CN105420528A - 一种制备高性能AgInTe2热电材料的方法 - Google Patents
一种制备高性能AgInTe2热电材料的方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN105420528A CN105420528A CN201610018707.4A CN201610018707A CN105420528A CN 105420528 A CN105420528 A CN 105420528A CN 201610018707 A CN201610018707 A CN 201610018707A CN 105420528 A CN105420528 A CN 105420528A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- thermoelectric material
- aginte
- block
- glass tube
- quartz glass
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 34
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 30
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims abstract description 30
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims abstract description 17
- 230000005619 thermoelectricity Effects 0.000 claims abstract description 17
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims abstract description 14
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims abstract description 14
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims abstract description 12
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 10
- 238000010791 quenching Methods 0.000 claims abstract description 9
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 7
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims abstract description 6
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 claims abstract description 6
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 9
- 238000010792 warming Methods 0.000 claims description 9
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical class [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 8
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract description 4
- 238000007789 sealing Methods 0.000 abstract 2
- 229910002688 Ag2Te Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 abstract 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 abstract 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract 1
- 238000005303 weighing Methods 0.000 abstract 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 9
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 6
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 6
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 6
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 238000000280 densification Methods 0.000 description 4
- 238000011160 research Methods 0.000 description 4
- 229910000928 Yellow copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical group [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002149 energy-dispersive X-ray emission spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 238000005057 refrigeration Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 230000005679 Peltier effect Effects 0.000 description 1
