CN114152187A - 磁性多圈传感器及制作方法 - Google Patents

磁性多圈传感器及制作方法 Download PDF

Info

Publication number
CN114152187A
CN114152187A CN202111047557.7A CN202111047557A CN114152187A CN 114152187 A CN114152187 A CN 114152187A CN 202111047557 A CN202111047557 A CN 202111047557A CN 114152187 A CN114152187 A CN 114152187A
Authority
CN
China
Prior art keywords
magnetoresistive
trench
bridge
substrate
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202111047557.7A
Other languages
English (en)
Inventor
P·米翰
S·奥布莱恩
J·施密特
M·W·朱迪
E·拉格
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Analog Devices International ULC
Original Assignee
Analog Devices International ULC
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Analog Devices International ULC filed Critical Analog Devices International ULC
Publication of CN114152187A publication Critical patent/CN114152187A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B7/00—Measuring arrangements characterised by the use of electric or magnetic techniques
    • G01B7/30—Measuring arrangements characterised by the use of electric or magnetic techniques for measuring angles or tapers; for testing the alignment of axes
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
    • G01R33/12—Measuring magnetic properties of articles or specimens of solids or fluids
    • G01R33/1292—Measuring domain wall position or domain wall motion
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01D—MEASURING NOT SPECIALLY ADAPTED FOR A SPECIFIC VARIABLE; ARRANGEMENTS FOR MEASURING TWO OR MORE VARIABLES NOT COVERED IN A SINGLE OTHER SUBCLASS; TARIFF METERING APPARATUS; MEASURING OR TESTING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01D5/00—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable
    • G01D5/12—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable using electric or magnetic means
    • G01D5/14—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable using electric or magnetic means influencing the magnitude of a current or voltage
    • G01D5/16—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable using electric or magnetic means influencing the magnitude of a current or voltage by varying resistance
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01D—MEASURING NOT SPECIALLY ADAPTED FOR A SPECIFIC VARIABLE; ARRANGEMENTS FOR MEASURING TWO OR MORE VARIABLES NOT COVERED IN A SINGLE OTHER SUBCLASS; TARIFF METERING APPARATUS; MEASURING OR TESTING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01D5/00—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable
    • G01D5/12—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable using electric or magnetic means
    • G01D5/14—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable using electric or magnetic means influencing the magnitude of a current or voltage
    • G01D5/142—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable using electric or magnetic means influencing the magnitude of a current or voltage using Hall-effect devices
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
    • G01R33/0052—Manufacturing aspects; Manufacturing of single devices, i.e. of semiconductor magnetic sensor chips
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
    • G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
    • G01R33/06—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using galvano-magnetic devices
    • G01R33/09—Magnetoresistive devices
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
    • G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
    • G01R33/06—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using galvano-magnetic devices
    • G01R33/09—Magnetoresistive devices
    • G01R33/091—Constructional adaptation of the sensor to specific applications
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
    • G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
    • G01R33/06—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using galvano-magnetic devices
    • G01R33/09—Magnetoresistive devices
    • G01R33/093—Magnetoresistive devices using multilayer structures, e.g. giant magnetoresistance sensors
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
    • G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
    • G01R33/06—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using galvano-magnetic devices
    • G01R33/09—Magnetoresistive devices
    • G01R33/098—Magnetoresistive devices comprising tunnel junctions, e.g. tunnel magnetoresistance sensors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
    • H01L23/5227—Inductive arrangements or effects of, or between, wiring layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
    • H01L23/64—Impedance arrangements
    • H01L23/645—Inductive arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N50/00—Galvanomagnetic devices
    • H10N50/01—Manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N50/00—Galvanomagnetic devices
    • H10N50/10—Magnetoresistive devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N50/00—Galvanomagnetic devices
    • H10N50/80—Constructional details
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N50/00—Galvanomagnetic devices
    • H10N50/80—Constructional details
    • H10N50/85—Magnetic active materials
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01D—MEASURING NOT SPECIALLY ADAPTED FOR A SPECIFIC VARIABLE; ARRANGEMENTS FOR MEASURING TWO OR MORE VARIABLES NOT COVERED IN A SINGLE OTHER SUBCLASS; TARIFF METERING APPARATUS; MEASURING OR TESTING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01D2205/00—Indexing scheme relating to details of means for transferring or converting the output of a sensing member
    • G01D2205/20—Detecting rotary movement
    • G01D2205/26—Details of encoders or position sensors specially adapted to detect rotation beyond a full turn of 360°, e.g. multi-rotation
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01D—MEASURING NOT SPECIALLY ADAPTED FOR A SPECIFIC VARIABLE; ARRANGEMENTS FOR MEASURING TWO OR MORE VARIABLES NOT COVERED IN A SINGLE OTHER SUBCLASS; TARIFF METERING APPARATUS; MEASURING OR TESTING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01D5/00—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable
    • G01D5/12—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable using electric or magnetic means
    • G01D5/14—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable using electric or magnetic means influencing the magnitude of a current or voltage
    • G01D5/142—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable using electric or magnetic means influencing the magnitude of a current or voltage using Hall-effect devices
    • G01D5/145—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable using electric or magnetic means influencing the magnitude of a current or voltage using Hall-effect devices influenced by the relative movement between the Hall device and magnetic fields
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/482—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of lead-in layers inseparably applied to the semiconductor body
    • H01L23/4821—Bridge structure with air gap

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Measuring Magnetic Variables (AREA)
  • Hall/Mr Elements (AREA)

Abstract

本公开涉及磁性多圈传感器及制作方法。本公开提供包括磁阻元件的连续线圈的磁性多圈传感器以及制造所述传感器的方法。连续线圈形成在诸如已制造的硅晶片上，以形成沟槽和桥布置，使内螺旋和外螺旋能够在不干扰其间螺旋绕组的磁阻元件的情况下连接。一旦用沟槽和桥布置制造基板，就可以沉积磁阻材料膜，以在基板表面上形成连续的线圈，其中线圈的一部分形成在沟槽中并且线圈的一部分形成在桥上。

Description

磁性多圈传感器及制作方法
技术领域
本申请要求2020年9月8日提交的美国临时申请第63/075453号的优先权，其内容通过引用整体并入本文。
本公开涉及磁性多圈传感器。特别地，本公开涉及一种闭环磁性多圈传感器及其制造方法。
背景技术
磁性多圈传感器通常用于需要监控设备转动次数的应用中。一个例子是车辆中的方向盘。磁性多圈传感器通常包括对施加的外部磁场敏感的磁阻元件。磁阻元件的电阻可以通过在传感器附近旋转磁场来改变。可以跟踪磁阻元件的电阻变化以确定磁场中的匝数，这可以转化为被监测设备中的匝数。
磁体多匝传感器通常包括多个磁阻元件，这些磁阻元件以螺旋或闭环结构布置为条带。闭环多圈传感器的一个优点是它们有效地提供了许多连接在一起的螺旋，从而能够计算出非常多的圈数。
发明内容
本公开提供包括磁阻元件的连续线圈的磁性多圈传感器以及制造所述传感器的方法。连续线圈形成在诸如已制造的硅晶片上，以形成沟槽和桥布置，使内螺旋和外螺旋能够在不干扰其间螺旋绕组的磁阻元件的情况下连接。一旦用沟槽和桥布置制造基板，就可以沉积磁阻材料膜，以在基板表面上形成连续的线圈，其中线圈的一部分形成在沟槽中并且线圈的一部分形成在桥上。
第一方面提供一种磁性多圈传感器，包括：串联连接并以连续螺旋结构排列的多个磁阻传感器元件，其上形成所述多个磁阻元件的基板，所述基板包括：沟槽，被配置为接收至少一个磁阻元件；和在所述沟槽上方形成的至少一个桥，该至少一个桥被配置为支撑至少一个磁阻元件。
所述沟槽可以被配置为接收多个磁阻元件，这些磁阻元件限定连续螺旋结构的一侧，并且其中所述基板包括一个桥，该桥被配置为接收一个磁阻元件，该磁阻元件连接所述连续螺旋结构的内环和外环
所述沟槽可以被配置为接收一个磁阻元件，该磁阻元件连接所述连续螺旋结构的内环和外环，并且其中所述基板包括在所述沟槽上方形成的至少一个桥，用于接收限定所述连续螺旋结构的一侧的多个磁阻元件。
所述基板可以包括在所述沟槽上方形成的多个桥，用于接收限定所述连续螺旋结构的一侧的多个磁阻元件，每个桥接收一个磁阻元件。
所述多个磁阻元件可以为以下之一：巨磁阻(GMR)元件或隧道磁阻(TMR)元件。
基板可以包括晶片层、形成在该晶片层上的中间层和形成在该中间层上的掩模层。
可以通过去除中间层的一部分和掩模层的一部分来形成沟槽。
可以通过在沟槽上保留一部分掩模层来形成桥。
晶片层可以包括以下之一：硅层、玻璃层或蓝宝石层。
中间层可以包括以下之一：氧化物层、氮化物层和氧氮化物层。
掩模层可以包括外延硅层。
掩模层可以包括用于选择性蚀刻的硬掩模层。
掩模层可以包括以下之一：氧化硅层、氧氮化硅层和氮化硅层。
另外方面提供一种闭环磁性多圈传感器的制作方法，该方法包括：形成包括晶片、中间层和掩模层的基板，蚀刻所述掩膜层和所述中间层的区域以在所述基板中形成沟槽，其中保留所述掩膜层的一个或多个部分以在所述沟槽上方形成至少一个桥，和在所述基板上沉积磁阻薄膜以形成连续螺旋状的磁阻元件，其中在所述沟槽中形成至少一个磁阻元件。
所述至少一个磁阻元件可以随后形成在所述至少一个桥上。
多个磁阻元件可以形成在所述沟槽中以限定螺旋的一侧，其中形成在所述至少一个桥上的至少一个磁阻元件连接所述螺旋的内环和外环。
可选择地，多个磁阻元件可以形成在至少一个桥上以限定螺旋的一侧，其中在所述沟槽中形成的至少一个磁阻元件连接所述螺旋的内环和外环。
刻蚀掩模层和中间层的区域还可包括在所述沟槽的每一端在掩模层和中间层中形成斜坡。
刻蚀掩模层和中间层的区域可包括光刻蚀刻。
沉积磁阻薄膜可包括使用倾斜和旋转沉积系统。
该方法还可包括蚀刻所述磁阻薄膜以形成磁阻元件。
离子束蚀刻或角度反应离子(RIE)蚀刻可用于在所述沟槽中形成所述至少一个磁阻元件。
在一些情况下，所述晶片层包括玻璃层或蓝宝石层，其中沉积磁阻薄膜可包括：沉积光刻胶材料层；沉积磁阻薄膜层；和从所述基板下方引导紫外光以剥离所述光刻胶材料和所述磁阻薄膜的一个或多个部分。
中间层可以包括以下之一：氧化物层、氮化物层和氧氮化物层。
掩模层可以包括外延硅层。
掩模层可以包括用于选择性蚀刻的硬掩模层。例如，硬掩模层可以包括以下之一：氧化硅层、氮氧化硅层和氮化硅层。
在这些情况下，应用选择性蚀刻剂来蚀刻所述硬掩模层的区域下方的中间层区域以形成至少一个桥。例如，选择性蚀刻剂可以包括以下之一：氢氧化钾(KOH)、乙二胺邻苯二酚(EDP)或四甲基氢氧化铵(TMAH)。
本文描述的其他布置提供一种磁性多圈传感器，包括：串联连接并以连续螺旋结构排列的多个磁阻传感器元件，其上形成所述多个磁阻元件的基板，所述基板包括：在磁阻元件的第一部分上形成的至少一个桥，该桥被配置为支撑至少一个磁阻元件。
桥可由磁阻元件的第一部分上方的磁性材料带形成，其中磁性材料可以是软铁磁材料。例如，磁性材料可以是包含镍、铁或钴中的一种的软磁材料，或者包含镍、铁或钴中的至少一种的合金。
磁阻元件的第一部分可以是限定连续螺旋的一侧的多个磁阻元件，其中桥被配置为接收连接螺旋的内环和外环的一个磁阻元件。
附图说明
现在将仅参考附图以示例的方式描述本公开，其中：
图1示出了根据本公开实施例的磁性多圈传感器；
图2进一步示出了根据本公开实施例的磁性多圈传感器；
图3进一步示出了根据本公开的又一实施例的磁性多圈传感器；
图4A-D是示意性侧视图，示出了根据本公开实施例的制造磁性多圈传感器的方法；
图5示出了根据本公开的又一实施例的磁性多圈传感器；
图6为本发明实施例的磁性多圈传感器的电连接示意图。
图7示出了根据本公开实施例的多匝传感器的磁阻传感元件的连接方法。
图8A-B图示了根据本公开的实施例的连接多匝传感器的磁阻感测元件的另一方法；
图9A-9B进一步示出了根据本公开实施例的制造磁性多圈传感器的方法；
图10A-10D图示了根据本公开的实施例的制造磁性多圈传感器的又一方法；
图11A-11D图示了根据本公开的实施例的制造磁性多圈传感器的另一方法；
图12图示了根据本公开的实施例的制造磁性多圈传感器的方法；
图13示出了根据本公开实施例的磁性多圈传感器的一部分；
图14示出了根据本公开的又一实施例的磁性多圈传感器的一部分；
图15A-15B进一步示出了根据本公开实施例的制造磁性多圈传感器的方法；
图16A-16B进一步示出了根据本公开实施例的制造磁性多圈传感器的方法；
图17A-17B进一步示出了根据本公开实施例的制造磁性多圈传感器的方法；
图18A-18B进一步图示了根据本公开的实施例的制造磁性多圈传感器的方法。
具体实施方式
磁性多圈传感器可用于监测旋转轴的圈数。为此，通常将磁铁安装到旋转轴的末端，当磁铁随轴旋转时，多圈传感器对磁场的旋转敏感。这种磁感测可以应用于各种不同的应用，例如汽车应用、医疗应用、工业控制应用、消费应用以及利用关于旋转部件的位置的信息的许多其他应用。
磁性多圈传感器通常包括巨磁阻(GMR)元件或隧道磁阻(TMR)元件，它们对以螺旋或闭环配置布置的施加的外部磁场敏感。当外部磁场旋转时，它会导致畴壁通过螺旋传播，这会在每个磁阻元件通过时改变其磁排列。磁阻元件的电阻随着磁性排列的变化而变化，电阻的变化被跟踪以确定磁场中的匝数。闭环传感器的主要优点之一是它有效地提供了许多连接在一起的螺旋，从而能够计算出非常多的匝数。然而，制造这种传感器存在许多挑战，因为磁阻薄膜很薄，因此很难连接内螺旋和外螺旋，因为穿过螺旋其余部分的连接线会破坏畴壁，导致非传播和损坏的轮数。
本公开提供包括磁阻元件的连续线圈的磁性多圈传感器以及制造所述传感器的方法，该方法使得内螺旋和外螺旋能够在不干扰其间的磁阻元件的情况下被连接。连续线圈形成在诸如硅晶片的基板上，该基板已经被制造以形成沟槽和桥布置，该布置在螺旋上方或下方提供屏蔽交叉。一旦用沟槽和桥布置制造基板，就可以沉积磁阻材料膜，以在基板表面上形成连续的线圈。在这样做时，提供了包括连续线圈的多匝传感器，其能够不使用或使用很少功率来测量大量匝数。磁畴位置的非易失性，即磁阻元件在畴壁通过螺旋传播时改变畴的模式，允许多圈传感器在没有任何电源的情况下计算外部磁场中的圈数。随着磁场旋转，每个磁阻元件的磁畴以特定模式变化，这提供了跨多匝传感器测量的相应电阻模式。因此，可以在需要读出时提供电源，其中在那个时刻测量的电阻对应于图案中的特定点，因此对应于特定的匝数。
图1和图2图示了根据本公开的实施例的多圈传感器1。传感器1包括基板10，例如硅基基板，具有表面11，在基板表面11的一个区域中形成沟槽12，例如通过蚀刻基板表面11，如在图2中更详细地说明。形成沟槽12使得基板表面11的一部分被保留以便在沟槽12上方形成桥14。然后可以在基板10上沉积磁阻材料膜，以形成以螺旋结构布置的磁阻轨道16，该螺旋结构具有多个彼此串联布置的段。因此，螺旋的每个臂提供磁阻感测元件，该感测元件可以响应于存在外部施加磁场的磁对准状态的变化而改变电阻。限定螺旋的一侧15的磁阻轨道16被布置为穿过沟槽12并在桥14下方。沟槽12的每一端可设有斜坡13A、13B以提供从沟槽12的底部到上基板表面11的平滑路径以允许磁阻轨道16进入和离开沟槽12。
为了形成桥14、沟槽12和引入和引出沟槽12的斜坡13A、13B，可以使用多阶段光刻蚀刻工艺来蚀刻基板10。例如，对沟槽12的主体进行第一次光刻曝光和蚀刻，对沟槽12的斜坡13A和13B进行第二次光刻曝光和蚀刻，以及对围绕沟槽12和桥14的平坦表面11进行第三次光刻曝光和蚀刻。
外螺旋绕组17绕过沟槽12的外侧并通过沉积在桥14上的连接磁阻轨道18连接到内螺旋绕组19。因此，该桥14和沟槽12的布置使得连接磁阻轨道18能够跨越螺旋的一侧15，而不会干扰该侧15上的磁阻轨道中的畴传播。优选地，连接磁阻轨道18是对多匝传感器的匝数有贡献的磁阻轨道，然而，应当理解，在其他布置中，连接部分可以包括一些其他软铁磁材料。
在替代布置中，如图3所示，传感器2具有形成在基板20中的窄沟槽22，以提供连接磁阻轨道28从内螺旋绕组到外螺旋绕组的交叉，在窄沟槽22上形成一个或多个桥24以支撑在螺旋一侧的磁阻轨道25。也就是说，螺旋的磁阻轨道25跨越连接磁阻轨道28。在图3的示例中，形成一个宽桥24，其支撑形成螺旋一侧的所有磁阻轨道25。在其他布置中，可以在窄沟槽22之上形成几个单独的桥，每个桥都支撑单个磁阻轨道25。如上所述，可以通过蚀刻基板20来形成沟槽22和桥24布置。
图4A-D图示了根据本公开的实施例的制造多圈传感器的方法中的第一阶段。如图4A中所示，通过首先在硅晶片200上生长或沉积中间层202，优选地为氧化物层来制造基板。然而，应当理解，晶片200可以由UV透明材料形成，例如玻璃或蓝宝石，在这种情况下，氧化物层202将沉积在其上。氧化物层202也可以是一层氮化物、氮氧化物或类似材料。然后在氧化物层202上沉积掩模层204，例如外延硅或类似材料。掩模层204的厚度将至少部分取决于桥24的厚度。
如图4B所示，然后在基板上形成光刻胶层206以蚀刻沟槽208，如图4C所示，去除氧化层202以将沟槽208加深到特定深度。如图4D所示，保留掩模层204的一部分以在沟槽208上方形成桥210。也可以使用分阶段光刻蚀刻来蚀刻沟槽208和桥210。例如，对沟槽208的主体进行第一次光刻曝光和蚀刻，对沟槽208的斜坡(即图1-3中的斜坡13A和13B)进行第二次光刻曝光和蚀刻，以及对围绕沟槽208的平坦表面(即图1-3的上表面11和桥14)进行第三次光刻曝光和蚀刻。
图9A-B进一步说明了形成沟槽的方法。如图9A所示，基板包括由米勒指数为(100)的硅或诸如玻璃或蓝宝石的UV透明材料形成的晶片900。在晶片200上形成氧化层902，然后是由外延硅等形成的掩模层904。如前所述，在基板上沉积抗蚀剂906，在抗蚀剂上形成图案908以暴露将成为沟槽并限定桥的部分。然后蚀刻掩模层904和氧化物层902以形成沟槽910和桥912，如图9B所示。虽然示出了具有宽沟槽910的单个窄桥912，但是当然可以理解，可以通过在抗蚀剂上使用适当的图案来形成任何合适数量和尺寸的桥和沟槽。
在诸如玻璃或蓝宝石之类的UV透明材料用于基板的情况下，可以使用剥离工艺来形成位于沟槽中和桥上的磁阻轨道，如图10A-10D所示。在暴露的沟槽部分内，可以将光刻胶材料1002喷涂到透明基板1000上，如图10A所示。然后将一层磁阻材料1004沉积到基板1000和光刻胶材料1002上，如图10B所示。然后执行剥离工艺和抗蚀剂去除，如图10C和10D所示，由此，来自基板1000下方和上方的紫外光用于去除光刻胶材料1002并剥离部分磁阻材料1004，而剩余的磁阻材料1004形成多匝传感器的轨道。
形成桥和沟槽排列的另一种方法是使用体微加工方法，其中通过硬掩模层和选择性蚀刻形成桥。在这种情况下，基板(即硅晶片200和氧化层202)设置有硬掩模层，例如氧化硅层、氧氮化硅或氮化硅，对用于形成沟槽的蚀刻剂(例如，氢氧化钾(KOH)、乙二胺邻苯二酚(EDP)或氢氧化四甲基铵(TMAH)等)呈惰性。使用攻击氧化层202而不是掩模层的选择性蚀刻剂使得能够在桥下方形成沟槽。
在此过程中，需要特别注意桥的取向相对于基板的晶体取向。由于{111}面充当自然蚀刻停止层，因此桥需要相对于{110面}倾斜。然后还可以使用“n”各向同性蚀刻来平滑侧壁轮廓并使沟槽底部变平。另一种选择是倾斜桥下方的基板，以便以相对于{110}面的角度定向沟槽，使得{111}面具有朝向沟槽开口的不同取向。
图11A-11D说明了这种体微加工方法的一个例子。如图11A所示，提供晶片1100和氧化物层1102。晶片1100由米勒指数为(110)的硅形成，长边的边缘与<112>方向对齐，短边的边缘与<111>方向对齐。在这方面，<112>方向与<110>面的夹角为54.74°，这将在长边上形成垂直边缘，在短边上形成35.3°的斜面。
如图11B所示，在氧化物层1102上形成由氧化物或氮化物(例如上述那些)形成的掩蔽层1104。然后使用蚀刻剂(例如KOH蚀刻剂)蚀刻沟槽1106和桥1108，沟槽1106的深度取决于蚀刻剂中的时间，如图11C所示。在一些情况下，由于蚀刻剂在桥1108下方留下小面，桥1108可能需要以一定角度形成，如图11D所示。通过倾斜掩模层1104，这使得底切能够形成桥1108，桥1108的晶片1100部分具有例如以35度角的倾斜壁。这也提供了更容易接近桥1108正下方的区域，从而更容易在沟槽1106内均匀沉积磁阻材料。类似地，也可以倾斜沟槽1106区域中的掩模层1104以形成倾斜壁沟槽1106的角度，其同样可以成35度角。然而应当理解，沟槽1106和桥1108的倾斜壁可以成任何合适的角度。
沟槽208和桥210的宽度将至少部分取决于将沿沟槽形成多少磁阻轨道。在沟槽208接收螺旋的一侧的情况下，如图1至3所示，那么沟槽208的宽度将至少部分取决于螺旋具有多少匝以及每组轨道之间的间距，而桥210可以足够宽以支撑连接内螺旋绕组和外螺旋绕组的轨道。在沟槽208被布置成接收连接内螺旋绕组和外螺旋绕组的轨道的情况下，那么沟槽208可以足够宽以接收一个轨道。在这种情况下，如图14所示，可以在沟槽1402上方形成一个桥1404，该桥1404足够宽以接收螺旋的那一侧上的所有轨道1408，而沟槽1402足够宽以接收连接轨道1406。或者，如图13所示，可以形成多个桥1304以单独接收每个轨道1308。
在任一情况下，桥210应尽可能窄以限制阴影量，而沟槽208优选地尽可能宽以减少阴影效应。例如，对于宽度为350nm的磁阻轨道，可以提供大约3μm的桥210和大约29μm的沟槽。同样，如果有多条轨道彼此并排运行，要么沿着沟渠，要么穿过一座或多座桥梁，轨道应间隔适当的距离，以免相互干扰。
还应选择沟槽208的深度以最小化阴影量，同时使磁阻轨道能够容易地进入和离开沟槽208。
应当理解，可以使用其他合适的制造方法来蚀刻沟槽和桥布置。例如，可以使用“鸟嘴”作为制造工艺来形成沟槽任一端的斜坡。类似地，微透镜可与光刻曝光一起使用以蚀刻出桥下方的沟槽。
一旦基板形成有沟槽和桥布置，磁阻材料膜可以沉积在基板上并被蚀刻以形成图1-3中所示的磁阻轨道16。
磁阻轨道的厚度影响外部施加磁场中的操作行为，例如，磁场强度窗口，其中电阻器改变磁对准。因此，重要的是均匀沉积磁阻薄膜以提供均匀厚度的轨道，从而确保圈数不会出现错误。为了在桥下以均匀的层沉积膜，可以使用成角度的物理气相沉积，其中溅射系统倾斜一定角度并且基板旋转。图12示出了包括晶片1200和其中已经形成桥1204和沟槽1206的氧化层1202的基板的横截面。薄膜1208已经沉积到桥1204上并沉积到沟槽1206中，从而形成厚度均匀的轨道。这是通过根据目标区域以不同角度倾斜溅射系统来完成的。例如，可以使用相对于晶片1200的90°将膜1208沉积到桥1204上，然后使用最小的角度将膜1208直接沉积在桥1204下方的1210表示的区域中。对所有区域使用相同的角度将意味着在沟槽1206的斜坡部分上有更薄的膜，在区域12010中可能存在钉扎点或不连续性。因此可以选择倾斜角度以确保膜均匀地沉积在桥下方，而不会由桥和沟槽壁造成任何阴影。
在一些布置中，可以对磁阻薄膜的自由层执行倾斜沉积。在一些布置中，可以仅对磁阻薄膜的自由层执行倾斜沉积，即，铁磁材料具有自由改变方向的磁化从而提供随着外部磁场旋转而改变的电阻。因此，由于测量的是磁阻叠层这部分的磁化强度，因此薄膜的这部分均匀以确保读数一致是很重要的。
一旦膜被均匀地沉积，例如使用离子束蚀刻或反应离子蚀刻蚀刻膜以形成轨道。对于桥下的部分，可以以一定角度进行反应离子蚀刻，以再次以均匀方式蚀刻膜。当然可以理解，可以使用任何合适的角度，这取决于沟槽的深度和桥的厚度。同样，还应当理解，也可以使用蚀刻轨迹的其他方法。
在某些情况下，一旦磁阻薄膜已经沉积在沟槽中并被蚀刻以提供传感器螺旋的磁阻轨道，则可以用聚酰亚胺材料填充沟槽以帮助在任何后续处理步骤期间为结构提供机械坚固性。
图15A-B到18A-B进一步说明了形成磁阻轨道的方法，在桥1504被配置为接收螺旋一侧的磁阻轨道1508的情况下，而沟槽1502被配置为接收连接内螺旋绕组和外螺旋绕组的单个轨道1506。
该方法的第一阶段如图15A和15B所示。此处，图15B示出了图15A的横截面图，沿垂直于轴A的沟槽1502的长度向下看。首先，将磁阻材料毯式沉积在基板1500之上，使得磁阻材料沉积在桥1504上并沿着沟槽1502。然后使用光刻图案来蚀刻沿着桥1504的多个轨道1508和沿着沟槽1502的单个轨道1506。沟槽1502被形成为与磁阻轨道1506的目标宽度相同的宽度，因此在光刻蚀刻期间不需要限定轨道1506的宽度。然而，磁阻材料1510的区域可以留在沟槽1502的侧壁上。
为了解决这个问题，加宽了桥1504区域中的沟槽1502的宽度，如图16A和16B所示。再次，图16B示出了从沟槽1502的长度向下看的图16A的截面图。然后可以使用一些合适的方法去除磁阻材料1510的重叠区域，例如使用Eco-Snow清洁技术或离子束蚀刻，从而提供沿沟槽长度延伸的单个磁阻轨道1506，如图17A-17B和18A-18B所示。
图5提供了本公开的替代实施例，其中没有在基板中形成沟槽，但是，在螺旋的磁阻轨道58上形成桥52，例如坡莫合金带或使用本文所述的任何方法形成的桥，以连接内部和外部螺旋绕组54、56。在这样的布置中，桥52可以由软磁材料形成，并且优选地由软铁磁材料形成，包括镍、铁或钴中的一种，或包含镍、铁或钴中至少一种的合金。
图6至8B示出了可以连接磁阻轨道的方法。图6示出磁性多圈传感器4，类似于参照图1-3描述的那些，包括布置成螺旋状的多个磁阻轨道。内磁阻轨道(对应于电阻器R15)经由连接磁阻轨道(对应于电阻器R16)连接到外磁阻轨道(对应于电阻器R1)，该连接磁阻轨道(对应于电阻器R16)通过沟槽和桥布置40穿过螺旋，如上所述。螺旋包括多个沿着螺旋的金属触点42，其可以通过金属材料的沉积来提供，以限定多个磁阻感测元件R1-R16，这些磁阻感测元件可以连接到电源以测量其电阻。
例如，如图7所示，磁阻元件R1-R6可以以惠斯通电桥布置连接。或者，如图8A和8B所示，磁阻元件R1-R6可以以矩阵排列连接，其中用80表示的线表示螺旋本身的路径，如在德国公开号DE102017104551A1和美国公开号2017/261345中更详细地描述的，其内容通过引用整体并入本文。
应用
此处讨论的任何原理和优点都可以应用于其他系统，而不仅仅是上述系统。一些实施例可以包括这里阐述的特征和/或优点的子集。可以组合上述各种实施例的要素和操作以提供进一步的实施例。此处讨论的方法的动作可以适当地以任何顺序执行。此外，本文讨论的方法的动作可以适当地串行或并行执行。虽然电路以特定布置来说明，但其他等效布置也是可能的。
在此讨论的任何原理和优点可以结合可以从在此任何教导中受益的任何其他系统、设备或方法来实现。例如，这里讨论的任何原理和优点可以结合需要校正从旋转磁场导出的旋转角位置数据的任何设备来实现。此外，这些设备可以包括任何能够感测磁场的磁阻或霍尔效应设备。
本公开的方面可以在各种电子设备或系统中实现。例如，根据本文讨论的任何原理和优点实施的相位校正方法和传感器可以包括在各种电子设备和/或各种应用中。电子设备和应用的示例可以包括但不限于伺服系统、机器人、飞机、潜艇、牙刷、生物医学传感设备以及消费电子产品的一部分，例如半导体芯片和/或封装模块、电子测试设备等。此外，电子设备可以包括未完成的产品，包括用于工业、汽车和/或医疗应用的那些。
除非上下文另有明确要求，在整个说明书和权利要求书中，词语“包括”、“包含”、“含有”、“具有”等应被解释为具有包容性，与排他性或详尽无遗的意思相反；也就是说，在“包括但不限于”的意义上。如本文中一般使用的，词语“耦合”或“连接”是指可以直接连接或通过一个或多个中间元件连接的两个或更多个元件。因此，尽管图中所示的各种示意图描绘了元件和组件的示例布置，但在实际实施例中可能存在额外的中间元件、装置、特征或组件(假设所描绘的电路的功能性没有受到不利影响)。如本文所用，词语“基于”通常旨在涵盖“仅基于”和“至少部分基于”。此外，在本申请中使用的“在此”、“以上”、“以下”和类似含义的词语应指本申请的整体，而不是指本申请的任何特定部分。在上下文允许的情况下，具体实施方式中使用单数或复数的词语也可以分别包括复数或单数。提及两个或多个项目的列表时，“或”一词旨在涵盖对该词的以下所有解释：列表中的任何项目、列表中的所有项目以及列表中的项目的任何组合。本文提供的所有数值或距离旨在包括测量误差内的相似值。
尽管已经描述了某些实施例，但是这些实施例仅通过示例的方式呈现，并且不旨在限制本公开的范围。实际上，这里描述的新颖的装置、系统和方法可以以多种其他形式体现。此外，在不脱离本公开的精神的情况下，可以对这里描述的方法和系统的形式进行各种省略、替换和改变。

Claims (20)

1.一种磁性多圈传感器，包括：
串联连接并以连续螺旋结构排列的多个磁阻传感器元件；
其上形成所述多个磁阻元件的基板，所述基板包括：
沟槽，被配置为接收至少一个磁阻元件；和
在所述沟槽上方形成的至少一个桥，该至少一个桥被配置为支撑至少一个磁阻元件。
2.根据权利要求1所述的磁性多圈传感器，其中所述沟槽被配置为接收多个磁阻元件，这些磁阻元件限定连续螺旋结构的一侧，并且其中所述基板包括一个桥，该桥被配置为接收一个磁阻元件，该磁阻元件连接所述连续螺旋结构的内环和外环。
3.根据权利要求1所述的磁性多圈传感器，其中所述沟槽被配置为接收一个磁阻元件，该磁阻元件连接所述连续螺旋结构的内环和外环，并且其中所述基板包括在所述沟槽上方形成的至少一个桥，用于接收限定所述连续螺旋结构的一侧的多个磁阻元件。
4.根据权利要求1所述的磁性多圈传感器，其中所述基板包括在所述沟槽上方形成的多个桥，用于接收限定所述连续螺旋结构的一侧的多个磁阻元件，每个桥接收一个磁阻元件。
5.任一前述权利要求所述的磁性多圈传感器，其中所述多个磁阻元件为以下之一：巨磁阻(GMR)元件或隧道磁阻(TMR)元件。
6.一种闭环磁性多圈传感器的制作方法，该方法包括：
形成包括晶片、中间层和掩模层的基板；
蚀刻所述掩膜层和所述中间层的区域以在所述基板中形成沟槽，其中保留所述掩膜层的一个或多个部分以在所述沟槽上方形成至少一个桥；和
在所述基板上沉积磁阻薄膜以形成连续螺旋状的磁阻元件，其中在所述沟槽中形成至少一个磁阻元件。
7.根据权利要求6所述的方法，其中所述至少一个磁阻元件随后形成在所述至少一个桥上。
8.根据权利要求6或7所述的方法，其中多个磁阻元件形成在所述沟槽中以限定螺旋的一侧，并且其中形成在所述至少一个桥上的至少一个磁阻元件连接所述螺旋的内环和外环。
9.根据权利要求6或7所述的方法，其中多个磁阻元件形成在至少一个桥上以限定螺旋的一侧，并且其中在所述沟槽中形成的至少一个磁阻元件连接所述螺旋的内环和外环。
10.根据权利要求6或7所述的方法，其中刻蚀掩模层和中间层的区域还包括在所述沟槽的每一端在掩模层和中间层中形成斜坡。
11.根据权利要求6或7所述的方法，其中刻蚀掩模层和中间层的区域包括光刻蚀刻。
12.根据权利要求6或7所述的方法，其中沉积磁阻薄膜包括使用倾斜和旋转沉积系统。
13.根据权利要求6或7所述的方法，其中该方法还包括蚀刻所述磁阻薄膜以形成磁阻元件。
14.根据权利要求13所述的方法，其中离子束蚀刻或角度反应离子(RIE)蚀刻用于在所述沟槽中形成所述至少一个磁阻元件。
15.根据权利要求6或7所述的方法，其中所述晶片包括玻璃层或蓝宝石层，并且其中沉积磁阻薄膜包括：
沉积光刻胶材料层；
沉积磁阻薄膜层；和
从所述基板下方引导紫外光以剥离所述光刻胶材料和所述磁阻薄膜的一个或多个部分。
16.根据权利要求6或7所述的方法，其中所述中间层包括以下之一：氧化物层、氮化物层和氧氮化物层。
17.根据权利要求6或7所述的方法，其中所述掩模层包括外延硅层。
18.根据权利要求6或7所述的方法，其中所述掩模层包括用于选择性蚀刻的硬掩模层。
19.根据权利要求18所述的方法，其中应用选择性蚀刻剂来蚀刻所述硬掩模层的区域下方的中间层区域。
20.根据权利要求19所述的方法，其中所述选择性蚀刻剂包括以下之一：氢氧化钾(KOH)、乙二胺邻苯二酚(EDP)或氢氧化四甲基铵(TMAH)。
CN202111047557.7A 2020-09-08 2021-09-08 磁性多圈传感器及制作方法 Pending CN114152187A (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US202063075453P 2020-09-08 2020-09-08
US63/075,453 2020-09-08
US17/412,046 2021-08-25
US17/412,046 US11953567B2 (en) 2020-09-08 2021-08-25 Magnetic multi-turn sensor and method of manufacture

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN114152187A true CN114152187A (zh) 2022-03-08

Family

ID=77640580

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202111047557.7A Pending CN114152187A (zh) 2020-09-08 2021-09-08 磁性多圈传感器及制作方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US11953567B2 (zh)
EP (1) EP3964850A1 (zh)
JP (1) JP2022045354A (zh)
KR (1) KR20220033023A (zh)
CN (1) CN114152187A (zh)

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6163040A (ja) * 1984-09-04 1986-04-01 Toshiba Corp 半導体装置
CN1272689A (zh) * 1999-04-30 2000-11-08 国际商业机器公司 绝缘体基外延硅工艺中双重深度氧化层的结构和方法
US20030067052A1 (en) * 1999-06-30 2003-04-10 Kabushiki Kaisha Toshiba Integrated circuit device and method of manufacturing the same
US20050174876A1 (en) * 2002-05-13 2005-08-11 Nec Corporation Semiconductor storage device and production method therefor
DE102010022611A1 (de) * 2010-06-01 2011-12-01 Institut Für Photonische Technologien E.V. Magnetischer Umdrehungszähler
US20150349243A1 (en) * 2014-06-03 2015-12-03 Semiconductor Manufacturing International (Shanghai) Corporation Magnetoresistive sensor, related manufacturing method, and related electronic device
CN105140389A (zh) * 2015-08-11 2015-12-09 上海华虹宏力半导体制造有限公司 一种三轴磁传感器的制造方法
CN108369108A (zh) * 2015-12-11 2018-08-03 莱布尼茨光电技术研究所 用于在确定能够借助该转数计求取的转数的情况下自识别错误状态的磁转数计
CN110942999A (zh) * 2018-09-21 2020-03-31 台湾积体电路制造股份有限公司 集成电路封装件和形成封装件的方法

Family Cites Families (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61133645A (ja) 1984-12-04 1986-06-20 Toshiba Corp 半導体装置およびその製造方法
DE4117878C2 (de) 1990-05-31 1996-09-26 Toshiba Kawasaki Kk Planares magnetisches Element
JP3141562B2 (ja) 1992-05-27 2001-03-05 富士電機株式会社 薄膜トランス装置
ATE269588T1 (de) 1993-02-04 2004-07-15 Cornell Res Foundation Inc Mikrostrukturen und einzelmask, einkristall- herstellungsverfahren
US5610433A (en) 1995-03-13 1997-03-11 National Semiconductor Corporation Multi-turn, multi-level IC inductor with crossovers
JPH09229945A (ja) 1996-02-23 1997-09-05 Canon Inc マイクロ構造体を支持するエアブリッジ型構造体の製造方法とその雌型基板、並びに、エアブリッジ型構造体とそれを用いたマイクロ構造体およびトンネル電流または微小力検出用のプローブ
US5793272A (en) 1996-08-23 1998-08-11 International Business Machines Corporation Integrated circuit toroidal inductor
US6445271B1 (en) 1999-05-28 2002-09-03 Honeywell International Inc. Three-dimensional micro-coils in planar substrates
US6804879B2 (en) 2002-10-23 2004-10-19 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands, B.V. Method of fabricating a magnetic transducer with a write head having a multi-layer coil
US7229746B2 (en) 2003-04-02 2007-06-12 Delphi Technologies, Inc. Printed high strength permanent magnet targets for magnetic sensors
US20050093667A1 (en) 2003-11-03 2005-05-05 Arnd Kilian Three-dimensional inductive micro components
US7126330B2 (en) 2004-06-03 2006-10-24 Honeywell International, Inc. Integrated three-dimensional magnetic sensing device and method to fabricate an integrated three-dimensional magnetic sensing device
US7791440B2 (en) 2004-06-09 2010-09-07 Agency For Science, Technology And Research Microfabricated system for magnetic field generation and focusing
EP1882127A2 (en) 2005-05-18 2008-01-30 Kolo Technologies, Inc. Micro-electro-mechanical transducers
JP5152495B2 (ja) 2008-03-18 2013-02-27 株式会社リコー 磁気センサーおよび携帯情報端末装置
WO2010001987A1 (ja) 2008-07-04 2010-01-07 株式会社村田製作所 無線ｉｃデバイス
JP5045617B2 (ja) 2008-09-02 2012-10-10 ヤマハ株式会社 磁気センサ
JP2010210348A (ja) 2009-03-09 2010-09-24 Fujikura Ltd 磁気センサ素子の検査方法および磁気センサウエハ
IT1395964B1 (it) 2009-06-30 2012-11-02 St Microelectronics Rousset Sensore magnetoresistivo e suo procedimento di fabbricazione
JP5705857B2 (ja) 2009-09-16 2015-04-22 マラディン テクノロジーズ リミテッドＭａｒａｄｉｎ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ Ｌｔｄ． 微小コイル装置およびその製作方法
CN101644748B (zh) 2009-09-23 2011-08-31 上海交通大学 曲折多匝结构巨磁阻抗效应传感器
US8366009B2 (en) 2010-08-12 2013-02-05 Féinics Amatech Teoranta Coupling in and to RFID smart cards
US8310328B2 (en) 2010-10-07 2012-11-13 Touch Micro-System Technology Corp. Planar coil and method of making the same
US8470612B2 (en) 2010-10-07 2013-06-25 Infineon Technologies Ag Integrated circuits with magnetic core inductors and methods of fabrications thereof
US8723343B2 (en) 2011-03-14 2014-05-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Sensor with energy-harvesting device
WO2013153986A1 (ja) * 2012-04-09 2013-10-17 三菱電機株式会社 磁気センサ装置
US20130328165A1 (en) 2012-06-08 2013-12-12 The Trustees Of Dartmouth College Microfabricated magnetic devices and associated methods
JP6265346B2 (ja) 2013-05-10 2018-01-24 国立大学法人静岡大学 距離計測装置
ITTO20130436A1 (it) 2013-05-29 2014-11-30 St Microelectronics Srl Magnetoresistore integrato di tipo amr a basso consumo
US9859052B2 (en) 2013-11-25 2018-01-02 A.K. Stamping Co., Inc. Wireless charging coil
US9159778B2 (en) 2014-03-07 2015-10-13 International Business Machines Corporation Silicon process compatible trench magnetic device
CN103954920B (zh) 2014-04-17 2016-09-14 江苏多维科技有限公司 一种单芯片三轴线性磁传感器及其制备方法
US10782153B2 (en) 2016-03-08 2020-09-22 Analog Devices Global Multiturn sensor arrangement and readout
WO2017199787A1 (ja) 2016-05-19 2017-11-23 株式会社村田製作所 磁気センサ
US9941278B2 (en) 2016-07-06 2018-04-10 Globalfoundries Inc. Method and apparatus for placing a gate contact inside an active region of a semiconductor
JP2018046257A (ja) 2016-09-16 2018-03-22 ローム株式会社 チップインダクタおよびチップインダクタの製造方法
US11428755B2 (en) 2017-05-26 2022-08-30 Allegro Microsystems, Llc Coil actuated sensor with sensitivity detection
EP3801207A1 (en) 2018-06-06 2021-04-14 Masimo Corporation Opioid overdose monitoring

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6163040A (ja) * 1984-09-04 1986-04-01 Toshiba Corp 半導体装置
CN1272689A (zh) * 1999-04-30 2000-11-08 国际商业机器公司 绝缘体基外延硅工艺中双重深度氧化层的结构和方法
US20030067052A1 (en) * 1999-06-30 2003-04-10 Kabushiki Kaisha Toshiba Integrated circuit device and method of manufacturing the same
US20050174876A1 (en) * 2002-05-13 2005-08-11 Nec Corporation Semiconductor storage device and production method therefor
DE102010022611A1 (de) * 2010-06-01 2011-12-01 Institut Für Photonische Technologien E.V. Magnetischer Umdrehungszähler
US20150349243A1 (en) * 2014-06-03 2015-12-03 Semiconductor Manufacturing International (Shanghai) Corporation Magnetoresistive sensor, related manufacturing method, and related electronic device
CN105336847A (zh) * 2014-06-03 2016-02-17 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种三维磁阻传感器的制造方法和电子装置
CN105140389A (zh) * 2015-08-11 2015-12-09 上海华虹宏力半导体制造有限公司 一种三轴磁传感器的制造方法
CN108369108A (zh) * 2015-12-11 2018-08-03 莱布尼茨光电技术研究所 用于在确定能够借助该转数计求取的转数的情况下自识别错误状态的磁转数计
US20180356252A1 (en) * 2015-12-11 2018-12-13 Leibniz-lnstitut Fuer Photonische Technologien e.V. Magnetic revolution counter for self-detecting error states when determining numbers of revolutions which can be determined by said revolution counter
CN110942999A (zh) * 2018-09-21 2020-03-31 台湾积体电路制造股份有限公司 集成电路封装件和形成封装件的方法

Also Published As

Publication number Publication date
US11953567B2 (en) 2024-04-09
US20220075010A1 (en) 2022-03-10
EP3964850A1 (en) 2022-03-09
JP2022045354A (ja) 2022-03-18
KR20220033023A (ko) 2022-03-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8104166B1 (en) Self-aligned method for fabricating a high density GMR read element
US7561384B2 (en) Magneto-resistive sensor having small track width and sensor height using stopper layer
US20150061658A1 (en) Xmr angle sensors
JPH08212517A (ja) バイアスされた巨大磁気抵抗（ｇｍｒ）要素を有する小型の読出／書込磁気ヘッド、その製造方法、及びそれによるフラックス遷移検出方法
US6411478B1 (en) Spin tunnel junction recording heads using an edge junction structure with CIP
KR20080082452A (ko) 단차형 플레어 구조를 지닌 수직 기입 헤드 및 그 제조방법
US7190559B2 (en) Thin-film magnetic head having the length of the pinned and antiferromagnetic layers greater than the width dimension thereof and/or the length of the free layer
KR20120022910A (ko) 플럭스 게이트 센서 및 이것을 사용한 전자 방위계
JP3341237B2 (ja) 磁気センサ素子
JP2002163809A (ja) 磁気抵抗効果素子の製造方法と磁気抵抗効果型磁気ヘッドの製造方法
JP4798498B2 (ja) 磁気センサーおよび磁気エンコーダー
JP5348080B2 (ja) 磁気センサおよびその製造方法
US20050231856A1 (en) Xenon ion beam to improve track width definition
US7057260B2 (en) Method of making thin-film magnetic head
US7130162B2 (en) Magnetic sensor and method of manufacturing the same
CN114152187A (zh) 磁性多圈传感器及制作方法
JP2000180524A (ja) 磁界センサ
US7062838B2 (en) Method of forming an embedded read element
US7123456B2 (en) Method of making magnetoresistive head element
US7469466B2 (en) Method for providing a temporary, deep shunt on wafer structures for electrostatic discharge protection during processing
EP1725884B1 (en) Improved permalloy sensor
JP2001202605A (ja) 磁気抵抗効果素子の製造方法
JP4896800B2 (ja) 磁気センサおよびその製造方法
JP2011089998A (ja) ブリッジ回路およびその製造方法、相対位置信号検出方法
EP0889460B1 (en) An electromagnetic head with magnetoresistive means connected to a magnetic core

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination