CN105428530B - 一种电阻开关性能可通过力学载荷调控的plt薄膜及其制备方法 - Google Patents
一种电阻开关性能可通过力学载荷调控的plt薄膜及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN105428530B CN105428530B CN201510953051.0A CN201510953051A CN105428530B CN 105428530 B CN105428530 B CN 105428530B CN 201510953051 A CN201510953051 A CN 201510953051A CN 105428530 B CN105428530 B CN 105428530B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- plt
- film
- solution
- films
- resistance switch
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000011068 loading method Methods 0.000 title abstract description 18
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title abstract description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 19
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims abstract description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 238000001914 filtration Methods 0.000 claims abstract description 6
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 229960000583 acetic acid Drugs 0.000 claims abstract description 5
- KQNKJJBFUFKYFX-UHFFFAOYSA-N acetic acid;trihydrate Chemical compound O.O.O.CC(O)=O KQNKJJBFUFKYFX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 239000012362 glacial acetic acid Substances 0.000 claims abstract description 5
- 229940046892 lead acetate Drugs 0.000 claims abstract description 5
- FPCJKVGGYOAWIZ-UHFFFAOYSA-N butan-1-ol;titanium Chemical compound [Ti].CCCCO.CCCCO.CCCCO.CCCCO FPCJKVGGYOAWIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 claims abstract description 4
- FYDKNKUEBJQCCN-UHFFFAOYSA-N lanthanum(3+);trinitrate Chemical compound [La+3].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O FYDKNKUEBJQCCN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- 238000003491 array Methods 0.000 claims abstract description 3
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 3
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 claims abstract description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims abstract description 3
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 41
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000003760 magnetic stirring Methods 0.000 claims description 8
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims description 6
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 4
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 claims description 3
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 claims description 3
- 230000018044 dehydration Effects 0.000 claims description 3
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 claims description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 3
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 2
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 2
- 238000003756 stirring Methods 0.000 claims description 2
- 230000032683 aging Effects 0.000 claims 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 abstract description 3
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 description 14
- 230000008569 process Effects 0.000 description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 7
- 238000011160 research Methods 0.000 description 3
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 3
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 3
- 240000002853 Nelumbo nucifera Species 0.000 description 2
- 235000006508 Nelumbo nucifera Nutrition 0.000 description 2
- 235000006510 Nelumbo pentapetala Nutrition 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 2
- 230000005621 ferroelectricity Effects 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 229910002902 BiFeO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002370 SrTiO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- RLDBHKUGRPXFBF-UHFFFAOYSA-N lanthanum;hydrate Chemical compound O.[La] RLDBHKUGRPXFBF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000035772 mutation Effects 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910000314 transition metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
- H10N70/881—Switching materials
- H10N70/883—Oxides or nitrides
- H10N70/8836—Complex metal oxides, e.g. perovskites, spinels
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/011—Manufacture or treatment of multistable switching devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/011—Manufacture or treatment of multistable switching devices
- H10N70/021—Formation of switching materials, e.g. deposition of layers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
Abstract
本发明公开了一种电阻开关性能可通过力学载荷调控的PLT薄膜及其制备方法。PLT薄膜其结构式如下所示：Pb1‑x La x Ti1‑x/4O3，x=2%。制备方法包括如下步骤：（1）清洗Pt(200nm)\Ti(50nm)\SiO2(500nm)\Si衬底；（2）取三水合醋酸铅溶于冰醋酸中，加入钛酸四丁酯得到溶液1；取硝酸镧溶于乙二醇甲醚中，搅拌均匀冷却得到溶液2；将溶液1加入溶液2中得到前驱体；（3）前驱体通过0.22μm的过滤头过滤后滴到400r/min转速下转动的衬底上；（4）将湿膜样品放置于管式炉中，预烧，除去有机溶剂；（5）重复步骤3、4得到薄膜；（6）在PLT薄膜上放置多孔掩模板，使用电子束蒸发系统在薄膜上制备得到厚度为20nm的Pt顶电极阵列。本发明的原料简单，PLT薄膜结晶性良好，表面致密平整，具有良好的电阻开关性能。
Description
技术领域
本发明涉及电阻开关技术领域，具体地说，涉及一种电阻开关性能可通过力学载荷调控的PLT薄膜及其制备方法。
背景技术
随着信息产生的发展，电子产品的性能与集成度在不断地提高。由于产品功能的复杂化，需要不断地提高存储密度。因而，有必要研究体积小、耗能低、容量大、速度快以及性能可调的存储器件。在存储器中，阻变存储器具有非挥发性、结构简单、能耗低、擦写速度快等优点，使其得到了广泛的关注与研究。阻变存储器的存储原理基于电阻开关效应，即通过施加电压，材料的电阻可以在高阻态和低阻态之间转换。材料的电阻从高阻态转换到低阻态的过程称为Set过程，其电阻跳变时对应的电压为Set电压；材料的电阻从低阻态转换到高阻态的过程称为Reset过程，其电阻跳变时对应的电压为Reset电压。目前已经报道了很多种类的阻变材料，其中钙钛矿结构材料（如：SrTiO3、BiFeO3等）和过渡金属氧化物材料（如：TiO2、ZnO）的研究最为广泛。
对于钙钛矿结构材料，其结构通式为ABX3，其中A和B为金属，X一般为氧或卤族元素。研究发现，许多钙钛矿结构材料中存在电阻开关现象。此外，钙钛矿结构材料可能还具有铁电、压电、挠曲电等效应。钙钛矿结构具有如此丰富的性能，也增加了钙钛矿材料性能的控制手段，如：电场、力学加载等。研究表明，在化学成份相近的Pb1-x La x Ti1-x/4O3（x=0.05）钙钛矿薄膜中具有铁电性、压电性及电阻开关等特性，但其电阻开关特性并不十分稳定。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术的不足，提供一种结晶良好、质密度高的PLT薄膜及其制备方法，该发明采用的原料简单，操作方便，薄膜结晶良好，薄膜具有良好的电阻开关性能，并且可通过力学加载对薄膜的电阻开关性能进行调控。
本发明通过以下技术方案实现：
一种PLT薄膜，其结构式如下所示：
Pb1-x La x Ti1-x/4O3，x=2%。
上述PLT薄膜的溶胶-凝胶旋涂制备方法，包括如下步骤：
（1）清洗Pt(200nm)\Ti(50nm)\ SiO2(500nm)\Si衬底：将衬底放置于丙酮：异丙醇：去离子水体积比为1：1：1的混合液中，超声清洗；再用去离子水超声清洗；用高纯氮气吹干衬底；
（2）取三水合醋酸铅溶于冰醋酸中，磁力搅拌器上110℃恒温搅拌至原料脱水；冷却后缓慢加入钛酸四丁酯，在磁力搅拌器上搅拌均匀得到溶液1；取硝酸镧溶于乙二醇甲醚中，磁力搅拌器上60℃恒温搅拌均匀并冷却得到溶液2；将溶液1缓慢加入溶液2中，充分搅拌并陈化24h得到前驱体；
（3）将清洗好的衬底放置于匀胶机吸盘上并吸片，前驱体通过0.22μm的过滤头过滤后滴到400r/min转速下转动的衬底上，而后转速增至4000r/min保持30s；
（4）将通过步骤3制备的湿膜样品放置于管式炉中，在400℃下预烧5min，除去其中的有机溶剂；
（5）重复步骤3、4可制备得到所需厚度的薄膜，将薄膜放置于管式炉中，在700℃以及大气氛围下退火1h，以使薄膜结晶，而后随炉冷却至室温；
（6）在PLT薄膜上放置多孔掩模板，使用电子束蒸发系统在薄膜上制备得到厚度为20nm的Pt顶电极阵列。
在上述制备过程中，衬底清洗、前驱体制备、匀胶、预烧和退火均在万级洁净间中完成，温度为23.5℃，湿度不超过60%。
与现有技术相比，本发明具有如下有益效果：
1、本发明采用三水合醋酸铅、水合硝酸镧、钛酸四丁酯作原料，乙二醇甲醚为溶剂，冰醋酸为催化剂，原料简单。
2、本发明制备得到的PLT薄膜结晶性良好，表面致密平整。
3、本发明制备得到的PLT薄膜具有良好的电阻开关性能。在无力学加载的测试中，Set过程主要分布在13~15V的电压区间内，Reset过程主要分布在-0.7~-1.3V的电压区间内，Set及Reset电压范围小且电阻开关过程稳定。
4、本发明制备得到的PLT薄膜可通过力学加载对薄膜的电阻开关特性进行调控。在应力载荷为0.04N的条件下，Set电压整体明显减小，Reset电压整体亦有少许减小，Set过程主要分布在1~5V的电压区间内，Reset过程主要分布在-0.5~-1V的电压区间内；当应力载荷增加至0.08N，Set与Reset电压进一步减小，尤其是Set电压，主要分布区间减小到0.9~1.7V。
附图说明
图1为本发明所得PLT薄膜的XRD图谱。
图2为本发明所得PLT薄膜的SEM（a）表面形貌图，（b）断面形貌图。
图3为本发明所得PLT薄膜不同应力载荷下20次测试结果的电阻开关I-V曲线。（a）0N，（b）0.04N，（c）0.08N。
图4为本发明所得PLT薄膜不同应力载荷下20次测试结果的Set与Reset电压分布。（a）0N，（b）0.04N，（c）0.08N。
具体实施方式
实施例1：
1）将衬底放置于丙酮、异丙醇、去离子水各10ml（体积比丙酮：异丙醇：去离子水为1：1：1）的混合液中，超声清洗5分钟；再用去离子水超声清洗1分钟；用高纯氮气吹干衬底。
2）取5mmol三水合醋酸铅溶于10ml冰醋酸中，磁力搅拌器上110℃恒温搅拌至原料脱水。冷却后缓慢加入5mmol钛酸四丁酯，搅拌至第一种溶液均匀。
3）取0.1mmol硝酸镧溶于10ml乙二醇甲醚中，磁力搅拌器上60℃恒温搅拌至第二种溶液均匀并冷却。
4）将第一种溶液缓慢加入第二种溶液中，充分搅拌并陈化24h得到前驱体。
5）用2ml注射器吸入前驱体，并在注射器头部安上0.22μm的过滤头。
6）将步骤1所得的衬底旋转于匀胶机上并吸片，前驱体通过过滤头过滤后滴到400r/min转速下转动的衬底上分散均匀。
7）转速以2000r/(min·s)的加速度加速至4000r/min，保持30s。
8）将步骤7所得的湿膜样品在400℃下预烧5min以使有机溶剂挥发。
9）重复步骤6、7、8数次以制备得到所需厚度的薄膜。
10）将薄膜样品放置于电子束蒸发样品托上，在样品上放置具有多孔结构（孔洞直径0.3mm，行列间距1mm）的掩模板，使用压片将掩模板连同样品压紧。将样品托安装至电子束蒸发系统，调整参数在薄膜样品上蒸镀20nm的Pt电极。
11）将样品放置于测试台上，一个探针与衬底上的Pt底电极接触，另一探针与薄膜上的Pt顶电极接触。且与顶电极接触的探针与应力传感器连接，可以调整探针的高度对样品施加不同大小的应力载荷，并且应力载荷的大小可以通过应力传感器探测到。
12）两条探针的另外一端与半导体特性分析系统Keithley 4200相应的端口连接，从而形成回路，可以通过半导体特性分析仪Keithley 4200在底电极与顶电极间施加电压并测量得到电流。
13）设置一个大的正向电压扫描范围，以0.05V的步长进行电压扫描，限制电流为10-4A。运行过程中，测量电流值有个大的突变时停止测量程序。
14）设置一个小的反向电压扫描范围，以0.05V的步长进行电压扫描，限制电流为0.01A。运行过程中，测量电流值从一个很大的值跳变到很小后停止测量程序。
15）重复13、14多次后薄膜的电阻开关特性相对稳定后，设定一个合适的Set电压和Reset电压，进行电阻开关循环测试。
16）改变薄膜的应力载荷，进行相应的电阻开关测试。图1为本发明所得PLT薄膜的XRD图谱；从XRD图谱可以得到，除衬底峰后仅有PLT的衍射峰，表明本发明制备得到了纯相PLT薄膜；尖锐的XRD衍射峰表明薄膜结晶性良好。
图2为本发明所得PLT薄膜的SEM（a）表面形貌图，（b）断面形貌图；从SEM表面形貌图可以看到制备得到的PLT薄膜晶粒平均尺寸约为70nm，表面致密平整；断面形貌图表面PLT薄膜的厚度约为400nm。
图3为本发明所得PLT薄膜不同应力载荷下20次测试结果的电阻开关I-V曲线。（a）0N，（b）0.04N，（c）0.08N。图4为本发明所得PLT薄膜不同应力载荷下20次测试结果的Set与Reset电压分布。（a）0N，（b）0.04N，（c）0.08N。从附图可知，在应力载荷为0.04N的条件下，Set电压整体明显减小，Reset电压整体亦有少许减小，Set过程主要分布在1~5V的电压区间内，Reset过程主要分布在-0.5~-1V的电压区间内；当应力载荷增加至0.08N，Set与Reset电压进一步减小，尤其是Set电压，主要分布区间减小到0.9~1.7V。本发明制备得到的PLT薄膜具有良好的电阻开关性能，且其电阻开关性能可通过力学加载进行调控。
Claims (1)
1.一种PLT薄膜的溶胶-凝胶旋涂制备方法，其特征在于包括如下步骤：
（1）清洗Pt(200nm)\Ti(50nm)\ SiO2(500nm)\Si衬底：将衬底放置于丙酮：异丙醇：去离子水体积比为1：1：1的混合液中，超声清洗；再用去离子水超声清洗；用高纯氮气吹干衬底；
（2）取三水合醋酸铅溶于冰醋酸中，磁力搅拌器上110℃恒温搅拌至原料脱水；冷却后缓慢加入钛酸四丁酯，在磁力搅拌器上搅拌均匀得到溶液1；取硝酸镧溶于乙二醇甲醚中，磁力搅拌器上60℃恒温搅拌均匀并冷却得到溶液2；将溶液1缓慢加入溶液2中，充分搅拌并陈化24h得到前驱体；
（3）将清洗好的衬底放置于匀胶机吸盘上并吸片，前驱体通过0.22μm的过滤头过滤后滴到400r/min转速下转动的衬底上，而后转速增至4000r/min保持30s；
（4）将通过步骤3制备的湿膜样品放置于管式炉中，在400℃下预烧5min，除去其中的有机溶剂；
（5）重复步骤3、4可制备得到所需厚度的薄膜，将薄膜放置于管式炉中，在700℃以及大气氛围下退火1h，以使薄膜结晶，而后随炉冷却至室温；
（6）在PLT薄膜上放置多孔掩模板，使用电子束蒸发系统在薄膜上制备得到厚度为20nm的Pt顶电极阵列；
所述PLT薄膜为Pb1-x La x Ti1-x/4O3，x=2%。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201510953051.0A CN105428530B (zh) | 2015-12-17 | 2015-12-17 | 一种电阻开关性能可通过力学载荷调控的plt薄膜及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201510953051.0A CN105428530B (zh) | 2015-12-17 | 2015-12-17 | 一种电阻开关性能可通过力学载荷调控的plt薄膜及其制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN105428530A CN105428530A (zh) | 2016-03-23 |
| CN105428530B true CN105428530B (zh) | 2018-07-03 |
Family
ID=55506580
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201510953051.0A Active CN105428530B (zh) | 2015-12-17 | 2015-12-17 | 一种电阻开关性能可通过力学载荷调控的plt薄膜及其制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN105428530B (zh) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4511483A (en) * | 1980-09-05 | 1985-04-16 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Piezoelectric ceramic compositions |
| CN1111388A (zh) * | 1993-12-01 | 1995-11-08 | 松下电器产业株式会社 | 强电介质薄膜及其制造方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2343268B1 (en) * | 2008-05-28 | 2018-02-21 | Mitsubishi Materials Corporation | Composition for ferroelectric thin film formation, method for forming ferroelectric thin film, and ferroelectric thin film formed by the method thereof |
-
2015
- 2015-12-17 CN CN201510953051.0A patent/CN105428530B/zh active Active
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4511483A (en) * | 1980-09-05 | 1985-04-16 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Piezoelectric ceramic compositions |
| CN1111388A (zh) * | 1993-12-01 | 1995-11-08 | 松下电器产业株式会社 | 强电介质薄膜及其制造方法 |
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| Raman spectroscopy and X-ray diffraction study of sol–gel derived (Pb1-x Lax)Ti1-x/4O3 thin films on Si substrates;Di Wu, et al.;《Thin Solid Films》;19980608;第322卷;page 323-328 * |
| YingWang，et al..Highly reliable bipolar resistive switching in sol-gel derived lanthanum-doped PbTiO3 thin film: Coupling with ferroelectricity?.《Acta Mechanica Sinica》.2014,第30卷(第4期),page 526–532. * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN105428530A (zh) | 2016-03-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN102787356B (zh) | 铁电薄膜的制造方法 | |
| CN107732008B (zh) | 一种油酸钝化有机无机杂化钙钛矿阻变存储器及制备方法 | |
| CN108539012B (zh) | 一种全无机钙钛矿阻变存储器及其制备方法 | |
| CN103708828B (zh) | 一种钛酸铋钠-钛酸钡无铅复合压电厚膜的制备方法 | |
| CN109942022B (zh) | 一维金属掺杂的钙钛矿型铌酸盐压电材料及其制备方法和柔性压电薄膜及其应用 | |
| CN109987931B (zh) | B位掺杂铋铁氧体固溶体薄膜及其制备方法和应用 | |
| CN102584221A (zh) | 一种具有高击穿场强的反铁电厚膜及制备方法 | |
| TWI669839B (zh) | 摻雜Ｍｎ及Ｎｂ之ＰＺＴ系壓電體膜形成用組成物 | |
| CN1790569A (zh) | 电介质薄膜、薄膜电介质元件及其制造方法 | |
| EP2767613B1 (en) | LaNiO3 thin film-forming composition and method of forming LaNiO3 thin film using the same | |
| CN105428530B (zh) | 一种电阻开关性能可通过力学载荷调控的plt薄膜及其制备方法 | |
| CN107910030A (zh) | 一种柔性bnt铁电薄膜的制备方法 | |
| CN105568265B (zh) | 高掺杂BaTiO3:Fe多铁薄膜材料及其制备方法 | |
| CN100424878C (zh) | 铁电存储器用铁电薄膜电容及其制备方法 | |
| CN103187527B (zh) | 一种Ce掺杂Bi4-xCexTi3O12电致阻变薄膜及其阻变电容的制备方法 | |
| CN101891468A (zh) | 一种铁电溶液及其薄膜电容制备的方法 | |
| CN111704162B (zh) | 具有超高储能性能的焦绿石纳米晶电介质薄膜及其制备 | |
| CN109545962A (zh) | 一种环境友好型Bi基钙钛矿阻变存储器及其制备方法 | |
| CN114883480A (zh) | 一种钛酸铋系列铁电薄膜的制备方法 | |
| RU186911U1 (ru) | ПОРИСТЫЙ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ КОНДЕНСАТОР С ЭЛЕКТРОДАМИ ИЗ LaNiO3 | |
| Debnath et al. | Fabrication and characterization of metal-ferroelectric-semiconductor non-volatile memory using BaTiO 3 film prepared through sol–gel process | |
| Zhu et al. | Ferroelectricity and Piezoelectricity of Na0. 5Bi0. 5TiO3 Nanotube Arrays: Implications for Functional Electronic Devices | |
| CN102174697B (zh) | 一种在金属镍基片上生长氧化物铁电薄膜的方法 | |
| CN103217458A (zh) | 一种湿度敏感薄膜的制备方法 | |
| CN115579424B (zh) | 一种柔性铁酸铋薄膜的制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |