CN105428208B - 半导体结构及其形成方法、半导体结构的处理方法 - Google Patents

Abstract

一种半导体结构及其形成方法、半导体结构的处理方法，所述半导体结构的形成方法包括：提供晶圆，所述晶圆具有第一表面、与所述第一表面相对的第二表面；在所述晶圆的第一表面形成器件薄膜；从所述晶圆的第二表面对晶圆进行减薄，减薄后的晶圆包括第一区域和第二区域，所述第一区域沿长度方向的对称轴为晶圆的直径，且第一区域的长度为晶圆的直径长度，所述第二区域位于第一区域两侧；在减薄后的晶圆的第二表面上形成图像化掩膜层，所述图形化掩膜层覆盖第一区域，并暴露出部分第二区域的表面；以所述图形化掩膜层为掩膜，刻蚀所述晶圆，在所述第二区域内形成若干凹槽，所述凹槽底部暴露出部分器件薄膜。上述方法可以减少晶圆发生破片。

Description

半导体结构及其形成方法、半导体结构的处理方法

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种半导体结构及其形成方法、处理方法。

背景技术

微机电系统(micro-electron-mechanical system，MEMS)作为起源于上世纪90年代的跨学科的先进制造技术，广泛应用于改善人们生活质量、提高人们生活水平和增强国力。微机电系统是利用半导体集成电路的微细加工技术，将传感器、制动器、控制电路等集成在微小芯片上的技术，也被称为微纳米技术。目前，在通信、汽车、光学、生物等领域获得了广泛的应用。在MEMS器件中，相当多的构件以厚度几微米到几百微米的薄膜形式存在。

硅基MEMS工艺与现代集成电路的制作工艺兼容，是一种主流的MEMS制作工艺。通常是在硅衬底上形成MEMS薄膜，所述MEMS薄膜内包含各种MEMS器件。

在一些特殊的MEMS器件中，MEMS器件需要形成在较薄的晶圆上，一般是在普通硅片表面形成MEMS薄膜之后，对晶圆进行减薄，晶圆减薄后容易在外力下发生形变甚至破裂，产生破片。并且，一些MEMS器件还需要在减薄后的晶圆上进行刻蚀形成通孔或凹槽，使得晶圆更加柔软容易碎裂。尤其在后续的湿法工艺中，在溶液的流动作用下，晶圆受到溶液的流动冲击作用发生倾倒等问题，特别容易形成破片，导致形成的MEMS器件报废，造成产率下降、成本损耗。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种半导体结构及其形成方法和半导体结构的处理方法，防止晶圆发生破片。

为解决上述问题，本发明提供一种提供晶圆，所述晶圆具有第一表面、与所述第一表面相对的第二表面；在所述晶圆的第一表面形成器件薄膜；从所述晶圆的第二表面对晶圆进行减薄，减薄后的晶圆包括第一区域和第二区域，所述第一区域沿长度方向的对称轴为晶圆的直径，且第一区域的长度为晶圆的直径长度，所述第二区域位于第一区域两侧；在减薄后的晶圆的第二表面上形成图像化掩膜层，所述图形化掩膜层覆盖第一区域，并暴露出部分第二区域的表面；以所述图形化掩膜层为掩膜，刻蚀所述晶圆，在所述第二区域内形成若干凹槽，所述凹槽底部暴露出部分器件薄膜。

可选的，所述第一区域的宽度为3mm～5mm。

可选的，减薄后晶圆的厚度为300μm～400μm。

可选的，所述器件薄膜为单层结构或多层堆叠结构。

可选的，所述器件薄膜为微机电薄膜，所述微机电薄膜内具有微机电器件。

可选的，所述微机电器件为麦克风、压力传感器或震动传感器。

可选的，所述晶圆上具有对准标记，所述第一区域的长度方向的对称轴为所述对准标记与晶圆圆心所在的直径。

可选的，采用深反应离子刻蚀工艺形成所述凹槽。

可选的，所述凹槽的间距为80μm～200μm。

为解决上述问题，本发明的实施例还提供一种采用上述方法形成的半导体结构，包括：减薄后晶圆，所述减薄后晶圆具有第一表面、与所述第一表面相对的第二表面，且所述减薄后晶圆包括第一区域和第二区域，所述第一区域沿长度方向的对称轴为减薄后晶圆的直径，且第二区域的长度为减薄后晶圆的直径长度，所述第二区域位于第一区域两侧；位于所述减薄后晶圆的第一表面上的器件薄膜；位于减薄后晶圆的第二表面一侧的第二区域内的若干凹槽，所述凹槽暴露出部分器件薄膜的表面。

可选的，所述第一区域的宽度为3mm～5mm。

可选的，减薄后晶圆的厚度为300μm～400μm。

可选的，所述器件薄膜为单层结构或多层堆叠结构。

可选的，所述器件薄膜为微机电薄膜，所述微机电薄膜内具有微机电器件。

可选的，所述微机电器件为麦克风、压力传感器或震动传感器。

可选的，所述减薄后晶圆上具有对准标记，所述第一区域的长度方向的对称轴为所述对准标记与晶圆圆心所在的直径。

本发明的技术方案还提供一种上述半导体结构的处理方法，包括：提供若干上述半导体结构；提供湿法处理槽，所述湿法处理槽内具有湿法处理溶液；提供晶圆引导架，所述晶圆引导架上具有若干平行排列的引导槽；将所述若干半导体结构分别至于所述晶圆引导架的引导槽内，使晶圆表面与晶圆引导架垂直；将所述晶圆引导架连同半导体结构浸没于所述湿法处理槽内的湿法处理溶液内，进行湿法处理。

可选的，所述晶圆引导架的引导槽宽度大于所述半导体结构垂直于晶圆表面方向的厚度。

可选的，所述半导体结构的减薄后晶圆的第一区域的长度方向与所述晶圆引导架垂直。

可选的，所述湿法处理槽内的湿法处理溶液处于流动状态。

与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下优点：

本发明的技术方案中，在形成所述半导体结构的过程中，在晶圆的第一表面形成器件薄膜之后，对晶圆第二表面进行减薄，使晶圆厚度减小；减薄后的晶圆包括第一区域和第二区域，所述第一区域沿长度方向的对称轴为晶圆的直径，且第一区域的长度为晶圆的直径长度，所述第二区域位于第一区域两侧；对晶圆的第二表面进行刻蚀，仅在第二区域上形成凹槽。由于第二区域上形成凹槽，使得晶圆的第二区域的硬度变弱，但是由于所述第二区域之间的第一区域上未形成所述凹槽，所述第一区域的强度大于第二区域的强度，所述第一区域可以作为形成凹槽之后的晶圆的支撑梁，起到支撑作用，与现有技术在整个晶圆上形成凹槽相比，使得所述晶圆的强度得到提高。可以减少晶圆破片的发生。

进一步的，所述第一区域的宽度为3mm～5mm，所述宽度既能够使第一区域具有足够的强度支撑晶圆，又使得第一区域仅占据较少的晶圆面积，避免对晶圆上形成的器件的数量造成较大影响。

进一步的，晶圆上具有对准标记，所述第一区域的长度方向的对称轴为所述对准标记与晶圆圆心所在的直径，机台可以通过所述对准标记获得第一区域的位置和方向。

本发明的技术方案提供的一种半导体结构，所述半导体结构包括减薄后晶圆，所述减薄后晶圆包括第一区域和第二区域，所述第一区域沿长度方向的对称轴为减薄后晶圆的直径，且第二区域的长度为减薄后晶圆的直径长度，所述第二区域位于第一区域两侧；位于所述减薄后晶圆的第一表面上的器件薄膜；位于第二区域内的若干凹槽。所述凹槽使得第二区域的硬度变弱，但是由于所述第二区域之间的第一区域上没有所述凹槽，所述第一区域的强度大于第二区域的强度，所述第一区域可以作为形成凹槽之后的支撑梁，起到支撑作用，使得所述减薄后晶圆的强度得到提高，防止晶圆发生破片。

本发明的技术方案还提供一种半导体结构的处理方法，将若干半导体结构垂直置于晶圆引导架上，并置于湿法处理槽内进行湿法处理。由于半导体结构的晶圆的第一区域的硬度较大，且所述第一区域位于晶圆的对阵轴位置，对整个晶圆起到支撑作用，从而可以减少半导体结构在湿法处理的过程中发生破片的现象。

进一步的，由于晶圆容易在垂直晶圆引导架的方向上发生断裂，在进行处理的过程中，所述半导体结构的晶圆的第一区域的长度方向可以与所述晶圆引导架垂直，从而可以在垂直于晶圆引导架的方向上方向支撑所述半导体结构，防止在湿法处理过程中，发生平破片现象。

附图说明

图1是本发明的一个实施例的半导体结构的俯视示意图；

图2是本发明的晶圆未减薄之前置于晶圆引导架的引导槽内的示意图；

图3是本发明的减薄后的晶圆置于晶圆引导架的引导槽内发生倾斜的示意图；

图4至图11是本发明的实施例的半导体结构的形成过程的结构示意图；

图12至图14是本发明的实施例的半导体结构的处理过程的结构示意图。

具体实施方式

如背景技术中所述，形成有MEMS薄膜的薄晶圆在湿法处理过程中很容易发生破片。

研究发现，在湿法处理过程中，通常将晶圆垂直放置在晶圆放置架上，便于同时对多片晶圆进行处理。所述晶圆引导架上具有多个引导槽，所述凹槽的厚度通常与晶圆厚度较为接近，晶圆垂直置于所述引导槽内，位置固定(请参考图2)，能够保持垂直状态。但是对形成有MEMS薄膜的晶圆进行减薄之后，晶圆厚度下降较多，后续在进行湿法处时，减薄后晶圆的厚度与凹槽的尺寸相差较大，使得晶圆在晶圆引导架上位置无法固定，容易发生倾斜(请参考图3)，并且，一片晶圆倾斜后容易影响到其两侧的晶圆，使得其他位置处的晶圆也发生倾斜，且占据相邻晶圆的位置。

更进一步的，在一些MEMS器件制作过程中，需要对减薄后的晶圆进行进一步的刻蚀，在晶圆上形成大量的凹槽。请参考图1，在晶圆10上形成大量凹槽11后的示意图。由于减薄后的晶圆本身就很薄，易于发生变形，在减薄后的晶圆上再形成大量凹槽后，使晶圆变得更加柔软，像纸片一样，在湿法处理过程中，溶液流动或者冲洗过程中，使得晶圆受到冲击，更加易于产生破片，导致晶圆上的MEMS器件报废。

本发明的实施例中，通过对晶圆上的刻蚀图形的改变，使得晶圆在后续的工艺中不易发生破片。

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。

请参考图4，提供晶圆100，所述晶圆100具有第一表面101、与所述第一表面101相对的第二表面102。

所述晶圆100的第一表面用于形成器件，后续在所述晶圆100的第一表面上形成器件薄膜。图4为所述晶圆的剖面示意图。

请参考图5，在所述晶圆100的第一表面101上形成器件薄膜。

所述器件薄膜可以包括介质层，以及位于所述介质层内的半导体器件。

所述器件薄膜可以是单层结构也可以是多层堆叠结构。本实施例中，所述器件薄膜包括第一器件薄膜200和位于所述第一器件薄膜表面的第二器件薄膜300。在本发明的其他实施例中，所述器件薄膜可以包括三层或三层以上的结构。

所述器件薄膜可以是微机电薄膜，所述微机电薄膜内具有微机电器件。所述微机电器件可以是麦克风、压力传感器或震动传感器等MEMS器件。上述MEMS器件需要通过器件震动实现对信号的传感。在本发明的其他实施例中，所述器件薄膜内还可以形成有其他半导体器件，例如晶体管，金属互连结构等。

请参考图6和图7，从所述晶圆100的第二表面102对晶圆100(请参考图5)进行减薄，减薄后的晶圆100a包括第一区域I和第二区域II，所述第一区域I沿长度方向的对称轴为晶圆100a的直径，且第一区域I的长度为晶圆100a的直径长度，所述第二区域II位于第一区域I两侧。所述图7为对晶圆100进行减薄后的第二表面102的俯视示意图。

由于一般晶圆的厚度都较大，会吸收振动能量，使得在所述晶圆100的第一表面101上形成的器件薄膜内器件对振动的敏感度不强，造成所述器件薄膜内的器件的性能下降。所以需要对晶圆100进行减薄，由于晶圆100第一表面101上形成有器件薄膜，所以从晶圆100的第二表面102对晶圆100进行减薄。而且，对所述晶圆100进行减薄后，还可以降低后续在晶圆100的第二表面102上形成凹槽需要刻蚀的深度，减少凹槽刻蚀的难度。同时，也可以降低所述晶圆100的厚度，使最终形成的芯片的厚度下降。

可以采用化学机械抛光工艺对所述晶圆101的第二表面102进行研磨，至设定的厚度。本实施例中，未减薄的晶圆100的厚度为725μm，减薄后的晶圆100a的厚度可以为300μm～400μm。

所述减薄后的晶圆100a包括第一区域I和第二区域II，所述第一区域I位于晶圆100a的对称轴位置上，即，所述第一区域I沿长度方向的对称轴为晶圆100a的直径，且第一区域I的长度为晶圆100的直径长度，所述第二区域II位于第一区域I两侧。

后续需要在晶圆100a的第二表面102上形成凹槽，所述凹槽位于第二区域II内，第一区域I内不形成凹槽，所以可以保证，所述第一区域I具有较大的强度。

本实施例中，所述晶圆100的直径为8英寸，所述第一区域I的宽度为3mm～5mm。在本发明的其他实施例中，所述晶圆100可以为其他尺寸，而所述第一区域I的宽度可以更加所述晶圆100的尺寸不同作调整，所述晶圆100的尺寸越小，所述第一区域I的宽度越大，从而能够使减薄后且形成凹槽的晶圆100a具有足够的强度，在后续处理工艺中能够稳定的垂直放置于晶圆引导架上。在本发明的其他实施例中，所述第一区域I的宽度可以是晶圆直径的1％～3％。所述第一区域I占据晶圆100a的面积较小，不会对晶圆100a上形成最终形成的芯片数量造成较大的影响。

本实施例中，所述晶圆100上具有对准标记103，所述第一区域I的长度方向的对称轴为所述对准标记103与晶圆100圆心所在的直径。本实施例中所述对准标记103为晶圆缺口，用于标识晶圆晶面，同时在对晶圆处理时，用于判断晶圆的方向。在本发明的其他实施例中，所述对准标记103还可以是其他晶圆上的标记，用于判断晶圆的方向。所述第一区域I的长度方向的对称轴为所述对准标记103与晶圆100圆心所在的直径，从而后续工艺中，机台可以通过该对准标记的位置，判断所述第一区域I的方向和位置，从而合理放置晶圆。

请参考图8，在减薄后的晶圆100a的第二表面102上形成图像化掩膜层400，所述图形化掩膜层400覆盖第一区域I，并暴露出部分第二区域II的表面。图8为形成所述图形化掩膜层400的第二区域II的局部剖面示意图。

所述图形化掩膜层400的材料可以是光刻胶层、无定形碳、氧化硅、氮化硅等掩膜材料。本实施例汇总，所述图形化掩膜层400的材料为氮化硅，形成所述图形化掩膜层400的方法包括：在所述晶圆100a的第二表面102上形成图形化掩膜材料层之后，在所述图形化掩膜材料层表面形成光刻胶层；对所述光刻胶层进行曝光显影，之后，形成图形化光刻胶层，所述图形化光刻胶层定义出后续在晶圆100a上需要形成凹槽的位置和尺寸；以所述图形化光刻胶层为掩膜，刻蚀所述图形化掩膜材料层，形成所述图形化掩膜层400，将图形化光刻胶层的图形转移到图形化掩膜层400上。所述图形化掩膜层400覆盖晶圆100a的第一区域I，暴露出第二区域II的待形成凹槽处的部分表面。

请参考图9，以所述图形化掩膜层400为掩膜，刻蚀所述晶圆100a，在所述第二区域II内形成若干凹槽401，所述凹槽401底部暴露出部分器件薄膜。

刻蚀采用各向异性刻蚀工艺刻蚀所述晶圆100a以形成所述凹槽401。本实施例中，采用深反应离子刻蚀工艺形成所述凹槽401，可以使得所述凹槽401的内壁较为平整。所述凹槽401的间距为80μm～200μm。

所述凹槽401的底部暴露出第一器件薄膜200的部分表面，后续可以在晶圆的第二表面102上形成材料层，使所述凹槽401形成密闭空腔。

请参考图10和图11，形成所述凹槽401之后，去除所述图形化掩膜层400。所述图10为去除所述图形化掩膜层400之后的，晶圆100a的第二表面的俯视示意图。图11为沿图10中割线AA’的剖面示意图。

可以采用湿法刻蚀工艺去除所述图形化掩膜层400。具体的，本实施例中，所述图形化掩膜层400的材料为氮化硅，可以采用热磷酸溶液去除所述图形化掩膜层。

由图10示出，所述凹槽401仅形成在晶圆100a的第二区域II上，由于所述凹槽401底部暴露出第一器件薄膜200的表面，所述凹槽401穿透了所述晶圆100a，所以，使得形成有所述凹槽401的晶圆100a的第二区域II的硬度变弱，但是由于所述第二区域II之间的第一区域I上未形成所述凹槽401，所述第一区域I的强度大于第二区域II的强度，所述第一区域I可以作为形成凹槽401之后的100a支撑梁，起到支撑作用，与现有技术在整个晶圆100a上形成凹槽相比，使得所述晶圆100a的强度得到提高。

并且，所述第一区域I关于晶圆100a的直径对称，所以，位于第一区域I两侧的第二区域II也关于所述直径对称，使得所述第一区域I两侧的晶圆100a的强度分布较为均匀。由于所述第一区域I沿晶圆100a直径设置，所述第一区域I能够对整个晶圆100a起到支撑作用，增强了所述晶圆100a沿第一区域I的长度方向的强度，减少了所述晶圆100a在沿第一区域I的长度方向上发生断裂的可能性。

本实施例，还提供一种上述方法形成的半导体结构。

请参考图10和图11，为上述半导体结构的示意图，图10为所述半导体结构的俯视示意图；所述图11为沿图10中割线AA’的剖面示意图。

减薄后晶圆100a，所述减薄后晶圆100a具有第一表面101、与所述第一表面相对的第二表面102，且所述减薄后晶圆100a包括第一区域I和第二区域II，所述第一区域I沿长度方向的对称轴为减薄后晶圆100a的直径，且第二区域II的长度为减薄后晶圆100a的直径长度，所述第二区域I位于第一区域I两侧；位于所述减薄后晶圆100a的第一表面101上的器件薄膜；位于减薄后晶圆100a的第二表面102一侧的第二区域II内的若干凹槽401，所述凹槽401暴露出部分器件薄膜的表面。

所述第一区域I的宽度为3mm～5mm，所述减薄后晶圆100a的厚度为300μm～400μm。在本发明的而其他实施例中，所述第一区域I的宽度为晶圆直径的1％～3％。所述减薄后晶圆100a上具有对准标记103，所述第一区域I的长度方向的对称轴为所述对准标记与晶圆100a圆心所在的直径，机台可以通过所述对准标记获得第一区域I的位置和方向。

所述凹槽401的间距为80μm～200μm。

所述器件薄膜为单层结构或多层堆叠结构。本实施例中，所述器件薄膜包括位于减薄后晶圆100a的第一表面101表面的第一器件薄膜200和位于所述第一器件薄膜200表面的第二器件薄膜300。

本实施例中，所述器件薄膜为微机电薄膜，所述微机电薄膜内具有微机电器件。所述微机电器件为麦克风、压力传感器或震动传感器等。由于所述减薄后晶圆的厚度较小，对振动能量的吸收较小，能够提高上述依靠振动传感的微机电器件的性能。

本实施例中，由于所述凹槽401底部暴露出第一器件薄膜200的表面，所述凹槽401穿透了所述晶圆100a，所以，使得形成有所述凹槽401的晶圆100a的第二区域II的硬度变弱，但是由于所述第二区域II之间的第一区域I上没有所述凹槽401，所述第一区域I的强度大于第二区域II的强度，所述第一区域I可以作为形成凹槽401之后的晶圆100a支撑梁，起到支撑作用，与现有技术在整个晶圆100a上形成凹槽相比，使得所述晶圆100a的强度得到提高。由于所述第一区域I沿晶圆100a直径设置，增强了所述晶圆100a沿第一区域I的长度方向的强度，减少了所述晶圆100a在沿第一区域I的长度方向上发生断裂的可能性。

本发明的实施例还提供一种对上述半导体结构的处理方法。

首先，提供如图10和图11所述的若干半导体结构。

请参考图12，提供湿法处理槽600，所述湿法处理槽600内具有湿法处理溶液。根据所述湿法处理的作用不同，所述湿法处理溶液可以是不同的溶液，例如氢氟酸溶液、氨水和过氧化氢的混合溶液、氯化氢和过氧化氢的混合溶液或硫酸的混合溶液。

请参考图13，提供晶圆引导架500，所述晶圆引导架500上具有若干平行排列的引导槽501。

所述晶圆引导架500上的引导槽501用于放置晶圆，所述引导槽501沿长度延伸方向具有的一定的弧度，所述引导槽501的曲率半径与晶圆的半径一致，从而可以使晶圆边缘贴合在引导槽501的底部表面。本实施例中，所述晶圆引导架500用于放置采用上述方法形成的半导体结构。

所述晶圆引导架500的引导槽501尺寸与未减薄的晶圆厚度接近，由于所述半导体结构的晶圆被减薄，虽然在晶圆表面形成有器件薄膜，但是器件薄膜的厚度较小，所以所述晶圆引导架500上的引导槽501的宽度大于所述半导体结构垂直于晶圆表面方向的厚度。

请参考图14，将所述若干半导体结构分别至于所述晶圆引导架500的引导槽501内，使晶圆表面与晶圆引导架500垂直；将所述晶圆引导架500连同半导体结构浸没于所述湿法处理槽600内的湿法处理溶液601内，进行湿法处理。所述图14内的晶圆引导架500为图13中的垂直引导槽501的长度方向的局部剖面示意图。

由于所述半导体结构的晶圆100a的第一区域I上未形成凹槽401，所以，所述第一区域I的硬度较大，且所述第一区域I位于晶圆100a的对阵轴位置，对整个晶圆100a起到支撑作用，从而可以减少半导体结构在湿法处理的过程中发生破片的现象。

并且，由于晶圆100a容易在垂直晶圆引导架500的方向上发生断裂，所述半导体结构的晶圆100a的第一区域I(请参考图10)的长度方向可以与所述晶圆引导架500垂直，从而可以在垂直于晶圆引导架500的方向上方向支撑所述半导体结构，防止在湿法处理过程中，发生平破片现象。

本实施例中，所述半导体结构的晶圆100a上具有对准标记103，所述对准标记103与晶圆100a的圆心位于所述第一区域I的长度方向的对称轴上。放置所述半导体结构时，可以将所述对准标记103向上，可以准确的使第一区域I与晶圆引导架500垂直。也便于在后续其他步骤中，机台容易识别所述对准标记103，从而判断所述晶圆100a的方向。

所述湿法处理可以是释放工艺、清洗工艺、刻蚀工艺等，所述湿法工艺根据制成需要选择。所述湿法处理的溶液可以是氢氟酸溶液、氨水和过氧化氢混合溶液、盐酸和过氧化氢混合溶液或者硫酸和过氧化氢的混合溶液等。在进行湿法处理的过程中，所述湿法处理溶液可以是处于流动状态，以使得半导体结构周围的湿法处理溶液浓度保持稳定。

在湿法处理过程中，由于半导体结构的晶圆100a上的第一区域I能够对整个半导体结构起到支撑作用，从而可以防止破片现象的发生，不需要改造湿法处理的机台，成本较低，从而可以提高工厂产线的可靠性以及产品的产率。

虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。

Claims (20)

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供晶圆，所述晶圆具有第一表面、与所述第一表面相对的第二表面；

在所述晶圆的第一表面形成器件薄膜；

从所述晶圆的第二表面对晶圆进行减薄，减薄后的晶圆包括第一区域和第二区域，所述第一区域沿长度方向的对称轴为晶圆的直径，且第一区域的长度为晶圆的直径长度，所述第二区域位于第一区域两侧；

在减薄后的晶圆的第二表面上形成图形化掩膜层，所述图形化掩膜层覆盖第一区域，并暴露出部分第二区域的表面；

以所述图形化掩膜层为掩膜，刻蚀所述晶圆，在所述第二区域内形成若干凹槽，所述凹槽底部暴露出部分器件薄膜。

2.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一区域的宽度为3mm～5mm。

3.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，减薄后晶圆的厚度为300μm～400μm。

4.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述器件薄膜为单层结构或多层堆叠结构。

5.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述器件薄膜为微机电薄膜，所述微机电薄膜内具有微机电器件。

6.根据权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述微机电器件为麦克风、压力传感器或震动传感器。

7.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述晶圆上具有对准标记，所述第一区域的长度方向的对称轴为所述对准标记与晶圆圆心所在的直径。

8.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用深反应离子刻蚀工艺形成所述凹槽。

9.根据权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述凹槽的间距为80μm～200μm。

10.一种半导体结构，其特征在于，包括：

减薄后晶圆，所述减薄后晶圆具有第一表面、与所述第一表面相对的第二表面，且所述减薄后晶圆包括第一区域和第二区域，所述第一区域沿长度方向的对称轴为减薄后晶圆的直径，且第一区域的长度为减薄后晶圆的直径长度，所述第二区域位于第一区域两侧；

位于所述减薄后晶圆的第一表面上的器件薄膜；

位于减薄后晶圆的第二表面一侧的第二区域内的若干凹槽，所述凹槽暴露出部分器件薄膜的表面。

11.根据权利要求10所述的半导体结构，其特征在于，所述第一区域的宽度为3mm～5mm。

12.根据权利要求10所述的半导体结构，其特征在于，减薄后晶圆的厚度为300μm～400μm。

13.根据权利要求10所述的半导体结构，其特征在于，所述器件薄膜为单层结构或多层堆叠结构。

14.根据权利要求13所述的半导体结构，其特征在于，所述器件薄膜为微机电薄膜，所述微机电薄膜内具有微机电器件。

15.根据权利要求14所述的半导体结构，其特征在于，所述微机电器件为麦克风、压力传感器或震动传感器。

16.根据权利要求10所述的半导体结构，其特征在于，所述减薄后晶圆上具有对准标记，所述第一区域的长度方向的对称轴为所述对准标记与晶圆圆心所在的直径。

17.一种半导体结构的处理方法，其特征在于，包括：

提供若干如权利要求10至16中任一项所述的半导体结构；

提供湿法处理槽，所述湿法处理槽内具有湿法处理溶液；

提供晶圆引导架，所述晶圆引导架上具有若干平行排列的引导槽；

将所述若干半导体结构分别至于所述晶圆引导架的引导槽内，使晶圆表面与晶圆引导架垂直；

将所述晶圆引导架连同半导体结构浸没于所述湿法处理槽内的湿法处理溶液内，进行湿法处理。

18.根据权利要求17所述的半导体结构的处理方法，其特征在于，所述晶圆引导架的引导槽宽度大于所述半导体结构垂直于晶圆表面方向的厚度。

19.根据权利要求17所述的半导体结构的处理方法，其特征在于，所述半导体结构的减薄后晶圆的第一区域的长度方向与所述晶圆引导架垂直。

20.根据权利要求17所述的半导体结构的处理方法，其特征在于，所述湿法处理槽内的湿法处理溶液处于流动状态。