CN105424236B - 一种多量程阵列式压力传感芯片及其检测方法 - Google Patents
一种多量程阵列式压力传感芯片及其检测方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN105424236B CN105424236B CN201510814955.5A CN201510814955A CN105424236B CN 105424236 B CN105424236 B CN 105424236B CN 201510814955 A CN201510814955 A CN 201510814955A CN 105424236 B CN105424236 B CN 105424236B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- circuit
- resistance
- pressure
- pressure sensor
- array
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Landscapes
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
Abstract
本发明公开了一种多量程阵列式压力传感芯片，其特征在于，包括在同一衬底上的压力传感器组和温度传感器组，所述压力传感器组为M×N压力传感器阵列，压力传感器组具有M种量程压力传感器，同时M种量程的压力传感器各具有N个，其M，N为任意数，所述温度传感器组为2×M个温度传感器阵列，温度传感器阵列位于压力传感器阵列两侧，相应的每一量程的压力传感器左右两侧均有一个温度传感器；本发明所述的一种多量程阵列式压力传感芯片及其检测方法实现了压力测量的高可靠性与高稳定性，可应用于各种恶劣的环境。
Description
技术领域
本发明涉及一种多量程阵列式压力传感芯片及其检测方法。
背景技术
压阻式压力传感器作为压力传感器的一种主要类型，由于其具有较高测量精度、较低功耗和低成本，广泛地应用航天、航空、航海、石油化工、生物医学工程、气象、地质、地震测量等各个领域。
压阻式压力传感器的工作原理是将作用在硅弹性体上的压强P变换成在弹性体上的应力T，应力T进一步引起制作在弹性体上的力敏电阻的阻值变化ΔR，阻值变化ΔR再通过全桥电路转换成电压输出ΔV，形成电压与压力的传感器转换功能。
目前，很多场合需要宽量程，高精度，高灵敏度。例如，在航天和航空工业中,对静态和动态压力,局部压力和整个压力场的测量都要求很高的精度。现有的MEMS压力传感器的一般为固定的量程，小量程压力传感器测量低压时具有高灵敏度，但测量范围窄；大量程压力传感器具有较高的测量范围，但测量低压灵敏度低，这就造成当被测量的气压变化较大时会产生较大的测量误差。
测量电路的不精确，温度漂移都会降低测量的精度，所以在传感器的测量过程中，如何解决温度漂移问题，提高测量精度极为重要。
值得注意的是，单一普通压力传感器在恶劣环境中损坏时致使整个压力测量系统损坏，造成较大误差，浪费成本。
发明内容
针对现有技术的不足，本发明提出了一种多量程阵列式压力传感芯片及其检测方法,使该芯片具有宽量程的测量范围，提高了各量程压力传感器的灵敏度与精确度，克服大量程传感器测量微小压力时灵敏度低，小量程测量高压时非线性的弱点。通过自选量程、自动修正各类误差、自动补偿的测量电路提高测量精度，并通过其故障诊断软件实现自动诊断功能，实现压力测量的高可靠性与高稳定性。最终使得多量程集成压力传感器芯片得以应用于各种恶劣的环境条件下。
本发明为解决上述技术问题采用以下技术方案：一种多量程阵列式压力传感芯片，其特征在于，包括在同一衬底上的压力传感器组和温度传感器组，所述压力传感器组为M×N压力传感器阵列，用于测量压力，压力传感器组具有M种量程压力传感器，同时M种量程的压力传感器各具有N个，其M，N可为任意数，所述温度传感器组为2×M个温度传感器阵列，压力传感器组与温度传感器组设置于同一衬底上组成芯片，温度传感器阵列位于压力传感器阵列两侧，相应的每一量程的压力传感器左右两侧均有一个温度传感器，用于测量压力传感器阵列左右两侧的温度值，实现对压力传感器阵列进行温度补偿。
不同于采用压强为某一特定大小的MEMS压力传感器进行压力测量的方案，本发明采用适合于大批量生产的标准CMOS工艺兼容的MEMS技术，将M个不同量程压力传感器集成在同一芯片上，使该芯片的具有宽量程的测量范围，提高了各量程压力传感器的灵敏度与精确度，克服大量程传感器测量微小压力时灵敏度低，小量程测量高压时非线性的弱点。
同时将针对上述每个量程所具有的N个压力传感器集成到同一芯片上，形成阵列式测量，提高各量程压力传感器精确度。由于同一量程压力传感器具有N个，当部分传感器出现损坏时通过软件操作处理，仍能保持压力测量的高可靠性与高稳定性。
进一步形成MEMS压力传感器阵列进行压力测量，当外界压强变化时，尤其变化剧烈时，使得至少一个量程的MEMS压力传感器可准确测量环境的压强，从而实现对外界压力测量准确的目的。
一种多量程阵列式压力传感芯片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤a，选用顶层硅50～300nm，掩埋氧化层1～2μm，底层硅350～450μm的SOI硅片，将硅片先后放入丙酮、双氧水和浓硫酸的混合溶液中进行超声清洗，再用去离子水反复清洗干净；然后将清洗干净的硅片放入稀释的HF溶液中反应，以除去硅片表面的氧化层；
步骤b，清洗后，对SOI器件层B离子扩散掺杂，作为SOI压阻式压力传感器敏感元件的底片，压阻的掺杂浓度应为3×1017cm-3～3×1018cm-3，然后将SOI硅片退火，使B粒子均匀分布。其中不同量程压力传感器的扩散硅的长度与宽度不同；
步骤c，然后用ICP干法刻蚀机进行刻蚀，得到压阻条，利用高能等离子体Ba、Hf、Zr间隔30-60分钟先后对硅纳米线表面进行三次注入轰击，使得硅纳米线表面形成一定粗糙度的缺陷以及带电荷的杂质，从而实现表面改性，这种对纳米线进行Ba，Hf，Zr掺杂的表面修饰处理，能显著提高表面态密度，放大表面效应和增强压阻特性。考虑到具有多量程，需要根据需要进行压阻条长度与宽度相应的调节；
步骤d，通过LPCVD技术在硅片的顶层与底层硅沉积1～2μm的Si3N4，作为绝缘层和保护膜，再光刻得到接触孔的窗口，得到铝与扩散电阻实现欧姆接触的过孔与铂电阻区域，使用正性光刻胶形成铂金电阻图形，采用剥离工艺方法，在SiO2掩埋层上制作出温度单元的铂金电阻，在晶圆上溅射淀积一薄层铝，刻蚀出导线和焊盘，此时完成了铝与压敏电阻的欧姆接触；
步骤e，背面深硅刻蚀硅杯，首先光刻底层Si3N4从得到硅杯窗口，经过定时腐蚀得到特定厚度的薄膜，即应变膜。其中不同量程的硅杯窗口大小不同，需要注意的是背面刻蚀的窗口需要和正面的压敏电阻图形精确对准，以保证所有的电阻条位于应变膜并且且相互对称；
步骤f，将制作好的芯片与硼硅玻璃采用阳极键合技术键合在一起，中间形成了真空的密封腔。最后划片，将晶圆分割成独立的芯片。
多量程阵列式压力传感芯片的检测装置，其特征在于，包括可调恒流源电路、压力传感阵列电路、前置放大电路、滤波电路、温度漂移补偿电路、二级可调放大电路、A/D转换器、数字信号处理器、控制电路以及切换电路，所述可调恒流源电路为压力传感电路供能，所述压力传感电路连接前置放大器对信号进行放大处理，经放大信号向滤波电路输入，经滤波后的电压信号进入温度漂移补偿电路，补偿后的电压信号进入二级可调放大电路，二级可调放大电路放大信号输入到A/D转换器，数字信号处理器监控A/D转换器采集的数据反馈到控制电路，控制电路控制切换电路分别连接二级可调放大电路、压力传感电路和可调恒流源电路。
优选的是，所述可调恒流源电路主要由电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电压为V1的稳压二极管Z1、放大器AMP1、切换电路M2构成，电阻R1为限流电阻，电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5为切换电阻，切换电路M2受控制电路控制。
优选的是，所述压力传感阵列电路由切换电路M1、切换电路M3与压力传感器组构成，切换电路M1连接各量程传感器，切换电路M3针对切换电路M1选择的某一量程的压力传感器进行选择，所述切换电路M1、切换电路M3均由控制电路控制。切换电路实现对不同量程的压力传感器和对某一量程的全部压力传感器进行选择，并且通过切换电阻实现了不同大小的恒流源输出转换与对二级可调放大电路放大倍数的选择，所述切换电路均有控制电路控制。
优选的是，前置放大电路对压力传感器输出的微弱信号进行放大，所述前置放大电路由仪表放大器INA128与电阻RG构成，所述滤波电路为一种低通滤波电路，由电阻R6、电阻R7、电阻R8、电阻R9、电容C1、电容C2和放大器AMP2构成，电阻R8和电容C2构成两个反馈支路，所述二级可调放大电路由切换电路M4、放大器AMP4、精密电阻r1,r2...rn构成。滤波电路移除传感器阵列输出经前置放大电路放大后的噪声分量，提高模拟信噪比。
优选的是，针对温度漂移影响测量精度的问题，集成了温度漂移补偿电路，通过数字电路或模拟电路的方法进行温度补偿，克服被温度影响压阻系数测量的问题，降低环境系统的影响。所述温度漂移补偿电路为模拟电路补偿，由温度传感器组、温度补偿记录表、D/A转换器、电阻R10、电阻R11、电阻R12、电阻R13和放大器AMP3构成，所述电阻R10、电阻R11、电阻R12、电阻R13和放大器AMP3构成减法器，D/A转换器连接减法器的负端，压力传感器组连接减法器的正端。温度补偿电路依据温度传感器所测的温度值进行相应的温度补偿。
优选的是，二级可调放大电路使得放大后信号的电压范围满足A/D转换器的电压范围匹配要求；A/D转换器将模拟信号转变为数字电路进行后续处理；数字信号处理器处理经转换的数字信号与确定输入压力，将处理结果反馈给控制电路，从而得到合适的A/D采集电压与采用合适量程压力传感器测量。并且针对压力传感器阵列在工艺过程或恶劣环境造成的某一个或多个压力传感器损坏影响其测量精度，提出了故障诊断算法，实现了自动诊断功能，自动对传感器和系统工作状态进行定期的检测，及时发现发生故障的位置，并给予软件操作处理，实现压力测量的高可靠性与高稳定性。
一种多量程阵列式压力传感芯片的检测方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1，电阻R1，R2，放大器AMP1，V1的稳压二极管Z1构成电流为I＝V1/R2恒流源电路，为压力传感器阵列进行供能，切换电路M1连接至高量程压力传感器阵列，切换电路M3对相应的高量程压力传感器S11,S12,S13,S14进行选择，当压力P作用时，高压量程压力传感器阵列膜片都发生弯曲，膜片应变引起应变电阻变化ΔR，在恒流源的激励下，惠斯通电桥电阻值的变化转化为电压的变化ΔV；
步骤2，连接切换电路M3所对应的仪表放大器INA128对惠斯通桥电路电压输出ΔV进行放大，经过前置放大电路的放大后的压力传感器输出的信号流入滤波电路，滤掉信号中一部分噪声以及不需要的频率范围的信号；
步骤3，解决温度漂移影响测量精度的问题，首先测出各温度传感器在不同温度时的零点输出，将其A/D转换器转换后数据存放到存储器中，做成矩阵记录表，此数据值为A，根据温度传感器的测量值得到进行压力测量时温度环境，将矩阵记录表相对应的的A通过D/A转换连接减法器的负端，压力传感器测量值连接正端，然后连接A/D转换器，实现模拟温度漂移补偿方案；或者，通过数字电路方式实现温度漂移补偿，在温度为W的环境下进行压力测量时，某一量程压力传感器测量值经C倍放大，A/D转换器后输出值为D2；此时从存储器中调用相关温度，相关传感器的的零点输出值，放大C倍得到D3；将D2与D3相减得到温度补偿后的输出值。
步骤4，温度漂移补偿后的信号进入二级可调放大电路，切换电路M4对电阻r1进行选择，初始放大倍数为1，经二级选择性放大后信号进入多通道A/D转换器，将模拟信号转变为数字信号，送往数字信号处理器进行处理后续；
步骤5，数字信号处理器监控多通道A/D转换器采集的数据，当数据未达到一定的电压范围时，反馈给控制电路，控制电路通过控制切换电路M4选择电阻r2，更改二级可调放大电路的增益；再次放大后的信号进入多通道A/D转换器，将转变的数字信号再次进入数字信号处理电路进行判断，重复上述过程直到达到A/D转换器合适的采样电压；
步骤6，通过数字信号处理电路处理得到同一量程压力传感器的4个压力传感器的测量值，当4个压力传感器的测量值相差较小时，通过平均算法得到最终压力值，当4个压力传感器的测量值中存在Pn与平均值有较大误差时，则抛弃Pn，将其剩余数据做平均算法得到最终压力。
步骤7，重复测量，自动对压力传感器组、温度传感器组和系统工作状态进行定期的检测，及时发现发生故障的位置，当Pn出现连续测量错误时，将其Pn认定为损坏，，控制器控制切换电路M3不对其Pn进行选择测量，并软件操作处理剩下的测量数据。
本发明与现有技术相比，具有以下技术效果：
1.本发明将MEMS温度传感器与测量结构集成在一起进行温度补偿，保证其一致性，提高测量的精确度。
2.本发明提供的一种多量程集成压力传感器芯片与现有的压阻式压力传感器相比，由于采用两个或两个以上不同量程压力传感器，即具有较大的测量范围，又保证了低压力测量的灵敏度。
3.本发明针对各个量程的集成压力传感器阵列，提高了各量程测量的精确度。
4.采用纳米薄膜作为应变电阻，同时对应变电阻进行巨压阻特性处理，提高压阻式压力传感器的灵敏度。
5.工艺流程与单一量程传感器相同，并与集成电路工艺兼容，易集成化。
6.该结构通过自选量程、自动修正各类误差、自动补偿等功能来保证它的高精确度。
7.通过其故障诊断软件实现自动诊断功能，自动对传感器和系统工作状态进行定期的检测，及时发现发生故障的位置，并给予软件操作处理，实现压力测量的高可靠性与高稳定性。
附图说明
图1为本发明流程示意图；
图2本发明芯片原理示意图；
图3本发明芯片的制备方法工艺流程图；
图4本发明芯片横向剖面图；
图5本发明芯片侧向剖面图；
图6本发明芯片结构示意图；
图7本发明温度补偿零点矩阵记录表；
图8本发明测量电路示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明作进一步描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本发明的技术方案，而不能以此来限制本发明的保护范围。
如图1所示，一种多量程阵列式压力传感芯片的检测装置，其特征在于，包括可调恒流源电路101、压力传感阵列电路102、前置放大电路103、滤波电路104、温度漂移补偿电路105、二级可调放大电路106、A/D转换器107、数字信号处理器108、控制电路109以及切换电路110，所述可调恒流源电路101实现不同大小恒流源的输入，为压力传感阵列电路102供能，由于压力信号经传感器转换后的电信号较微弱，在毫伏数量级上，为了防止在采样过程中使得信噪比明显的降低，在同一量程传感器后都设置一个前置放大器103，所述压力传感阵列电路102连接前置放大器103对信号进行放大处理，经放大信号向滤波电路104输入，滤波电路104移除传感器阵列输出经前置放大电路103放大后的噪声分量，提高模拟信噪比，经滤波后的电压信号进入温度漂移补偿电路105，温度漂移补偿电路105依据压力传感器阵列102工作所处的环境温度值进行相应的温度补偿，提高测量精度，补偿后的电压信号进入二级可调放大电路106，由于前置放大器的放大倍数太大，就会降低模拟信号的信噪比，导致较大的误差，因此还需要一个二级可调放大电路106，通过对弱信号进行放大提高分辨率，二级可调放大电路106使得放大后信号的电压范围满足A/D转换器107的电压范围匹配要求后，输入到A/D转换器107，经过二级可调放大电路106放大后的信号还是模拟信号，经过A/D转换器107转换为数字信号，送往数字信号处理器108进行处理后续，这里多路A/D转换器，实现同一量程压力传感器的同时采集，提高工作效率，数字信号处理器108监控A/D转换器107采集的数据，当数据进入一定的电压范围时，反馈到控制电路109，控制电路109控制切换电路110实现对二级可调放大电路106增益的改变，使得增益能自动地随采集数据的大小而调节，实现变精度的A/D采集，控制电路109控制切换电路110分别连接二级可调放大电路106、压力传感电路102和可调恒流源电路101，数字信号处理器108处理最终经转换的数字信号并且确定输入压力，当输入压力在其它量程压力传感器范围内时，反馈给反馈到控制电路109，控制电路109控制切换电路110实现对压力传感电路102合适量程的压力传感器的选择，重复上述过程对压力进行测量；否则输出该压力值，该压力值为最终精确压力值。
所述可调恒流源电路101主要由电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电压为V1的稳压二极管Z1、放大器AMP1、切换电路M2构成，电阻R1为限流电阻，电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5为切换电阻，切换电路M2受控制电路611控制。
所述压力传感阵列电路102由切换电路M1、切换电路M3与压力传感器组构成，切换电路M1连接各量程传感器，切换电路M3针对切换电路M1选择的某一量程的压力传感器进行选择，所述切换电路M1、切换电路M3均由控制电路111控制。
所述前置放大电路由仪表放大器INA128与电阻RG构成，所述滤波电路104为一种低通滤波电路，由电阻R6、电阻R7、电阻R8、电阻R9、电容C1、电容C2和放大器AMP2构成，电阻R8和电容C2构成两个反馈支路，所述二级可调放大电路106由切换电路M4、放大器AMP4、精密电阻r1,r2...rn构成。
所述温度漂移补偿电路105为模拟电路补偿，由温度传感器组、温度补偿记录表、D/A转换器、电阻R10、电阻R11、电阻R12、电阻R13和放大器AMP3构成，所述电阻R10、电阻R11、电阻R12、电阻R13和放大器AMP3构成减法器，D/A转换器连接减法器的负端，压力传感器组连接减法器的正端。
所述压力传感器组为M×N压力传感器阵列，用于测量压力，压力传感器组具有M种量程压力传感器，同时M种量程的压力传感器各具有N个，其M，N可为任意数，如图6所示S1X～SMX(X为1～N)代表M种量程，SX1～SXN(X为1～N)代表X量程的N个压力传感器，所述温度传感器组为2×M个温度传感器阵列，压力传感器组与温度传感器组设置于同一衬底上组成芯片，温度传感器阵列位于压力传感器阵列两侧，相应的每一量程的压力传感器左右两侧均有一个温度传感器，用来测量所工作压力传感器的环境温度值，用于对压力传感器阵列进行温度漂移补偿。如图6所示T11～T1M,T21～T2M代表2M个温度传感器。
压力传感器量程与各量程压力传感器可根据实际情况设置。本发明以4×4压力传感器阵列为例，兼顾对微压量程的范围与高量程压力传感器的重要性，所设计的微压传感器选定目标为0～100kpa，低压传感器目标为0.1～1Mpa，中压传感器目标1～10Mpa，高压传感器目标10～50Mpa，每一类传感器分别有4个。如图2所示，高压量程传感器为S11,S12,S13,S14；中压量程压力传感为S21,S22,S23,S24；低压量程压力传感器为S31,S32,S33,S34；微压量程压力传感器为S41,S42,S43,S44；相应的温度传感器为T11,T12,T13,T14,T21,T22,T23,T24，其中铂电极为201，铝电极为202，导线为203，硅纳米线204。
针对本发明多量程阵列式巨压阻压力传感芯片的制作，为完成多量程的效果，我们可采用规定膜片厚度，改变膜片面积的方法；规定其膜片面积而改变厚度的方法；或者同时改变膜片厚度与面积的方法制备多量程压力传感器芯片。考虑到工艺简单化与兼容性，这里我们以一种规定膜片与腔体的厚度，改变膜片面积的方法完成上述的标准的多量程阵列式微纳巨压阻芯片制备。
优选的是，膜片图形可为方形，圆形，矩形，本方案提出具体的方形多量程阵列式巨压阻压力传感芯片制作步骤。
优选的是，本设计弹性膜片厚度选定为30um。
弹性硅薄膜片上的应力与应变通常在正常的弹性变形内都保持良好的线性关系，而对于方形膜片，硅膜片边长与膜厚之间应满足以下的不等式：
其中弹性极限σ＝8×107pa，解不等式可得微压膜片长度为a1≤979um，低压膜片长度a2<310um，中压膜片长度a3<98um，高压膜片长度a4<44um.
传感器弹性膜片变形量应满足小挠度原理才能保证获得具有较好线性输出的传感器，根据小挠度理论推算：
其中硅的弹性模量E＝170Gpa；泊松比u＝0.278代入相关数据可得:微压膜片的边长a1≤2333um，低压膜片长度a2<1312um，中压膜片长度a3<738um，高压膜片长度a<493。故综合分析计算，为保证传感器在设定的压力量程范围内具有良好的线性度，本发明微压量程传感器选择弹性薄膜的边长a1＝900um，低压量程传感器弹性薄膜的边长a2＝300um中压量程传感器弹性薄膜的边长a3＝90um；高压量程传感器弹性薄膜的边长a4＝40um。
与传统在体硅内掺杂形成压力传感器的压阻敏感结构不同，本发明专利采用4组被刻蚀凸起的硅纳米线作为传感器的巨压阻敏感结构，这样可以显著提高同等压力作用下的应力效果，增强了纳米压力传感器的灵敏度，同时采用硅纳米线能够在一定程度上降低温漂影响，有利于提升压力传感器的信噪比。
如图3所示，芯片的制备方法包括以下步骤：
步骤a，选用顶层硅50～300nm，掩埋氧化层1～2μm，底层硅350～450μm的SOI硅片，将硅片先后放入丙酮、双氧水和浓硫酸的混合溶液中进行超声清洗，再用去离子水反复清洗干净；然后将清洗干净的硅片放入稀释的HF溶液中反应，以除去硅片表面的氧化层；
步骤b，清洗后，对SOI器件层B离子扩散掺杂，作为SOI压阻式压力传感器敏感元件的底片，压阻的掺杂浓度应为3×1017cm-3～3×1018cm-3，然后将SOI硅片退火，使B粒子均匀分布。其中不同量程压力传感器的扩散硅的长度与宽度不同；
步骤c，然后用ICP干法刻蚀机进行刻蚀，得到压阻条，利用高能等离子体Ba、Hf、Zr间隔30-60分钟先后对硅纳米线表面进行三次注入轰击，使得硅纳米线表面形成一定粗糙度的缺陷以及带电荷的杂质，从而实现表面改性，这种对纳米线进行Ba，Hf，Zr掺杂的表面修饰处理，能显著提高表面态密度，放大表面效应和增强压阻特性。考虑到具有多量程，需要根据需要进行压阻条长度与宽度相应的调节；
步骤d，通过LPCVD技术在硅片的顶层与底层硅沉积1～2μm的Si3N4，作为绝缘层和保护膜，再光刻得到接触孔的窗口，得到铝与扩散电阻实现欧姆接触的过孔与铂电阻区域，使用正性光刻胶形成铂金电阻图形，采用剥离工艺方法，在SiO2掩埋层上制作出温度单元的铂金电阻，在晶圆上溅射淀积一薄层铝，刻蚀出导线和焊盘，此时完成了铝与压敏电阻的欧姆接触；
步骤e，背面深硅刻蚀硅杯，首先光刻底层Si3N4从得到硅杯窗口，经过定时腐蚀得到特定厚度的薄膜，即应变膜。其中不同量程的硅杯窗口大小不同，需要注意的是背面刻蚀的窗口需要和正面的压敏电阻图形精确对准，以保证所有的电阻条位于应变膜并且且相互对称；
步骤f，将制作好的芯片与硼硅玻璃采用阳极键合技术键合在一起，中间形成了真空的密封腔。最后划片，将晶圆分割成独立的芯片。
压力传感器的前道工艺到此完成，得到多量程阵列式压力传感芯片，并对该芯片进行封装。多量程阵列式压力传感芯片横向剖面图如图4所示，左右两侧为温度传感器，中间为同一量程的压力传感阵列。而多量程阵列式压力传感芯片纵向剖面图如图5所示，图中的压力传感器分别具有不同量程。
本发明所述一种多量程阵列式压力传感芯片由于其宽量程可广泛用于测量的气压变化较大的环境，由于该结构通过自选量程、自动修正各类误差、自动补偿可广泛用于高精确度要求的环境。通过其故障诊断软件实现自动诊断功能，实现压力测量的高可靠性与高稳定性。使多量程集成压力传感器芯片得以应用于各种恶劣的环境条件下。
如图8所示，一种多量程阵列式压力传感芯片的检测方法包括以下步骤：
步骤1，电阻R1，R2，放大器AMP1，V1的稳压二极管Z1构成电流为I＝V1/R2恒流源电路，为压力传感器阵列进行供能，切换电路M1连接至高量程压力传感器阵列，切换电路M3对相应的高量程压力传感器S11,S12,S13,S14进行选择，当压力P作用时，高压量程压力传感器阵列膜片都发生弯曲，膜片应变引起应变电阻变化ΔR，在恒流源的激励下，惠斯通电桥电阻值的变化转化为电压的变化ΔV；
步骤2，连接切换电路M3所对应的仪表放大器INA128对惠斯通桥电路电压输出ΔV进行放大，为了保证较高的信噪比与减小后级电路的噪声，此处前置增益选择为20，经过前置放大电路的放大后的压力传感器输出的信号流入滤波电路，滤掉信号中一部分噪声以及不需要的频率范围的信号，在一定程度上提高了输出模拟信号的信噪比；
步骤3，针对温度漂移影响测量精度的问题，首先测出各温度传感器在不同温度时的零点输出，将其A/D转换器转换后数据存放到存储器中，做成矩阵记录表，如图7所示，此数据值为A，根据温度传感器的测量值得到进行压力测量时温度环境，将矩阵记录表相对应的的A通过D/A转换连接减法器的负端，压力传感器测量值连接正端，然后连接A/D转换器，实现模拟温度漂移补偿方案；
步骤4，温度漂移补偿后的信号进入二级可调放大电路，切换电路M4对电阻r1进行选择，初始放大倍数为1，经二级选择性放大后信号进入多通道A/D转换器，将模拟信号转变为数字信号，送往数字信号处理器进行处理后续；
步骤5，数字信号处理器监控多通道A/D转换器采集的数据，当数据未达到一定的电压范围时，反馈给控制电路，控制电路通过控制切换电路M4选择电阻r2，更改二级可调放大电路的增益；再次放大后的信号进入多通道A/D转换器，将转变的数字信号再次进入数字信号处理电路进行判断，重复上述过程直到达到A/D转换器合适的采样电压；
步骤5，通过数字信号处理电路处理得到同一量程压力传感器的4个压力传感器的测量值P1，P2，P3，P4，当P1，P2，P3，P44个压力传感器的测量值相差较小时，通过平均算法得到最终压力值P＝(P1+P2+P3+P4)/4，当4个压力传感器的测量值中存在Pn(n＝1，2，3，4)与平均值有较大误差时，则抛弃Pn，将其剩余数据做平均算法得到最终压力。
步骤6，重复测量，自动对压力传感器组、温度传感器组和系统工作状态进行定期的检测，及时发现发生故障的位置，当Pn出现连续测量错误时，将其Pn认定为损坏，控制器控制切换电路M3不对其Pn进行选择测量，并软件操作处理剩下的测量数据。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明技术原理的前提下，还可以做出若干改进和变形，这些改进和变形也应视为本发明的保护范围。
Claims (2)
1.一种多量程阵列式压力传感芯片的检测方法，其中多量程阵列式压力传感芯片包括在同一衬底上的压力传感器组和温度传感器组，所述压力传感器组为M×N压力传感器阵列，压力传感器组具有M种量程压力传感器，同时M种量程的压力传感器各具有N个，其M，N为任意数，所述温度传感器组为2×M个温度传感器阵列，温度传感器阵列位于压力传感器阵列两侧，相应的每一量程的压力传感器左右两侧均有一个温度传感器；其中多量程阵列式压力传感芯片的检测装置包括可调恒流源电路、压力传感阵列电路、前置放大电路、滤波电路、温度漂移补偿电路、二级可调放大电路、A/D转换器、数字信号处理器、控制电路以及切换电路，所述可调恒流源电路为压力传感电路供能，所述压力传感电路连接前置放大器对信号进行放大处理，经放大信号向滤波电路输入，经滤波后的电压信号进入温度漂移补偿电路，补偿后的电压信号进入二级可调放大电路，二级可调放大电路放大信号输入到A/D转换器，数字信号处理器监控A/D转换器采集的数据反馈到控制电路，控制电路控制切换电路分别连接二级可调放大电路、压力传感电路和可调恒流源电路；所述可调恒流源电路主要由电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电压为V1的稳压二极管Z1、放大器AMP1、切换电路M2构成，电阻R1为限流电阻，电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5为切换电阻，切换电路M2受控制电路控制；所述压力传感阵列电路由切换电路M1、切换电路M3与压力传感器组构成，切换电路M1连接各量程传感器，切换电路M3针对切换电路M1选择的某一量程的压力传感器进行选择，所述切换电路M1、切换电路M3均由控制电路控制；所述前置放大电路由仪表放大器INA128与电阻RG构成，所述滤波电路为一种低通滤波电路，由电阻R6、电阻R7、电阻R8、电阻R9、电容C1、电容C2和放大器AMP2构成，电阻R8和电容C2构成两个反馈支路，所述二级可调放大电路由切换电路M4、放大器AMP4、精密电阻r1,r2...rn构成；所述温度漂移补偿电路为模拟电路补偿，由温度传感器组、温度补偿记录表、D/A转换器、电阻R10、电阻R11、电阻R12、电阻R13和放大器AMP3构成，所述电阻R10、电阻R11、电阻R12、电阻R13和放大器AMP3构成减法器，D/A转换器连接减法器的负端，压力传感器组连接减法器的正端，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1，电阻R1，R2，放大器AMP1，V1的稳压二极管Z1构成电流为I＝V1/R2恒流源电路，为压力传感器阵列进行供能，切换电路M1连接至高量程压力传感器阵列，切换电路M3对相应的高量程压力传感器S11,S12,S13,S14进行选择，当压力P作用时，高压量程压力传感器阵列膜片都发生弯曲，膜片应变引起应变电阻变化ΔR，在恒流源的激励下，惠斯通电桥电阻值的变化转化为电压的变化ΔV；
步骤2，连接切换电路M3所对应的仪表放大器INA128对惠斯通桥电路电压输出ΔV进行放大，经过前置放大电路的放大后的压力传感器输出的信号流入滤波电路，滤掉信号中一部分噪声以及不需要的频率范围的信号；
步骤3，解决温度漂移影响测量精度的问题，首先测出各温度传感器在不同温度时的零点输出，将其A/D转换器转换后数据存放到存储器中，做成矩阵记录表，此数据值为A，根据温度传感器的测量值得到进行压力测量时温度环境，将矩阵记录表相对应的的A通过D/A转换连接减法器的负端，压力传感器测量值连接正端，然后连接A/D转换器，实现模拟温度漂移补偿方案；
步骤4，温度漂移补偿后的信号进入二级可调放大电路，切换电路M4对电阻r1进行选择，初始放大倍数为1，经二级选择性放大后信号进入多通道A/D转换器，将模拟信号转变为数字信号，送往数字信号处理器进行处理后续；
步骤5，数字信号处理器监控多通道A/D转换器采集的数据，当数据未达到一定的电压范围时，反馈给控制电路，控制电路通过控制切换电路M4选择电阻r2，更改二级可调放大电路的增益；再次放大后的信号进入多通道A/D转换器，将转变的数字信号再次进入数字信号处理电路进行判断，重复上述过程直到达到A/D转换器合适的采样电压；
步骤6，通过数字信号处理电路处理得到同一量程压力传感器的4个压力传感器的测量值，当4个压力传感器的测量值相差较小时，通过平均算法得到最终压力值，当4个压力传感器的测量值中存在Pn与平均值有较大误差时，则抛弃Pn，将其剩余数据做平均算法得到最终压力；
步骤7，重复测量，自动对压力传感器组、温度传感器组和系统工作状态进行定期的检测，及时发现发生故障的位置，当Pn出现连续测量错误时，将其Pn认定为损坏，控制器控制切换电路M3不选择Pn进行测量，并软件操作处理剩下的测量数据。
2.根据权利要求1所述的多量程阵列式压力传感芯片的检测方法，其特征在于，步骤3中解决温度漂移影响测量精度的问题，通过数字电路方式实现温度漂移补偿，在温度为W的环境下进行压力测量时，某一量程压力传感器测量值经C倍放大，A/D转换器后输出值为D2；此时从存储器中调用相关温度，相关传感器的的零点输出值，放大C倍得到D3；将D2与D3相减得到温度补偿后的输出值。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201510814955.5A CN105424236B (zh) | 2015-11-19 | 2015-11-19 | 一种多量程阵列式压力传感芯片及其检测方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201510814955.5A CN105424236B (zh) | 2015-11-19 | 2015-11-19 | 一种多量程阵列式压力传感芯片及其检测方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN105424236A CN105424236A (zh) | 2016-03-23 |
| CN105424236B true CN105424236B (zh) | 2017-08-25 |
Family
ID=55502594
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201510814955.5A Active CN105424236B (zh) | 2015-11-19 | 2015-11-19 | 一种多量程阵列式压力传感芯片及其检测方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN105424236B (zh) |
Families Citing this family (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6862134B2 (ja) * | 2016-09-23 | 2021-04-21 | エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド | センサ装置 |
| CN108323001B (zh) * | 2017-01-14 | 2020-04-14 | 鹏鼎控股(深圳)股份有限公司 | 感压柔性电路板及其制作方法 |
| CN106949827B (zh) * | 2017-03-09 | 2019-06-07 | 华中科技大学 | 一种阵列化电阻应变传感器及具有该传感器的测量补偿系统 |
| CN106703791B (zh) * | 2017-03-31 | 2023-05-09 | 成都信息工程大学 | 一种压力传感器测温系统 |
| CN107064604A (zh) * | 2017-05-10 | 2017-08-18 | 哈尔滨工业大学 | 一种基于磁场传感的电流传感装置 |
| CN107607251B (zh) * | 2017-09-08 | 2024-05-14 | 上海工业自动化仪表研究院有限公司 | 一种具有双量程的差压或压力变送器 |
| CN107966236A (zh) * | 2018-01-18 | 2018-04-27 | 深圳市永盟电子科技限公司 | 压力传感器、血压计及压力传感器制造方法 |
| CN108375446B (zh) * | 2018-04-17 | 2023-04-28 | 南京信息工程大学 | 一种探空巨压阻气压传感器阵列装置及测量方法 |
| CN108593186B (zh) * | 2018-06-20 | 2023-05-26 | 南京信息工程大学 | 一种基于双巨压阻传感器的井下压力探测装置及测量方法 |
| CN109374192B (zh) * | 2018-11-30 | 2021-05-25 | 中国电子科技集团公司第四十八研究所 | 一种用于微压测量的压力传感器 |
| CN110567632B (zh) * | 2019-08-29 | 2021-10-19 | 北京自动化控制设备研究所 | 芯体复合式硅压阻压力传感器 |
| CN110553789A (zh) * | 2019-09-16 | 2019-12-10 | 中车株洲电力机车有限公司 | 一种压阻式压力传感器的状态检测方法、装置及制动系统 |
| CN111678636A (zh) * | 2020-06-09 | 2020-09-18 | 西安航天动力研究所 | 一种非接触式压强测量装置及方法 |
| CN112067079B (zh) * | 2020-09-17 | 2021-08-17 | 吉林大学 | 一种阵列式汽车油箱液位测量压力传感器及其制备方法 |
| CN112903000A (zh) * | 2021-03-26 | 2021-06-04 | 歌尔光学科技有限公司 | 传感器的控制方法、装置及存储介质 |
| CN113686483B (zh) * | 2021-09-07 | 2023-07-25 | 中国科学院空天信息创新研究院 | 一种集成温度传感器的谐振式差压传感器及其制备方法 |
| CN114235232B (zh) * | 2021-12-16 | 2024-05-31 | 东南大学 | 一种mems压力传感器及其制备方法 |
| CN114235267A (zh) * | 2021-12-17 | 2022-03-25 | 江苏创芯海微科技有限公司 | 集成温湿度传感器的皮拉尼真空计及制备方法 |
| CN115060410B (zh) * | 2022-06-09 | 2023-09-26 | 浙江大学 | 一种液力平滑的微压平膜压力传感阵列及制备工艺 |
| CN115628761B (zh) * | 2022-09-30 | 2023-10-13 | 华南理工大学 | 一种低功耗抗扰动的电阻式传感器及可穿戴设备 |
| CN115501007B (zh) * | 2022-11-04 | 2023-03-17 | 清华大学 | 高分子骨植入物多通道传感器的设计及加工方法 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6401541B1 (en) * | 1999-11-03 | 2002-06-11 | Kulite Semiconductor Products, Inc. | Multiple pressure sensing system |
| CN100524782C (zh) * | 2006-12-22 | 2009-08-05 | 中国科学院物理研究所 | 一种具有金属硅化物纳米结构的材料及其制作方法 |
| CN101289160B (zh) * | 2008-05-20 | 2011-08-24 | 无锡市纳微电子有限公司 | 0-100Pa单片硅基SOI高温低漂移微压传感器及其加工方法 |
| DE102008040970A1 (de) * | 2008-08-04 | 2010-02-11 | Robert Bosch Gmbh | Mikromechanische Vorrichtung mit Kavernen mit unterschiedlichem atmosphärischen Innendruck |
| US7997143B2 (en) * | 2009-04-09 | 2011-08-16 | Kulite Semiconductor Products, Inc. | Internally switched multiple range transducer |
| CN103063350B (zh) * | 2012-12-21 | 2016-04-13 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | Mems压力传感器阵列、其制作方法及压力测量方法 |
| CN103712721B (zh) * | 2013-12-23 | 2016-05-11 | 新会康宇测控仪器仪表工程有限公司 | 一种soi压力应变计及其制作方法 |
-
2015
- 2015-11-19 CN CN201510814955.5A patent/CN105424236B/zh active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN105424236A (zh) | 2016-03-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN105424236B (zh) | 一种多量程阵列式压力传感芯片及其检测方法 | |
| US5259248A (en) | Integrated multisensor and static and differential pressure transmitter and plant system using the integrated multisensor | |
| CN109738109B (zh) | 一种高温微压压力传感器及其制作方法、测量系统 | |
| KR100741520B1 (ko) | 다이어프램을 갖는 반도체 압력 센서 | |
| Sandmaier et al. | A square-diaphragm piezoresistive pressure sensor with a rectangular central boss for low-pressure ranges | |
| US8384170B2 (en) | Pressure sensor | |
| Pagay et al. | A microtensiometer capable of measuring water potentials below− 10 MPa | |
| WO2007147027A2 (en) | Pressure transducer with differential amplifier | |
| KR20020000768A (ko) | 센서 드리프트 교정 장치 및 방법 | |
| CN205607567U (zh) | 一种多量程阵列式压力传感芯片及其检测设备 | |
| EP3144655A1 (en) | Reduction of non-linearity errors in automotive pressure sensors | |
| CN106644195A (zh) | 一种高温大量程硅‑蓝宝石压力传感器结构 | |
| CN1089161C (zh) | 一种传感器及检测物理状态的方法 | |
| CN117268600A (zh) | 一种mems压力传感器芯片及其制备方法 | |
| Smiths et al. | Resonant diaphragm pressure measurement system with ZnO on Si excitation | |
| CN113720524B (zh) | 压力检测方法和压力检测系统 | |
| US3739644A (en) | Linearization of differential pressure integral silicon transducer | |
| JPH11153503A (ja) | 圧力センサ装置 | |
| Sujit et al. | Polysilicon piezoresistive MEMS pressure sensor: Study of analytical solutions for diaphragm and design & simulation | |
| JP2813721B2 (ja) | 容量型圧力センサ | |
| JPS59163533A (ja) | 圧力変換器とその駆動方法 | |
| RU2329480C2 (ru) | Тензопреобразователь давления | |
| Gupta et al. | A study of piezoresistive pressure sensor technology | |
| CN213023334U (zh) | 一种多晶硅压阻系数测试结构 | |
| CN114323366B (zh) | 一种降低压阻压力传感器非线性误差的方法及装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| TR01 | Transfer of patent right | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20191127 Address after: 221300 No.13 Fumin Road, Pizhou high tech Industrial Development Zone, Xuzhou City, Nanjing City, Jiangsu Province Patentee after: Pizhou hi tech Zone City Mineral Research Institute Co Ltd Address before: The Olympic Avenue in Jianye District of Nanjing city of Jiangsu Province, No. 69 210019 Patentee before: Nanjing University of Information Science and Technology |
|
| TR01 | Transfer of patent right | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20210310 Address after: 221300 paoche street, Pizhou City, Xuzhou City, Jiangsu Province Patentee after: Pizhou Xinsheng Venture Capital Co., Ltd Address before: 221300 No.13 Fumin Road, Pizhou hi tech Industrial Development Zone, Xuzhou, Nanjing, Jiangsu Province Patentee before: Pizhou hi tech Zone City Mineral Research Institute Co.,Ltd. |