CN109581721B - 一种显示用基板的制备方法、显示用基板及显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明实施例提供一种显示用基板的制备方法、显示用基板及显示装置，涉及显示技术领域，可以解决平坦层的厚度过大的问题。该显示用基板的制备方法包括：在衬底上形成图案层；在图案层上形成平坦层；平坦层的材料包括主体材料以及掺杂在主体材料中的亲水材料和疏水材料；对平坦层进行处理，以使主体材料与亲水材料反应形成亲水性聚合物，主体材料与疏水材料反应形成疏水性聚合物，且使平坦层分层形成层叠的第一子平坦层和第二子平坦层；第二子平坦层相对于第一子平坦层靠近衬底，第一子平坦层的材料包括疏水性聚合物，第二子平坦层的材料包括亲水性聚合物；利用清洗液清洗平坦层，清洗液与疏水性聚合物反应，以去除部分或全部第一子平坦层。

Description

一种显示用基板的制备方法、显示用基板及显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示用基板的制备方法、显示用基板及显示装置。
背景技术
随着显示技术的快速发展，目前显示面板中的黑矩阵图案和彩色光阻图案可能会设置在不同的基板上，或者显示面板中仅包括黑矩阵图案，不包括彩色光阻图案。例如，Dual Cell(双层显示面板)显示装置由如图1所示的Normal Cell1(常规的液晶显示面板)和如图2所示的Mono Cell 2(非常规液晶显示面板)叠加组成。
其中，Normal Cell1用于正常彩色画面显示，Normal Cell1包括阵列基板10、对盒基板20和设置在阵列基板10和对盒基板20之间的液晶层30，对盒基板20包括黑矩阵图案(Black Matrix，简称BM)201和彩色光阻图案202如红色光阻图案(R)、绿色光阻图案(G)和蓝色光阻图案(B)。Mono Cell2用于区域亮度调节，Mono Cell2包括阵列基板10、对盒基板20和设置在阵列基板10和对盒基板20之间的液晶层30，对盒基板20包括黑矩阵图案201，但是不包括彩色光阻图案。
如图3所示，Mono Cell2中的对盒基板20包括设置在衬底40上的黑矩阵图案201，由于对盒基板20不包括彩色光阻图案，这样一来，在黑矩阵图案201上形成平坦层(OverCoat，简化OC)50时，平坦层50表面段差h极大，约为设置有彩色光阻图案时平坦层50的段差的10倍以上，极易出现Rubbing Mura(配向异常)风险。为了解决段差较大的问题，如图4所示，目前常通过增加平坦层50的厚度来增加平坦性。然而，平坦层50的厚度增加后，后续抽真空工序中气体从平坦层50析出的难度加大，从而增大了产品出现Bubble(气泡)的风险。而若为了确保产品质量，增加抽真空时间，抽真空时间与平坦层50厚度呈指数关系，这样又大大降低了产能。
发明内容
本发明的实施例提供一种显示用基板的制备方法、显示用基板及显示装置，既可以确保形成的平坦层的平坦性，又可以解决平坦层的厚度过大的问题。
为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：
第一方面，提供一种显示用基板的制备方法，包括：在衬底上形成图案层；在所述图案层上形成平坦层；所述平坦层的材料包括主体材料以及掺杂在所述主体材料中的亲水材料和疏水材料；对所述平坦层进行处理，以使所述主体材料与所述亲水材料反应形成亲水性聚合物，所述主体材料与所述疏水材料反应形成疏水性聚合物，且使所述平坦层分层形成层叠的第一子平坦层和第二子平坦层；其中，所述第二子平坦层相对于所述第一子平坦层靠近所述衬底，所述第一子平坦层的材料包括所述疏水性聚合物，所述第二子平坦层的材料包括所述亲水性聚合物；利用清洗液清洗所述平坦层，所述清洗液与所述疏水性聚合物反应，以去除部分或全部所述第一子平坦层。
在一些实施例中，所述第二子平坦层的厚度大于或等于所述图案层的厚度。
在一些实施例中，利用清洗液清洗所述平坦层，所述清洗液与所述疏水性聚合物反应，以去除部分或全部所述第一子平坦层，包括：利用清洗液清洗所述平坦层，所述清洗液与所述疏水性聚合物反应，通过控制所述清洗液的浓度和清洗时间，以控制剩下的所述第一子平坦层的厚度。
在一些实施例中，利用清洗液清洗所述平坦层之前，所述第一子平坦层的最大厚度和所述第二子平坦层的最大厚度比为4：1。
在一些实施例中，所述亲水材料包括羧基亲水基团。
在一些实施例中，所述亲水性聚合物的分子结构式为：
Figure BDA0001966252190000021
其中，m为正整数，m≥2。
在一些实施例中，所述疏水材料包括烷基疏水基团。
在一些实施例中，所述疏水性聚合物的分子结构式为：
Figure BDA0001966252190000031
其中，n为正整数，n≥2。
在一些实施例中，所述清洗液的成分包括十二烷基苯磺酸钠。
在一些实施例中，所述图案层为黑矩阵图案，利用清洗液清洗所述平坦层，所述清洗液与所述疏水性聚合物反应，以去除部分或全部所述第一子平坦层之后，所述显示用基板的制备方法还包括：形成隔垫物，所述隔垫物在所述衬底上的正投影的边界位于所述黑矩阵图案在所述衬底上的正投影的边界内。
第二方面，提供一种显示用基板，所述显示用基板采用上述的显示用基板的制备方法制备得到。
第三方面，提供一种显示装置，包括上述的显示用基板。
本发明实施例提供一种显示用基板的制备方法、显示用基板及显示装置，在图案层上形成平坦层时，可以将平坦层的厚度设置的较厚，从而确保了平坦层远离衬底的表面无段差或低段差，即确保了平坦层远离衬底的表面是平坦的。由于对平坦层进行处理，可以使得主体材料与亲水材料反应形成亲水性聚合物，主体材料与疏水材料反应形成疏水性聚合物，且使平坦层分层形成层叠的第一子平坦层和第二子平坦层，第二子平坦层相对于第一子平坦层靠近衬底，第一子平坦层的材料包括疏水性聚合物，第二子平坦层的材料包括亲水性聚合物，而利用清洗液清洗平坦层时，清洗液仅与疏水性聚合物反应，与亲水性聚合物不反应，因而可以去除部分或全部第一子平坦层，这样一来，不仅可以确保剩下的平坦层远离衬底的表面无段差或低段差，即确保了剩下的平坦层远离衬底的表面是平坦的，降低了Rubbing Mura风险，而且可以减小平坦层的厚度，降低了产品出现Bubble的风险，且缩减了后续抽真空工序中抽真空的时间，提升了产能。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为现有技术提供的一种Normal Cell的结构示意图；
图2为现有技术提供的一种Mono Cell的结构示意图；
图3为现有技术提供的一种Mono Cell中对盒基板的结构示意图；
图4为现有技术提供的另一种Mono Cell中对盒基板的结构示意图；
图5为本发明实施例提供一种显示用基板的制备方法的流程示意图；
图6为本发明实施例提供一种在衬底上形成图案层的结构示意图；
图7为本发明实施例提供一种在图案层上形成平坦层的结构示意图；
图8为本发明实施例提供一种对平坦层进行处理形成第一子平坦层和第二子平坦层的结构示意图；
图9a为本发明实施例提供一种去除全部第一子平坦层的结构示意图；
图9b为本发明实施例提供一种去除部分第一子平坦层的结构示意图；
图10为本发明实施例提供另一种对平坦层进行处理形成第一子平坦层和第二子平坦层的结构示意图；
图11为本发明实施例提供在平坦层上形成隔垫物的结构示意图。
附图标记：
1-Normal Cell；2-Mono Cell；10-阵列基板；20-对盒基板；201-黑矩阵图案；202-彩色光阻图案；30-液晶层；40-衬底；50-平坦层；501-亲水材料；502-疏水材料；503-第一子平坦层；504-第二子平坦层；60-图案层；70-隔垫物。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明实施例提供一种显示用基板的制备方法，如图5所示，包括：
S100、如图6所示，在衬底40上形成图案层60。
应当理解到，图案层60包括凸起部分和凹陷部分(或镂空部分)，图案层60远离衬底40的表面是不平整的。
其中，图案层60包括但不限于是黑矩阵图案。
对于衬底40的材料不进行限定，例如可以为玻璃。
对于在衬底40上形成图案层60的方法不进行限定，例如可以先在衬底40上形成薄膜，再对薄膜进行构图形成图案层60。构图包括掩膜曝光、显影或掩膜曝光、显影及刻蚀。
S101、如图7所示，在图案层60上形成平坦层50；平坦层50的材料包括主体材料以及掺杂在主体材料中的亲水材料501和疏水材料502。
其中，亲水材料501中带有亲水基团，疏水材料502中带有疏水基团(也称油性基团)。
本领域技术人员应该明白，在图案层60上形成平坦层50时，由于平坦层50的材料具有流动性，因而当平坦层50的厚度足够大时，平坦层50远离衬底40的表面无段差或低段差，即平坦层50远离衬底40的表面是平坦的。基于此，对于在图案层60上形成的平坦层50的厚度不进行限定，以能确保平坦层50远离衬底40的表面无段差或低段差为准。
对于采用何种方法在图案层60上形成平坦层50不进行限定，例如可以采用涂布(Coating)或旋涂等方式在图案层60上形成平坦层50。
此处，对于平坦层50的材料中的主体材料不进行限定，可以与现有技术中平坦层50的材料相同。例如可以为高分子材料，具体的，可以为聚酰亚胺(Polyimide，简称PI)。
对于亲水材料501不进行限定，例如可以为聚乙烯醇、聚丙烯酰胺或聚丙烯酸等。本发明实施例优选的，亲水材料501包括羧基(-COOH)亲水基团。
对于疏水材料502不进行限定，例如包括含有芳基、酯、醚、胺、酰胺等基团的烃基、含有双键的烃基、聚氧丙烯基等。本发明实施例优选的，疏水材料502包括烷基疏水基团。
应当理解到，在主体材料中掺杂亲水材料501和疏水材料502后，如图7所示，亲水材料和疏水材料502混乱分布在主体材料中。
S102、如图8所示，对平坦层50进行处理，以使主体材料与亲水材料501反应形成亲水性聚合物，主体材料与疏水材料502反应形成疏水性聚合物，且使平坦层50分层形成层叠的第一子平坦层503和第二子平坦层504；其中，第二子平坦层504相对于第一子平坦层503靠近衬底40，第一子平坦层503的材料包括疏水性聚合物，第二子平坦层504的材料包括亲水性聚合物。
此处，对平坦层50进行处理，例如可以是对平坦层50进行加热，具体的，例如可以对平坦层50进行预烘烤(Pre-bake)。
需要说明的是，对平坦层50进行处理时，平坦层50材料中的主体材料和亲水材料501发生链合反应，形成亲水性聚合物，即带有亲水基的分子链，平坦层50材料中的主体材料和疏水材料502发生链合反应，形成疏水性聚合物，即带有疏水基的分子链。此外，由于亲水性聚合物和疏水性聚合物具有不同的溶解度，疏水性聚合物会逐渐浮于上层，亲水性聚合物会逐渐沉于下层，因此平坦层50会分层，平坦层50材料中的溶剂挥发后，形成层叠的第一子平坦层503和第二子平坦层504，第二子平坦层504相对于第一子平坦层503靠近衬底40，第一子平坦层503的材料包括疏水性聚合物，第二子平坦层504的材料包括亲水性聚合物。
对平坦层50进行加热时，对于加热温度不进行限定，可以根据平坦层50材料中主体材料和亲水材料501发生反应需要的温度以及平坦层50材料中主体材料和疏水材料502发生反应需要的温度来设置加热温度。在一些实施例中，加热温度的范围为210～250℃。示例的，加热温度可以为230℃。
上述对平坦层50进行处理时，平坦层50材料中主体材料和亲水材料501的反应、主体材料和疏水材料502的反应、平坦层50的分层以及平坦层50材料中溶剂的挥发都是同步进行的，均属于平坦层50的处理过程。此外，在该处理过程中，一直保持加热。
此外，为了确保对平坦层50进行处理时，亲水材料501和疏水材料502都能够与主体材料充分反应，因此在步骤101中，在图案层60上形成平坦层50之前，先将平坦层50材料中的主体材料、亲水材料501以及疏水材料502混合均匀，再在图案层60上形成如涂覆平坦层50。
在此基础上，平坦层50分层形成第一子平坦层503和第二子平坦层504时，由于平坦层50的材料具有流动性，因此形成的第一子平坦层503远离衬底40的表面是平坦的，第二子平坦层504远离衬底40的表面的平整度优于图案层60远离衬底40的表面的平整度。进一步地，在第二子平坦层504的厚度大于图案层60的厚度的情况下，由于平坦层50的材料具有流动性，因此形成的第二子平坦层504远离衬底40的表面是平坦的。
对于第一子平坦层503和第二子平坦层504的厚度不进行限定，可以通过调整平坦层50的主体材料中掺杂的亲水材料501和疏水材料502的比例来调整第一子平坦层503和第二子平坦层504的厚度。
对于主体材料与亲水材料501反应形成的亲水性聚合物不进行限定，在一些实施例中，亲水性聚合物的分子结构式为：
Figure BDA0001966252190000081
其中，m为正整数，m≥2。该亲水性聚合物包括聚酯酰酸型基团。
对于主体材料与疏水材料502反应形成的疏水性聚合物不进行限定，在一些实施例中，疏水性聚合物的分子结构式为：
Figure BDA0001966252190000082
其中，n为正整数，n≥2。该疏水性聚合物包括聚酯亚胺型基团。
S103、如图9a和图9b所示，利用清洗液清洗平坦层50，清洗液与疏水性聚合物反应，以去除部分或全部第一子平坦层503。
需要说明的是，清洗液仅与疏水性聚合物发生反应，与亲水性聚合物不发生反应。由于清洗液仅与疏水性聚合物发生反应，溶解疏水性聚合物，因而清洗液会去除位于上层的部分或全部第一子平坦层503，而保留位于下层的第二子平坦层504或部分第一子平坦层503。由于平坦层50远离衬底40的表面无段差或低段差，因此在利用清洗液清洗第一子平坦层503时，清洗液会在第一子平坦层503远离衬底40的表面均匀流动，从而与第一子平坦层503远离衬底40的表面均匀反应，这样一来，去除部分或全部第一子平坦层503后，保留下的平坦层远离衬底40的表面也是无段差或低段差，即保留下的平坦层远离衬底40的表面也是平坦的。
在一些实施例中，利用清洗液清洗平坦层50时，如图9a所示，将第一子平坦层503全部去除。在另一些实施例中，利用清洗液清洗平坦层50时，如图9b所示，去除部分第一子平坦层503。在此基础上，可以根据第一子平坦层503的厚度、第二子平坦层504的厚度以及最终需要的平坦层的厚度，来决定需要去除的第一子平坦层503的厚度。
基于上述，在设计第一子平坦层503的厚度和第二子平坦层504的厚度时，考虑到，若第二子平坦层504所占的比例过小，则将第一子平坦层503全部去除后，剩余的第二子平坦层504的平坦性可能不是很好；若第二子平坦层504所占的比例太大，则将第一子平坦层503全部去除后，剩余的第二子平坦层504的厚度可能还是比较大，因此本发明实施例优选的，利用清洗液清洗平坦层50之前，第二子平坦层504的最大厚度和第一子平坦层503的最大厚度比为1：4。
需要说明的是，如图8所示，对平坦层50进行处理后，分层形成层叠的第一子平坦层503和第二子平坦层504时，由于图案层60是不平坦的，因而形成在图案层60上的第二子平坦层504也是不平坦的，当第二子平坦层504的最大厚度小于图案层60的厚度时，第一子平坦层503也是不平坦的。基于此，在设计第一子平坦层503和第二子平坦层504的厚度比时，将第二子平坦层504的最大厚度和第一子平坦层503的最大厚度比设计为1：4。
本发明实施例，将第二子平坦层504的最大厚度和第一子平坦层503的最大厚度比设计为1：4，一方面，可以确保去除部分或全部第一子平坦层503后，剩余的平坦层远离衬底40的表面是平坦的；另一方面可以确保去除部分或全部第一子平坦层503后，剩余的平坦层的厚度较小。
利用清洗液清洗平坦层50，清洗液与疏水性聚合物反应，以去除部分或全部第一子平坦层503，包括：
利用清洗液清洗平坦层50，清洗液与疏水性聚合物反应，通过控制清洗液的浓度和清洗时间，以控制剩下的第一子平坦层503的厚度。
清洗液的浓度越大，清洗时间越长，剩下的第一子平坦层503的厚度越小。
在此基础上，对于清洗液的成分不进行限定，以清洗液能与疏水性聚合物反应，溶解疏水性聚合物为准。示例的，清洗液的成分包括十二烷基苯磺酸钠和/或脂肪醇醚硫酸钠。十二烷基苯磺酸钠的分子结构式为：
Figure BDA0001966252190000101
本发明实施例提供一种显示用基板的制备方法，在图案层60上形成平坦层50时，可以将平坦层50的厚度设置的较厚，从而确保了平坦层50远离衬底40的表面无段差或低段差，即确保了平坦层50远离衬底40的表面是平坦的。由于对平坦层50进行处理，可以使得主体材料与亲水材料501反应形成亲水性聚合物，主体材料与疏水材料502反应形成疏水性聚合物，且使平坦层50分层形成层叠的第一子平坦层503和第二子平坦层504，第二子平坦层504相对于第一子平坦层503靠近衬底40，第一子平坦层503的材料包括疏水性聚合物，第二子平坦层504的材料包括亲水性聚合物，而利用清洗液清洗平坦层50时，清洗液仅与疏水性聚合物反应，与亲水性聚合物不反应，因而可以去除部分或全部第一子平坦层503，这样一来，不仅可以确保剩下的平坦层50远离衬底40的表面无段差或低段差，即确保了剩下的平坦层50远离衬底40的表面是平坦的，降低了Rubbing Mura风险，而且可以减小平坦层50的厚度，降低了产品出现Bubble的风险，且缩减了后续抽真空工序中抽真空的时间，提升了产能。
参考图10，考虑到，若形成的第二子平坦层504的厚度小于图案层60的厚度，则将第一子平坦层503全部去除后，显示用基板的表面仍然是不平坦的。基于此，本发明实施例优选的，如图9b所示，第二子平坦层504的厚度大于或等于图案层60的厚度。
在一些实施例中，第二子平坦层504的厚度大于图案层60的厚度。
由于第二子平坦层504的厚度大于图案层60的厚度，因而将第一子平坦层503全部去除后，可以确保显示用基板的表面无段差或低段差。此外，当第二子平坦层504的厚度大于图案层60的厚度时，第二子平坦层504会覆盖图案层60的表面，从而可以使得显示用基板中对应图案层60的位置处的表面是平整的，因此还可以解决图案层60制作过程中图案层60表面不平整的问题。
在另一些实施例中，第二子平坦层504的厚度等于图案层60的厚度。
本发明实施例，由于第二子平坦层504的厚度等于图案层60的厚度，因而将第一子平坦层503全部去除后，可以确保显示用基板的表面无段差，从而使得显示用基板的表面平坦性最好。
在一些实施例中，图案层60为黑矩阵图案，利用清洗液清洗平坦层50，清洗液与疏水性聚合物反应，以去除部分或全部第一子平坦层503之后，显示用基板的制备方法还包括：
如图11所示，形成隔垫物70(Photo Spacer，简称PS)，隔垫物70在衬底40上的正投影的边界位于黑矩阵图案在衬底40上的正投影的边界内。
此处，可以先在平坦层50上形成薄膜，再利用掩膜曝光以及显影工艺对薄膜进行构图，形成隔垫物70。
本发明实施例，在显示用基板应用于显示装置时，在平坦层50上形成隔垫物70，隔垫物70可以使显示装置保持一定的盒厚。
在一些实施例中，在S100之前，显示用基板的制备方法还包括：在衬底40上形成透明的导电薄膜。
此处，导电薄膜的材料例如可以为ITO(Indium Tin Oxides，氧化铟锡)或IZO(Indium Zinc Oxide，氧化铟锌)。
此外，导电薄膜和图案层60可以形成在衬底40的同一侧面；也可以形成在衬底40相对的两个侧面。
本发明实施例，在衬底40上形成透明的导电薄膜，可以起到释放静电的作用。
本发明实施例提供一种显示用基板，显示用基板采用上述的显示用基板的制备方法制备得到。
需要说明的是，本发明实施例提供的显示用基板可以应用于液晶显示装置(Liquid Crystal Display，简称LCD)中；也可以应用于有机电致发光二极管显示装置(Organic Light-Emitting Diode，简称OLED)中；当然还可以应用于其它类型的显示装置中，对此不进行限定。在显示用基板应用于液晶显示装置中时，显示用基板可以应用于单层显示面板；也可以应用于Dual Cell(双层显示面板)中的Mono Cell中。
本发明实施例提供一种显示用基板，显示用基板具有与上述实施例提供的显示用基板的制备方法相同的结构和有益效果，由于上述实施例已经对显示用基板的制备方法的结构和有益效果进行了详细的描述，因而此处不再赘述。
本发明实施例还提供一种显示装置，包括上述的显示用基板。
其中，显示装置可以是显示不论运动(例如，视频)还是固定(例如，静止图像)的且不论文字还是的图像的任何装置。更明确地说，预期所述实施例可实施在多种电子装置中或与多种电子装置关联，所述多种电子装置例如(但不限于)移动电话、无线装置、个人数据助理(PDA)、手持式或便携式计算机、GPS接收器/导航器、相机、MP4视频播放器、摄像机、游戏控制台、手表、时钟、计算器、电视监视器、平板显示器、计算机监视器、汽车显示器(例如，里程表显示器等)、导航仪、座舱控制器和/或显示器、相机视图的显示器(例如，车辆中后视相机的显示器)、电子相片、电子广告牌或指示牌、投影仪、建筑结构、包装和美学结构(例如，对于一件珠宝的图像的显示器)等。
此外，显示装置还可以是显示面板。
此处，显示装置可以是液晶显示装置；也可以是有机电致发光二极管显示装置；当然还可以是其它类型的显示装置，对此不进行限定。
本发明实施例提供一种显示装置，显示装置包括上述的显示用基板，显示用基板具有与上述实施例提供的显示用基板的制备方法相同的结构和有益效果，由于上述实施例已经对显示用基板的制备方法的结构和有益效果进行了详细的描述，，因而此处不再赘述。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易的想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (12)

1.一种显示用基板的制备方法，其特征在于，包括：
在衬底上形成图案层；
在所述图案层上形成平坦层；所述平坦层的材料包括主体材料以及掺杂在所述主体材料中的亲水材料和疏水材料；
对所述平坦层进行处理，以使所述主体材料与所述亲水材料反应形成亲水性聚合物，所述主体材料与所述疏水材料反应形成疏水性聚合物，且使所述平坦层分层形成层叠的第一子平坦层和第二子平坦层；其中，所述第二子平坦层相对于所述第一子平坦层靠近所述衬底，所述第一子平坦层的材料包括所述疏水性聚合物，所述第二子平坦层的材料包括所述亲水性聚合物；
利用清洗液清洗所述平坦层，所述清洗液与所述疏水性聚合物反应，以去除部分或全部所述第一子平坦层。
2.根据权利要求1所述的显示用基板的制备方法，其特征在于，所述第二子平坦层的厚度大于或等于所述图案层的厚度。
3.根据权利要求1所述的显示用基板的制备方法，其特征在于，
利用清洗液清洗所述平坦层，所述清洗液与所述疏水性聚合物反应，以去除部分或全部所述第一子平坦层，包括：
利用清洗液清洗所述平坦层，所述清洗液与所述疏水性聚合物反应，通过控制所述清洗液的浓度和清洗时间，以控制剩下的所述第一子平坦层的厚度。
4.根据权利要求1所述的显示用基板的制备方法，其特征在于，利用清洗液清洗所述平坦层之前，所述第一子平坦层的最大厚度和所述第二子平坦层的最大厚度比为4：1。
5.根据权利要求1所述的显示用基板的制备方法，其特征在于，所述亲水材料包括羧基亲水基团。
6.根据权利要求1所述的显示用基板的制备方法，其特征在于，所述亲水性聚合物的分子结构式为：
Figure FDA0002930298360000011
其中，m为正整数，m≥2。
7.根据权利要求1所述的显示用基板的制备方法，其特征在于，所述疏水材料包括烷基疏水基团。
8.根据权利要求1所述的显示用基板的制备方法，其特征在于，所述疏水性聚合物的分子结构式为：
Figure FDA0002930298360000021
其中，n为正整数，n≥2。
9.根据权利要求1所述的显示用基板的制备方法，其特征在于，所述清洗液的成分包括十二烷基苯磺酸钠。
10.根据权利要求1所述的显示用基板的制备方法，其特征在于，所述图案层为黑矩阵图案，利用清洗液清洗所述平坦层，所述清洗液与所述疏水性聚合物反应，以去除部分或全部所述第一子平坦层之后，所述显示用基板的制备方法还包括：
形成隔垫物，所述隔垫物在所述衬底上的正投影的边界位于所述黑矩阵图案在所述衬底上的正投影的边界内。
11.一种显示用基板，其特征在于，所述显示用基板采用如下制备方法制备得到：
在衬底上形成图案层；
在所述图案层上形成平坦层；所述平坦层的材料包括主体材料以及掺杂在所述主体材料中的亲水材料和疏水材料；
对所述平坦层进行处理，以使所述主体材料与所述亲水材料反应形成亲水性聚合物，所述主体材料与所述疏水材料反应形成疏水性聚合物，且使所述平坦层分层形成层叠的第一子平坦层和第二子平坦层；其中，所述第二子平坦层相对于所述第一子平坦层靠近所述衬底，所述第一子平坦层的材料包括所述疏水性聚合物，所述第二子平坦层的材料包括所述亲水性聚合物；
利用清洗液清洗所述平坦层，所述清洗液与所述疏水性聚合物反应，以去除部分所述第一子平坦层；
所述亲水性聚合物的分子结构式为：
Figure FDA0002930298360000031
其中，m为正整数，m≥2；
所述疏水性聚合物的分子结构为：
Figure FDA0002930298360000032
其中，n为正整数，n≥2。
12.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求11所述的显示用基板。
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