CN105390359B - 等离子体处理装置及等离子体处理方法 - Google Patents

Abstract

一种等离子体处理装置及等离子体处理方法，对传送载体所保持的基板等离子体处理时，提高产品的成品率。传送载体具备框架和覆盖框架的开口的保持片，基板被保持片保持，该装置具备：传送机构，传送保持有基板的传送载体；位置计测部，计测基板相对于框架的位置；等离子体处理部，具备等离子体处理台和罩体，等离子体处理台载置保持有基板的传送载体，罩体覆盖在等离子体处理台上载置的框架和保持片的至少一部分，且具有使基板的至少一部分露出的窗部；控制部，基于由位置计测部计测的基板相对于框架的位置信息，以使窗部和基板满足预定的位置关系的方式控制传送机构将保持基板的传送载体载置于等离子体处理台。

Description

等离子体处理装置及等离子体处理方法

技术领域

本发明涉及一种等离子体处理装置及等离子体处理方法，更详细地说，涉及一种对传送载体所保持的基板进行处理的等离子体处理装置及等离子体处理方法。

背景技术

作为切割基板的方法，公知有一种在形成有抗蚀剂掩模的基板上实施等离子体蚀刻，分割成各个芯片的等离子体切割。专利文献1教示了为了提高传送等时基板的操作性，在将基板粘贴到具备框架和覆盖其开口部的保持片的传送载体上的状态下，向等离子体处理装置提供。专利文献2教示了在使保持片保持基板时，使基板的中心和框架的中心一致的方法。

现有技术文献

专利文献：

专利文献1：日本特开2009-94436号公报

专利文献2：日本特开2006-269915号公报

在将基板粘贴到传送载体的状态下进行等离子体处理的情况下，传送载体直接暴露于等离子体时，由树脂材料构成的保持片和用于将保持片固定到框架的粘接剂被加热。由于该热，产生保持片的延伸(变形)和粘接剂的粘接性降低，从框架剥离保持片时等，传送载体会有受到损坏的危险。

因此，在这种等离子体处理装置内的等离子体处理台的上方具备具有窗部的电介体制的罩体。窗部形成为从窗部的上方观察时框架不会露出而基板的至少一部分露出的大小和形状。在等离子体处理时，罩体覆盖框架和保持片，不使框架和保持片暴露于等离子体，并且使基板从该窗部露出。露出的基板中没有形成抗蚀剂掩模的部分被等离子体蚀刻。

此时，传送载体及该传送载体所保持的基板(以下也一并称为保持基板的传送载体或者仅仅称为传送载体)以使框架的开口中心和罩体的窗部中心一致的方式载置于等离子体处理台。接着，进行等离子体照射，基板被切割成单片。

但是，在传送载体被罩体保护的同时进行基于等离子体处理的切割的情况下，该切割工序中的成品率容易降低。特别是，基板的边缘部分的加工形状较多地产生偏差，在基板的边缘部分较多地产生未处理部。

发明内容

本发明的一个方式涉及一种等离子体处理装置，对传送载体所保持的基板进行等离子体处理，所述传送载体具备框架和覆盖所述框架的开口的保持片，所述基板被所述保持片保持，所述等离子体处理装置具备：传送机构，传送保持有所述基板的传送载体；位置计测部，计测所述基板相对于所述框架的位置；等离子体处理部，具备等离子体处理台和罩体，所述等离子体处理台载置保持有所述基板的传送载体，所述罩体覆盖在所述等离子体处理台上载置的所述框架和所述保持片的至少一部分，并且具有使所述基板的至少一部分露出的窗部；及控制部，基于由所述位置计测部计测出的所述基板相对于所述框架的位置信息，控制所述传送机构以使所述窗部和所述基板满足预定的位置关系的方式将保持有所述基板的传送载体载置于所述等离子体处理台。

本发明的另一方式涉及一种等离子体处理方法，对传送载体所保持的基板进行等离子体处理，所述传送载体具备框架和覆盖所述框架的开口的保持片，所述基板由所述保持片保持，所述等离子体处理方法具有如下工序：由位置计测部计测所述基板相对于所述框架的位置的工序；及将保持有所述基板的传送载体载置于等离子体处理部所具备的等离子体处理台上，通过罩体覆盖所述框架和所述保持片的至少一部分，并且使所述基板的至少一部分从设置于所述罩体的窗部露出，进行等离子体处理的工序，基于由所述位置计测部计测出的所述基板相对于所述框架的位置信息，以使所述窗部和所述基板满足预定的位置关系的方式将保持有所述基板的传送载体载置于所述等离子体处理台。

