CN105278189A - 液晶显示器的像素阵列 - Google Patents

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Abstract

本文讨论了一种液晶显示器的像素阵列。该像素阵列可以包括：第一像素，包括被充电至第一数据电压的第一像素电极、位置与第一像素电极相对并形成电场的上部公共电极、向上部公共电极施加公共电压的下部公共电极、以及用于在预定时段期间保持第一数据电压的第一存储电容器；以及第二像素，包括被充电至第二数据电压的第二像素电极、上部公共电极、下部公共电极以及用于在预定时段期间保持第二数据电压的第二存储电容器。第一存储电容器和第二存储电容器位于在水平方向上位置彼此相邻的第一像素与第二像素之间的存储区域中。

Description

液晶显示器的像素阵列
本申请要求于2014年7月15日提交的第10-2014-0089363号韩国专利申请的优先权，其通过引用全部合并于此。
技术领域
本发明的实施例涉及液晶显示器的像素阵列。
背景技术
显示装置已快速地从大型阴极射线管(CRT)变为具有剖面薄、重量轻且屏幕大的平板显示器(FPD)。平板显示器的示例包括液晶显示器(LCD)、等离子体显示面板(PDP)、有机发光二极管(OLED)显示器以及电泳显示器(EPD)。在平板显示器之中，液晶显示器通过基于数据电压控制向液晶分子施加的电场来显示图像。有源矩阵液晶显示器由于工艺技术和驱动技术的发展而降低了制造成本并改进了性能。因此，有源矩阵液晶显示器应用于从小型移动装置到大型电视机的许多显示装置并得到了广泛使用。
如图1所示，根据现有技术的液晶显示器包括分别形成在数据线DL与栅极线GL的交叉点处的像素。每个像素可包括像素电极UPXL、位置与像素电极UPXL相对且形成液晶驱动电场的上部公共电极UCOM、与上部公共电极UCOM接触的下部公共电极DCOM以及响应于来自栅极线GL的栅极脉冲(或扫描脉冲)而接通在数据线DL与像素电极UPXL之间流动的电流的薄膜晶体管(TFT)。数据电压被施加至数据线DL，以及公共电压被施加至下部公共电极DCOM。像素电极UPXL通过接触孔CT连接至TFT的漏电极(或源电极)，并且接收通过TFT施加的数据线DL上的数据电压。上部公共电极UCOM通过接触孔(未示出)连接至下部公共电极DCOM并且从下部公共电极DCOM接收公共电压。
每个TFT仅在一帧的一部分(例如，一个水平时段)(下文中称为“充电时段”)期间保持接通状态，并且在该一帧的剩余时段期间保持关断状态。因而，每个像素包括存储电容器，使得在剩余时段期间保持在充电时段期间充电至像素电极UPXL的数据电压。存储电容器的一个电极必须连接至像素电极UPXL，并且存储电容器的另一电极必须连接至上部公共电极UCOM或下部公共电极DCOM，以保持数据电压。
为此，如图1和图2所示，在现有技术的液晶显示器中，使用连接至像素电极UPXL的TFT的漏电极MPXL作为一个电极以及使用下部公共电极DCOM作为另一电极的存储电容器Cst形成在栅极线GL附近。在图2中，“GLS”表示基板，“GI”表示栅极绝缘层，以及“PAS”表示无机绝缘层。
存储电容器Cst的电容与构成存储电容器Cst的两个电极之间的重叠区域成比例，并且与存储电容器Cst的两个电极之间的间隔距离成反比。存储电容器Cst的电容可能根据在存储电容器Cst的工艺中必定产生的寄生电容而变化。在该示例中，在构成存储电容器Cst的两个电极与不用于构成存储电容器Cst的另一电极之间产生寄生电容。例如，在栅极线GL与TFT的漏电极MPXL之间存在寄生电容Cgd，在栅极线GL与TFT的源电极之间存在寄生电容Cgs等。由于当寄生电容的影响增加时存储电容器Cst的电压保持强度降低，因此存储电容器Cst的面积必须增大以便获得期望的电压保持强度。
由于现有技术的液晶显示器包括形成在栅极线GL附近的存储电容器Cst，因此存储电容器Cst的电压保持强度由于栅极线GL而降低。现有技术的液晶显示器包括以大面积形成以补偿电压保持强度的降低的存储电容器Cst，但这导致显示器的开口率减小。
