CN105425473A - 液晶显示装置和制造该液晶显示装置的方法 - Google Patents

液晶显示装置和制造该液晶显示装置的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN105425473A
CN105425473A CN201510578868.4A CN201510578868A CN105425473A CN 105425473 A CN105425473 A CN 105425473A CN 201510578868 A CN201510578868 A CN 201510578868A CN 105425473 A CN105425473 A CN 105425473A
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
liquid crystal
layer
auto
molecule
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201510578868.4A
Other languages
English (en)
Other versions
CN105425473B (zh
Inventor
朴兴植
裵智弘
权五正
申旗澈
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Display Co Ltd
Original Assignee
Samsung Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from KR1020150021782A external-priority patent/KR102308907B1/ko
Application filed by Samsung Display Co Ltd filed Critical Samsung Display Co Ltd
Publication of CN105425473A publication Critical patent/CN105425473A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN105425473B publication Critical patent/CN105425473B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1337—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
    • G02F1/13378—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers by treatment of the surface, e.g. embossing, rubbing or light irradiation
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1337—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
    • G02F1/133707—Structures for producing distorted electric fields, e.g. bumps, protrusions, recesses, slits in pixel electrodes
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1337—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
    • G02F1/133711—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers by organic films, e.g. polymeric films
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1218—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or structure of the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
    • H01L27/1262—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or coating of the substrate
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1337—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
    • G02F1/133711—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers by organic films, e.g. polymeric films
    • G02F1/133726—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers by organic films, e.g. polymeric films made of a mesogenic material
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1337—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
    • G02F1/13373—Disclination line; Reverse tilt
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1337—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
    • G02F1/133742—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers for homeotropic alignment
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1337—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
    • G02F1/13378—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers by treatment of the surface, e.g. embossing, rubbing or light irradiation
    • G02F1/133788—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers by treatment of the surface, e.g. embossing, rubbing or light irradiation by light irradiation, e.g. linearly polarised light photo-polymerisation

Abstract

提供一种液晶显示(LCD)装置和制造该液晶显示装置的方法。该液晶显示装置包括第一基板；第二基板，设置为面对第一基板；液晶层，设置在第一基板与第二基板之间并且包括多个液晶分子；以及自取向层，形成在第一基板与液晶层之间，自取向层包括具有分子结构的垂直取向添加剂，分子结构具有形成在核分子的两端的亲水基团和聚合基团，其中，垂直取向添加剂的主轴相对于第一基板的表面呈小于大约90°的角。

Description

液晶显示装置和制造该液晶显示装置的方法
本申请要求于2014年9月12日提交至韩国知识产权局的第10-2014-0121268号以及于2015年2月12日提交至韩国知识产权局的第10-2015-0021782号韩国专利申请的权益，通过引用将该韩国专利申请的公开内容全部包含于此。
技术领域
本发明涉及一种液晶显示(LCD)装置和制造该液晶显示装置的方法。
背景技术
液晶显示(LCD)装置是目前广泛使用的平板显示装置中的一种类型。LCD装置包括两个基板以及插设在这两个基板之间的液晶层，其中，所述两个基板具有形成在基板上的诸如像素电极、共电极等的场产生电极。LCD装置通过以下方式显示图像：将电压施加到场产生电极以在液晶层上产生电场，通过使用该电场来确定液晶层的液晶分子取向的方向，控制入射光的偏振。
LCD装置可以被分为通过利用形成在垂直于基板的方向上的电场来驱动液晶的垂直取向式LCD装置以及利用形成为平行于基板的水平电场的平面转换式LCD装置。
与平面转换式LCD装置相比，垂直取向式LCD装置具有优异的对比度。为了确保宽视角并提高这些垂直取向式LCD装置的开口率，将对应于一个像素的液晶层区域划分为多个畴，具有不同预倾角的液晶分子存在于每个畴的内部。
近来，对曲面显示装置的需求不断增加。在弯曲加工工艺期间，上基板的弯曲程度与下基板的弯曲程度彼此不同，使得在液晶层的一个畴中，在该畴的上部中的液晶分子的预倾角与在该畴的下部中的液晶分子的预倾角不同。即，发生错位。这种错位导致固有的织构。
在本背景技术部分中公开的信息在实现本发明之前对发明者来说是已知的，或者在本背景技术部分中公开的信息是在实现本发明的过程期间获得的技术信息。因此，其可以包括不形成本国公众已知的现有技术的信息。
发明内容
本发明的一个或更多个示例性实施例包括液晶显示(LCD)装置，该液晶显示装置在被应用于曲面面板时能够减少由错位引起的织构的产生。
附加特征将在下面的描述中被部分地阐述，并且通过描述将部分地明显，或者可以通过对给出的实施例的实践而获知。
根据一个或更多个示例性实施例，一种液晶显示(LCD)装置，包括：第一基板；第二基板，设置为面对第一基板；液晶层，设置在第一基板与第二基板之间并且包括多个液晶分子；以及自取向层，形成在第一基板与液晶层之间，自取向层包括具有分子结构的垂直取向添加剂，分子结构具有形成在核分子的一端的亲水基团，其中，亲水基团面对第一基板的表面并且核分子的主轴相对于第一基板的表面呈小于大约90°的角。
聚合基团可以进一步形成在核分子的另一端。
核分子可以由联苯的介晶基元、多个苯或者环己烷环形成。
取向层可以形成在第二基板与液晶层之间。
接触自取向层的液晶分子的主轴和第一基板的表面之间的角与接触取向层的液晶分子的主轴和第二基板的表面的之间的角之差可以大于大约0.5°。
接触自取向层的液晶分子的主轴和第一基板的表面之间的角可以大于大约85°并且小于大约89.5°。
第一基板的接触自取向层的表面可以处于亲水处理的状态。
氮化硅层可以进一步形成在第一基板与自取向层之间。
滤色器可以形成在第一基板与第二基板中的一个基板上，薄膜晶体管(TFT)阵列层可以形成在第一基板与第二基板中的另一个基板上。
滤色器和TFT阵列层可以形成在第一基板与第二基板中的一个基板上。
第一基板和第二基板可以弯曲以形成曲面显示表面。
根据一个或更多个示例性实施例，制造液晶显示(LCD)装置的方法，包括：设置第一基板和第二基板，其中，像素电极和共电极分别形成在第一基板和第二基板上；通过将添加剂与多个液晶分子进行混合来形成液晶混合物，添加剂由具有形成在核分子的一端的亲水基团的多个分子形成；对第一基板与第二基板中的一个基板进行亲水处理；以及在第一基板与第二基板之间设置液晶混合物并且执行场暴露。
在核分子的另一端可以进一步形成聚合基团。
液晶混合物中所包括的添加剂的量可以为大约0.001％至大约0.5％。
液晶混合物还可以包括烯基或烷氧基。
在第一基板和第二基板中的一个基板的亲水处理中，第一基板和第二基板中的一个基板相对于蒸馏水的接触角可以小于大约70°。
第一基板和第二基板中的一个基板的亲水处理可以包括在第一基板和第二基板中的一个基板上形成亲水层。
所述方法还可以包括对第一基板和第二基板中的一个基板执行加热处理或紫外(UV)发射处理。
第一基板和第二基板的准备可以包括：在第一基板上形成滤色器并且在第二基板上形成薄膜晶体管(TFT)阵列层。
第一基板和第二基板的准备可以包括在第二基板上形成薄膜晶体管(TFT)阵列层和滤色器。
所述方法还可以包括使第一基板和第二基板弯曲以形成曲面显示表面。
附图说明
当结合附图考虑时，通过参照下面的详细描述，本发明的更全面的解释及其许多附加优点将显而易见，同时变得更好理解，在附图中同样的附图标号表示相同或相似的组件，其中：
图1是示意性地示出根据本发明的实施例的液晶显示(LCD)装置的剖视图；
图2是示出在用于形成曲面面板的弯曲加工工艺中上基板的弯曲程度与下基板的弯曲程度彼此不同的概念图；
图3A和图3B概念性地示出了根据对比示例和实施例的因基板的弯曲而发生的畴错位(domainmisalignment，畴未对准)；
图4是示意性地示出根据本发明的另一实施例的LCD装置的剖视图；
图5是示出图4的LCD装置中采用的像素电极的示例性形状的平面图；
图6是示意性地示出根据本发明的另一实施例的LCD装置的剖视图；
图7是示意性地示出根据本发明的另一实施例的LCD装置的剖视图；
图8是示意性地示出根据本发明的另一实施例的LCD装置的剖视图；
图9是示出根据本发明的另一实施例的LCD装置的外部的透视图；
图10是示出根据本发明的实施例的制造LCD装置的方法的流程图；
图11A至图11C示出了由液晶分子和垂直取向添加剂的液晶混合物形成取向层。
具体实施方式
现在将对示例性实施例做出详细参照，在附图中示出了示例性实施例的示例，在附图中同样的附图标号始终指示同样的元件。就这一点而言，本示例性实施例可以具有不同的形式并且不应当被解释为限制于这里所阐述的描述。因此，在下面仅通过参照附图来描述示例性实施例，以解释本描述的方面。如这里所使用的，术语“和/或”包括一个或更多个相关所列项的任意组合和所有组合。
在下面的实施例中，诸如“第一”、“第二”等术语仅用于将一个组件与另一个组件区分开，而不是出于限制性含义。
在下面的实施例中，除非上下文另外明确地指明，否则单数形式也意图包括复数形式。
在下面的实施例中，当在本说明书中使用术语“包括(包含)”和/或“具有”时，说明存在所述特征、编号、步骤、操作、组件、元件或它们的组合，但不排除存在或添加一个或更多个其它特征、编号、步骤、操作、组件、元件或它们的组合。
在下面的描述中，当层、区域或组件被称为“在”另一层、区域或组件“之上”或“上”时，它可以直接或间接在所述另一层、区域或组件上。
为了便于解释，会夸大或减小附图中元件的尺寸。也就是说，由于为了便于解释，任意地示出了附图中组件的尺寸和厚度，因此下面的实施例不限于此。
图1是示意性地示出根据本发明的实施例的液晶显示(LCD)装置的剖视图。
LCD装置1000可以包括第一基板S1、设置为面对第一基板S1的第二基板S2以及设置在第一基板S1与第二基板S2之间并且由多个液晶分子310形成的液晶层300。
自取向层SAL形成在第一基板S1与液晶层300之间。自取向层SAL被设置为使液晶分子310形成预定的预倾角。即，设置为与自取向层SAL接触的液晶分子310的主轴相对于第一基板S1的表面S1a形成小于90°的角θ1。例如，角θ1可以大于85°且小于89.5°。
自取向层SAL包括垂直取向添加剂50，垂直取向添加剂50具有其中亲水基团10形成在核分子20的一端的分子结构。聚合基团30可以进一步形成在核分子20的另一端。尽管亲水基团10和聚合基团30可以示出为分别形成在核分子20的两端，但该结构不限于该举例说明，并且可以省略聚合基团30。亲水基团10朝第一基板S1的表面自取向，垂直取向添加剂50的主轴相对于第一基板S1的表面成小于90°的角，使得接触自取向层SAL的液晶分子310沿相同的方向取向。
形成自取向层SAL的垂直取向添加剂50的分子结构与液晶分子310的分子结构高度相似。例如，核分子20可以由联苯的介晶基元(mesogenicunit)、多个苯或者环己烷环形成。
亲水基团10可以包括羟基(-OH)、氨基(-NH2)或酮基(C＝O)。亲水基团10可以是具有包括从N、O、S和P中所选原子的极性结构成分的极性基团。
聚合基团30可以包括例如，丙烯酸酯基团、甲基丙烯酸酯基团、氟代丙烯酸酯基团、氧杂环丁烷基团、乙烯氧基团或环氧化物基团。
取向层AL可以形成在第二基板S2与液晶层300之间。取向层AL由垂直取向材料形成以使液晶层300的接触取向层AL的液晶分子310垂直取向。液晶层300的接触取向层AL的液晶分子310的主轴可以相对于第二基板S2的表面形成大约90°的角θ2。
取向层AL可以由普通的垂直取向材料和各种类型的有机取向剂或无机取向剂形成。有机取向剂的示例可以包括聚酰亚胺、卵磷脂、三氯硅烷、丙基三甲氧基硅烷、十六烷基三甲基卤化铵和烷基羧酸单铬盐。无机取向剂的示例可以包括SiO2、MgF2等。
液晶层300由多个液晶分子310形成，当在液晶层300中形成电场时，所述多个液晶分子310的主轴相对于电场垂直取向。即，液晶分子310可以具有负介电各向异性。当液晶层300中没有形成电场时，液晶分子310通常相对于第一基板S1的表面和第二基板S2的表面垂直取向，并且具有由自取向层SAL和取向层AL所确定的预倾角。在当前的实施例中，形成自取向层SAL和取向层AL，使得在液晶层300的下部形成预倾角而不在液晶层300的上部形成预倾角。液晶层300的接触自取向层SAL的液晶分子310具有大约0.5°或更大的预倾角，并且液晶层300的接触取向层AL的液晶分子310相对于第二基板S2的表面几乎垂直地取向而不形成预倾角。形成在接触自取向层SAL的液晶分子310的主轴与第一基板S1的表面之间的角θ1和形成在接触取向层AL的液晶分子310的主轴与第二基板S2的表面之间的角θ2之差可以大于0.5°且小于15°。
通过以上述方式确定预倾角分布，可以减小LCD装置1000被应用为曲面面板时由弯曲加工工艺中发生的错位引起的织构。
图2是示出在用于形成曲面面板的弯曲加工工艺中上基板的弯曲程度与下基板的弯曲程度彼此不同的概念图。
参照图2，用密封剂350固定面板的边缘，使得虚线部分中发生膨胀，并且上基板与下基板之间发生沿从面板的中心向外部的方向上的错位。因此，产生会降低透射比的错位的织构。
图3A和图3B概念性地示出根据对比示例与实施例的因基板的弯曲而发生的畴错位。
图3A示出了根据对比示例的LCD装置，其中，在对比示例中，在液晶层的上部和下部上施用相同的预倾角，图3B示出根据实施例的LCD，其中，在实施例中，预倾角仅施用在液晶层的下部上。在图3A和图3B中，箭头表示液晶分子的主轴方向。
在图3A和图3B中的每个中，左上侧和左下侧示出了弯曲前的状态，并且是示出在因如图2中所示的弯曲而发生膨胀的区域的上部和下部上的液晶分子的方向的平面图。
在图3A和图3B中的每个中，右上侧和右下侧示出了弯曲后的状态，并且是示出在因如图2中所示的弯曲而发生膨胀的区域的上部和下部上的液晶分子的方向的平面图。用实线表示的矩形表示面对区域。
如图3A中所示，在对比示例中，因弯曲导致对向区域的预倾角不相符，导致织构的产生和透射比的降低。然而，如图3B中所示，在本发明的实施例中，仅在液晶层的下部上施用预倾角，使得尽管由膨胀引起错位，但织构的产生或透射比的降低不会明显。
对于实施例，发明人在改变液晶层的上部和下部上的预倾角θ1和θ2的同时通过使用计算机模拟来分析弯曲的影响，并且该分析结果示出在表1中。
[表1]
在表1中，delta表示预倾角差，M/A表示错位。
参照表1，随着预倾角差增大，由错位导致的亮度降低变小。因此，通过将预倾角差设定为大于0.8°的适当的值，可以使亮度变化变为大约1％。
尽管在图1中示出的是，液晶层的上部没有预倾角，而液晶层的下部具有0.5°或更大的预倾角，但其仅仅是示例性的。液晶层的下部可以不具有预倾角，而液晶层的上部可以具有0.5°或更大的预倾角。
在下文中，将描述根据各种实施例的对其应用上述构思的LCD装置的详细结构。
图4是示意性地示出根据本发明的另一实施例的LCD装置的剖视图，图5是示出图4的LCD装置中采用的像素电极的示例性形状的平面图。
参照图4，LCD装置2000可以包括第一基板100、第二基板500和液晶层300。液晶层300可以包括具有负介电各向异性的多个液晶分子，其中，在下部(即，相邻于第一基板100的部分)中的液晶分子310具有大约0.5°-15°的预定的预倾角，并且在上部(即，相邻于第二基板500的部分)中的液晶分子310相对于第二基板500的表面几乎垂直取向而没有预倾角。为了形成预倾角，具有图1中示出的结构的自取向层SAL形成在第一基板100上，并且具有垂直取向材料的取向层AL形成在第二基板500上。
薄膜晶体管(TFT)阵列层120和像素电极PE形成在第一基板100上。TFT阵列层120包括多个开关元件TFT以及未示出的多条栅极线和多条数据线。
第一基板100可以是包括聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚酰亚胺等的塑料基板以及玻璃基板。
开关元件TFT是薄膜晶体管并且包括有源层AT、栅电极GE、源电极SE和漏电极DE。
作为栅极绝缘层的第一绝缘层L1形成在栅电极GE上，有源层AT形成在第一绝缘层L1上。在有源层AT上，漏电极DE和源电极SE形成为彼此分隔开并且形成第二绝缘层L2以覆盖漏电极DE和源电极SE。
有源层AT可以形成为包括各种材料。例如，有源层AT可以包括诸如非晶硅或晶体硅的无机半导体材料。作为另一示例，有源层AT可以包括氧化物半导体。作为另一示例，有源层AT可以包括有机半导体材料。
栅电极GE、源电极SE和漏电极DE可以形成为由从以下金属之中选择的一种或更多种金属形成的单层或多层，所述金属为铝(Al)、白金(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和铜(Cu)。
第一绝缘层L1和第二绝缘层L2可以由各种类型的绝缘材料形成。第一绝缘层L1和第二绝缘层L2可以形成为由从SiO2、SiNx、SiON、Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2、ZrO2、BST和PZT之中选择的一种或更多种绝缘材料形成的单层或多层。
平坦化层150可以进一步设置在TFT阵列层120上。
像素电极PE设置在平坦化层150上，并且通过平坦化层150和第二绝缘层L2而与开关元件TFT的漏电极DE连接。
还可以在像素电极PE上形成用于形成液晶分子310的预倾角的自取向层SAL。亲水层170可以进一步设置在像素电极PE与自取向层SAL之间。设置亲水层170以提供用于形成自取向层SAL的亲水表面。亲水层170可以由氮化硅层或氧化硅层形成，或者可以形成为包括氮化硅层和氧化硅层的多个层。亲水层170是选择性层，并且可以通过对像素电极PE的表面和平坦化层150的表面执行亲水处理来省略亲水层170。
挡光图案BP、滤色器CF、过涂覆层OC和共电极CE形成在第二基板500上，由垂直取向材料形成的取向层AL形成在共电极CE上。第二基板500可以是玻璃基板或透明塑料基板，第二基板500的外表面是显示表面DS。
挡光图案BP设置在与形成开关元件TFT、栅极线(未示出)和数据线的区域相对应的位置中的第二基板500上，并且阻挡光。设置挡光图案BP的位置是示例性的，其可以设置在第一基板100上。
滤色器CF设置在第二基板500上，并且过滤彩色光。滤色器CF的位置是示例性的，其可以设置在第一基板100上。
过涂覆层OC设置在其上形成滤色器CF的第二基板500上，以使第二基板500的顶表面平坦化。可以省略过涂覆层OC。
共电极CE设置在第二基板500上以面对像素电极PE，参考电压(即，用于限定施加到像素电极PE的电压的极性的共电压)被施加到共电极CE。共电极CE可以具有平坦的面板形式。
像素电极PE可以具有如图5中示出的形式。
参照图5，像素电极PE具有包括水平支部210和垂直支部220的交叉状支部200。多个精细分支电极230从水平支部210和垂直支部220以倾斜的方式延伸。像素区域被交叉状支部200分为四个畴。
尽管精细分支电极230被示出为具有线型形状，但其也可以具有之字形形状。精细分支电极230的宽度S和精细分支电极230之间的精细狭缝240的宽度W示出为常数，但它们可以被改变，并且考虑到液晶控制、织构减少等也可以对它们适当地进行设计。
在电压未施加到图4的共电极CE与像素电极PE之间的初始取向状态下，液晶层300的液晶分子310在与自取向层SAL相邻的位置中形成0.5°或更大的预倾角，并且在与取向层AL相邻的位置中不形成预倾角。这种结构减少了与应用产品中作为弯曲面板的基板的弯曲相对应的织构产生和透射比减少。
图6是示意性地示出根据本发明的另一实施例的LCD装置的剖视图。
根据当前实施例的LCD装置3000与图4中示出的实施例的不同之处在于自取向层SAL的位置和取向层AL的位置。用于形成预定的预倾角的自取向层SAL形成在第二基板500上，用于垂直取向的取向层AL形成在第一基板100上。亲水层170形成在共电极CE与自取向层SAL之间，但这种结构是示例性的，从而可以通过对共电极CE的表面进行亲水处理来省略亲水层170。根据自取向层SAL和取向层AL的位置，液晶层300的上部被取向为具有预定的预倾角，液晶层300的下部几乎垂直地取向。
图7是示意性地示出根据本发明的另一实施例的LCD装置的剖视图。
根据当前实施例的LCD装置4000与图4中示出的LCD装置2000的不同之处在于滤色器CF的位置。
滤色器CF形成在第一基板100上。这种结构考虑到了由弯曲造成的很多变形发生在显示表面DS形成在其上的基板(即，在应用产品中作为弯曲面板的第二基板500)上。通过在变形相对小的第一基板100上设置滤色器CF，可以减少因弯曲导致的误差的发生。
图8是示意性地示出根据本发明的另一实施例的LCD装置的剖视图。
根据当前实施例的LCD装置5000与图7中示出的实施例的不同之处在于，自取向层SAL和取向层AL的位置。用于形成预定的预倾角的自取向层SAL形成在第二基板500上，用于垂直取向的取向层AL形成在第一基板100上。亲水层170形成在共电极CE与自取向层SAL之间，但这种结构是示例性的，从而可以通过对共电极CE的表面执行亲水处理来省略亲水层170。根据自取向层SAL和取向层AL的位置，液晶层300的上部被取向为具有预定的预倾角，液晶层300的下部几乎垂直地取向。
图9是示出根据本发明的另一实施例的LCD装置的外部的透视图。
根据当前实施例的LCD装置6000具有弯曲以形成曲面显示表面DS的结构。图4的LCD装置2000、图6的LCD装置3000、图7的LCD装置4000和图8的LCD装置5000可以应用于曲面面板。
图10是示出根据本发明的实施例的制造LCD装置的方法的流程图，图11A至图11C示出了由液晶分子和垂直取向添加剂的液晶混合物形成取向层。
参照图10，在操作S701中，设置其中分别形成像素电极和共电极的第一基板和第二基板，在操作S702中，对第一基板与第二基板中的一个基板执行亲水处理并且在另一个基板上形成垂直取向层。在操作S703中，制造液晶分子与垂直取向添加剂的液晶混合物。
在第一基板和第二基板上进一步形成用于驱动LCD装置的具体元件，这些元件已经在上述实施例中进行了描述。例如，可以在其上形成共电极的第二基板上形成滤色器，可以在其上形成像素电极的第一基板上形成TFT阵列层，或者可以在其上形成像素电极的第一基板上形成TFT阵列层和滤色器这两者。
对第一基板和第二基板中的一个执行亲水处理。可以将亲水性的程度描述为蒸馏水的液滴相对于所处理的表面的接触角。接触角越小意味着亲水性越强。亲水性的程度可以是使得接触角为70°或更小。
由于亲水处理，可以在多个基板中的一个基板上形成亲水层。亲水层可以由氮化硅层和/或氧化硅层形成。亲水层的厚度可以为大约1000nm或更薄。
图11A示出了液晶分子310和垂直取向添加剂50的液晶混合物。垂直取向添加剂50具有在核分子20的一端形成亲水基团10的分子结构。还可以在核分子20的另一端形成聚合基团30。尽管亲水基团10和聚合基团30被示出为分别形成在核分子20的两端，但可以省略聚合基团30。具有上述结构的垂直取向添加剂50与液晶分子310均匀混合而在室温下不存在相分离。
包括在液晶混合物中的垂直取向添加剂50的量可以为0.001％至0.5％，其中，％表示重量％。
液晶混合物还可以包括烯基(alkenylgroup)或烷氧基(alkoxygroup)。烯基或烷氧基的量可以为大约1％至大约70％。
可以进一步对亲水处理的基板进行加热。这是由于垂直取向添加剂的垂直取向对水分敏感，因此暴露于高湿度的情况下会变弱。对于加热，可以在大约120℃下在烘焙室中执行热处理大约0.5小时至大约2小时。
可以进一步对亲水处理的基板执行紫外(UV)发射处理，在紫外(UV)发射处理的情况下，发射具有大约50mW或更小的能量的UV光。
可以省略加热或UV发射处理，或者可以省略加热和UV发射处理这两者，或者可以仅执行它们中的一个。
在图10的操作S704中，一旦设置第一基板、第二基板和液晶混合物，那么液晶混合物就设置并结合在第一基板与第二基板之间。
参照图11B，垂直取向添加剂50的亲水基团10通过与亲水表面HS相互作用而物理地结合到亲水表面HS，并且自取向。如示出那样，自取向层SAL垂直取向在亲水表面HS。
接着，在图10的操作S705中，在施加电场至液晶混合物层的同时将光发射到液晶混合物层上。为了形成电场，在形成在第二基板上的共电极和形成在第一基板上的像素电极之间施加电压。已经将像素电极的具体图案设计为形成适于预倾角的电场的方向，使得液晶分子310相对于电场的方向垂直地取向并且形成预倾角。
如图11C中所示，如果向液晶混合物层发射光同时保持这种状态，则垂直取向添加剂50的聚合基团30被固定并且加强与液晶分子310的接触。然后，即使当不形成电场时，也保持预倾角。
为了形成曲面显示表面，在图10的操作S706中使第一基板和第二基板进一步弯曲。
通过上述操作，可以制造织构的产生减少的具有曲面显示表面的LCD装置。
如上所述，根据一个或更多个上面的示例性实施例，可以提供一种LCD装置，该LCD装置通过减少织构的产生并且改善透射比而形成高品质图像。
此外，即使在将LCD装置应用于曲面面板时，也可以减少由基板变形所引起透射比减少。
应该理解的是，在这里描述的示例性实施例仅应以描述性的含义来考虑，而不为了限制的目的。在每个示例性实施例中的特征或方面的描述应当通常被认为可用于其它示例性实施例中的其它类似的特征或方面。
尽管已经参照附图描述了一个或更多个实施例，但是，本领域的普通技术人员将理解的是，在不脱离由权利要求限定的精神和范围的情况下，可以对其做出形式和细节上的各种改变。

Claims (21)

1.一种液晶显示装置，其特征在于，所述液晶显示装置包括：
第一基板；
第二基板，设置为面对所述第一基板；
液晶层，设置在所述第一基板与所述第二基板之间并且包括多个液晶分子；以及
自取向层，形成在所述第一基板与所述液晶层之间，所述自取向层包括具有分子结构的垂直取向添加剂，所述分子结构具有形成在核分子的一端的亲水基团，其中，所述亲水基团面对所述第一基板的表面并且所述核分子的主轴相对于所述第一基板的所述表面呈小于90°的角。
2.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于，聚合基团进一步形成在所述核分子的另一端。
3.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于，所述核分子由联苯的介晶基元、多个苯和环己烷环中的一种形成。
4.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于，取向层形成在所述第二基板与所述液晶层之间。
5.根据权利要求4所述的液晶显示装置，其特征在于，接触所述自取向层的液晶分子的主轴和所述第一基板的所述表面之间的角与接触所述取向层的液晶分子的主轴和所述第二基板的表面的之间的角之差大于0.5°。
6.根据权利要求4所述的液晶显示装置，其特征在于，接触所述自取向层的液晶分子的主轴和所述第一基板的所述表面之间的角大于85°并且小于89.5°。
7.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于，所述第一基板的所述表面接触所述自取向层并且处于亲水处理的状态。
8.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于，氮化硅层进一步形成在所述第一基板与所述自取向层之间。
9.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于，滤色器形成在所述第一基板与所述第二基板中的一个基板上，薄膜晶体管阵列层形成在所述第一基板与所述第二基板中的另一个基板上。
10.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于，滤色器和薄膜晶体管阵列层形成在所述第一基板与所述第二基板中的一个基板上。
11.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于，所述第一基板和所述第二基板弯曲以形成曲面显示表面。
12.一种制造液晶显示装置的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
设置第一基板和第二基板，其中，像素电极和共电极分别形成在所述第一基板和所述第二基板上；
通过将添加剂与多个液晶分子进行混合来形成液晶混合物，所述添加剂由具有形成在核分子的一端的亲水基团的多个分子形成；
对所述第一基板与所述第二基板中的一个基板进行亲水处理；以及
在所述第一基板与所述第二基板之间设置所述液晶混合物并且在将电场施加到所述液晶混合物的同时将光发射到所述液晶混合物。
13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，在所述核分子的另一端进一步形成聚合基团。
14.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，所述液晶混合物中所包括的所述添加剂的量为0.001重量％至0.5重量％。
15.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，所述液晶混合物还包括烯基和烷氧基中的一种。
16.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，在对所述第一基板和所述第二基板中的一个基板的所述亲水处理中，所述第一基板和所述第二基板中的一个基板相对于蒸馏水的接触角为小于70°。
17.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，所述第一基板和所述第二基板中的一个基板的所述亲水处理包括在所述第一基板和所述第二基板中的一个基板上形成亲水层。
18.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，所述方法还包括对所述第一基板和所述第二基板中的一个基板执行加热处理和紫外发射处理中的一个的步骤。
19.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，设置所述第一基板和所述第二基板的步骤包括：
在所述第一基板上形成滤色器；并且
在所述第二基板上形成薄膜晶体管阵列层。
20.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，设置所述第一基板和所述第二基板的步骤包括在所述第二基板上形成薄膜晶体管阵列层和滤色器。
21.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，所述方法还包括使所述第一基板和所述第二基板弯曲以形成曲面显示表面的步骤。
CN201510578868.4A 2014-09-12 2015-09-11 液晶显示装置和制造该液晶显示装置的方法 Expired - Fee Related CN105425473B (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2014-0121268 2014-09-12
KR20140121268 2014-09-12
KR10-2015-0021782 2015-02-12
KR1020150021782A KR102308907B1 (ko) 2014-09-12 2015-02-12 액정 표시 장치 및 그 제조방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN105425473A true CN105425473A (zh) 2016-03-23
CN105425473B CN105425473B (zh) 2021-02-02

Family

ID=55454616

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201510578868.4A Expired - Fee Related CN105425473B (zh) 2014-09-12 2015-09-11 液晶显示装置和制造该液晶显示装置的方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US9659965B2 (zh)
CN (1) CN105425473B (zh)

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106281363A (zh) * 2016-07-18 2017-01-04 深圳市华星光电技术有限公司 自取向液晶介质组合物、液晶显示面板及其制作方法
CN106281364A (zh) * 2016-07-21 2017-01-04 深圳市华星光电技术有限公司 自取向液晶介质组合物、液晶显示面板及其制作方法
CN110320699A (zh) * 2018-03-29 2019-10-11 夏普株式会社 液晶单元及液晶显示装置
JP2020020918A (ja) * 2018-07-31 2020-02-06 セイコーエプソン株式会社 液晶装置および電子機器
CN110764316A (zh) * 2019-11-14 2020-02-07 Tcl华星光电技术有限公司 自配向材料、自配向液晶材料及液晶面板
CN112272792A (zh) * 2018-07-03 2021-01-26 Dic株式会社 液晶显示元件的制造方法
CN112272791A (zh) * 2018-07-03 2021-01-26 Dic株式会社 基板及液晶显示元件
CN112558361A (zh) * 2020-12-30 2021-03-26 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种液晶显示面板及其制备方法
CN113359354A (zh) * 2021-05-20 2021-09-07 北海惠科光电技术有限公司 显示面板及显示装置
CN113671740A (zh) * 2021-08-06 2021-11-19 Tcl华星光电技术有限公司 一种柔性显示面板以及显示装置
WO2022141540A1 (zh) * 2020-12-30 2022-07-07 Tcl华星光电技术有限公司 液晶显示面板及曲面显示装置
WO2022262041A1 (zh) * 2021-06-16 2022-12-22 惠州华星光电显示有限公司 液晶显示面板、液晶显示面板制备方法及曲面型显示器

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190047153A (ko) 2017-10-25 2019-05-08 삼성디스플레이 주식회사 액정 조성물, 이를 이용한 액정 표시 장치 및 액정 표시 장치의 제조 방법
KR102421946B1 (ko) * 2017-11-23 2022-07-18 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
CN109581721B (zh) * 2019-02-01 2021-09-07 合肥鑫晟光电科技有限公司 一种显示用基板的制备方法、显示用基板及显示装置

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0386782A2 (en) * 1989-03-09 1990-09-12 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Alignment film for liquid crystal and method for production thereof, as well as liquid crystal display device utilizing said alignment film and method for production thereof
JP2002098828A (ja) * 1999-08-23 2002-04-05 Fuji Photo Film Co Ltd 液晶配向膜、その製造方法、光学補償シート、ｓｔｎ型液晶表示装置およびディスコティック液晶性分子を配向させる方法
US20040188653A1 (en) * 2003-03-31 2004-09-30 Fujitsu Display Technologies Corporation Liquid crystal display and method of manufacturing the same
CN1991524A (zh) * 2005-12-30 2007-07-04 Lg.菲利浦Lcd株式会社 具有有机配向层的液晶显示器件及其制造方法
CN101326453A (zh) * 2005-11-10 2008-12-17 Dic株式会社 光取向膜用组合物、光学各向异性体及其制造方法
CN102866538A (zh) * 2012-09-24 2013-01-09 京东方科技集团股份有限公司 光学补偿膜及其制备方法、显示装置

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AU2002233193A1 (en) 2000-11-23 2002-06-11 Merck Patent G.M.B.H Homeotropic alignment layer
JP4175826B2 (ja) 2002-04-16 2008-11-05 シャープ株式会社 液晶表示装置
CN101010269B (zh) 2004-12-11 2011-12-07 Lg化学株式会社 无取向膜的垂直排列液晶膜及其制备方法
KR20080026827A (ko) 2006-09-21 2008-03-26 삼성전자주식회사 액정 표시 패널 및 이의 제조 방법
CN102147545B (zh) * 2007-03-26 2014-04-23 夏普株式会社 液晶显示装置和取向膜材料用聚合物
US8029695B2 (en) 2007-11-23 2011-10-04 Lg Chem, Ltd. Polymerizable liquid crystal composition, homeotropic alignment liquid crystal film made from the composition and method for preparing the same
DE102011108708A1 (de) 2010-09-25 2012-03-29 Merck Patent Gmbh Flüssigkristallanzeigen und flüssigkristalline Medien mit homöotroper Ausrichtung

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0386782A2 (en) * 1989-03-09 1990-09-12 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Alignment film for liquid crystal and method for production thereof, as well as liquid crystal display device utilizing said alignment film and method for production thereof
JP2002098828A (ja) * 1999-08-23 2002-04-05 Fuji Photo Film Co Ltd 液晶配向膜、その製造方法、光学補償シート、ｓｔｎ型液晶表示装置およびディスコティック液晶性分子を配向させる方法
US20040188653A1 (en) * 2003-03-31 2004-09-30 Fujitsu Display Technologies Corporation Liquid crystal display and method of manufacturing the same
CN101326453A (zh) * 2005-11-10 2008-12-17 Dic株式会社 光取向膜用组合物、光学各向异性体及其制造方法
CN1991524A (zh) * 2005-12-30 2007-07-04 Lg.菲利浦Lcd株式会社 具有有机配向层的液晶显示器件及其制造方法
CN102866538A (zh) * 2012-09-24 2013-01-09 京东方科技集团股份有限公司 光学补偿膜及其制备方法、显示装置

Cited By (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106281363A (zh) * 2016-07-18 2017-01-04 深圳市华星光电技术有限公司 自取向液晶介质组合物、液晶显示面板及其制作方法
CN106281363B (zh) * 2016-07-18 2019-01-22 深圳市华星光电技术有限公司 自取向液晶介质组合物、液晶显示面板及其制作方法
CN106281364A (zh) * 2016-07-21 2017-01-04 深圳市华星光电技术有限公司 自取向液晶介质组合物、液晶显示面板及其制作方法
CN106281364B (zh) * 2016-07-21 2019-01-22 深圳市华星光电技术有限公司 自取向液晶介质组合物、液晶显示面板及其制作方法
CN110320699A (zh) * 2018-03-29 2019-10-11 夏普株式会社 液晶单元及液晶显示装置
CN110320699B (zh) * 2018-03-29 2022-01-04 夏普株式会社 液晶单元及液晶显示装置
CN112272791A (zh) * 2018-07-03 2021-01-26 Dic株式会社 基板及液晶显示元件
CN112272792A (zh) * 2018-07-03 2021-01-26 Dic株式会社 液晶显示元件的制造方法
JP2020020918A (ja) * 2018-07-31 2020-02-06 セイコーエプソン株式会社 液晶装置および電子機器
CN110764316A (zh) * 2019-11-14 2020-02-07 Tcl华星光电技术有限公司 自配向材料、自配向液晶材料及液晶面板
WO2021093042A1 (zh) * 2019-11-14 2021-05-20 Tcl华星光电技术有限公司 自配向材料、自配向液晶材料及液晶面板
US11434427B2 (en) 2019-11-14 2022-09-06 Tcl China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Self-aligning material, self-aligning liquid crystal material, and liquid crystal display panel
CN112558361A (zh) * 2020-12-30 2021-03-26 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种液晶显示面板及其制备方法
WO2022141540A1 (zh) * 2020-12-30 2022-07-07 Tcl华星光电技术有限公司 液晶显示面板及曲面显示装置
CN112558361B (zh) * 2020-12-30 2022-11-08 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种液晶显示面板及其制备方法
CN113359354A (zh) * 2021-05-20 2021-09-07 北海惠科光电技术有限公司 显示面板及显示装置
WO2022262041A1 (zh) * 2021-06-16 2022-12-22 惠州华星光电显示有限公司 液晶显示面板、液晶显示面板制备方法及曲面型显示器
CN113671740A (zh) * 2021-08-06 2021-11-19 Tcl华星光电技术有限公司 一种柔性显示面板以及显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20160077365A1 (en) 2016-03-17
US9659965B2 (en) 2017-05-23
CN105425473B (zh) 2021-02-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105425473A (zh) 液晶显示装置和制造该液晶显示装置的方法
CN102955312B (zh) 一种阵列基板及其制作方法、显示装置
CN110462843B (zh) Tft基板和具备tft基板的扫描天线
CN106842741B (zh) Coa基板及液晶显示面板
CN100541743C (zh) 薄膜晶体管、其制造方法以及显示装置
EP2518558B1 (en) Liquid crystal display and array substrate
US8704963B2 (en) Thin film transistor array wherein both an auxiliary electrode and a storage electrode are shaped as an octagonal ring
CN202049313U (zh) 一种阵列基板及薄膜晶体管液晶显示器
WO2015085641A1 (zh) 阵列基板及其制作方法及应用该阵列基板的液晶显示面板
TW200411260A (en) Liquid crystal display, panel therefor, and manufacturing method thereof
JP6572388B2 (ja) Ｉｐｓ型ｔｆｔ−ｌｃｄアレイ基板の製造方法及びｉｐｓ型ｔｆｔ−ｌｃｄアレイ基板
CN110392930B (zh) Tft基板和具备tft基板的扫描天线
WO2018105520A1 (ja) Ｔｆｔ基板、ｔｆｔ基板を備えた走査アンテナ、およびｔｆｔ基板の製造方法
CN103733130A (zh) 液晶显示器
CN102593050B (zh) 一种液晶显示面板阵列基板的制作方法
CN105093750A (zh) Tft阵列基板结构及其制作方法
CN108807420A (zh) 一种柔性显示基板及其制作方法、可折叠显示装置
EP2799926B1 (en) Array substrate, liquid crystal display device and alignment rubbing method
CN101726905B (zh) 平板显示设备制造方法
CN106873215A (zh) 多曲面液晶显示面板
CN102830549A (zh) 一种液晶显示面板及其制作方法、显示装置
KR102186576B1 (ko) 액정 표시 패널 및 이의 제조 방법
CN103576365B (zh) 液晶显示装置
CN101846841A (zh) 液晶显示器的彩膜基板及其制造方法
CN203826391U (zh) 一种阵列基板及液晶显示装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20210202

Termination date: 20210911