CN105247408B - 液晶面板和绝缘膜的槽部形成方法 - Google Patents

液晶面板和绝缘膜的槽部形成方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种液晶面板和绝缘膜的槽部形成方法，其能够防止污染成分从外部通过在基板上形成的绝缘膜进入液晶层。在第一玻璃基板(1)和第二玻璃基板(2)之间的第二玻璃基板(2)侧设有液晶层(4)，在第一玻璃基板(1)的液晶层(4)侧的表面上依次形成有第一绝缘膜(11)和第二绝缘膜(19)，液晶层(4)的外缘部由密封材料(3)包围，多个TFT由于第一绝缘膜(11)和第二绝缘膜(19)而彼此绝缘。第二绝缘膜(19)所包含的栅极绝缘膜(12)对气体和/或液体的阻挡性高于第一绝缘膜(11)，在比第二绝缘膜(19)与密封材料(3)重叠的位置靠内侧的第二绝缘膜(19)的周缘部的一部分或全部，设有具有底部(19b)的槽部(19a)，该底部(19b)由与形成TFT的材料的一部分相同的材料形成。

Description

液晶面板和绝缘膜的槽部形成方法
技术领域
本发明涉及液晶面板和绝缘膜的槽部形成方法，所述液晶面板在两个对置的基板之间设有由密封材料包围的液晶层和使多个薄膜晶体管绝缘的两个绝缘膜，尤其涉及在液晶层侧的绝缘膜的一部分或全部形成有槽部的液晶面板和绝缘膜的槽部形成方法。
背景技术
近年来，在显示影像和图像的装置的显示部中，广泛采用使用了TFT(Thin FilmTransistor：薄膜晶体管)等开关元件的有源矩阵型液晶显示面板。在这样的显示面板中，利用形成在基板上的绝缘膜使多个TFT彼此绝缘，并且利用纵横配线的数据信号线和扫描信号线分别对这些TFT供给数据信号和扫描信号。
数据信号线和扫描信号线彼此不重叠地被绝缘膜绝缘，该绝缘膜的膜厚小时，在这些信号线的交叉部形成的寄生电容引起信号的延迟，这成为利用TFT进行图像显示时画质下降的一个因素。
因此，在专利文献1中公开了一种有源矩阵基板，其中，使信号配线(数据信号线)和扫描配线(扫描信号线)之间绝缘的第一层间绝缘膜的膜厚大于使栅极电极绝缘的栅极绝缘膜，优选的是，例如由SOG(Spin On Glass：旋涂式玻璃)材料形成第一层间绝缘膜。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本专利第4916461号公报
发明内容
发明要解決的课题
但是，在例如由SOG材料形成使数据信号线和扫描信号线之间绝缘的第一绝缘膜，并在该第一绝缘膜上的液晶层侧形成了局部缺损的第二绝缘膜的情况下，外部空气等所含有的污染成分穿过第一绝缘膜从第二绝缘膜的缺损部进入液晶层而产生显示不良的问题。可以认为，该问题源于第一绝缘膜对气体和/或液体的阻挡性比较低。
本发明鉴于上述情况而提出，其目的在于提供能够防止污染成分从外部通过在基板上形成的绝缘膜进入液晶层的液晶面板和绝缘膜的槽部形成方法。
用于解决课题的手段
本发明的液晶面板，包括：第一基板和与该第一基板对置的第二基板，在所述第一基板的第二基板侧形成的第一绝缘膜，在该第一绝缘膜的所述第二基板侧形成且包含多个膜的第二绝缘膜，设置在该第二绝缘膜和所述第二基板之间的液晶层，包围该液晶层的外缘部的密封材料，以及由于所述第一绝缘膜和第二绝缘膜而绝缘的多个薄膜晶体管；所述液晶面板的特征在于，所述第二绝缘膜在比与所述密封材料重叠的位置靠内侧的周缘部的一部分或全部形成有槽部，并且所述第一绝缘膜侧的膜的对气体和/或液体的阻挡性比所述第一绝缘膜高，所述槽部具有底部，所述底部由与形成所述薄膜晶体管的材料的一部分相同的材料形成，所述第一绝缘膜包含旋涂式玻璃(SOG)材料。
本发明的液晶面板，包括：第一基板和与该第一基板对置的第二基板，在所述第一基板的第二基板侧形成的第一绝缘膜，在该第一绝缘膜的所述第二基板侧形成且包含多个膜的第二绝缘膜，设置在该第二绝缘膜和所述第二基板之间的液晶层，包围该液晶层的外缘部的密封材料，以及由于所述第一和第二绝缘膜而绝缘的多个薄膜晶体管；所述液晶面板的特征在于，所述第二绝缘膜在比与所述密封材料重叠的位置靠内侧的周缘部的一部分或全部形成有槽部，并且所述第一绝缘膜侧的膜的对气体和/或液体的阻挡性比所述第一绝缘膜高，所述槽部具有底部，所述底部由与形成所述薄膜晶体管的材料的一部分相同的材料形成，所述第二绝缘膜包含：栅极绝缘膜，其形成在所述第一绝缘膜侧，使所述薄膜晶体管的栅极电极和半导体层之间绝缘；以及钝化膜和/或有机绝缘膜，其形成在所述液晶层侧，覆盖所述薄膜晶体管的所述半导体层和源极电极。
本发明的液晶面板，其特征在于，所述栅极绝缘膜包含氮化硅(SiNx)、二氧化硅(SiO2)和氮氧化硅(SiON)中的至少一种。
本发明的液晶面板，其特征在于，所述底部由与形成所述半导体层的材料相同的材料形成。
本发明的液晶面板，其特征在于，所述底部由与形成所述源极电极的材料相同的材料形成。
本发明的绝缘膜的槽部形成方法，是在液晶面板中的第二绝缘膜的液晶层侧形成所述槽部的方法，所述液晶面板包括：第一基板和与该第一基板对置的第二基板，在所述第一基板的第二基板侧形成的第一绝缘膜，在该第一绝缘膜的所述第二基板侧形成且包含多个膜的第二绝缘膜，设置在该第二绝缘膜和所述第二基板之间的液晶层，包围该液晶层的外缘部的密封材料，以及由于所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜而绝缘的多个薄膜晶体管；所述绝缘膜的槽部形成方法的特征在于，在形成所述薄膜晶体管的多道工序中的一部分工序中，在所述第二绝缘膜的比与所述密封材料重叠的位置靠内侧的周缘部的一部分或全部所对应的位置，形成蚀刻选择比高于所述第二绝缘膜的蚀刻阻止膜，在所述第二绝缘膜形成后，对所述周缘部的一部分或全部进行干蚀刻，以从与所述液晶层对置的一侧形成所述槽部。
发明的效果
根据本发明，即使在基板上形成的第一绝缘膜的外缘部与外部空气接触的状态下，也能够利用比槽部的底部靠下侧形成的第二绝缘膜的最下层膜的阻挡性，切断从外部空气通过第一绝缘膜的外缘部和膜内并经由第二绝缘膜的槽部到达液晶层的污染成分的进入路径。
因此，能够防止污染成分通过基板上形成的绝缘膜从外部进入液晶层。
附图说明
图1是示意地表示本发明第一实施方式的液晶面板结构的剖视图。
图2是表示与图1的剖面正交的剖面的液晶面板的局部剖视图。
图3是示意地表示本发明第二实施方式的液晶面板结构的剖视图。
图4是示意地表示本发明第三实施方式的液晶面板结构的剖视图。
具体实施方式
以下，对本发明，基于表示其实施方式的附图进行详细说明。
(第一实施方式)
图1是示意地表示本发明第一实施方式的液晶面板结构的剖视图。液晶面板通过在矩形状的第一玻璃基板(相当于第一基板)1和第二玻璃基板(相当于第二基板)2之间安装外缘部被密封材料3包围的液晶层4而构成。
在第一玻璃基板1的液晶层4侧的一个表面上，沿图1的横向形成有数据信号线51，该数据信号线51用于向与多个像素分别对应的未图示的TFT(相当于薄膜晶体管)的源极电极供给数据信号。数据信号线51例如可通过对利用溅射法成膜的铝等金属形成的膜进行图案化而得到。另外，在第一玻璃基板1的一个表面上，第一绝缘膜11覆盖数据信号线51而形成，该第一绝缘膜11由SOG(旋涂式玻璃)材料形成，其外缘部露出在外部空气中。
在第一绝缘膜11上，例如通过CVD(Chemical Vapor Deposition：化学气相沉积)法依次形成有由氮化硅(SiNx)形成的栅极绝缘膜12和钝化膜13。栅极绝缘膜12也可以包含氮化硅、二氧化硅(SiO2)和氮氧化硅(SiON)中的至少一种。
在钝化膜13上，例如通过涂布丙烯类有机树脂材料并使之固化，形成有有机绝缘膜14。在第一实施方式中，第二绝缘膜19由栅极绝缘膜12、钝化膜13和有机绝缘膜14构成。也可以省略钝化膜13和有机绝缘膜14中的任一种的形成。
在比第二绝缘膜19与密封材料3重叠的位置(图1所示的两条虚线所夹的区域)靠内侧的第二绝缘膜19的周缘部的一部分或全部，例如通过干蚀刻形成有槽部19a。槽部19a具有形成在栅极绝缘膜12上的底部19b。在槽部19a中填满了液晶层4所包含的液晶。在第二绝缘膜19的部分外缘部，通过溅射法形成有与后述的对置电极53连接的透明电极52。
在第二玻璃基板2的液晶层4侧的一个表面上，形成有对应于每个像素配置了RGB3色的着色层的彩色滤光片21。在彩色滤光片21上，形成有利用溅射法成膜的ITO(IndiumTin Oxide：氧化铟锡)膜构成的对置电极53，该对置电极53与像素电极(未图示)隔着液晶层4相对置，该像素电极在第一玻璃基板1的有机绝缘膜14上与像素对应地形成。
在第一玻璃基板1的有机绝缘膜14上以及第二玻璃基板2的对置电极53上，例如通过涂布聚酰亚胺类树脂而分别形成有取向膜41、41。在有机绝缘膜14上涂布聚酰亚胺类树脂的工序中，槽部19a阻挡聚酰亚胺类树脂的流动，使得取向膜41不会形成在比槽部19a靠外周侧的位置。
接下来，说明利用第一绝缘膜11和第二绝缘膜19彼此绝缘的多个TFT的结构。
图2是表示与图1的剖面正交的剖面的液晶面板局部剖视图。在图2中示出了多个TFT中的一个TFT及其周边部的结构。在第一绝缘膜11中，通过该第一绝缘膜11成膜后的图案化，形成有接触孔59。在第一绝缘膜11上，例如通过对利用溅射法成膜的铝等金属形成的膜进行图案化，形成有TFT的栅极电极54。
用于向栅极电极54供给扫描信号的未图示的扫描信号线通过与形成栅极电极54的工序同一的工序形成在与数据信号线51交叉的方向上。栅极电极54和扫描信号线被栅极绝缘膜12覆盖。接触孔59内的栅极绝缘膜12通过图案化而被除去。
在栅极绝缘膜12上的与栅极电极54对应的位置，例如通过对利用CVD法连续成膜的非晶硅(a-Si)和n+非晶硅(n+a-Si)的膜进行图案化，形成有半导体层61、62。当这些半导体层61、62被图案化时，接触孔59内的非晶硅被除去。在本第一实施方式中，上述底部19b由阻止膜61b形成，该阻止膜61b通过与形成半导体层61、62的工序同一的工序由与半导体层61、62相同的材料形成。
在半导体层62上，例如通过对利用溅射法成膜的铝等金属形成的膜进行图案化，形成有源极电极55和漏极电极56。源极电极55在接触孔59的底部与数据信号线51连接。在与源极电极55和漏极电极56所夹的区域重叠的位置，半导体层62例如通过干蚀刻而被除去。半导体层61、源极电极55和漏极电极56被钝化膜13覆盖。
TFT包含栅极电极54、栅极绝缘膜12、半导体层61、62、源极电极55和漏极电极56。在有机绝缘膜14上的不与TFT对应的位置，通过对利用溅射法成膜的ITO膜进行图案化，形成有像素电极57。像素电极57被取向膜41覆盖，通过未图示的接触孔与漏极电极56连接。
上述SOG材料，是指能够通过旋转式涂布、狭缝式涂布等涂布方法形成玻璃膜(石英类皮膜)的材料。SOG材料的相对介电常数低，且易于形成厚膜。因此，通过由SOG材料将第一绝缘膜11的膜厚形成得厚，能够有效地削减在隔着第一绝缘膜11交叉的数据信号线51和扫描信号线的交叉部形成的寄生电容，并且能够防止介于数据信号线51和扫描信号线之间的异物造成的信号漏泄。此外，为了减轻通过干蚀刻对由SOG材料成膜的第一绝缘膜11进行加工时的副生成物(粉尘)的产生，第一绝缘膜11形成到第一玻璃基板1的周缘部而削减蚀刻面积。
第一绝缘膜11通过将溶于溶剂并涂布的SOG材料进行烧成而形成。与此相对，在形成栅极绝缘膜12和钝化膜13的CVD法中，硅类的膜材料用气体供给，在气相中利用基体表面的化学反应进行成膜。因此，一般来说，与由SOG材料形成的膜相比，使用CVD法形成的硅化合物形成的膜更为致密，对气体和/或液体的阻挡性(例如，气体阻挡性、水蒸气阻挡性、对溶解于水的离子的阻挡性等)优异。
但是，对在形成槽部19a的工序中使用的干蚀刻等蚀刻法而言，TFT的半导体层61、62所包含的非晶硅的蚀刻选择比高于第二绝缘膜19所包含的硅化合物和有机树脂材料的蚀刻选择比。因此，在要成为槽部19a的底部19b的位置，通过与形成TFT的半导体层61、62的工序同一的工序，由与半导体层61、62相同的材料形成阻止膜61b，由此，能够在蚀刻要形成槽部19a的位置时利用阻止膜61b阻止蚀刻，形成具有底部19b的槽部19a。
在以上的结构中，如果在没有形成阻止膜61b的状态下进行了用于形成槽部19a的蚀刻，会导致第二绝缘膜19被贯通，在这种情况下，可能某些污染成分从外部进入，该污染成分的进入路径为：从露出在外部空气中的第一绝缘膜11的外缘部，通过膜内并经由槽部19a到达液晶层4。在本第一实施方式中，利用由阻止膜61b形成的底部19b阻止蚀刻，使栅极绝缘膜12得以保留，因此，上述路径由于保留在比底部19b靠下侧位置的栅极绝缘膜12对气体和/或液体的阻挡性而被切断。
如上所述，通过本第一实施方式，在第一玻璃基板1和第二玻璃基板2之间的第二玻璃基板2侧设有液晶层4，在第一玻璃基板1的液晶层4侧的表面上依次形成有第一绝缘膜11和包含多个膜的第二绝缘膜19，液晶层4的外缘部由密封材料3包围，多个TFT(薄膜晶体管)由于第一绝缘膜11和第二绝缘膜19而彼此绝缘。第二绝缘膜19所包含的栅极绝缘膜12对气体和/或液体的阻挡性高于第一绝缘膜11，在比第二绝缘膜19与密封材料3重叠的位置靠内侧的第二绝缘膜19的周缘部的一部分或全部，设有具有底部19b的槽部19a，该底部19b通过与形成TFT的工序同一的工序由与TFT的一部分相同的材料形成。该槽部19a阻挡在第二绝缘膜19上涂布取向膜41的材料时的材料流动。
由此，即使在第一玻璃基板1上形成的第一绝缘膜11的外缘部与外部空气接触的状态下，从外部空气通过第一绝缘膜11的外缘部和膜内并经由栅极绝缘膜12和槽部19a的底部19b到达液晶层4这样的污染成分的进入路径，由于形成在比槽部19a的底部19b靠下侧的栅极绝缘膜12的阻挡性而被切断。
因此，能够防止污染成分通过在基板上形成的绝缘膜从外部进入液晶层4。
另外，在进行含有多个膜的第二绝缘膜19中形成槽部19a的工序之前，在形成TFT的多道工序中的一部分工序中，在比第二绝缘膜19与密封材料3重叠的位置靠内侧的第二绝缘膜19的周缘部的一部分或全部所对应的位置，事先形成蚀刻选择比高于第二绝缘膜19的阻止膜61b，在第二绝缘膜19成膜后进行干蚀刻，以在所述周缘部的一部分或全部形成槽部19a。在这种情况下，由于第二绝缘膜19的材料和阻止膜61b的材料的蚀刻选择比不同，所以干蚀刻被阻止膜61b阻止。
因此，在将第二绝缘膜19的一部分膜保留在阻止膜61b下侧的状态下，能够形成将阻止膜61b作为底部19b的槽部19a。
另外，通过与形成TFT的半导体层61、62的工序同一的工序，由与半导体层61、62相同的材料形成要成为第二绝缘膜19的槽部19a的底部19b的阻止膜61b。
因此，无需设计特别的追加工序，利用由与半导体层61、62的材料相同的材料形成的阻止膜61b，就能够在形成槽部19a时保留栅极绝缘膜12。
(第二实施方式)
在第一实施方式中由与半导体层61、62的材料相同的材料形成了作为槽部19a的底部19b的阻止膜61b，而在第二实施方式中，由与TFT的源极电极55相同的材料形成阻止膜55b。
图3是示意地表示本发明第二实施方式的液晶面板结构的剖视图。
在通过与形成半导体层61、62的工序同一的工序形成的阻止膜61b上，通过与形成源极电极55的工序同一的工序形成阻止膜55b。阻止膜55b由与源极电极55相同的金属材料构成。也可以不形成阻止膜61b，而在栅极绝缘膜12上形成阻止膜55b。
对在形成槽部19a的工序中使用的干蚀刻等蚀刻法而言，通常，TFT的各电极所包含的金属的蚀刻选择比高于第二绝缘膜19所包含的硅化合物和有机树脂材料的蚀刻选择比。因此，在要成为槽部19a的底部19b的位置，通过与形成TFT的源极电极55的工序同一的工序，由与源极电极55相同的材料形成阻止膜55b，由此，在蚀刻要形成槽部19a的位置时，由阻止膜55b阻止蚀刻，形成将阻止膜55b作为底部19b的槽部19a。
此外，对与第一实施方式对应的部位标注相同的附图标记，省略详细说明。
如上所述，利用本第二实施方式，通过与形成TFT的源极电极55的工序同一的工序，由与源极电极55相同的材料形成阻止膜55b，阻止膜55b成为第二绝缘膜19的槽部19a的底部19b。
因此，无需设计特别的追加工序，利用由与源极电极55的材料相同的材料形成的阻止膜55b，就能够在形成槽部19a时保留栅极绝缘膜12。
(第三实施方式)
在实施方式中利用形成在栅极绝缘膜12上的阻止膜61b阻止干蚀刻，而在第三实施方式中，阻止膜61b通过干蚀刻而被除去。
图4是示意地表示本发明第三实施方式的液晶面板结构的剖视图。
在通过干蚀刻形成槽部19a时，有蚀刻进行过度而阻止膜61b如图4所示那样发生贯通的情况。但是，由于阻止膜61b暂时阻止干蚀刻而使蚀刻的进程放缓，所以能够不使栅极绝缘膜12发生贯通。这样被保留下来的栅极绝缘膜12能够阻止污染成分向液晶层4进入。
如上所述，利用本第三实施方式，与阻止膜61b被除去无关地，即使在第一绝缘膜11的外缘部与外部空气接触的状态下，也能够利用被保留在槽部19a的下侧的栅极绝缘膜12的阻挡性，切断从外部空气通过第一绝缘膜11的外缘部和膜内并经由第二绝缘膜19的槽部19a到达液晶层4这样的污染成分的进入路径。
另外，利用第一至第三实施方式，第一绝缘膜11包含介电常数低且易于形成厚膜的SOG材料。
因此，能够减小数据信号线51和扫描信号线之间的漏电流。另外，与污染成分易于通过第一绝缘膜11进入到内部无关地，利用形成于槽部19a的下侧的栅极绝缘膜12，能够切断自外部向液晶层4的污染成分的进入路径。
另外，利用第一至第三实施方式，使TFT的栅极电极54和半导体层61之间绝缘的栅极绝缘膜12形成在第二绝缘膜19的第一绝缘膜11侧，并且覆盖TFT的半导体层61、源极电极55和漏极电极56的钝化膜13和/或有机绝缘膜14形成在第二绝缘膜19的液晶层4侧。
因此，能够利用钝化膜13和有机绝缘膜14中的至少一方及栅极绝缘膜12，使TFT的除栅极电极54以外的部分与其他电路绝缘。另外，在将栅极绝缘膜12的膜厚形成得薄的情况下，能够提高基于施加到栅极电极54的扫描信号的TFT的电流驱动能力。
另外，利用第一至第三实施方式，栅极绝缘膜12例如通过基于CVD法的通常工序来形成，是包含氮化硅、二氧化硅(SiO2)和氮氧化硅(SiON)中的至少一种的致密的膜。
因此，利用形成在槽部19a的下侧的栅极绝缘膜12，能够可靠地切断自外部向液晶层4的污染成分的进入路径。
此外，在第一至第三实施方式中，向TFT的源极电极55供给了数据信号，但也可以向TFT的漏极电极56供给数据信号且将源极电极55与像素电极57连接。另外，TFT是所谓的底栅型(逆向叠加型)，但也可以是所谓的顺向叠加型。
另外，应该认为，此次公开的实施方式中所有内容均为例示，并不是限制性的。本发明的范围并不是由上述含义来给出，而是由权利要求书的记载内容来给出，并且包含与权利要求书均等的含义和范围内的各种变更。另外，各实施方式所记载的技术特征能够互相组合。
附图标记说明
1 第一玻璃基板
11 第一绝缘膜
12 栅极绝缘膜
13 钝化膜
14 有机绝缘膜
19 第二绝缘膜
19a 槽部
19b 底部
2 第二玻璃基板
3 密封材料
4 液晶层
51 数据信号线
54 栅极电极
55 源极电极
55b 阻止膜
61、62 半导体层
61b 阻止膜

Claims (4)

1.一种液晶面板，包括：第一基板和与该第一基板对置的第二基板，在所述第一基板的第二基板侧形成的第一绝缘膜，在该第一绝缘膜的所述第二基板侧形成且由包含栅极绝缘膜的多个膜构成的第二绝缘膜，设置在该第二绝缘膜和所述第二基板之间的液晶层，包围该液晶层的外缘部的密封材料，以及由于所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜而绝缘的多个薄膜晶体管；
所述液晶面板的特征在于，
所述第二绝缘膜在比其与所述密封材料重叠的位置靠内侧的周缘部的一部分或全部形成有槽部，并且所述第一绝缘膜侧的所述栅极绝缘膜的对气体和/或液体的阻挡性比所述第一绝缘膜高，
所述槽部具有底部，所述底部由与形成所述薄膜晶体管的半导体层或者源极电极的材料相同的材料形成，
所述第一绝缘膜包含旋涂式玻璃材料。
2.一种液晶面板，包括：第一基板和与该第一基板对置的第二基板，在所述第一基板的第二基板侧形成的第一绝缘膜，在该第一绝缘膜的所述第二基板侧形成且由包含栅极绝缘膜的多个膜构成的第二绝缘膜，设置在该第二绝缘膜和所述第二基板之间的液晶层，包围该液晶层的外缘部的密封材料，以及由于所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜而绝缘的多个薄膜晶体管；
所述液晶面板的特征在于，
所述第二绝缘膜在比其与所述密封材料重叠的位置靠内侧的周缘部的一部分或全部形成有槽部，并且所述第一绝缘膜侧的所述栅极绝缘膜的对气体和/或液体的阻挡性比所述第一绝缘膜高，
所述槽部具有底部，所述底部由与形成所述薄膜晶体管的半导体层或者源极电极的材料的相同的材料形成，
所述第二绝缘膜包含：
栅极绝缘膜，形成在所述第一绝缘膜侧，使所述薄膜晶体管的栅极电极和半导体层之间绝缘；以及
钝化膜和/或有机绝缘膜，形成在所述液晶层侧，覆盖所述薄膜晶体管的所述半导体层和源极电极。
3.根据权利要求2所述的液晶面板，其特征在于，
所述栅极绝缘膜包含氮化硅、二氧化硅和氮氧化硅中的至少一种。
4.一种绝缘膜的槽部形成方法，是在液晶面板中的第二绝缘膜的液晶层侧形成所述槽部的方法，所述液晶面板包括：第一基板和与该第一基板对置的第二基板，在所述第一基板的第二基板侧形成的第一绝缘膜，在该第一绝缘膜的所述第二基板侧形成且包含多个膜的第二绝缘膜，设置在该第二绝缘膜和所述第二基板之间的液晶层，包围该液晶层的外缘部的密封材料，以及由于所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜而绝缘的多个薄膜晶体管；
所述绝缘膜的槽部形成方法的特征在于，
在形成所述薄膜晶体管的多道工序中的一部分工序中，在所述第二绝缘膜的比与所述密封材料重叠的位置靠内侧的周缘部的一部分或全部所对应的位置，形成蚀刻选择比高于所述第二绝缘膜的蚀刻阻止膜，
在所述第二绝缘膜形成后，对所述周缘部的一部分或全部进行干蚀刻，以从与所述液晶层对置的一侧形成未贯通所述第二绝缘膜的所述槽部。
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