～6H是本发明实施例中提供的显示面板制造方法的示意图；
图7是本发明实施例中提供的显示装置的示意图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，以下将参照本发明实施例中的附图，通过实施方式清楚、完整地描述本发明的技术方案，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
图1为本发明实施例提供的一种显示面板的示意图。如图所示，本发明实施例提供的显示面板包括：至少一个纳米线发光二极管区块110，第一导电层120和第二导电层130。
每个纳米线发光二极管区块110包括多个纳米线发光二极管111，纳米线发光二极管111包括发光面112和不发光面113，纳米线发光二极管111的发光面112上设置有纳米线发光二极管111的第一极114和第二极115，其中第一极114为n极和第二极115为p极，或者，第一极114为p极和第二极115为n极。具体的，可以在纳米线发光二极管111晶片上直接形成多个纳米线发光二极管111以形成一个纳米线发光二极管区块110，也可以直接根据多个纳米线发光二极管111构成纳米线发光二极管区块110，纳米线发光二极管区块110的尺寸大小可自行设定，每个纳米线发光二极管111的发光面112组合形成纳米线发光二极管区块110的发光面112，每个纳米线发光二极管111的不发光面113组成形成纳米线发光二极管区块110的不发光面113。可选地每个纳米线发光二极管区块110的多个纳米线发光二极管111呈多行多列排列，图2A～图2B为本发明实施例中一个和多个纳米线发光二极管区块110中纳米线发光二极管111的排列方式。
第一导电层120设置在纳米线发光二极管111的发光面112，包括至少一条第一电极连接线121，至少一条第一电极连接线121与纳米线发光二极管111的第一极114电连接。具体地，已知纳米线发光二极管111呈多行多列排列，则每条第一电极连接线121可选与对应列的多个纳米线发光二极管111的第一极114电连接，用于引出该列纳米线发光二极管111的第一极114，由此第一导电层120包括多条列方向延伸的第一电极连接线121；或者，每条第一电极连接线121可选与对应行的多个纳米线发光二极管111的第一极114电连接，则第一导电层120包括多条行方向延伸的第一电极连接线121。图2C～图2D为本发明实施例中第一电极层的两种排列方式。
第二导电层130，与第一导电层120绝缘，设置在第一导电层120背离纳米线发光二极管111发光面112的一侧，包括至少一条第二电极连接线131，至少一条第二电极连接线131与纳米线发光二极管111的第二极115电连接。具体地，每条第二电极连接线131可选与一列或一行纳米线发光二极管111的第二极115电连接。为了便于布线，当第一电极连接线121呈列方向延伸时，每条第二电极连接线131可选与对应行的多个纳米线发光二极管111的第二极115电连接，则第二导电层130包括多条行方向延伸的第二电极连接线131；当第一电极连接线121呈行方向延伸时，每条第二电极连接线131可选与对应列的多个纳米线发光二极管111的第二极115电连接，则第二导电层130包括多条列方向延伸的第二电极连接线131。图2E为对应图2C的第二电极层的排列方式，图2F为对应图2D的第二电极层的排列方式。
对于本发明上述实施例，仍参见图1，显示面板进一步还包括：平坦层140，该平坦层140位于第一导电层120与纳米线发光二极管111发光面112之间；第一导电层120通过平坦层140中的第一过孔141，与纳米线发光二极管111的第一极114电连接。具体地，平坦层140覆盖纳米线发光二极管111，用于平坦纳米线发光二极管区块110的发光面112，以便于在纳米线发光二极管区块110上制作线路。相应的，平坦层140中设置有多个第一过孔141，每个第一过孔141对应一个纳米线发光二极管111的第一极114，第一导电层120的每条第一电极连接线121通过第一过孔141与对应的纳米线发光二极管111的第一极114电连接。
