CN105745607B - 使用半导体发光器件的显示设备 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及显示设备,更具体地讲,涉及一种使用半导体发光器件的显示设备。在包括触摸传感器单元以及基于通过所述触摸传感器单元感测的触摸输入来被控制的显示单元在内的该显示设备中,所述显示单元包括导电粘合层以及粘合到所述导电粘合层并且被布置为形成多行的多个半导体发光器件,并且所述触摸传感器单元包括被设置在所述显示单元中的所述多个半导体发光器件的所述多行之间的X电极以及被配置为与所述X电极组合以感测触摸输入的Y电极。

Description

使用半导体发光器件的显示设备
技术领域
本公开涉及显示设备,更具体地讲,涉及一种使用半导体发光器件的显示设备。
背景技术
近来,在显示技术领域已开发出具有诸如薄膜特性、柔性等的优异特性的显示设备。目前商业化的主要显示器的代表是液晶显示器(LCD)和有源矩阵有机发光二极管(OLED)。
LCD具有响应时间不够快以及难以实现柔性的问题,AMOLED涉及寿命较短、产率不高以及柔性较弱的弱点。
此外,发光二极管(LED)是将电流转换为光的熟知半导体发光器件。由于使用GaAsP化合物半导体的红色LED在1962年被商业化,所以红色LED已随基于GaP:N的绿色LED一起用作用于显示电子装置(包括信息通信装置)的图像的光源。因此,可提出一种通过使用半导体发光器件实现柔性显示器来解决上述问题的方案。
另外,这种显示设备可具有触摸传感器,可考虑能够减小显示设备的厚度的触摸传感器的结构。
发明内容
技术问题
因此,详细描述的一方面在于提供一种不同于现有技术的新的柔性显示设备。
详细描述的另一方面在于提供一种使得显示设备的厚度能够减小的触摸传感器的结构。
技术方案
为了实现这些和其它优点并且根据本说明书的目的,如本文具体实现和广义描述的,一种显示设备包括触摸传感器单元以及基于通过所述触摸传感器单元感测的触摸输入来控制的显示单元,其中,所述显示单元包括导电粘合层以及与所述导电粘合层组合并且被布置为形成多行的多个半导体发光器件,并且所述触摸传感器单元包括被设置在所述显示单元中的所述多个半导体发光器件的所述多行之间的X电极以及被配置为与所述X电极组合以感测触摸输入的Y电极。
在本公开的示例性实施方式中,显示设备还可包括:黑底,该黑底被设置为覆盖所述多个半导体发光器件之间的所述X电极。
在本公开的示例性实施方式中,荧光层可形成在所述多个半导体发光器件的一个表面上,并且所述黑底和所述X电极可分别被设置在所述荧光层之间。
在本公开的示例性实施方式中,所述X电极可被设置在所述导电粘合层与所述黑底之间。
在本公开的示例性实施方式中,所述X电极和所述黑底可分别由具有不同电阻值的材料形成。
在本公开的示例性实施方式中,所述X电极可被形成为黑色,以减轻设置在所述显示单元中的所述荧光层之间的反射。
在本公开的示例性实施方式中,所述X电极可形成为所述荧光层之间的单层。
在本公开的示例性实施方式中,所述X电极可被设置在所述显示单元内部,所述Y电极可形成在由允许从所述多个半导体发光器件发射的光透射穿过的透光材料形成的电极膜上,并且所述电极膜可被设置为在所述显示单元外部与所述多个半导体发光器件交叠。
在本公开的示例性实施方式中,透光构件可被设置在所述电极膜与所述多个半导体发光器件之间以将所述X电极和Y电极隔开并且允许来自所述半导体发光器件的光透射穿过。
在本公开的示例性实施方式中,显示单元可包括:多条水平电极线,其电连接至所述多个半导体发光器件;以及多条垂直电极线,其在与所述多条水平电极线交叉的方向上排列并且被设置为平行于所述X电极。
在本公开的示例性实施方式中,所述多条水平电极线和所述多条垂直电极线可形成在被所述导电粘合层覆盖的布线板上。
在本公开的示例性实施方式中,所述显示单元可包括电连接至所述多个半导体发光器件并且在相互交叉的方向上排列的垂直电极和水平电极,并且所述垂直电极和所述水平电极中的任一个可相对于所述X电极具有电位差,使得所述垂直电极和所述水平电极中的所述任一个成为所述触摸传感器单元的Y电极。
在本公开的示例性实施方式中,所述触摸传感器单元可通过所述垂直电极和所述水平电极中的任一个与所述X电极之间形成的信号传输线路来感测触摸输入。
为了实现这些和其它优点并且根据本说明书的目的,如本文具体实现和广义描述的,一种显示设备包括:第一电极和第二电极;导电粘合层,其电连接至所述第一电极和所述第二电极中的至少一个;半导体发光器件,其与所述导电粘合层组合;第三电极,其被配置为与所述第一电极和所述第二电极中的任一个形成电位差以感测触摸输入;以及控制器,其被配置为通过由所述第一电极和第二电极形成的第一信号传输线路来控制所述半导体发光器件,并且对通过由所述第一电极和第二电极中的任一个和所述第三电极形成的第二信号传输线路感测的触摸输入进行处理。
在本公开的示例性实施方式中,所述半导体发光器件的驱动信号可由于所述第一电极和第二电极之间形成的第一电位差而生成,并且所述第一电极和第二电极中的所述任一个与所述第三电极之间形成的用于感测触摸输入的第二电位差可大于所述第一电位差。
在本公开的示例性实施方式中,在感测所述触摸输入时所生成的第一电位差对所述第二电位差的影响可作为噪声被处理。
在本公开的示例性实施方式中,施加于所述第一电极和第二电极中的任一个和另一个的电压的大小可小于施加于所述第三电极的电压的大小。
在本公开的示例性实施方式中,所述半导体发光器件可基于随着所述第一电极和第二电极中的任一个的电位改变而形成的所述第一电极和第二电极之间的电位差而导通,并且所述第三电极的电位可响应于所述第一电极和第二电极中的任一个的电位的改变而改变,以维持用于感测触摸输入的所述电位差。
在本公开的示例性实施方式中,所述第一电极和第二电极中的任一个的电位的改变与所述第三电极的电位的改变可分别以脉冲的形式生成,并且所述电位可在相同的时间点按照相同的大小改变。
在本公开的示例性实施方式中,所述第三电极可形成在由允许从所述半导体发光器件发射的光透射穿过的透光材料形成的电极膜上,并且所述电极膜可被设置为与所述半导体发光器件交叠。
在本公开的示例性实施方式中,所述第三电极可被设置在被布置为形成多行的多个半导体发光器件之间,并且与所述第一电极和第二电极中的任一个组合以感测触摸输入。
根据本公开的示例性实施方式,通过将构成触摸传感器的多个电极中的至少一个设置在显示单元中,电极所占据的空间可减小。因此,可提供更薄的显示设备。
本申请的进一步的适用范围将从下文给出的详细描述而变得更显而易见。然而,应该理解,仅示意性地在指示本发明的优选示例性实施方式的同时给出详细描述和具体示例,因为对于本领域技术人员而言,通过该详细描述,在本发明的精神和范围内的各种改变和修改将变得显而易见。
本发明的有益效果
如上所述,根据本公开,通过利用显示单元的第一电极和第二电极中的任一个作为触摸传感器的电极,触摸传感器的厚度可减小。
附图说明
图1是示出使用根据本公开的示例性实施方式的半导体发光器件的显示设备的概念图;
图2是图1的部分“A”的局部放大图;
图3A和图3B是沿着图2的线B-B和C-C截取的横截面图;
图4是示出图3A的倒装芯片型半导体发光器件的概念图;
图5A至图5C是示出与倒装芯片型半导体发光器件有关的实现颜色的各种配置的概念图;
图6包括示出使用根据本公开的示例性实施方式的半导体发光器件的显示设备的制造方法的横截面图;
图7是示出使用根据本公开的另一示例性实施方式的半导体发光器件的显示设备的立体图;
图8是沿着图7的线C-C截取的横截面图;
图9是示出图8的垂直半导体发光器件的概念图;
图10是示出包括触摸传感器的显示设备的示例的概念图;
图11是图10的部分“A”的放大图;
图12A和图12B是沿着图11的线B-B和C-C截取的横截面图;
图13A和图13B是示出与触摸传感器有关的另一示例的横截面图;
图14A、图14B和图14C是示出与应用了本发明的倒装芯片型半导体发光器件有关的实现颜色的各种配置以及用于实现触摸传感器的各种类型的层叠结构的概念图;
图15A、图15B、图15C和图15D是示出触摸传感器的电极被设置在黑底中的各种配置的概念图;
图16是示出使用根据本公开的另一示例性实施方式的半导体发光器件的显示设备的立体图;
图17是沿着图16的线C-C截取的横截面图;
图18是示出使用根据本公开的另一示例性实施方式的半导体发光器件的显示设备的立体图;
图19A和图19B是沿着图18的线B-B和C-C截取的横截面图;
图20和图21是示出图18的显示设备中的半导体发光器件和触摸传感器的驱动的信号处理的概念图;
图22A、图22B和图22C是示出与应用了本发明的倒装芯片型半导体发光器件有关的实现颜色的各种配置以及用于实现触摸传感器的各种类型的层叠结构的概念图;
图23是示出触摸传感器的电极被进一步设置在图18的显示设备中的结构的横截面图;
图24是示出使用根据本公开的另一示例性实施方式的半导体发光器件的显示设备的立体图;
图25是沿着图16的线C-C截取的横截面图;以及
图26是示出触摸传感器的电极被设置在图24的显示设备的显示单元上的结构的横截面图。
具体实施方式
以下,将参照附图详细描述本文公开的实施方式,为相同或相似的元件指定相同的标号,而不管图号,其冗余描述将被省略。用于以下描述中公开的构成元件的后缀“模块”或“单元”仅是为了容易描述本说明书,后缀本身并不给予任何特殊含义或功能。此外,在描述本文公开的实施方式时,当本发明所涉及的公知技术的具体描述被判断为使本发明的主旨模糊时,将省略详细描述。另外,应该注意的是,仅示出附图以容易地说明本发明的概念,因此,它们不应被解释为由附图限制本文公开的技术构思。
另外,将理解,当诸如层、区域或基板的元件被称作“在”另一元件“上”时,它可直接在所述另一元件上,或者也可在二者之间插入中间元件。
本文公开的显示装置可包括便携式电话、智能电话、膝上型计算机、数字广播终端、个人数字助理(PDA)、便携式多媒体播放器(PMP)、导航、石板PC、平板PC、超级本、数字TV、台式计算机等。然而,本领域技术人员将容易地理解,本文公开的配置可适用于任何可显示装置,即使它是稍后将开发的新产品类型。
图1是示出根据本发明的实施方式的使用半导体发光器件的显示装置的概念图。
根据附图,在显示装置100的控制器中处理的信息可利用柔性显示器来显示。
柔性显示器可包括柔性、可弯曲、可扭曲、可折叠和可卷曲显示器。例如,柔性显示器可以是在薄的柔性基板上制造的显示器,其在维持现有技术的平板显示器的显示特性的同时可像纸张一样翘曲、弯曲、折叠或卷曲。
在柔性显示器未翘曲的配置(例如,具有无限曲率半径的配置,以下称作“第一配置”)中柔性显示器的显示区域变为平面。在第一配置下柔性显示器由于外力而翘曲的配置(例如,具有有限曲率半径的配置,以下称作“第二配置”)中其显示区域变为曲面。如附图中所示,在第二配置下显示的信息可以是显示在曲面上的视觉信息。该视觉信息可通过分别控制以矩阵形式设置的子像素的光发射来实现。子像素表示用于实现一种颜色的最小单元。
柔性显示器的子像素可通过半导体发光器件来实现。根据本发明的实施方式,示出发光二极管(LED)作为一种半导体发光器件。发光二极管可形成为小尺寸,以通过这即使在第二配置下也起到子像素的作用。
以下,将参照附图更详细地描述利用发光二极管实现的柔性显示器。
图2是图1中的部分“A”的局部放大图,图3A和图3B是沿着图2中的线B-B和C-C截取的横截面图,图4是示出图3A中的倒装芯片型半导体发光器件的概念图,图5A至图5C是示出与倒装芯片型半导体发光器件结合实现颜色的各种形式的概念图。
根据图2、图3A和图3B的附图,示出了使用无源矩阵(PM)型半导体发光器件的显示装置100作为使用半导体发光器件的显示装置100。然而,以下例示也可适用于有源矩阵(AM)型半导体发光器件。
显示装置100可包括基板110、第一电极120、导电粘合层130、第二电极140和多个半导体发光器件150。
基板110可以是柔性基板。基板110可包含玻璃或聚酰亚胺(PI)以实现柔性显示装置。另外,如果它是柔性材料,则可使用诸如聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)等的任一种。另外,基板110可以是透明材料和不透明材料中的任一种。
基板110可以是设置有第一电极120的布线基板,因此第一电极120可被布置在基板110上。
根据附图,绝缘层160可设置在布置有第一电极120的基板110上,辅助电极170可布置在绝缘层160上。在这种情况下,绝缘层160被沉积在基板110上的配置可以是单个布线基板。更具体地讲,绝缘层160可利用诸如聚酰亚胺(PI)、PET、PEN等的绝缘和柔性材料被并入基板110中以形成单个布线基板。
作为将第一电极120电连接到半导体发光器件150的电极的辅助电极170布置在绝缘层160上,并且与第一电极120的位置对应地设置。例如,辅助电极170具有点形状,并且可通过穿过绝缘层160的电极孔171电连接到第一电极120。电极孔171可通过在通孔中填充导电材料来形成。
参照附图,导电粘合层130可形成在绝缘层160的一个表面上,但是本发明的实施方式可不必限于此。例如,可还具有导电粘合层130在没有绝缘层160的情况下设置在基板110上的结构。在导电粘合层130设置在基板110上的结构中导电粘合层130可起到绝缘层的作用。
导电粘合层130可以是具有粘附性和导电性的层,为此,导电材料和粘合材料可被混合在导电粘合层130上。另外,导电粘合层130可具有柔性,从而实现显示装置中的柔性功能。
对于这种示例,导电粘合层130可以是各向异性导电膜(ACF)、各向异性导电糊剂、包含导电颗粒的溶液等。导电粘合层130可允许穿过其厚度的z方向上的电互连,但是可被配置为在其水平x-y方向上具有电绝缘的层。因此,导电粘合层130可被称作z轴导电层(然而,以下称作“导电粘合层”)。
各向异性导电膜是具有各向异性导电介质与绝缘基件混合的形式的膜,因此,当对其施加热和压力时,仅其特定部分可通过各向异性导电介质而具有导电性。以下,对各向异性导电膜施加热和压力,但是其它方法也可用于各向异性导电膜以使其部分地具有导电性。所述方法可包括仅对其施加热和压力中的任一个、UV固化等。
另外,各向异性导电介质可以是导电球或颗粒。根据附图,在本实施方式中,各向异性导电膜是具有各向异性导电介质与绝缘基件混合的形式的膜,因此,当对其施加热和压力时,仅其特定部分可通过导电球而具有导电性。各向异性导电膜可处于具有导电材料的芯包含被具有聚合物材料的绝缘层涂覆的多个颗粒的状态,在这种情况下,它可在被施加热和压力的部分上破坏绝缘层的同时通过芯而具有导电性。这里,可使芯变形以实现在膜的厚度方向上具有对象所接触的两个表面的层。
对于更具体的示例,对各向异性导电膜整体施加热和压力,z轴方向上的电连接通过相对于利用各向异性导电膜粘附的配对对象的高度差来部分地形成。
对于另一示例,各向异性导电膜可处于包含多个颗粒的状态,其中导电材料被涂覆在绝缘芯上。在这种情况下,被施加热和压力的部分可被转变为(加压并粘附到)导电材料以在膜的厚度方向上具有导电性。对于另一示例,它可被形成为在膜的厚度方向上具有导电性,其中导电材料在z方向上穿过绝缘基件。在这种情况下,导电材料可具有尖的端部。
根据附图,各向异性导电膜具有利用导电球插入绝缘基件的一个表面中的形式配置的固定阵列各向异性导电膜(ACF)。更具体地讲,绝缘基件由粘合材料形成,导电球被密集地设置在绝缘基件的底部,当对其施加热和压力时,基件随导电球一起改性,从而在其垂直方向上具有导电性。
然而,本发明的实施方式可不必限于此,各向异性导电膜可以是允许具有导电球随机地与绝缘基件混合的形式或者利用导电球设置在任一层的多个层配置的形式(双ACF)等的所有膜。
作为连接至糊剂和导电球的形式的各向异性导电糊剂可以是导电球与绝缘和粘合基材混合的糊剂。另外,包含导电颗粒的溶液可以是包含导电颗粒或纳米颗粒的形式的溶液。
再参照附图,第二电极140位于绝缘层160上以与辅助电极170分离。换言之,导电粘合层130设置在设置有辅助电极170和第二电极140的绝缘层160上。
当在设置有辅助电极170和第二电极140的状态下形成导电粘合层130,然后在施加热和压力的情况下半导体发光器件150以倒装芯片形式连接到其时,半导体发光器件150电连接到第一电极120和第二电极140。
参照图4,半导体发光器件可以是倒装芯片型半导体发光器件。
例如,半导体发光器件可包括p型电极156、形成有p型电极156的p型半导体层155、形成在p型半导体层155上的有源层154、形成在有源层154上的n型半导体层153、以及在水平方向上与p型电极156分离地设置在n型半导体层153上的n型电极152。在这种情况下,p型电极156可通过导电粘合层130电连接到焊接部分,n型电极152可电连接到第二电极140。
再参照图2、图3A和图3B,辅助电极170可按照一个方向上的细长方式形成,以电连接到多个半导体发光器件150。例如,辅助电极周围的半导体发光器件的左p型电极和右p型电极可电连接到一个辅助电极。
更具体地讲,半导体发光器件150被压到导电粘合层130中,通过这样,仅半导体发光器件150的p型电极156与辅助电极170之间的部分以及半导体发光器件150的n型电极152与第二电极140之间的部分具有导电性,剩余部分由于半导体发光器件没有下推而不具有导电性。
另外,多个半导体发光器件150构成发光阵列,荧光层180形成在该发光阵列上。
发光器件可包括具有不同的自亮度值的多个半导体发光器件。各个半导体发光器件150构成子像素,并且电连接到第一电极120。例如,可存在多个第一电极120,并且例如,半导体发光器件按照多行排列,各行的半导体发光器件可电连接到多个第一电极中的任一个。
另外,半导体发光器件可按照倒装芯片形式连接,因此,半导体发光器件在透明电介质基板上生长。另外,例如,半导体发光器件可以是氮化物半导体发光器件。半导体发光器件150具有优异的亮度特性,因此可配置各个子像素,即使其尺寸较小。
根据附图,间壁190可形成在半导体发光器件150之间。在这种情况下,间壁190可起到将各个子像素彼此分割的作用,并且与导电粘合层130形成为整体。例如,当半导体发光器件150插入各向异性导电膜中时,各向异性导电膜的基件可形成间壁。
另外,当各向异性导电膜的基件为黑色时,在没有附加黑色绝缘体的情况下,间壁190可具有反射特性,同时增大对比度。
对于另一示例,可与间壁190分离地设置反射间壁。在这种情况下,根据显示装置的目的,间壁190可包括黑色或白色绝缘体。当使用白色绝缘体的间壁时它可具有增强反射率的效果,并且在具有反射特性的同时增大对比度。
荧光层180可设置在半导体发光器件150的外表面。例如,半导体发光器件150是发射蓝色(B)光的蓝色半导体发光器件,荧光层180起到将蓝色(B)光转换为子像素的颜色的作用。荧光层180可以是构成各个像素的红色荧光层181或绿色荧光层182。
换言之,能够将蓝色光转换为红色(R)光的红色荧光粉181可沉积在蓝色半导体发光器件151上实现红色子像素的位置处,能够将蓝色光转换为绿色(G)光的绿色荧光粉182可沉积在蓝色半导体发光器件151上实现绿色子像素的位置处。另外,在实现蓝色子像素的位置处可仅单独地使用蓝色半导体发光器件151。在这种情况下,红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)子像素可实现一个像素。更具体地讲,一种颜色的荧光粉可沿着第一电极120的各行沉积。因此,第一电极120上的一行可以是控制一种颜色的电极。换言之,可顺序地设置红色(R)、绿色(G)和蓝色(B),从而实现子像素。
然而,本发明的实施方式可不必限于此,代替荧光粉,半导体发光器件150可与量子点(QD)组合,以实现诸如红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)的子像素。
另外,黑底191可设置在各个荧光层之间以增强对比度。换言之,黑底191可增强亮度的对比度。
然而,本发明的实施方式可不必限于此,实现红色、绿色和蓝色的另一结构也可适用。
参照图5A,各个半导体发光器件150可利用发射包括蓝色的各种光的高功率发光器件来实现,其中主要使用氮化镓(GaN),并且添加有铟(In)和或铝(Al)。
在这种情况下,半导体发光器件150可分别是红色、绿色和蓝色半导体发光器件,以实现各个子像素。例如,红色、绿色和蓝色半导体发光器件(R、G、B)交替地设置,并且红色、绿色和蓝色子像素通过红色、绿色和蓝色半导体发光器件实现一个像素,从而实现全彩色显示器。
参照图5B,半导体发光器件可具有针对各个元件设置有黄色荧光层的白色发光器件(W)。在这种情况下,红色荧光层181、绿色荧光层182和蓝色荧光层183可设置在白色发光器件(W)上以实现子像素。另外,以红色、绿色和蓝色在白色发光器件(W)上重复的滤色器可用于实现子像素。
参照图5C,还可具有这样的结构,其中红色荧光层181、绿色荧光层182和蓝色荧光层183可设置在紫外发光器件(UV)上。这样,半导体发光器件可用在直至紫外光(UV)以及可见光的整个区域上,并且可扩展至紫外光(UV)可用作激发源的半导体发光器件的形式。
再考虑当前示例,半导体发光器件150被布置在导电粘合层130上以配置显示装置中的子像素。半导体发光器件150可具有优异的亮度特性,因此可配置各个子像素,即使其尺寸较小。各个半导体发光器件150的尺寸(其一条边长)可小于80μm,并且利用矩形或正方形形状的元件形成。在矩形形状的元件的情况下,其尺寸可小于20×80μm。
另外,即使当边长为10μm的正方形形状的半导体发光器件150用于子像素时,它也将表现出足够的亮度以实现显示装置。因此,例如,在子像素的一条边的尺寸为600μm,其另一条边为300μm的矩形像素的情况下,半导体发光器件之间的相对距离变得足够大。因此,在这种情况下,可实现具有HD图像质量的柔性显示装置。
使用上述半导体发光器件的显示装置将通过新型的制造方法来制造。以下,将参照图6来描述该制造方法。
图6是示出根据本发明的实施方式的使用半导体发光器件的显示装置的制造方法的横截面图。
参照该图,首先,在设置有辅助电极170和第二电极140的绝缘层160上形成导电粘合层130。绝缘层160被沉积在第一基板110上以形成一个基板(或布线基板),第一电极120、辅助电极170和第二电极140被设置在布线基板处。在这种情况下,第一电极120和第二电极140可按照彼此垂直的方向设置。另外,第一基板110和绝缘层160可分别包含玻璃或聚酰亚胺(PI),以实现柔性显示装置。
例如,导电粘合层130可通过各向异性导电膜来实现,为此,各向异性导电膜可被涂覆在设置有绝缘层160的基板上。
接下来,将设置有与辅助电极170和第二电极140的位置对应并且构成各个像素的多个半导体发光器件150的第二基板112设置为使得半导体发光器件150面向辅助电极170和第二电极140。
在这种情况下,作为用于生长半导体发光器件150的生长基板的第二基板112可以是蓝宝石基板或硅基板。
半导体发光器件可在以晶片为单位形成时具有能够实现显示装置的间隙和尺寸,因此有效地用于显示装置。
接下来,将布线基板热压到第二基板112。例如,可通过应用ACF冲头来将布线基板和第二基板112热压到彼此。布线基板和第二基板112利用热压而彼此结合。由于通过热压而具有导电性的各向异性导电膜的特性,仅半导体发光器件150与辅助电极170和第二电极140之间的部分可具有导电性,从而使得电极和半导体发光器件150能够彼此电连接。此时,半导体发光器件150可插入各向异性导电膜中,从而形成半导体发光器件150之间的间壁。
接下来,去除第二基板112。例如,可利用激光剥离(LLO)或化学剥离(CLO)方法来去除第二基板112。
最后,去除第二基板112以将半导体发光器件150暴露于外。可在连接至半导体发光器件150的布线基板上涂覆硅氧化物(SiOx)等以形成透明绝缘层。
另外,还可包括在半导体发光器件150的一个表面上形成荧光层的工艺。例如,半导体发光器件150可以是发射蓝色(B)光的蓝色半导体发光器件,用于将蓝色(B)光转换为子像素的颜色的红色或绿色荧光粉可在蓝色半导体发光器件的一个表面上形成层。
使用上述半导体发光器件的显示装置的制造方法或结构可按照各种形式来修改。对于这种示例,上述显示装置可适用于垂直半导体发光器件。以下,将参照图5和图6来描述垂直结构。
另外,根据以下修改示例或实施方式,相同或相似的标号被指定给与上述示例相同或相似的配置,其描述将由早前描述代替。
图7是示出根据本发明的另一实施方式的使用半导体发光器件的显示装置的立体图,图8是沿着图7中的线C-C截取的横截面图,图9是示出图8中的垂直型半导体发光器件的概念图。
根据附图,显示装置可以是使用无源矩阵(PM)型垂直半导体发光器件的显示装置。
显示装置可包括基板210、第一电极220、导电粘合层230、第二电极240以及多个半导体发光器件250。
作为设置有第一电极220的布线基板的基板210可包括聚酰亚胺(PI)以实现柔性显示装置。另外,也可使用任一种,只要它是绝缘和柔性材料。
第一电极220可被设置在基板210上并且利用在一个方向上伸长的条形电极形成。第一电极220可被形成为起到数据电极的作用。
导电粘合层230形成在设置有第一电极220的基板210上。类似于应用倒装芯片型发光器件的显示装置,导电粘合层230可以是各向异性导电膜(ACF)、各向异性导电糊剂、包含导电颗粒的溶液等。然而,本实施方式示出导电粘合层230由各向异性导电膜实现的情况。
当在第一电极220设置在基板210上的状态下设置各向异性导电膜,然后施加热和压力以连接半导体发光器件250时,半导体发光器件250电连接到第一电极220。此时,半导体发光器件250可优选地设置在第一电极220上。
当如上所述施加热和压力时,由于各向异性导电膜在厚度方向上部分地具有导电性,生成电连接。因此,各向异性导电膜被分割成在其厚度方向上具有导电性的部分231和不具有导电性部分232。
另外,各向异性导电膜包含粘合组分,因此导电粘合层230实现半导体发光器件250与第一电极220之间的机械连接以及电连接。
这样,半导体发光器件250被布置在导电粘合层230上,从而配置显示装置中的单独的子像素。半导体发光器件250可具有优异的亮度特性,因此可配置各个子像素,即使其尺寸较小。各个半导体发光器件250的尺寸(其一条边长)可小于80μm并且利用矩形或正方形形状的元件形成。在矩形形状的元件的情况下,其尺寸可小于20×80μm。
半导体发光器件250可以是垂直结构。
设置在与第一电极220的长度方向交叉的方向上并且电连接到垂直半导体发光器件250的多个第二电极240可设置在垂直半导体发光器件之间。
参照图9,垂直半导体发光器件可包括p型电极256、形成有p型电极256的p型半导体层255、形成在p型半导体层255上的有源层254、形成在有源层254上的n型半导体层253以及形成在n型半导体层253上的n型电极252。在这种情况下,位于其底部的p型电极256可通过导电粘合层230电连接到第一电极220,位于其顶部的n型电极252可电连接到第二电极240(将稍后描述)。电极可在向上/向下方向上设置在垂直半导体发光器件250中,从而提供能够减小芯片尺寸的极大优点。
再参照图8,荧光层280可形成在半导体发光器件250的一个表面上。例如,半导体发光器件250是发射蓝色(B)光的蓝色半导体发光器件,将蓝色(B)光转换为子像素的颜色的荧光层280可设置在其上。在这种情况下,荧光层180可以是构成各个像素的红色荧光粉281和绿色荧光粉282。
换言之,能够将蓝色光转换为红色(R)光的红色荧光粉281可沉积在蓝色半导体发光器件251上实现红色子像素的位置处,能够将蓝色光转换为绿色(G)光的绿色荧光粉282可沉积在蓝色半导体发光器件251上实现绿色子像素的位置处。另外,在实现蓝色子像素的位置处可仅单独地使用蓝色半导体发光器件251。在这种情况下,红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)子像素可实现一个像素。
然而,本发明的实施方式可不必限于此,在应用倒装芯片型发光器件的显示装置中如上所述也可适用实现蓝色、红色和绿色的另一结构。
再考虑本实施方式,第二电极240设置在半导体发光器件250之间并且电连接到半导体发光器件250。例如,半导体发光器件250可按照多行设置,第二电极240可设置在半导体发光器件250的行之间。
由于构成各个像素的半导体发光器件250之间的距离足够大,所以第二电极240可设置在半导体发光器件250之间。
第二电极240可利用在一个方向上伸长的条形电极形成,并且设置在与第一电极垂直的方向上。
另外,第二电极240可通过从第二电极240突出的连接电极来电连接到半导体发光器件250。更具体地讲,连接电极可以是半导体发光器件250的n型电极。例如,n型电极利用用于欧姆接触的欧姆电极来形成,第二电极通过印刷或沉积而覆盖欧姆电极的至少一部分。通过这样,第二电极240可电连接到半导体发光器件250的n型电极。
根据附图,第二电极240可设置在导电粘合层230上。根据情况,可在形成有半导体发光器件250的基板210上形成包含硅氧化物(SiOx)的透明绝缘层。当形成透明绝缘层,然后在其上布置第二电极240时,第二电极240可被布置在透明绝缘层上。另外,第二电极240可被形成为与导电粘合层230或透明绝缘层分离。
如果使用诸如铟锡氧化物(ITO)的透明电极来将第二电极240设置在半导体发光器件250上,则ITO材料具有与n型半导体的粘附性较差的问题。因此,第二电极240可被布置在半导体发光器件250之间,从而获得不需要透明电极的优点。因此,n型半导体层和具有良好粘附性的导电材料可用作水平电极,而不受透明材料的选择的限制,从而增强光提取效率。
根据附图,间壁290可形成在半导体发光器件250之间。换言之,间壁290可设置在垂直半导体发光器件250之间以将构成各个像素的半导体发光器件250隔离。在这种情况下,间壁290可起到将各个子像素彼此分割的作用,并且与导电粘合层230形成为整体。例如,当半导体发光器件250插入各向异性导电膜中时,各向异性导电膜的基件可形成间壁。
另外,当各向异性导电膜的基件为黑色时,在没有附加黑色绝缘体的情况下,间壁290可具有反射特性,同时增大对比度。
对于另一示例,可与间壁290分离地设置反射间壁。在这种情况下,根据显示装置的目的,间壁290可包括黑色或白色绝缘体。
如果第二电极240被精确地设置在半导体发光器件250之间的导电粘合层230上,则间壁290可被设置在半导体发光器件250与第二电极240之间。因此,各个子像素即使小尺寸也可利用半导体发光器件250来配置,并且半导体发光器件250之间的距离可相对足够大以将第二电极240布置在半导体发光器件250之间,从而具有实现HD图像质量的柔性显示装置的效果。
另外,根据附图,黑底291可设置在各个荧光层之间以增强对比度。换言之,黑底191可增强亮度的对比度。
如上所述,半导体发光器件250被设置在导电粘合层230上,从而构成显示装置上的各个像素。由于半导体发光器件250具有优异的亮度特性,从而配置各个子像素,即使其尺寸较小。结果,可实现全彩色显示器,其中红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)子像素通过半导体发光器件实现一个像素。
上述显示设备还可包括用于感测对显示设备施加的触摸操作的触摸传感器。
具有触摸传感器的显示设备可包括显示单元(或显示模块)和触摸传感器,并且可用作输入装置以及输出装置。
触摸传感器可利用各种触摸方法中的任何方法来感测对显示设备施加的触摸。这些触摸方法的示例包括电阻型、电容型、红外型、超声型和磁场型等等。以下,将详细描述具有以电容方式感测触摸的触摸传感器的显示设备的结构。然而,根据本发明的示例性实施方式的触摸传感器的结构不仅限于电容方案。例如,包括磁场线圈的磁场型可被应用于触摸传感器。在这种情况下,基于电容方案的X电极和Y电极中的任一个可以是磁性线圈,另一个可被省略。
以电容方式感测触摸的触摸传感器可被配置为将施加于显示模块的特定部分的压力或者在显示模块的特定部分中生成的电容的变化转换为电输入信号。当触摸输入被施加于触摸传感器时,对应信号(S)可被显示设备的控制器处理,所处理的信号可被转换为对应数据。以下,将参照附图详细描述基于电容方案的显示设备。图10是示出包括触摸传感器的显示设备的示例的概念图。
如图10所示,由显示设备1000的控制器处理的信息可利用柔性显示器来显示。图1的描述将用作该柔性显示器的描述。
如所示,被配置为柔性显示器的显示设备1000可具有触摸传感器。例如,如图10的(a)所示,当触摸输入被施加于显示设备1000时,控制器(未示出)可处理该触摸输入并且执行与所处理的触摸输入对应的控制。例如,当对图10的(a)中的特定图标1001施加触摸输入时,对应画面信息可被输出到显示设备1000。在这种情况下,可对处于弯曲状态的柔性显示器施加触摸输入,触摸传感器被配置为感测在这种状态下施加的触摸输入。
在被配置为柔性显示器的显示设备1000中,单元像素可由半导体发光器件形成。在本公开的示例性实施方式中,发光二极管(LED)作为一种将电流转换为光的半导体发光器件被示出。LED具有小尺寸,因此LED即使在第二状态下也可用作单元像素。
以下,将参照附图详细描述使用LED实现并且具有触摸传感器的柔性显示器。图11是图10的部分“A”的放大图。图12A和图12B是沿着图11的线B-B和C-C截取的横截面图。
如图11、图12A和图12B所示,使用无源矩阵(PM)型半导体发光器件的显示设备1000作为使用半导体发光器件的显示设备1000被示出。然而,以下描述的本公开也可应用于有源矩阵(AM)型半导体发光器件。
显示设备1000可包括通过发射R、G和B光来形成画面信息的显示单元1000a以及感测对显示设备1000施加的触摸输入的触摸传感器1100。以下,在以下所描述的示例性实施方式或修改示例中,与前面的示例中的那些组件相同或相似的组件被给予相同或相似的标号,将省略其冗余描述。
显示单元1000a包括板1010、第一电极1020、导电粘合层1030、第二电极1040以及多个半导体发光器件1050。这里,第一电极1020和第二电极1040可分别包括多条电极线。
板1010可以是设置有包括在第一电极1020中的多条电极线的布线板,因此,第一电极1020可位于板1010上。另外,第二电极1040被设置在板1010上。例如,板1010可以是包括多个层的布线板,第一电极1020和第二电极1040可形成在所述多个层中的每一个上。在这种情况下,布线板可以是上面参照图3A和图3B描述的显示设备的板110和绝缘层160由具有绝缘性质和柔性的材料(例如,聚酰亚胺(PI)、PET、PEN等)一体地形成的板。
如所示,第一电极1020和第二电极1030电连接至多个半导体发光器件1050。在这种情况下,第一电极1020可通过被设置成与第二电极1030共面的辅助电极1070为媒介连接至多个半导体发光器件1050。第一电极1020和第二电极1040可通过设置在板1010的一个表面上的导电粘合层1030电连接至多个半导体发光器件1050。
导电粘合层1030可以是具有粘附力和导电性的层,为此,导电粘合层1030可由具有导电性的材料和具有粘附力的材料的混合物形成。另外,导电粘合层1030可具有延展性以使得显示设备能够具有柔性功能。
例如,导电粘合层1030可以是各向异性导电膜(ACF)、各向异性导电糊剂或者包含例如导电颗粒的溶液。在辅助电极1070和第二电极1040被设置的状态下,形成导电粘合层1030,随后,当半导体发光器件1050通过对其施加热和压力以倒装芯片方式连接时,半导体发光器件1050电连接至第一电极1020和第二电极1040。
这样,多个半导体发光器件1050联接至导电粘合层1030,从而沿着多条电极线中的至少一条形成多行。
如所示,多个半导体发光器件1050可在与设置在第一电极1020中的多条电极线平行的方向上形成多行。然而,本公开不限于此,例如,多个半导体发光器件1050可沿着第二电极1040形成多行。
另外,显示单元1000a还可包括形成在多个半导体发光器件1050的一个表面上的荧光层1080。例如,半导体发光器件1050可以是发射蓝色(B)光的蓝色半导体发光器件,荧光层1080用于将蓝色(B)光转换为单元像素的颜色。荧光层1080可以是构成各个像素的红色荧光粉1081或绿色荧光粉1082。即,在形成红色单元像素的位置中,能够将蓝色光转换为红色(R)光的红色荧光粉1081可被层叠在蓝色半导体发光器件1050上,在形成绿色单元像素的位置中,能够将蓝色光转换为绿色(G)光的绿色荧光粉1082可被层叠在蓝色半导体发光器件1050上。并且,在形成蓝色单元像素的部分中,可仅单独地使用蓝色半导体发光器件1050。在这种情况下,红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)单元像素可分别构成单个像素。详细地讲,一种颜色的荧光粉可沿着第一电极1020的各行层叠。因此,第一电极1020的一行可以是控制一种颜色的电极。即,红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)荧光粉可沿着第二电极1040按顺序设置,从而形成单元像素。然而,本公开不限于此,代替荧光粉,半导体发光器件1050和量子点(QD)可组合以形成发射红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)的单元像素。
此外,为了增加荧光层1080的对比度,显示单元1000a还可包括设置在荧光粉之间的黑底1091。黑底1091可通过在荧光粉点之间形成间隙并且利用黑色材料填充该间隙来形成。因此,黑底1901可吸收外部光的反射并且增加对比度。黑底1091在荧光层1080层叠的方向上沿着第一电极1020设置在荧光层1080之间。在这种情况下,荧光层没有形成在与蓝色半导体发光器件1051对应的位置中,但是黑底1091可形成在没有荧光层的空间的两侧(蓝色半导体发光器件1050的两侧)。
与包括如上所述的配置的显示单元1000a协作地操作的触摸传感器1100包括X电极1110、层叠在显示单元上的Y电极1130以及将X电极1110和Y电极1130分离的间隔物1120。X电极1110和Y电极1130被布置在彼此交叉的方向上,并且从电源单元(未示出)接收电荷。因此,在X电极1110与Y电极1130之间形成电位差的状态下,当利用导体(例如,用户的手指等)触摸显示设备1000时,在X电极1110和Y电极1130中充入的电荷的量分别改变。基于电荷的量的改变,控制器(未示出)可计算X轴和Y轴的位置,并且可通过计算值指定所触摸的输入点。此外,在本公开中,X电极和Y电极是相对概念,而非具有术语的一般含义。因此,X电极未必与X轴方向相同,Y电极未必与Y轴方向相同。即,当X电极和Y电极中的任一个在X轴方向时,另一个可在Y轴方向。
将详细描述显示设备1000中的触摸传感器1100的X电极1110和Y电极1130的位置。如所示,触摸传感器1100的X电极1110被设置在显示单元1100a中形成多行的半导体发光器件1050之间。详细地讲,如图12B所示,X电极1110可被设置在导电粘合层1030上所述多行之间。由于所述多行之间的空间形成多条平行线,所以X电极1110可被插入显示单元1110a的层叠结构中,因此,可形成具有良好的触感并且具有减小的厚度的触摸屏。
在具体示例中,X电极1110包括多条电极线,X电极1110的多条电极线被设置为在形成多行的半导体发光器件1050之间在水平方向上分离。因此,X电极1110可被设置在黑底1091的位置中(荧光层之间或者半导体发光器件之间)。在X电极1110被设置在黑底1091的位置中的情况下,X电极1110可被形成为被黑底1091覆盖或者可覆盖黑底1091。
这样,由于电极1110和黑底1091交叠,所以黑底1091和X电极1110可被一起设置在荧光层之间。
另外,触摸传感器1100的X电极1110可被设置在显示单元1000a内部,而触摸传感器1100的Y电极1130可被设置在显示单元1000a外部。如所示,Y电极1130被设置为在显示单元1000a外部与多个半导体发光器件1050交叠,并且与X电极1110组合以感测触摸输入。Y电极1130可形成在由透光材料形成的电极膜1140形成,以允许从多个半导体发光器件1050发射的光透射穿过。如所示,Y电极1130可从电极膜1140的一个表面突出,并且可形成在电极膜1140内部。在Y电极1130形成在电极膜1140内部的情况下,电极膜1140可形成为多个层。
触摸传感器1100的间隔物1120用于在显示设备的厚度方向上分离X电极1110和Y电极1130。然而,间隔物1120的功能不限于此。例如,间隔物1120可被理解为用于填充X电极1110与Y电极1130之间的空间。
间隔物1120可形成为透光构件以允许从多个半导体发光器件1050发射的光透射穿过。间隔物1120被设置在电极膜1140与多个半导体发光器件1050之间。间隔物1120可以是例如光学透明粘合剂(OCA)(或者光学透明粘合膜)、非反射膜(或低反射膜)等。
在间隔物1120是光学透明粘合剂的情况下,电极膜1140和黑底可通过间隔物1120联接。
在另一示例中,在间隔物1120是非反射膜的情况下,在显示设备中不反射光,从而防止多个半导体发光器件1050的光学性能劣化。在这种情况下,间隔物1120可以是显示单元的组件。
在另一示例中,间隔物1120可包括通过层叠光学透明粘合剂和非反射膜而形成的多个层。在这种情况下,非反射膜可通过光学透明粘合剂来粘合。总之,间隔物1120可被定义为设置在X电极1110与Y电极1130的空间中以成为触摸传感器的组件或显示单元的组件的构件。
如上所述,在根据本公开的示例性实施方式的显示设备1000中,通过将形成触摸传感器1100的X电极1110和Y电极1120中的任一个设置在显示单元1000a中,触摸传感器1100在Z轴方向上的厚度可减小。
此外,如上所述的黑底1091可由具有不同于X电极1110的电阻值并且包括黑色材料的材料形成。另外,黑色材料1091可由具有导电性的材料形成。因此,如图13A和图13B所示,上面参照图11、图12A和图12B描述的X电极1110和黑底1091可具有与它们在对应位置处层叠的结构不同的结构。
例如,当黑底1091由包括黑色材料并且具有适合于待形成的触摸传感器1100的X电极1110的电阻值的材料形成时,触摸传感器1100的X电极1110和黑底1091可形成为单层。在这种情况下,X电极可由黑色材料形成以减轻设置在显示单元1000a中的荧光粉1080之间的反射。即,X电极1110可形成为荧光层1080之间的单层。
这样,触摸传感器1100的X电极1110可用作电极和黑底1091二者。因此,在这种情况下,黑底1091可以是显示单元1000a的组件和触摸传感器1100的组件二者。
到目前为止,已描述了显示单元1000a包括发射蓝色(B)光的蓝色半导体发光器件的情况,但是本公开不限于此,可应用用于实现蓝色、红色和绿色的任何其它结构。图14A、图14B和图14C是示出与应用了本发明的倒装芯片型半导体发光器件有关的实现颜色的各种配置以及用于实现触摸传感器的各种类型的层叠结构的概念图。
参照图14A,各个半导体发光器件1050可形成为高输出发光器件,其由氮化镓(GaN)作为主要成分并且添加铟(In)和/或铝(Al)来形成,发射包括蓝色光的各种颜色的光。
在这种情况下,半导体发光器件150可以是分别形成单元像素的红色、绿色和蓝色半导体发光器件。例如,红色、绿色和蓝色半导体发光器件R、G和B可交替地设置,并且红色、绿色和蓝色单元像素通过红色、绿色和蓝色半导体发光器件来构成单个像素,由此可实现全色显示器。半导体发光器件可具有形成多行的阵列结构。在这种情况下,发射相同颜色的半导体发光器件可被设置为与同一行对应。例如,半导体发光器件可沿着多条第一电极线1020成多行设置,各行可包括发射相同颜色的光的半导体发光器件。
在半导体发光器件独立地实现R、G和B的情况下,可不提供荧光粉。此外,即使在这种情况下,为了增强对比度和反射外部光,显示单元1000a还可包括设置在半导体发光器件的多行之间的黑底1091。如所示,黑底1091可被设置为在水平方向上彼此间隔开。另外,即使在该结构中,类似于如上所述的结构,触摸传感器1100的X电极1110可被设置在设置有黑底1091的位置中。即,如所示,触摸传感器1100的X电极1110可被设置在显示单元1000a中形成多行的半导体发光器件之间(具体地讲,与设置有黑底1091处对应的位置中)。X电极被设置在黑底1091的位置中的结构可采用图12A和图12B所示的结构,并且其详细描述将利用图12A和图12B的描述来代替。
此外,尽管未示出,当黑底1091由包括具有导电性的黑色材料并且具有适合于待形成的触摸传感器1100的X电极1110的电阻值的材料形成时,触摸传感器1100的X电极1110和黑底1091可形成为单层。
间隔物1120a可包括透明树脂以填充X电极1110和Y电极1130的空间。例如,该透明树脂可以是PET膜。在另一示例中,间隔物1120a可包括光学透明粘合剂和透明树脂层叠的多个层。在这种情况下,光学透明粘合剂被层叠在黑底上,PET膜可被层叠在光学透明粘合剂上。这样,可不同地修改隔离构件1120a的层叠结构。因此,在本示例中,间隔物1120a可利用图12A和图12B所示的间隔物1120来代替。另外,除非不可能,否则本公开中所描述的间隔物的各种修改示例可被代替。
在另一示例中,参照图14B,半导体发光器件可包括在每一个单独的器件中设置黄色荧光层的白色发光器件W。在这种情况下,荧光层可形成在各个白色发光器件W的上表面上。另外,为了形成单元像素,红色荧光层1081、绿色荧光层1082和蓝色荧光层1083可被设置在白色发光器件W上。
另外,可通过在白色发光器件W上使用重复的红色、绿色和蓝色滤色器来形成单元像素。
此外,即使在这种情况下,为了增大对比度和反射外部光,显示单元1000a还可包括设置在半导体发光器件的多行之间的黑底1091。黑底1091可被设置在红色荧光层1081、绿色荧光层1082和蓝色荧光层1083之间,并且即使在此结构中,类似于如上所述的结构,触摸传感器1100的X电极1110可被设置在设置有黑底1091的位置中。因此,触摸传感器1100的X电极1110可被设置在红色荧光层1081、绿色荧光层1082和蓝色荧光层1083之间。此外,尽管未示出,当黑底1091由包括具有导电性的黑色材料并且具有适合于待形成的触摸传感器1100的X电极1110的电阻值的材料形成时,黑底1091和X电极1110可形成为单层,并且黑底1091可代替如参照图13A和图13B所述的X电极的作用。
在另一示例中,参照图5C,红色荧光层181、绿色荧光层182和蓝色荧光层183可被设置在UV发光器件UV上。这样,半导体发光器件可被用在从可见光至紫外光UV的全部区域中,并且扩展至紫外光UV用作超荧光粉的激发源的半导体发光器件的形式。
在示例性实施方式中,半导体发光器件150被设置在导电粘合层130上以在显示设备中形成单元像素。由于半导体发光器件150具有优异的亮度,所以半导体发光器件150即使小尺寸也可形成各个单元像素。各个半导体发光器件150的一条边的长度可为80μm或更小,并且各个半导体发光器件150可为矩形或正方形器件。当半导体发光器件150具有矩形形状时,半导体发光器件150可具有20×80μm或更小的尺寸。
另外,即使当其一条边为10μm的正方形半导体发光器件150用作单元像素时,也可获得显示设备的足够亮度。因此,例如,在一条边具有600μm的长度,另一条边为300μm的矩形像素的情况下,半导体发光器件之间的距离足够大,因此,在这种情况下,可实现具有HD图像质量的柔性显示设备。
此外,即使在这种情况下,为了增大对比度和反射外部光,显示单元1000a还可包括设置在半导体发光器件的多行之间的黑底1091。黑底1091可被设置在红色荧光层1081、绿色荧光层1082和蓝色荧光层1083之间,并且即使在此结构中,类似于如上所述的结构,触摸传感器1100的X电极1110可被设置在设置有黑底1091的位置中。因此,触摸传感器1100的X电极1110可被设置在红色荧光层1081、绿色荧光层1082和蓝色荧光层1083之间。此外,尽管未示出,当黑底1091由包括具有导电性的黑色材料并且具有适合于待形成的触摸传感器1100的X电极1110的电阻值的材料形成时,黑底1091和X电极1110可形成为单层,并且黑底1091可代替如参照图13A和图13B所述的X电极的作用。
将参照附图详细描述显示单元1000a中的触摸传感器的一个电极的各种结构。图15A、图15B、图15C和图15D是示出触摸传感器的电极被设置在黑底中的各种配置(或者电极的各种结构)的概念图。
例如,如图15A所示,触摸传感器1100的X电极1110a的一个表面可被层叠在导电粘合层1030上以面对导电粘合层1030。在这种情况下,可形成黑底1091a以覆盖除一个表面(黑底和X电极接触的接触表面)之外的其它表面。根据此结构,X电极1110a可不与荧光粉接触。在这种情况下,黑底1091a的宽度可大于X电极1110a的宽度。X电极1110a被黑底1091a覆盖,并且在这种情况下,X电极1110a不暴露于外。
在另一示例中,如图15B所示,一个黑底1091b可包括多个X电极1110b和1110b’。即,与多个X电极1110b和1110b’对应的电极线可被一起设置在一个黑底1091b中。如所示,多个X电极1110b和1110b’被设置在一个黑底1091b的两端,并且多个X电极1110b和1110b’之间的空间被黑底1091b填充。另外,多个X电极1110b和1110b’被黑底1091b覆盖。对于此结构,黑底1091b具有宽度不同的两个层。
在具体配置中,多个X电极1110b和1110b’中的每一个的一个表面可面向导电粘合层1030,与所述一个表面垂直的表面之一可面向荧光粉1080,其它表面可被黑底1091b覆盖。在这种情况下,黑底1091b的一个表面的一部分可与导电粘合层1030组合,除了黑底1091b的所述一个表面的所述部分之外的其它剩余部分可与X电极1110b和1110b’接触。如所示,X电极1110b和1110b’可被设置在黑底1091b的一个表面的两端。
在另一示例中,如图15C所示,触摸传感器1100的X电极1110c可被设置在黑底1091c的上部中。在具体示例中,朝着布线板凹进的凹陷形成在黑底1091c的上表面上,X电极1110c可被容纳于该凹陷中。该凹陷可形成在黑底1091c的中心部分中,因此,X电极1110c的宽度可小于黑底1091c。
然而,本公开不限于此,凹陷可形成在黑底1091c的任一个边缘处或者黑底1091c的两个边缘部分中。凹陷可形成在黑底1091c的两个边缘处,多个X电极1110c可被层叠在一个黑底1091c的线上。
由于X电极1110c被容纳于凹陷中,所以即使X电极1110c被设置在黑底1091c的上部中,即,即使X电极1110c的一个表面面朝外,在显示设备中外部光的反射也不明显。
在另一示例中,如图15D所示,触摸传感器1100的X电极1110d可被设置在黑底1091d上方,而未被黑底1091d覆盖。详细地讲,X电极1110d的宽度小于黑底1091d,并且X电极1110d在黑底1091d的上表面上形成线。在此结构中,X电极1110d可通过镀覆、沉积、印刷等形成在黑底1091d的上表面上。
在另一示例中,X电极1110d可形成在间隔物1120d的下表面上。即,X电极1110d被形成在间隔物1120d的下表面上以形成电极膜,该电极膜可覆盖显示单元的上表面。在这种情况下,作为X电极的电极膜的间隔物1120d与包括Y电极1130的电极1140层叠。为此,如所示,黑底1091d被形成为具有在显示设备的厚度方向上低于荧光层的高度,并且X电极的电极膜可被形成为将X电极1110d容纳于由于该高度差而形成的空间中。
上述显示设备的结构也可应用于垂直半导体发光器件。以下,将参照图16和图17描述垂直结构。图16是示出使用根据本公开的另一示例性实施方式的半导体发光器件的显示设备的立体图,图17是沿着图16的线C-C截取的横截面图。
参照附图,显示设备可以是使用无源矩阵(PM)型垂直半导体发光器件的显示设备。
显示设备1600可包括通过发射R、G和B光来形成画面信息的显示单元1600a以及感测对显示设备1600施加的触摸输入的触摸传感器1700。以下,在以下所描述的示例性实施方式或修改示例中,与前面的示例中的那些组件相同或相似的组件被给予相同或相似的标号,将省略其冗余描述。
显示设备1600包括板1610、导电粘合层1630和多个半导体发光器件1650。以下,本示例性实施方式中与图7至图9所示的示例性实施方式的组件相同或相似的组件的描述将用作本示例性实施方式的描述,将仅主要描述不同的部分。
板1610是布线板,可以是柔性聚酰亚胺(PI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)和聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)板中的任一个。另外,如先前的示例性实施方式中一样,第一电极1620形成在板1610上。导电粘合层1630形成在第一电极1620所在的平面上。导电粘合层1630可以是各向异性导电膜(ACF)、各向异性导电糊剂或者包含例如导电颗粒的溶液。以下,将描述导电粘合层1630由各向异性导电膜形成的情况。
半导体发光器件1650可具有垂直结构并且与导电粘合层1630组合。多个第二电极1640可在与第一电极1620的长度方向交叉的方向上被设置在垂直半导体发光器件1650之间,并且被设置为电连接至半导体发光器件1650。在这种情况下,第二电极1640被设置在导电粘合层1630上。
例如,第一电极1620和第二电极1640被设置在相互交叉的方向上,并且如先前的示例性实施方式中一样,第一电极1620可以是垂直电极,第二电极1640可以是水平电极。
如所示,多个半导体发光器件1650沿着多条电极线1621构成半导体发光器件阵列。另外,荧光粉可沿着多条电极线中的每一条层叠。因此,在第一电极1620中,一条电极线可以是控制颜色的电极。因此,红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)荧光粉可沿着第二电极1640按顺序设置,因此,可实现单元像素。
多个半导体发光器件1650与导电粘合层1630组合,从而沿着多条电极线中的至少一条形成多行。
如所示,多个半导体发光器件1650可在与设置在第一电极1620中的多条电极线平行的方向上形成多行。然而,本公开不限于此。
另外,显示单元1600a还可包括形成在多个半导体发光器件1650的一个表面上的荧光层1680。例如,半导体发光器件1650可以是发射蓝色(B)光的蓝色半导体发光器件,荧光层1680用于将蓝色(B)光转换为单元像素的颜色。荧光层1680可以是构成各个像素的红色荧光粉1681或绿色荧光粉1682。即,在形成红色单元像素的位置中,能够将蓝色光转换为红色(R)光的红色荧光粉1681可被层叠在蓝色半导体发光器件1650上,并且在形成绿色单元像素的位置中,能够将蓝色光转换为绿色(G)光的绿色荧光粉1682可被层叠在蓝色半导体发光器件1650上。并且,在形成蓝色单元像素的部分中,可仅单独地使用蓝色半导体发光器件1650。在这种情况下,红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)单元像素可分别构成单个像素。详细地讲,一种颜色的荧光粉可沿着第一电极1620的各行层叠。因此,第一电极1620的一行可以是控制一种颜色的电极。然而,本公开不限于此,代替荧光粉,半导体发光器件1650和量子点(QD)可组合以形成发射红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)的单元像素。
此外,为了增加荧光层1680的对比度,显示单元1600a还可包括设置在荧光粉之间的黑底1691。黑底1691可吸收外部光的反射并且增加对比度。黑底1691在荧光层1680层叠的方向上沿着第一电极1620设置在荧光层1680之间。
与包括如上所述的配置的显示单元1600a协作地操作的触摸传感器1700包括X电极1710、层叠在显示单元上的Y电极1730以及将X电极1710和Y电极1730分离的间隔物1720。X电极1710和Y电极1730被布置在彼此交叉的方向上,并且从电源单元(未示出)接收电荷。因此,在X电极1710与Y电极1730之间形成电位差的状态下,当利用导体(例如,用户的手指等)触摸显示设备1600时,在X电极1710和Y电极1730中充入的电荷的量分别改变。基于电荷的量的改变,控制器(未示出)可计算X轴和Y轴的位置,并且可通过计算值指定所触摸的输入点。此外,在本公开中,X电极和Y电极是相对概念,而非具有术语的一般含义。因此,X电极未必与X轴方向相同,Y电极未必与Y轴方向相同。即,当X电极和Y电极中的任一个在X轴方向时,另一个可在Y轴方向。
将详细描述显示设备1600中的触摸传感器1700的X电极1710和Y电极1730的位置。如所示,触摸传感器1700的X电极1710被设置在显示单元1700a中沿着第一电极1610形成多行的半导体发光器件1650之间。详细地讲,如图17所示,X电极1710可被设置在导电粘合层1630上所述多行之间。
X电极1710包括多条电极线,X电极1710的多条电极线被设置为在形成多行的半导体发光器件1650之间在水平方向上分离。因此,在使用垂直半导体发光器件的显示设备中,X电极1710可被设置在黑底1691的位置中(荧光层之间或者半导体发光器件之间)。在X电极1710被设置在黑底1691的位置中的情况下,X电极1710可被形成为被黑底1691覆盖或者可覆盖黑底1691。
这样,由于电极1710和黑底1691交叠,所以在使用垂直半导体发光器件的显示设备中黑底1691和X电极1710可被一起设置在荧光层之间。
另外,触摸传感器1700的X电极1710可被设置在显示单元1600a内部,而触摸传感器1700的Y电极1730可被设置在显示单元1600a外部。在本示例性实施方式中,作为触摸传感器1700的X电极1710和Y电极1730、电极膜1740和间隔物1720的位置、形状、功能和结构,应用采用上面参照图12A和图12B描述的倒装芯片型发光器件的显示设备的X电极1110和Y电极1130、电极膜1140和间隔物1120的那些,并且其描述将利用先前的示例性实施方式的描述来代替。
如上所述,在根据本公开的示例性实施方式的显示设备1600中,通过将形成触摸传感器1700的X电极1710和Y电极1720中的任一个设置在显示单元1600a中,触摸传感器1700在Z轴方向上的厚度可减小。
此外,如上所述的黑底1691可由具有不同于X电极1710的电阻值并且包括黑色材料的材料形成。另外,黑色材料1691可由具有导电性的材料形成。因此,在黑底1691具有与触摸传感器1700的一个电极不同的电阻值的情况下,如图16和图17所示,X电极1710和黑底1691可在对应位置处层叠。
例如,当黑底1691由包括黑色材料并且具有适合于待形成的触摸传感器1700的X电极1710的电阻值的材料形成时,如图13A和图13B所示,触摸传感器1700的X电极1710和黑底1691可形成为单层。这样,触摸传感器的一个电极可用作电极和黑底二者。因此,在这种情况下,黑底可以是显示单元的组件和触摸传感器的组件二者。
以下,将参照附图详细描述设置在显示单元中的触摸传感器的结构的另一示例。图18是示出使用根据本公开的另一示例性实施方式的半导体发光器件的显示设备的立体图,图19A和图19B是沿着图18的线B-B和C-C截取的横截面图。
如图18、图19A和图19B所示,使用无源矩阵(PM)型半导体发光器件的显示设备1000被示出作为使用半导体发光器件的显示设备1800。然而,以下描述的本公开也可应用于有源矩阵(AM)型半导体发光器件。
显示设备1800可包括通过发射R、G和B光来形成画面信息的显示单元1800a以及感测对显示设备1800施加的触摸输入的触摸传感器1900。以下,在以下所描述的示例性实施方式或修改示例中,与前面的示例中的那些组件相同或相似的组件被给予相同或相似的标号,将省略其冗余描述。
显示单元1800a包括板1810、第一电极1820、导电粘合层1830、第二电极1840以及多个半导体发光器件1850。这里,第一电极1820和第二电极1840可分别包括多条电极线。
板1810可以是设置有包括在第一电极1820中的多条电极线的布线板,因此,第一电极1820可位于板1810上。另外,第二电极1840被设置在板1810上。例如,板1810可以是包括多个层的布线板,第一电极1820和第二电极1840可形成在所述多个层中的每一个上。在这种情况下,布线板可以是上面参照图3A和图3B描述的显示设备的板110和绝缘层160由具有绝缘性质和柔性的材料(例如,聚酰亚胺(PI)、PET、PEN等)一体地形成的板。
如所示,第一电极1820和第二电极1830电连接至多个半导体发光器件1850。在这种情况下,第一电极1820可通过被设置成与第二电极1830共面的辅助电极1870为媒介连接至多个半导体发光器件1850。第一电极1820和第二电极1840可通过设置在板1810的一个表面上的导电粘合层1830电连接至多个半导体发光器件1850。
导电粘合层1830可以是具有粘附力和导电性的层,为此,导电粘合层1830可由具有导电性的材料和具有粘附力的材料的混合物形成。另外,导电粘合层1830可具有延展性以使得显示设备能够具有柔性功能。在辅助电极1870和第二电极1840被设置的状态下,形成导电粘合层1830,随后,当半导体发光器件1850通过对其施加热和压力以倒装芯片方式连接时,半导体发光器件1850电连接至第一电极1820和第二电极1840。
这样,多个半导体发光器件1850联接至导电粘合层1830,从而沿着多条电极线中的至少一条形成多行。如所示,多个半导体发光器件1850可在与设置在第一电极1820中的多条电极线平行的方向上形成多行。然而,本公开不限于此,例如,多个半导体发光器件1850可沿着第二电极1840形成多行。
另外,显示单元1800a还可包括形成在多个半导体发光器件1850的一个表面上的荧光层1880。例如,半导体发光器件1850可以是发射蓝色(B)光的蓝色半导体发光器件,荧光层1880用于将蓝色(B)光转换为单元像素的颜色。荧光层1880可以是构成各个像素的红色荧光粉1881或绿色荧光粉1882。即,在形成红色单元像素的位置中,能够将蓝色光转换为红色(R)光的红色荧光粉1881可被层叠在蓝色半导体发光器件1850上,在形成绿色单元像素的位置中,能够将蓝色光转换为绿色(G)光的绿色荧光粉1882可被层叠在蓝色半导体发光器件1850上。并且,在形成蓝色单元像素的部分中,可仅单独地使用蓝色半导体发光器件1850。在这种情况下,红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)单元像素可分别构成单个像素。详细地讲,一种颜色的荧光粉可沿着第一电极1820的各行层叠。因此,第一电极1820的一行可以是控制一种颜色的电极。即,红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)荧光粉可沿着第二电极1840按顺序设置,从而形成单元像素。然而,本公开不限于此,代替荧光粉,半导体发光器件1850和量子点(QD)可组合以形成发射红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)的单元像素。
此外,为了增加荧光层1880的对比度,显示单元1800a还可包括设置在荧光粉之间的黑底1891。黑底1891可吸收外部光的反射并且增加对比度。黑底1891在荧光层1880层叠的方向上沿着第一电极1820设置在荧光层1880之间。
根据本公开的示例性实施方式,第一电极1820和第二电极1840中的任一个可以是触摸传感器1900的X电极或Y电极。例如,触摸传感器1900可使用显示单元1800a的第一电极1820和第二电极1840中的任一个作为X电极。以下,在本示例性实施方式中,第一电极1820和第二电极1840中的任一个用作X电极,但是第一电极1820和第二电极1840中的任一个可变为Y电极。
触摸传感器1900包括层叠在显示单元上的Y电极1930和间隔物1920。因此,Y电极1930可在与第一电极1820和第二电极1840中的任一个交叉的方向上排列。如所示,在第一电极1820和第二电极1840当中,第一电极1820用作触摸传感器1900的X电极。
因此,触摸传感器1900可基于第一电极1820和第二电极1840当中的任一个(即,第一电极)与Y电极1930之间的电荷量的变化来感测触摸输入。
显示设备1800的控制器(未示出)通过由第一电极1820和第二电极1840形成的第一信号传输线路来控制半导体发光器件1850,并且通过由第一电极1820和Y电极1930形成的第二信号传输线路来处理所感测的触摸输入。即,可通过在第一电极1820与第二电极1840之间生成第一电位差来生成半导体发光器件1850的驱动信号,并且可由于通过由第一电极1820和Y电极1930形成的第二信号传输线路形成的第二电位差的变化而生成触摸传感器1900对触摸输入的感测。然而,本公开不限于此,第二信号传输线路可以是通过将第二电极1840和Y电极1930组合而形成的信号传输线路。
这样,在本示例性实施方式中,通过将触摸传感器1900的一个电极设置在显示单元1800a内部,触摸传感器1900的厚度可减小。另外,触摸传感器1900的Y电极1930可被设置在显示单元1800a外部。如所示,Y电极1930被设置为在显示单元1800a外部与多个半导体发光器件1850交叠,并且与第一电极1820组合以感测触摸输入。
Y电极1930可形成在由透光材料形成的电极膜1940上,以允许从多个半导体发光器件1850发射的光透射穿过。如所示,Y电极1930可从电极膜1940的一个表面突出,并且可形成在电极膜1940内部。在Y电极1930形成在电极膜1940内部的情况下,电极膜1940可形成为多个层。
触摸传感器1900的间隔物1920可形成为透光构件以允许从多个半导体发光器件1850发射的光透射穿过。间隔物1920被设置在电极膜1940与多个半导体发光器件1850之间。类似于图12A和图12B所示的间隔物或者类似于图14A所示的间隔物,间隔物1920可以是例如光学透明粘合剂(OCA)(或者光学透明粘合膜)、非反射膜(或低反射膜)、透明树脂等。另外,间隔物1920可具有至少一对OCA、非反射膜(或低反射膜)和透明树脂层叠的结构。间隔物1920的描述将利用图12A和图12B所示的间隔物的描述或者图14A所示的间隔物的描述来代替。
此外,控制器可适当地处理信号,使得尽管半导体发光器件1850和触摸传感器1900共享第一电极1820和第二电极1840中的任一个,用于驱动半导体发光器件1850的驱动信号与施加于触摸传感器1900的触摸输入的电荷量的变化彼此不影响。
例如,将与图20一起描述触摸传感器1900的Y电极1900与显示单元1800a的第二电极1820形成第二信号传输线路的情况。这里,第一电极1820可以是数据电极,第二电极1840可以是扫描电极。另外,Vd对应于对第一电极1820施加的电压,Vs1、Vs2、Vs3、…、Vn分别对应于对包括在第二电极1840中的多条电极线施加的电压。设置在显示单元1800a中的半导体发光器件基于Vd与Vs1以及Vd与Vs2、Vs3、…、Vn之间形成的电位差而导通。
例如,在电压△V被施加到Vd和Vs1二者的情况下,由于Vd和Vs1之间没有电位差,所以电连接至与Vd和Vs1对应的电极的半导体发光器件不导通。当Vd和Vs1具有电位差时(如区段“a”中),由于Vd和Vs1之间形成电位差,所以电连接至与Vd和Vs1对应的电极的半导体发光器件导通。因此,如所示,在区段“a”中,电连接至与Vd和Vs1对应的电极的半导体发光器件发射光,在区段“b”中,电连接至与Vd和Vs2对应的电极的半导体发光器件发射光,在区段“c”中,电连接至与Vd和Vs3对应的电极的半导体发光器件发射光,在区段“d”中,电连接至与Vd和Vsn对应的电极的半导体发光器件发射光。
此外,为了不受Vd与Vs1、Vs2、Vs3、…、Vn之间形成的电位差影响,触摸传感器1900可被设计为不对介于0至△V(Vd与Vs1、Vs2、Vs3、…、Vn之间要形成的参考电位)之间的电位差变化作出反应。即,触摸传感器1900可被设计为当感测到高于△V的电位时识别触摸输入。为此,高于△V的大小的电压可被施加于Y电极,并且Vd与Vs1、Vs2、Vs3、…、Vn之间形成的电位差的影响可在检测触摸输入时作为噪声被处理。
因此,显示设备1800可被设计为使得与半导体发光器件1850的驱动有关的第一电极1820与第二电极1840之间的第一电位差低于第二电极1840与Y电极之间形成的用于感测触摸输入的第二电位差。因此,第一电位差的生成对第二电位差的影响(例如,第二电位差由于第一电位差而增大或减小)可在检测触摸输入时作为噪声被处理。
这里,施加于第一电极1820和第二电极1840的电压的大小可低于施加于Y电极1930的电压的大小。
作为另一示例,将描述适当地处理信号,使得即使半导体发光器件1850和触摸传感器1900共享第一电极1820和第二电极1840中的任一个,用于驱动半导体发光器件1850的驱动信号与施加于触摸传感器1900的触摸输入的电荷量的变化也彼此不影响的方法。
这里,Vd对应于对第一电极1820施加的电压,Vs1、Vs2、Vs3、…、Vn分别对应于对包括在第二电极1840中的多条电极线施加的电压。设置在显示单元1800a中的半导体发光器件基于Vd与Vs1以及Vd与Vs2、Vs3、…、Vn之间形成的电位差而导通。例如,在具有预定大小的电压被施加于Vd的状态下,当负电压被施加于Vs1、Vs2、Vs3、…、Vn中的任一个以允许所述任一个具有△V的电位时,电连接至Vd和Vs1、Vs2、Vs3、…、Vn中的所述任一个的半导体发光器件可导通。在这种情况下,由于在没有电压被施加于Vs1、Vs2、Vs3、…、Vn的状态下(在施加电压0V的状态下)施加负电压,所以可生成△V。
因此,在电压△V被施加于Vs1的区段“a”中,电连接至与Vd和Vs1对应的电极的半导体发光器件发射光,在区段“b”中,电连接至与Vd和Vs2对应的电极的半导体发光器件发射光,在区段“c”中,电连接至与Vd和Vs3对应的电极的半导体发光器件发射光,在区段“d”中,电连接至与Vd和Vsn对应的电极的半导体发光器件发射光。
此外,为了不受在电压被施加于第二电极1840(即,Vs1、Vs2、Vs3、…、Vn)时与Vd形成的电位差的影响,触摸传感器1900可被设计为使得Y电极的电位改变为与Vs1、Vs2、Vs3、…、Vn电极的电位相同。即,在触摸传感器1900中,当第二电极1840的电位改变时Y电极1930的电位可改变,使得维持Vs1、Vs2、Vs3、…、Vn与Y电极1930之间的电位差。例如,如所示,第二电极1840(即,Vs1、Vs2、Vs3、…、Vn)和Y电极的电位的变化分别以脉冲的形式生成,并且脉冲生成的时间点以及脉冲的大小可在触摸传感器和显示单元中按照相同的方式生成。因此,第二电极1840和Y电极1930的电位可在相同的时间按照相同的大小生成。
如上所述,根据本公开的示例性实施方式,通过使用显示单元的第一电极和第二电极中的任一个作为触摸传感器的电极,触摸传感器的厚度可减小。
到目前为止,已描述了显示单元1800a包括发射蓝色(B)光的蓝色半导体发光器件的情况,但是本公开不限于此,可应用实现蓝色、红色和绿色的任何其它结构。图22A、图22B和图22C是示出与应用了本发明的倒装芯片型半导体发光器件有关的实现颜色的各种配置以及用于实现触摸传感器的各种类型的层叠结构的概念图。
图22A、图22B和图22C所示的显示单元1800a的配置的描述将利用图5A、图5B和图5B的描述来代替。如所示,在显示设备1800中,包括发射蓝色(B)光的蓝色半导体发光器件以及其它半导体发光器件的显示单元1800a的第一电极1820和第二电极1840中的任一个可用作触摸传感器1900的电极。在显示设备1800中,触摸传感器1900包括Y电极1930和间隔物1920,间隔物1920可层叠在显示单元1800a或荧光层上。因此,触摸传感器1900可基于第一电极1820和第二电极1840中的任一个与Y电极1930之间的电荷量的变化来感测触摸输入。
此外,在根据本公开的示例性实施方式的显示设备中,通过使用显示单元的第一电极和第二电极中的任一个作为触摸传感器的X电极并且通过将Y电极设置在形成多行的半导体发光器件之间,触摸传感器的X电极和Y电极二者可被设置在显示单元中。
图23是示出触摸传感器的电极被设置在图18的显示设备的显示单元上的结构的横截面图。如所示,显示单元1800a包括电连接至多个半导体发光器件1850并且在相互交叉的方向上排列的第一电极1820和第二电极1840,第一电极1820和第二电极1840中的任一个可被形成为相对于Y电极1930具有电位差,使得第一电极1820和第二电极1840中的所述任一个成为触摸传感器1900的X电极。Y电极1930被设置在被布置成形成多行的多个半导体发光器件1850之间,并且与第一电极1820和第二电极1840中的任一个组合以感测触摸输入。
在设置有黑底1891的位置中,Y电极1930可被层叠在黑底1891上。Y电极1930可被层叠为与导电粘合层1830接触,并且可被黑底1891覆盖。此外,触摸传感器1900和黑底1891的电极结构可不同地组合,其详细描述将利用图15A、图15B、图15C和图15D的描述来代替。另外,当触摸传感器1900的X电极和Y电极1930二者被设置在显示单元1800a中时,X电极和Y电极1930可通过显示单元1800a的导电粘合层1830和绝缘层1860中的至少任一个间隔开。
由于第一电极1820和第二电极1840中的任一个成为触摸传感器1900的X电极,所以触摸传感器1900的Y电极1930与第一电极1820和第二电极1840中的任一个形成第二信号传输线路以用于感测触摸。在这种情况下,可采用上面参照图20和图21描述的信号处理方案来执行信号处理,其详细描述将利用图20和图21的描述来代替。
因此,在这种情况下,用于形成触摸传感器的所有组件可被设置在显示单元1800a上,因此,显示设备在Z轴方向上的厚度可显著减小。
以下,将参照附图详细描述设置在显示单元中的触摸传感器的结构的另一示例。图24是示出使用根据本公开的另一示例性实施方式的半导体发光器件的显示设备的立体图,图25是沿着图16的线C-C截取的横截面图,图26是示出触摸传感器的电极被设置在图24的显示设备的显示单元上的结构的横截面图。
参照图24和图25,使用无源矩阵(PM)型垂直半导体发光器件的显示设备被示出作为使用半导体发光器件的显示设备2400。然而,以下描述的本公开也可应用于有源矩阵(AM)型半导体发光器件。
图24和图25所示的显示单元1800a的配置和结构的描述将利用如上所述的图16和图17的描述来代替。
如所示,即使当无源矩阵(PM)型垂直半导体发光器件用在显示设备2400中时,包括在显示设备2400中的第一电极2420和第二电极2440中的任一个可用作触摸传感器2500的X电极。触摸传感器2500包括层叠在显示单元2400a上的Y电极2530和间隔物2520。因此,Y电极2530可在与第一电极2420和第二电极2440中的任一个交叉的方向上排列。如所示,在第一电极2420和第二电极2440当中,第一电极2420用作触摸传感器2500的X电极。
因此,触摸传感器2500可基于第一电极2420和第二电极2440中的任一个与Y电极2530之间的电荷量的变化来感测触摸输入。在显示单元2400a的任一个电极用作触摸传感器2500的电极的情况下显示单元2400a和触摸传感器2500的信号处理和控制的描述将利用如上所述的图18、图19A、图19b、图21和图22来代替。
此外,在根据本公开的示例性实施方式的显示设备中,如图26所示,通过使用显示单元的第一电极和第二电极中的任一个作为触摸传感器的X电极并且将触摸传感器的Y电极设置在形成多行的垂直半导体发光器件之间,触摸传感器的X电极和Y电极二者可被设置在显示单元中。
图26是示出触摸传感器的电极被设置在上面参照图24描述的显示设备的显示单元上的结构的横截面图。如所示,显示单元2400a包括电连接至多个半导体发光器件2450并且在相互交叉的方向上排列的第一电极2420和第二电极2440,第一电极2420和第二电极2440中的任一个可被形成为相对于Y电极2530具有电位差,使得第一电极2420和第二电极2440中的任一个成为触摸传感器2500的X电极。Y电极2530被设置在被布置为形成多行的多个半导体发光器件2450之间并且与第一电极2420和第二电极2440中的任一个组合以感测触摸输入。在设置有黑底2491的位置中,Y电极2530可被层叠在黑底2491上。此外,触摸传感器2500和黑底2491的电极结构可被不同地组合,其详细描述将利用图15A、图15B、图15C和图15D的描述来代替。另外,在这种情况下,可采用上面参照图20和图21描述的信号处理方案来执行信号处理和控制以感测触摸,其详细描述将利用图20和图21的描述来代替。
另外,当触摸传感器2500的X电极和Y电极2530二者被设置在显示单元2400a中时,X电极和Y电极2530可通过显示单元2400a的导电粘合层2430和绝缘层2460中的至少任一个间隔开。因此,在这种情况下,由于用于形成触摸传感器的所有组件可被设置在显示单元2400a上,所以显示设备在Z轴方向上的厚度可显著减小。
另外,由于触摸传感器的X电极和Y电极没有形成在诸如ITO膜的电极膜上,所以当柔性显示设备弯曲时可防止或减轻对触摸传感器中的电极膜的损坏。
上述使用半导体发光器件的显示设备不限于上述示例性实施方式的配置和方法,而是实施方式的整体或一部分可被选择性地组合以被配置成各种修改形式。
上述示例性实施方式和优点仅是示例性的,不应被解释为限制本公开。本教导可被容易地应用于其它类型的设备。本说明书旨在为示意性的,而非限制权利要求的范围。对于本领域技术人员而言许多另选形式、修改形式和变化形式将是显而易见的。本文所描述的示例性实施方式的特征、结构、方法和其它特性可按照各种方式组合以获得附加和/或另选的示例性实施方式。
由于本发明特征可在不脱离其特性的情况下按照多种形式来具体实现,还应该理解的是,除非另外指明,否则上述示例性实施方式不由以上描述的任何细节限制,而是相反应该在如所附权利要求书中所限定的范围内广义地理解,因此,落入权利要求的范围或其等同范围内的所有改变和修改因此旨在被所附权利要求书涵盖。

Claims (20)

1.一种显示设备,该显示设备包括电容式触摸传感器单元以及基于通过所述电容式触摸传感器单元感测的触摸输入来被控制的显示单元,
其中,所述显示单元包括:
板;
第一电极和第二电极;
导电粘合层;以及
被布置为形成多行的多个半导体发光器件,其中,所述多个半导体发光器件电连接至所述第一电极和所述第二电极,
其中,所述第一电极包括多条第一电极线,所述多条第一电极线在所述板上并且通过所述导电粘合层电连接至所述多个半导体发光器件,
其中,所述第二电极包括多条第二电极线,所述多条第二电极线在所述板上,电连接至所述多个半导体发光器件,在与所述多条第一电极线交叉的方向上排列,并且被设置为平行于所述电容式触摸传感器单元的X电极,并且
其中,所述电容式触摸传感器单元包括:
所述X电极,所述X电极被设置在所述显示单元中的所述多个半导体发光器件的所述多行之间;以及
Y电极,所述Y电极被层叠在所述显示单元上并且利用在所述X电极与所述Y电极之间的间隔物与所述X电极分离,其中,所述X电极和所述Y电极沿彼此交叉的方向布置。
2.根据权利要求1所述的显示设备,该显示设备还包括:
黑底,该黑底被设置为覆盖所述多个半导体发光器件之间的所述X电极。
3.根据权利要求2所述的显示设备,其中,荧光层被形成在所述多个半导体发光器件的一个表面上,并且所述黑底和所述X电极分别被设置在所述荧光层之间。
4.根据权利要求2所述的显示设备,其中,所述X电极被设置在所述导电粘合层与所述黑底之间。
5.根据权利要求2所述的显示设备,其中,所述X电极和所述黑底分别由具有不同电阻值的材料形成。
6.根据权利要求1所述的显示设备,其中,所述X电极被形成为黑色,以减轻设置在所述显示单元中的荧光层之间的反射。
7.根据权利要求6所述的显示设备,其中,所述X电极被形成为所述荧光层之间的单层。
8.根据权利要求1所述的显示设备,其中,
所述X电极被设置在所述显示单元内部,
所述Y电极被形成在由允许从所述多个半导体发光器件发射的光透射穿过的透光材料形成的电极膜上,并且
所述电极膜被设置为在所述显示单元外部与所述多个半导体发光器件交叠。
9.根据权利要求8所述的显示设备,其中,透光构件被设置在所述电极膜与所述多个半导体发光器件之间以将所述X电极和所述Y电极隔开并且允许来自所述半导体发光器件的光透射穿过。
10.根据权利要求1所述的显示设备,其中,所述多条第一电极线和所述多条第二电极线被形成在由所述导电粘合层覆盖的所述板上。
11.根据权利要求1所述的显示设备,其中,
所述显示单元包括电连接至所述多个半导体发光器件并且在相互交叉的方向上排列的垂直电极和水平电极,并且
所述垂直电极和所述水平电极中的任一个相对于所述X电极具有电位差,使得所述垂直电极和所述水平电极中的所述任一个成为所述电容式触摸传感器单元的Y电极。
12.根据权利要求11所述的显示设备,其中,所述电容式触摸传感器单元通过所述垂直电极和所述水平电极中的任一个与所述X电极之间形成的信号传输线路来感测触摸输入。
13.一种显示设备,该显示设备包括:
第一电极和第二电极;
导电粘合层,该导电粘合层电连接至所述第一电极和所述第二电极中的至少一个;
半导体发光器件,该半导体发光器件电连接至所述第一电极和所述第二电极;
第三电极,该第三电极被配置为与所述第一电极和所述第二电极中的任一个形成电位差以感测触摸输入;以及
控制器,该控制器被配置为通过由所述第一电极和所述第二电极形成的第一信号传输线路来控制所述半导体发光器件,并且对通过由所述第一电极和所述第二电极中的任一个与所述第三电极形成的第二信号传输线路感测的触摸输入进行处理。
14.根据权利要求13所述的显示设备,其中,所述半导体发光器件的驱动信号由于所述第一电极和所述第二电极之间形成的第一电位差而生成,并且
所述第一电极和所述第二电极中的所述任一个与所述第三电极之间形成的用于感测触摸输入的第二电位差大于所述第一电位差。
15.根据权利要求14所述的显示设备,其中,在感测所述触摸输入时所生成的第一电位差对所述第二电位差的影响作为噪声被处理。
16.根据权利要求13所述的显示设备,其中,施加于所述第一电极和所述第二电极中的任一个电极和另一个电极的电压的大小小于施加于所述第三电极的电压的大小。
17.根据权利要求13所述的显示设备,其中,所述半导体发光器件基于随着所述第一电极和所述第二电极中的任一个的电位改变而形成的所述第一电极和所述第二电极之间的电位差而导通,并且
所述第三电极的电位响应于所述第一电极和所述第二电极中的任一个的电位的改变而改变,以维持用于感测触摸输入的所述电位差。
18.根据权利要求17所述的显示设备,其中,所述第一电极和所述第二电极中的任一个的电位的改变与所述第三电极的电位的改变分别以脉冲的形式生成,并且所述电位在相同的时间点按照相同的大小改变。
19.根据权利要求13所述的显示设备,其中,所述第三电极形成在由允许从所述半导体发光器件发射的光透射穿过的透光材料形成的电极膜上,并且所述电极膜被设置为与所述半导体发光器件交叠。
20.根据权利要求13所述的显示设备,其中,所述第三电极被设置在被布置为形成多行的多个半导体发光器件之间,并且与所述第一电极和所述第二电极中的任一个组合以感测触摸输入。
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Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI591525B (zh) * 2015-04-27 2017-07-11 瑞鼎科技股份有限公司 內嵌式觸控面板
US10168844B2 (en) 2015-06-26 2019-01-01 Samsung Display Co., Ltd. Flexible display device
KR102377794B1 (ko) * 2015-07-06 2022-03-23 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조방법
CN105718105B (zh) * 2015-12-25 2018-12-11 业成科技(成都)有限公司 有机发光二极管触控显示面板
CN105573555B (zh) * 2016-01-28 2018-06-29 京东方科技集团股份有限公司 一种压力触控结构、触控显示面板、显示装置
KR102263041B1 (ko) 2016-02-26 2021-06-09 삼성전자주식회사 멀티 컬러를 구현할 수 있는 발광 소자
US10467952B2 (en) * 2016-10-12 2019-11-05 Shaoher Pan Integrated light-emitting diode arrays for displays
US11011555B2 (en) 2016-10-12 2021-05-18 Shaoher Pan Fabricating integrated light-emitting pixel arrays for displays
KR102650341B1 (ko) * 2016-11-25 2024-03-22 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조방법
US10445048B2 (en) 2016-12-30 2019-10-15 Shaoher Pan Larger displays formed by multiple integrated LED array micro-displays
KR102325171B1 (ko) * 2017-03-20 2021-11-10 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
US11355549B2 (en) 2017-12-29 2022-06-07 Lumileds Llc High density interconnect for segmented LEDs
US10437402B1 (en) 2018-03-27 2019-10-08 Shaoher Pan Integrated light-emitting pixel arrays based devices by bonding
US10325894B1 (en) 2018-04-17 2019-06-18 Shaoher Pan Integrated multi-color light-emitting pixel arrays based devices by bonding
US11928989B2 (en) * 2018-09-27 2024-03-12 Sharp Kabushiki Kaisha Rollable display device
JP7281940B2 (ja) * 2019-03-28 2023-05-26 株式会社ジャパンディスプレイ 検出装置付き表示機器
KR20210043236A (ko) * 2019-10-11 2021-04-21 삼성전자주식회사 디스플레이 모듈 및 이의 제조 방법
US11011669B2 (en) 2019-10-14 2021-05-18 Shaoher Pan Integrated active-matrix light emitting pixel arrays based devices
US10847083B1 (en) 2019-10-14 2020-11-24 Shaoher Pan Integrated active-matrix light emitting pixel arrays based devices by laser-assisted bonding
US11901497B2 (en) * 2019-12-24 2024-02-13 Seoul Viosys Co., Ltd. Method of repairing light emitting device, apparatus for repairing light emitting device, and display panel having repaired light emitting device
JP2021193425A (ja) * 2020-06-08 2021-12-23 株式会社ニッコー タクシーの表示灯
CN111833749B (zh) * 2020-07-13 2022-11-15 Oppo广东移动通信有限公司 柔性显示装置以及电子设备
CN112701206B (zh) * 2021-03-23 2021-07-06 北京芯海视界三维科技有限公司 发光器件及其设置功能件的方法、显示装置
TWI800850B (zh) * 2021-06-18 2023-05-01 友達光電股份有限公司 顯示裝置及其製造方法
CN113948620A (zh) * 2021-09-23 2022-01-18 佛山市国星半导体技术有限公司 一种集成式微型led芯片及其制作方法
DE102022116013A1 (de) * 2022-06-28 2023-12-28 Ams-Osram International Gmbh Optoelektronische anordnung und verfahren zum betrieb einer optoelektronischen anordnung
CN114899286B (zh) * 2022-07-12 2022-10-25 诺视科技(苏州)有限公司 一种像素级分立器件及其制作方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1421894A (zh) * 2001-11-30 2003-06-04 佳能株式会社 图像显示装置
CN101626017A (zh) * 2008-07-11 2010-01-13 三星移动显示器株式会社 有机发光显示装置

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006011523A (ja) 2004-06-22 2006-01-12 Three M Innovative Properties Co タッチパネルセンサー
TWI294192B (en) * 2006-04-06 2008-03-01 Au Optronics Corp Method for manufacturing an organic light-emitting display (oled) with black matrix
KR101182233B1 (ko) * 2010-06-11 2012-09-12 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
US8724038B2 (en) * 2010-10-18 2014-05-13 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Wraparound assembly for combination touch, handwriting and fingerprint sensor
US9529479B2 (en) * 2011-10-14 2016-12-27 Hung-Ta LIU Touch sensing method, module, and display
CN104246913B (zh) * 2012-04-18 2016-08-24 Lg化学株式会社 导电结构及其制备方法
EP2913937B1 (en) * 2012-10-29 2017-08-23 Slim HMI Technology Data transmission system

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1421894A (zh) * 2001-11-30 2003-06-04 佳能株式会社 图像显示装置
CN101626017A (zh) * 2008-07-11 2010-01-13 三星移动显示器株式会社 有机发光显示装置

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