发明内容
本发明的实施例提供了能够最小化由存储电容器导致的开口率的减小的液晶显示器的像素阵列。
在一个方面，存在一种液晶显示器的像素阵列，其包括：第一像素，包括被充电至第一数据电压的第一像素电极、位置与第一像素电极相对并形成电场的上部公共电极、向上部公共电极施加公共电压的下部公共电极、以及用于在预定时段期间保持第一数据电压的第一存储电容器；以及第二像素，包括被充电至第二数据电压的第二像素电极、位置与第二像素电极相对并形成电场的上部公共电极、向上部公共电极施加公共电压的下部公共电极、以及用于在预定时段期间保持第二数据电压的第二存储电容器，其中，第一存储电容器和第二存储电容器位于在水平方向上位置彼此相邻的第一像素与第二像素之间的存储区域中，并且其中，用于驱动第一像素和第二像素的栅极线和数据线位于除了存储区域外的区域中。
附图说明
为了提供对本发明的进一步理解而包括并且并入且构成本说明书的一部分的附图示出了本发明的实施例，并且连同说明书一起用来说明本发明的原理。在附图中：
图1示出了在现有技术的液晶显示器中的一个像素的平面阵列；
图2是沿图1的线I-I’得到的横截面图；
图3示出了根据本发明的实施例的液晶显示器；
图4示出了根据本发明的实施例的存储电容器的形成区域；
图5A和图5B示出了根据本发明的实施例的形成用作存储电容器的一个电极的分支像素电极的示例；
图6至图8示出了其中形成有根据本发明的实施例的存储电容器的像素阵列的示例；
图9示出了图6的部分XY的具体平面阵列；
图10是沿图9的线II-II’得到的横截面图；
图11A至图11C示出了根据本发明的实施例的划分用于调整存储电容器的电容的电极的示例；
图12示出了其中形成有根据本发明的实施例的存储电容器的像素阵列的另一示例；
图13示出了图12的部分XY的具体平面阵列的示例；
图14是沿图13的线III-III’得到的横截面图；
图15示出了根据本发明的实施例的图13的变型示例；以及
图16是沿图15的线III-III’得到的横截面图。
具体实施方式
现在，将详细地参照本发明的实施例，其示例在附图中示出。在任何可能的情况下，在全部附图中相同的附图标记将用来指代相同或类似部分。应注意，如果已知的技术会导致误解本发明的实施例，则将省略这些技术的详细描述。
图3示出了根据本发明的实施例的液晶显示器。图4示出了根据本发明的实施例的存储电容器的形成区域。图5A和图5B示出了形成用作存储电容器的一个电极的分支像素电极的示例。
参照图3和图4，根据本发明的实施例的液晶显示器包括：液晶显示面板10、定时控制器11、数据驱动电路12和栅极驱动电路13。在本实施例和其他实施例中的液晶显示器的所有部分被可操作地耦合且配置。
可在任何已知的液晶模式下实现根据本发明的实施例的液晶显示器，该已知的液晶模式包括扭曲向列(TN)模式、垂直配向(VA)模式、平面切换(IPS)模式、边缘场切换(FFS)模式等。根据本发明的实施例的液晶显示器可被实现为包括透射型液晶显示器、半透射型液晶显示器、反射型液晶显示器等的任何类型的液晶显示器。
液晶显示面板10包括彼此位置相对的上部基板和下部基板，其中液晶单元Clc置于上部基板与下部基板之间。视频数据显示在包括以矩阵形式布置的像素的液晶显示面板10的像素阵列上。像素阵列包括形成在液晶显示面板10的下部基板上的薄膜晶体管(TFT)阵列以及形成在液晶显示面板10的上部基板上的滤色器阵列。可使用COT(TFT上滤色器)工艺将滤色器形成在下部基板的TFT阵列上。
TFT阵列包括垂直线和水平线。垂直线沿着液晶显示面板10的垂直方向(即，图3的Y轴方向)形成。水平线沿着液晶显示面板10的水平方向(即，图3的X轴方向)形成并且垂直于垂直线。垂直线包括数据线DL，以及水平线包括栅极线GL。
薄膜晶体管(TFT)形成在TFT阵列的数据线DL与栅极线GL的每个交叉点处。TFT响应于来自栅极线GL的栅极脉冲而将来自数据线DL的数据电压供给至液晶单元Clc的像素电极1。用作像素的每个液晶单元Clc由通过TFT充电至数据电压的像素电极1与被施加了公共电压Vcom的公共电极2之间的电压差驱动。通过公共电压供给线将公共电压Vcom施加至像素的公共电极2。公共电极2可被实现为位置与同一水平层(levellayer)上的像素电极1相对的上部公共电极UCOM(参照图9和图13)。公共电压供给线可被配置成包括在与栅极线GL平行的方向上形成在同一水平层上的下部公共电极DCOM(参考图9、图13和图15)。或者，公共电压供给线可被配置成还包括在与数据线DL平行的方向上形成在同一水平层上的中间公共电极MCOM(参照图13和图15)。
存储电容器Cst连接至每个液晶单元Clc并且在一个帧时段期间均匀地保持向像素充电的数据电压。滤色器阵列包括滤色器和黑色矩阵。偏振板分别附接至液晶显示面板10的上部基板和下部基板。用于设置液晶的预倾角的配向层分别形成在液晶显示面板10的上部基板和下部基板上。
如图4所示，存储电容器Cst形成在水平方向(即，X轴方向)上位置彼此相邻的两个像素P1与P2之间的存储区域AR中，以最小化开口率的减小、同时确保期望的电压保持强度。间隙区域存在于水平方向(即，X轴方向)上位置彼此相邻的每两个像素之间。根据本发明的实施例的存储区域AR不表示所有间隙区域而仅表示间隙区域当中的、数据线DL和栅极线GL未形成在其中的间隙区域。稍后通过图6至图8描述具有存储区域AR的像素阵列的示例。
根据本发明的实施例的液晶显示器在距数据线DL和栅极线GL最远的存储区域AR中形成存储电容器Cst，从而最小化由于信号线DL和GL而引起的寄生电容的影响。结果，在相同电容的条件下，根据本发明的实施例的存储电容器Cst的形成区域(即，用于形成存储电容器的电极之间的重叠区域)小于现有技术的存储电容器的形成区域。因此，可通过本发明的实施例容易地实现开口率的改进。
如图9和图10所示，关于在存储区域AR中形成存储电容器Cst的根据本发明的实施例的液晶显示器，该显示器使用分别形成在从像素电极分支出来的分支像素电极BRPXL之上和之下的上部公共电极UCOM和下部公共电极DCOM来形成存储电容器CstA和CstB这两者，从而增大存储电容器Cst的电容。另外，本发明的实施例可考虑到增大的存储电容器Cst的电容来减小存储电容器Cst的形成区域，从而进一步改进开口率。在该情况下，本发明的实施例可将上部公共电极UCOM和下部公共电极DCOM中的至少一个分割成两个或更多个电极图案，以便容易地调整存储电容器Cst的电容。
如图13至图16所示，当根据本发明的实施例的液晶显示器被实现为还将中间公共电极MCOM包括在存储区域AR中以稳定公共电压Vcom时，形成在存储区域AR中的存储电容器Cst可使用从像素电极分支出来的分支像素电极BRPXL和中间公共电极MCOM作为存储电容器Cst的两个电极。因此，使对于确保开口率是非常有益的。
用作根据本发明的实施例的存储电容器Cst的一个电极的分支像素电极BRPXL位于靠近分支像素电极BRPXL所属的像素的位置，使得分支像素电极BRPXL受相邻像素的电场影响最少。因此，电压保持强度可能极大地增加。例如，如图5A所示，从第一像素P1分支出来的第一分支像素电极BRPXL1可位置更靠近第一像素P1而非第二像素P2，并且从第二像素P2分支出来的第二分支像素电极BRPXL2可位置更靠近第二像素P2而非第一像素P1。另外，如图5B所示，从第一像素P1分支出来的第一分支像素电极BRPXL1可相比于第二像素P2而位置更靠近第一像素P1，以及从第二像素P2分支出来的第二分支像素电极BRPXL2可相比于第一像素P1而位置更靠近第二像素P2。在图5A和图5B中，根据TFT的布置位置来确定分支像素电极的分支位置。更具体地，图5A可对应于图6和图12所示的像素阵列，而图5B可对应于图7和图8所示的像素阵列。
