CN105366655B - 电容级磷酸晶体的制备方法 - Google Patents

电容级磷酸晶体的制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN105366655B
CN105366655B CN201510915566.1A CN201510915566A CN105366655B CN 105366655 B CN105366655 B CN 105366655B CN 201510915566 A CN201510915566 A CN 201510915566A CN 105366655 B CN105366655 B CN 105366655B
Authority
CN
China
Prior art keywords
phosphoric acid
crystal
capacitor stage
preparation
stage phosphoric
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201510915566.1A
Other languages
English (en)
Other versions
CN105366655A (zh
Inventor
张弘
袁章友
彭华明
阙世斌
施磊
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sichuan Lan Hai Chemical Industry (group) Co Ltd
Original Assignee
Sichuan Lan Hai Chemical Industry (group) Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sichuan Lan Hai Chemical Industry (group) Co Ltd filed Critical Sichuan Lan Hai Chemical Industry (group) Co Ltd
Priority to CN201510915566.1A priority Critical patent/CN105366655B/zh
Publication of CN105366655A publication Critical patent/CN105366655A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN105366655B publication Critical patent/CN105366655B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B25/00Phosphorus; Compounds thereof
    • C01B25/16Oxyacids of phosphorus; Salts thereof
    • C01B25/18Phosphoric acid
    • C01B25/234Purification; Stabilisation; Concentration
    • C01B25/237Selective elimination of impurities
    • C01B25/238Cationic impurities, e.g. arsenic compounds
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2006/00Physical properties of inorganic compounds
    • C01P2006/80Compositional purity

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)

Abstract

本发明属于磷酸制备领域,具体涉及电容级磷酸晶体的制备方法。本发明要解决的技术问题是目前生产的电容级磷酸中铁离子含量较高。发明解决上述技术问题的方案是提供一种电容级磷酸晶体的制备方法,包括以下步骤:a、在搅拌下,将电容级磷酸溶液冷却至5~10℃,开始出现结晶后,继续冷却电容级磷酸溶液至0~2℃,结晶45~60分钟;b、过滤出晶体,加入高纯水,然后加热溶解晶体;c、当晶体全部溶解后,重复步骤a~b的操作,直至取样测定磷酸晶体中的Fe≤0.0001%后,得到电容级磷酸晶体。本发明提供的方法工业流程短,易于控制,投资费用降低,能耗低。