参见图1所示，显示面板进一步还包括：绝缘层150，该绝缘层150位于第一导电层120与第二导电层130之间；第二导电层130通过绝缘层150和平坦层140中的第二过孔151，与纳米线发光二极管111的第二极115电连接。具体地，绝缘层150覆盖第一导电层120，使得第一导电层120和第二导电层130之间绝缘设置，便于在纳米线发光二极管区块110上制作两层线路以绝缘引出纳米线发光二极管111的第一极114和第二极115。其中，绝缘层150中设置有多个第二过孔151，每个所述第二过孔151同时贯穿所述绝缘层150与所述平坦层140，每个第二过孔151对应一个纳米线发光二极管111的第二极115，便于第二导电层130的每条第二电极连接线131通过第二过孔151与对应的纳米线发光二极管111的第二极115电连接。
可选地，第一过孔141和第二过孔151的孔径尺寸均小于或等于20μm且大于或等于10μm。
本发明实施例提供的显示面板，包括至少一个纳米线发光二极管区块110，纳米线发光二极管区块110包括多个纳米线发光二极管111，在纳米线发光二极管区块110上设置第一导电层120使第一导电层120的第一电极连接线121通过第一过孔141与纳米线发光二极管111的第一极114电连接，以及在第一导电层120上绝缘设置第二导电层130使第二导电层130的第二电极连接线131通过第二过孔151与纳米线发光二极管111的第二极115电连接。该显示面板不需要在玻璃基板或发光二极管基板上穿孔，而是采用堆叠的方式直接在纳米线发光二极管区块110上制作导电线路，且可以运用现有的LCD黄光制程进行线路制作，具有降低制作费用、缩短制程的优势。
图3为本发明实施例中提供的第二种显示面板的示意图。在本实施例中，可选每个纳米线发光二极管区块110的多个纳米线发光二极管111呈多行多列排列，每条第一电极连接线121与对应列的多个纳米线发光二极管111的第一极114电连接，每条第二电极连接线131与对应行的多个纳米线发光二极管111的第二极115电连接。本实施例的显示面板还包括：胶合在第二导电层130表面上的上透明基板160，即上透明基板160设置在第二导电层130背离第一导电层120的一侧。在此可选上透明基板160为玻璃基板或柔性基板，以及上透明基板160通过透明胶层(未图示)胶合在第二导电层130表面上。具体地，透明胶层可选为液态光学透明胶层、或无影胶层(UV胶层)、或硅胶层、或亚克力胶层、或环氧树脂层等。本实施例中上透明基板160通过透明胶层胶合在第二导电层130表面上后，可用于防止纳米线发光二极管111被刮伤，还可用于阻拦空气中的水汽、湿气进入纳米线发光二极管111，以及避免纳米线发光二极管111被化学腐蚀等，上透明基板160作为保护基板不仅可保护纳米线发光二极管111还可提高纳米线发光二极管111的寿命和稳定性。
在上述实施例的基础上，如图4所示本发明实施例还提供第三种显示面板，该显示面板进一步还可以包括：触控层170，该触控层170设置在上透明基板160上，即触控层170设置在上透明基板160背离第二导电层130的一侧。具体地，触控层170可以通过OGS全贴合技术设置在上透明基板160上，也可以通过GFF全贴合技术设置在上透明基板160上，还可以通过coverlens技术设置在上透明基板160上。当显示面板的上透明基板160上设置有触控层170后，该显示面板为带有触控功能的触控显示面板，进一步增强了显示面板的功能。
在上述任意实施例的基础上，如图5A～5B所示在本发明实施例中还提供的显示面板，该显示面板还包括：下基板180，该下基板180胶合在纳米线发光二极管111的不发光面113。若显示面板未设置下基板180，则在纳米线发光二极管区块110的边缘需要预留布线区域；若显示面板中设置下基板180，则直接在下基板180的边缘预留布线区域即可。图5A为在图3的基础上增加下基板180的显示面板，图5B为在图4的基础上增加下基板180的显示面板，其中，在下基板180的边缘进行走线布置。本领域技术人员可以理解，以上实施例仅为本发明较佳实施例，本发明提供的显示面板包括但不限于以上实施例。可选下基板180为玻璃基板或柔性基板，以及下基板180通过液态光学透明胶层、或硅胶层、或亚克力胶层、或环氧树脂胶层等透明胶层(未示出)胶合在纳米线发光二极管111的不发光面113。具体地，下基板180的功能在于支撑和保护纳米线发光二极管111的不发光面113以防止纳米线发光二极管111产生损伤，同时起到保护纳米线发光二极管111并提高纳米线发光二极管111的寿命和稳定性的作用。当如图1～图4所示显示面板不设置下基板180且纳米线发光二极管区块110尺寸较小时，则显示面板的结构更轻薄且尺寸小，则该显示面板可用于穿戴式显示产品中。
本发明实施例还提供一种显示面板的制造方法，该制造方法包括：
步骤一、如图6A所示，形成至少一个纳米线发光二极管区块110，每个纳米线发光二极管区块110包括多个纳米线发光二极管111，纳米线发光二极管111包括发光面112和不发光面113，发光面112上设置有纳米线发光二极管111的第一极114和第二极115，其中第一极114为n极和第二极115为p极，或者，第一极114为p极和第二极115为n极。具体地，由于纳米线发光二极管区块110的尺寸较小，因此可将多个纳米线发光二极管区块110以对位方式进行组装以形成所需显示面板的尺寸。可选显示面板的纳米线发光二极管111呈多行多列排列。在本实施例中可选第一极114为n极，第二极115为p极。
可选地在步骤一之后，以及步骤二之前，还包括：如图6B所示，形成平坦层140，平坦层140位于第一导电层120与纳米线发光二极管111发光面112之间，以及形成第一过孔141，第一导电层120通过平坦层140中的第一过孔141，与纳米线发光二极管111的第一极114电连接。具体地，可选平坦层140的折射率大于或等于1.4且小于或等于4.5，平坦层140的厚度在100nm到100μm的范围内，平坦层140材料为氮化硅SiNx；还可选将OverCoat或其他透明度高的材料作为平坦层140，平坦层140覆盖纳米线发光二极管区块110上可方便制作显示面板的导电线路。在平坦层140对应纳米线发光二极管111第一极114的位置处过孔以形成第一过孔141，第一过孔141并未刻穿纳米线发光二极管111的第一极114，第一过孔141的孔径尺寸小于或等于20μm且大于或等于10μm。
步骤二、如图6C所示，形成第一导电层120，设置在纳米线发光二极管111的发光面112，包括至少一条第一电极连接线121，至少一条第一电极连接线121与纳米线发光二极管111的第一极114电连接。具体地，第一导电层120的材料可选为ITO、或Al、或Mo、或Nb等，形成第一导电层120的方法可选为物理气相沉积(PVD)、或化学气相沉积(CVD)、或溅射法(Sputter)等，第一导电层120形成于平坦层140上并填充在第一过孔141中。形成第一导电层120后，在第一导电层120上涂布光阻及使用光罩，以曝光显影蚀刻的方式制作多条第一电极连接线121，用于连接一列纳米线发光二极管111的第一极114以将该列纳米线发光二极管111的第一极114引出。可选第一电极连接线121还可连接一行纳米线发光二极管111的第一极114以将该行纳米线发光二极管111的第一极114引出。
可选地在步骤二之后，还包括：如图6D所示，形成绝缘层150，绝缘层150位于第一导电层120与第二导电层130之间，以及形成第二过孔151，第二导电层130通过绝缘层150和平坦层140中的第二过孔151，与纳米线发光二极管111的第二极115电连接。可选在第一导电层120上涂布SiNx或其它可绝缘材料作为绝缘层150。在绝缘层150对应纳米线发光二极管111第二极115的位置处过孔以形成第二过孔151，第二过孔151并未刻穿纳米线发光二极管111的第二极115。第二过孔151的孔径尺寸小于或等于20μm且大于或等于10μm。
步骤三、如图6E所示，形成第二导电层130，与第一导电层120绝缘，设置在第一导电层120背离纳米线发光二极管111发光面112的一侧，包括至少一条第二电极连接线131，至少一条第二电极连接线131与纳米线发光二极管111的第二极115电连接。第二导电层130的材料可选为ITO、或Al、或Mo、或Nb等，形成第二导电层130的方法可选为PVD、或CVD、或Sputter等，第二导电层130形成于绝缘层150上并填充在第二过孔151中。形成第二导电层130后，在第二导电层130上涂布光阻及使用光罩，以曝光显影蚀刻的方式制作多条第二电极连接线131，用于连接一行纳米线发光二极管111的第二极115以将该行纳米线发光二极管111的第二极115引出。可选第二电极连接线131还可连接一列纳米线发光二极管111的第二极115以将该列纳米线发光二极管111的第二极115引出。
可选地在步骤三之后，还包括步骤四、如图6F所示，在第二导电层130表面上胶合形成上透明基板160。上透明基板160为玻璃基板或柔性基板，以及上透明基板160通过透明胶层胶合在第二导电层130表面上。具体地，上透明基板160可选为玻璃基板或柔性基板，用以防止纳米线发光二极管111被刮伤，还可阻止水气、湿气及化学腐蚀等。
可选在步骤四之后，还包括步骤五、如图6G所示，形成触控层170，该触控层170设置在上透明基板160上，则显示面板为带有触控功能的显示面板。
可选地在步骤一之前，如图6H所示，形成下基板180，在下基板180上涂覆液态光学透明胶层、或硅胶层、或亚克力胶层、或环氧树脂层，以将纳米线发光二极管区块110的不发光面113胶合在下基板180上。下基板180为玻璃基板或柔性基板，以及下基板180通过液态光学透明胶层、或硅胶层、或亚克力胶层、或环氧树脂层胶合在纳米线发光二极管111的不发光面113。若显示面板未设置下基板180，则在纳米线发光二极管区块110的边缘需要预留布线区域；若显示面板中设置下基板180，则直接在下基板180的边缘预留布线区域即可。若不在显示面板中设置下基板180，则显示面板的结构更轻薄，通过选择合适尺寸的至少一个纳米线发光二极管区块110，可将显示面板应用在穿戴式显示产品中。
本领域技术人员可以理解，显示面板的制造方法的步骤包括但不限于以上流程，个别步骤可根据工艺或制程的不同进行调整。另外，在显示面板中也可选不设置触控层170和/或下基板180。
本发明实施例提供的显示面板制造方法，通过形成至少一个纳米线发光二极管区块110，纳米线发光二极管区块110包括多个纳米线发光二极管111，在纳米线发光二极管区块110上形成第一导电层120使第一导电层120的第一电极连接线121通过第一过孔141与纳米线发光二极管111的第一极114电连接，以及在第一导电层120上绝缘形成第二导电层130使第二导电层130的第二电极连接线131通过第二过孔151与纳米线发光二极管111的第二极115电连接。该制造方法不需要在玻璃基板或发光二极管基板上穿孔，而是采用直接堆叠的方式直接在纳米线发光二极管区块110上制造导电线路，且可以运用现有的LCD黄光制程进行线路制作，还可用于制造轻薄化显示产品，具有降低制作费用、缩短制程的优势。
如图7所示，本发明实施例还提供一种显示装置，包括：如上述任意实施例所示的显示面板210；第一连接端子220，与显示面板210的第一电极连接线电连接；第二连接端子230，与显示面板210的第二电极连接线电连接；驱动芯片240，分别与第一连接端子220和第二连接端子230电连接，用于通过第一连接端子220和第二连接端子230驱动显示面板210显示画面。该显示装置可选通过玻璃胶、或热容胶、或无影胶等材料进行封装，以防止水汽、湿气、或化学腐蚀进入显示装置内部损坏元器件。
在本实施例中，可选每个纳米线发光二极管区块的多个纳米线发光二极管呈多行多列排列，每条第一电极连接线与对应列的多个纳米线发光二极管的第一极电连接，则第一连接端子220位于显示面板210的底部，每条第二电极连接线与对应行的多个纳米线发光二极管的第二极电连接，则第二连接端子230位于显示面板210的侧部。若显示面板210未设置下基板，则显示面板210的外围纳米线发光二极管区块的边缘预留了布线区域，该布线区域可进行第一电极连接线和第二电极连接线的走线布置，还可将第一连接端子220和第二连接端子230、以及驱动芯片240放置在该布线区域。若显示面板210内设置了下基板，则在下基板边缘的区域处进行布线。
具体地，如图7所示，显示面板210的每条第一电极连接线将对应列纳米线发光二极管的第一极连接并电连接至第一连接端子220，显示面板210的每条第二电极连接线将对应行纳米线发光二极管的第二极连接并电连接至第二连接端子230，驱动芯片240分别与第一连接端子220、第二连接端子230电连接。
可选地显示装置还包括：柔性线路板，驱动芯片240绑定在柔性线路板上，柔性线路板分别与第一连接端子220、第二连接端子230电连接。驱动芯片240通过柔性线路板驱动第一电极连接线和第二电极连接线，寻址以驱动对应的纳米线发光二极管进而显示画面。
需要说明的是，第一连接端子220和第二连接端子230可集成为一个连接端子，显示面板210的每条第一电极连接线将对应列纳米线发光二极管的第一极连接并电连接至连接端子，显示面板210的每条第二电极连接线将对应行纳米线发光二极管的第二极连接并电连接至连接端子。驱动芯片240直接与连接端子电连接以驱动纳米线发光二极管进行画面显示；或者，驱动芯片240绑定在柔性线路板上且柔性线路板与连接端子电连接，由此驱动芯片240通过柔性线路板驱动纳米线发光二极管进行画面显示。
注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。

Claims (16)

1.一种显示面板，其特征在于，包括：
至少一个纳米线发光二极管区块，每个所述纳米线发光二极管区块包括多个纳米线发光二极管，所述纳米线发光二极管包括发光面和不发光面，所述发光面上设置有所述纳米线发光二极管的第一极和第二极，其中所述第一极为n极和所述第二极为p极，或者，所述第一极为p极和所述第二极为n极；
第一导电层，设置在所述纳米线发光二极管的发光面，包括至少一条第一电极连接线，所述至少一条第一电极连接线与所述纳米线发光二极管的第一极电连接；
第二导电层，与所述第一导电层绝缘，设置在所述第一导电层背离所述纳米线发光二极管发光面的一侧，包括至少一条第二电极连接线，所述至少一条第二电极连接线与所述纳米线发光二极管的第二极电连接。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，每个所述纳米线发光二极管区块的多个纳米线发光二极管呈多行多列排列；
每条所述第一电极连接线与对应行的多个所述纳米线发光二极管的第一极电连接；
每条所述第二电极连接线与对应列的多个所述纳米线发光二极管的第二极电连接。
3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，还包括：
平坦层，位于所述第一导电层与所述纳米线发光二极管发光面之间；
所述第一导电层通过所述平坦层中的第一过孔，与所述纳米线发光二极管的第一极电连接。
4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，还包括：
绝缘层，位于所述第一导电层与所述第二导电层之间；
所述第二导电层通过所述绝缘层和所述平坦层中的第二过孔，与所述纳米线发光二极管的第二极电连接。
5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述第一过孔和所述第二过孔的孔径尺寸均小于或等于20μm且大于或等于10μm。
6.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，还包括：胶合在所述第二导电层表面上的上透明基板。
7.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述上透明基板为玻璃基板或柔性基板，以及所述上透明基板通过透明胶层胶合在所述第二导电层表面上。
8.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，还包括：触控层，所述触控层设置在所述上透明基板上。
9.根据权利要求6-8任一所述的显示面板，其特征在于，还包括：下基板，所述下基板胶合在所述纳米线发光二极管的不发光面。
10.根据权利要求9所述的显示面板，其特征在于，所述下基板为玻璃基板或柔性基板，以及所述下基板通过液态光学透明胶层、或硅胶层、或亚克力胶层、或环氧树脂层胶合在所述纳米线发光二极管的不发光面。
11.一种显示面板的制造方法，其特征在于，包括：
形成至少一个纳米线发光二极管区块，每个所述纳米线发光二极管区块包括多个纳米线发光二极管，所述纳米线发光二极管包括发光面和不发光面，所述发光面上设置有所述纳米线发光二极管的第一极和第二极，其中所述第一极为n极和所述第二极为p极，或者，所述第一极为p极和所述第二极为n极；
形成第一导电层，设置在所述纳米线发光二极管的发光面，包括至少一条第一电极连接线，所述至少一条第一电极连接线与所述纳米线发光二极管的第一极电连接；
形成第二导电层，与所述第一导电层绝缘，设置在所述第一导电层背离所述纳米线发光二极管发光面的一侧，包括至少一条第二电极连接线，所述至少一条第二电极连接线与所述纳米线发光二极管的第二极电连接。
12.根据权利要求11所述的制造方法，其特征在于，形成至少一个纳米线发光二极管区块之后，以及形成第一导电层之前，还包括：
形成平坦层，位于所述第一导电层与所述纳米线发光二极管发光面之间，以及形成第一过孔，所述第一导电层通过所述平坦层中的第一过孔，与所述纳米线发光二极管的第一极电连接。
13.根据权利要求11所述的制造方法，其特征在于，形成第一导电层之后，以及形成第二导电层之前，还包括：
形成绝缘层，位于所述第一导电层与所述第二导电层之间，以及形成第二过孔，所述第二导电层通过所述绝缘层和所述平坦层中的第二过孔，与所述纳米线发光二极管的第二极电连接。
14.根据权利要求12所述的制造方法，其特征在于，所述平坦层的折射率大于或等于1.4且小于或等于4.5，所述平坦层的厚度在100nm到100μm的范围内，所述平坦层材料为氮化硅。
15.一种显示装置，其特征在于，包括：
如权利要求1-10任一所述的显示面板；
第一连接端子，与所述显示面板的第一电极连接线电连接；
第二连接端子，与所述显示面板的第二电极连接线电连接；
驱动芯片，分别与所述第一连接端子和第二连接端子电连接，用于通过所述第一连接端子和所述第二连接端子驱动所述显示面板显示画面。
16.根据权利要求15所述的显示装置，其特征在于，还包括：
柔性线路板，所述驱动芯片绑定在所述柔性线路板上，所述柔性线路板分别与所述第一连接端子、所述第二连接端子电连接。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107871454A (zh) * 2016-09-26 2018-04-03 启端光电股份有限公司 微发光二极管显示面板
CN111915998A (zh) * 2020-03-20 2020-11-10 錼创显示科技股份有限公司 微型发光二极管显示面板
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Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20110039313A (ko) * 2008-07-07 2011-04-15 글로 에이비 나노구조 ｌｅｄ
SE533531C2 (sv) * 2008-12-19 2010-10-19 Glo Ab Nanostrukturerad anordning
FR2951875B1 (fr) * 2009-10-23 2012-05-18 Commissariat Energie Atomique Procede de fabrication d?un ecran a tres haute resolution utilisant une couche conductrice anisotropique et emissive

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107871454A (zh) * 2016-09-26 2018-04-03 启端光电股份有限公司 微发光二极管显示面板
CN111915998A (zh) * 2020-03-20 2020-11-10 錼创显示科技股份有限公司 微型发光二极管显示面板
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