CN105304811A - 具有斜面的衬底结构、磁阻传感器及其制作方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种具有斜面的衬底结构、磁阻传感器及其制作方法。所述具有斜面的衬底结构的制作方法，在衬底及凹槽表面和/或衬底及凸台表面淀积具有流动性的介质层，再对所述具有流动性的介质层进行退火回流，退火回流后的介质层将使斜面变得平缓，并且退火回流后的介质层基本不会改变斜面的长度和斜面所在台阶的高度，有助于后续在斜面上形成Z轴磁阻条，为单芯片的三轴磁阻传感器的制造提供了可行性。

Description

具有斜面的衬底结构、磁阻传感器及其制作方法

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种具有斜面的衬底结构、磁阻传感器及其制作方法。

背景技术

各向异性磁阻(AMR)传感器是现代产业中新型磁电阻效应传感器，其正变得日益重要，尤其是在智能手机中的电子罗盘和汽车产业传感器中的停车传感器、角度传感器、ABS(自动制动系统)传感器以及胎压传感器等方面得到应用。除各向异性磁阻(AMR)传感器外，磁性传感器目前主要技术还有霍尔效应传感器、巨磁阻(GMR)传感器、隧道磁阻(TMR)传感器，但由于AMR传感器具有比霍尔效应传感器高得多的灵敏度，且技术实现上比GMR和TMR传感器更加成熟，因此各向异性磁阻(AMR)传感器应用比其他磁传感器应用更加广泛。

目前的AMR传感器的X轴、Y轴、Z轴各自独立形成，然后再封装在一起，需要较多的制作步骤，使得AMR传感器系统加工成本比较昂贵。为此，申请号为201510567197.1的中国专利申请提出了一种单芯片三轴各向异性磁阻传感器制作方法，在衬底中形成具有倾斜斜面的凹槽，并在所述凹槽的斜面上形成Z轴磁阻条和Z轴短路电极，在所述衬底的平面上形成X、Y轴磁阻条和X、Y轴短路电极，如此将X、Y、Z轴磁感测元件集成在一个芯片上，结构简单，Z轴磁感测元件无需垂直封装，易于制造，成本较低，并且和传统的微电子工艺兼容性好，适合大批量工业化生产，具有广泛的应用性。然而，发明人发现，在衬底中形成具有倾斜斜面的凹槽后，由于凹槽的斜面与底壁交界处较为尖锐，在后续进行光刻工艺过程中，凹槽斜面与底壁交界处光刻胶很厚，影响器件后续层次的图形化，无法得到稳定的重复的图形。

发明内容

本发明的目的在于提供一种具有斜面的衬底结构、磁阻传感器及其制作方法，以解决现有技术中凹槽的斜面与底壁交界处较为尖锐，影响器件后续层次的图形化的问题。

为解决上述技术问题，本发明提供一种具有斜面的衬底结构的制作方法，包括：

提供一衬底；

在所述衬底中形成凹槽和/或凸台；

在所述衬底以及凹槽表面淀积具有流动性的介质层，和/或，在所述衬底以及凸台表面淀积具有流动性的介质层；

对所述介质层进行退火回流，以使退火回流后的介质层的斜面平缓。

可选的，在所述的具有斜面的衬底结构的制作方法中，所述介质层为硼磷硅玻璃；所述硼磷硅玻璃中硼的浓度为2％～8％，磷的浓度为2％～8％；所述退火回流的温度为850～1000℃。

可选的，在所述的具有斜面的衬底结构的制作方法中，所述介质层为磷硅玻璃；所述磷硅玻璃中磷的浓度为2％～8％；所述退火回流的温度为1000～1300℃。

可选的，在所述的具有斜面的衬底结构的制作方法中，所述凹槽的侧壁的倾斜角度为35°～65°。

可选的，在所述的具有斜面的衬底结构的制作方法中，在所述衬底上形成凹槽的步骤包括：

在所述衬底上形成硬掩模层并图形化所述硬掩模层；

利用所述硬掩模层作为掩膜，刻蚀所述衬底形成凹槽。

可选的，在所述的具有斜面的衬底结构的制作方法中，所述凸台的侧壁的倾斜角度为35°～65°。

可选的，在所述的具有斜面的衬底结构的制作方法中，在所述衬底上形成凸台的步骤包括：

在所述衬底上形成介质层；

在所述介质层上形成图形化后的光刻胶并对所述图形化后的光刻胶进行热回流处理；

利用热回流处理后的光刻胶作为掩模，刻蚀所述介质层形成凸台。

本发明还提供一种具有斜面的衬底结构，包括：

衬底；

形成于所述衬底中的凹槽和/或凸台；以及

经过退火回流的介质层，所述介质层覆盖所述衬底和凹槽表面和/或所述衬底以及凸台表面。

本发明又提供一种磁阻传感器制作方法，包括：

提供一包括X轴区域、Y轴区域、Z轴区域的衬底；

在所述衬底的Z轴区域中形成凹槽和/或凸台；

在所述衬底以及凹槽表面淀积具有流动性的介质层，和/或，在所述衬底以及凸台表面淀积具有流动性的介质层；

对所述介质层进行退火回流；

形成磁阻条，所述磁阻条包括形成于所述X轴区域上的X轴磁阻条、形成于所述Y轴区域上的Y轴磁阻条、以及形成于所述凹槽和/或凸台至少一个侧壁上的Z轴磁阻条；

形成短路电极和金属连线，所述短路电极包括形成于所述X轴磁阻条上并与其交叉的X轴短路电极、形成于所述Y轴磁阻条上并与其交叉的Y轴短路电极、以及形成于所述Z轴磁阻条上并与其交叉的Z轴短路电极，所述金属连线包括连接相邻的X轴磁阻条的X轴金属连线、连接相邻的Y轴磁阻条的Y轴金属连线以及连接相邻的Z轴磁阻条的Z轴金属连线；

形成隔离层，所述隔离层覆盖所述短路电极、金属连线以及绝缘层，所述隔离层中形成有通孔；

形成置位-复位电流带，所述置位-复位电流带形成于所述隔离层上并垂直于所述X轴磁阻条、Y轴磁阻条和Z轴磁阻条；

形成钝化层，所述钝化层覆盖所述隔离层，所述钝化层中形成有暴露所述置位-复位电流带的压焊窗口。

可选的，在所述的磁阻传感器制作方法中，所述介质层为硼磷硅玻璃；所述硼磷硅玻璃中硼的浓度为2％～8％，磷的浓度为2％～8％；所述退火回流的温度为850～1000℃。

可选的，在所述的磁阻传感器制作方法中，所述介质层为磷硅玻璃；所述磷硅玻璃中磷的浓度为2％～8％；所述退火回流的温度为1000～1300℃。

可选的，在所述的磁阻传感器制作方法中，所述凹槽的侧壁的倾斜角度为35°～65°。

可选的，在所述的磁阻传感器制作方法中，在所述衬底上形成凹槽的步骤包括：

在所述衬底上形成硬掩模层并图形化所述硬掩模层；

利用所述硬掩模层作为掩膜，刻蚀所述衬底形成凹槽。

可选的，在所述的磁阻传感器制作方法中，所述凸台的侧壁的倾斜角度为35°～65°。

可选的，在所述的磁阻传感器制作方法中，在所述衬底上形成凸台的步骤包括：

在所述衬底上形成介质层；

在所述介质层上形成图形化后的光刻胶并对所述图形化后的光刻胶进行热回流处理；

利用热回流处理后的光刻胶作为掩模，刻蚀所述介质层形成凸台。

本发明更提供一种磁阻传感器，包括：

衬底，包括X轴区域、Y轴区域、Z轴区域；

形成于所述衬底的Z轴区域上的凹槽和/或凸台；

经过退火回流的介质层，所述介质层覆盖所述衬底和凹槽表面和/或所述衬底以及凸台表面；

磁阻条，包括形成于所述X轴区域上的X轴磁阻条、形成于所述Y轴区域上的Y轴磁阻条、以及形成于所述凹槽和/或凸台至少一个侧壁上的Z轴磁阻条。

可选的，在所述的磁阻传感器中，还包括：

短路电极，包括形成于所述X轴磁阻条上并与其交叉的X轴短路电极、形成于所述Y轴磁阻条上并与其交叉的Y轴短路电极、以及形成于所述Z轴磁阻条上并与其交叉的Z轴短路电极；

金属连线，包括连接相邻的X轴磁阻条的X轴金属连线、连接相邻的Y轴磁阻条的Y轴金属连线以及连接相邻的Z轴磁阻条的Z轴金属连线；

隔离层，形成于所述短路电极、金属连线以及绝缘层上，所述隔离层中形成有通孔；

置位-复位电流带，形成于所述隔离层上并垂直于所述X轴磁阻条、Y轴磁阻条和Z轴磁阻条；以及

钝化层，形成于所述隔离层上，所述钝化层中形成有暴露所述置位-复位电流带的压焊窗口。

与现有技术相比，本发明提出了一种具有斜面的衬底结构的制作方法，在衬底及凹槽表面和/或衬底及凸台表面淀积具有流动性的介质层，再对所述具有流动性的介质层进行退火回流，退火回流后的介质层将使斜面变得平缓，并且退火回流后的介质层基本不会改变斜面的长度和斜面所在台阶的高度，有助于后续在斜面上形成Z轴磁阻条，为单芯片的三轴磁阻传感器的制造提供了可行性。

附图说明

为了更好的说明本发明的内容，以下结合附图对实施例做简单的说明。附图是本发明的理想化实施例的示意图，为了清楚表示，放大了层和区域的厚度，但作为示意图不应该被认为严格反映了几何尺寸的比例关系。本发明所示的实施例不应该被认为仅限于图中所示的区域的特定形状。图中的表示是示意性的，不应该被认为限制本发明的范围。其中：

图1a是本发明实施例一中形成硬掩模层后的剖面示意图；

图1b是本发明实施例一中形成凹槽后的剖面示意图；

图1c是本发明实施例一中介质层回流后的剖面示意图；

图2a是本发明实施例二中形成介质层后的剖面示意图；

图2b是本发明实施例二中形成图形化后的光刻胶且回流后的剖面示意图；

图2c是本发明实施例二中形成凸台后的剖面示意图；

图2d是本发明实施例二中介质层回流后的剖面示意图；

图3a-1和3a-2是本发明实施例三中形成凹槽后的俯视示意图和剖面示意图；

图3b-1和3b-2是本发明实施例三中形成绝缘层后的俯视示意图和剖面示意图；

图3c-1和3c-2是本发明实施例三中形成X、Y、Z轴磁阻条后的俯视示意图和剖面示意图；

图3d-1和3d-2是本发明实施例三中形成X、Y、Z轴短路电极和金属连线后的俯视示意图和剖面示意图；

图3e-1和3e-2是本发明实施例三中形成隔离层后的俯视示意图和剖面示意图；

图3f-1和3f-2是本发明实施例三中形成置位-复位电流带后的俯视示意图和剖面示意图；

图3g-1和3g-2是本发明实施例三中形成钝化层后的俯视示意图和剖面示意图。

具体实施方式

在背景技术中已经提及，传统技术中在衬底中形成凹槽后，由于凹槽的斜面与底壁交界处较为尖锐，在后续进行光刻工艺过程中，凹槽斜面与底壁交界处光刻胶很厚，影响器件后续层次的图形化，无法得到稳定的重复的图形。为此，本发明提出了一种具有斜面的衬底结构的制作方法，首先提供一形成有凹槽和/或凸台的衬底，并在所述衬底及凹槽表面和/或所述衬底及凸台表面淀积具有流动性的介质层，再对所述具有流动性的介质层进行退火回流，退火回流后的介质层将使斜面变得平缓，并且退火回流后的介质层基本不会改变斜面的长度和斜面所在台阶的高度，有助于后续在斜面上形成Z轴磁阻条，为单芯片的三轴磁阻传感器的制造提供了可行性。

以下结合附图对本发明提出的具有斜面的衬底结构及其制作方法、磁阻传感器及其制作方法作进一步详细说明。

实施例一

如图1a所示，首先，提供一衬底11，并在衬底11上形成硬掩模层12，再采用光刻和刻蚀工艺图形化所述硬掩模层12。作为一个非限制性的例子，所述衬底11是晶向为<100>的硅衬底。进一步的，所述衬底11可以是N型掺杂的硅衬底，也可以是P型掺杂的硅衬底，或者是非掺杂的本征硅衬底。所述硬掩模层12为氧化硅层或氮化硅层。

如图1b所示，接着，以所述硬掩模层12为掩膜，刻蚀所述衬底11形成凹槽13，随后去除所述硬掩模层12。所述凹槽13的截面形状为上宽下窄的倒梯形，其深度例如为4～6μm，所述凹槽13的侧壁13a的倾斜角度θ即侧壁13a与底壁13b延长线的夹角为35°～65°。作为一个非限制性的例子，利用四甲基氢氧化铵(TMAH)溶液或氢氧化钾(KOH)溶液腐蚀所述衬底11，从而形成凹槽13。

如图1c所示，接着，在具有凹槽13的衬底11上淀积具有流动性的介质层14，并对所述介质层14进行退火回流。作为一个非限制性的例子，所述介质层14为硼磷硅玻璃(BPSG)或磷硅玻璃(PSG)。若采用BPSG，所述BPSG中B的浓度为2％～8％，所述BPSG中P的浓度为2％～8％，退火回流的温度例如为850～1000℃。若采用PSG，所述PSG中磷的浓度为2％～8％，退火回流的温度例如为1000～1300℃。由于硼磷硅玻璃(BPSG)的回流温度低于磷硅玻璃(PSG)的回流温度，因而，优选采用硼磷硅玻璃(BPSG)。回流后的介质层14的斜面由陡直变得平缓，侧壁与底壁的交汇处变得圆滑。本实施例中，考虑到所述具有流动性的介质层14的厚度越大则所需淀积时间越长成本越高，但厚度过小可能导致回流效果不佳，故而所述硼磷硅玻璃14的厚度优选在0.5～2μm之间。

由此，形成了一种具有斜面的衬底结构，包括衬底11、形成于所述衬底11中的凹槽13以及覆盖所述衬底11和凹槽13表面的具有流动性的介质层14。所述介质层14经过退火回流后将使凹槽13的斜面变得平缓，有助于后续工艺的顺利进行。

实施例二

如图2a所示，首先，提供一衬底21，并在衬底21上形成介质层22，所述介质层22例如为氧化硅层或氮化硅层。

如图2b所示，接着，在介质层22上涂覆光刻胶，并通过曝光和显影工艺形成图形化后的光刻胶23，再对图形化后的光刻胶23进行热回流处理，从而使得图形化后的光刻胶23的侧面由陡直变得平缓。作为一个非限制性的例子，所述光刻胶的厚度为2～4μm。

如图2c所示，接着，利用热回流处理后的光刻胶作为掩模，刻蚀所述介质层22形成凸台22’，随后，利用等离子灰化工艺去除剩余的光刻胶。所述凸台22’的截面形状为上窄下宽的梯形，其高度例如为4～6μm，所述凸台22’的斜面的倾斜角度(即斜面与底壁的夹角)θ为35°～65°。

如图2d所示，接着，在具有凸台22’的衬底21上淀积具有流动性的介质层24，并对所述介质层24进行退火回流。作为一个非限制性的例子，所述具有流动性的介质层24为硼磷硅玻璃(BPSG)或磷硅玻璃(PSG)。由于硼磷硅玻璃(BPSG)的回流温度低于磷硅玻璃(PSG)的回流温度，因而，优选采用硼磷硅玻璃(BPSG)，所述BPSG中B的浓度为2％～8％，所述BPSG中P的浓度为2％～8％。考虑到所述具有流动性的介质层24的厚度越大则所需淀积时间越长成本越高，但厚度过小可能导致回流效果不佳，故而所述硼磷硅玻璃24的厚度优选在0.5～2μm之间。若采用BPSG，退火回流的温度例如为850～1000℃。若采用PSG，退火回流的温度例如为1000～1300℃。回流后的介质层24的斜面由由陡直变得平缓，斜面与底壁的交汇处变得圆滑。

实施例三

本实施例提供一种磁阻传感器制作方法，所述磁阻传感器为单芯片三轴各向异性磁阻传感器，采用具有凹槽的衬底结构形成所述磁阻传感器。

如图3a-1和图3a-2所示，首先，提供一衬底100，所述衬底100包括X轴区域100a、Y轴区域100b、Z轴区域100c，在所述衬底100的Z轴区域100c中形成有凹槽110，所述凹槽110具有斜面110a以及底壁110b。

如图3b-1和图3b-2所示，接着，在具有凹槽110的衬底100上淀积具有流动性的介质层120，并对所述具有流动性的介质层120进行退火回流，以使所述凹槽110的斜面与顶面交汇处的介质层表面平滑。

如图3c-1和图3c-2所示，接着，形成磁阻条，所述磁阻条包括形成于所述X轴区域100a上的X轴磁阻条131、形成于所述Y轴区域100b上的Y轴磁阻条132以及形成于所述凹槽110斜面上的Z轴磁阻条133-1、133-2；

如图3d-1和图3d-2所示，接着，形成短路电极和金属连线，所述短路电极包括形成于X轴磁阻条131上并与其交叉的X轴短路电极141、形成于Y轴磁阻条132上并与其交叉的Y轴短路电极142以及形成于Z轴磁阻条133-1、133-2上并与其交叉的Z轴短路电极143，所述金属连线包括连接相邻的X轴磁阻条131的X轴金属连线151、连接相邻的Y轴磁阻条132的Y轴金属连线152以及连接相邻的Z轴磁阻条133-1、133-2的Z轴金属连线153。

如图3e-1和图3e-2所示，接着，形成隔离层160，所述隔离层160覆盖所述短路电极、金属连线以及绝缘层120，所述隔离层160中形成有通孔160’。

如图3f-1和图3f-2所示，接着，形成置位-复位电流带170，所述置位-复位电流带170形成于所述隔离层160上并垂直于所述X、Y、Z轴磁阻条131、132、133-1、133-2。

如图3g-1和图3g-2所示，接着，形成钝化层180，所述钝化层180覆盖所述隔离层160，所述钝化层180中形成有暴露所述置位-复位电流带170的压焊窗口180’。

根据上述制作方法形成的单芯片三轴各向异性磁阻传感器包括：

衬底100，包括X轴区域100a、Y轴区域100b、Z轴区域100c；

凹槽110，形成于所述Z轴区域100c上，所述凹槽110具有倾斜的侧壁110a；

介质层120，形成于所述衬底100及其凹槽110上；

磁阻条，包括形成于所述X轴区域100a上的绝缘层120上的X轴磁阻条131、形成于所述Y轴区域100b上的绝缘层120上的Y轴磁阻条132以及形成于所述凹槽110侧壁上的绝缘层120上的Z轴磁阻条133-1、133-2；

短路电极(BarberPole)，包括形成于X轴磁阻条131上并与其交叉的X轴短路电极141、形成于Y轴磁阻条132上并与其交叉的Y轴短路电极142以及形成于Z轴磁阻条133-1、133-2上并与其交叉的Z轴短路电极143；

金属连线，包括连接相邻的X轴磁阻条131的X轴金属连线151、连接相邻的Y轴磁阻条132的Y轴金属连线152以及连接相邻的Z轴磁阻条133-1、133-2的Z轴金属连线153；

隔离层160，覆盖所述短路电极、金属连线以及绝缘层120，所述隔离层160中形成有通孔160’；

置位-复位电流带170，形成于所述隔离层160上并垂直于所述X、Y、Z轴磁阻条131、132、133-1、133-2；

钝化层180，覆盖所述隔离层160，所述钝化层180中形成有暴露所述置位-复位电流带170的压焊窗口180’。

其中，其中Z轴区域100c用以感测Z轴方向的磁场，X轴区域100a和Y轴区域100b用以感测X和Y方向的磁场。

上述磁阻传感器采用具有凹槽的衬底结构形成，应当理解的是，其也可以采用具有凸台的衬底结构形成，也就是说，只要是衬底上具有斜面，即可在斜面上设置Z轴磁阻条，进而形成单芯片三轴磁传感器。

综上所述，本发明在衬底中形成具有倾斜侧壁的凹槽，并在所述凹槽的上形成具有流动性的介质层并对其进行退火回流，退火回流后的介质层将使斜面变得平缓，有助于后续斜面上Z轴磁阻条的图形化，为单芯片三轴磁传感器的制造提供了可行性；同时，退火回流后的介质层不会改变斜面的长度和斜面所在台阶的高度。如此将X、Y、Z轴磁感测元件集成在一个芯片上，结构简单，Z轴磁感测元件无需垂直封装，易于制造，成本较低，并且和传统的微电子工艺兼容性好，适合大批量工业化生产，具有广泛的应用性。

上述描述仅是对本发明较佳实施例的描述，并非对本发明范围的任何限定，本发明领域的普通技术人员根据上述揭示内容做的任何变更、修饰，均属于权利要求书的保护范围。

Claims (26)

1.一种具有斜面的衬底结构的制作方法，其特征在于，包括：

提供一衬底；

在所述衬底上形成凹槽和/或凸台；

在所述衬底以及凹槽表面淀积具有流动性的介质层，和/或，在所述衬底以及凸台表面淀积具有流动性的介质层；

对所述介质层进行退火回流，以使退火回流后的介质层的斜面平缓。

2.如权利要求1所述的具有斜面的衬底结构的制作方法，其特征在于，所述介质层为硼磷硅玻璃。

3.如权利要求2所述的具有斜面的衬底结构的制作方法，其特征在于，所述硼磷硅玻璃中硼的浓度为2％～8％，磷的浓度为2％～8％。

4.如权利要求2所述的具有斜面的衬底结构的制作方法，其特征在于，所述退火回流的温度为850～1000℃。

5.如权利要求1所述的具有斜面的衬底结构的制作方法，其特征在于，所述介质层为磷硅玻璃。

6.如权利要求5所述的具有斜面的衬底结构的制作方法，其特征在于，所述磷硅玻璃中磷的浓度为2％～8％。

7.如权利要求5所述的具有斜面的衬底结构的制作方法，其特征在于，所述退火回流的温度为1000～1300℃。

8.如权利要求1所述的具有斜面的衬底结构的制作方法，其特征在于，所述凹槽的侧壁的倾斜角度为35°～65°。

9.如权利要求1所述的具有斜面的衬底结构的制作方法，其特征在于，在所述衬底上形成凹槽的步骤包括：

在所述衬底上形成硬掩模层并图形化所述硬掩模层；

利用所述硬掩模层作为掩膜，刻蚀所述衬底形成凹槽。

10.如权利要求1所述的具有斜面的衬底结构的制作方法，其特征在于，所述凸台的侧壁的倾斜角度为35°～65°。

11.如权利要求1所述的具有斜面的衬底结构的制作方法，其特征在于，在所述衬底上形成凸台的步骤包括：

在所述衬底上形成介质层；

在所述介质层上形成图形化后的光刻胶并对所述图形化后的光刻胶进行热回流处理；

利用热回流处理后的光刻胶作为掩模，刻蚀所述介质层形成凸台。

12.一种具有斜面的衬底结构，采用如权利要求1至11中任意一项所述的方法形成，其特征在于，包括：

衬底；

形成于所述衬底上的凹槽和/或凸台；以及

经过退火回流的介质层，所述介质层覆盖所述衬底和凹槽表面和/或所述衬底以及凸台表面。

13.一种磁阻传感器制作方法，其特征在于，包括：

提供一包括X轴区域、Y轴区域、Z轴区域的衬底；

在所述衬底的Z轴区域中形成凹槽和/或凸台；

在所述衬底以及凹槽表面淀积具有流动性的介质层，和/或，在所述衬底以及凸台表面淀积具有流动性的介质层；

对所述介质层进行退火回流；

形成磁阻条，所述磁阻条包括形成于所述X轴区域上的X轴磁阻条、形成于所述Y轴区域上的Y轴磁阻条、以及形成于所述凹槽和/或凸台至少一个侧壁上的Z轴磁阻条。

14.如权利要求13所述的磁阻传感器制作方法，其特征在于，所述介质层为硼磷硅玻璃。

15.如权利要求14所述的磁阻传感器制作方法，其特征在于，所述硼磷硅玻璃中硼的浓度为2％～8％，磷的浓度为2％～8％。

16.如权利要求14所述的磁阻传感器制作方法，其特征在于，所述退火回流的温度为850～1000℃。

17.如权利要求13所述的磁阻传感器制作方法，其特征在于，所述介质层为磷硅玻璃。

18.如权利要求17所述的磁阻传感器制作方法，其特征在于，所述磷硅玻璃中磷的浓度为2％～8％。

19.如权利要求17所述的磁阻传感器制作方法，其特征在于，所述退火回流的温度为1000～1300℃。

20.如权利要求13所述的磁阻传感器制作方法，其特征在于，所述凹槽的侧壁的倾斜角度为35°～65°。

21.如权利要求13所述的磁阻传感器制作方法，其特征在于，在所述衬底上形成凹槽的步骤包括：

在所述衬底上形成硬掩模层并图形化所述硬掩模层；

利用所述硬掩模层作为掩膜，刻蚀所述衬底形成凹槽。

22.如权利要求13所述的磁阻传感器制作方法，其特征在于，所述凸台的侧壁的倾斜角度为35°～65°。

23.如权利要求13所述的磁阻传感器制作方法，其特征在于，在所述衬底上形成凸台的步骤包括：

在所述衬底上形成介质层；

在所述介质层上形成图形化后的光刻胶并对所述图形化后的光刻胶进行热回流处理；

利用热回流处理后的光刻胶作为掩模，刻蚀所述介质层形成凸台。

24.如权利要求13至23中任意一项所述的磁阻传感器制作方法，其特征在于，形成磁阻条之后，还包括：

形成短路电极和金属连线，所述短路电极包括形成于所述X轴磁阻条上并与其交叉的X轴短路电极、形成于所述Y轴磁阻条上并与其交叉的Y轴短路电极、以及形成于所述Z轴磁阻条上并与其交叉的Z轴短路电极，所述金属连线包括连接相邻的X轴磁阻条的X轴金属连线、连接相邻的Y轴磁阻条的Y轴金属连线以及连接相邻的Z轴磁阻条的Z轴金属连线；

形成隔离层，所述隔离层覆盖所述短路电极、金属连线以及绝缘层，所述隔离层中形成有通孔；

形成置位-复位电流带，所述置位-复位电流带形成于所述隔离层上并垂直于所述X轴磁阻条、Y轴磁阻条和Z轴磁阻条；

形成钝化层，所述钝化层覆盖所述隔离层，所述钝化层中形成有暴露所述置位-复位电流带的压焊窗口。

25.一种磁阻传感器，采用如权利要求13至24中任意一项所述的方法形成，其特征在于，包括：

衬底，包括X轴区域、Y轴区域、Z轴区域；

形成于所述衬底的Z轴区域上的凹槽和/或凸台；

经过退火回流的介质层，覆盖所述衬底和凹槽表面和/或所述衬底以及凸台表面；

磁阻条，包括形成于所述X轴区域上的X轴磁阻条、形成于所述Y轴区域上的Y轴磁阻条、以及形成于所述凹槽和/或凸台至少一个侧壁上的Z轴磁阻条。

26.如权利要求25所述的磁阻传感器，其特征在于，还包括：

短路电极，包括形成于所述X轴磁阻条上并与其交叉的X轴短路电极、形成于所述Y轴磁阻条上并与其交叉的Y轴短路电极、以及形成于所述Z轴磁阻条上并与其交叉的Z轴短路电极；

金属连线，包括连接相邻的X轴磁阻条的X轴金属连线、连接相邻的Y轴磁阻条的Y轴金属连线以及连接相邻的Z轴磁阻条的Z轴金属连线；

隔离层，形成于所述短路电极、金属连线以及绝缘层上，所述隔离层中形成有通孔；

置位-复位电流带，形成于所述隔离层上并垂直于所述X轴磁阻条、Y轴磁阻条和Z轴磁阻条；以及

钝化层，形成于所述隔离层上，所述钝化层中形成有暴露所述置位-复位电流带的压焊窗口。