Description

电容级磷酸晶体的制备方法
技术领域
本发明属于磷酸制备领域,具体涉及电容级磷酸晶体的制备方法。
背景技术
目前生产的电容级磷酸中,铁离子含量为2ppm,只能满足小部分电子原料生产企业的需求。而较多高端电子原料生产企业,基本都要求铁离子含量≤1ppm,以提高产品的性能和使用寿命。
为满足高端电子企业对电容级磷酸的质量要求,亟需研究开发出降低电容级磷酸中铁离子含量的方法。
磷酸晶体的制作方法可以采用悬浮结晶及塔式结晶。其中,悬浮结晶最大缺点是晶体产品的最终纯度取决于固液分离的效果,磷酸中的铁、氟、硫酸根、钾、镁、氯等杂质表现出相同的规律,杂质含量随着结晶的重复而逐级降低,但降幅减少。塔式结晶是在塔内完成逆流洗涤、重结晶和发汗3种提纯方式,产品一般以熔融液态排出,不需要固液分离、洗涤、干燥等后续操作,而且塔式结晶由于能耗低、装置小、提纯效率高,正日益受到国内外研究者与生产者的广泛关注并被称为绿色技术。但目前还没有有关电容级磷酸晶体的报道。
发明内容
本发明要解决的技术问题是目前生产的电容级磷酸中铁离子含量较高。
发明解决上述技术问题的方案是提供一种电容级磷酸晶体的制备方法,包括以下步骤:
a、在搅拌下,将电容级磷酸溶液冷却至5~10℃,开始出现结晶后,继续冷却电容级磷酸溶液至0~2℃,结晶45~60分钟;
b、过滤出晶体,加入高纯水,然后加热溶解晶体;
c、当晶体全部溶解后,重复步骤a~b的操作,直至取样测定磷酸晶体中的Fe≤0.0001%后,得到电容级磷酸晶体。
上述电容级磷酸晶体的制备方法中,步骤a所述电容级磷酸溶液的质量百分含量为84.0~85.0%。其中,Fe离子的质量百分含量为0.0002~0.0003%。
上述电容级磷酸晶体的制备方法中,步骤b所述过滤时的温度为0~10℃。
上述电容级磷酸晶体的制备方法中,步骤b所述加热溶解时的温度为60~80℃。
上述电容级磷酸晶体的制备方法中,步骤b所述高纯水的加入量为晶体质量的15~20%。
上述电容级磷酸晶体的制备方法中,步骤c所述电容级磷酸晶体的纯度为95.50~96.00%。
本发明提供的方法工业流程短,易于控制,投资费用降低,能耗低。采用本发明提供的方法得到的电容级磷酸晶体,其铁离子的含量≤1ppm,其指标高于原电容级磷酸企业标准,实现产品升级。
具体实施方式
电容级磷酸晶体的制备方法,包括以下步骤:
a、在搅拌下,将电容级磷酸溶液冷却至5~10℃,开始出现结晶后,继续冷却电容级磷酸溶液至0~2℃,结晶45~60分钟;
b、过滤出晶体,加入高纯水,然后加热溶解晶体;
c、当晶体全部溶解后,重复步骤a~b的操作,直至取样测定磷酸晶体中的Fe≤0.0001%后,得到电容级磷酸晶体。
上述电容级磷酸晶体的制备方法中,步骤a所述电容级磷酸溶液的质量百分含量为84.0~85.0%。其中,Fe离子的质量百分含量为0.0002~0.0003%。
上述电容级磷酸晶体的制备方法中,步骤b所述过滤时的温度为0~10℃。
上述电容级磷酸晶体的制备方法中,步骤b所述加热溶解时的温度为60~80℃。
上述电容级磷酸晶体的制备方法中,步骤b所述高纯水的加入量为晶体质量的15~20%。
上述电容级磷酸晶体的制备方法中,步骤c所述电容级磷酸晶体的纯度为95.50~96.00%。
实施例1
1)使用纯净高纯水,将冷却反应器清洗干净,在冷却反应釜中加入9吨初级电容级磷酸;
2)开启搅拌器,开启冰机,对反应器中初级电容级磷酸进行冷却,约30分钟后,反应器中开始出现结晶体,继续冷却,直至反应器中磷酸温度达到0℃左右,约60分钟后停止冰机,并保持正常搅拌;
3)开启出口阀门,将结晶后的磷酸放入过滤机进行过滤,过滤后的母液储存并用于工业级磷酸的生产;
4)过滤后的晶体(约6.5t),转移到冷却反应器,加入1t高纯水,并开启夹套蒸汽,加温熔解;
5)当晶体全部熔解后,重复步骤2)~3)的操作,当取样测定磷酸中Fe≤0.0001%后,得到电容级磷酸晶体。
实施例2
1)使用纯净高纯水,将冷却反应器清洗干净,在冷却反应釜中加入10吨初级电容级磷酸;
2)开启搅拌器,开启冰机,对反应器中初级电容级磷酸进行冷却,约30分钟后,反应器中开始出现结晶体,继续冷却,直至反应器中磷酸温度达到0℃左右,约60分钟后停止冰机,并保持正常搅拌;
3)开启出口阀门,将结晶后的磷酸放入过滤机进行过滤,过滤后的母液储存并用于工业级磷酸的生产;
4)过滤后的晶体(约8t),转移到冷却反应器,加入1.5t高纯水,并开启夹套蒸汽,加温熔解;
5)当晶体全部熔解后,重复步骤2)~3)的操作,当取样测定磷酸中Fe≤0.0001%后,得到电容级磷酸晶体。
本发明提供的方法工业流程短,易于控制,投资费用降低,能耗低。采用本发明提供的方法得到的电容级磷酸晶体,其铁离子的含量≤1ppm。

Claims (5)

