CN105436056A - 半导体晶片的旋转涂胶方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及半导体生产和加工领域。本发明提出了一种半导体晶片的涂胶方法，采用晶片旋转的方式，由涂胶头向晶片表面涂敷胶液，该方法包括：首次涂胶工序，在首次涂胶工序中，涂胶头偏离晶片的中心O，涂胶头与晶片的中心O之间的水平距离为r1，r1为定值小于晶片的半径R，涂胶头在晶片表面涂敷形成第一胶层；再次涂胶工序，涂胶头偏离晶片的中心O，涂胶头与晶片的中心O之间的水平距离为r2，r2为定值小于晶片的半径R，涂胶头在第一胶层表面涂敷形成第二胶层；其中，第一胶层的胶液和第二胶层的胶液通过晶片的旋转作用摊开并铺满晶片表面。通过该方法涂胶所得的晶片，胶层表面平整均匀，无凸起或凹陷，不会出现“W”形貌。

Description

半导体晶片的旋转涂胶方法

技术领域

本发明涉及半导体生产和加工领域，尤其涉及半导体集成电路和先进封装领域中，一种用以在半导体晶片上获得均匀胶膜的旋转涂胶方法。

背景技术

在半导体生产领域，涂胶是在半导体晶片上涂敷胶液或镀薄膜的一种工艺，这种工艺常见于半导体晶片加工的光刻环节，光刻处理时需要在晶片表面涂敷光刻胶，理想的要求是表面的光刻胶液应当厚度均匀、表面平整，这是后续曝光以及显影处理得以顺利进行的基础。

目前公知的，采用旋转涂胶法获得的光刻胶表面基本能够满足传统工艺对胶膜厚度及均匀性的要求，但随着摩尔定律的持续应验，现有的涂胶方法在日益严苛的工艺要求面前显得越来越力不从心了。其最大的问题之一在于，通过传统涂胶方法获得的胶膜表面呈现出明显的“W”形貌，即位于晶片中心区域以及边缘区域的胶膜厚度比位于中心和边缘之间区域的胶膜厚度厚，导致胶膜整体厚度均匀性差。

参考图1能够对此有更深刻的理解：晶片101经过传统涂胶方法涂胶后，在表面形成了一层“W”型胶膜102，中心和两边的胶液堆积较多，而其他区域相对平整。中心位置的胶液隆起是由于，传统的旋转涂胶方法，涂胶头往往对准晶片101的中心进行涂敷，典型的如日本东京毅力株式会社在中国申请的专利CN20091025219.1，在其附图8中详尽的揭示了这种中心滴胶的涂胶方法，而晶片101在旋转时中心位置线速度低，离心力小，造成晶片101的中心位置处堆积的高粘度光刻胶不易被甩开，最终导致涂敷结束后晶片101中心位置处的胶膜102高于周边；而造成晶片101边缘区域处的胶膜102变厚的原因是，大量的光刻胶最终被甩至晶片101的边缘，高速旋转造成边缘的气流流速很大，加上光刻胶溶剂挥发等其他因素的共同作用，使边缘的胶液越聚越多，导致涂胶过程结束后晶片101边缘位置处的胶膜102高企。在上述两方面原因的综合作用下，侧视晶片101即可看到胶膜102所呈现出的“W”形貌。

“W”形貌的出现说明晶片涂胶厚度不均匀，如果置之不理，随着加工工序的推进，不仅会严重影响终端产品的质量，对加工设备自身的损伤也同样不可小觑！

发明内容

本发明即是鉴于上述现有技术导致的缺陷提出的，其目的在于，使晶片在经过涂胶工艺处理后不会在晶片中心和晶片边缘处形成高企的胶峰导致胶层“W”形貌的出现，最终获得胶层表面平坦、各处胶层厚度均一的晶片。

为了达到上述目的，本发明提供了一种改进的涂胶方法，具体如下：

一种半导体晶片的涂胶方法，采用晶片旋转的方式，由涂胶头向晶片表面涂敷胶液，包括：

首次涂胶工序，在所述首次涂胶工序中，所述涂胶头偏离所述晶片的中心O，所述涂胶头与所述晶片的中心O之间的水平距离为r1，所述r1为定值且小于所述晶片的半径R，所述涂胶头在所述晶片表面涂敷形成第一胶层；

再次涂胶工序，在所述再次涂胶工序中，所述涂胶头偏离所述晶片的中心O，所述涂胶头与所述晶片的中心O之间的水平距离为r2，所述r2为定值且小于所述晶片的半径R，所述涂胶头在所述第一胶层表面涂敷形成第二胶层；

其中，所述第一胶层的胶液和所述第二胶层的胶液通过所述晶片的旋转作用摊开并铺满晶片表面。

进一步地，在所述首次涂胶工序和所述再次涂胶工序之间，对所述第一胶层进行减薄处理，所述第一胶层在经过所述减薄处理后在晶片边缘形成圆环形凹陷的形貌，所述第一胶层在晶片边缘位置处的厚度比其他位置处的厚度薄。

进一步地，所述第二胶层在晶片边缘位置处的厚度比其他位置处的厚度厚，所述第二胶层与所述第一胶层互补，所述第二胶层的表面为平整均一的水平面。

可选地，所述减薄处理通过使用洗边喷嘴向所述第一胶层喷射洗边液的洗边工艺来实现，所述洗边液溶解所述第一胶层的胶液或与所述第一胶层的胶液发生化学反应从而形成所述第一胶层的圆环形凹陷的形貌。

进一步地，所述涂胶头涂敷至晶片表面的、作为第一胶层的胶液的形状由中间厚、两边薄的环形带状扩散并摊平为圆形；所述涂胶头涂敷至第一胶层表面的、作为第二胶层的胶液的形状由中间厚、两边薄的环形带状扩散并摊平为圆形。

进一步地，所述r1的范围为1mm≤r1≤50mm，所述r2的范围为1mm≤r2≤50mm，所述r1和r2的大小由所述胶液的粘度、所述涂胶头的出胶流速以及所述晶片的转速决定，以保证所述胶液的形状由中间厚、两边薄的环形带状扩散并摊平为圆形。

进一步地，所述涂胶头的口径为X，所述X的范围为3mm≤X≤10mm；所述涂胶头与所述晶片的垂直距离为H，所述H的范围为5mm≤H≤30mm。

进一步地，所述洗边喷嘴的喷射速度为15ml/min—50ml/min，所述洗边喷嘴喷射出的洗边液的形状为细长条形的液柱，所述液柱的直径为0.2mm—0.5mm。

进一步地，所述首次涂胶工序进一步包括涂胶过程和甩胶过程；在所述涂胶过程中，所述晶片的转速为20RPM—300RPM；在所述甩胶过程中，所述晶片的转速为100RPM—7000RPM。

进一步地，所述再次涂胶工序进一步包括涂胶过程和甩胶过程；在所述涂胶过程中，所述晶片的转速为20RPM—300RPM；在所述甩胶过程中，所述晶片的转速为100RPM—7000RPM。

进一步地，在所述减薄处理的过程中，所述晶片的转速为300RPM—1500RPM。

本发明在现有旋转涂胶法的基础上，采用二次涂胶工艺，将原有的对心涂胶方式改变为偏心涂胶，从而消除了“W”形貌在晶片中心位置处的胶峰；另外，本发明所述方法进一步通过洗边工艺使两次涂胶所形成的胶层实现了互补，从而消除了“W”形貌在晶片边缘位置处的胶峰，最终在涂胶工艺完成后获得了胶层表面平整、厚度均匀晶片。

附图说明

图1是采用传统旋转涂胶法获得的晶片表面的胶层“W”形貌的示意图；

图2是本发明所述涂胶方法涉及到的一种涂胶装置的结构示意图；

图3是本发明所述涂胶方法进行涂胶时晶片的中心O与涂胶头之间位置关系的示意图；

图4是本发明所述涂胶方法进行减薄处理时的工作示意图；

图5是本发明所述涂胶方法在具体实施方式中进行首次涂胶工序时的工作示意图；

图6是本发明所述涂胶方法在具体实施方式中进行减薄处理时的工作示意图；

图7是本发明所述涂胶方法在具体实施方式中进行再次涂胶工序时的工作示意图。

具体实施方式

以下将结合附图和具体实施方式对本发明提出的涂胶方法作进一步地说明。根据下述说明，本发明相对于现有技术的优势将更加明显并具体化。需要说明的是，附图虽然有所简化，但直观明了，仅用以辅助说明本发明技术方案的目。

图2是实施本发明的涂胶方法时，涉及到的一种涂胶装置的示意图。涂胶环境通常是封闭的，因此该装置应该放入一个密闭的腔室之中进行涂胶，图中没有画出该腔室。该涂胶装置具有一个支撑基座201，支撑基座201的上方设置有固定和承载晶片203的晶片固持件，具体来说可以是一个真空吸盘202，该真空吸盘202能够带动晶片203绕着旋转轴206旋转。当晶片203按要求固定在真空吸盘202上之后，旋转轴206将穿过晶片203的中心O，应当注意的是，该旋转轴206是一条虚拟的轴。在晶片203的上方设置有涂胶头204和洗边喷嘴205。进行涂胶时，涂胶头204的位置并不是如传统的旋转涂胶法那样，设置在晶片203的中心O的正上方，而是会在水平方向上偏离于晶片203的中心O一段距离；同时，涂胶头在竖直方向上与晶片203并不接触，二者存在一段竖直距离，这样能够避免划伤晶片203。

图3包括(a)、(b)两幅图，展示了利用本发明方法进行涂胶时，涂胶头304与晶片301的相对位置关系。在本发明方法中，无论是首次涂胶工序还是再次涂胶工序，涂胶头304与晶片301的中心O302都是存在一个水平距离r的，为了加以区分，权利要求书中将首次涂胶工序中的水平距离标记为r1，再次涂胶工序中的水平距离标记为r2。应当注意的是，首次涂胶中的r1和再次涂胶中的r2并不一定相等，而是可以根据光刻胶的粘度、出胶流速及晶片转速具体确定；例如，使用JSRTHB-151N型光刻胶时，该胶的粘度在3900±200cPs，如果出胶流速为30ml/min，晶片301的转速为50RPM，此时可以将r设置为5mm。另外，涂胶头304相对于晶片301还存在一定的高度H，该高度H一般设置在5mm至30mm左右，可以保证涂胶头304不会划伤晶片301，流量也会比较稳定。

涂胶时，只需将涂胶头304移动到合适的高度H以及合适的水平距离r位置，将涂胶头304保持在该位置持续滴胶，并控制晶片301的旋转速度，进而就会在晶片301表面形成一圈环形带状的胶液303。环形带状的胶液303滴落到晶片301后，会由于张力和流动性作用部分向两边扩散，而滴胶过程一直持续，造成环形带状的胶液303中间厚两边薄；不过不用担心，后续在晶片301的旋转作用下，环形带状的胶液303会被进一步甩开为一个圆形，并逐渐摊平至整个晶片301的表面，构成晶片301表面的胶层。上述胶层的形成过程在首次涂胶工序和再次涂胶工序中是相同的，进一步地，在涂够足量的胶液后，通过增大晶片301的旋转速度，来达到甩胶的目的，甩去多余的胶液，并形成第一胶层或第二胶层。利用这种偏心涂胶的方式，能够保证涂胶后晶片301上的胶层除了边缘位置处以外，其他各处的胶层基本均一，而不会因为中心O302处的离心力小而导致晶片301中心O位置处的胶层出现胶峰。另外，在涂胶过程中，对首次涂胶工序中的r1和再次涂胶工序中的r2是有一个范围的，首先应该确保偏心，其次应该保证涂胶头304的位置不应该超出至晶片301以外，即不超过相应晶片301的半径R(包括6英寸晶片、8英寸晶片和12英寸晶片)；且r1和r2还应该是一个定值，否则还将引入涂胶头304复杂的运动问题，导致涂胶后晶片301表面形成的胶层厚度的均匀性难以控制。

更具体地说，r(也即r1或r2)的范围可以在1mm≤r≤50mm的区间内选取。小于50mm是因为，如果r太大，晶片301旋转所形成的胶层可能不一定摊平为圆形并覆盖整个晶片301，而有可能仅仅是一个很大的圆环形胶层，这样的胶层不是工艺所期望达到的。而大于1mm是因为实际使用的涂胶头304总是会具有一定口径的。涂胶头304的口径可以在3mm-10mm的范围内选取会比较适宜，这样流量不会太小，滴落后胶液的形状也能更接近环形带状。

根据前述内容，可以解决原来技术造成的“W”形貌在晶片中心O位置处的胶峰问题，但位于晶片边缘处的胶峰仍然存在。下面将通过图4介绍消除“W”形貌位于晶片边缘处的胶峰的方法，以最终获得胶层均匀性良好的晶片。

为了解决这一问题，需要先对晶片进行减薄处理，使晶片边缘处的第一胶层产生圆环形凹陷的形貌，具体来讲，减薄处理可以采用洗边工艺予以实现。图4中展示了晶片403在首次涂胶工序中涂敷了第一胶层404后，又经过减薄处理的工作示意图。晶片403由支撑基座401上的真空吸盘402固持，继续绕轴旋转。在晶片403靠近边缘位置处的上方，设置有洗边喷嘴405，洗边喷嘴405向第一胶层404喷射洗边液。洗边液可以是溶解性的，即能够溶解第一胶层404的胶液；也可以是反应性的，即能够与第一胶层404的胶液发生反应；总之，可以消耗掉一部分第一胶层404的胶液，改变第一胶层404的形貌。由于减薄处理需要改变第一胶层404的形貌，所以对洗边喷嘴405还是有一定技术要求的。其喷射速度宜控制在15ml/min-50ml/min，这样能够形成一定的冲击力，且不致打坏晶片403；另外，其喷出的洗边液的形状最好为细长条形的液柱，液柱的直径控制在0.2mm-0.5mm之间，这样产生的压强效果会比较理想。

具体来讲，由于洗边喷嘴405的冲洗，第一胶层404变得不均匀了，表现为：第一胶层404在晶片403边缘位置处形成了一圈圆环形凹陷，其深度为h，宽度为d。由此，第一胶层404在其他位置处的胶层厚度平整均一，而在圆环形凹陷位置处的胶层厚度要比其他位置处的胶层厚度薄。其中，圆环形凹陷的深度h和宽度d可以通过调节减薄处理的时间、以及洗边喷嘴405的位置和角度进行控制。

另外，尽管洗边工艺是半导体行业中已经存在的一种成熟，但在本发明中其作用有别于传统的洗边工艺。传统洗边工艺为一般的清洗手段，在晶片遍历过各种涉及到化学试剂的处理工艺后，通常都会进行洗边工艺的处理，以防止化学药剂残留在晶片边缘，对后续工艺造成污染；总之，其目的主要在于清洁晶片，细分可属于洗边清洁工艺。而在本发明中，洗边工艺的作用主要在于消耗掉部分第一胶层404的胶液，改变第一胶层404的形貌，为后续第一胶层404与第二胶层互补创造条件，而非单纯的出于清洁目的，因此可以将其细分为洗边减薄工艺。

洗边减薄完成后，接下来将进行再次涂胶工序，其涂胶过程与首次涂胶工艺相类似，同样需要经历偏心滴胶和甩胶的过程才能形成第二胶层。由于第一胶层经过减薄处理后，位于晶片边缘处圆环形凹陷的存在，原本会富余并堆积为“W”形貌位于晶片边缘处的胶峰，恰好填补了第一胶层的圆环形凹陷，第一胶层与第二胶层发生互补，从而第一胶层和第二胶层整体上最终形成了表面平坦、各处厚度均一的近乎水平面般的均匀性极佳的胶层形貌，进而实现了发明目的。

同时，在整个涂胶过程中，对晶片转速的控制也会影响到涂胶效果。具体可采用下列参考范围：

首次涂胶工序和再次涂胶工序中都包括了涂胶过程和甩胶过程，由于涂胶的过程基本相同，所以这两个过程在两道工序之中可以选用的参考范围也相同，即在涂胶过程中，晶片的转速控制在20RPM—300RPM之间；而在甩胶过程中，有必要将晶片的转速提高至100RPM—7000RPM，以获得更大的离心力。另外，在减薄处理过程中国，晶片的转速可以控制在300RPM—1500RPM之间。转速的控制与选用的胶液类型有关，应当根据具体情况进行判断和选择。

进一步地，由于半导体工艺技术密集程度很高，通常都要求自动化，所以本发明涂胶方法的实施通常会利用带有计算机的涂胶设备来实现。

下面将对本发明的具体实施方式进行阐述：

图5-7展示了本发明第一具体实施方式在各工序阶段的工作示意图。涂胶过程需要遍历首次涂胶工序、减薄处理和再次涂胶工序。其中，图5的(a)图和(b)图展示了首次涂胶工序中涂胶头504喷出的胶液形成第一胶层507的过程。

该实施方式中所使用的胶液更具体的说，是光刻胶505。涂胶开始时，先将涂胶头504移动的相应位置，调整好涂胶头504距离晶片503的高度H以及其与中心O的水平距离r1，使H＝5mm，r1＝25mm；另外，所选取的涂胶头504的口径为X，X＝3mm。然后开动涂胶设备，使晶片503绕轴506以20RPM的转速旋转，并开始滴胶。随着涂胶过程的进行，晶片503表面的光刻胶505呈现出中间厚、两边薄的环形带状的形貌，同时，由于晶片503旋转产生的离心力逐渐将环形带状的光刻胶505摊平为圆形，并覆盖整个晶片503的表面。当晶片503已经覆盖了足够多的光刻胶505后，停止涂胶过程。之后，加速旋转晶片503，使其转速达到100RPM以甩去多余的光刻胶505并形成如(b)图所示的第一胶层507，此时晶片503上的第一胶层507除边缘位置处偏厚外，其他各处厚度均匀。

接下来进入减薄处理阶段，如图6中的(a)图和(b)图所示。洗边减薄过程由洗边喷嘴508向第一胶层507的边缘喷射洗边液来完成。所喷射的洗边液能够与光刻胶505发生反应，从而消耗掉边缘位置处的光刻胶505，并形成一圈圆环形凹陷的形貌。圆环形凹陷形貌的深度和宽度分别为h和d，根据具体工艺要求来确定。该洗边喷嘴508的位置和角度是可调的，能够洗出符合标准的圆环形凹陷的形貌。洗边喷嘴的喷射速度为15ml/min，其喷出的洗边液的形状为细长条形的液柱，液柱的直径约0.2mm。洗边过程中，晶片503的转速控制在300RPM，洗边完成后晶片503上第一胶层507的形貌如图6的(b)图所示，可以看到，第一胶层507的边缘存在圆环形凹陷，而其他各处的胶层厚度已经非常均匀。

图7为洗边减薄工艺结束后，进行再次涂胶工序的工作示意图。其过程与首次涂胶工序基本相同。涂胶开始时，需要将涂胶头504移动至相应位置，调节涂胶头504距离晶片503的高度H至H＝5mm位置处，控制涂胶头504与晶片503的中心O之间的水平距离r2＝20mm，可以看到r2≠r1；位置确定后，涂胶头504滴下光刻胶509，晶片503开始旋转。涂胶过程中，同样控制晶片503的转速在20RPM左右。待涂胶过程结束后，增大晶片503的旋转速度至100RPM以完成甩胶过程。甩胶完成后，可以获得如图7中(b)图所示的第二胶层510，该胶层的形貌非常平整，没有凸起或凹陷，近乎水平面。洗边后的第一胶层508和第二胶层510完美互补，第一胶层508和第二胶层510整体上构成的胶层表面平整、胶层各处的厚度均一，从而实现了发明目的。

下面将介绍本发明的第二具体实施方式，由于第二具体实施方式与第一具体实施方式所遍历的工序基本相同，其区别主要在于所选取的工艺参数不同，所以不再附图赘述工艺流程。具体如下：

第二具体实施方式中晶片同样需要经历首次涂胶工序和再次涂胶工序，其中首次涂胶工序包括涂胶过程和甩胶过程，再次涂胶工序中也包括涂胶过程和甩胶过程。另外，在首次涂胶工序完成之后、进行再次涂胶工序之前，还需要对首次涂胶工序中所形成的第一胶层进行减薄处理，以形成圆环形凹陷形貌。涂胶过程中，所使用的涂胶头的口径为X＝10mm，首次涂胶工序和再次涂胶工序中，涂胶头所在的位置不变，其距离晶片的高度控制在H＝30mm，其与晶片中心O的水平距离为r1＝r2＝50mm。

而在减薄处理过程中，形成的圆环形凹陷的深度为h，宽度为d，h和d可以通过调节洗边喷嘴的位置和角度来控制。洗边所使用的洗边喷嘴的喷射速度为50ml/min，其形成的液柱的直径为0.5mm。

另外，对于晶片转速的控制如下：

首次涂胶工序中，涂胶过程的转速为300RPM，甩胶过程的转速为7000RPM；

减薄处理中：晶片的转速控制在1500RPM；

再次涂胶工序中：涂胶过程的转速为200RPM，甩胶过程的转速为5000RPM。

晶片在经过上述涂敷工艺之后，能够形成表面平整、各处厚度均一的胶层，消除传统涂胶过程完成后所形成的“W”形貌，从而实现发明目的。

采用本发明对晶片进行涂胶的所获得的结果是喜人的，发明人及申请人为此付出的艰辛和努力不容忽视，知识产权理应受到保护。因此，上述除权利要求之外的内容绝不应当视为对本发明保护范围的限制，而应将本发明的保护范围划界在权利要求书所能延伸或触及到的最大限度之内，给予最最充分的权利保障。

Claims (11)

1.一种半导体晶片的涂胶方法，采用晶片旋转的方式，由涂胶头向晶片表面涂敷胶液，其特征在于，包括：

首次涂胶工序，在所述首次涂胶工序中，所述涂胶头偏离所述晶片的中心O，所述涂胶头与所述晶片的中心O之间的水平距离为r1，所述r1为定值且小于所述晶片的半径R，所述涂胶头在所述晶片表面涂敷形成第一胶层；

再次涂胶工序，在所述再次涂胶工序中，所述涂胶头偏离所述晶片的中心O，所述涂胶头与所述晶片的中心O之间的水平距离为r2，所述r2为定值且小于所述晶片的半径R，所述涂胶头在所述第一胶层表面涂敷形成第二胶层；

其中，所述第一胶层的胶液和所述第二胶层的胶液通过所述晶片的旋转作用摊开并铺满晶片表面。

2.根据权利要求1所述的涂胶方法，其特征在于，在所述首次涂胶工序和所述再次涂胶工序之间，对所述第一胶层进行减薄处理，所述第一胶层在经过所述减薄处理后在晶片边缘形成圆环形凹陷的形貌，所述第一胶层在晶片边缘位置处的厚度比其他位置处的厚度薄。

3.根据权利要求2所述的涂胶方法，其特征在于，所述第二胶层在晶片边缘位置处的厚度比其他位置处的厚度厚，所述第二胶层与所述第一胶层互补，所述第二胶层的表面为平整均一的水平面。

4.根据权利要求2所述的涂胶方法，其特征在于，所述减薄处理通过使用洗边喷嘴向所述第一胶层喷射洗边液的洗边工艺来实现，所述洗边液溶解所述第一胶层的胶液或与所述第一胶层的胶液发生化学反应从而形成所述第一胶层的圆环形凹陷的形貌。

5.根据权利要求1所述的涂胶方法，其特征在于，所述涂胶头涂敷至晶片表面的、作为第一胶层的胶液的形状由中间厚、两边薄的环形带状扩散并摊平为圆形；所述涂胶头涂敷至第一胶层表面的、作为第二胶层的胶液的形状由中间厚、两边薄的环形带状扩散并摊平为圆形。

6.根据权利要求5所述的涂胶方法，其特征在于，所述r1的范围为1mm≤r1≤50mm，所述r2的范围为1mm≤r2≤50mm，所述r1和r2的大小由所述胶液的粘度、所述涂胶头的出胶流速以及所述晶片的转速决定，以保证所述胶液的形状由中间厚、两边薄的环形带状扩散并摊平为圆形。

7.根据权利要求1所述的涂胶方法，其特征在于，所述涂胶头的口径为X，所述X的范围为3mm≤X≤10mm；所述涂胶头与所述晶片的垂直距离为H，所述H的范围为5mm≤H≤30mm。

8.根据权利要求4所述的涂胶方法，其特征在于，所述洗边喷嘴的喷射速度为15ml/min—50ml/min，所述洗边喷嘴喷射出的洗边液的形状为细长条形的液柱，所述液柱的直径为0.2mm—0.5mm。

9.根据权利要求1所述的涂胶方法，其特征在于，所述首次涂胶工序进一步包括涂胶过程和甩胶过程；在所述涂胶过程中，所述晶片的转速为20RPM—300RPM；在所述甩胶过程中，所述晶片的转速为100RPM—7000RPM。

10.根据权利要求1所述的涂胶方法，其特征在于，所述再次涂胶工序进一步包括涂胶过程和甩胶过程；在所述涂胶过程中，所述晶片的转速为20RPM—300RPM；在所述甩胶过程中，所述晶片的转速为100RPM—7000RPM。

11.根据权利要求2所述的涂胶方法，其特征在于，在所述减薄处理的过程中，所述晶片的转速为300RPM—1500RPM。