数据驱动电路12包括多个源极驱动器集成电路(IC)。每个源极驱动器IC在定时控制器11的控制下对输入图像的数字视频数据RGB进行采样和锁存，并且将数字视频数据RGB转换成并行数据。源极驱动器IC在定时控制器11的控制下使用数模转换器(DAC)来将数字视频数据RGB转换成模拟伽马补偿电压，并生成数据电压。然后，源极驱动器IC将数据电压供给至数据线DL。
栅极驱动电路13在定时控制器11的控制下按序列线方式将与数据电压同步的栅极脉冲(或扫描脉冲)供给至栅极线GL。栅极驱动电路13可通过面板内栅极驱动器(GIP)方法而直接形成在液晶显示面板10上。
定时控制器11将从主机系统接收到的输入图像的数字视频数据RGB传送到源极驱动器IC。定时控制器11从主机系统接收定时信号，诸如垂直同步信号Vsync、水平同步信号Hsync、数据使能信号DE和主时钟DCLK。定时信号与输入图像的数字视频数据RGB同步。定时控制器11使用定时信号Vsync、Hsync、DE和DCLK来生成用于控制数据驱动电路12的操作定时的源极定时控制信号以及用于控制栅极驱动电路13的操作定时的栅极定时控制信号。
主机系统可被实现为电视系统、机顶盒、导航系统、DVD播放器、蓝光播放器、个人计算机(PC)、家庭影院系统和电话系统之一。主机系统将输入图像的数字视频数据RGB转换成适合于液晶显示面板10的格式。主机系统将输入图像的数字视频数据RGB以及定时信号Vsync、Hsync、DE和DCLK传送到定时控制器11。
图6至图8示出了其中形成有根据本发明的实施例的存储电容器的像素阵列的示例。本发明的实施例可使用图6至图8所示的像素阵列来确保其中形成有存储电容器的存储区域AR。
参照图6，根据本发明的实施例的像素阵列可将数据线的数量减少至用于实现固定水平分辨率的像素数量的一半，并且还可将所需的源极驱动器IC的数量减少至一半。然而，替代将数据线的数量减少至一半，图6的像素阵列需要将栅极线的数量增大为用于实现固定垂直分辨率的像素数量的两倍。
在图6的像素阵列中，在水平方向(即，X轴方向)上位置彼此相邻的多对像素中的每一对彼此共用相同的数据线，并且以时分方式被依次充电至通过相同数据线供给的数据电压。响应于来自第一栅极线GL1的扫描脉冲而接通TFT2。因此，TFT2将数据线DL1至DL3电连接至布置在数据线DL1至DL3的左侧的像素P2，并且将数据电压供给至对应的像素。响应于来自第二栅极线GL2的扫描脉冲而接通TFT1。因此，TFT1将数据线DL1至DL3电连接至布置在数据线DL1至DL3的右侧的像素P1，并将数据电压供给至对应的像素。
在图6的像素阵列中，存储区域AR存在于像素对之间，并且栅极线和数据线未形成在存储区域AR中。本发明的实施例包括分别从在水平方向(即，X轴方向)上位置彼此相邻且存储区域AR置于像素P1与P2之间的像素P1和P2分支出来的分支像素电极，以便在存储区域AR中形成存储电容器。分支像素电极被用作存储电容器的一个电极。
另外，参照图7，根据本发明的实施例的像素阵列可将数据线的数量减少至用于实现固定水平分辨率的像素数量的1/3，并且还可将所需的源极驱动器IC的数量减少至1/3。然而，替代将数据线的数量减小至1/3，图7的像素阵列需要将栅极线的数量增大为用于实现固定垂直分辨率的像素数量的三倍。
在图7的像素阵列中，在每一个均包括在水平方向(即，X轴方向)上位置彼此相邻的三个像素的多个像素组中，每个像素组中的像素彼此共用相同的数据线，并且按时分方式被依次充电至通过相同数据线供给的数据电压。响应于来自第一栅极线GL1的扫描脉冲而接通TFT1。因此，TFT1将数据线DL1电连接至第一像素并且将数据电压供给至第一像素。响应于来自第二栅极线GL2的扫描脉冲而接通TFT2。因此，TFT2将数据线DL1电连接至第二像素并且将数据电压供给至第二像素。响应于来自第三栅极线GL3的扫描脉冲而接通TFT3。因此，TFT3将数据线DL1电连接至第三像素并且将数据电压供给至第三像素。
在图7的像素阵列中，存储区域AR存在于属于相同像素组的像素P1与P2之间，并且栅极线和数据线未形成在存储区域AR中。本发明的实施例包括分别从在水平方向(即，X轴方向)上位置彼此相邻且存储区域AR置于像素P1与P2之间的像素P1和P2分支的分支像素电极，以在存储区域AR中形成存储电容器。分支像素电极被用作存储电容器的一个电极。
另外，参照图8，根据本发明的实施例的像素阵列将数据线的数量设置为等于用于实现固定水平分辨率的像素数量，但可通过调整数据线的形成位置来确保存储区域AR。例如，在图8的像素阵列中，以奇数编号的数据线DL1和DL3分别形成在奇数列线上布置的像素的左侧，以及以偶数编号的数据线DL2和DL4分别形成在偶数列线上布置的像素的右侧。
因此，在图8的像素阵列中，存储区域AR存在于在水平方向上位置彼此相邻的奇数列线的像素P1与偶数列线的像素P2之间，并且栅极线和数据线未形成在存储区域AR中。本发明的实施例包括分别从在水平方向上位置彼此相邻且存储区域AR置于其间的像素P1和P2分支出来的分支像素电极，以便在存储区域AR中形成存储电容器。分支像素电极用作存储电容器的一个电极。
图9示出了存储电容器形成在存储区域AR中的示例。更具体地，图9示出了图6的一部分XY的具体平面阵列。图10是沿图9的线II-II’得到的横截面图。图11A至图11C示出了划分用于调整存储电容器的电容的电极的示例。
参照图9和图10，存储区域AR形成在水平方向(即，X轴方向)上位置彼此相邻的第一像素P1与第二像素P2之间。在图10中，“ACT”表示半导体图案。
第一像素P1包括被充电至第一数据电压的第一像素电极UPXL1、位置与第一像素电极UPXL1相对并形成电场的上部公共电极UCOM、向上部公共电极UCOM施加公共电压的下部公共电极DCOM、用于在预定时段(例如，一个帧时段)期间保持第一数据电压的第一存储电容器Cst1以及第一TFT。第一TFT响应于来自第二栅极线GL2的扫描脉冲而接通在第一数据线DL1与第一像素电极UPXL1之间流动的电流，并因而将第一数据线DL1的第一数据电压供给至第一像素电极UPXL1。第一TFT包括与第二栅极线GL2集成的栅电极G、与第一数据线DL1集成的漏电极D以及通过第一接触孔CT1连接至第一像素电极UPXL1的源电极S。
第二像素P2包括被充电至第二数据电压的第二像素电极UPXL2、位置与第二像素电极UPXL2相对且形成电场的上部公共电极UCOM、向上部公共电极UCOM施加公共电压的下部公共电极DCOM、用于在预定时段期间保持第二数据电压的第二存储电容器Cst2以及第二TFT。第二TFT响应于来自第一栅极线GL1的扫描脉冲而接通在第二数据线DL2与第二像素电极UPXL2之间流动的电流，并因而将第二数据线DL2的第二数据电压供给至第二像素电极UPXL2。第二TFT包括与第一栅极线GL1集成的栅电极G、与第二数据线DL2集成的漏电极D以及通过第二接触孔CT2连接至第二像素电极UPXL2的源电极S。
第一存储电容器Cst1和第二存储电容器Cst2形成在水平方向上位置彼此相邻的第一像素P1与第二像素P2之间的存储区域AR中。用于驱动第一像素P1和第二像素P2的栅极线和数据线未形成在存储区域AR中。结果，最小化由于信号线DL和GL而引起的寄生电容的影响，并且实质上增大第一存储电容器Cst1和第二存储电容器Cst2的电容。
可使用与栅极线GL1和GL2以及TFT的栅电极G相同的材料和相同的工艺来形成下部公共电极DCOM。下部公共电极DCOM可沿着水平方向(即，X轴方向)与栅极线GL1和GL2平行地形成，并且也可在存储区域AR中沿着垂直方向(即，Y轴方向)延伸。
存储区域AR中的第一分支像素电极BRPXL1可形成在下部公共电极DCOM之上且可形成在上部公共电极UCOM之下，其中，栅极绝缘层GI置于第一分支像素BRPXL1与下部公共电极DCOM之间，无机绝缘层PAS和有机绝缘层PAC中的至少一个置于第一分支像素电极BRPXL1与上部公共电极UCOM之间。存储区域AR中的第二分支像素电极BRPXL2可形成在下部公共电极DCOM之上且可形成在上部公共电极UCOM之下，其中，栅极绝缘层GI置于第二分支像素电极BRPXL2与下部公共电极DCOM之间，无机绝缘层PAS和有机绝缘层PAC中的至少一个置于第二分支像素电极BRPXL2与上部公共电极UCOM之间。可使用与数据线DL1和DL2以及TFT的源电极S和漏电极D相同的材料和相同的工艺来形成第一分支像素电极BRPXL1和第二分支像素电极BRPXL2。第一分支像素电极BRPXL1可与第一TFT的漏电极D集成，然后可通过第一接触孔CT1连接至第一像素电极UPXL1。第二分支像素电极BRPXL2可与第二TFT的漏电极D集成、然后可通过第二接触孔CT2连接至第二像素电极UPXL2。可使用与第一像素电极UPXL1和第二像素电极UPXL2相同的材料和相同的工艺来形成上部公共电极UCOM。上部公共电极UCOM可与第一像素电极UPXL1和第二像素电极UPXL2位置上相对，并且还可在存储区域AR中沿着垂直方向(即，Y轴方向)延伸。
因此，第一存储电容器Cst1包括使用第一分支像素电极BRPXL1和上部公共电极UCOM作为两个电极的第一上部存储电容器CstA1以及使用第一分支像素电极BRPXL1和下部公共电极DCOM作为两个电极的第一下部存储电容器CstB1，并且可被形成为双向存储电容器。结果，第一存储电容器Cst1的电容可增大，并且第一存储电容器Cst1的形成区域可减小。
另外，第二存储电容器Cst1包括使用第二分支像素电极BRPXL2和上部公共电极UCOM作为两个电极的第二上部存储电容器CstA2以及使用第二分支像素电极BRPXL2和下部公共电极DCOM作为两个电极的第二下部存储电容器CstB2，并且可形成为双向存储电容器。结果，第二存储电容器Cst2的电容可增大，并且第二存储电容器Cst2的形成区域可减小。
第一分支像素电极BRPXL1和第二分支像素电极BRPXL2可不对称地形成在存储区域AR中，以最大程度地抑制从相邻像素施加的电场的干扰的影响。也就是说，第一分支像素电极BRPXL1可位置更靠近第一像素电极UPXL1而非第二像素电极UPXL2，并且第二分支像素电极BRPXL2可位置更靠近第二像素电极UPXL2而非第一像素电极UPXL1。
由于第一存储电容器Cst1和第二存储电容器Cst2中的每一个均具有双向结构，因此第一存储电容器Cst1和第二存储电容器Cst2中的每一个的电容可能过度地增大。因而，如图11A至图11C所示，本发明的实施例可以通过将上部公共电极UCOM和下部公共电极DCOM中的至少一个划分成存储区域AR中的两个或更多个电极图案来容易地调整第一存储电容器Cst1和第二存储电容器Cst2的电容。
图12示出了根据本发明的实施例的其中形成有存储电容器的像素阵列的另一示例。图13示出了存储电容器形成在存储区域中的示例，更具体地，示出了图12的一部分XY的具体平面阵列。图14是沿图13的线III-III’得到的横截面图。图15示出了图13的变型示例。图16是沿图15的线III-III’得到的横截面图。
参照图12至图16，存储区域AR形成在水平方向(即，X轴方向)上位置彼此相邻的第一像素P1与第二像素P2之间。在图14和图16中，“ACT”表示半导体图案。
第一像素P1包括被充电至第一数据电压的第一像素电极UPXL1、位置与第一像素电极UPXL1相对且形成电场的上部公共电极UCOM、向上部公共电极UCOM施加公共电压的下部公共电极DCOM、用于在预定时段(例如，一个帧时段)期间保持第一数据电压的第一存储电容器Cst1以及第一TFT。第一TFT响应于来自第二栅极线GL2的扫描脉冲而接通在第一数据线DL1与第一像素电极UPXL1之间流动的电流，并因而将第一数据线DL1的第一数据电压供给至第一像素电极UPXL1。第一TFT包括与第二栅极线GL2集成的栅电极G、与第一数据线DL1集成的漏电极D以及通过1-1接触孔CT11连接至第一像素电极UPXL1的源电极S。
第二像素P2包括被充电至第二数据电压的第二像素电极UPXL2、位置与第二像素电极UPXL2相对且形成电场的上部公共电极UCOM、向上部公共电极UCOM施加公共电压的下部公共电极DCOM、用于在预定时段期间保持第二数据电压的第二存储电容器Cst2以及第二TFT。第二TFT响应于来自第一栅极线GL1的扫描脉冲而接通在第二数据线DL2与第二像素电极UPXL2之间流动的电流，并因而将第二数据线DL2的第二数据电压供给至第二像素电极UPXL2。第二TFT包括与第一栅极线GL1集成的栅电极G、与第二数据线DL2集成的漏电极D以及通过2-1接触孔CT21连接至第二像素电极UPXL2的源电极S。
第一存储电容器Cst1和第二存储电容器Cst2形成在水平方向上位置彼此相邻的第一像素P1与第二像素P2之间的存储区域AR中。用于驱动第一像素P1和第二像素P2的栅极线和数据线未形成在存储区域AR中。结果，最小化由于信号线DL和GL而引起的寄生电容的影响，并且实质上增大第一存储电容器Cst1和第二存储电容器Cst2的电容。
连接至上部公共电极UCOM和下部公共电极DCOM并且沿着垂直方向(即，Y轴方向)延伸的中间公共电极MCOM另外形成在存储区域AR中。中间公共电极MCOM与数据线平行地形成在不具有数据线的每个存储区域AR中，并且根据像素阵列的位置最小化公共电压Vcom的偏差。
存储区域AR中的第一分支像素电极BRPXL1可形成在中间公共电极MCOM之下并且可形成在与下部公共电极DCOM相同的水平层上，其中栅极绝缘层GI置于第一分支像素电极BRPXL1与中间公共电极MCOM之间。存储区域AR中的第二分支像素电极BRPXL2可形成在中间公共电极MCOM之下并且可形成在与下部公共电极DCOM相同的水平层上，其中栅极绝缘层GI置于第二分支像素电极BRPXL2与中间公共电极MCOM之间。
可使用与下部公共电极DCOM、栅极线GL1和GL2、TFT的栅电极等相同的材料和相同的工艺来形成第一分支像素电极BRPXL1和第二分支像素电极BRPXL2。下部公共电极DCOM沿着水平方向与栅极线GL1和GL2平行地形成，但不同于图9，在存储区域AR中不沿着垂直方向延伸。第一分支像素电极BRPXL1形成在存储区域AR中，使得其与中间公共电极MCOM重叠。第一分支像素电极BRPXL1可通过1-2接触孔CT12连接至第一像素电极UPXL1。第二分支像素电极BRPXL2形成在存储区域AR中，使得其与中间公共电极MCOM重叠。第二分支像素电极BRPXL2可通过2-2接触孔CT22连接至第二像素电极UPXL2。可使用与数据线DL1和DL2、TFT的源电极S和漏电极D等相同的材料和相同的工艺来形成中间公共电极MCOM。可使用与第一像素电极UPXL1和第二像素电极UPXL2相同的材料和相同的工艺来形成上部公共电极UCOM。上部公共电极UCOM可与第一像素电极UPXL1和第二像素电极UPXL2位置相对，并且还可在存储区域AR中沿着垂直方向(即，Y轴方向)延伸。下部公共电极DCOM、中间公共电极MCOM和上部公共电极UCOM通过1-3接触孔CT13和2-3接触孔CT23彼此相连接。
因此，第一存储电容器Cst1可使用第一分支像素电极BRPXL1和中间公共电极MCOM作为两个电极，并且第二存储电容器Cst2可使用第二分支像素电极BRPXL2和中间公共电极MCOM作为两个电极。
第一分支像素电极BRPXL1和第二分支像素电极BRPXL2可不对称地形成在存储区域AR中，以最大程度地抑制从相邻像素施加的电场的干扰的影响。也就是说，如图15和图16所示，第一分支像素电极BRPXL1可位置更靠近第一像素电极UPXL1而非第二像素电极UPXL2，并且第二分支像素电极BRPXL2可位置更靠近第二像素电极UPXL2而非第一像素电极UPXL1。
如上所述，本发明的实施例在水平方向上位置彼此相邻的像素之间的存储区域(例如，不具有数据线)中形成存储电容器，从而增大存储电容器的电容。另外，本发明的实施例可以考虑到存储电容器的增大的电容而减小存储电容器的形成区域，并且可以最小化由存储电容器产生的开口率的减小。
此外，本发明的实施例形成用作靠近分支像素电极所属的像素的存储电容器的一个电极的分支像素电极，使得分支像素电极受相邻像素的电池的干扰最少。因此，电压保持强度可以极大地增加。
虽然参照多个说明性实施例描述了实施例，但是应该理解本领域技术人员可以想到会落入本公开的原理的范围内的多个其他变型和实施例。更具体地，在本公开、附图和所附权利要求的范围内可以对主题组合布置的组成部分和/或布置进行各种变化和修改。除了对组成部分和/或布置的变化和修改外，替选用途也对于本领域技术人员而言是显而易见的。

Claims (9)

1.一种液晶显示器的像素阵列，所述像素阵列包括：
第一像素，包括被充电至第一数据电压的第一像素电极、位置与所述第一像素电极相对并形成电场的上部公共电极、向所述上部公共电极施加公共电压的下部公共电极、以及用于在预定时段期间保持所述第一数据电压的第一存储电容器；以及
第二像素，包括被充电至第二数据电压的第二像素电极、位置与所述第二像素电极相对并形成电场的上部公共电极、向所述上部公共电极施加公共电压的下部公共电极、以及用于在预定时段期间保持所述第二数据电压的第二存储电容器，
其中，所述第一存储电容器和所述第二存储电容器位于在水平方向上位置彼此相邻的所述第一像素与所述第二像素之间的存储区域中，并且
其中，用于驱动所述第一像素和所述第二像素的栅极线和数据线位于除了所述存储区域外的区域中。
2.根据权利要求1所述的液晶显示器的像素阵列，其中，所述第一存储电容器包括从所述第一像素电极分支出来的第一分支像素电极作为一个电极，以及所述第二存储电容器包括从所述第二像素电极分支出来的第二分支像素电极作为一个电极。
3.根据权利要求2所述的液晶显示器的像素阵列，其中，所述第一分支像素电极位于所述下部公共电极之上以及位于所述上部公共电极之下，其中，第一绝缘层置于所述第一分支像素电极与所述下部公共电极之间，至少一个第二绝缘层置于所述第一分支像素电极与所述上部公共电极之间，以及
其中，所述第二分支像素电极位于所述下部公共电极之上以及位于所述上部公共电极之下，其中，所述第一绝缘层置于所述第二分支像素电极与所述下部公共电极之间，所述至少一个第二绝缘层置于所述第二分支像素电极与所述上部公共电极之间。
4.根据权利要求3所述的液晶显示器的像素阵列，其中，所述第一存储电容器包括使用所述第一分支像素电极和所述上部公共电极作为电极的第一上部存储电容器、以及使用所述第一分支像素电极和所述下部公共电极作为电极的第一下部存储电容器，以及
其中，所述第二存储电容器包括使用所述第二分支像素电极和所述上部公共电极作为电极的第二上部存储电容器、以及使用所述第二分支像素电极和所述下部公共电极作为电极的第二下部存储电容器。
5.根据权利要求2所述的液晶显示器的像素阵列，其中，连接至所述上部公共电极和所述下部公共电极并在垂直方向上延伸的中间公共电极位于所述存储区域中。
6.根据权利要求5所述的液晶显示器的像素阵列，其中，所述第一分支像素电极位于所述中间公共电极之下以及位于与所述下部公共电极相同的水平层上，其中第一绝缘层置于所述第一分支像素电极与所述中间公共电极之间，
其中，所述第二分支像素电极位于所述中间公共电极之下以及位于与所述下部公共电极相同的水平层上，其中所述第一绝缘层置于所述第二分支像素电极与所述中间公共电极之间，
其中，所述第一存储电容器包括所述第一分支像素电极以及所述中间公共电极，以及
其中，所述第二存储电容器包括所述第二分支像素电极和所述中间公共电极。
7.根据权利要求2所述的液晶显示器的像素阵列，其中，所述第一分支像素电极和所述第二分支像素电极不对称地位于所述存储区域中。
8.根据权利要求7所述的液晶显示器的像素阵列，其中，所述存储区域中所述第一分支像素电极位置更靠近所述第一像素电极而非所述第二像素电极，并且
其中，所述存储区域中所述第二分支像素电极位置更靠近所述第二像素电极而非所述第一像素电极。
9.根据权利要求2所述的液晶显示器的像素阵列，其中，所述上部公共电极和所述下部公共电极中的至少一个被划分成所述存储区域中的两个或更多个电极图案，并且调整所述第一存储电容器和所述第二存储电容器的电容。
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