CN105284019B - 具有载体的发光组件 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种组件（30），具有载体，其中，具有芯部（3）的结构被形成在所述载体上，其中，所述芯部具有带有两个端部区域（9、10）的纵向延伸，其中，第一端部区域面对所述载体，并且第二端部区域背对所述载体，其中，所述芯部至少在外部区域中是导电的，其中，所述芯部被至少部分地由有源区层（4）覆盖，其中，所述有源区层被设计为产生电磁辐射。第一电接触层（5）接触所述芯部，第二接触层（6，22）接触所述有源区层（4）。至少在所述芯部的端部区域中提供镜层以特别是用于产生激光辐射。

Description

具有载体的发光组件
技术领域
本发明涉及根据专利权利要求1所述的具有载体的组件、根据专利权利要求12所述的具有多个组件的阵列以及根据专利权利要求15所述的用于生产组件的方法。
本专利申请要求德国专利申请10 2013 211 707.8的优先权，其公开内容被通过引用合并到此。
背景技术
从US 2009/0068411 A1已知具有纳米棒的组件，纳米棒具有用于生成光的有源区。
发明内容
本发明的目的在于提供一种改进的组件、一种改进的阵列以及一种用于生产具有拉长形结构的组件的改进的方法，拉长形结构具有有源区层。
通过根据专利权利要求1所述的组件、根据专利权利要求12所述的阵列以及根据专利权利要求15所述的方法来实现本发明的目的。
在从属权利要求中指定进一步的有利的实施例。
所描述的组件的一个优点在于，作为所选择的结构的结果，生成高水平的光功率，其通过所提供的镜层而被附加地放大。由所提供的镜层给出电磁辐射的固定反射方向。因此增加在发射方向上发射的电磁辐射的功率。芯部具有带有两个端部区域的纵向延伸，其中，第一端部区域被布置为面朝所述载体，并且第二端部区域被布置为背对所述载体。归因于形成特别是具有至少部分地包围结构的芯部的准三维有源区层的柱型结构，因而可能在紧密空间中生成具有高光功率的电磁辐射。
在一个实施例中，在有源区层与第一接触层之间和/或在第一接触层与第二接触层之间提供绝缘层。以此方式，利用所述组件的紧凑构造来实现层的可靠的电分离。
在进一步的实施例中，在面朝所述载体的芯部的端部区域上提供镜层。以此方式，可以限定所述电磁辐射远离所述载体的发射方向。
在进一步的实施例中，在背对所述载体的芯部的端部区域上提供镜层。以此方式，电磁辐射的发射方向可以被限定在朝向所述载体的方向上。
在进一步的实施例中，镜层在每种情况下被形成在所述芯部的相对的端部上。在此情况下，所述镜层中的一个具有更低的反射度。电磁辐射可以因此在各镜层之间被反射以用于更高的光功率，并且可以经由具有更低的反射度的镜层而被解耦合。例如，以此方式还可以在各镜层之间生成驻波。这可以特别是被用于生成单色电磁辐射（即激光辐射）。
在进一步的实施例中，所述镜层被设计为是导电的，并且表示所述第一接触层。在该实施例中，所述芯部可以在大的面积上被电接触。因此实现在所述芯部中的均匀电流分布。此外，所述芯部的整个横截面可以被提供有所述镜层，并且因此可以实现高的反射度。
在进一步的实施例中，以两个镜层的形式来形成所述镜层。导电的第一镜层被布置在所述芯部的端部区域上。所述第一接触层被应用到所述第一镜层。第二镜层被应用到所述第一接触层，其中，所述第二镜层被设计为是电绝缘的。此外，所述第一接触层被设计为至少对于电磁辐射的部分谱而言是透射的。
通过所描述的组件来实现所述芯部的大面积的电接触。此外，由于归因于提供两个镜层因而更高的反射度是可能的，因此实现大的反射度。
取决于所选择的实施例，所述第一镜层的反射度可以小于所述第二镜层的反射度。此外，归因于所选择的组件因而紧凑的构造是可能的。
在进一步的实施例中，在所述载体中提供以导电方式连接到所述第一接触层的电通过接触。以此方式，实现所述第一接触层通过所述载体的简单电接触。
在进一步的实施例中，所述第一接触层与邻接所述芯部的有源区层的第一部分层接触。因此使得在高电流流动的情况下的低表面电流成为可能。
