CN105336824B - 一种图形化衬底的制备方法及图形化衬底 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种图形化衬底的制备方法及图形化衬底，属于半导体技术领域。所述制备方法包括：对蓝宝石衬底进行光刻，在蓝宝石衬底上形成圆台状凸块的阵列；对形成有圆台状凸块的阵列的蓝宝石衬底进行光刻，在圆台状凸块上、以及圆台状凸块之间形成圆锥状凸块的阵列，圆锥状凸块的底面积＜圆台状凸块的底面积，圆锥状凸块的高度＜圆台状凸块的高度。本发明在圆台状凸块上、以及圆台状凸块之间形成圆锥状凸块的阵列，在大尺寸PSS上叠加小尺寸PSS，一方面大尺寸PSS中各圆台状凸块的间距较大，各圆台状凸块之间能生长外延片，提高了外延片的质量；另一方面小尺寸的PSS中各圆锥状凸块的间距较小，有利于光的多次反射，提高了光提取效率。
Description
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种图形化衬底的制备方法及图形化衬底。
背景技术
图形化蓝宝石衬底(Patterned Sapphire Substrate，简称PSS)是表面刻蚀有图形的蓝宝石衬底。在PSS上生长的GaN材料从纵向外延变为横向外延，一方面有效减少GaN外延材料的位错密度，减小反向漏电流，提高发光二极管(Light Emitting Diode，简称LED)的寿命；另一方面有源区发出的光经GaN和蓝宝石衬底界面多次散射，改变了全反射光的出射角，提高光提取效率，因此制备出合格的PSS很重要。
现有PSS的制备方法包括：在蓝宝石衬底表面涂覆光刻胶，并对光刻胶进行曝光和显影，得到圆柱状光刻胶阵列；对圆柱状光刻胶阵列和蓝宝石衬底进行刻蚀，以在蓝宝石衬底表面形成一层圆锥状凸块阵列，即PSS。
在实现本发明的过程中，发明人发现现有技术至少存在以下问题：
若圆锥状凸块间距较小，则不利于外延片在圆锥状凸块之间的生长，生长的外延片质量较差；若圆锥状凸块间距较大，则不利于光的出射，影响光提取效率。
发明内容
为了解决现有技术不利于光的出射，影响光提取效率的问题，本发明实施例提供了一种图形化衬底的制备方法及图形化衬底。所述技术方案如下：
本发明实施例提供了一种图形化衬底的制备方法，所述制备方法包括：
对蓝宝石衬底进行光刻，在所述蓝宝石衬底上形成圆台状凸块的阵列；
对形成有所述圆台状凸块的阵列的所述蓝宝石衬底进行光刻，在所述圆台状凸块上、以及所述圆台状凸块之间形成圆锥状凸块的阵列，所述圆锥状凸块的底面积＜所述圆台状凸块的底面积，所述圆锥状凸块的高度＜所述圆台状凸块的高度；
所述对蓝宝石衬底进行光刻，在所述蓝宝石衬底上形成圆台状凸块的阵列，包括：
在所述蓝宝石衬底上涂覆一层光刻胶；
透过第一掩膜版对所述光刻胶进行曝光，并对曝光后的所述光刻胶进行显影，得到第一圆柱状光刻胶的阵列；
对所述第一圆柱状光刻胶的阵列和所述蓝宝石衬底进行刻蚀，在所述蓝宝石衬底上形成圆台状凸块的阵列。
可选地，所述对所述第一圆柱状光刻胶的阵列和所述蓝宝石衬底进行刻蚀，在所述蓝宝石衬底上形成圆台状凸块的阵列，包括：
在第一设定值的电极功率下，对所述第一圆柱状光刻胶的阵列进行第一设定时长的刻蚀，形成圆台状光刻胶的阵列；
在第二设定值的电极功率下，对所述圆台状光刻胶的阵列和所述蓝宝石衬底进行第一设定时长的刻蚀，在所述蓝宝石衬底上形成所述圆台状凸块的阵列的轮廓；
在第三设定值的电极功率下，对所述蓝宝石衬底进行第一设定时长的刻蚀，在所述蓝宝石衬底上形成所述圆台状凸块的阵列；
其中，所述第一设定值＞所述第二设定值＞所述第三设定值。
优选地，所述制备方法还包括：
在第四设定值的电极功率下，对形成的所述圆台状凸块的阵列进行第二设定时长的刻蚀，所述第四设定值＞所述第一设定值，所述第二设定时长＜所述第一设定时长。
在本发明另一种可能的实现方式中，所述对形成有所述圆台状凸块的阵列的所述蓝宝石衬底进行光刻，在所述圆台状凸块上、以及所述圆台状凸块之间形成圆锥状凸块的阵列，包括：
在所述圆台状凸块上、以及所述圆台状凸块之间的所述蓝宝石衬底上涂覆一层光刻胶；
透过第二掩膜版对所述光刻胶进行曝光，并对曝光后的所述光刻胶进行显影，得到第二圆柱状光刻胶的阵列；
对所述第二圆柱状光刻胶的阵列和所述蓝宝石衬底进行刻蚀，在所述圆台状凸块上、以及所述圆台状凸块之间形成圆锥状凸块的阵列。
可选地，所述对所述第二圆柱状光刻胶的阵列和所述蓝宝石衬底进行刻蚀，在所述圆台状凸块上、以及所述圆台状凸块之间形成圆锥状凸块的阵列，包括：
在第五设定值的电极功率下，对所述第二圆柱状光刻胶的阵列进行第三设定时长的刻蚀，形成圆锥状光刻胶的阵列；
在第六设定值的电极功率下，对所述圆锥状光刻胶的阵列和所述蓝宝石衬底进行第三设定时长的刻蚀，在所述蓝宝石衬底上形成所述圆锥状凸块的阵列的轮廓；
在第七设定值的电极功率下，对所述蓝宝石衬底进行第三设定时长的刻蚀，在所述蓝宝石衬底上形成所述圆锥状凸块的阵列；
其中，所述第五设定值＞所述第六设定值＞所述第七设定值。
优选地，所述制备方法还包括：
在第八设定值的电极功率下，对形成的所述圆台状凸块的阵列进行第四设定时长的刻蚀，所述第八设定值＞所述第五设定值，所述第四设定时长＜所述第三设定时长。
本发明实施例提供的技术方案带来的有益效果是：
通过先对蓝宝石衬底进行光刻，在蓝宝石衬底上形成圆台状凸块的阵列，再对蓝宝石衬底进行光刻，在圆台状凸块上、以及圆台状凸块之间形成圆锥状凸块的阵列，圆锥状凸块的底面积＜圆台状凸块的底面积，圆锥状凸块的高度＜圆台状凸块的高度，相当于在大尺寸PSS上叠加了小尺寸PSS，一方面即使小尺寸PSS中各圆锥状凸块的间距较小不利于外延片在各圆锥状凸块之间的生长，但是大尺寸PSS中各圆台状凸块的间距较大，并且圆锥状凸块的高度＜圆台状凸块的高度，各圆台状凸块之间还是能生长外延片，提高了外延片的质量；另一方面小尺寸的PSS中各圆锥状凸块的间距较小，有利于光的多次反射，提高了光提取效率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例一提供的一种图形化衬底的制备方法的流程图；
图2a-图2f是本发明实施例一提供的制备方法制作过程中的蓝宝石衬底的结构示意图；
图3是本发明实施例二提供的一种图形化衬底的制备方法的流程图；
图4是本发明实施例三提供的一种图形化衬底的结构示意图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明实施方式作进一步地详细描述。
实施例一
本发明实施例提供了一种图形化衬底的制备方法，参见图1，该制备方法包括：
步骤101：对蓝宝石衬底进行光刻，在蓝宝石衬底上形成圆台状凸块的阵列。
可选地，圆台状凸块的大面直径可以为2.5-2.9μm，圆台状凸块的小面直径可以为1.4-1.8μm，圆台状凸块的高度可以为0.8-1.2μm。
在本实施例的一种实现方式中，该步骤101可以包括：
在蓝宝石衬底上涂覆一层光刻胶；
透过第一掩膜版对光刻胶进行曝光，并对曝光后的光刻胶进行显影，得到第一圆柱状光刻胶的阵列；
对第一圆柱状光刻胶的阵列和蓝宝石衬底进行刻蚀，在蓝宝石衬底上形成圆台状凸块的阵列。
图2a-图2c是上述实现方式执行过程中蓝宝石衬底的结构示意图，其中，1为蓝宝石衬底，2为光刻胶，10为圆台状凸块。
在实际应用中，曝光可以采用步进式光刻机实现，刻蚀可以采用电感耦合等离子体(Inductive Coupled Plasma，简称ICP)技术实现。
可选地，光刻胶的厚度可以为2.0-3.0μm。
可选地，曝光时间可以为200-300ms，焦距可以为0.5-1.5μm。
可选地，第一圆柱状光刻胶的直径可以为2.0-3.0μm，第一圆柱状光刻胶的间距可以为0.8-1.0μm。
可选地，对第一圆柱状光刻胶的阵列和蓝宝石衬底进行刻蚀，在蓝宝石衬底上形成圆台状凸块的阵列，可以包括：
在第一设定值的电极功率下，对第一圆柱状光刻胶的阵列进行第一设定时长的刻蚀，形成圆台状光刻胶的阵列；
在第二设定值的电极功率下，对圆台状光刻胶的阵列和蓝宝石衬底进行第一设定时长的刻蚀，在蓝宝石衬底上形成圆台状凸块的阵列的轮廓；
在第三设定值的电极功率下，对蓝宝石衬底进行第一设定时长的刻蚀，在蓝宝石衬底上形成圆台状凸块的阵列；
其中，第一设定值＞第二设定值＞第三设定值。
可以理解地，通过逐步降低电极功率，逐渐减少对光刻胶的刻蚀，增大对蓝宝石衬底的刻蚀，从而在蓝宝石衬底上形成圆台状凸块。
在本实施例的另一种实现方式中，该制备方法还可以包括：
在第四设定值的电极功率下，对形成的圆台状凸块的阵列进行第二设定时长的刻蚀，第四设定值＞第一设定值，第二设定时长＜第一设定时长。
需要说明的是，最后采用最大的电极功率进行刻蚀，可以对形成的凸块进行修饰。
在本实施例的又一种实现方式中，该制备方法还可以包括：
在步骤101之后，对蓝宝石衬底进行光刻胶去除、清洗、以及甩干。
可选地，对蓝宝石衬底进行光刻胶去除、清洗、以及甩干，可以包括：
采用H2SO4和H2O2的体积比为3:1的混合液进行光刻胶去除；
采用去离子水冲洗蓝宝石衬底；
采用NH4OH、H2O2和H2O的体积比为1:1:5的混合液清洗蓝宝石衬底；
采用去离子水冲洗蓝宝石衬底。
步骤102：对形成有圆台状凸块的阵列的蓝宝石衬底进行光刻，在圆台状凸块上、以及圆台状凸块之间形成圆锥状凸块的阵列。
在本实施例中，圆锥状凸块的底面积＜圆台状凸块的底面积，圆锥状凸块的高度＜圆台状凸块的高度。
可选地，圆锥状凸块的底面直径可以为0.3-0.6μm，圆锥状凸块的高度可以为0.5-0.8μm，圆锥状凸块的间距可以为0.08-0.1μm。
在本实施例的一种实现方式中，该步骤102可以包括：
在圆台状凸块上、以及圆台状凸块之间的蓝宝石衬底上涂覆一层光刻胶；
透过第二掩膜版对光刻胶进行曝光，并对曝光后的光刻胶进行显影，得到第二圆柱状光刻胶的阵列；
对第二圆柱状光刻胶的阵列和蓝宝石衬底进行刻蚀，在圆台状凸块上、以及圆台状凸块之间形成圆锥状凸块的阵列。
图2d-图2f是上述实现方式执行过程中蓝宝石衬底的结构示意图，其中，1为蓝宝石衬底，2为光刻胶，10为圆台状凸块，20为圆锥状凸块。
在实际应用中，曝光可以采用步进式光刻机实现，刻蚀可以采用电感耦合等离子体(Inductive Coupled Plasma，简称ICP)技术实现。
可选地，光刻胶的厚度可以为0.8-1.0μm。
可选地，曝光时间可以为100-150ms，焦距可以为0.08-0.12μm。
可选地，第二圆柱状光刻胶的直径可以为0.3-0.6μm，第二圆柱状光刻胶的间距可以为0.1μm。
可选地，对第二圆柱状光刻胶的阵列和蓝宝石衬底进行刻蚀，在圆台状凸块上、以及圆台状凸块之间形成圆锥状凸块的阵列，可以包括：
在第五设定值的电极功率下，对第二圆柱状光刻胶的阵列进行第三设定时长的刻蚀，形成圆锥状光刻胶的阵列；
在第六设定值的电极功率下，对圆锥状光刻胶的阵列和蓝宝石衬底进行第三设定时长的刻蚀，在蓝宝石衬底上形成圆锥状凸块的阵列的轮廓；
在第七设定值的电极功率下，对蓝宝石衬底进行第三设定时长的刻蚀，在蓝宝石衬底上形成圆锥状凸块的阵列；
其中，第五设定值＞第六设定值＞第七设定值。
可以理解地，通过逐步降低电极功率，逐渐减少对光刻胶的刻蚀，增大对蓝宝石衬底的刻蚀，从而在蓝宝石衬底上形成圆台状凸块。
在本实施例的又一种实现方式中，该制备方法还可以包括：
在第八设定值的电极功率下，对形成的圆台状凸块的阵列进行第四设定时长的刻蚀，第八设定值＞第五设定值，第四设定时长＜第三设定时长。
在本实施例的又一种实现方式中，该制备方法还可以包括：
在步骤102之后，对蓝宝石衬底进行光刻胶去除、清洗、以及甩干。
可选地，对蓝宝石衬底进行光刻胶去除、清洗、以及甩干，可以包括：
采用H2SO4和H2O2的体积比为3:1的混合液进行光刻胶去除；
采用去离子水冲洗蓝宝石衬底；
采用NH4OH、H2O2和H2O的体积比为1:1:5的混合液清洗蓝宝石衬底；
采用去离子水冲洗蓝宝石衬底。
需要说明的是，最后采用最大的电极功率进行刻蚀，可以对形成的凸块进行修饰。
本发明实施例通过先对蓝宝石衬底进行光刻，在蓝宝石衬底上形成圆台状凸块的阵列，再对蓝宝石衬底进行光刻，在圆台状凸块上、以及圆台状凸块之间形成圆锥状凸块的阵列，圆锥状凸块的底面积＜圆台状凸块的底面积，圆锥状凸块的高度＜圆台状凸块的高度，相当于在大尺寸PSS上叠加了小尺寸PSS，一方面即使小尺寸PSS中各圆锥状凸块的间距较小不利于外延片在各圆锥状凸块之间的生长，但是大尺寸PSS中各圆台状凸块的间距较大，并且圆锥状凸块的高度＜圆台状凸块的高度，各圆台状凸块之间还是能生长外延片，提高了外延片的质量；另一方面小尺寸的PSS中各圆锥状凸块的间距较小，有利于光的多次反射，提高了光提取效率。而且，在同样刻蚀深度的情况下，与现有技术一次刻蚀形成圆锥状凸块阵列相比，单次刻蚀时间缩短了，可以充分利用电极功率的调整刻蚀出所需图形，避免了由于调整电极功率的限制而造成得到半球状凸块阵列，得到的凸块阵列可以呈圆锥状，进一步提高了光提取效率。
实施例二
本发明实施例提供了一种图形化衬底的制备方法，本实施例提供的制备方法是实施例一提供的制备方法的一次具体实现，参见图3，该制备方法包括：
步骤201：在蓝宝石衬底上涂覆一层光刻胶。
步骤202：采用步进式光刻机对光刻胶进行曝光，并对曝光后的光刻胶进行显影，得到第一圆柱状光刻胶的阵列。
步骤203a：在500w的电极功率下，对第一圆柱状光刻胶的阵列进行300-400s的刻蚀，压力为2.0mT，BCl3的流量为58sccm，CHF3的流量为6sccm，形成圆台状光刻胶的阵列。
步骤203b：在300w的电极功率下，对圆台状光刻胶的阵列和蓝宝石衬底进行300-400s的刻蚀，压力为2.0mT，BCl3的流量为58sccm，CHF3的流量为6sccm，在蓝宝石衬底上形成圆台状凸块的阵列的轮廓。
步骤203c：在130w的电极功率下，对蓝宝石衬底进行300-400s的刻蚀，压力为2.0mT，BCl3的流量为58sccm，CHF3的流量为6sccm，在蓝宝石衬底上形成圆台状凸块的阵列。
步骤203d：在700w的电极功率下，对形成的圆台状凸块的阵列进行第二设定时长的刻蚀，压力为1.5mT，BCl3的流量为58sccm，CHF3的流量为3sccm。
步骤204：对蓝宝石衬底进行光刻胶去除、清洗、以及甩干。
步骤205：在蓝宝石衬底上涂覆一层光刻胶。
步骤206：采用步进式光刻机对光刻机进行曝光，并对曝光后的光刻胶进行显影，得到第二圆柱状光刻胶的阵列。
步骤207a：在300w的电极功率下，对第二圆柱状光刻胶的阵列进行150-200s的刻蚀，压力为2.0mT，BCl3的流量为58sccm，CHF3的流量为6sccm，形成圆锥状光刻胶的阵列。
步骤207b：在150w的电极功率下，对圆锥状光刻胶的阵列和蓝宝石衬底进行150-200w的刻蚀，压力为2.0mT，BCl3的流量为58sccm，CHF3的流量为6sccm，在蓝宝石衬底上形成圆锥状凸块的阵列的轮廓。
步骤207c：在75w的电极功率下，对蓝宝石衬底进行150-200s的刻蚀，压力为2.0mT，BCl3的流量为58sccm，CHF3的流量为6sccm，在蓝宝石衬底上形成圆锥状凸块的阵列。
步骤207d：在400w的电极功率下，对形成的圆台状凸块的阵列进行100-150s的刻蚀，压力为1.5mT，BCl3的流量为58sccm，CHF3的流量为3sccm。
步骤208：对蓝宝石衬底进行光刻胶去除、清洗、以及甩干。
本发明实施例通过先对蓝宝石衬底进行光刻，在蓝宝石衬底上形成圆台状凸块的阵列，再对蓝宝石衬底进行光刻，在圆台状凸块上、以及圆台状凸块之间形成圆锥状凸块的阵列，圆锥状凸块的底面积＜圆台状凸块的底面积，圆锥状凸块的高度＜圆台状凸块的高度，相当于在大尺寸PSS上叠加了小尺寸PSS，一方面即使小尺寸PSS中各圆锥状凸块的间距较小不利于外延片在各圆锥状凸块之间的生长，但是大尺寸PSS中各圆台状凸块的间距较大，并且圆锥状凸块的高度＜圆台状凸块的高度，各圆台状凸块之间还是能生长外延片，提高了外延片的质量；另一方面小尺寸的PSS中各圆锥状凸块的间距较小，有利于光的多次反射，提高了光提取效率。而且，在同样刻蚀深度的情况下，与现有技术一次刻蚀形成圆锥状凸块阵列相比，单次刻蚀时间缩短了，可以充分利用电极功率的调整刻蚀出所需图形，避免了由于调整电极功率的限制而造成得到半球状凸块阵列，得到的凸块阵列可以呈圆锥状，进一步提高了光提取效率。
实施例三
参见图4，本发明实施例提供了一种图形化衬底，该图形化衬底采用如实施例一或实施例二提供的制备方法制作而成，该图形化衬底上设有圆台状凸块10的阵列，圆台状凸块10的阵列上、以及圆台状凸块10的阵列之间设有圆锥状凸块20的阵列，圆锥状凸块20的底面积＜圆台状凸块10的底面积，圆锥状凸块20的高度＜圆台状凸块10的高度。
可选地，圆台状凸块10的大面直径可以为2.5-2.9μm，圆台状凸块10的小面直径可以为1.4-1.8μm，圆台状凸块的高度可以为0.8-1.2μm。
可选地，圆锥状凸块的底面直径可以为0.3-0.6μm，圆锥状凸块的高度可以为0.5-0.8μm，圆锥状凸块的间距可以为0.08-0.1μm。
本发明实施例通过图形化衬底上设有圆台状凸块的阵列，圆台状凸块的阵列上、以及圆台状凸块的阵列之间设有圆锥状凸块的阵列，圆锥状凸块的底面积＜圆台状凸块的底面积，圆锥状凸块的高度＜圆台状凸块的高度，相当于在大尺寸PSS上叠加了小尺寸PSS，一方面即使小尺寸PSS中各圆锥状凸块的间距较小不利于外延片在各圆锥状凸块之间的生长，但是大尺寸PSS中各圆台状凸块的间距较大，并且圆锥状凸块的高度＜圆台状凸块的高度，各圆台状凸块之间还是能生长外延片，提高了外延片的质量；另一方面小尺寸的PSS中各圆锥状凸块的间距较小，有利于光的多次反射，提高了光提取效率。
以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (6)
1.一种图形化衬底的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
对蓝宝石衬底进行光刻，在所述蓝宝石衬底上形成圆台状凸块的阵列；
对形成有所述圆台状凸块的阵列的所述蓝宝石衬底进行光刻，在所述圆台状凸块上、以及所述圆台状凸块之间形成圆锥状凸块的阵列，所述圆锥状凸块的底面积＜所述圆台状凸块的底面积，所述圆锥状凸块的高度＜所述圆台状凸块的高度；
所述对蓝宝石衬底进行光刻，在所述蓝宝石衬底上形成圆台状凸块的阵列，包括：
在所述蓝宝石衬底上涂覆一层光刻胶；
透过第一掩膜版对所述光刻胶进行曝光，并对曝光后的所述光刻胶进行显影，得到第一圆柱状光刻胶的阵列；
对所述第一圆柱状光刻胶的阵列和所述蓝宝石衬底进行刻蚀，在所述蓝宝石衬底上形成圆台状凸块的阵列。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述对所述第一圆柱状光刻胶的阵列和所述蓝宝石衬底进行刻蚀，在所述蓝宝石衬底上形成圆台状凸块的阵列，包括：
在第一设定值的电极功率下，对所述第一圆柱状光刻胶的阵列进行第一设定时长的刻蚀，形成圆台状光刻胶的阵列；
在第二设定值的电极功率下，对所述圆台状光刻胶的阵列和所述蓝宝石衬底进行第一设定时长的刻蚀，在所述蓝宝石衬底上形成所述圆台状凸块的阵列的轮廓；
在第三设定值的电极功率下，对所述蓝宝石衬底进行第一设定时长的刻蚀，在所述蓝宝石衬底上形成所述圆台状凸块的阵列；
其中，所述第一设定值＞所述第二设定值＞所述第三设定值。
3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括：
在第四设定值的电极功率下，对形成的所述圆台状凸块的阵列进行第二设定时长的刻蚀，所述第四设定值＞所述第一设定值，所述第二设定时长＜所述第一设定时长。
4.根据权利要求1-3任一项所述的制备方法，其特征在于，所述对形成有所述圆台状凸块的阵列的所述蓝宝石衬底进行光刻，在所述圆台状凸块上、以及所述圆台状凸块之间形成圆锥状凸块的阵列，包括：
在所述圆台状凸块上、以及所述圆台状凸块之间的所述蓝宝石衬底上涂覆一层光刻胶；
透过第二掩膜版对所述光刻胶进行曝光，并对曝光后的所述光刻胶进行显影，得到第二圆柱状光刻胶的阵列；
对所述第二圆柱状光刻胶的阵列和所述蓝宝石衬底进行刻蚀，在所述圆台状凸块上、以及所述圆台状凸块之间形成圆锥状凸块的阵列。
5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述对所述第二圆柱状光刻胶的阵列和所述蓝宝石衬底进行刻蚀，在所述圆台状凸块上、以及所述圆台状凸块之间形成圆锥状凸块的阵列，包括：
在第五设定值的电极功率下，对所述第二圆柱状光刻胶的阵列进行第三设定时长的刻蚀，形成圆锥状光刻胶的阵列；
在第六设定值的电极功率下，对所述圆锥状光刻胶的阵列和所述蓝宝石衬底进行第三设定时长的刻蚀，在所述蓝宝石衬底上形成所述圆锥状凸块的阵列的轮廓；
在第七设定值的电极功率下，对所述蓝宝石衬底进行第三设定时长的刻蚀，在所述蓝宝石衬底上形成所述圆锥状凸块的阵列；
其中，所述第五设定值＞所述第六设定值＞所述第七设定值。
6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括：
在第八设定值的电极功率下，对形成的所述圆台状凸块的阵列进行第四设定时长的刻蚀，所述第八设定值＞所述第五设定值，所述第四设定时长＜所述第三设定时长。
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