- 230000005678 Seebeck effect Effects 0.000 description 1
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- -1 copper structure compound Chemical class 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000010587 phase diagram Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- WGPCGCOKHWGKJJ-UHFFFAOYSA-N sulfanylidenezinc Chemical compound [Zn]=S WGPCGCOKHWGKJJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C1/00—Making non-ferrous alloys
- C22C1/02—Making non-ferrous alloys by melting
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F3/00—Manufacture of workpieces or articles from metallic powder characterised by the manner of compacting or sintering; Apparatus specially adapted therefor ; Presses and furnaces
- B22F3/10—Sintering only
- B22F3/105—Sintering only by using electric current other than for infrared radiant energy, laser radiation or plasma ; by ultrasonic bonding
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C1/00—Making non-ferrous alloys
- C22C1/10—Alloys containing non-metals
- C22C1/1036—Alloys containing non-metals starting from a melt
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Powder Metallurgy (AREA)
Abstract
本发明公开了一种制备高性能AgInTe2热电材料的方法,结合融熔、退火和放电等离子活化烧结(PAS)技术,具体步骤如下:1)按化学式(Ag2Te)1-x(In2Te3)x中各元素的化学计量比称取Ag丝、In粒和Te块作为原料,其中x=0.50~0.56;2)将原料混合均匀,并真空密封于石英玻璃管中,然后进行熔融处理,淬火后得到锭体;3)将所得锭体真空密封于石英玻璃管中,进行退火处理;4)将步骤3)所得产物研磨成粉末并置于石墨模具中,进行放电等离子体活化烧结,得块状单相的AgInTe2热电材料。本发明涉及的原料来源广,制备工艺简单,所得产物具有较好的热电性能,且稳定性好、致密度高、适合推广应用。
Description
技术领域
本发明属于新能源材料制备技术领域,具体涉及一种制备高性能AgInTe2热电材料的方法。
背景技术
能源和环境问题已成为21世纪的关键问题。化石燃料以外其他能源的迫切需要,以及当前化石燃料的有效利用,促进替代能源和各种类型能量转换技术的研究。其中一种获得了广泛关注的能量转换技术就是热电转换技术,能将热能直接转换成电能使用的材料称为热电材料,热电材料在发电和制冷设备的领域正变得越来越重要。
热电材料可通过Seebeck效应和Peltier效应实现热能和电能之间的直接相互转换,热电材料的转换效率主要由热电优值ZT决定,ZT=α2σT/κ,其中α为Seebeck系数、σ为电导率、κ为热导率、T为绝对温度。由热电材料制成的发电或制冷器件在工作过程中无传动部件、体积小、无噪音、可靠性好,在余热发电、特种电源方面有着重要的应用前景。
近年来,黄铜矿结构化合物因其具有相对高的热电性能而受到越来越多的关注。黄铜矿结构具有三元类闪锌矿结构,被认为是闪锌矿的超晶格结构。研究表明AgInTe2是具有黄铜矿结构的宽带隙半导体材料,具有较高的塞贝克系数;此外由于Te原子处在由Ag、In原子构成的四面体空隙中,四面体结构使其表现出大的载流子迁移率,且由于四面体中原子间距及电负性差异,该四面体结构会有一定扭曲,其有助于散射载热声子,使其具有极低的热导率。但到目前为止对于AgInTe2的研究主要集中在非线性光学器件和发光二极管等方面,关于其热电性能的研究报道很少。目前主要由Ag2Te和In2Te3为起始原料通过熔融退火淬火结合热压烧结制备块体AgInTe2热电材料,其原料来源复杂,工艺复杂,制备周期长,所得产物单相状态难以控制、致密度低,且仅研究其室温至327℃的热电性能,并未研究其更高温度时的热电性能,复杂的工艺及较低的热电性能限制其应用及发展。
发明内容
本发明的目的是提供一种制备高性能AgInTe2热电材料的方法,该方法原料来源广,制备工艺简单,且制备的AgInTe2具有较好的热电性能,且稳定性好、致密度高、适合推广应用。
本发明为解决上述提出的问题所采用的技术方案为:
一种制备高性能AgInTe2热电材料的方法,它包括以下步骤:
1)按化学式(Ag2Te)1-x(In2Te3)x中各元素的化学计量比称取Ag丝、In粒和Te块作为原料,其中x=0.50~0.56;
2)将步骤1)所得原料混合均匀,并真空密封于石英玻璃管中,然后置于熔融炉中进行熔融处理,淬火后得到锭体;
3)将步骤2)所得锭体真空密封于石英玻璃管中,进行退火处理;
4)将步骤3)所得产物研磨成粉末并置于石墨模具中,进行放电等离子体活化烧结(PAS,PlasmaActivatedSintering),得到块状单相的AgInTe2热电材料。
上述方案中,根据AgInTe2在Ag2Te-In2Te3赝二元相图中的In2Te3含量为50~56%狭小的固溶区,原料按化学式(Ag2Te)1-x(In2Te3)x(x=0.50~0.56)进行称量。
上述方案中,步骤1)中所述Ag丝、In粒和Te块的纯度均≥99.99%(质量)。
上述方案中,步骤2)中所述熔融处理步骤为以2~4℃/min的速度升温至950~1050℃保温20~24h。
上述方案中,所述淬火条件为在饱和食盐水中淬火。
上述方案中,步骤3)中所述退火处理步骤为以2~4℃/min的速度升温至400~500℃并保温24~120h,空气冷却至室温。
上述方案中,步骤4)中所述放电等离子体活化烧结步骤为:在真空小于10Pa和压力为40~45MPa的条件下,以80~100℃/min的速率升温至400~500℃,保温3~5min。
根据上述方案制备的致密块体AgInTe2热电材料,其热电性能优值ZT在500℃达0.30。
本发明直接以Ag丝、In粒和Te块为原料并结合熔融淬火、退火和等离子活化烧结(PAS)工艺制备(Ag2Te)1-x(In2Te3)x化合物(x=0.50~0.56):首先采用熔融淬火工艺使Ag丝、In粒和Te块反应完全,制备AgInTe2基锭体,再结合退火工艺,通过调节其退火时间,制备出成分均匀,单相性好的样品,并通过调节不同的烧结温度(PAS烧结),制备出致密度高,易加工成形的样品,通过调节AgInTe2化合物中三种元素的化学计量比,确定最佳的固溶比。与现有的制备工艺相比,本发明涉及的制备工艺更加简单,制备周期短,重复性高,且所得产物单相性好、致密度高,等离子活化烧结技术与传统热压烧结相比时间短,且所得产物晶粒小、晶界多、表面存在些许纳米孔洞,可更多地散射声子,降低晶格热导率,提高热电性能。
本发明的有益效果为:
1)本发明以Ag丝、In粒和Te块为原料,结合熔融淬火、退火和等离子活化烧结(PAS)技术制备AgInTe2热电材料,具有原料来源广、设备简单、重复性好、反应完全等优点,且所得产物单相性好、致密度高。
2)本发明采用熔融法,不易引入杂质,不易氧化且反应充分,可以更好地控制产物组成。
3)本发明通过探索AgInTe2的固溶度,寻求最佳的固溶比,为进一步提高AgInTe2的热电性能奠定基础。
4)本发明制备的单相AgInTe2致密块体热电材料中产物晶粒小、晶界多且表面存在些许纳米孔洞,可更多地散射声子,热导率较低,热电性能好,其热电性能优值ZT在500℃达到0.30。
附图说明
图1为实施例1中不同退火条件下所得AgInTe2产物的XRD图谱。
图2为实施例1中退火72h后所得产品的背散射像和对应的能谱分析结果。
图3为实施例2中不同烧结温度所得AgInTe2产物的XRD图谱。
图4为实施例2中不同烧结温度所得AgInTe2产物的ΖΤ值随温度变化的关系图。
图5(a)为实施例3所得产物的XRD图谱;图5(b)为实施例3所得产物XRD图谱的放大图;图5(c)为实施例3所得产物的热电性能曲线,分别为材料的电导率、Seebeck系数、功率因子和热导率随温度变化的关系图;图5(d)为实施例3步骤4)中PAS烧结后材料的ΖΤ值随温度变化的关系图;图5(e)为实施例3所得产物的扫描电镜照片,放大倍数分别为5K、10K倍。
具体实施方式
为了更好的理解本发明,下面结合实施例进一步阐明本发明的内容,但本发明的内容不仅仅局限于下面的实施例。
下述实施例中Ag丝、In粒和Te块的纯度均≥99.99%。
实施例1
一种制备高性能AgInTe2热电材料的方法,它包括以下步骤:
1)按化学式(Ag2Te)1-x(In2Te3)x(x=0.50)中各元素的化学计量比称取Ag丝、In粒和Te块作为原料,
2)将步骤1)所得块体真空密封于石英玻璃管中,然后放置在熔融炉内,以2℃/min升温至1000℃保温24h,在饱和食盐水中淬火后得到锭体;
3)将步骤2)所得锭体真空密封于石英玻璃管中,在马弗炉内以3℃/min升温至400℃分别保温24h、72h和120h,然后空气冷却至室温;
4)将步骤3)所得锭体研磨成粉末,进行等离子体活化烧结(PAS):将所得粉末装入直径为16mm的石墨模具中压实,然后在真空度小于10Pa和烧结压力为45MPa条件下进行烧结,以100℃/min的速率升温到450℃,烧结致密化时间为5min,得到高性能AgInTe2致密块体热电材料。
图1为本实施例不同退火条件下所得AgInTe2产物的XRD图谱。由图1可知:未退火时产物的XRD峰值较宽,无法确定为单相;经过不同时间的退火处理后,所得产物均为单相AgInTe2。
图1为本实施例退火72h后所得产物的背散射像和对应的能谱分析结果,由图可知退火72h后所得产物的成分比较均匀,能谱结果表明其成分基本满足1:1:2。
实施例2
一种制备高性能AgInTe2热电材料的方法,它包括以下步骤:
1)按化学式AgInTe2中各元素的化学计量比称取Ag丝、In粒和Te块作为原料;
2)将步骤1)所得块体真空密封于石英玻璃管中,然后放置在熔融炉内,以2℃/min升温至1000℃保温24h,在饱和食盐水中淬火后得到锭体;
3)将步骤2)所得锭体真空密封于石英玻璃管中,在马弗炉内以3℃/min升温至400℃保温72h;
4)将步骤3)所得研磨成粉末,进行等离子体活化烧结(PAS),将粉末装入直径16mm的石墨模具中压实,然后在真空度小于10Pa和烧结压力为45MPa条件下进行烧结,以100℃/min的升温速率升温到400℃、450℃、500℃,烧结致密化时间为5min,得到高性能AgInTe2致密块体热电材料。
图3为本实施例中不同烧结温度所得产物的XRD图谱,由图3可知,经过不同烧结温度烧结的产物均为单相AgInTe2。
图4为本实施例不同烧结温度所得产物的ΖΤ值随温度变化的关系图,由图4可知:不同烧结温度样品的热电性能不同,450℃烧结的样品的ZT值最高;且在450℃的烧结温度下,所得产品的致密度最高(>99%)、韧性好,易于加工。
实施例3
一种制备高性能AgInTe2热电材料的方法,它包括以下步骤:
1)按化学式(Ag2Te)1-x(In2Te3)x中各元素的化学计量比称取Ag丝、In粒和Te块作为原料,其中x分别取0.50、0.52、0.54和0.56,即AgInTe2;
2)将步骤1)所得原料真空密封于石英玻璃管中,然后放置在熔融炉内,以2℃/min的速率升温至1000℃保温24h,然后在饱和食盐水中淬火得锭体;
3)将步骤2)所得锭体真空密封于石英玻璃管中,然后置于马弗炉内以3℃/min的速率升温至400℃保温72h;
4)将步骤3)所得产物研磨成粉末,进行等离子体活化烧结(PAS),具体步骤如下:将粉末装入直径为16mm的石墨模具中压实,然后在真空度小于10Pa和烧结压力为45MPa的条件下进行烧结,以100℃/min的升温速率升温至450℃,烧结致密化时间为5min,即得所述致密块体的高性能AgInTe2热电材料。
本实施例所得产物的XRD图谱分别见图5(a)和5(b),结果表明:不同固溶比(x)所得产物均为单相AgInTe2,且随着固溶比的增加,衍射峰向高角度偏移,晶格常数逐渐减小。
图5(d)和图5(e)为本实施例所得产物的热电性能测试结果,结果表明:随着温度升高,所得产物的电导率逐渐增大,表现为半导体特性,而Seebeck系数随之降低,热导率也随着温度升高而降低;同时随着固溶度(固溶比x)增加,电导率及功率因子逐渐降低,因此热电性能也逐渐降低;当固溶度x=0.50,其热电优值ZT在500℃达到0.30。
图5(e)为本实施例所得产物的扫描电镜图,可以看出不同固溶比(x)烧结所得块体材料有明显的台阶状,断裂形式为穿晶断裂,表明其晶粒结合紧密,为致密块体。由于样品致密化时间短,表面存在些许纳米孔洞,可有效散射声子,降低晶格热导率,提高热电性能,明显低于传统热压烧结所得产物的热导率。
以上所述仅是本发明的优选实施方式,应当指出,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明创造构思的前提下,还可以做出若干改进和变换,这些都属于本发明的保护范围。
Claims (8)
1.一种制备高性能AgInTe2热电材料的方法,其特征在于,它包括以下步骤:
1)按化学式(Ag2Te)1-x(In2Te3)x中各元素的化学计量比称取Ag丝、In粒和Te块作为原料,其中x=0.50~0.56;
2)将步骤1)所得原料混合均匀,并真空密封于石英玻璃管中,然后进行熔融处理,淬火后得到锭体;
3)将步骤2)所得锭体真空密封于石英玻璃管中,进行退火处理;
4)将步骤3)所得产物研磨成粉末并置于石墨模具中,进行放电等离子体活化烧结,得块状单相的AgInTe2热电材料。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,步骤1)中所述Ag丝、In粒和Te块的质量纯度均≥99.99%。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,步骤2)中所述熔融处理步骤为以2~4℃/min的速度升温至950~1050℃保温20~24h。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述淬火条件为在饱和食盐水中淬火。
5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,步骤3)中所述退火处理步骤为以2~4℃/min的速度升温至400~500℃并保温24~120h,空气冷却至室温。
6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,步骤4)中所述放电等离子体活化烧结步骤为:在真空小于10Pa和压力为40~45MPa的条件下,以80~100℃/min的速率升温至400~500℃,保温3~5min。
7.权利要求1~6任一项所述方法制备的AgInTe2块体热电材料。
8.根据权利要求7所述的AgInTe2热电材料,其特征在于,其热电性能优值ZT在500℃达0.30。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201610018707.4A CN105420528B (zh) | 2016-01-12 | 2016-01-12 | 一种制备高性能AgInTe2热电材料的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201610018707.4A CN105420528B (zh) | 2016-01-12 | 2016-01-12 | 一种制备高性能AgInTe2热电材料的方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN105420528A true CN105420528A (zh) | 2016-03-23 |
CN105420528B CN105420528B (zh) | 2017-09-26 |
Family
ID=55499061
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201610018707.4A Expired - Fee Related CN105420528B (zh) | 2016-01-12 | 2016-01-12 | 一种制备高性能AgInTe2热电材料的方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN105420528B (zh) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105914292A (zh) * | 2016-05-09 | 2016-08-31 | 武汉理工大学 | 一种新型Cu-Bi-Se基热电材料及其制备方法 |
CN108767105A (zh) * | 2018-05-18 | 2018-11-06 | 徐冬 | 一种纳米复合热电材料的制备方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5744219B2 (zh) * | 1976-07-22 | 1982-09-20 | ||
JPH0399884A (ja) * | 1989-09-13 | 1991-04-25 | Ricoh Co Ltd | 情報記録媒体 |
US20020106476A1 (en) * | 2000-12-13 | 2002-08-08 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Optical recording medium and optical recording method |
CN101532097A (zh) * | 2009-04-13 | 2009-09-16 | 浙江大学 | 一种银锑碲和碲化银基原位复合热电材料的制备方法 |
CN103320666A (zh) * | 2013-05-24 | 2013-09-25 | 宁波工程学院 | Ag-In-Zn-Se四元热电半导体及其制备工艺 |
CN104961107A (zh) * | 2015-05-22 | 2015-10-07 | 河南理工大学 | 一种制备碲化银锑热电材料的方法 |
-
2016
- 2016-01-12 CN CN201610018707.4A patent/CN105420528B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5744219B2 (zh) * | 1976-07-22 | 1982-09-20 | ||
JPH0399884A (ja) * | 1989-09-13 | 1991-04-25 | Ricoh Co Ltd | 情報記録媒体 |
US20020106476A1 (en) * | 2000-12-13 | 2002-08-08 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Optical recording medium and optical recording method |
CN101532097A (zh) * | 2009-04-13 | 2009-09-16 | 浙江大学 | 一种银锑碲和碲化银基原位复合热电材料的制备方法 |
CN103320666A (zh) * | 2013-05-24 | 2013-09-25 | 宁波工程学院 | Ag-In-Zn-Se四元热电半导体及其制备工艺 |
CN104961107A (zh) * | 2015-05-22 | 2015-10-07 | 河南理工大学 | 一种制备碲化银锑热电材料的方法 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105914292A (zh) * | 2016-05-09 | 2016-08-31 | 武汉理工大学 | 一种新型Cu-Bi-Se基热电材料及其制备方法 |
CN105914292B (zh) * | 2016-05-09 | 2019-10-01 | 武汉理工大学 | 一种新型Cu-Bi-Se基热电材料及其制备方法 |
CN108767105A (zh) * | 2018-05-18 | 2018-11-06 | 徐冬 | 一种纳米复合热电材料的制备方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN105420528B (zh) | 2017-09-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2021515411A (ja) | n−型Mg−Sb基室温熱電材料及びその製造方法 | |
CN105671344B (zh) | 一步制备高性能CoSb3基热电材料的方法 | |
CN108461619B (zh) | 一种Se掺杂方钴矿热电材料的制备方法 | |
CN100549195C (zh) | 一种填充方钴矿基热电复合材料及其制备方法 | |
CN108588838B (zh) | 一种制备具有高热电性能的SnSe多晶块体的方法 | |
CN102931335A (zh) | 一种石墨烯复合锑化钴基方钴矿热电材料及其制备方法 | |
CN108238796A (zh) | 铜硒基固溶体热电材料及其制备方法 | |
CN101101954A (zh) | 一种镉锑基p型热电材料及其制备方法 | |
CN107887495A (zh) | 一种一步制备Cu2Se/BiCuSeO复合热电材料的方法 | |
CN104004935B (zh) | 一种超快速制备高性能高锰硅热电材料的方法 | |
CN110408989B (zh) | 一种氧化物热电材料BiCuSeO单晶体及其制备方法 | |
CN107324293A (zh) | 一步超快速制备高性能p型SnTe块体热电材料的方法 | |
CN103811653B (zh) | 一种多钴p型填充方钴矿热电材料及其制备方法 | |
CN105420528A (zh) | 一种制备高性能AgInTe2热电材料的方法 | |
CN103409656A (zh) | 一种热电材料Mg2Sn及其制备方法 | |
CN111048658A (zh) | 一种SnI2掺杂CsGeI3钙钛矿型热电材料及其制备方法 | |
CN101857929A (zh) | 一种多孔结构p型锌锑基热电材料及其制备方法 | |
CN113066922B (zh) | 一种n型碲化锡热电材料及其制备方法 | |
CN111653662B (zh) | 伪立方相结构GeTe基热电材料及其制备方法 | |
CN108172680B (zh) | 一种立方相Ca2Ge热电材料及其制备方法 | |
KR102112914B1 (ko) | Sn-Se계 열전 재료 및 그 제조 방법 | |
CN101118946A (zh) | 一种钡锌锑基p型热电材料及其制备方法 | |
CN106145063B (zh) | 一种提高Cu2Se基热电材料相转变温度的方法 | |
CN105036138B (zh) | 一种碱土硅化物热电材料及其制备方法 | |
CN115101653B (zh) | 一种锰硒双掺的铜硫基热电材料及其制备方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20170926 Termination date: 20180112 |