CN105336847A - 一种三维磁阻传感器的制造方法和电子装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种三维磁阻传感器的制造方法和电子装置，涉及半导体技术领域。本发明的三维磁阻传感器的制造方法，包括：步骤S101：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成具有开口的硬掩膜层；步骤S102：通过湿法刻蚀在所述半导体衬底内形成位于所述开口下方的倒梯形沟槽；步骤S103：在所述倒梯形沟槽的底部与侧壁之上形成磁性材料元件。该方法采用湿法刻蚀形成用于设置磁性材料元件的倒梯形沟槽，可以很好地控制倒梯形沟槽的侧壁与半导体衬底下表面的夹角，并且可以保证倒梯形沟槽的表面平坦度，因而可以提高三维磁阻传感器的良率。本发明的电子装置，采用根据上述方法制造的三维磁阻传感器，同样具有上述优点。

Description

一种三维磁阻传感器的制造方法和电子装置

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体而言涉及一种三维磁阻传感器的制造方法和电子装置。

背景技术

当前，数字电子罗盘作为导航仪器或姿态传感器已被广泛应用。电子罗盘与传统的指针式和平衡架结构罗盘相比，具有能耗低、体积小、重量轻、精度高、可微型化等优点。此外，电子罗盘的输出信号可以在处理后实现数码显示，不仅可以用来指示方向，而且其数字信号可直接传送到自动舵，控制船舶的操纵。

三维电子罗盘由三维磁阻传感器、双轴倾角传感器和MCU构成。其中，三维磁阻传感器根据工作原理的不同具有几种不同的分类，各向异性磁阻传感器是其中较为重要的一种。各向异性的三维磁阻传感器是通过将铁镍合金薄膜沉积在硅基底上形成的，沉积的铁镍合金薄膜以条带的形式排布，形成一个平面的线阵以增加磁阻的感知磁场的面积。其对磁性材料薄膜表面粗糙度的要求非常严格，对半导体制造工艺的控制是个巨大的挑战。

现有的一种三维磁阻传感器的结构如图1所示，包括半导体衬底100、位于半导体衬底100上的凸台状二氧化硅结构层101、位于二氧化硅结构层101上的磁性材料元件103、覆盖磁性材料元件103的绝缘层104以及位于绝缘层104内的金属互连线105。其中，磁性材料元件103包括三个维度(X、Y和Z三个方向)的元件，用于实现三维磁阻传感器。

在现有的三维磁阻传感器的制造工艺中，通常采用光刻胶回填、干法刻蚀、硼磷玻璃回填(BPSGreflow)的方式制作自底向上的Z轴方向的传感器。由于需要将二氧化硅结构层101的形成有磁性材料元件的侧壁与半导体衬底100的夹角控制在40～60°，因此对形成该夹角的干法刻蚀工艺要求非常高，一旦未能很好地控制干法刻蚀就会导致无法形成合适的夹角，进而导致三维磁阻传感器的良率下降。此外，由于需要高温的硼磷玻璃回填工艺来做二氧化硅结构层101的侧壁表面平坦化以保证其表面平坦度(通常需要使表面粗糙度小于20A)，因此，在其后的工艺将无法采用有高温限制的工艺，否则也会导致三维磁阻传感器的良率下降。

因此，为解决上述技术问题，有必要提出一种新的三维磁阻传感器的制造方法和电子装置。

发明内容

针对现有技术的不足，本发明提供一种三维磁阻传感器的制造方法和电子装置。

本发明实施例一提供一种三维磁阻传感器的制造方法，所述方法包括：

步骤S101：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成具有开口的硬掩膜层；

步骤S102：通过湿法刻蚀在所述半导体衬底内形成位于所述开口下方的倒梯形沟槽；

步骤S103：在所述倒梯形沟槽的底部与侧壁之上形成磁性材料元件。

可选地，在所述步骤S102中，所述湿法刻蚀所采用的刻蚀液为TMAH。

可选地，在所述步骤S102中，所述湿法刻蚀的时间为30分钟。

可选地，在所述步骤S102中，所述倒梯形沟槽的两个相对的侧壁与所述半导体衬底的下表面的夹角为40～60°。

可选地，在所述步骤S103中，所述磁性材料元件包括位于水平方向的第一磁性材料元件以及分别位于所述倒梯形沟槽的两个相对的侧壁上的第二磁性材料元件与第三磁性材料元件。

可选地，所述步骤S103包括：

步骤S1031：在所述半导体衬底上形成第一光刻胶，通过对其进行曝光、显影定义出位于水平方向的第一磁性材料层的位置，沉积磁性材料，利用Lift-off工艺形成第一磁性材料层；

步骤S1032：在所述半导体衬底上形成第二光刻胶，通过对其进行曝光、显影定义出分别位于所述倒梯形沟槽的两个相对的侧壁上的第二磁性材料层与第三磁性材料层的位置，沉积磁性材料，利用Lift-off工艺形成第二磁性材料层和第三磁性材料层；

步骤S1033：对所述第一磁性材料层、所述第二磁性材料层和所述第三磁性材料层进行刻蚀以形成磁性材料元件，其中所述磁性材料元件包括位于所述倒梯形沟槽的底面的第一磁性材料元件以及分别位于所述倒梯形沟槽的两个相对的侧壁上的第二磁性材料元件与第三磁性材料元件。

可选地，在所述步骤S1033中，所述刻蚀为离子束刻蚀。

可选地，在所述步骤S102与所述步骤S103之间还包括步骤S1023：

去除所述硬掩膜层。

可选地，在所述步骤S1023与所述步骤S103之间还包括如下步骤：

形成覆盖所述倒梯形沟槽的底部与侧壁以及所述半导体衬底的上表面的氧化硅层。

可选地，在所述步骤S103之后还包括如下步骤：

步骤S104：形成位于所述磁性材料元件之上的金属连接层；

步骤S105：形成覆盖所述金属连接层的第一层间介电层，在所述第一层间介电层内形成位于所述金属连接层上方的第一过孔，在所述第一过孔内形成金属互连件；

步骤S106：形成位于所述第一层间介电层之上的第二层间介电层，在所述第二层间介电层内形成位于所述金属互连件上方的第二过孔，形成通过所述第二过孔与所述金属互连件相连的焊盘。

可选地，在所述步骤S106中，所述第二层间介电层包括氧化硅层与位于所述氧化硅层上方的氮化硅层。

本发明实施例二提供一种电子装置，其包括电子组件以及与所述电子组件电连接的三维磁阻传感器，其中所述三维磁阻传感器根据上述的制造方法制造。

本发明的三维磁阻传感器的制造方法，采用湿法刻蚀形成用于设置磁性材料元件的倒梯形沟槽，可以很好地控制倒梯形沟槽的侧壁与半导体衬底下表面的夹角，并且可以保证倒梯形沟槽的表面平坦度，因而可以提高三维磁阻传感器的良率。本发明的电子装置，采用根据上述方法制造的三维磁阻传感器，同样具有上述优点。

附图说明

本发明的下列附图在此作为本发明的一部分用于理解本发明。附图中示出了本发明的实施例及其描述，用来解释本发明的原理。

附图中：

图1为现有的一种三维磁阻传感器的结构示意图；

图2A至2K为本发明实施例一的一种三维磁阻传感器的制造方法的相关步骤形成的结构的示意图；

图3为本发明实施例一的一种三维磁阻传感器的制造方法的流程图。

具体实施方式

在下文的描述中，给出了大量具体的细节以便提供对本发明更为彻底的理解。然而，对于本领域技术人员而言显而易见的是，本发明可以无需一个或多个这些细节而得以实施。在其他的例子中，为了避免与本发明发生混淆，对于本领域公知的一些技术特征未进行描述。

应当理解的是，本发明能够以不同形式实施，而不应当解释为局限于这里提出的实施例。相反地，提供这些实施例将使公开彻底和完全，并且将本发明的范围完全地传递给本领域技术人员。在附图中，为了清楚，层和区的尺寸以及相对尺寸可能被夸大。自始至终相同附图标记表示相同的元件。

应当明白，当元件或层被称为“在...上”、“与...相邻”、“连接到”或“耦合到”其它元件或层时，其可以直接地在其它元件或层上、与之相邻、连接或耦合到其它元件或层，或者可以存在居间的元件或层。相反，当元件被称为“直接在...上”、“与...直接相邻”、“直接连接到”或“直接耦合到”其它元件或层时，则不存在居间的元件或层。应当明白，尽管可使用术语第一、第二、第三等描述各种元件、部件、区、层和/或部分，这些元件、部件、区、层和/或部分不应当被这些术语限制。这些术语仅仅用来区分一个元件、部件、区、层或部分与另一个元件、部件、区、层或部分。因此，在不脱离本发明教导之下，下面讨论的第一元件、部件、区、层或部分可表示为第二元件、部件、区、层或部分。

空间关系术语例如“在...下”、“在...下面”、“下面的”、“在...之下”、“在...之上”、“上面的”等，在这里可为了方便描述而被使用从而描述图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。应当明白，除了图中所示的取向以外，空间关系术语意图还包括使用和操作中的器件的不同取向。例如，如果附图中的器件翻转，然后，描述为“在其它元件下面”或“在其之下”或“在其下”元件或特征将取向为在其它元件或特征“上”。因此，示例性术语“在...下面”和“在...下”可包括上和下两个取向。器件可以另外地取向(旋转90度或其它取向)并且在此使用的空间描述语相应地被解释。

在此使用的术语的目的仅在于描述具体实施例并且不作为本发明的限制。在此使用时，单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也意图包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。还应明白术语“组成”和/或“包括”，当在该说明书中使用时，确定所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一个或更多其它的特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或组的存在或添加。在此使用时，术语“和/或”包括相关所列项目的任何及所有组合。

这里参考作为本发明的理想实施例(和中间结构)的示意图的横截面图来描述发明的实施例。这样，可以预期由于例如制造技术和/或容差导致的从所示形状的变化。因此，本发明的实施例不应当局限于在此所示的区的特定形状，而是包括由于例如制造导致的形状偏差。例如，显示为矩形的注入区在其边缘通常具有圆的或弯曲特征和/或注入浓度梯度，而不是从注入区到非注入区的二元改变。同样，通过注入形成的埋藏区可导致该埋藏区和注入进行时所经过的表面之间的区中的一些注入。因此，图中显示的区实质上是示意性的，它们的形状并不意图显示器件的区的实际形状且并不意图限定本发明的范围。

为了彻底理解本发明，将在下列的描述中提出详细的步骤以及详细的结构，以便阐释本发明提出的技术方案。本发明的较佳实施例详细描述如下，然而除了这些详细描述外，本发明还可以具有其他实施方式。

实施例一

下面，参照图2A至图2K以及图3来描述本发明实施例的三维磁阻传感器的制造方法一个示例性方法的详细步骤。其中，图2A至2K为本发明实施例的一种三维磁阻传感器的制造方法的相关步骤形成的结构的示意图；图3为本发明实施例的一种三维磁阻传感器的制造方法的流程图。

本实施例的三维磁阻传感器的制造方法，包括如下步骤：

步骤A1：提供半导体衬底200，在半导体衬底200上形成具有开口的硬掩膜层201，如图2A所示。其中，图2A为剖视图。

其中，所述开口暴露出半导体衬底200的一部分。示例性地，所述开口的形状为矩形。

硬掩膜层201的材料可以为普通二氧化硅、增强型二氧化硅(PEOX)或其他合适的材料。

在一个实例中，步骤A1包括如下步骤：

步骤A11：在半导体衬底200上形成增强型二氧化硅薄膜。

其中，形成增强型二氧化硅薄膜的方法，可以为沉积法或其他合适的方法。

步骤A12：通过刻蚀在所述增强型二氧化硅薄膜上形成开口，以形成硬掩膜层201。

步骤A2：对半导体衬底200进行湿法刻蚀，以在所述半导体衬底200内形成位于所述开口下方的倒梯形沟槽202，如图2B所示。其中，在图2B中，下图为俯视图，上图为沿下图中AA’的剖视图。

其中，倒梯形沟槽202的侧壁和底面用于设置磁性材料元件。

示例性地，倒梯形沟槽202的侧壁与半导体衬底200的下表面的夹角为40～60°。

本实施例采用湿法刻蚀形成倒梯形沟槽202，相对于现有技术中通过干法刻蚀形成凸台状二氧化硅结构层，可以更易于将倒梯形沟槽202的两个相对的侧壁与半导体衬底200下表面的夹角控制在40～60°；并且，由于湿法刻蚀可以沿半导体衬底200的固定晶向进行刻蚀，可以保证形成的倒梯形沟槽202的表面比较平坦(表面粗糙度小于20A)，因而不再需要通过高温的硼磷玻璃回填来对倒梯形沟槽202的表面(尤其是侧壁表面)进行平坦化，相应地，也就不会导致三维磁阻传感器的良率下降。也就是说，通过本步骤可以提高最终制得的三维磁阻传感器的良率。

本步骤的湿法刻蚀，可以采用各种合适的刻蚀液。在一个实例中，该湿法刻蚀采用TMAH(四甲基氢氧化铵)作为刻蚀液，由于TMAH刻蚀具有晶向选择性好的优点，可以更好地保证倒梯形沟槽202的侧壁倾角以及侧壁的表面平坦度。示例性地，对半导体衬底200进行湿法刻蚀采用的刻蚀液为TMAH，湿法刻蚀的时间为30分钟。

步骤A3：去除硬掩膜层201，形成覆盖倒梯形沟槽202的底部与侧壁以及所述半导体衬底200上表面的氧化硅层203，如图2C所示。其中，图2C为剖视图。

其中，去除硬掩膜层201所采用的方法可以为：采用稀氢氟酸(DHF)进行清洗。

示例性地，形成氧化硅层203的方法可以为热氧化法。氧化硅层203的厚度可以为0.5～2um，进一步地，为1um。

其中，形成氧化硅层203，可以去除之前的湿法刻蚀所造成的硬掩膜层201的底切(undercut)问题，从而提高三维磁阻传感器的良率。在某些情况下，形成氧化硅层203的步骤可以省略。如果undercut不严重，去除硬掩膜层201的步骤也可以省略。

步骤A4：形成位于倒梯形沟槽202的底部与侧壁位置处的磁性材料元件204，如图2F所示。

示例性地，磁性材料元件204包括位于X方向的第一磁性材料元件2041、位于Y方向的第二磁性材料元件2042和位于Z方向的第三磁性材料元件2043。即，磁性材料元件204构成三维磁阻传感器，如图2F所示。

其中，X方向、Y方向和Z方向为三维空间坐标系的三个坐标轴。在本实施例中，水平方向(例如：图2F中倒梯形沟槽202的底面所在方向)可以与X方向相对应，图2F示出的倒梯形沟槽202的两个相对的侧壁可以分别与Y方向和Z方向相对应。

示例性地，步骤A4可以包括如下步骤：

步骤A41：在半导体衬底200上(具体地可以在氧化硅层203上)形成第一光刻胶，并通过对第一光刻胶进行曝光、显影定义出位于水平方向(即，X方向；包括倒梯形沟槽202的底面以及半导体衬底200的上表面)的第一磁性材料层的位置，沉积磁性材料，利用Lift-off工艺(剥离工艺)形成第一磁性材料层20410，如图2D所示。

其中，Lift-off工艺(也称剥离工艺)是指如下工艺过程：首先在衬底上涂布光刻胶并对其进行光刻(曝光、显影)，然后再制备介质膜，在有光刻胶的地方，介质膜形成在光刻胶上，而没有光刻胶的地方，介质膜就直接形成在衬底上。当使用溶剂去除衬底上的光刻胶时，不需要的介质膜就随着光刻胶的溶解而脱落在溶剂中，而直接形成在衬底上的介质膜部分则保留下来形成图形。

示例性地，第一磁性材料层2041的厚度为200um。第一磁性材料层2041的材料为镍铁合金(NiFe)或其他合适的材料。

步骤A42：在半导体衬底200上(具体地，在氧化硅层203上)形成第二光刻胶，并通过对第二光刻胶进行曝光、显影定义出分别位于倒梯形沟槽202的两个相对的侧壁上(即，Y方向和Z方向)的第二磁性材料层与第三磁性材料层的位置，沉积磁性材料，利用Lift-off工艺形成第二磁性材料层20420和第三磁性材料层20430，如图2E所示。

步骤A43：对第一磁性材料层20410、第二磁性材料层20420和第三磁性材料层20430进行刻蚀，以形成包括位于X方向的第一磁性材料元件2041、位于Y方向的第二磁性材料元件2042和位于Z方向的第三磁性材料元件2043的磁性材料元件204，如图2F所示。

其中，第一磁性材料元件2041由第一磁性材料层20410刻蚀而来，第二磁性材料元件2042由第二磁性材料层20420刻蚀而来，第三磁性材料元件2043由第三磁性材料层20430刻蚀而来。在刻蚀的过程中，还可以形成其他组件，例如用于连接第一磁性材料元件2041、第二磁性材料元件2042或第三磁性材料元件2043的磁性连接件。

示例性地，所述刻蚀可以采用IBE(离子束刻蚀)或其他合适的刻蚀方法。

其中，图2D、图2E和图2F均为剖视图。

上述步骤A41至A43，分别采用Lift-Off工艺先形成第一磁性材料层20410以及第二磁性材料层20420与第三磁性材料层20430，再通过刻蚀形成第一磁性材料元件2041、第二磁性材料元件2042和第三磁性材料元件2043，与直接分别通过Lift-Off工艺形成第一磁性材料元件2041、第二磁性材料元件2042和第三磁性材料元件2043的方案相比，可以提高工艺的良率。

步骤A5：形成位于磁性材料元件204之上的金属连接层205，如图2G所示。其中，图2G为剖视图。

其中，金属连接层205可以为钛(Ti)、铜(Cu)、铝(Al)或其他合适的材料。

示例性地，步骤A5包括如下步骤：

步骤A51：在半导体衬底200上形成光刻胶并进行曝光、显影以定义出金属连接层205的位置。

步骤A52：形成覆盖磁性材料元件204和光刻胶的金属层。

其中，形成金属层的方法，可以为电子枪式蒸镀或其他合适的方法。

步骤A53：通过剥离工艺形成位于磁性材料元件204之上的金属连接层205。

步骤A6：形成覆盖金属连接层205以及半导体衬底200的第一层间介电层206以及位于第一层间介电层206内且位于金属连接层205上方的过孔20601，如图2H所示。形成位于过孔20601内以及第一层间介电层206上方的金属互连件207，如图2I所示。其中，图2H和2I为剖视图。

在本实施例中，第一层间介电层206的材料可以为氮化硅或其他合适的材料。形成第一层间介电层206的方法为沉积或其他合适的方法。示例性地，第一层间介电层206的厚度为6～7um。

在一个实例中，金属互连件207的材料可以为铜或其他合适的材料。金属互连件207的厚度可以为4um。

步骤A7：形成位于第一层间介电层206之上的第二层间介电层208以及位于第二层间介电层208内且位于金属互连件207上方的过孔20801，如图2J所示。形成通过过孔20801与金属互连件207相连的焊盘(PAD)209，如图2K所示。其中，图2J和图2K为剖视图。

其中，第二层间介电层208可以为单层结构，也可以为多层结构。示例性地，第二层间介电层208包括位于下方的氧化硅层2081与位于上方的氮化硅层2082，如图2J所示。其中，氧化硅层2081的厚度为0.5um，氮化硅层2082的厚度为4um。

示例性地，形成过孔20801的方法为：对第二层间介电层208进行刻蚀，例如干法刻蚀。

其中，焊盘(PAD)209的材料可以为铝或其他合适的材料。其厚度可以为。

示例性地，形成焊盘209的方法包括：在第二层间介电层208上沉积金属层，对该金属层进行刻蚀以形成焊盘209。

本实施例的三维磁阻传感器的制造方法，采用湿法刻蚀形成用于设置磁性元件的倒梯形沟槽202，可以很好地控制倒梯形沟槽202的侧壁与半导体衬底200下表面的夹角，并且可以保证倒梯形沟槽202的表面平坦度，因而可以提高三维磁阻传感器的良率。

图3示出了本发明实施例提出的三维磁阻传感器的制造方法的一种示意性流程图，用于简要示出该制造方法的典型流程。

在步骤S101中，提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成具有开口的硬掩膜层；

在步骤S102中，通过湿法刻蚀在所述半导体衬底内形成位于所述开口下方的倒梯形沟槽；

在步骤S103中，在所述倒梯形沟槽的底部与侧壁之上形成磁性材料元件。

实施例二

本发明实施例提供一种电子装置，其包括电子组件以及与该电子组件电连接的三维磁阻传感器。其中，所述三维磁阻传感器为根据实施例一所述的三维磁阻传感器的制造方法制造的三维磁阻传感器。

示例性地，该三维磁阻传感器的制造方法包括如下步骤：

步骤S101：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成具有开口的硬掩膜层；

步骤S102：通过湿法刻蚀在所述半导体衬底内形成位于所述开口下方的倒梯形沟槽；

步骤S103：在所述倒梯形沟槽的底部与侧壁之上形成磁性材料元件。

本实施例的电子装置，可以是三维电子罗盘、导航仪、手机、平板电脑、笔记本电脑、上网本、游戏机、照相机、摄像机、录音笔、MP3、MP4、PSP等任何电子产品或设备，也可为任何包括该半导体器件的中间产品。其中，该电子组件可以为任何可行的组件，在此并不进行限定。

本发明实施例的电子装置，由于使用了上述的三维磁阻传感器，因而同样具有上述优点。

本发明已经通过上述实施例进行了说明，但应当理解的是，上述实施例只是用于举例和说明的目的，而非意在将本发明限制于所描述的实施例范围内。此外本领域技术人员可以理解的是，本发明并不局限于上述实施例，根据本发明的教导还可以做出更多种的变型和修改，这些变型和修改均落在本发明所要求保护的范围以内。本发明的保护范围由附属的权利要求书及其等效范围所界定。

Claims (12)

1.一种三维磁阻传感器的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

步骤S101：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成具有开口的硬掩膜层；

步骤S102：通过湿法刻蚀在所述半导体衬底内形成位于所述开口下方的倒梯形沟槽；

步骤S103：在所述倒梯形沟槽的底部与侧壁之上形成磁性材料元件。

2.如权利要求1所述的三维磁阻传感器的制造方法，其特征在于，在所述步骤S102中，所述湿法刻蚀所采用的刻蚀液为TMAH。

3.如权利要求1所述的三维磁阻传感器的制造方法，其特征在于，在所述步骤S102中，所述湿法刻蚀的时间为30分钟。

4.如权利要求1所述的三维磁阻传感器的制造方法，其特征在于，在所述步骤S102中，所述倒梯形沟槽的两个相对的侧壁与所述半导体衬底的下表面的夹角为40～60°。

5.如权利要求1所述的三维磁阻传感器的制造方法，其特征在于，在所述步骤S103中，所述磁性材料元件包括位于水平方向的第一磁性材料元件以及分别位于所述倒梯形沟槽的两个相对的侧壁上的第二磁性材料元件与第三磁性材料元件。

6.如权利要求1所述的三维磁阻传感器的制造方法，其特征在于，所述步骤S103包括：

步骤S1031：在所述半导体衬底上形成第一光刻胶，通过对其进行曝光、显影定义出位于水平方向的第一磁性材料层的位置，沉积磁性材料，利用Lift-off工艺形成第一磁性材料层；

步骤S1032：在所述半导体衬底上形成第二光刻胶，通过对其进行曝光、显影定义出分别位于所述倒梯形沟槽的两个相对的侧壁上的第二磁性材料层与第三磁性材料层的位置，沉积磁性材料，利用Lift-off工艺形成第二磁性材料层和第三磁性材料层；

步骤S1033：对所述第一磁性材料层、所述第二磁性材料层和所述第三磁性材料层进行刻蚀以形成磁性材料元件，其中所述磁性材料元件包括位于所述倒梯形沟槽的底面的第一磁性材料元件以及分别位于所述倒梯形沟槽的两个相对的侧壁上的第二磁性材料元件与第三磁性材料元件。

7.如权利要求6所述的三维磁阻传感器的制造方法，其特征在于，在所述步骤S1033中，所述刻蚀为离子束刻蚀。

8.如权利要求1所述的三维磁阻传感器的制造方法，其特征在于，在所述步骤S102与所述步骤S103之间还包括步骤S1023：

去除所述硬掩膜层。

9.如权利要求8所述的三维磁阻传感器的制造方法，其特征在于，在所述步骤S1023与所述步骤S103之间还包括如下步骤：

形成覆盖所述倒梯形沟槽的底部与侧壁以及所述半导体衬底的上表面的氧化硅层。

10.如权利要求1所述的三维磁阻传感器的制造方法，其特征在于，在所述步骤S103之后还包括如下步骤：

步骤S104：形成位于所述磁性材料元件之上的金属连接层；

步骤S105：形成覆盖所述金属连接层的第一层间介电层，在所述第一层间介电层内形成位于所述金属连接层上方的第一过孔，在所述第一过孔内形成金属互连件；

步骤S106：形成位于所述第一层间介电层之上的第二层间介电层，在所述第二层间介电层内形成位于所述金属互连件上方的第二过孔，形成通过所述第二过孔与所述金属互连件相连的焊盘。

11.如权利要求10所述的三维磁阻传感器的制造方法，其特征在于，在所述步骤S106中，所述第二层间介电层包括氧化硅层与位于所述氧化硅层上方的氮化硅层。

12.一种电子装置，其特征在于，包括电子组件以及与所述电子组件电连接的三维磁阻传感器，其中所述三维磁阻传感器的制造方法包括：

步骤S101：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成具有开口的硬掩膜层；

步骤S102：通过湿法刻蚀在所述半导体衬底内形成位于所述开口下方的倒梯形沟槽；

步骤S103：在所述倒梯形沟槽的底部与侧壁之上形成磁性材料元件。