CN105405742B - 一种基板处理方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种基板处理方法，其至少包括以下步骤：提供至少一基板，所述基板至少具有一加工部位，制成所述基板的材料中至少含有第一碱离子；对所述基板的加工部位进行数控加工处理，所述数控加工处理至少包括对所述加工部位喷射一种冷却液以进行冷却处理的步骤，所述冷却液中至少含有第二碱离子，所述第二碱离子的离子半径所述第一碱离子的离子半径。

Description

一种基板处理方法
技术领域
本发明涉及平板显示技术领域，尤其涉及一种基板处理方法。
背景技术
随着科学技术的迅速发展，在诸如手机、掌上电脑、车载导航仪、笔记本电脑等电子产品上广泛地应用了触摸屏。
现有的电容触摸屏主导生产技术有两种，一种是大片玻璃路线，其工艺是：大片玻璃一次强化—超声波清洗—印制图案—超声波清洗—镀ITO膜—清洗—涂胶—光刻—去胶清洗—切割成小片—CNC成型—二次强化—FPC贴合—检测—检验包装；另一种生产技术是小片玻璃路线，其工艺是：大片玻璃一次强化—切割成小片—CNC成型—二次强化—超声波清洗—印制图案—超声波清洗—镀ITO膜—清洗—光刻—去胶清洗—镀制防指纹膜—FPC贴合—检测—检验包装。
然而，上述路线中的玻璃在整个过程中，由于CNC(Computer NumbericalControl，计算机数据控制)工艺之后，玻璃相关部位的压应力已去除或减小，会产生崩边、崩角现象，因而均要经过二次强化，以再次提高玻璃强度。因此，不利于生产工艺的简化及效率的提高。
发明内容
有鉴于此，本发明提供一种有利于简化生产工艺、提高生产效率的基板处理方法。
本发明提供的所述基板处理方法，其至少包括以下步骤：提供至少一基板，所述基板至少具有一加工部位；对所述基板的加工部位进行数控加工处理，对所述基板的加工部位进行数控加工处理，所述数控加工处理至少包括对所述加工部位喷射一种冷却液以进行冷却处理的步骤，所述冷却液中至少含有第二碱离子，所述第二碱离子的离子半径大于所述第一碱离子的半径。
本发明提供的所述基板处理方法中，所述第二碱离子的浓度大于所述基板中第一碱离子的浓度。
本发明提供的所述基板处理方法中，所述第一碱离子为钠离子，所述第二碱离子为钾离子。
本发明提供的所述基板处理方法中，所述冷却液中还含有一种蚀刻剂。
本发明提供的所述基板处理方法中，蚀刻剂为氢氟酸。
本发明提供的所述基板处理方法中，所述数控加工处理包括对所述加工部位进行开孔、倒边或倒角。
本发明提供的所述基板处理方法中，所述基板处理方法还包括在对所述基板的加工部位进行数控加工处理之后在所述基板上制作一功能层的步骤。
发明提供的所述基板处理方法中，所述基板处理方法还包括在对所述基板的加工部位进行数控加工处理之前在所述基板上制作一功能层的步骤。
本发明提供的所述基板处理方法中，所述功能层为触控电极层或者显示层。
本发明提供的所述基板处理方法中，所述基板处理方法还包括在对所述基板的加工部位进行数控加工处理过程之前，对所述基板进行一次强化的步骤。
本发明提供的所述基板处理方法中，所述冷却液中还含有催化剂。
本发明的基板处理方法过程中，由于制作所述基板的材料中含有第一碱离子，在所述冷却液中添加有第二碱离子，所述第二碱离子的离子半径大于所述第一碱离子的离子半径，因而在进行所述数控加工处理的同时，所述第一碱离子和第二碱离子进行了离子交换，即对所述基板进行了强化，因此简化了现有技术中在数控加工处理过程后还需要对所述基板进行强化的步骤。即，本发明提供的基板处理方法有利于简化生产工艺和提高生产效率。
附图说明
下面将结合附图及实施例对本发明作进一步说明，附图中：
图1为本发明提供的一较佳实施方式的基板处理方法的流程示意图；
图2为本发明提供的另一较佳实施方式的基板处理方法的流程示意图。
具体实施方式
为说明本发明提供的基板处理方法，以下结合说明书附图及文字说明进行详细阐述。
请参考图1，为本发明提供的一较佳实施方式的基板处理方法的流程示意图。所述基板处理方法至少包括以下步骤：
步骤S01：提供至少一基板，所述基板至少具有一加工部位，制成所述基板的材料中至少含有第一碱离子；
所述加工部位一般为所述基板的边缘、边角或者预定需要开孔的位置。所述基板为玻璃或者其他材料，所述第一碱离子为钠离子(Na+)。
步骤S02：对所述基板的加工部位进行数控加工处理，所述数控加工处理至少包括对所述加工部位喷射一种冷却液以进行冷却处理的步骤，所述冷却液中至少含有第二碱离子，所述第二碱离子的离子半径大于所述第一碱离子的离子半径。
本实施方式中，所述第二碱离子为K+，所述冷却液中含有KNO3或者K2CO3。所述第二碱离子的浓度大于所述第一碱离子的浓度。优选的，所述第二碱离子浓度大于或等于99％。由于在所述冷却液中添加有所述第二碱性离子，使得所述第二碱性离子与所述第一碱性离子进行离子交换，因此在所述数控加工处理过程中即完成了基板的强化。
所述冷却液中还可以添加有蚀刻剂，添加有所述蚀刻剂的冷却液为酸液，在所述冷却液中加蚀刻剂，一方面有利于加强数控加工处理速率，另一方面有利于将所述数控加工处理过程中压应力释放的部分基板材质去掉，因而进一步加强了所述基板的强度。
所述酸液可以为氢氟酸(HF),由于制成所述基板的主要材料为二氧化硅(SiO2),其与所述氢氟酸的反应化学式为：
SiO2+4HF＝SiF4↑+2H2O
所述冷却处理的时间依所述基板的尺寸而定，所述数控加工处理(CNC)是指对玻璃进行开孔、倒边、倒角等工艺，从而赋予玻璃特定的外形。所述冷却处理过程中须用冷却液持续冲洗，以使所述加工部位温度降低，减少因温度升高而造成基板崩裂、涨缩等问题，且可将磨出的基板粉屑冲走，减少基板表面刮伤的几率。又由于在数控加工处理过程中会产生很高的温度，因此，有利于加快所述离子交换速率以及上述氢氟酸与二氧化硅，即加快了基板强化速率。
由于所述氢氟酸有强腐蚀性，因此所述数控加工处理过程在密闭空间进行，以防止所述酸液飞溅对人员或者其他设备造成损伤。
所述冷却液中还可含有催化剂，例如三氧化二铝(Al2O3)，其有利于所述第二碱离子与第一碱离子的离子交换速度，即有利于所述基板的强化速度。
步骤S03：在所述基板上制作一功能层。
本实施方式中，所述功能层为触控电极层，所述基板至少具有一第一表面，所述触控电极制作在所述第一表面上，所述基板用以制作触控面板，所述基板一方面用作所述触控面板的衬底，另一方面用作以所述触控面板制作而成的终端产品的盖板，其有利于触控面板的轻薄化。本实施方式中，将所述功能层在数控加工处理后进行，可以避免在所述数控加工处理过程中对所述功能层的损坏。制成所述触控电极层的材料为氧化锡铟(ITO)、纳米银、石墨烯等。
本实施方式的基板处理方法的步骤S01-S03适用于小片玻璃路线。
所述基板处理方法还包括在对所述基板的加工部位进行数控加工处理之前将大片所述基板切割成小片，并在所述数控加工处理之后、在制作所述功能层之前，在所述基板上制作遮挡层的步骤，所述遮挡层可以为黑色遮挡层、白色遮挡层或者其他彩色遮挡层，所述遮挡层的制作工艺可以为印刷等。所述功能层还可以为显示层，例如彩色滤光层或者薄膜晶体管层。
所述基板制作方法还包括在所述数控加工处理过程后，在制作所述功能层后所述基板分别进行清洗的步骤，以及在制作所述功能层后进行电极引线、异向导电胶膜(ACF)涂覆、印刷电路板(FPC)贴合以及检测的步骤。
本实施方式提供的基板处理方法过程中，，由于制作所述基板的材料中含有第一碱离子，在所述冷却液中添加有第二碱离子，所述第二碱离子的离子半径大于所述第一碱离子的离子半径，因而在进行所述数控加工处理的同时，所述第一碱离子和第二碱离子进行了离子交换，即对所述基板进行了强化，因此简化了现有技术中在数控加工处理过程后还需要对所述基板进行强化的步骤。即，本发明提供的基板处理方法有利于简化生产工艺和提高生产效率。
如图2所示，其为本实施方式提供的另一种较佳实施方式的基板处理方法的流程示意图。所述处理方法至少包括以下步骤：
步骤S11：提供至少一基板，所述基板至少具有一加工部位，制成所述基板的材料中至少含有第一碱离子；
步骤S12：在所述基板上制作功能层；
具体的，所述基板处理方法还包括在对所述基板的加工部位进行数控加工处理之前将大片所述基板切割成小片的步骤。
步骤S13：对所述基板的加工部位进行数控加工处理，所述数控加工处理至少包括对所述加工部位喷射一种冷却液以进行冷却处理的步骤，所述冷却液中至少含有第二碱离子，所述第二碱离子的离子半径大于所述第一碱离子的离子半径。
所述基板处理方法的步骤S11-S13适用于大片玻璃路线。
在另一种实施方式中，还包括在对所述基板的加工部位进行数控加工处理过程之前，对所述基板进行一次强化的步骤，此步骤有利于增强基板强度，减小所述基板在数控加工处理过程中破裂的几率。所述强化可以为物理强化或化学强化。
现就几种优选实施例对所述基板处理方法做进一步具体说明。
实施例1
将大片玻璃进行一次化学强化，将所述大片玻璃切割成小片，对所述小片玻璃预设加工部位，对所述加工部位进行数控加工处理，其包括对所述加工部位喷射冷却液进行冷却处理的步骤，所述冷却液中添加有K+，所述K+的浓度为99％，喷射冷却液的时间为5分钟。最后在所述玻璃上依次制作遮挡层和触控电极层，所述遮挡层为黑色遮挡层，制成所述触控电极层的材料为氧化锡铟。
实施例2
在大片玻璃上依次制作遮挡层和触控电极层，将所述大片玻璃切割成小片，对小片玻璃预设加工部位，对所述加工部位进行数控加工处理，其包括对所述加工部位喷射水进行冷却处理的步骤，所述水中添加有K+，所述K+的浓度为99.2％，喷射水的时间为4分钟。制成所述触控电极层的材料为纳米银或石墨烯。
实施例3
在玻璃上制作显示层，例如彩色滤光层或者薄膜晶体管层，将所述大片玻璃切割成小片，对小片玻璃预设加工部位，对所述加工部位进行数控加工处理，其包括对所述加工部位喷射水进行冷却处理的步骤，所述水中添加有K+和氢氟酸，所述K+的浓度为99.9％，喷射水的时间为3分钟。
以上为本发明提供的基板处理方法的较佳实施方式，并不能理解为对本发明权利保护范围的限制，本领域的技术人员应该知晓，在不脱离本发明构思的前提下，还可做多种改进或替换，所有的该等改进或替换都应该在本发明的权利保护范围内，即本发明的权利保护范围应以权利要求为准。

Claims (8)

1.一种基板处理方法，其特征在于，其至少包括以下步骤：
提供至少一基板，所述基板至少具有一加工部位，制成所述基板的材料中至少含有第一碱离子；
对所述基板的加工部位进行数控加工处理，所述数控加工处理至少包括对所述加工部位喷射一种冷却液以进行冷却处理的步骤，所述冷却液中至少含有第二碱离子，所述第二碱离子的离子半径大于所述第一碱离子的离子半径；
所述第二碱离子的浓度大于所述基板中第一碱离子的浓度；
所述第一碱离子为钠离子，所述第二碱离子为钾离子；
所述第二碱离子浓度大于或等于99％；
喷射冷却液的时间为5分钟。
2.如权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于：所述基板处理方法还包括在对所述基板的加工部位进行数控加工处理过程之前，对所述基板进行一次强化的步骤。
3.如权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于：所述冷却液中还含有一种蚀刻剂。
4.如权利要求3所述的基板处理方法，其特征在于：蚀刻剂为氢氟酸。
5.如权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于：所述数控加工处理包括对所述加工部位进行开孔、倒边或倒角。
6.如权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于：所述基板处理方法还包括在对所述基板的加工部位进行数控加工处理之前或者之后在所述基板上制作一功能层的步骤。
7.如权利要求6所述的基板处理方法，其特征在于：所述功能层为触控电极层或者显示层。
8.如权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于：所述冷却液中还含有催化剂。
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