CN105466463A - 传感器芯片 - Google Patents

Abstract

一种传感器芯片，包括：具有前侧(11)和背侧(12)的基板(1)，以及所述基板(1)中的从其背侧(12)穿透到其前侧(11)的开口(13)。介电层和导电层的叠层(2)被布置在所述基板(1)的前侧(11)上，所述叠层(2)的一部分跨越所述基板(1)中的所述开口(13)。接触焊盘(32)被布置在所述基板(1)的前侧(11)处以用于电接触所述传感器芯片。感测元件(4)被布置在所述叠层(2)的跨越所述开口(13)的所述部分上，所述感测元件被布置在所述部分面向所述开口(13)的一侧上。

Description

传感器芯片

技术领域

本发明涉及传感器芯片以及用于制造传感器芯片的方法。

背景技术

受制于应用，传感器往往被集成在半导体基板上。这类制造在以下方面是有益的：与分立类传感器相比，传感器的大小可极大地降低，且这样的传感器可与集成在同一半导体基板上的电子电路系统布置在一起，这些电路系统可包括操作由传感器递送的信号的功能，如放大、评估，等等。

包括传感器的集成芯片在下文中被称为传感器芯片。在这样的传感器芯片中，传感器和可能的电子电路系统被布置在基板的前侧。电路系统可通过CMOS处理形成，且传感器的感测元件在前侧上的构建和/或布置可以用兼容CMOS处理的方式来实现。在这样的传感器芯片需要集成到处理系统时，传感器芯片通常将连接到驻留在不同电路板上的电路系统，诸如例如印刷电路板。用于将传感器芯片安装到这样的电路板的优选方式是称为倒装芯片安装的技术，其中传感器芯片被倒装，使得它的包含感测元件和电路系统的前侧面向电路板且电连接到电路板。电连接通常是在布置于传感器芯片的前侧的接触焊盘与布置于电路板上的接触焊盘之间实现的，并且其间有焊料。

然而，现在感测元件面向电路板，这出于各种原因不是优选的：在传感器应当检测在传感器的环境中的介质中的测量的量的情况下，这样的介质可能出于它面向电路板的布置的原因而不具有对感测元件的足够接入。另外，且甚至更差，在处理期间，并且尤其是在将传感器芯片安装/焊接到电路板时，例如，在施加焊接形成焊剂时，感测元件可被影响。

发明内容

本发明要解决的问题因而是提供一种传感器芯片，其中传感器元件在处理该传感器芯片期间较不暴露。

这一问题通过根据独立权利要求1的各特征的传感器芯片并通过用于制造根据独立权利要求13的各特征的传感器芯片的方法来解决。

传感器芯片包括具有前侧和背侧的基板。接触焊盘被布置在基板的前侧处以用于电接触传感器芯片。开口被提供在基板中，从其背侧穿透到其前侧。介电层和导电层的叠层被布置在基板的前侧上，叠层的一部分跨越基板中的开口。感测元件被布置在叠层的跨越开口的部分上，感测元件被布置在该部分面向开口的一侧上。

一种用于制造传感器芯片的方法，包括提供具有前侧和背侧的基板以及布置在基板的前侧上的介电层和导电层的叠层。在基板中从其背侧生成开口以暴露叠层的一部分。穿过开口将感测元件施加在叠层的所暴露的部分上。

传感器芯片现在可被安装到电路板，其前侧面向电路板，即布置电子电路系统(如果有的话)和接触芯片的那一侧。安装的这样的取向也被称为倒装芯片安装。然而，感测元件没有被布置在前侧，并且如此不面向电路板。因此，感测元件充分暴露到要被测量的介质。感测元件在安装期间不被暴露和危及也不将传感器芯片焊接到电路板上。相反，传感器元件被布置在由基板的开口以及叠层的由所述基板所暴露并跨越开口的那一部分来生成的腔中。因此，感测元件在安装以及将传感器芯片焊接到电路板期间被保护免于污染。

基板有利地是半导体基板，且优选地是硅基板。然而，基板也可被实现为陶瓷、玻璃、聚合物或群体介电基板。在一个示例中，基板的厚度在500μm和800μm之间，这是常见的晶片标准厚度。在另一实施例中，标准晶片可变薄且基板的厚度在200μm和400μm之间。

提供基板，且包括至少一个绝缘层和/或至少一个导电层(并且优选地包括一个或多个绝缘层和一个或多个导电层)的叠层被沉积在基板的称为前侧的一侧上。优选地，叠层是针对应用CMOS制造工艺所定义的CMOS层的叠层。在这样的CMOS处理中，导体和其他电路系统(且优选地是有源电子电路系统)被处理，尤其是被处理到基板中，例如通过掺杂。受制于传感器芯片的应用和功能范围，集成在传感器芯片中的电子电路系统可包含例如用于评估或放大来自感测元件的信号的评估或放大电路系统。优选地，电子电路系统被布置在基板的被保留用于开口的区域之外。

这一处理也可包括在叠层中定义并制造接触焊盘以用于将传感器芯片电连接到外部世界。接触焊盘可被从叠层的导电层处理，导电层可部分暴露以允许接触。在这一示例中，在叠层中制造的接触焊盘充当传感器芯片的接触焊盘。在不同的实施例中，叠层被包含称为重分布层的导电结构的绝缘层覆盖(具体地在它们之间没有布置任何层)，重分布层连接到叠层的接触焊盘并提供它自己的能从外部接入的接触焊盘。优选地，重分布层包括一个或多个绝缘层和导电层。在这一上下文中且一般适用的，在元件被布置在基板前侧处时，这样的布置应当涵盖这样的元件在基板的前侧上的沉积，但它还应当涵盖这样的元件在沉积于基板前侧上的其他层上的沉积，使得元件不一定接触基板本身。这样的元件仍然被布置在前侧处，因为它们没有布置在基板的背侧或横向侧。当然，对于背侧和任何其他位置而言，这同样成立。

优选地，用于与感测元件交互的电极被布置在叠层之上或之中，且具体地布置在叠层的跨越开口的部分处。叠层可包含各导电层，导电层中的一者或多者可被准备用于与感测元件交互。优选地，电极被形成在叠层的导电层中的一者或多者中，且可直接接触感测元件或可与感测元件无接触地交互，例如在电容测量中。优选地，叠层包括在叠层的跨越开口的部分中的面向开口的底部介电层。电极被布置在叠层的跨越开口的部分中的底部介电层之中或之上。

以与电极的构建相当的方式，用于加热感测元件的加热结构可被构建在叠层之中或之上。在感测元件包括金属氧化物的情况下，例如，它可被应用以实现气体传感器，可能需要加热感测元件以在提升的温度处操作感测元件。在另一实施例中，在感测元件是温度传感器或湿度传感器的情况下，可能需要加热来唤起除环境温度之外的第二温度测量点，例如用于测试目的。优选地，加热结构被形成在叠层的导电层中的一者或多者之中。优选地，叠层包括在叠层的跨越开口的部分中的面向开口的底部介电层。加热结构被布置在叠层的跨越开口的部分中的底部介电层之中或之上。优选地，加热结构被制造在与电极相同的层中，且优选地通过相同的制造步骤来制造。

在一个实施例中，电极或加热结构(在适用时)可以在电子电路系统(在适用时)的处理期间制造。因此，其上沉积有叠层但尚未有开口的基板被处理以用于构建电子电路系统、电极和/或加热结构。此后，在基板中从其背侧生成开口。具体而言，开口的蚀刻可由到达叠层的各部分并且分别为电极或加热结构留下开口。

在不同的实施例中，其上沉积有叠层的基板可被处理，例如用于集成电子电路系统，然而尚未构建电极和/或加热结构。随后，可在基板中生成开口，且电极和/或加热结构可穿过开口从基板的背侧制造在叠层的面向开口的部分之上或之中。在一个替换方案中，这可包括穿过开口来添加沉积电极和/或加热结构。在另一替换方案中，这可包括穿过开口来在一个或多个层(如现有叠层的导电层)中构造电极和/或加热结构。开口可以例如通过蚀刻来制造。

相反，感测元件优选地从基板背侧穿过开口来制造。形成感测元件的材料优选地通过穿过基板的开口无接触地分配敏感材料来被施加在叠层的面向开口的一侧上或施加在沉积于这一侧的层上。无接触分配应当包括印刷、喷涂，且具体而言是无接触微分配。在任何情况下，感测元件在电极和/或加热结构被制造之后施加。

在感测元件和任何电极或加热结构之间，可以施加保护涂层以保护电极和/或加热结构。优选地，保护涂层(如SiN层)也从基板的背侧穿过开口来施加，且在敏感材料之前并且在制造任何电极和/或加热结构(如果之前尚未处理的话)之后沉积。随后，感测元件优选地被沉积在保护涂层上。

在一个有利实施例中，一膜被布置在基板的背侧且远离感测元件跨越开口。这样的膜保护感测元件，同时它允许要被测量的介质接入感测元件。因此，它对这样的介质(例如，气体)而言是可渗透的。该膜优选地由聚合物制成，例如Gore该膜优选地粘合(例如，胶合)到基板或粘合到沉积在基板的背侧的层。该膜可以作为永久覆盖(如果它允许对感测元件的充分接入的话)来提供，或者另选地，在制造期间作为临时保护来提供。

传感器芯片可被安装在电路板上而无需任何进一步封装，如上所述。或者，传感器芯片可被进一步封装，例如通过铸造外壳、在基板的背侧上施加晶片帽、或通过其他手段，并随后被安装在电路板上。

在优选实施例中，传感器芯片被用作气体传感器(具体而言是湿度传感器)、液体流传感器、气体流传感器、压力传感器、红外传感器中的一者或多者。提供了对应的一个或多个感测元件。在优选实施例中，提供可能对不同测量物理量敏感的两个或更多个感测元件。具体而言，感测元件对至少两个测量物理量不同地敏感，这些测量物理量之一可以是湿度(即，气态载体中的气态水)。例如，一个感测元件可以主要只对湿度敏感，而另一感测元件显示了对水之外的气体的强敏感性。因此，通过组合来自这两个传感器的测量，可以实现对湿度以及所述另一气体的定量或定性分析。在一个实施例中，这些多个感测元件被提供在叠层的同一部分上并且因此是穿过共同开口来施加的。在一不同的实施例中，对于每一感测元件，不同开口被制造在基板中，且每一感测元件被施加到叠层的不同部分，每一部分跨越不同开口。各开口可以在同一步骤中制造，例如通过蚀刻。在一个以上感测元件的任何这样的场景中，优选的是每一感测元件通过类似或相同制造步骤穿过其指派的开口来被制造，例如通过穿过基板的相应开口无接触地分配主敏感材料。主敏感材料可同时或顺序地穿过各开口来分配。印刷头可被提供有包含不同敏感材料的不同腔室。各开口分开是有利的，因为各感测元件可彼此独立地进行热控制。另外，对于每一感测元件，沉积空间由开口的壁来限定而无需任何进一步装置。

优选地，多个传感器芯片被从共同晶片来制造。具体而言，可以想象，上述所有步骤在晶片上被处理，同时在这些步骤之后，晶片被切分成各单独的传感器芯片。因此，优选的是多个感测元件的开口被从晶片的背侧生成在晶片中，且优选地是同时生成的。优选地，在切分晶片之前，感测元件被同时或顺序地施加在晶片的每一开口中。

或者，一些步骤可发生在切分晶片之后。例如，感测元件可以在切分之后施加，即单独地用于传感器芯片。

本思想的有利实施例列在从属权利要求中以及以下描述中。

所有所描述的实施例应当类似地属于传感器芯片、其使用、以及制造传感器芯片的方法。协同作用效果可从各实施例的不同组合中出现，尽管可能没有详细描述它们。此外，应当注意，本发明的全部关于方法的实施例可以按所描述的步骤的顺序或任何其他顺序执行，除非另外明确指明。本发明的公开内容和范围应当包括任何步骤次序，而不管权利要求中所列出的次序如何。

附图说明

本发明的以上限定的各实施例以及进一步实施例、特征以及优点也可以结合附图从此后要描述的示例中导出，在附图中示出了：

图1以截面图示出了根据本发明的一实施例的传感器芯片，

图2以截面图示出了根据本发明的另一实施例的传感器芯片，

图3以截面图示出了根据本发明的又一实施例的传感器芯片，

图4以截面图示出了根据本发明的另一实施例的传感器芯片的叠层的一部分的三个变型，以及

图5是根据本发明的另一实施例的方法的流程图。

具体实施方式

根据图1，示出了根据本发明的一实施例的传感器芯片。

传感器芯片包括具有前侧11和背侧12的基板1。基板1包括从其背侧12穿过基板1到达其前侧11的开口13，在一个实施例中，开口13被布置在传感器芯片的中间。在一个实施例中，基板的开口13可具有100μm和500μm之间的直径。

介电层和导电层的叠层被布置在基板1的前侧11上且统称为2。这一叠层2的介电层可包含SiO或SiN，金属导电层可包含金属，如Al或多晶硅。叠层2跨越开口13且对表示传感器芯片的热绝缘区域的膜类结构作出贡献。一般而言，且与独立于本实施例，优选地，膜类结构完全覆盖开口13并因此将开口13与基板1的前侧11分开。然而，在不同的实施例中，膜类结构不完全覆盖开口，而是改为可包括一个或多个穿孔。

叠层2的各层优选地是CMOS层，且尤其可被用于接触集成到基板1的电子电路10。导电层中的一者或多者也可被用来构建用于从外部接触传感器芯片的接触焊盘29。另外，导电层中的另外一者或多者可被用于构建电极24。电极优选地构建在叠层的跨越开口13的部分之中或之上。

在叠层2的跨越开口13的部分上，布置感测元件4。在本示例中，感测元件4可以通过保护层5与叠层2中的电极24分开，因为电极24与感测元件4之间不需要直接欧姆接触。因此，在叠层2面向开口13的部分的一侧上，首先施加保护涂层5并随后施加感测元件4。

感测元件4可包括包含对需要测量的量敏感的材料的传感层。在一个示例中，感测元件4对湿度敏感且传感器芯片可以是湿度传感器。在这一示例中，所示电极24可只构成可与感测元件4交互的较大电极形成(如交叉电极)的一部分。优选地，电极24测量感测元件4的容量，在一个实施例中感测元件4是聚合物。

即使已经提到电极可以是交叉电极，也可使用不同的电极设计(如简单的电极对)。

在另一实施例中，感测元件4可包括对湿度以外的一个或多个分析物敏感的传感层。在此，传感器芯片可以是对水以外的至少一个气体组分敏感的气体传感器。在这一示例中，电极24可以通过欧姆(即电阻)接触来与感测元件4交互，以启用对感测元件4的电阻的测量。在这一情况下，保护层5至少在电极24的区域中被省略。在一个实施例中，感测元件4包含金属氧化物(MOX)材料。

可任选地，另一绝缘层3可被布置在叠层2上，如图1所示。绝缘层3包括传感器芯片的导电重分布层31和接触焊盘32，它们从绝缘层3暴露。

导电元件33附连到接触焊盘32，在本示例中导电元件是焊球。然而，它们也可以是布置在接触焊盘32上并在基板1的前表面上突出的其他类型的导电元件。

在本示例中，传感器芯片被布置在导体板8上，导体板例如可以是印刷电路板。导体板8包括接触焊盘81，接触焊盘81经由焊球连接到传感器芯片的接触焊盘32。传感器芯片在导体板上的布置统称为传感器器件。

在基板的背侧12，提供了可以或可以不跨越开口13的可任选的不透光层7。这一不透光层7提供光保护，尤其是对于电子电路系统10而言，且可由例如金属制成。不透光还可按需包括不透紫外线、不透可见光、和/或不透红外线。

另外，可以存在布置在基板1的背侧上的可任选膜6，并且在这一实施例中是布置在光保护层6的顶部上，然而，考虑到它应该充当感测元件4的机械保护，膜6还跨越开口13。膜优选地对要测量的介质而言是可渗透的。

如果不透光层7确实跨越开口13，它应当是可渗透的，就如膜6一样。事实上，膜6且可任选地不透光层7有利地由同一层材料形成。

根据图2，同样以截面图呈现了根据本发明的另一实施例的传感器芯片。相同元件通过与图1相同的参考标号来引用。

这一实施例在以下方面与图1的实施例不同：除了布置在叠层2之上或之中的电极24之外，加热结构25被布置在叠层2之上或之中。加热结构25可以是电阻性加热结构且用于加热感测元件4。

与图1的实施例相比的第二不同之处在放大部分中更详细地示出。在此，很明显，在基板1中生成的开口13穿过基板1的整个深度并甚至在某种程度上进入叠层2。以此方式，叠层2的跨越开口13的部分被进一步变薄，即厚度降低。因此，感测元件4以及(在适用的情况下)保护涂层5被布置在与图1相比更低的水平上。

根据图3，同样以截面图示出了根据本发明的又一实施例的传感器芯片。在这一实施例中，提供了两个感测元件4和41，其中明确假定感测元件41(它可以是例如聚合物层)主要对湿度敏感且其对应的电极241是交叉的以用于传导电容性测量。与此相对，感测元件4对水以外的至少一个气态分析物敏感，且可明确包含将在施加热量的情况下变得接受该分析物的金属氧化物，热量将由加热结构25提供。电极24可以测量感测元件4的电阻。在本示例中，穿过专用开口13、131来施加每一感测元件4、41。开口13和131可彼此相邻，如图所示，且可由基板1的壁分开。在另一实施例中，开口之一可按环结构的形式包围另一开口。

图4示出了根据本发明的各实施例的传感器芯片的叠层2的各实施例。对于所有变型，可以假定叠层2至少包括称为21到23的三个绝缘材料层。在这些层中的每一者之间，提供导电层，导电层被结构化并用绝缘材料补充，使得本叠层2进展。在图4a)中，绝缘层21和22之间以及22和23之间的导电层可被完全移除或仍然存在(但未示出)，或者可出于其他目的来结构化。它只在第一导电层中，其中提供电极24以与稍后布置在叠层2上的感测元件交互。在这一情况下，电极是交叉电极。

在CMOS处理的上下文中，从中构建电极的第一导电层也被称为M1层。在电极24的顶部，示出了保护涂层5，其上最终将沉积敏感材料以构建感测元件。可存在所示出的各层之外的其他绝缘和导电层。例如，在绝缘层23之下，可以存在更多导电层和绝缘层。

在图4b)中，再次在第一导电层M1中形成电极。这些电极24通过蚀刻来形成，并由此在第二导电层M2中使用蚀刻停止结构26，以终止第一导电层M1中的电极周围的蚀刻。在基板1中蚀刻开口之前，蚀刻可被预处理，或者可在开口13生成之后穿过开口13来处理。所得的结构随后可任选地由保护涂层5来涂敷。

在图4c)中，电极24和27被通过蚀刻形成在两个不同的导电层中，如M1和M2，并由此在第三导电层M3使用蚀刻停止结构28以用于终止蚀刻。所得的结构随后可任选地由保护涂层5来涂敷。在基板1中蚀刻开口之前，蚀刻可被预处理，或者可在开口13生成之后穿过开口13来处理。

图5示出根据本发明的一实施例的方法的流程图。

在本实施例中，在步骤S1，提供在其前侧上布置有叠层的基板。优选地，叠层是各CMOS层的叠层。假定在这一阶段，电子电路已被集成到基板，并且叠层是使得电子电路按所需方式接触的结构。另外，假定旨在稍后与要施加的感测元件交互的任何电极和/或加热结构已被构造在叠层中，优选地从各CMOS层的叠层中包括的导电层中的一者或多者中构造。

在下一步骤S2，它受制于对中间重分布层的需求是可任选的，绝缘层和其中的金属路径可在基板的前侧处制造在叠层的顶部，用于将从各CMOS层的叠层暴露的接触焊盘映射到不同位置、不同距离、或不同大小的接触焊盘，这些接触焊盘可从外部接入以经由接触元件(焊球)与传感器芯片电接触。

在步骤S3，从基板的背侧蚀刻开口。在此，基板优选地从其背侧蚀穿到其前侧，在叠层处停止或稍微蚀刻进入其中。

在尚未形成电极的情况下，它们现在在步骤S4中穿过开口在基板部分的面向开口的一侧上形成。可涉及蚀刻和清洁步骤。这一步骤还可包括从叠层蚀刻绝缘材料，以暴露和/或接触已形成的电极。

在后续可任选步骤S5，穿过开口将保护涂层施加在叠层的面向开口的一侧上。

在步骤S6，穿过开口将感测元件施加在叠层的面向开口的一侧上。在步骤S4施加保护涂层的情况下，感测元件被沉积在保护涂层上。

在可任选步骤S7，不透光层和保护膜被施加，有利地作为履行这两个功能的单层材料，或者分开。这一层或这些层可以例如胶合到基板。保护膜跨越基板中的开口。

在步骤S8，导电元件33(如焊球)被沉积在基板的前侧处的接触焊盘上。在根据步骤S2提供了重分布层的情况下，焊球可被沉积在在其中/其上形成的接触焊盘上。在省略步骤S2的情况下，焊球可直接沉积在从一个或多个导电层构建在叠层中的接触焊盘上。

在从晶片制造多个传感器芯片的情况下，步骤S1到S8中的至少一些或全部可以在晶片级提供，即在将晶片分成各单独传感器芯片之前。例如，多个开口被同时或顺序地蚀刻到晶片。

在步骤S9，晶片可以例如通过切分成多个单独的传感器芯片来分开。

如上所述，步骤S1到S9不必按图5的次序执行，除非不同地指明。例如，步骤S7和S8也可对换，或步骤S6可以在切分之后执行(即在步骤S9之后)。

Claims (20)

1.一种传感器芯片，包括：

具有前侧(11)和背侧(12)的基板(1)，

所述基板(1)中的从其背侧(12)穿透到其前侧(11)的开口(13)，

布置在所述基板(1)的前侧(11)上的介电层和导电层的叠层(2)，所述叠层(2)的一部分跨越所述基板(1)中的所述开口(13)，

布置在所述基板(1)的前侧(11)处的用于电接触所述传感器芯片的接触焊盘(32)，以及

布置在所述叠层(2)的跨越所述开口(13)的所述部分上的感测元件(4)，所述感测元件被布置在所述部分面向所述开口(13)的一侧上。

2.如权利要求1所述的传感器芯片，其特征在于，还包括布置在所述接触焊盘(32)处并在所述基板(1)的前表面上突出的接触元件(33)。

3.如权利要求1所述的传感器芯片，其特征在于，包括：

用于与所述感测元件(4)交互的电极(24)，所述电极(24)被布置在所述叠层(2)的跨越所述开口(13)的所述部分之上或之中，

其中所述叠层(2)包括在所述叠层(2)的跨越所述开口(13)的所述部分中面向所述开口(13)的底部介电层(21)，以及

其中所述电极(24)被布置在所述叠层(2)的所述底部介电层(21)之中或之上。

4.如前述权利要求中的任一项所述的传感器芯片，其特征在于，包括：

用于加热所述感测元件(4)的加热结构(25)，所述加热结构(25)被布置在所述叠层(2)的跨越所述开口(13)的所述部分之上或之中。

5.如权利要求4所述的传感器芯片，其特征在于，

所述叠层(2)包括在所述叠层(2)的跨越所述开口(13)的所述部分中面向所述开口(13)的底部介电层(21)，以及其中所述加热结构(25)被布置在所述叠层(2)的所述底部介电层(21)之中或之上。

6.如权利要求1所述的传感器芯片，其特征在于，包括：

所述接触焊盘被从所述叠层的导电层处理，所述导电层部分暴露以允许接触，或者

所述叠层被包括绝缘层的重分布层覆盖，所述绝缘层包含导电结构，所述重分布层连接到所述叠层的所述接触焊盘并提供其自己的能从外部接入的接触焊盘。

7.如权利要求6所述的传感器芯片，其特征在于，包括：

介电层和导电层的所述叠层是针对应用CMOS制造工艺所定义的CMOS层的叠层。

8.如权利要求1所述的传感器芯片，其特征在于，包括：

布置在所述基板(1)的背侧(12)处且跨越所述开口(13)的膜(6)，所述膜(6)能被要测量的介质渗透。

9.如权利要求1所述的传感器芯片，其特征在于，

电子电路系统(10)在所述基板(1)的前侧(11)处被集成到所述传感器芯片。

10.如权利要求1所述的传感器芯片，其特征在于，

所述感测元件(4)对至少一个被测物理量敏感，以及

a)其中所述至少一个被测物理量包括湿度或者

b)其中所述至少一个被测物理量包括除湿度外的物质。

11.如权利要求1所述的传感器芯片，其特征在于，

所述基板(1)中的从其背侧(12)穿透到其前侧(11)的另一开口(131)，

所述叠层(2)的跨越所述基板(1)中的所述另一开口(131)的另一部分，以及

布置在所述叠层(2)的跨越所述另一开口(131)的所述另一部分上的另一感测元件(41)，所述另一感测元件被布置在所述另一部分面向所述另一开口(13)的一侧上。

12.一种传感器模块，包括：

包括接触焊盘(81)的电路板(8)，以及

布置在所述电路板(8)上的如权利要求1所述的传感器芯片，其中所述叠层(2)面向所述电路板(8)且所述感测元件(4)背向所述电路板(8)，以及

其中所述传感器芯片的所述接触焊盘(32)电连接到所述电路板(8)的所述接触焊盘(81)。

13.一种用于制造传感器芯片的方法，包括以下步骤：

提供具有前侧(11)和背侧(12)的基板(1)以及布置在所述基板(1)的前侧(11)上的介电层和导电层的叠层(2)，

在所述基板(1)中从其背侧(12)生成开口(13)以暴露所述叠层(2)的一部分，以及

在所述叠层(2)的所暴露的部分上穿过所述开口(13)施加感测元件(4)。

14.如权利要求13所述的方法，其特征在于，

所述感测元件(4)是通过从所述基板(1)的背侧(12)穿过所述基板(1)的所述开口(13)无接触地分配敏感材料来施加的。

15.如权利要求13所述的方法，其特征在于，

所述基板(1)中的所述开口(13)是通过从其背侧(12)蚀刻所述基板(1)来生成的。

16.如权利要求13所述的方法，其特征在于，

在穿过所述开口(13)施加所述感测元件(4)之前，用于与所述感测元件(4)交互的电极(24)被穿过所述开口(13)制造在所述叠层(2)的所暴露的部分之上或之中。

17.如权利要求16所述的方法，其特征在于，

在施加所述感测元件(4)之前并在制造了所述电极(24)之后，保护涂层(5)被施加在所述电极(24)的顶部，以及

其中所述感测元件(4)被施加在所述保护涂层(5)上。

18.如权利要求13所述的方法，其特征在于，

在穿过所述开口(13)施加所述感测元件(4)之前，用于加热所述感测元件(4)的加热结构(25)被穿过所述开口(13)制造在所述叠层(2)的所暴露的部分之上或之中。

19.如权利要求18所述的方法，其特征在于，

在施加所述感测元件(4)之前并在制造了所述加热结构(25)之后，保护涂层(5)被施加在所述加热结构(25)的顶部，以及

其中所述感测元件(4)被施加在所述保护涂层(5)上。

20.如权利要求13所述的方法，其特征在于，

所述基板(1)是以用于构建多个传感器芯片的晶片的形式提供的，

其中多个感测元件(4)的开口(13)被从所述晶片的背侧(12)生成在所述晶片中，

其中感测元件(4)被施加在所述晶片的每一开口(13)中，以及

其中在施加所述感测元件(4)之后，所述晶片被切分成所述多个传感器芯片。