CN105449036A - 一种用于丝网印刷不良片的返工处理方法 - Google Patents

一种用于丝网印刷不良片的返工处理方法 Download PDF

Info

Publication number
CN105449036A
CN105449036A CN201510872005.8A CN201510872005A CN105449036A CN 105449036 A CN105449036 A CN 105449036A CN 201510872005 A CN201510872005 A CN 201510872005A CN 105449036 A CN105449036 A CN 105449036A
Authority
CN
China
Prior art keywords
screen printing
bad
silk screen
cleaning
cleaned
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201510872005.8A
Other languages
English (en)
Other versions
CN105449036B (zh
Inventor
王金
张忠文
苏世杰
张玉前
陆义
刘雷
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tongwei Solar Chengdu Co Ltd
Tongwei Solar Anhui Co Ltd
Original Assignee
Tongwei Solar Hefei Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tongwei Solar Hefei Co Ltd filed Critical Tongwei Solar Hefei Co Ltd
Priority to CN201510872005.8A priority Critical patent/CN105449036B/zh
Publication of CN105449036A publication Critical patent/CN105449036A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN105449036B publication Critical patent/CN105449036B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/30604Chemical etching
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Printing Plates And Materials Therefor (AREA)

Abstract

本发明涉及一种用于丝网印刷不良片的返工处理方法,与现有技术相比解决了丝网印刷不良品返工效果差的缺陷。本发明包括以下步骤:利用超声波清洗机对丝网印刷不良片进行清洗;对超声波清洗后的丝网印刷不良片进行酸洗作业;对酸洗完的丝网印刷不良片进行甩干处理。本发明能够对丝网印刷不良品进行返工处理,有效地清除了电池表面附着的铝离子和银离子,降低了丝网印刷的不良品,提高了优质出品率。

Description

一种用于丝网印刷不良片的返工处理方法
技术领域
本发明涉及光伏电池制作技术领域,具体来说是一种用于丝网印刷不良片的返工处理方法。
背景技术
丝网印刷是光伏电池片生产过程中的必经工序,虽然各公司通过丝网印刷相关辅料及印刷参数改进后,印刷不良品已经有所下降。但由于现阶段工序、材料等若干问题,印刷不良品的降低遇到瓶颈,即在电池片的生产加工环节中必定会出现丝网印刷不良品的出现,如粗点、断栅、背场缺失、爆版脏污片、印刷偏移等不良。而针对丝网印刷不良片,则可以对其进行返工处理,即对丝网印刷不良片进行清洗。由于丝网印刷电池片的特性,其上附有大量的银、铝离子介质,其清洗存在一定的特殊性。虽然目前有部分技术提出了针对丝网印刷不良片的处理方法,如专利号为201110111345.0、专利名称为“一种丝网印刷不良片的处理方法”的技术,但其均无法有效地清除电池片上的银浆、铝浆,只能做到外观上观察没有浆料残留,但实际清洗效果不佳,后期再加工时,又会批量出现不良品的情况。因此,如何开发出一种能够在电池片上更好清除银、铝离子的清洗方法已经成为急需解决的技术问题。
发明内容
本发明的目的是为了解决现有技术中丝网印刷不良品返工效果差的缺陷,提供一种用于丝网印刷不良片的返工处理方法来解决上述问题。
为了实现上述目的,本发明的技术方案如下:
一种用于丝网印刷不良片的返工处理方法,其包括以下步骤:
利用超声波清洗机对丝网印刷不良片进行清洗;
对超声波清洗后的丝网印刷不良片进行酸洗作业;
对酸洗完的丝网印刷不良片进行甩干处理。
所述的利用超声波清洗机对丝网印刷不良片进行清洗包括以下步骤:
对超声波清洗机内加入18L酒精,并放入待清洗的丝网印刷不良片,对丝网印刷不良片进行第一次清洗,清洗时间为10分钟,清洗完成后取出静置待第二次清洗;
对超声波清洗机内加入18L酒精和500ml松油醇,并放入待清洗的丝网印刷不良片,对丝网印刷不良片进行第二次清洗,清洗时间为10分钟,清洗完成后取出静置待第三次清洗;
对超声波清洗机内加入18L酒精,并放入待清洗的丝网印刷不良片,对丝网印刷不良片进行第三次清洗,清洗时间为10分钟,清洗完成后取出静置待进行酸洗。
所述的超声波对清洗后的丝网印刷不良片进行酸洗作业包括以下步骤:
将丝网印刷不良片放入带有鼓泡器的清洗槽中,向清洗槽中加入浓度为37%的盐酸,再加入浓度为69%的硝酸,配成浓度为5%的盐酸与硝酸混合溶液;
开启鼓泡器,进行鼓泡清洗作业。
所述的鼓泡清洗作业包括以下步骤:
在5%的盐酸与硝酸混合溶液中进行鼓泡清洗,时间为2-4小时;
在清水中进行鼓泡清洗,时间为2-4小时。
有益效果
本发明的一种用于丝网印刷不良片的返工处理方法,与现有技术相比能够对丝网印刷不良品进行返工处理,有效地清除了电池表面附着的铝离子和银离子,降低了丝网印刷的不良品,提高了优质出品率。经过本发明酒精清洗步骤后,电池片的外观无明显浆料残留;经过本发明的酸洗甩干后其外观与镀膜后硅片表面一致、洁净无污染。本发明的丝网返工合格率在90%以上,以14万产能计算,每年按照本发明的方法进行丝网返工作业,可减少B级片154080片,减少C级片20160片。
附图说明
图1为本发明的方法顺序图。
具体实施方式
为使对本发明的结构特征及所达成的功效有更进一步的了解与认识,用以较佳的实施例及附图配合详细的说明,说明如下:
如图1所示,本发明所述的一种用于丝网印刷不良片的返工处理方法,其包括以下步骤:
第一步,利用超声波清洗机对丝网印刷不良片进行清洗。工作人员在进行清洗前进行相应的准备工作,即定时收集丝网印刷工序产生的不良品,统一放置在返工片放置区,待集中对丝网印刷不良片进行背银、背铝、正银的清洗。其具体包括以下步骤:
(1)初洗步骤,对超声波清洗机内加入18L酒精,并放入待清洗的丝网印刷不良片,对丝网印刷不良片进行第一次清洗。将超声波清洗机的频率调制到最大刻度值,清洗时间为10分钟,清洗完成后取出静置,放在暂放区待第二次清洗。在通过初洗步骤后,通过酒精的作用,可以清除电池片上大部分的背银和背铝,可清除少量的正银。
(2)精洗步骤,对超声波清洗机内加入18L酒精和500ml松油醇,松油醇的作用是去除正银,通过松油醇清除电池片正面的化学成分(银离子)。同样放入待清洗的丝网印刷不良片,对丝网印刷不良片进行第二次清洗,清洗时间为10分钟,清洗完成后取出静置待第三次清洗。
(3)漂洗步骤,对超声波清洗机内加入18L酒精,并放入待清洗的丝网印刷不良片,对丝网印刷不良片进行第三次清洗,清洗时间为10分钟,此步骤过程主要为漂洗过程,清洗完成后取出静置待进行酸洗。
以上清洗过程结束后,酒精接入酒精桶沉淀,待下次清洗做二次利用,沉淀物用无尘布擦干净放入垃圾桶中。整体过程中温度可以为25±1°,湿度可以在40%-60%。
第二步,对超声波清洗后的丝网印刷不良片进行酸洗作业。酸洗的目的是为了将电池片上的各种金属离子进行彻底的清除,通过盐酸与硝酸的混合溶液与银、铝产生化学反应,从而将电池片上的金属离子彻底清除。其具体包括以下步骤:
(1)将丝网印刷不良片放入带有鼓泡器的清洗槽中,带有鼓泡器的清洗槽也可以为专用的清洗机。向清洗槽中加入浓度为37%的盐酸,再加入浓度为69%的硝酸,配成浓度为5%的盐酸与硝酸混合溶液。在实际应用中,根据实际情况可以先加少量的水,以防止加入盐酸和硝酸时溅出清洗槽,再加入若干容量的37%的盐酸、若干容量的69%的硝酸,再加入适量的水,配比成5%的盐酸与硝酸混合溶液。
(2)开启鼓泡器,进行鼓泡清洗作业。鼓泡清洗作业分四个流程:首先,在5%的盐酸与硝酸混合溶液中进行鼓泡清洗,时间为2小时;其次,在5%的盐酸与硝酸混合溶液中进行鼓泡清洗,时间同样为2小时;再次,在清水中进行鼓泡清洗,时间为2小时;最后,在清水中进行鼓泡清洗,时间同样为2小时。两次酸洗的过程则是利用盐酸与硝酸混合溶液进行金属离子的化学反应,从而达到清除电池片上金属离子的目的;后两次水洗的过程则是针对酸洗后进行漂洗。
第三步,对酸洗完的丝网印刷不良片进行甩干处理,甩干处理可以直接利用甩干机,甩干完成后则可以直接将装有丝网的花篮取出,继续重新上料生产。
通过对比丝网返工前后丝网不良比例的统计可知,丝网印刷不良B级降低了0.1525%;丝网印刷不良C级降低了0.02%。而本发明所述的方法与传统方法印刷生产出的电池片,在超过一天时间后,在电池片的外观上传统方法明显可以看出副栅线返工痕迹,而利用本方法则无异常。而在电性能方面的本发明所述的方法与传统方法的对比如表1所示。
表1本发明所述方法与传统方法印刷生产后电性能参数对比表
  开路电压 短路电流 串联电阻 并联电阻 填充因子 转换效率 反向漏电
传统方法印刷后 0.6315 8.6504 0.0015 75.39 79.33 17.81 1.0153
本发明方法印刷后 0.6346 8.6908 0.0016 465.90 79.59 18.04 0.0394
由上表可知,传统方法与本发明方法所印刷出的电池片上,在并联电阻、反向漏电这两个电性能参数上有明显差异。由于金属离子的污染对太阳能电池有致命性的污染,所以返工后能否完全去除金属离子至关重要。而反向漏电的大小将决定返工品的好坏。
以上显示和描述了本发明的基本原理、主要特征和本发明的优点。本行业的技术人员应该了解,本发明不受上述实施例的限制,上述实施例和说明书中描述的只是本发明的原理,在不脱离本发明精神和范围的前提下本发明还会有各种变化和改进,这些变化和改进都落入要求保护的本发明的范围内。本发明要求的保护范围由所附的权利要求书及其等同物界定。

Claims (4)

1.一种用于丝网印刷不良片的返工处理方法,其特征在于,其包括以下步骤:
11)利用超声波清洗机对丝网印刷不良片进行清洗;
12)对超声波清洗后的丝网印刷不良片进行酸洗作业;
13)对酸洗完的丝网印刷不良片进行甩干处理。
2.根据权利要求1所述的一种用于丝网印刷不良片的返工处理方法,其特征在于,所述的利用超声波清洗机对丝网印刷不良片进行清洗包括以下步骤:
21)对超声波清洗机内加入18L酒精,并放入待清洗的丝网印刷不良片,对丝网印刷不良片进行第一次清洗,清洗时间为10分钟,清洗完成后取出静置待第二次清洗;
22)对超声波清洗机内加入18L酒精和500ml松油醇,并放入待清洗的丝网印刷不良片,对丝网印刷不良片进行第二次清洗,清洗时间为10分钟,清洗完成后取出静置待第三次清洗;
23)对超声波清洗机内加入18L酒精,并放入待清洗的丝网印刷不良片,对丝网印刷不良片进行第三次清洗,清洗时间为10分钟,清洗完成后取出静置待进行酸洗。
3.根据权利要求1所述的一种用于丝网印刷不良片的返工处理方法,其特征在于,所述的对超声波清洗后的丝网印刷不良片进行酸洗作业包括以下步骤:
31)将丝网印刷不良片放入带有鼓泡器的清洗槽中,向清洗槽中加入浓度为37%的盐酸,再加入浓度为69%的硝酸,配成浓度为5%的盐酸与硝酸混合溶液;
32)开启鼓泡器,进行鼓泡清洗作业。
4.根据权利要求3所述的一种用于丝网印刷不良片的返工处理方法,其特征在于,所述的鼓泡清洗作业包括以下步骤:
41)在5%的盐酸与硝酸混合溶液中进行鼓泡清洗,时间为2-4小时;
42)在清水中进行鼓泡清洗,时间为2-4小时。
CN201510872005.8A 2015-12-03 2015-12-03 一种用于丝网印刷不良片的返工处理方法 Active CN105449036B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510872005.8A CN105449036B (zh) 2015-12-03 2015-12-03 一种用于丝网印刷不良片的返工处理方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510872005.8A CN105449036B (zh) 2015-12-03 2015-12-03 一种用于丝网印刷不良片的返工处理方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN105449036A true CN105449036A (zh) 2016-03-30
CN105449036B CN105449036B (zh) 2017-10-03

Family

ID=55559016

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201510872005.8A Active CN105449036B (zh) 2015-12-03 2015-12-03 一种用于丝网印刷不良片的返工处理方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN105449036B (zh)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106876521A (zh) * 2017-02-14 2017-06-20 苏州爱康光电科技有限公司 一种硅太阳能电池印刷不良片返工方法
CN107731962A (zh) * 2017-10-23 2018-02-23 英利能源(中国)有限公司 一种太阳能电池印刷返工品处理方法
CN112768553A (zh) * 2020-12-30 2021-05-07 横店集团东磁股份有限公司 一种丝网印刷返工片的清洗方法
CN113889551A (zh) * 2021-08-12 2022-01-04 中威新能源(成都)有限公司 光伏电池印刷不良片的回收方法及返工方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001345301A (ja) * 2000-05-31 2001-12-14 Kurita Water Ind Ltd 電子材料の洗浄方法
CN102306683A (zh) * 2011-09-09 2012-01-04 浙江嘉毅能源科技有限公司 一种经丝网印刷后返工硅片的处理方法
CN102437234A (zh) * 2011-10-31 2012-05-02 浙江宝利特新能源股份有限公司 一种太阳能电池片印刷返工次品的处理方法
CN103400890A (zh) * 2013-07-08 2013-11-20 浙江晶科能源有限公司 一种晶硅太阳电池pecvd色差片去膜重镀的返工工艺

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001345301A (ja) * 2000-05-31 2001-12-14 Kurita Water Ind Ltd 電子材料の洗浄方法
CN102306683A (zh) * 2011-09-09 2012-01-04 浙江嘉毅能源科技有限公司 一种经丝网印刷后返工硅片的处理方法
CN102437234A (zh) * 2011-10-31 2012-05-02 浙江宝利特新能源股份有限公司 一种太阳能电池片印刷返工次品的处理方法
CN103400890A (zh) * 2013-07-08 2013-11-20 浙江晶科能源有限公司 一种晶硅太阳电池pecvd色差片去膜重镀的返工工艺

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106876521A (zh) * 2017-02-14 2017-06-20 苏州爱康光电科技有限公司 一种硅太阳能电池印刷不良片返工方法
CN107731962A (zh) * 2017-10-23 2018-02-23 英利能源(中国)有限公司 一种太阳能电池印刷返工品处理方法
CN112768553A (zh) * 2020-12-30 2021-05-07 横店集团东磁股份有限公司 一种丝网印刷返工片的清洗方法
CN112768553B (zh) * 2020-12-30 2023-05-02 横店集团东磁股份有限公司 一种丝网印刷返工片的清洗方法
CN113889551A (zh) * 2021-08-12 2022-01-04 中威新能源(成都)有限公司 光伏电池印刷不良片的回收方法及返工方法
CN113889551B (zh) * 2021-08-12 2023-12-01 中威新能源(成都)有限公司 光伏电池印刷不良片的回收方法及返工方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN105449036B (zh) 2017-10-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105449036A (zh) 一种用于丝网印刷不良片的返工处理方法
CN102343352B (zh) 一种太阳能硅片的回收方法
CN111508824B (zh) 一种制绒清洗方法及异质结电池
CN104009122B (zh) 一种丝网印刷返工硅片的处理方法
CN108231540A (zh) 一种应用于太阳能电池制绒的后清洗工艺
CN105514222B (zh) 太阳能电池酸腐返工方法及使用的链式设备
CN102437234B (zh) 一种太阳能电池片印刷返工次品的处理方法
CN101217169A (zh) 一种晶体硅太阳能电池片印刷后次品返工方法
CN104485388A (zh) 一种晶硅太阳能电池pecvd镀膜后不良片的返工方法
CN103441187A (zh) 太阳能电池硅片抛光后的清洗方法
CN110416369A (zh) Perc电池清洗制绒工艺及系统
CN103606595B (zh) 烧结后不合格单晶硅电池片的再利用及其栅线回收方法
CN103480598A (zh) 一种用于制备高效太阳电池的硅片清洗方法及清洗设备
CN104993021A (zh) 一种提升太阳能电池丝印返工片转化效率的方法
CN111403561A (zh) 一种硅片制绒方法
CN104993014B (zh) 扩散后不良片的单独返工方法
CN106992226A (zh) 一种丝网印刷不良电池片的返工方法
CN104167462A (zh) 一种印刷不良太阳电池的返工方法
CN102306683A (zh) 一种经丝网印刷后返工硅片的处理方法
CN107275423B (zh) 一种提升黑硅电池转换效率的处理方法
CN104201244A (zh) 一种晶体硅太阳能电池片丝网印刷后次品返工方法
CN108766869A (zh) 一种太阳能电池硅片槽式清洗方法
CN109148262A (zh) 一种太阳能多晶黑硅片的清洗方法
CN109755352A (zh) 一种丝网印刷不良片的表面处理方法及返工方法
CN109047168A (zh) 一种规整填料脱脂工艺

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
TR01 Transfer of patent right
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20200402

Address after: 230088 No. 888, Changning Avenue, hi tech Zone, Anhui, Hefei

Co-patentee after: TONGWEI SOLAR (CHENGDU) Co.,Ltd.

Patentee after: TONGWEI SOLAR ENERGY (HEFEI) Co.,Ltd.

Address before: 230088 No. 888, Changning Avenue, hi tech Zone, Anhui, Hefei

Patentee before: TONGWEI SOLAR ENERGY (HEFEI) Co.,Ltd.

TR01 Transfer of patent right
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20220519

Address after: 230088 southwest corner of the intersection of Changning Avenue and Xiyou Road, high tech Zone, Hefei City, Anhui Province

Patentee after: TONGWEI SOLAR ENERGY (ANHUI) Co.,Ltd.

Patentee after: Tongwei solar energy (Chengdu) Co., Ltd

Address before: No. 888, Changning Avenue, high tech Zone, Hefei City, Anhui Province, 230088

Patentee before: TONGWEI SOLAR ENERGY (HEFEI) Co.,Ltd.

Patentee before: Tongwei solar energy (Chengdu) Co., Ltd