CN105425494A - Tft阵列基板及显示器 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种TFT阵列基板,该TFT阵列基板包括基板主体、设置于基板主体上的若干TFT、若干行扫描线以及若干列数据线,其中,该数据线和/或扫描线的线宽面相对于基板主体的表面倾斜设置。本发明还提供一种具有TFT阵列基板的显示器。本发明的TFT阵列基板及具有TFT阵列基板的显示器,减少由于扫描线与数据线交叉造成的寄生电容,同时不会增大扫描线或数据线的阻抗,避免了阻抗增大引起的各种问题。
Description
技术领域
本发明涉及一种基板,尤其涉及一种TFT阵列基板以及具有TFT阵列基板的显示器。
背景技术
目前的TFT阵列基板一般包括呈矩阵式排列的多行多列TFT、多行数据线以及多行扫描线。由于数据线以及扫描线设置在不同的层上,数据线与扫描线垂直相交且中间设置绝缘层,因此,数据线以及扫描线交叉的地方将产生寄生电容。现有的设计中,特别是走线设计,需要考虑数据线d与扫描线g交叉引起的寄生电容的影响,另外在有效显示区域不能让线宽太宽以免影响开口率。如图1所示,现有的一种减少寄生电容影响的方式中,为在数据线d与扫描线g的交叉处将数据线的宽度变窄,从而减少数据线d与扫描线g的重叠面积而降低寄生电容。此种方式虽然减少了寄生电容,但是会使得数据线d的阻抗增大以及爬坡断线等而导致垂直淡线等风险。此外,数据线d的宽度变窄,会使得数据线d上的RCDelay(由于电阻和电容的负荷,使得驱动芯片等给出的波形经过数据线传输后有一定程度的失真,产生Delay)变大,当RCDelay特别严重时,会引起与数据线连接的像素电极充电不足或误充。
发明内容
本发明提供一种TFT阵列基板以及具有TFT阵列基板的显示器,能够减少寄生电容且不会增大数据线或扫描线的阻抗。
提供一种TFT阵列基板,包括基板主体、设置于基板主体上的若干TFT、若干行扫描线以及若干列数据线,其中,所述数据线和/或扫描线的线宽面相对于基板主体的表面倾斜设置。
其中,所述TFT阵列基板还包括贴合在基板主体上的具有倾斜表面的突起部,所述扫描线和/或数据线的线宽面贴合于该突起部的倾斜表面上。
其中,所述每一突起部的倾斜表面上贴合有两个数据线或两个扫描线,所述两个数据线或两个扫描线分布在突起部的倾斜表面的两侧且相互隔离。
其中,其中一个数据线或扫描线占突起部的倾斜表面靠一侧的小于1/2的区域,另一数据线或扫描线占突起部的倾斜表面靠另一侧小于1/2的区域。
其中,所述TFT阵列基板包括n行2m列TFT,每一对设置于同一突起部上的数据线分别与一对TFT的漏极连接,同一行上的2m个TFT的栅极均与对应行的扫描线连接,其中,n和m为自然数。
其中,所述每一突起部的倾斜表面上贴合有一个数据线或一个扫描线。
其中,所述若干突起部为贴合在基板主体上的具有倾斜表面的凸条,所述凸条的横截面为半圆的半圆柱,所述倾斜表面为突起部的未与基板主体接触的半圆柱面。
其中,同一突起部上的两个数据线之间形成通槽,所述TFT阵列基板还包括若干形成于同一突起部上的两个数据线之间的通槽内的间隔件,所述间隔件从通槽的底部向上延伸出该通槽之外而用于在TFT阵列基板与滤光片层之间形成间隔空间。
其中,所述间隔件与该突起部分别成型或一体成型。
一种显示器,包括TFT阵列基板,所述TFT阵列基板包括基板主体、设置于基板主体上的若干TFT、若干行扫描线以及若干列数据线,其中,所述数据线和/或扫描线的线宽面相对于基板主体的表面倾斜设置。
其中,所述TFT阵列基板还包括贴合在基板主体上的具有倾斜表面的突起部,所述扫描线和/或数据线的线宽面贴合于该突起部的倾斜表面上。
其中,所述每一突起部的倾斜表面上贴合有两个数据线或两个扫描线,所述两个数据线或两个扫描线分布在突起部的倾斜表面的两侧且相互隔离。
其中,其中一个数据线或扫描线占突起部的倾斜表面靠一侧的小于1/2的区域,另一数据线或扫描线占突起部的倾斜表面靠另一侧小于1/2的区域。
其中,所述TFT阵列基板包括n行2m列TFT,每一对设置于同一突起部上的数据线分别与一对TFT的漏极连接,同一行上的2m个TFT的栅极均与对应行的扫描线连接,其中,n和m为自然数。
其中,所述每一突起部的倾斜表面上贴合有一个数据线或一个扫描线。
其中,所述若干突起部为贴合在基板主体上的具有倾斜表面的凸条,所述凸条的横截面为半圆的半圆柱,所述倾斜表面为突起部的未与基板主体接触的半圆柱面。
其中,同一突起部上的两个数据线之间形成通槽,所述TFT阵列基板还包括若干形成于同一突起部上的两个数据线之间的通槽内的间隔件,所述间隔件从通槽的底部向上延伸出该通槽之外而用于在TFT阵列基板与滤光片层之间形成间隔空间。
其中,所述间隔件与该突起部分别成型或一体成型。
本发明的TFT阵列基板以及具有TFT阵列基板的显示器,能够减少寄生电容且不会增大数据线或扫描线的阻抗。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的明显变形方式。
图1为现有技术中的减少数据线和扫描线交叉产生的寄生电容的示意图。
图2为本发明一实施例中的TFT阵列基板的示意图。
图3为本发明一实施例中的TFT阵列基板在数据线与扫描线构成的交叉点处的横截面示意图。
图4为本发明一较佳实施例中的TFT阵列基板在数据线与扫描线构成的交叉点处的横截面示意图。
图5为本发明一较佳实施例中的TFT阵列基板的示意图。
图6为本发明另一实施例中的TFT阵列基板的示意图。
图7为本发明较佳实施例中的TFT阵列基板上形成的间隔件的示意图。
图8为本发明较佳实施例中的TFT阵列基板通过间隔件与滤光片层相互间隔的示意图。
图9为本发明另一较佳实施例中的TFT阵列基板上形成的间隔件的示意图。
图10为本发明一实施例中显示器的模块示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
请参阅图2,为本发明一实施例中的TFT(ThinFilmTransistor,薄膜晶体管)阵列基板1的示意图。该TFT阵列基板1包括基板主体10、设置于基板主体10上的若干TFT11、若干行扫描线G以及若干列数据线D。其中,扫描线G与数据线D相互垂直交叉设置且不连接。
请一并参阅图3,为一实施例中TFT阵列基板1在数据线D与扫描线G构成的交叉点处的横截面示意图。其中,数据线D和/或扫描线的线宽面相对于基板主体10的表面倾斜设置。其中,TFT阵列基板1还包括设置在该基板主体10上的若干行或若干列的突起部12,该些扫描线G和/或数据线D为设置于基板主体10上的若干突起部12上。该若干突起部12为贴合在基板主体10上的具有倾斜表面121的凸条。如图2所示,该突起部12为一横截面为半圆的半圆柱,该倾斜表面121即为突起部12的未与基板主体10接触的半圆柱面。显然,可替换的,在本发明中的任一实施例中,该突起部12的倾斜表面121还可为一个斜平面、两个相交的斜平面、或为一1/4圆柱面等。
图3中仅仅示意出数据线D倾斜设置的方式,以下以数据线D倾斜设置的方式进行说明。如图3所示,该数据线D的线宽面贴合于该突起部12的倾斜表面121上。在图3所示的实施例中,该数据线D的线宽面整个贴合在突起部12的半圆柱面上,即,该突起部12上贴合有一个数据线D。其中,在本实施例中,该突起部12的半圆柱面的直径d1小于现有的数据线及扫描线的线宽,例如为现有的数据线的线宽的1/2。从而,数据线D在基板主体10的表面上的投影宽度为d1,与扫描线G的等效重叠区域的宽度为d1+2L1,其中,L1为数据线D的厚度,厚度一般很小,因此d1+2L1将小于现有的数据线的线宽,则与扫描线G的重叠面积将减小,而减少了寄生电容。
设直径d1为现有的数据线及扫描线的线宽的1/2,由于本实施例中的数据线D的实际的线宽面的宽度为π*d1>2*d1,因此,本实施例的实际线线宽面的宽度将大于现有的数据线的宽度,而不会增大数据线D的阻抗,也避免了阻抗增加引起的问题。显然,直径d1也可为现有的数据线及扫描线的线宽的1/3等值。其中,该数据线D或扫描线G的线宽面也可与现有的线宽面相同,即,数据线D或扫描线G的尺寸与现有的相同,只是把数据线D或扫描线G的线宽面贴合在一突起部12的倾斜表面上,使得等效的重叠面积减小,而数据线D或扫描线G的阻抗保持不变。
其中,如图3所示,该基板主体10还包括位于数据线D与扫描线G之间的绝缘层13以及位于扫描线G下方的玻璃基板层14。该剥离基板层14用于承载该些数据线D与扫描线G、TFT11、突起部12以及绝缘层13。
其中,如图2所示,TFT阵列基板1包括n行扫描线G、m列数据线D,该TFT11的数量为n行m列,每行扫描线G与对应行的TFT11的栅极连接,用于输出扫描信号而选通对应行的TFT11。每列数据线D与对应列的TFT11的漏极连接,用于在TFT11选通后施加驱动电压。
显然,扫描线G同样可以进行相应的设置,即,与数据线D的设置方式一样,扫描线G贴合于具有倾斜表面121的突起部12上,而同样能减少寄生电容并且不增大扫描线的阻抗。
请参阅图4,为一较佳实施例中的TFT阵列基板1’在数据线D与扫描线G构成的交叉点处的横截面示意图。在该实施例中,每个突起部12的倾斜表面121上贴合有两个数据线D1、D2。其中,该两个数据线D1、D2分布在突起部12的倾斜表面121的两侧。数据线D1占倾斜表面121的左侧小于1/2的区域,数据线D2占倾斜表面121的右侧的小于1/2的区域。例如,数据线D1贴合在作为倾斜表面121的半圆柱面的左侧大约1/3的区域,数据线D2贴合在作为倾斜表面121的半圆柱面的右侧大约1/3的区域。数据线D1与数据线D2相互平行,且延伸方向与突起部12的延伸方向相同。
在本实施例中,该突起部12的半圆柱面的直径d1大致等于现有的数据线及扫描线的线宽,当数据线D1占左侧1/3的区域,数据线D2占右侧1/3的区域时,该数据线D1、D2的线宽面的宽度为π*d1/3,略大于现有技术中的数据线的线宽。由于突起部12的倾斜表面121的倾斜度,该数据线D1、D2在该基板主体10上的投影宽度L2、L3将大致为小于直径d1的1/4,而显著小于现有的数据线及扫描线的线宽小于现有技术中的数据线的线宽。因此,数据线D1与扫描线G的重叠区域的宽度为数据线的厚度L1加上该投影宽度L2、数据线D2与扫描线G的重叠区域的宽度为数据线的厚度L1加上该投影宽度L3,都将小于现有的数据线的线宽,则与扫描线G的重叠面积将减小,而减少了寄生电容。显然该数据线D1、D2的线宽面也可与现有的线宽面相同,即,数据线D1、D2的尺寸与现有的相同。
因此,同样能即减少了寄生电容的影响又能够不增大数据线的阻抗。
显然,扫描线G同样可以进行相应的设置,即,与数据线的设置方式一样,两个扫描线G贴合于同一个突起部12上,而同样能减少寄生电容并且不增大扫描线的阻抗。
请一并参阅图5,为较佳实施例中的TFT阵列基板1’的示意图。该TFT阵列基板1’包括n行扫描线G以及2m列数据线D,每对数据线D1、D2靠近设置于同一突起部12上。该阵列基板1还包括n行2m列TFT11。每一对设置于同一突起部12上的列数据线D1、D2分别与一对TFT11的漏极连接,同一行上的2m个TFT11的栅极均与对应行的扫描线G连接。
从而,本实施例中的TFT阵列基板1’可以增加多一倍的TFT11,满足了高分辨率的需求。由于设置于同一突起部12上的一对数据线D1、D2占用的面积仅相当于现有的一个数据线占用的面积,因此,不会显著地增大TFT阵列基板的尺寸,且不会影响开口率。
请参阅图6,为另一实施例中的TFT阵列基板1”的示意图。在该实施例中,该TFT阵列基板1”包括2n行扫描线G以及m列数据线D,每对扫描线G1、G2靠近设置于同一突起部12上。该TFT阵列基板1”还包括2n行m列TFT11。
通过将一对扫描线G1、G2靠近设置于同一突起部12上,所占用的面积仅相当于现有的一个扫描线占用的面积,因此,不会显著地增大TFT阵列基板的尺寸。同时,由于增加了一倍行数的TFT11,大大增加了分辨率,满足了高分辨率的需求,且不会影响开口率。
显然,在其他实施例中,扫描线以及数据线均可为设置于突起部12上,且每个突起部12上设置有一对扫描线或一对数据线,从而TFT11的行列数均增加一倍,而使得TFT11的个数为原来的四倍。更进一步地增加了分辨率,满足了更高分辨率的需求。
请一并参阅图7及图8,图7为本发明一较佳实施例中的TFT阵列基板1’上形成的间隔件15的示意图。如图4所示,该设置于同一突起部12上的两个数据线D1、D2之间构成一通槽T1,该间隔件15形成于该两个数据线D1、D2之间的通槽T1内,并从通槽的底部向上延伸出该通槽T1之外而用于在TFT阵列基板1’与滤光片层2形成间隔空间。由于该通槽T1形成了间隔件15的收容及布置位置,因此,能更方便地形成间隔件15。其中,该间隔件15可为P-SiNx等光阻材料,并通过紫外光等进行照射后固化成型成相应的形状。该间隔件15与该突起部12的材料可相同或不同。图7中,该间隔件15与该突起部12采用分别成型的方式。
其中,如图7所示,该TFT阵列基板1’还包括形成于数据线D1、D2上的保护层16,该保护层16根据数据线D1、D2的位置进行设置,用于保护数据线D1、D2。
请一并参阅图9,为较佳实施例中的TFT阵列基板1’上形成的间隔件16的另一示意图。在图9所示的实施例中,该间隔件15与该突起部12为一体成型结构,该突起部12通过紫外线固化成型成具有倾斜表面以及间隔件15的一体结构。由于该突起部12同时形成可以减少寄生电容的倾斜表面以及用于间隔TFT阵列基板1’与滤光片层2的间隔件15,因此,不会增加额外的工序且能减少寄生电容的影响。
请参阅图10,为一显示器100的模块示意图。该显示器100包括上述任一实施例中的TFT阵列基板1、1’或1”。其中,该显示器100可为液晶显示器。该显示器100还可包括背光模组、滤光片层、液晶分子层等结构,由于与本发明改进无关,故不在此赘述。
以上所揭露的仅为本发明一种较佳实施例而已,当然不能以此来限定本发明之权利范围,本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例的全部或部分流程,并依本发明权利要求所作的等同变化,仍属于发明所涵盖的范围。
Claims (10)
1.一种TFT阵列基板,包括基板主体、设置于基板主体上的若干TFT、若干行扫描线以及若干列数据线,其特征在于:所述数据线和/或扫描线的线宽面相对于基板主体的表面倾斜设置。
2.如权利要求1所述的TFT阵列基板,其特征在于,所述TFT阵列基板还包括贴合在基板主体上的具有倾斜表面的突起部,所述扫描线和/或数据线的线宽面贴合于该突起部的倾斜表面上。
3.如权利要求2所述的TFT阵列基板,其特征在于,所述每一突起部的倾斜表面上贴合有两个数据线或两个扫描线,所述两个数据线或两个扫描线分布在突起部的倾斜表面的两侧且相互隔离。
4.如权利要求3所述的TFT阵列基板,其特征在于,其中一个数据线或扫描线占突起部的倾斜表面靠一侧的小于1/2的区域,另一数据线或扫描线占突起部的倾斜表面靠另一侧小于1/2的区域。
5.如权利要求3所述的TFT阵列基板,其特征在于,所述TFT阵列基板包括n行2m列TFT,每一对设置于同一突起部上的数据线分别与一对TFT的漏极连接,同一行上的2m个TFT的栅极均与对应行的扫描线连接,其中,n和m为自然数。
6.如权利要求2所述的TFT阵列基板,其特征在于,所述每一突起部的倾斜表面上贴合有一个数据线或一个扫描线。
7.如权利要求2所述的TFT阵列基板,其特征在于,所述若干突起部为贴合在基板主体上的具有倾斜表面的凸条,所述凸条的横截面为半圆的半圆柱,所述倾斜表面为突起部的未与基板主体接触的半圆柱面。
8.如权利要求3所述的TFT阵列基板,其特征在于,同一突起部上的两个数据线之间形成通槽,所述TFT阵列基板还包括若干形成于同一突起部上的两个数据线之间的通槽内的间隔件,所述间隔件从通槽的底部向上延伸出该通槽之外而用于在TFT阵列基板与滤光片层之间形成间隔空间。
9.如权利要求8所述的TFT阵列基板,其特征在于,所述间隔件与该突起部分别成型或一体成型。
10.一种显示器,其特征在于,所述显示器包括如权利要求1-9中任一项所述的TFT阵列基板。
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