根据本发明，对传送载体所保持的基板进行等离子体处理时，能够提高产品的成品率。

附图说明

图1(a)是概略地表示本发明的一个实施方式涉及的保持基板的传送载体的俯视图，图1(b)是沿图1(a)的B-B线的剖视图。

图2是本发明的一个实施方式涉及的等离子体处理装置的概念图。

图3是概略地表示本发明的一个实施方式涉及的等离子体处理部的剖视图。

图4A是表示本发明的一个实施方式涉及的罩体和传送载体的位置关系的俯视图。

图4B是沿图4A的B-B线的剖视图。

图5A是概念性地表示本发明的一个实施方式涉及的位置计测部的立体图。

图5B是表示由图5A的位置计测部获得的数据的曲线图。

图5C是说明以基于由图5A的位置计测部获得数据计算出的帧中心Cf为基准(0，0)的情况下的基板中心Cw的位置(Δx，Δy)的说明图。

图6A是表示本发明的一个实施方式涉及的保持等离子体处理台上载置的基板的传送载体的俯视图。其中，省略了罩体。

图6B是将图6A中的一部分Z放大表示的放大图。

图7是表示本发明的一个实施方式涉及的等离子体处理方法的流程图。

图8是表示现有方法涉及的罩体和传送载体的位置关系的俯视图。

具体实施方式

可以认为存在基板的中心和窗部的中心错开(不一致)的情况是导致现有的成品率的低下的原因。图8中表示了基板的中心和窗部的中心不一致的情况的剖视图。另外，为了易于理解，剖视图中仅表示剖面，对于看起来比剖面靠里的外观进行了省略。以下的剖视图也是同样的。在图8中，在等离子处理台15上，框架的开口的中心(以下称为框架中心Cf)和窗部的中心(以下称为窗部中心Cc)一致，但基板的中心(以下称为基板中心Cw)与框架中心Cf和窗部中心Cc不一致。在这种情况下，基板11的应当实施等离子体处理的全部部分(在该情况下为基板11的表面整体)不会从窗部14W露出，基板11的一部分被罩体14覆盖。其结果是会产生未被等离子体蚀刻的未处理部11N。另一方面，在保持片13上产生从窗部露出的露出部13E。具有露出部13E的保持片13暴露于等离子体而劣化。因此，有可能导致基板11与保持片13一起从框架12脱落的问题。

在保持片13的耐等离子体性高的情况下，或者在某种程度上容许保持片13由于暴露于等离子体而劣化的情况下，有时候窗部14W的大小比基板11大。在这种情况下，即使基板中心Cw和窗部中心Cc不一致，基板11的应当实施等离子体处理的全部部分也能够从罩体14露出。但是，由于罩体14内侧的端部和基板11的边缘的距离并不是一定的，因此基板11的边缘部分的等离子体处理会变得不均匀，基板11的边缘部分的加工形状会产生偏差。

在现有的利用切割刮板或激光的切割装置中，从其原理上说，没有设置与罩体14相当的部分，难以考虑到产生罩体导致的未处理部的情况。另外，切割刮板的切断位置或激光的照射位置可以在进行切割的台上适当地调整。因此，即使在基板错开了预定位置地载置于台上的情况下，通过适当调整也能够在预定位置上对基板进行切割。即，在利用切割刮板或激光进行切割的情况下，基板中心的偏差不会对成品率产生大的影响。

在等离子体处理中，以往，在将传送载体载置于等离子体处理台上之前的工序中，以使框架中心Cf和罩体的窗部中心Cc一致的方式将传送载体对齐。例如，在等离子体处理之前，将传送载体载置于配置在对齐部上的对齐台上，使对齐台的中心和框架中心Cf一致(以下称为定心)。作为定心的方法，例如包括通过配置在对齐台周围的、能够从四方夹持传送载体的抵接部件对传送载体的位置进行矫正的方法等。接着，以使对齐台的中心(即框架中心Cf)和窗部中心Cc一致的方式预先调整了传送轨道的传送臂将已被定心的传送载体载置于等离子体处理台，从而框架中心Cf和窗部中心Cc一致。这样一来，能够比较容易地使窗部中心Cc和框架中心Cf一致。

即，可以认为基板中心Cw和窗部中心Cc之所以不一致，是因为基板中心Cw和框架中心Cf没有高精度地一致。

根据本发明，将基板保持在传送载体上时，不需要使基板中心Cw和框架中心Cf高精度地一致，就能够提高等离子体蚀刻工序中的成品率。

下面，参照表示本发明的一个实施方式的附图详细说明本发明。

图1(a)是概略地表示本发明的一个实施方式涉及的传送载体10的俯视图，图1(b)是沿图1(a)的B-B线的剖视图。传送载体10具备框架2和保持片3。保持片3在一面39上具有粘结剂，通过粘结剂固定到框架2上，覆盖框架2的开口。基板1粘贴在保持片3上，由传送载体10保持。另外，在本实施方式中，对框架2的开口和基板1均为圆形的情况进行了说明，但并不限定于此。

(框架)

框架2是具有与基板1相同或其以上的面积的开口的框体，具有预定的宽度和大致恒定的薄的厚度。另外，框架2具有比后述的罩体424的内径大的内径，比罩体424的外径小的最大外径。框架2具有能够保持并传送保持片3和基板1的程度的刚性。

框架2的开口形状并不特别限定，例如可以是圆形、矩形、六边形等多边形。也可以在框架2上设有用于定位的槽口2a或切角2b等。作为框架2的材质，例如可以列举出铝、不锈钢等金属、树脂等。保持片3的一面的外周边缘附近粘贴在框架2的一面上。

(保持片)

保持片3例如具备：具有粘结剂的面(粘结面3a)和不具有粘结剂的面(非粘结面3b)。粘结面3a的外周边缘粘贴在框架2的一面上，覆盖框架2的开口。另外，在从框架2的开口露出的粘结面3a上粘贴有基板1。粘结面3a优选由通过紫外线的照射粘结力会减少的粘结成分构成。通过在切割后进行紫外线照射，容易从粘结面3a上剥离单片化的基板(芯片)，容易粘着。例如，保持片3也可以由UV硬化型丙烯酸粘结剂(粘结面3a)和聚烯烃制的基材(非粘结面3b)构成。

(基板)

基板1是等离子体处理的对象物，并不特别限定。基板1的材质并不特别限定。例如，既可以是半导体，也可以是电介体，既可以是金属，也可以是它们的层叠体。作为半导体，例如可以示例出Si、GaAs、GaN、SiC等。另外，作为电介体，可以示例出SiO₂、LiTaO₃、LiNbO₃等。其大小也不特别限定，例如是50mm～300mm左右。并且，基板1的形状也不特别限定，例如可以是圆形、方形。也可以在基板1上设置定向平面(Orientation Flat)、槽口等缺口。

另外，基板1的没有粘贴于保持片3的面上形成有所希望形状的抗蚀剂掩模(未图示)。形成有抗蚀剂掩模的部分受到保护而不被等离子体切割。没有形成抗蚀剂掩模的部分能够通过等离子体从其表面到背面为止进行切割。

下文中，为了规定基板1等相对于传送载体10的位置，有时会在传送载体10上导入坐标系来进行说明。在图1(a)中，以框架中心Cf为原点(0，0)，以设置在框架2上的一对槽口2a一侧为Y轴的正方向，以正交于Y轴的方向为X轴。

(等离子体处理装置)

图2表示本发明的一个实施方式涉及的等离子体处理装置的概念图。

等离子体处理装置20例如具备：收纳传送载体10的盒部100、用于传送传送载体10的传送机构200、控制传送机构200的控制部500、位置计测部300、等离子体处理部400。盒部100例如具备盒101，该盒101具备用于收纳多条传送载体10的支撑部件。传送机构200例如具备传送叉201和支撑传送叉201的传送臂202。位置计测部300也可以具备载置传送载体10的计测台301。等离子体处理部400具备载置传送载体10的等离子体处理台411。进而，等离子体处理装置20也可以具备判定部600。在后面对判定部600进行叙述。

传送叉201相对于传送载体10始终从相同方向保持传送载体10。例如，传送叉201从设置在传送载体10的框架的一对定位用的槽口2a(参照图1(a))一侧保持传送载体10。另外，传送叉201被控制成对于盒部100、位置计测部300及等离子体处理部400均从相同方向进入、退出。M1～M6表示传送机构200的动作(向各部的进入及退出)。

(等离子体处理部)

图3概略地表示本发明的一个实施方式涉及的等离子体处理部400的剖面。

等离子体处理部400具备：等离子体处理台411；以及在等离子体处理台411的上方覆盖框架2和保持片3的至少一部分，并具有用于使基板1的至少一部分露出的窗部424W的罩体424。

等离子体处理台411及罩体424配置于真空腔403内。在本实施方式中，真空腔403的顶部被电介体壁408封闭，在电介体壁408的上方配置有作为上部电极的天线(等离子体源)409。天线409与第一高频电源410A电连接。等离子体处理台411配置于真空腔403内的底部侧。

传送载体10以使保持片3的保持基板1的面(粘结面3a)朝向上方的方式载置于等离子体处理台411。此时，传送载体10通过未图示的传送机构基于在位置计测部300计测出的基板1相对于框架2的位置信息，以使窗部424W和基板1满足预定的位置关系的方式载置于等离子体处理台411。对于利用传送机构将传送载体10载置于等离子体处理台411上的方法在下文叙述。

在真空腔403上连接有气体导入口403a。在气体导入口403a上，通过配管连接有作为等离子体产生用气体的供给源的处理气体源(气体供给单元)412和作为其他等离子体产生用气体的供给源的灰化气体源413。另外，在真空腔403上设有排气口403b，在排气口403b上连接有包括用于将真空腔403内的气体排气并进行减压的真空泵的减压机构414。

等离子体处理台411具备：与第二高频电源410B电连接的电极部415、保持电极部415的基台416和包围电极部415及基台416的外周的外装部417。电极部415具备内置有静电吸附用电极422a的电介质制的静电吸盘415b和金属制的电极部主体415c。静电吸附用电极422a与直流电源423电连接。静电吸附用电极422a既可以是双极型，也可以是单极型。

在电极部415内形成有制冷剂流路415a。制冷剂流路415a通过冷却等离子体处理台411，对载置于等离子体处理台411上的框架2及基板1进行冷却，并且对等离子体处理台411和与其一部分接触的罩体424也进行冷却。制冷剂循环装置421使制冷剂流路415a内的制冷剂循环。

在等离子体处理台411中配置有贯穿等离子体处理台411的多个升降销419。升降销419能够由驱动机构427驱动升降。升降销419上升时，由传送机构200传送来的传送载体10的框架2被保持在升降销419的上端面。接着，使传送机构200从等离子体处理室400退出，使升降销419下降到和等离子体处理台411相同的水平，从而传送载体10被载置于等离子体处理台411。

在罩体424的一端部上连接有多个升降杆426，能够将罩体424升降。升降杆426也由驱动机构427驱动升降，但升降杆426的升降动作与升降销419的升降动作独立进行。

控制装置428对于构成包括第一及第二高频电源410A、410B、处理气体源412、灰化气体源413、减压机构414、制冷剂循环装置421、直流电压423及驱动机构427等的等离子体处理部400的要素的动作进行控制。

在本实施方式中，罩体424是具有大致圆形的外形轮廓的环形，具有恒定的宽度和薄的厚度。如上所述，罩体424的内径(窗部424W的直径)比框架2的内径小，罩体424的外径比框架2的外径大。因此，将传送载体10载置于等离子体处理台的预定位置并使罩体424下降时，罩体424能够覆盖框架2和保持片3的至少一部分。基板1的至少一部分从窗部424W露出。

此时，罩体424与框架2、保持片3及基板1均不接触。

从覆盖框架2的上部的外周部朝向窗部424W，罩体424的剖面形状既可以缓和地倾斜，也可以弯曲。罩体424例如由陶瓷等电介体、铝或者表面进行了氧化铝处理的铝等金属构成。在本实施方式中，罩体424整体由单一的材料构成，但例如也可以是由耐热性优良的材料和传热性优良的材料复合而成的复合体。

图4A和图4B是表示罩体424和载置于台411上的传送载体10的位置关系的俯视图和剖视图。在图4A和图4B中，窗部424W和基板1及框架2的开口均为圆形，各自的中心Cc、Cw、Cf一致。罩体424朝向基板1缓和地倾斜。窗部424W的直径r_424W和基板1的直径并不一定需要是相同的。在窗部424W的直径r_424W和基板1的直径相同的情况下，保持片3不从窗部424W露出，因此能够抑制等离子体导致的保持片3的劣化。另外，在基板1的边缘周缘也均匀地实施蚀刻，提高成品率。即使在窗部424W的直径r_424W和基板1的直径不相同的情况下，罩体424的内侧的端部和基板1的边缘保持恒定的距离D，因此在基板1的边缘周缘也均匀地实施蚀刻，提高成品率。即，为了提高成品率，要求窗部中心Cc和基板中心Cw一致。

(盒部)

盒部100(参照图2)具备盒101，该盒101具备底板、顶板、背板、彼此相对的两个侧板以及在底板和顶板之间用于收纳多条传送载体10的支撑部件(均未图示)。支撑部件仅与传送载体10的框架2接触，只要是能够支撑传送载体10的形状即可。

支撑部件例如也可以是棒状，以从侧板突出的方式设置。具体地说，也可以在各个侧板上分别设置两个支撑部件，将支撑部件均设置在水平的相同面上。此时，传送载体10通过上述四个支撑部件(一组支撑部件)被水平地支撑。为了将多个传送载体10水平地且彼此隔开间隔地收纳于盒101，上述一组支撑部件也可以在底板和顶板之间以预定的间隔设置有多个。

等离子体处理前的传送载体10在其朝向在预定方向上对齐的状态下收纳于盒101。例如，传送载体10以通过传送机构200从设置于框架2的定位用的一对槽口2a一侧取出的方式进行收纳。传送载体10由传送机构200从盒101取出，经过位置计测部300传送到等离子体处理部400。实施了等离子体处理的传送载体10再次向盒部100返回，并被收纳于盒101。收纳于盒101的传送载体10可以是在等离子体处理前，也可以是在等离子体处理后，也可以是双方。

(位置计测部)

位置计测部300计测基板1相对于框架2的位置。例如，根据图像数据计测框架中心Cf和基板中心Cw的偏差量ΔR和偏差方向R。

由此，将基板1相对于框架2的位置数值化。

例如，如图5A所示，在位置计测部300内配置计测台301，在计测台301的上方、能够拍摄在计测台301上载置的基板1的边缘的位置上配置照相机302。图5A及图5C示例了照相机302的视野。在计测台301的中心上接合或者贯穿有旋转轴303。将旋转轴303作为中心，使传送载体10与计测台301一起向RD的方向旋转，同时对照相机视野内的基板1的边缘位置拍摄一周。在照相机302对所拍摄的图像进行解析，将照相机视野内的基板1得一周的边缘位置(以下仅称为边缘位置)数值化。此时，以使框架中心Cf和旋转的中心C(以下称为旋转中心C)一致、且传送载体10的例如槽口2a一侧始终为预定方向的方式将传送载体10载置于计测台301。该方法在后面叙述。在本实施方式中，以在图1(a)中规定的正方向的X轴上的边缘E为起点来进行边缘位置的拍摄。

在框架中心Cf和基板中心Cw一致的情况下，不管旋转轴303的旋转角度如何，照相机视野中的基板1的边缘位置都是恒定的。将该边缘位置作为基准位置。只要知道基板1的尺寸，就能够预先掌握基准位置。通过比较该基准位置和边缘位置，就能够掌握基板中心Cw和框架中心Cf的偏差量ΔR和偏差方向R。在基板中心Cw和框架中心Cf不一致的情况下，边缘位置和旋转轴303的旋转角度θ一起变化。

边缘位置的变化例如由图5B所示的曲线图表示。图5B的横轴是旋转轴303的旋转角度。图5B的纵轴是照相机视野内的基板1的边缘位置，表示基板1的边缘和框架中心Cf的距离。如上所述，以在图1(a)中规定的坐标系中正方向的X轴上的边缘E为起点来进行边缘位置的拍摄。因此，在图5B的曲线图中，旋转角度0°时的边缘位置表示图1(a)中的坐标系的正方向的X轴上的边缘E和框架中心Cf的距离。

从该曲线图能够导出框架中心Cf相对于基板中心Cw的偏差量ΔR和偏差方向R。偏差量ΔR可以作为边缘位置的最大值或最小值和基准位置的差分而计算出来。偏差方向R是边缘位置表示出最大值时的旋转轴的旋转角度(以下称为旋转角度θr)的方向。在图1(a)中规定的传送载体10上的坐标系中的基板中心Cw的坐标(Δx，Δy)可以作为Δx＝ΔR×cos(θr)、Δy＝ΔR×sin(θr)求出(参照图5C)。因此，在本实施方式中，计测偏差量ΔR和旋转角度θr，将由这些值导出的Δx、Δy作为表示基板1相对于框架2的位置信息的参数来取得。

在计测偏差量ΔR和旋转角度θr之前，进行使旋转中心C和框架中心Cf一致的定心。定心的方法并不特别限定，可以使用现有的方法。例如，在盒101、后述的传送叉201或计测台301上设置与形成于框架2的槽口2a或缺口对应的定位单元(例如凹部等)即可。另外，也可以通过在位置计测部300内的计测台301的周围配置能够从四面夹持传送载体10的抵接部件(未图示)，在位置计测部300内进行上述定心。通过与形成于框架2的槽口2a或切口对应的定位单元进行定心时，能够使载置于计测台301的传送载体10的朝向始终相同。

定心的定时只要在位置计测工序之前即可，并不特别限定，例如可以在传送载体10被搬出之前的盒部100内、从盒部100向位置计测部300传送的中途或者进行位置计测之前的位置计测部300内进行定心。

(传送机构及控制部)

传送机构200例如具备保持传送载体10的传送叉201和支撑传送叉201的传送臂202。如上所述，也可以在传送叉201上设置用于将传送载体10定心的凹部等。

传送机构200将传送载体10从盒部100向位置计测部300传送，从位置计测部300向等离子体处理部400传送，进而从等离子体处理部400再次向盒部100传送(M1～M6、参照图2)。这一系列工序结束时，传送机构200再次进入盒部100，从盒101中取出其他未进行等离子体处理的传送载体10，重新开始上述一系列的传送。在一系列的传送工序中，传送叉201相对于传送载体10的进入(保持)方向始终相同。

传送机构200的动作由控制部500控制。在本实施方式中，其特征点在于，从位置计测部300向等离子体处理部400的传送机构动作由控制部500进行如下控制，即，基于在位置计测部300计测出的基板1相对于框架2的位置信息，以使窗部424W和基板1满足预定的位置关系的方式将传送载体10载置于等离子体处理台411。

传送机构200被控制成将传送机构200位于传送载体10中的计测台301的旋转中心C的正上方和以与等离子体处理室400内的窗部中心Cc一致的方式传送传送载体10并载置于等离子体处理台411上作为基本动作。在框架中心Cf和基板中心Cw一致的情况下，通过该控制，传送载体10以使基板中心Cw和窗部中心Cc一致的方式载置于等离子体处理台411上。但是，实际上，由于将基板1粘贴到保持片3时的精度不足等原因，存在框架中心Cf和基板中心Cw不一致的情况。

在本实施方式中，即使在框架中心Cf和基板中心Cw不一致的情况下，通过计测其偏差量ΔR和旋转角度θr，并在将传送载体10载置于等离子体处理台411时进行位置修正，能够使基板中心Cw和窗部中心Cc立即一致。换言之，以往在将传送载体10载置于等离子体处理台411时进行的以框架2为基准的定位，在本实施方式中以基部1为基准进行。因此，在保持片3保持基板1时，不需要将基板中心Cw和框架中心Cf以高精度一致。

本实施方式中的具体的控制方法以及使基板中心Cw和窗部中心Cc一致的方法例如如下所述。首先，根据在位置计测部300计测出的偏差量ΔR和旋转角度θr，控制部500计算出如上所述规定的坐标系中基板中心Cw相对于框架中心Cf(0，0)的坐标(Δx，Δy)。接着，控制部500控制传送机构200，以使通过传送叉201将计测台301上的传送载体10向上方抬起，使传送载体10离开计测台301。然后，控制部500以使计测台301的旋转中心C和基板中心Cw一致的方式控制传送机构200将传送叉201平行移动，进行使传送载体10整体在x轴方向上移动-Δx，在y轴方向上移动-Δy的位置修正。其后，控制部500控制传送机构200，以使传送叉201所保持的传送载体10再次载置于计测台301上。

通过传送机构200进行上述位置修正，基板中心Cw位于计测台301的旋转中心C。因此，在传送机构200进行了所述位置修正之后，根据所述基本动作传送传送载体10时，传送载体10以基板中心Cw和窗部中心Cc一致的方式载置于等离子体处理台411。另外，在本实施方式中，对于基于边缘位置的计测结果，在位置计测部300内进行了传送载体10的位置修正之后，根据基本动作将传送载体10传送到等离子体处理台411的控制方法进行叙述，但具体的控制方法不限于此。例如，也可以在计测了边缘位置之后，在位置计测部300内不进行传送载体10的位置修正，直接传送到等离子体处理部400，在将传送载体10载置于升降销419的上端面时，基于边缘位置的计测结果进行位置修正。

(判定部)

在等离子体处理台411上配置有多个升降销419(参照图3)。升降销419以升降时将传送载体10保持水平的方式配置有两个以上，优选配置有四个以上。传送叉201将传送载体10载置于上升状态的多个升降销419的上端面。接受了传送载体10的升降销419下降到和等离子体处理台411相同的水平，从而传送载体10被载置于等离子体处理台411。

传送载体10为了位置修正而进行的向x轴方向及/或y轴方向的移动距离大时，无法在升降销419的上端面上载置传送载体10。即使在能够载置的情况下，也存在传送载体10未被水平地支撑、或者传送载体10的一部分脱离等离子体处理台411的有效区域的可能。因此，优选对位置修正的移动设置限制。例如，优选等离子体处理装置具备判定部600，该判定部600判定在位置计测部300得到的基板1的位置(具体来说是根据基板中心Cw从框架中心Cf偏移的偏差量ΔR和旋转角度θr求出的偏差方向R)是否在容许范围P内。控制部500控制传送机构200，以使仅在判定为容许范围内的情况下，传送载体10载置于等离子体处理台411上。超出容许范围P的传送载体10作为基板1的粘贴精度次品例如再次向盒部100传送。

如上所述，能够从能否将传送载体10载置于升降销419的上端面上、传送载体10是否处于等离子体处理台411的有效区域内等观点出发来决定容许范围P。在此，等离子体处理台411的有效区域是指能够对等离子体处理台411上的传送载体10进行等离子体处理的区域。在有效区域中，不仅仅是指能够物理性地载置传送载体10，载置的传送载体10和罩体424等周边部件之间不会产生物理性的干涉，等离子体处理台411所具备的静电吸附或冷却等功能能够正常地作用于载置的传送载体10。以下，以根据升降销419和传送载体10的位置关系决定容许范围P的情况为例对容许范围P进行说明。

图6A是从上方观察在等离子体处理台411上以框架中心Cf和窗部中心Cc一致的方式载置的传送载体10的图。另外，为了方便而省略了罩体424。通常来说，升降销419A～419D以如下方式配置，即以使框架中心Cf和窗部中心Cc一致的方式载置时的假想的框架的位置作为基准，将假想框架以大致均等的间隔保持。而且，各个升降销419A～419D配置在能够支撑假想框架的宽度方向的大致中间地点的位置。在图6B中，在传送载体10以使框架中心Cf和窗部中心Cc一致的方式载置于等离子体处理台411上的情况下(即框架2和假想框架一致的情况下)，将由升降销419D支撑的框架2的支撑点作为基准支撑点Cpv。

以下参照图6B对框架中心Cf和基板中心Cw的偏差量为ΔR、偏差方向为R的情况下的容许范围P的具体的决定方法进行说明。

图6B将图6A一部分Z放大的放大图。在图6B中，通过将传送载体10向偏差方向R的反方向移动ΔR，窗部中心Cc和基板中心Cw一致。通过该移动，升降销419D相对地向框架2的开口和偏差方向R移动ΔR，升降销419D对框架2的支撑点也从基准支撑点Cpv向Cpr和偏差方向R移动ΔR。

在框架2中，在引出一条与偏差方向R平行且穿过基准支撑点Cpv的直线L时，将该直线L上的从基准支撑点Cpv到位于偏差方向R的框架2的端部为止的距离作为d_pin。在偏差量ΔR大于该距离d_pin的情况下，升降销419D对框架2的支撑点Cpr脱离框架2，无法适当地支撑框架2。在偏差量ΔR与距离d_pin相同或小于距离d_pin的情况下，升降销419D对框架2的支撑点Cpr不会脱离框架2，能够适当地支撑框架2。因此，容许范围P是满足ΔR≤d_pin的范围。

对于配置于其他位置的升降销419A～419C，思路是相同的。在超出对于各个升降销419A～419D设定的容许范围P进行传送载体10的位置调整时，传送载体10无法被水平地支撑。因此，在所有的升降销419(419A～419D)中，从各自的基准支撑点Cpv到位于偏差方向R的框架2的端部为止的距离d_pin优选为ΔR≤d_pin。在满足ΔR≤d_pin的关系的情况下，判定部600判定为容许范围P内，向控制部500传递判定结果。

由框架2的宽度及偏差方向R决定距离d_pin的大小。向某等离子体处理装置20提供的框架2的形状和大小是预先决定的，升降销419的形状和位置也是一定的。因此，可以基于框架2的形状和升降销419的配置等预先取得对于各偏差方向R的距离d_pin的信息。因此，例如可以如下所示地进行判定部600的判定的顺序。

首先，将在位置计测部300计测及导出的偏差量ΔR和偏移方向R的信息向判定部600传递。在判定部600中，取得从位于偏差方向R的框架2的端部到基准支撑点Cpv为止的距离d_pin。将其与偏差量ΔR进行比较，判定是否ΔR≤d_pin。

判定结果传递到控制部500。在判定结果是ΔR≤d_pin的情况下，控制部500控制传送机构200，以使传送载体10搬入到等离子体处理部400，在ΔR＞d_pin的情况下，控制部500控制传送机构200将传送载体10再次搬入盒部100。在本实施方式中，对由升降销419和传送载体10的位置关系决定容许范围P的情况下进行了叙述，但如上所述，也可以根据传送载体10是否处于等离子体处理台411的有效范围内来决定容许范围P，判断是否将传送载体10载置于等离子体处理台411。

在图7中通过流程图来表示由本实施方式涉及的等离子体处理装置执行的具体的工序。在工序1(S1)开始之前，在盒101中收纳有多个传送载体10。

在工序1(S1)中，传送机构200动作，使传送叉201进入盒部100内(M6)。进入的传送叉201保持收纳于盒101中的多个传送载体10中的一个传送载体10。

接着，传送叉201保持着传送载体10从盒部100退出，进行旋转，与传送载体10一起移动到位置计测部300内(M1及M2)。然后，传送臂202下降到计测台301的上方，将传送叉201所保持的传送载体10载置于计测台301。之后，传送臂202和传送叉201从位置计测部300退出(M3)。

传送载体10载置于计测台301时，判断有无基板1、框架2和保持片3(工序2：S2)。用于判断有无基板1的方法并不特别限定，既可以利用透过传感器，也可以利用照相机等进行视觉上的确认。在判断出没有基板1、框架2和保持片3的任一个时，传送叉201再次进入位置计测部300，接收载置于计测台301上的传送载体10，从位置计测部300退出(M2及M3)。从位置计测部300搬出的传送载体10例如再次传送到盒部100(M3及M6)，返还到盒101。在此，也可以在等离子体处理装置中设置有监视器装置等显示部，在判断出没有基板1、框架2和保持片3的任一个的情况下，使其显示错误信息。错误信息也可以是警告声等声音。

有无基板1的判断并不需要在位置计测部300内进行，也可以在从盒部100向位置计测部300传送的中途的路径上进行。例如，也可以在传送叉201保持传送载体10，从盒部100退出之后的定时进行。在这种情况下，在判断出没有基板1、框架2和保持片3的任一个时，传送机构200不将传送载体10搬入位置计测部300，而再次将其搬入盒部100，返还到盒101。其后，传送叉201暂时从盒部100退出(M1)，再次进入(M6)。然后，传送叉201保持其他传送载体10，开始新的工序1。

对于判断出基板1、框架2和保持片3全部存在的传送载体10，在位置计测部300中，计测基板1相对于框架2的位置(工序3：S3)。位置的计测通过在位置计测部300中配置计测台301，使载置于计测台301的传送载体10旋转的同时计测框架中心Cf和基板中心Cw的偏差量ΔR和旋转角度θr从简便的角度出发是优选的。具体的计测方法如上所述。

在位置计测部300计测的基板1的位置信息向判定部600传递。判定部600例如如上所述地判定框架中心Cf和基板中心Cw的偏差量ΔR是否满足ΔR≤d_pin(工序4：S4)。在满足ΔR≤d_pin的关系的情况下，判定部600判定为容许范围P内，向控制部500传递该判定结果。控制部500基于该判定控制传送机构200，以使传送载体10搬入等离子体处理台400。即，传送叉201再次进入位置计测部300内(M2)，接收载置于计测台301上的传送载体10，并退出(M3)。

另一方面，在判定结果为ΔR＞d_pin的情况下，控制部500控制传送机构200将传送载体10再次搬入盒部100。在这情况下，也可以显示错误信息或者发出警告声等通过声音通知错误。即，传送机构200将传送载体10再次向盒部100传送(M6)，返还盒101。其后，传送叉201暂时从盒部100退出(M1)，再次进入(M6)。然后，传送叉201保持其他传送载体10，开始新的工序1。

在判定部600判定ΔR≤d_pin的情况下，前进到工序5(S5)，传送机构200直接将传送载体10向等离子体处理部400传送(M4)。在本实施方式中，被控制部500控制的传送机构200使传送叉201向偏差方向R的反方向平行移动偏差量ΔR，以使计测台301上的基板中心Cw和计测台301的旋转中心C一致的方式进行位置修正。接着，传送机构200根据基本动作以使该计测台301的旋转中心C和窗部中心Cc一致的方式将传送载体10传送到等离子体处理部400内。即，通过该控制，传送载体10以使基板中心Cw和窗部中心Cc一致的方式载置于等离子体处理台411上。

在等离子体处理部400内，为了支撑传送载体10，多个升降销419在上升的状态下待机。罩体424也在上升的位置上待机。进入等离子体处理部400内的传送叉201(M4)在多个升降销419的上端面上载置进行了位置修正的传送载体10，并退出(M5)。在确认了传送叉201退出时，关闭隔开等离子体处理部400和传送机构200侧的闸阀(未图示)，使等离子体处理部400成为密闭状态。接着，对基板11实施等离子体处理(工序6：S6)。

详细地说，等离子体处理通过如下动作来进行。

首先，使升降销419下降，将传送载体10载置于等离子体处理台411。接着，由升降机构427驱动升降杆426，使罩体424下降到预定位置。罩体424配置于预定的下降位置时，框架2及保持片3的未保持基板1的部分不与罩体424接触而由罩体424覆盖，基板1从罩体424的窗部424W露出。

接着，从直流电源423向静电吸附用电极422a施加直流电压，通过静电吸附将基板1保持在等离子体处理台411上。

从处理气体源412经过气体导入口403a向真空腔403内部导入处理气体，另一方面，通过减压机构414从403b排气，将真空腔内维持预定的压力。其后，从第一高频电源410A向天线409供给高频电，使真空腔403内产生等离子体P。产生的等离子体P由离子、电子、基等构成。离子向基板1的入射能量可以通过从第二高频电源410B向高频电极442b施加的偏压控制。利用与等离子体P的物理化学反应除去从形成于基板1的抗蚀剂掩模露出的部分的表面至背面的部分，将基板1单片化。

等离子体处理过程中，罩体424位于下降位置。被罩体424覆盖的框架2和保持片3的未保持基板1的部分受到保护不被等离子体照射，因此由于热而产生的变形或变质得以抑制。

在单片化之后，执行灰化。从灰化气体源413向真空腔403内导入灰化用的处理气体(例如氧气)，同时通过减压机构414进行排气，将真空腔403内维持在预定压力。其后，从第一高频电源410A向天线409供给高频电，使真空腔403内产生氧等离子体，将从罩体424的窗部424W露出的基板1(芯片)的表面的抗蚀剂掩模完全除去。

在等离子体处理部400中的处理完全结束时，升降销419上升，闸阀打开。接着，传送叉201进入真空腔403内(M4)，从升降销419接收传送载体10(工序7：S7)。传送叉201保持传送载体10，从等离子体处理部400退出(M5)，进行旋转，与传送载体10一起再次移动到位置计测部300内(M2)。

在位置计测部300内，再次判断有无基板1等(工序8：S8)。在判断出没有基板1、框架2和保持片3的任一个时，显示错误或者发出警告声，传送机构200将传送载体10搬入盒部100，返还到盒101。在判断出基板1、框架2和保持片3全部存在的传送载体10时，该传送载体10被搬入盒部100，并被盒101收纳(工序9：S9)。错误的传送载体10和正常的传送载体10可以收纳于相同的盒101，也可以收纳于分别的盒。在二者收纳于相同盒的情况下，也可以将错误的传送载体10的收纳位置显示在画面上。

与上述同样地，有无基板1的判断并不需要在位置计测部300内进行，也可以在从等离子体处理部400向盒部100传送的中途的路径上进行。在该情况下，在工序7之后，不需要将传送载体10搬入位置计测部300，将传送载体10搬入盒部100即可。综上所述，一系列的等离子体处理工序结束。

另外，本发明并不限定于这些实施方式，能够进行各种变更。

产业上的可利用性

本发明的等离子体处理装置作为对传送载体所保持的基板进行等离子体处理的装置是有用的。

Claims (6)

1.一种等离子体处理装置，对传送载体所保持的基板进行等离子体处理，其中，

所述传送载体具备框架和覆盖所述框架的开口的保持片，

所述基板被所述保持片保持，

所述等离子体处理装置具备：

传送机构，传送保持有所述基板的传送载体；

位置计测部，计测所述基板相对于所述框架的位置；

等离子体处理部，具备等离子体处理台和罩体，所述等离子体处理台载置保持有所述基板的传送载体，所述罩体覆盖在所述等离子体处理台上载置的所述框架和所述保持片的至少一部分，并且具有使所述基板的至少一部分露出的窗部；及

控制部，基于由所述位置计测部计测出的所述基板相对于所述框架的位置信息，控制所述传送机构以使所述窗部的中心和所述基板的中心一致的方式将保持有所述基板的传送载体载置于所述等离子体处理台。

2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其中，

还具备判定部，所述判定部判定由所述位置计测部计测出的所述基板的位置是否处于容许范围内，

仅在所述判定为容许范围内的情况下，所述控制部控制所述传送机构将保持有所述基板的传送载体载置于所述等离子体处理台。

3.根据权利要求1或2所述的等离子体处理装置，其中，

所述位置计测部具备载置保持有所述基板的传送载体的计测台，

并且，在使载置于所述计测台的保持有所述基板的传送载体旋转的同时，测定所述框架的开口的中心和所述基板的中心的偏差量。

4.一种等离子体处理方法，对传送载体所保持的基板进行等离子体处理，其中，

所述传送载体具备框架和覆盖所述框架的开口的保持片，

所述基板由所述保持片保持，

所述等离子体处理方法具有如下工序：

由位置计测部计测所述基板相对于所述框架的位置的工序；及

将保持有所述基板的传送载体载置于等离子体处理部所具备的等离子体处理台上，通过罩体覆盖所述框架和所述保持片的至少一部分，并且使所述基板的至少一部分从设置于所述罩体的窗部露出，进行等离子体处理的工序，

基于由所述位置计测部计测出的所述基板相对于所述框架的位置信息，以使所述窗部的中心和所述基板的中心一致的方式将保持有所述基板的传送载体载置于所述等离子体处理台。

5.根据权利要求4所述的等离子体处理方法，其中，

在进行所述计测的工序之后还具备判定由所述位置计测部计测出的所述基板的位置是否处于容许范围内的工序，

仅在所述判定为容许范围内的情况下，将保持有所述基板的传送载体载置于所述等离子体处理台。

6.根据权利要求4或5所述的等离子体处理方法，其中，

在进行所述计测的工序中，将保持有所述基板的传送载体载置于计测台，

并且，在使载置于所述计测台的保持有所述基板的传送载体旋转的同时，测定所述框架的开口的中心和所述基板的中心的偏差量。