在进一步的实施例中，所述有源区层沿着纵向轴以封套的形式包围所述芯部。以此方式，在小的面积要求的情况下提供大的面积的区层。因此实现电磁辐射的高功率密度。
在进一步的实施例中，所述第二接触层侧向地接触相对于圆柱类型结构的外侧上的有源区。以此方式，使得所述有源区层的外侧的简单电接触成为可能。
在进一步的实施例中，采用具有多个层的层序列的形式来形成所述镜层。以此方式可以实现大的反射度。
所描述的阵列具有提供用于生成电磁辐射的多个组件的优点，其中，至少两个组件可以被彼此独立供给有电流。以此方式，例如，阵列的光功率、阵列的色彩和/或阵列的色彩区域可以被单独地控制。
在阵列的一个实施例中，为所述第一接触层和/或所述第二接触层提供采用导体条带的形式形成的多个接触层。此外，提供被彼此独立地形成的多个导体条带。以此方式，阵列的组件的部分组的单独激励是可能的。
在进一步的实施例中，所述导体条带特别是在载体中被一个在另一个之上地布置在各个水平面上。以此方式使得导体条带的节省空间的组件成为可能。
所描述的方法具有可以简单并且成本有效地生产组件的优点。在用于生产组件的方法的进一步的实施例中，首先生产至少包括芯部的中间产品。随后，将中间产品应用于载体，并且完成组件。以此方式，在组件的生产中或在阵列的生产中提供高水平的灵活性。取决于所选择的实施例，所述中间产品可以包括芯部并且还有有源区层这两者。因此可以优化地选择用于生产芯部和区层的处理。此外，被不同地构造和/或构形的芯部可以在载体上彼此组合。
附图说明
将基于以下各图更详细地解释本发明的实施例和示例。在各图中：
图1示出组件的第一实施例的示意性图解，
图2示出组件的第二实施例的示意性图解，
图3示出组件的第三实施例的示意性图解，
图4示出组件的第四实施例的示意性图解，
图5示出组件的可能的阵列的示意性图解，
图6示出阵列的进一步的实施例，
图7示出阵列的第三实施例，
图8示出阵列的第四实施例，
图9示出阵列的第五实施例，
图10示出阵列的第六实施例，
图11示出阵列的第七实施例，
图12示出阵列的第八实施例，
图13示出导体迹线的示意性图解，
图14示出导体迹线的进一步的实施例的示意性图解，
图15示出阵列的进一步的实施例的图解，
图16示出阵列的进一步的实施例的图解，
图17示出阵列的进一步的实施例，
图18示出阵列的进一步的实施例，
图19示出阵列的进一步的实施例，
图20示出通过生长衬底的示意性横截面，
图21示出中间产品，以及
图22示出载体。
具体实施方式
拉长形结构被理解为至少是高度如其宽度那样（特别是比其宽度更高）的结构。结构可以是圆柱的、锥形的、立方形的，或者也可以具有其它形状、横截面或表面结构。
图1在示意性横截面中示出具有被应用到载体2的结构1的组件30。结构1被形成为拉长形，并且具有拉长形芯部3。芯部3具有带有两个端部区域9、10的纵向延伸，其中，第一端部区域9被布置为面朝载体2，并且第二端部区域10被布置为背对载体2。芯部3因此被布置为使其纵向延伸不平行于载体2的平面，而是处于大于0°并且小于180°的角度。例如，芯部3被布置为使其纵向延伸垂直于载体2的平面。芯部3被布置在第一接触层5上。第一接触层5被布置在载体2上。例如，芯部3具有圆柱形状。取决于所选择的实施例，芯部3也可以具有锥形形状。此外，芯部3也可以从载体2开始在横截面中加宽或渐细。
芯部3被有源区层4包围。区层4包围侧向边沿区域以及还有第二端部区域10这两者。第二端部区域10被布置为与第一端部区域9相对。第一端部区域9被布置在第一接触层5上。在所图解的示例性实施例中，与镜层8同时地形成第一接触层5。区层4至少部分地被第二接触层6覆盖，特别是被第二接触层6包围。第一绝缘层7被布置在区层4与第一接触层5之间或者被布置在第一接触层5与第二接触层6之间。区层4和第二接触层6因此不与第一接触层5直接电接触。第一接触层5和第二接触层6被连接到不同的电压电势以对有源区层4进行操作。
至少部分地由导电材料来生产芯部3。特别是，至少芯部3的外部封套区域被形成为导电的。取决于所选择的实施例，可以由导电材料（特别是由半导体材料）来生产整个芯部3。此外，也可以由导电半导体材料来生产有源区层4。区层4表示用于生成电磁辐射的层，并且是例如由具有pn结的半导体材料形成的。取决于所选择的实施例，p侧可以被布置在内侧上并且n侧被布置在外侧上，或者n侧可以被布置在内侧上并且p侧被布置在外侧上。
在所图解的示例性实施例中，例如，由正掺杂的半导体材料来形成芯部3。在该实施例中，以如下这样的方式来形成区层4：p侧置于芯部3上，并且n侧被形成在区层4的外侧上。例如，由电绝缘材料来生产载体2。经由导电镜层8为芯部3供给电流。经由第二接触层6从外侧为区层4供给电流。以此方式，为区层4供给电流以生成电磁辐射。
电磁辐射被镜层8反射，并且被在远离载体2的方向上发射。通过形成二维区层4来提供大面积的区层4。以此方式，可以在小的空间中生成大量的电磁辐射功率。通过提供镜层8的方式，在所限定的方向上发射电磁辐射。
图2示出实质上根据图1的实施例形成的组件30的进一步的实施例，然而，其中第一接触层5并非被形成为镜层。在该实施例中，在第二端部区域10处相对地布置镜层8。在该实施例中，由有源区层4生成的电磁辐射被镜层8在朝向载体5的方向上反射。
取决于所选择的实施例，可以在两侧上形成镜层。例如，在图2的实施例中，可以采用镜层8的形式来附加地形成第一接触层5。在图2的实施例中，镜层8在所图解的实施例中被直接布置在芯部3的第二端部区域10上。因此，在该实施例中，有源区层4仅被应用在芯部3的外侧向表面上。取决于所选择的实施例，有源区层4也可以被布置在芯部3的第二端部区域10上，如所示出那样，并且镜层8可以在第二端部区域10处被形成在区层4的外侧上。然而，在该实施例中，确保区层4对于电磁辐射是透射的。在进一步的实施例中，也可以省略第二端部区域10上的区层4，并且可以直接在芯部3上的第二端部区域10上形成镜层8。
取决于所选择的实施例，可以例如由铝、铟、镓氮化物层形成镜层89，并且可以例如采用DBR镜的形式来形成镜层8。反射度可以大于95%，例如，优选地大于99%。此外，也可以采用介电层的形式来形成镜层，并且可以例如由ZrO2、Al2O3、TiO2、Ta2O5、ZnO、SiO2、Si3N4或HfO2来构造镜层。例如，芯部3可以具有在20nm和50μm之间的范围中的直径。更进一步地，芯部3可以具有在100nm和50μm之间的范围中的直径。此外，取决于所选择的实施例，芯部也可以具有更大的直径。更进一步地，芯部可以具有在1和1000之间的占据区（footprint）对于长度的比率。芯部优选地具有在20和100之间的范围中的宽高比。可以例如由负掺杂的半导体材料来形成芯部3。可以例如由铝、铟和/或镓氮化物结构来形成区层4，其中，提供一个或多个量子阱结构。此外，可以在各量子阱之间提供铝、铟、镓氮化物势垒层。可以形成有源区层，以发射一个或多个波长的电磁辐射。有源区4的外侧可以被正掺杂。取决于所选择的实施例，载体2对于由区层4生成的电磁辐射是透射的。在该实施例中，电磁辐射可以在载体的方向上被发射并且通过载体。
取决于所选择的实施例，其它材料（特别是其它半导体材料）也可以被用于形成有源区层4和/或芯部3。
图1和图2示出组件30，其被设计为生成优选地沿着芯部3的纵向轴发射的电磁辐射。电磁辐射在此情况下可以是窄带的，并且可以表示激光器辐射。在该实施例中，图1和图2示出沿着结构1的纵向轴发射电磁辐射的激光器组件。芯部3可以优选地表示被外延沉积的并且优选地对准的具有在平行于载体2的表面的C水平面上的一个表面的半导体材料。芯部3的C水平面因此分别表示第一端部区域9或第二端部区域10的端部表面。
图3示出通过组件30的进一步的实施例的示意性横截面。第一掩模层11被应用到载体2。例如，由二氧化硅、氮化硅、氧化铪、氧化钛、氧化锆或氧化铊来形成第一掩模层11。开孔12被引入到第一层11中。开孔12优选地向上延伸到载体2。开孔12可以具有在50nm和50μm之间（优选地在500nm和5μm之间）的范围中的直径。取决于想要的结构，采用多边形或圆形的形式来形成开孔12。第二镜层13被布置在开孔12中。第二镜层13例如由交替的铝、铟、镓氮化物层的层序列构成，其中，第二镜层13例如被形成为DBR层（分布式布拉格反射器）。可以在没有实质上的掺杂的情况下形成半导体层。第二镜层13具有例如大于95%（优选地大于99%）的反射度。反射度被理解为入射功率相对于反射功率的比率。
在进一步的实施例中，可以由优选地具有晶体结构的介电层来形成第二镜层13。例如，氧化锆或氧化铪可以被用作用于介电层的材料。
第一接触层5被应用到第二镜层13。第一接触层5优选地仍被布置在开孔12内部。可以例如采用掺杂的半导体层的形式来形成第一接触层5。例如，可以使用负掺杂的或高负掺杂的铝、铟、镓氮化物层。此外，可以替换地或附加地使用采用铟锡氧化物（ITO）的形式的导光透射涂层。接触层14被应用到第一接地层12，该接触层突出到开孔12的区域中，并且被以导电方式连接到第一接触层5的边沿区域。接触层14也可以由掺杂的半导体材料（特别是高掺杂的半导体材料）构成。例如，可以使用负掺杂的镓氮化物或负掺杂的铝-铟-镓氮化物层。接触层14具有第二开孔15，其被布置在第一接触层5之上的区域中，并且延伸通过达到第一接触层5。第一镜层16被布置在第二开孔15中。第二开孔15优选地被居中地布置在第一开孔12之上。可以由与第二镜层13相同的材料来形成第一镜层16。然而，第一镜层16被形成为是导电的，以产生第一接触层5与芯部之间的导电接触。第一镜层16可以同时表示第一接触层。因此，可以省略形成分离的第一接触层，或者第一镜层16承担该功能。
第二掩模层17被应用到接触层14。第二掩模层17具有第三开孔18，其被居中地布置在接触层14的第二开孔15之上。具有被居中地布置在第一镜层16的第二开孔15之上的第四开孔40的第一绝缘层7被应用在第二掩模层18之上。
取决于所选择的实施例，绝缘层7仅覆盖第二掩模层17。在进一步的实施例中，第一绝缘层7也可以被引导到直到接触层14，并且可以至少侧向地覆盖接触层14，如图3中示出那样。
取决于所选择的实施例，也可以省略第一镜层16，并且可以仅提供第二镜层13例如作为导电层。此外，第一接触层5也可以直接邻接芯部3，并且第二镜层13可以邻接第一接触层5。
此外，取决于所选择的实施例，也可以省略第二镜层13，并且可以在有第一接触层5或者没有第一接触层5的情况下仅提供第一镜层16。
芯部3被布置在第一镜层16上。芯部3具有从面朝载体2的第一端部区段9延伸直到背对载体2的第二端部区域10的纵向延伸。在所图解的示例中，侧壁并且还有第二端部区域10两者都被区层4覆盖。
在所图解的示例性实施例中，采用三个部分层19、20、21的形式来形成区层4。第一部分层19被直接应用到芯部3的表面。第一部分层19表示负掺杂的半导体层。表示有源区的第二部分层20被布置在第一部分层19上。至少一个量子阱被形成在有源区中。第三部分层21被布置在第二部分层20上。第三部分层21表示正掺杂的半导体层。取决于所选择的实施例，第一部分层19也可以是正掺杂的，并且第三部分层21可以是负掺杂的。在该实施例中，然后还由正掺杂的半导体材料来形成芯部3。由于沉积方法的原因，与在第二端部区域10的区域中相比，第一部分层19、第二部分层20和第三部分层21的层厚度可以沿着芯部3的侧壁而更大。
表示第三接触层22的正掺杂的半导体层被应用到第三部分层21。第四接触层23被侧向地布置在第三接触层22上。可以以沿着芯部3的纵向延伸而在芯部3中发生波引导这样的方式来形成区层4。芯部3的外侧24可以表示晶体结构的非极性的侧向表面。以此方式，有源区（即第二部分层20）的厚度可以被形成为更大。可以因此生成更大的电磁功率密度。
第三部分层21可以被形成为波导层，特别是形成为电子阻挡层（EBL）。此外，中间层（p镀制）可以被形成在第三接触层22与第三部分层21之间。在所图解的实施例中，只有第二端部区域10被经由第一镜层16电接触。取决于所选择的实施例，接触层14也可以直接邻接并且电接触第一部分层19。例如，可以由透明导电氧化物（TCO）（例如铟锡氧化物）形成第三接触层22。第三接触层22在功能上与图1和图2的实施例的第二接触层6对应。第四接触层23可以被形成为金属层，例如，并且被用于电接触组件30的第三接触层22。
取决于所选择的实施例，也可以在组件的第二端部区域10中提供镜层8。镜层8可以被直接被布置在芯部3上或被布置在有源区层4的外侧上。此外，与第一镜层16和/或第二镜层13相比，镜层8可以具有更低的反射度。
图4示出实质上根据图3的实施例设计的组件30的进一步的实施例。然而，与图3的实施例对比，接触层14被经由层11和载体2中的通过接触24向下导引。以此方式，可以从下侧电接触第一接触层5。
可以例如由对于电磁辐射透射的材料来形成第四接触层23。在进一步的实施例中，也可以由对于电磁辐射不透射的材料来形成第四接触层23。在该实施例中，第四接触层23可以例如仅被形成为小的环形，其相对于绝缘层7仅具有的低的高度。如果由对于电磁辐射透射的材料来形成接触层23，则可以利用第四接触层23来覆盖第三接触层22的几乎整个侧向表面。
取决于所选择的实施例，也可以在组件的第二端部区域10中提供镜层8。镜层8可以被直接布置在芯部3上或者被布置在有源区层4的外侧上。此外，镜层8可以具有比第一镜层16和/或第二镜层13更低的反射度。
图5示出其上提供有各个组件30的载体2的示意性图解。例如，根据图1至图4设计组件30。各组件30具有不同的高度、不同的厚度以及不同的占据区。在图5中示出具有六边形占据区和圆形占据区的组件30。在图5的图解中并未指定关于形成组件30的细节。
图6示出具有可以根据图1至图4的实施例设计的多个组件30的阵列25的示意性图解。在所图解的实施例中，组件30被布置得类似行26、27、28和列41、42、43中的栅格网络。取决于所选择的实施例，组件30也可以以任何任意的其它图案来被布置在载体2上。例如，生成具有相同波长谱（特别是具有相同波长焦点，特别是具有相同色彩）的电磁辐射的组件30可以被布置在行26中。此外，相邻的行26可以具有发射具有不同波长（特别是具有不同色彩）的电磁辐射的组件。例如，行26、27、28的组件30的每个可以发射具有红色色彩或绿色色彩或蓝色色彩或黄色色彩或青色色彩的光。
取决于所选择的实施例，也可以在斜向布置的行中或者在区域中块挨块地提供具有相同波长谱的组件30。取决于应用，组件30的各个区域或组可以发射相同或不同的波长。
图7示出阵列25的示意性图解，其中，具有相同波长谱的组件30被布置在斜向行26、27、28中，即在斜向行的每个组件中发射相同波长谱。
图8示出具有多个组件30的进一步的阵列25。在该实施例中，提供区域31、32、33，其中布置有发射具有相同波长分布（特别是具有相同波长，即色彩）的电磁辐射的组件30。因此，具有不同波长谱（即不同色彩）的区域被布置在阵列25上。阵列可以具有多个组件30。例如，组件30被划分为三个组。第一组生成具有绿色色彩的光。第二组生成具有红色色彩的光，并且第三组生成具有蓝色色彩的光。对于均匀色彩比例而言，由于用于生成绿色光的组件30的效率小于生成蓝色光或红色光的组件30的效率，因此提供更多的生成绿色光的组件30。以此方式，可以通过不同的组件的数目的方式来执行在效率上并且因此在色彩分布上的均衡。
图9示出阵列25的进一步的实施例，其中，组件30被布置在行26、27、28和列41、42、43中。第一行26的组件30发射在红色范围内的光。第二行27的组件30发射在绿色色彩范围内的光。第三行28的组件30发射在蓝色色彩范围内的光。组件30被布置在绝缘载体2上。导体条带34被布置为垂直于行26、27、28的排列线（alignment）。导体条带34表示用于第一接触层5或第二接触层6的电接触。未明确示出其它接触层的电接触。经由导体条带34为组件30的所有第一接触供给电流。借助单个进一步的接触层为组件30的第二接触供给电流。因此针对组件30的单独的列41、42、43提供电激励。
取决于所选择的实施例，导体条带34也可以被布置为与行26、27、28平行，如图10所示。借助于该组件，可以通过单独的导体条带34的对应激励来激励阵列25的各单独的色彩。图11示出实质上根据图10的阵列所设计的阵列25的进一步的实施例。各组件30在该组件中也被布置在行26、27、28和列41、42、43中。在每个行26、27、28中，提供组件30，其发射具有相同波长谱（特别是具有相同色彩）的电磁辐射。在该实施例中，借助于导体迹线34为行26、27、28的所有组件30电供给电流。与图10的实施例对比，提供通过接触24，其将导体迹线34连接到组件30的相应的电接触。以此方式，导体迹线34可以被布置在载体2的下侧上。取决于所选择的实施例，导体条带34也可以被布置在载体2中。优选地把与用于导体条带34的导电材料相同的导电材料用于电通过接触24。图12的图解中未明确示出组件30的第二电接触的接触。
图12示出进一步的实施例，其中导体条带34被形成得更宽，并且每个导体条带34对多个组件30供给电流。导体条带34的组件30可以发射具有相同或不同波长的电磁辐射。因此使得组件30的逐块激励成为可能。取决于所选择的实施例，可以经由导体条带34接触具有相同波长谱或具有不同波长谱的组件30。此外，也可以经由导体条带34接触组件30的区域31、32、33，其中区域31、32、33的组件30发射相同波长谱。不同区域31、32、33的组件30发射不同的波长谱。取决于所选择的实施例，导体条带34可以被布置在载体2上，如图12中示意性地示出那样。
此外，导体条带34也可以被形成在载体的下侧上或载体2中，并且可以经由通过接触24通过载体2而被导引到组件30。此外，导体条带34可以被一个在另一个之上地布置在各个水平面上，以使得单独对各单独的组件30或组件30的组寻址成为可能。电绝缘层35被布置在导体条带34的各水平面之间，如图13中示意性地示出那样。此外，导体条带34可以具有不同的面积和几何形状，如图14中示出那样。
图15示出实质上根据图9的阵列所设计的阵列25，其中利用另一绝缘层36附加地覆盖组件30。介电层（例如氧化铝、二氧化硅、氧化锆、氧化钛、氮化硅、氧化钽、聚合物、光致抗蚀剂、旋转涂布spin-on玻璃等或其组合）可以被用作绝缘层36。此外，进一步的金属化37被应用到另一层36上或被引入到另一层36中，以对组件30供给用于第二接触层的电流。由优选地对于组件30的电磁辐射透射的材料来制成绝缘层36。取决于所选择的实施例，组件30也可以突出从而第二端部区域10在绝缘层36之外。进一步的金属化37可以采用沿着组件30的行26、27、28的进一步的导体条带的形式而被布置，并且可以侧向地电接触组件30的第三接触层22。借助于导体条带34和进一步的导体条带37的交叉的布置，各单独的组件30是可单独地电激励的。
图16示出实质上根据图15的实施例所设计的阵列25的进一步的实施例。与图15的实施例对比，不提供在第三接触层22上电接触所有组件30的完整区域的金属化37。金属化37被形成在各组件30的第二端部区域10上或被形成在各组件30之间。优选地由对于组件30的电磁辐射透射的材料来制成金属化37。
图17示出阵列25的进一步的实施例，其实质上与图15的组件对应，然而，其中，导体条带34被布置在载体的下侧上，并且被经由通过接触24导引到组件30的第一接触层5。导体条带34被布置为平行于组件30的行31、32、33。采用进一步的导体条带的形式所形成的金属化37也被布置为平行于导体条带34。在该布置中可以对单独的行的每个进行激励。这是因为进一步的导体条带38和导体条带34被布置为平行于彼此而实现的。
图18示出实质上与图17的组件对应的进一步的实施例，然而，其中，金属化37和导体条带34被布置为彼此成直角。因此可以通过导体条带34和进一步的导体条带38的对应的电流供给来激励各单独的组件30。导体条带34被布置为垂直于行31、32、33。
图19示出实质上与图18的组件对应的进一步的实施例。与图18对比，经由被布置在衬底的上侧上并且侧向地接触组件30的进一步的导体条带38来电接触组件的各行。进一步的导体条带38被布置为垂直于导体条带34。在该实施例中省略绝缘层35。例如，借助于MOVPE方法，组件30可以被外延生长在衬底上作为载体。对应的前体被用于此目的，以沉积芯部3和区层4。
在进一步的实施例中，可以根据将基于图20至图22解释的方法来生产组件30。在该方法中，掩模层45被应用到生长衬底44。生长衬底44具有晶体结构。掩模层45具有进一步的开孔46。例如，如图20中示出那样，借助于MOVPE方法，在生长衬底44上将芯部3外延生长在进一步的开孔46中。芯部3表示中间产品。取决于所选择的实施例，除了芯部3之外，区层4也可以被应用到芯部3。在以下方法步骤中，芯部3与生长衬底44分开。图21中示出该方法状态。随后，芯部3被应用到在图22中示出载体2。载体2具有带有其中布置有镜层8的开孔12的第一掩模层11。镜层8可以同时表示第一接触层5。然而，也可以提供分离的第一接触层5和/或第二镜层，如基于图1至图4解释的那样。
芯部3被插入到开孔12中，并且被固定于载体2。此外，第二镜层优选地被应用到芯部3的自由的第二端部10。随后，如已经解释那样，导电接触被附接到组件10。如果仅芯部3被用作为随后固定于载体2上的中间产品，则有源区层4因此被沉积在载体2上的芯部3上。为此目的，载体2被引入到沉积设施中。此外，对应的第二镜层也可以被应用到芯部3的第二端部区域10。
被应用到载体2的芯部或具有区层4的芯部在构造上（即在结构、材料、几何形状或区层4上），特别是在由区层4生成的电磁辐射上可以不同。载体2因此可以被相应地根据所发射的电磁辐射的想要的功率和想要的波长谱而装配有不同的组件。
此外，借助于所描述的方法，虽然芯部3具有被假定为来自生长衬底40的晶体结构，但是可以使用成本有效的载体2。晶体结构确保芯部3的层结构和/或区层4的层结构的良好质量。特别是，避免了瑕疵和/或晶体缺陷。虽然使用成本有效的载体2，但是借助于所描述的方法，可以因此提供具有高质量组件30的阵列。
借助于所描述的组件30，例如，成本有效地生产可以在要求小的空间的情况下提供高电磁辐射密度的激光器二极管。通过使用纳米结构来确保所沉积的（特别是外延沉积的）半导体材料的高质量。因此改进了激光器二极管的电学性质和光学性质。通过使用外延沉积的第一镜层16的方式，可以预先限定想要的半导体晶体结构。在芯部3和/或区层4的外延沉积期间，也假设这种晶体结构。
更进一步地，如果使用仅一个第二镜层以及被应用于其上的第一接触层5，则还可以实现晶体信息。在该实施例中，因为薄的第一接触层5，所以晶体信息被第二镜层13预先限定并且在外延沉积期间被传递到芯部3。
标号列表
1 结构
2 载体
3 芯部
4 区层
5 第一接触层
6 第二接触层
7 绝缘层
8 镜层
9 第一端部区域
10 第二端部区域
11 第一掩模层
12 开孔
13 第二镜层
14 接触层
15 第二开孔
16 第一镜层
17 第二掩模层
18 第三开孔
19 第一部分层
20 第二部分层
21 第三部分层
22 接触层
23 接触层
24 通过接触
25 阵列
26 第一行
27 第二行
28 第三行
30 组件
31 第一区域
32 第二区域
33 第三区域
34 导体条带
35 绝缘层
36 进一步的层
37 金属化
40 第四开孔
41 第一列
42 第二列
43 第三列
44 生长衬底
45 掩模层
46 进一步的开孔

Claims (18)

1.一种发光组件（30），具有载体（2），其中，具有芯部（3）的结构（1）被形成在所述载体（2）上，其中，所述芯部（3）具有带有两个端部区域（9、10）的纵向延伸，其中，第一端部区域（9）被布置为面朝所述载体（2），并且第二端部区域（10）被布置为背对所述载体（2），其中，所述芯部（3）被形成为至少在外部区域中导电，其中，所述外部区域被至少部分地由有源区层（4）覆盖，其中，所述有源区层（4）被设计为生成电磁辐射，其中，至少在所述芯部（3）的一个端部区域（9、10）中提供镜层（8；13；16），以在一方向上反射电磁辐射，其中，提供接触所述芯部（3）的导电区域的第一接触层（5），其中，提供接触所述有源区层（4）的另一接触层（22），
其中，所述镜层具有导电的第一镜层（16），其被布置在所述芯部（3）的第一端部区域（9）上，其中，所述第一接触层（5）被应用到所述第一镜层（16），以及
其中，第二镜层（13）被应用到所述第一接触层（5），并且其中，所述第二镜层（13）被设计为是电绝缘的，并且其中，所述第一镜层具有比所述第二镜层更低的反射度。
2.如权利要求1所述的发光组件，其中，在所述有源区层（4）与所述第一接触层（5）之间和/或在所述第一接触层（5）与所述另一接触层（22）之间提供绝缘层（7）。
3.如前述权利要求1至2中的任一项所述的发光组件，其中，所述镜层（8；13；16）具有第三镜层（8），在所述芯部（3）的第一端部区域（9）上提供面朝所述载体的所述第三镜层（8），并且/或者其中，在所述芯部（3）的第二端部区域（10）上提供背对所述载体（2）的所述第三镜层（8），并且其中，所述电磁辐射的反射的方向被布置为沿着所述芯部（3）的纵向轴。
4.如权利要求3所述的发光组件，其中，所述第三镜层（8）被直接应用到所述芯部或覆盖所述芯部（3）的所述第二端部区域（10）的所述有源区层（4）。
5.如前述权利要求1至2中的任一项所述的发光组件，其中，所述第一镜层（16）和第三镜层（8）被设计为是导电的。
6.如权利要求5所述的发光组件，其中，所述第一镜层（16）和第三镜层（8）表示用于所述芯部（3）的电接触的接触层。
7.如前述权利要求1至2中的任一项所述的发光组件，其中，在所述载体（2）中提供电通过接触（24），其中，所述通过接触（24）被以导电方式连接到所述第一接触层（5）。
8.如前述权利要求1至2中的任一项所述的发光组件，其中，所述第一接触层（5）与邻接所述芯部（3）的所述有源区层（4）的第一部分层（19）接触。
9.如前述权利要求1至2中的任一项所述的发光组件，其中，所述有源区层（4）沿着纵向轴采用封套的形式包围所述芯部（3）。
10.如前述权利要求1至2中的任一项所述的发光组件，其中，所述另一接触层（22）侧向地接触所述有源区层（4）。
11.如前述权利要求1至2中的任一项所述的发光组件，其中，采用层序列的形式来形成所述第一镜层（16）和第二镜层（13）。
12.一种具有多个如在前述权利要求中的任一项所述的发光组件（30）的阵列（25），其中，至少两个组件（30）的第一接触层（5）和/或另一接触层（22）被彼此独立地形成，并且所述两个组件能够被分离地并且彼此独立地被供给电流，以生成电磁辐射。
13.如权利要求12所述的阵列，其中，采用导体条带（34，37）的形式来形成多个组件（30）的所述第一接触层（5）和/或所述另一接触层（22），并且其中，提供彼此分离的多个导体条带（34，37）。
14.如权利要求13所述的阵列，其中，所述导体条带（34、37）被一个在另一个之上地布置在各个水平面上。
15.一种用于生产如权利要求1至11中的任一项所述的发光组件的方法。
16.如权利要求15所述的方法，其中，首先在生长衬底上生产中间产品，其中，所述中间产品至少包括所述芯部，其中，所述中间产品被从所述生长衬底移除并且被应用到载体，并且完成所述发光组件。
17.如权利要求16所述的方法，其中，所述中间产品具有所述芯部和所述有源区层。
18.如权利要求16或17中的任一项所述的方法，其中，所述载体具有掩模层，其中，所述掩模层具有开孔，其中，在所述开孔中提供镜层和/或第一接触层，并且其中，所述中间产品被以第一端部区域插入到所述开孔中，并且被固定于所述载体。
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