1.电容级磷酸晶体的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
a、在搅拌下,将电容级磷酸溶液冷却至5~10℃,开始出现结晶后,继续冷却电容级磷酸溶液至0~2℃,结晶45~60分钟;所述电容级磷酸溶液中的磷酸质量百分含量为84.0~85.0%;Fe离子的质量百分含量为0.0002~0.0003%;
b、过滤出晶体,加入高纯水,然后加热溶解晶体;所述加热溶解时的温度为60~80℃;
c、当晶体全部溶解后,重复步骤a~b的操作,直至取样测定磷酸晶体中的Fe≤0.0001%后,得到电容级磷酸晶体。
2.根据权利要求1所述的电容级磷酸晶体的制备方法,其特征在于:步骤b所述过滤时的温度为0~10℃。
3.根据权利要求1所述的电容级磷酸晶体的制备方法,其特征在于:步骤b所述过滤后的母液储存并用于工业级磷酸的生产。
4.根据权利要求1所述的电容级磷酸晶体的制备方法,其特征在于:步骤b所述高纯水的加入量为晶体质量的15~20%。
5.根据权利要求1所述的电容级磷酸晶体的制备方法,其特征在于:步骤c所述电容级磷酸晶体的纯度为95.50~96.00%。
CN201510915566.1A 2015-12-10 2015-12-10 电容级磷酸晶体的制备方法 Active CN105366655B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510915566.1A CN105366655B (zh) 2015-12-10 2015-12-10 电容级磷酸晶体的制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510915566.1A CN105366655B (zh) 2015-12-10 2015-12-10 电容级磷酸晶体的制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN105366655A CN105366655A (zh) 2016-03-02
CN105366655B true CN105366655B (zh) 2018-01-02

Family

ID=55369372

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201510915566.1A Active CN105366655B (zh) 2015-12-10 2015-12-10 电容级磷酸晶体的制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN105366655B (zh)

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4657559A (en) * 1985-05-08 1987-04-14 Freeport Research And Engineering Company Process for seed crystal preparation for phosphoric acid crystallization
US4655789A (en) * 1985-05-08 1987-04-07 Freeport Research And Engineering Company Phosphoric acid crystallization process
JP3131433B2 (ja) * 1989-12-21 2001-01-31 日本化学工業株式会社 高純度リン酸の製造方法
CN1312030C (zh) * 2005-06-09 2007-04-25 北京泓远迪绿色技术有限公司 结晶法净化湿法磷酸的方法
CN100551819C (zh) * 2006-05-25 2009-10-21 瓮福(集团)有限责任公司 一种电子级磷酸的生产方法
CN100441502C (zh) * 2006-08-24 2008-12-10 四川川大中德环保技术有限公司 湿法磷酸分级利用的方法
CN101269804B (zh) * 2008-05-07 2012-01-25 瓮福(集团)有限责任公司 一种高纯正磷酸晶体的生产方法
CN101544360A (zh) * 2009-05-07 2009-09-30 瓮福(集团)有限责任公司 一种晶体磷酸的制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN105366655A (zh) 2016-03-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2018113478A1 (zh) 一种以碳酸锂为原料生产一水氢氧化锂的方法
CN100551819C (zh) 一种电子级磷酸的生产方法
CN102054994B (zh) 锌锰干电池用无腐蚀复合电解质及其制备方法
CN103318925A (zh) 一种用锂精矿生产高纯碳酸锂的方法
CN101575100B (zh) 一种络合结晶法脱除硼酸中金属杂质的方法
CN110040708B (zh) 一种高纯度光学玻璃添加剂偏磷酸镧的制备方法
CN102602953A (zh) 利用盐湖提锂母液制取高硼硅酸盐玻璃行业级硼酸的方法
CN106335889B (zh) 利用粗焦磷酸钠生产三聚磷酸钠的方法
CN102145906B (zh) 一种以粉煤灰为原料制备低铁结晶氯化铝的方法
CN102371080A (zh) 晶浆外循环的结晶方法
CN101269804B (zh) 一种高纯正磷酸晶体的生产方法
CN102145907B (zh) 一种以粉煤灰为原料制备低铁结晶氯化铝的方法
CN101767803A (zh) 一种食用级氯化钾的生产工艺
CN105366655B (zh) 电容级磷酸晶体的制备方法
CN103265072A (zh) 一种氯氧化锆结晶方法
CN202390205U (zh) 生产电子级磷酸的装置
CN1312040C (zh) 工业级氢氧化锂生产高纯高清氢氧化锂的提纯方法
CN102633293B (zh) 一种多级循环免蒸发硫酸铜精制方法
CN102690312B (zh) 一种羊毛脂胆固醇提纯方法
CN101885495A (zh) 一种高纯无水碳酸钠的制备方法
CN104743779B (zh) 适用于单晶生产的低变形率坩埚用石英原料的制备方法
CN103771367B (zh) 一种搅拌结晶生产电子级磷酸的方法
CN102417192B (zh) 一种制造离子膜氢氧化钾的氯化钾原料处理工艺方法
CN106186023B (zh) 一种大比表面积碳酸钡的制备方法
CN107382380A (zh) 一种利用草木灰制备生物钾肥的方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant