CN105244300A - 基板处理装置和基板处理方法 - Google Patents

基板处理装置和基板处理方法 Download PDF

Info

Publication number
CN105244300A
CN105244300A CN201510394284.1A CN201510394284A CN105244300A CN 105244300 A CN105244300 A CN 105244300A CN 201510394284 A CN201510394284 A CN 201510394284A CN 105244300 A CN105244300 A CN 105244300A
Authority
CN
China
Prior art keywords
treatment solution
substrate
area
treatment
vibrator
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201510394284.1A
Other languages
English (en)
Other versions
CN105244300B (zh
Inventor
金钟翰
朱润钟
金裕桓
李吉
李成洙
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Semes Co Ltd
Original Assignee
Semes Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Semes Co Ltd filed Critical Semes Co Ltd
Publication of CN105244300A publication Critical patent/CN105244300A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN105244300B publication Critical patent/CN105244300B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041Cleaning
    • H01L21/02057Cleaning during device manufacture
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08CLEANING
    • B08BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/02Cleaning by the force of jets or sprays
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05BSPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B13/00Machines or plants for applying liquids or other fluent materials to surfaces of objects or other work by spraying, not covered by groups B05B1/00 - B05B11/00
    • B05B13/02Means for supporting work; Arrangement or mounting of spray heads; Adaptation or arrangement of means for feeding work
    • B05B13/0221Means for supporting work; Arrangement or mounting of spray heads; Adaptation or arrangement of means for feeding work characterised by the means for moving or conveying the objects or other work, e.g. conveyor belts
    • B05B13/0242Means for supporting work; Arrangement or mounting of spray heads; Adaptation or arrangement of means for feeding work characterised by the means for moving or conveying the objects or other work, e.g. conveyor belts the objects being individually presented to the spray heads by a rotating element, e.g. turntable
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05BSPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B17/00Apparatus for spraying or atomising liquids or other fluent materials, not covered by the preceding groups
    • B05B17/04Apparatus for spraying or atomising liquids or other fluent materials, not covered by the preceding groups operating with special methods
    • B05B17/06Apparatus for spraying or atomising liquids or other fluent materials, not covered by the preceding groups operating with special methods using ultrasonic or other kinds of vibrations
    • B05B17/0607Apparatus for spraying or atomising liquids or other fluent materials, not covered by the preceding groups operating with special methods using ultrasonic or other kinds of vibrations generated by electrical means, e.g. piezoelectric transducers
    • B05B17/0638Apparatus for spraying or atomising liquids or other fluent materials, not covered by the preceding groups operating with special methods using ultrasonic or other kinds of vibrations generated by electrical means, e.g. piezoelectric transducers spray being produced by discharging the liquid or other fluent material through a plate comprising a plurality of orifices
    • B05B17/0646Vibrating plates, i.e. plates being directly subjected to the vibrations, e.g. having a piezoelectric transducer attached thereto
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67023Apparatus for fluid treatment for general liquid treatment, e.g. etching followed by cleaning
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles

Abstract

本发明提供了基板处理装置和基板处理方法。所述基板处理装置包括壳体、旋转头、注射部和控制器,所述壳体提供了用于处理基板的内部空间,所述旋转头用于在所述壳体内支撑所述基板且使所述基板旋转,所述注射部包括第一喷嘴构件,所述第一喷嘴构件用于将第一处理溶液喷射到安置于所述旋转头上的所述基板上,并且所述控制器用于控制所述第一喷嘴构件。所述第一喷嘴构件包括主体、振动器、泵和电源。所述基板处理方法包括:当利用所述第一喷嘴构件喷射所述第一处理溶液时,在使所述振动器运行之后,操作所述泵以将所述第一处理溶液供应到所述主体中。本发明能够提高清洁效率。

Description

基板处理装置和基板处理方法
技术领域
本发明涉及基板处理装置和使用该基板处理装置的基板处理方法。
背景技术
在制造半导体装置或液晶显示装置时,要执行各种各样的工艺(例如,光刻、蚀刻、灰化(ashing)、离子注入和沉积工艺)。为了除去上述各工艺中所生成的副产物和/或粒子,在上述各工艺之前或之后都要执行清洁工艺。
为了除去残留于基板上的副产物和/或粒子,可以通过喷吹化学品、混有气体的处理溶液、或被提供有振动的处理溶液来执行所述清洁工艺。
利用了振动的处理溶液喷射方法可以具有能够不同地调节所述处理溶液的粒度(particlesize)的优点。具有经过调节的粒度的所述处理溶液可以减弱残留于基板上的副产物和/或粒子的附着力或可以除去所述副产物和/或粒子。然而,如果所述处理溶液的液滴具有不规则的大小,那么基板的图案可能会受损。
发明内容
本发明的各实施例都可以提供能够提高清洁效率的基板处理装置。
在一个方面,所述基板处理装置可以包括壳体、旋转头、注射部和控制器。所述壳体提供了用于处理基板的内部空间,所述旋转头在所述壳体内支撑所述基板且使所述基板旋转,所述注射部包括第一喷嘴构件,所述第一喷嘴构件将第一处理溶液喷射到安置于所述旋转头上的所述基板上,所述控制器控制所述第一喷嘴构件。所述第一喷嘴构件可以包括主体、振动器、泵和电源。所述主体包括注射流体通道和第一排放口,所述第一处理溶液在所述注射流体通道中流动,所述第一排放口被连接至所述注射流体通道以便喷射所述第一处理溶液。所述振动器被安装在所述主体内,所述振动器向在所述注射流体通道中流动的所述第一处理溶液提供振动。所述泵将所述第一处理溶液压入到所述主体中以便供应所述第一处理溶液。所述电源被连接至所述振动器以便使所述振动器运行。当利用所述第一喷嘴构件喷射所述第一处理溶液时,所述控制器可以在控制了用来使所述振动器运行的所述电源之后,操作所述泵以便供应所述第一处理溶液。
在一个实施例中,如果所述第一处理溶液的供应已经完成,那么所述控制器可以中断所述泵以消除由所述第一处理溶液在所述第一喷嘴构件中造成的压力,然后可以关闭所述电源。
在一个实施例中,所述注射部可以还包括第二喷嘴构件,所述第二喷嘴构件将第二处理溶液喷射到所述基板上。
在一个实施例中,所述注射流体通道可以包括第一区域和第二区域,当从平面图观察时,所述第一区域和所述第二区域均具有环形形状,并且所述第一区域的半径可以大于所述第二区域的半径。
在一个实施例中,所述第一排放口可以包括被设置于所述第一区域中的多个第一排放口和被设置于所述第二区域中的多个第一排放口。当从平面图观察时,所述第一区域的所述多个第一排放口可以沿着所述第一区域被布置在一条线上,并且当从平面图观察时,所述第二区域的所述多个第一排放口可以沿着所述第二区域被布置在两条线上。
在一个实施例中,所述第一处理溶液可以包括清洁溶液,且所述第二处理溶液可以包括氨水和过氧化氢。
在另一方面,本发明的使用上述基板处理装置的基板处理方法可以包括:当利用所述第一喷嘴构件喷射所述第一处理溶液时,在使所述振动器运行之后,操作所述泵以将所述第一处理溶液供应到所述主体中。
附图说明
根据附图和随附的详细说明,能够更清晰地理解本发明。
图1是图示了根据本发明示例性实施例的基板处理设备的平面图。
图2是图示了根据本发明示例性实施例的图1中的基板处理装置的剖面图。
图3是图示了图2中的第一喷嘴构件的剖面图。
图4是图示了图3中的第一喷嘴构件的仰视图。
图5是图示了常规的压力和输出功率的曲线图。
图6是图示了根据本发明示例性实施例的压力和输出功率的曲线图。
具体实施方式
下文中,将会参照示出了本发明示例性实施例的附图,来更加充分地说明本发明。根据下面的将会参照附图而更详细地说明的示例性实施例,本发明的优点和特征以及用于实现本发明的方法将变得更清晰。然而,应当注意的是,本发明不局限于下面的示例性实施例,且可以以各种各样的形式而被实施。因此,提供这些示例性实施例只是为了公开本发明且让本领域技术人员知晓本发明的范畴。在附图中,本发明的实施例不局限于这里所提供的具体示例,且为了清楚起见而进行了放大。
这里所使用的术语仅仅是为了说明特定的实施例且并不是意图限制本发明。如这里所使用的,单数名词“一个”和“所述”旨在也涵盖了复数形式,除非上下文中清楚地表明了其他意思。如这里所使用的,词语“和/或”包括相关的所列项目之中的一者或多者的任意组合和全部组合。需要理解的是,当一个元件被称为“被连接”或“被接合”至另一个元件时,它可以被直接地连接或接合至所述另一个元件,或可以存在着中间元件。
同样地,需要理解的是,当诸如层、区域或基板等元件被称为处于另一个元件“上”时,它可以直接地位于所述另一个元件上,或可以存在着中间元件。相比之下,词语“直接地”意味着没有中间元件。还应当理解的是,当这里使用了词语“包括”、“具有”、“包含”和/或“含有”时,这些词语表明了存在着所陈述的特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件,但是不排除可以存在或添加有一个或多个其他的特征、整体、步骤、操作、元件、部件和/或它们的组合。
此外,将会以剖面图作为本发明的理想示范图来说明具体实施方式中的实施例。因此,示范图中的形状可以根据制造技术和/或容许误差而被修改。因而,本发明的实施例不局限于示范图中所图示的具体形状,而是可以包含根据制造工艺而创建出来的其他形状。附图中作为举例而给出的区域具有一般性,且被用来绘制出元件的具体形状。因此,这不应该被解释为是对本发明的范围进行限制。
还应当理解的是,虽然这里可能会使用词语“第一”、“第二”、“第三”等等来说明各种各样的元件,但是这些元件不应当被这些词语限制。这些词语只被用来使一个元件与另一个元件区分开。因此,在不背离本发明的教导的前提下,某些实施例中的第一元件可能会在其他实施例中被称为第二元件。这里所解释和图示的本发明各方面的示例性实施例包括它们的互补对应物。相同的附图标记或相同的参考标号表示整个说明书中的相同元件。
此外,这里将会参照作为理想化示范图的剖面图和/或平面图来说明示例性实施例。因此,由于例如制造技术和/或公差而引起的图中所示形状的变动是可以预料到的。因而,示例性实施例不应该被解释为是对这里所图示的区域的形状进行限制,而是应当涵盖了由于例如制造业而引起的形状偏差。例如,被图示为矩形的蚀刻区域通常会具有圆形化或弧形化的特征。因而,附图中所图示的区域本质上是示意性的,且它们的形状不是意图绘制出该装置中的区域的真实形状,也不是意图限制示例性实施例的范围。
以下,将参照图1至图6详细地说明本发明的示例性实施例。
图1是图示了根据本发明示例性实施例的基板处理设备的平面图。参照图1,基板处理设备1可以包含导引模块(indexmodule)10和工艺处理模块20。导引模块10可以包含装载端口120和传送框架140。装载端口120、传送框架140和工艺处理模块20可以依次排布在一条线上。在下文中,装载端口120、传送框架140和工艺处理模块20的排布方向可以被定义为第一方向12,当从平面图观看时与第一方向12垂直的方向可以被定义为第二方向14,且与由第一方向12和第二方向14界定的平面垂直的方向可以被定义为第三方向16。
用于接纳基板W的载物台130可以被稳妥地安置于装载端口120上。装载端口120可以被设置为多个,且所述多个装载端口可以沿着第二方向14被布置在一条线上。装载端口120的数量可以根据工艺处理模块20的工艺效率和占地条件(footprintcondition)而被增多或减少。在载物台130中可以以下列方式形成有多个用于接纳基板W的插槽(未图示),该方式是:被接纳于所述插槽中的基板W相对于地面呈水平状安置着。前开式晶圆传送盒(FOUP:frontopeningunifiedpod)可以被用作载物台130。
工艺处理模块20可以包含缓冲部220、传送室240和工艺室260。传送室240可以被设置成使它的纵长方向平行于第一方向12。工艺室260可以被布置在传送室240的两侧。分别被设置于传送室240的一侧和另一侧的工艺室260可以是关于传送室240而对称的。在传送室240的每一侧都可以设置有多个工艺室260。一些工艺室260可以沿着传送室240的纵长方向而被布置着。此外,一些工艺室260可以依次堆叠着。换言之,在传送室240的每一侧,工艺室260可以被布置成A×B矩阵。这里,“A”表示沿着第一方向12被布置在一条线上的工艺室260的数量,且“B”表示沿着第三方向16被布置在一条线上的工艺室260的数量。当在传送室240的每一侧设置有四个或六个工艺室260时,工艺室260可以被布置成2×2矩阵或3×2矩阵。工艺室260的数量可以增多或减少。在其他实施例中,工艺室260可以只被设置于传送室240的一侧。在另外的其他实施例中,在传送室240的一侧或两侧,工艺室260可以被布置成单层。
缓冲部220可以被设置于传送框架140与传送室240之间。缓冲部220可以提供一个空间,基板W在被传送于传送室240与传送框架140之间以前可以停留在该空间内。用于放置基板W的插槽(未图示)可以被设置于缓冲部220中。在缓冲部220中所述插槽可以被设置为多个,且缓冲部220中的插槽可以沿着第三方向16而彼此隔开。缓冲部220可以具有面向传送框架140的开口侧和面向传送室240的开口侧。
传送框架140可以使基板W在缓冲部220与被稳妥地安置于装载端口120上的载物台130之间传送。导引轨道142和导引机械手144可以被设置于传送框架140中。导引轨道142可以被设置成使得它的纵长方向平行于第二方向14。导引机械手144可以被安装在导引轨道142上,且可以沿着导引轨道142而在第二方向14上线性地移动。导引机械手144可以包含基座144a、主体144b和导引臂144c。基座144a可以被安装成能够沿着导引轨道142而移动。主体144b可以被接合至基座144a。主体144b可以被设置成能够沿着第三方向16而在基座144a上移动。此外,主体144b可以被设置成能够在基座144a上旋转。导引臂144c可以被接合至主体144b,且使得导引臂144c能够相对于主体144b而前后移动。导引臂144c可以被设置为多个,且所述多个导引臂144c可以彼此独立地被驱动。导引臂144c可以在第三方向16上依次堆叠着且彼此隔开。导引臂144c中的至少一者可以被用来将基板W从工艺处理模块20传送至载物台130,且导引臂144c中的至少另一者可以被用来将基板W从载物台130传送至工艺处理模块20,由此防止了当利用导引机械手114把没有经受处理工艺的基板W载入或取出时从该基板W生成的粒子附着到该基板W上。
传送室240可以使基板W在缓冲部220与工艺室260之间和在工艺室260之间传送。导轨242和主机械手244可以被设置于传送室240中。导轨242可以被设置成使得它的纵长方向平行于第一方向12。主机械手244可以被安装在导轨242上,且可以在导轨242上沿第一方向12线性地移动。主机械手244可以包含基座244a、主体244b和主臂244c。基座244a可以被安装成能够沿着导轨242移动。主体244b可以被接合至基座244a。主体244b可以被设置成能够沿着第三方向16而在基座244a上移动。此外,主体244b可以被设置成能够在基座244a上旋转。主臂244c可以被接合至主体244b,且使得主臂244c能够相对于主体244b而前后移动。主臂244c可以被设置为多个,且所述多个主臂244c可以彼此独立地被驱动。主臂244c可以在第三方向16上依次堆叠着且彼此隔开。
用来清洁基板W的基板处理装置300可以被设置于每个工艺室260中。基板处理装置300可以根据清洁工艺的种类而具有不同的结构。或者,各工艺室260中的基板处理装置300可以具有相同的结构。可选地,工艺室260可以被划分为多个组。在这种情况下,处于同一组中的基板处理装置300可以具有相同的结构,且被分别包含于不同组中的基板处理装置300可以具有互不相同的结构。
图2是图示了根据本发明示例性实施例的图1中的基板处理装置的剖面图。参照图2,基板处理装置300可以包含壳体320、旋转头340、升降部360和注射部380。壳体320可以具有用于执行基板处理工艺的空间,且壳体320的顶端可以是敞开的。壳体320可以包括内收集容器322、中间收集容器324和外收集容器326。收集容器322、324和326可以分别收集在工艺中所使用的不同的处理溶液。内收集容器322可以具有围绕着旋转头340的环形形状,中间收集容器324可以具有围绕着内收集容器322的环形形状,且外收集容器326可以具有围绕着中间收集容器324的环形形状。内收集容器322的内部空间322a、内收集容器322与中间收集容器324之间的空间324a、以及中间收集容器324与外收集容器326之间的空间326a可以还用作收集容器322、324和326的让处理溶液流入的入口。收集管线322b、324b和326b可以分别连接至收集容器322、324和326的底面。收集管线322b、324b和326b可以分别从收集容器322、324和326的底面向下延伸。通过收集容器322、324和326而被提供过来的处理溶液可以通过收集管线322b、324b和326b而被排出。排出的处理溶液可以通过外部的处理溶液回收系统(未图示)而被重复使用。
旋转头340可以在工艺期间内支撑基板W且使基板W旋转。旋转头340可以包括主体342、支撑销344、卡盘销(chuckpin)346和支撑轴杆348。当从平面图观察时,主体342可以具有大致呈圆形的顶面。支撑轴杆348能够借助于电机349而被旋转,且支撑轴杆348可以被固定地连接至主体342的底面。
支撑销344可以被设置为多个。各支撑销344可以按预定间距而被布置于主体342的顶面的边缘部分上,且可以从主体342的顶面向上突出。这些支撑销344可以以环形的形式而被布置着。支撑销344可以支撑基板W的底面的边缘部分,以使得基板W可以与主体342的顶面隔开预定的距离。
卡盘销346可以被设置为多个。卡盘销346可以被设置成使得它比支撑销344离主体342的中心更远。卡盘销346可以从主体342的顶面突出。当旋转头340被旋转时,卡盘销346可以支撑基板W的侧壁,以便防止基板W从给定位置向横向方向偏移。卡盘销346能够沿着主体342的半径方向在待料位置与支撑位置之间线性地移动。待料位置与主体342的中心之间的距离可以大于支撑位置与主体342的中心之间的距离。当将基板W装载到旋转头340上或从旋转头340上卸载时,卡盘销346可以被置于待料位置。当执行基板处理工艺时,卡盘销346可以被置于支撑位置。卡盘销346可以在支撑位置处接触到基板W的侧壁。
壳体320能够借助于升降部360而沿上下方向线性地移动。可以使壳体320沿上下方向移动,从而改变壳体320相对于旋转头340的相对高度。升降部360可以包括支架362、移动轴杆364和驱动部366。支架362可以被固定地安装在壳体320的外侧壁上,且移动轴杆364可以被固定地安装在支架362上。移动轴杆364能够借助于驱动部366而沿上下方向移动。当将基板W安放于旋转头340上或从旋转头340上提起时,壳体320可以下降以使得旋转头340能够从壳体320中向上突出。而且,可以在工艺中调节壳体320的高度,以便把被供应至基板W的处理溶液提供到对应的、根据处理溶液的种类而预先规定的收集容器322、324或326中。在其他实施例中,升降部360可以使旋转头340沿上下方向移动。
注射部380可以将处理溶液供应到基板W上。注射部380可以提供各种各样的处理溶液。或者,注射部380可以被设置为多个,以在各种各样的方法中提供同一种类的处理溶液。注射部380可以包括支撑轴杆386、喷嘴臂382、第一喷嘴构件400、清洁构件(未图示)和第二喷嘴构件480。支撑轴杆386可以具有棒状形状,该棒状形状的纵长方向平行于上下方向。支撑轴杆386可以借助于驱动构件388而发生转动和发生垂直移动。或者,支撑轴杆386可以借助于驱动构件388而沿直线发生水平移动和发生垂直移动。喷嘴臂382可以被固定地接合至支撑轴杆386的顶端。喷嘴臂382可以支撑第一喷嘴构件400和第二喷嘴构件480。第一喷嘴构件400和第二喷嘴构件480可以被安置于喷嘴臂382的末端。例如,第二喷嘴构件480可以比第一喷嘴构件400更靠近喷嘴臂382的所述末端。所述清洁构件可以清洁第一喷嘴构件400。所述清洁构件可以被设置于壳体320中。当第一喷嘴构件400将第一处理溶液排放到基板W上时,控制器500可以将第一喷嘴构件400置于基板W上方的排放位置。另一方面,在第一处理溶液的排放已经完成之后,控制器500可以将第一喷嘴构件400置于溶液浴(未图示)内的清洁位置。
图3是图示了图2中的第一喷嘴构件400的剖面图。图4是图示了图3中的第一喷嘴构件400的仰视图。当从平面图观察时,第一喷嘴构件400可以具有圆形形状。参照图2、图3和图4,第一喷嘴构件400可以利用喷墨方法来喷射第一处理溶液。第一喷嘴构件400可以包括主体410和430、振动器436、处理溶液供给管线450以及处理溶液收集管线460。第一喷嘴构件400可以由控制器500控制。主体410和430可以具有底板410和顶板430。底板410可以具有圆柱形形状。用于让第一处理溶液在其内流动的注射流体通道412可以被形成于底板410中。注射流体通道412可以将流入流体通道432连接至收集流体通道434。用于喷射第一处理溶液的多个第一排放口414可以被形成于底板410的底面中。每个第一排放口414可以被连接至注射流体通道412。第一排放口414可以是细孔。注射流体通道412可以包括第一区域412b、第二区域412c和第三区域412a。当从平面图观察时,第一区域412b和第二区域412c可以具有环形形状。这里,第一区域412b的半径可以大于第二区域412c的半径。第一区域412b的第一排放口414可以沿着第一区域412b被布置在一条线上。第二区域412c的第一排放口414可以沿着第二区域412c被布置在两条线上。第三区域412a可以将第一区域412b和第二区域412c连接至流入流体通道432。此外,第三区域412a还可以将第一区域412b和第二区域412c连接至收集流体通道434。例如,如图4所示,第三区域412a可以从流入流体通道432或收集流体通道434经过第一区域412b而延伸至第二区域412c。顶板430可以具有圆柱形形状,该圆柱形形状的直径等于底板410的直径。顶板430可以与底板410的顶面固定地结合在一起。流入流体通道432和收集流体通道434被形成于顶板430内。流入流体通道432和收集流体通道434可以利用第三区域412a而被连接至注射流体通道412的第二区域412c。流入流体通道432可以起到入口的作用,第一处理溶液能够在该入口处流入;并且收集流体通道434可以起到出口的作用,第一处理溶液能够从该出口处被收集。流入流体通道432和收集流体通道434可以被设置成彼此面对,且第一喷嘴构件400的中心介于它们两者之间。
振动器436可以被设置于顶板430内。当从平面图观察时,振动器436可以具有圆板形状。例如,振动器436可以具有与第一区域412b的直径相同的直径。或者,振动器436的直径可以大于第一区域412b的直径且小于顶板430的直径。振动器436可以电连接至被设置于第一喷嘴构件400外面的电源438。振动器436可以对被喷射的第一处理溶液提供振动,以便控制第一处理溶液的粒度和速度。在某些实施例中,振动器436可以是压电器件。第一处理溶液可以是清洁溶液。例如,第一处理溶液可以包括电解离子水。第一处理溶液可以包括下列中的至少一种:氢水、氧水、臭氧水。在其他实施例中,第一处理溶液可以是纯水(例如,去离子水)。
处理溶液供给管线450可以将第一处理溶液供应到流入流体通道432中,且处理溶液收集管线460可以从收集流体通道434收集第一处理溶液。处理溶液供给管线450可以被连接至流入流体通道432,且处理溶液收集管线460可以被连接至收集流体通道434。泵452和供给阀454可以被安装在处理溶液供给管线450上。收集阀462可以被安装在处理溶液收集管线460上。泵452可以对从处理溶液供给管线450向流入流体通道432供应的第一处理溶液施加压力。泵452可以被操作从而将第一处理溶液供应到主体410和430中。供给阀454可以打开和关闭处理溶液供给管线450。收集阀462可以打开和关闭处理溶液收集管线460。在某些实施例中,收集阀462可以在工艺的等待状态下打开处理溶液收集管线460,且因此,第一处理溶液可以通过处理溶液收集管线460而被收集,但是不可以通过第一排放口414而被排放。另一方面,收集阀462可以在工艺期间内关闭处理溶液收集管线460。因此,注射流体通道412可以充满第一处理溶液,以便增大注射流体通道412的内部压力,且当向振动器436施加了电压时,第一处理溶液就可以通过第一排放口414而被喷射。
图5是图示了常规的压力和输出功率的曲线图。图6是图示了根据本发明示例性实施例的压力和输出功率的曲线图。以下,将参照图5和图6来说明利用控制器500来控制第一喷嘴构件400的过程。控制器500控制第一喷嘴构件400。第一喷嘴构件400可以利用注射方法来排放第一处理溶液。这时,第一处理溶液的液滴受到由振动器436的振动所产生的输出功率和第一处理溶液的对主体410和430起作用的压力的影响。例如,控制器500可以控制泵452和电源438的操作及操作顺序。例如,当第一处理溶液被供应给第一喷嘴构件400时,控制器500可以操作电源438以使振动器436正常地工作,然后控制器500可以操作泵以供应第一处理溶液。如果第一处理溶液的供应已经完成,那么控制器500可以中断泵452以便消除由第一处理溶液对第一喷嘴构件400造成的压力,然后控制器500可以中断电源438。
在利用第一喷嘴构件400供应第一处理溶液的常规方法中,可能会在用泵452供应第一处理溶液之后才打开振动器436的电源438。因此,如图5所示,在振动器436的输出功率被应用之前,由第一处理溶液造成的压力就起作用了;且在由第一处理溶液造成的压力消失之前,振动器436的输出功率就消失了。换言之,在振动器436发生振动之前就已经开始利用泵452排放第一处理溶液了。如果在振动器436的振动之前就排放第一处理溶液,那么第一处理溶液的液滴可能会是不规则地排放的。例如,可能排放出大的液滴或者可能同时排放出多个液滴。此外,如果在振动器436的电源438被中断之后才中断泵452,那么也可能排出不规则的液滴。液滴的能量会随着液滴尺寸的增大而增加。因此,被供给到基板上的液滴可能会损坏该基板的图案。然而,根据本发明的实施例,控制器500可以控制电源438,以使得:当第一处理溶液被供应给喷嘴构件400时,在泵452的操作之前先使振动器436运行。在振动器436被运行之后,控制器500可以控制泵452以使得第一处理溶液被供应到主体410和430中。在第一处理溶液的供应已经完成之后,控制器500可以中断泵452以便中止第一处理溶液的供应。因此,可以消除第一处理溶液的压力。随后,控制器500可以中断电源438。结果,就能够使由于液滴而造成的对基板W的损坏最小化。
再次参照图2,第二喷嘴构件480可以将第二处理溶液供应到基板W上。当第一喷嘴构件400供应第一处理溶液时,第二喷嘴构件480可以供应第二处理溶液。这时,第二喷嘴构件480可以在利用第一喷嘴构件480开始第一处理溶液的供应之前供应第二处理溶液。例如,可以利用滴落方法来喷射第二处理溶液。第二喷嘴构件480可以围绕着第一喷嘴构件400的一部分。第二喷嘴构件480可以比第一喷嘴构件400更邻近于喷嘴臂382的一端。第二喷嘴构件480可以具有第二排放口(未图示),该第二排放口将第二处理溶液垂直地排放到基板W的顶面。当从平面图观察时,第二喷嘴构件480可以具有围绕着第一喷嘴构件400的弧形形状。从第二喷嘴构件480的一端到另一端的直线距离可以大于第一喷嘴构件400的直径。这时,第一喷嘴构件400可以与第二喷嘴构件480同心。第二处理溶液可以是保护溶液。例如,第二处理溶液可以包括氨水和过氧化氢。第二处理溶液可以在基板W上形成液体层,且该液体层可以缓解第一处理溶液的会影响到基板W的冲击。因此,就能够防止基板W的图案因第一处理溶液而发生倾斜。在其他实施例中,第二处理溶液可以是纯水(例如,去离子水)。第二排放口(未图示)可以具有单槽形状。或者,第二排放口可以包括多个圆形排放孔。第二喷嘴构件480可以向基板W的第一区域提供第二处理溶液,该第一区域邻近于基板W的被提供第一处理溶液的第二区域。第一区域可以比第二区域更靠近基板W的中心区域。在其他实施例中,第二喷嘴构件480可以具有棒状形状,而不是弧形形状。
上述的基板处理装置除了可以用于基板清洁工艺中之外还可以用于各种各样的工艺中。例如,该基板处理装置可以被用于蚀刻工艺中。此外,该基板处理装置还可以包括额外的冲洗溶液构件。在上述的基板处理装置中,第二喷嘴构件具有围绕着第一喷嘴构件的所述一部分的形状。然而,本发明不局限于此。在其他实施例中,第二喷嘴构件可以具有另一种形状。
根据本发明的上述各实施例,能够提高基板处理装置的清洁效率。
虽然已经参照示例性实施例而说明了本发明,但是对本领域技术人员来说显而易见的是,在不脱离本发明的要旨和范围的情况下,可以做出各种各样的改变和修改。因此,应当理解的是,上述各实施例不是限制性的,而是说明性的。因此,本发明的范围将会由随附的权利要求及它们的等同物的最宽可准许解释来确定,且不会受到前述说明的限制或限定。

Claims (9)

1.一种基板处理装置,其包括:
壳体,所述壳体提供了用于处理基板的内部空间;
旋转头,所述旋转头在所述壳体内支撑所述基板且使所述基板旋转;
注射部,所述注射部包括第一喷嘴构件,所述第一喷嘴构件将第一处理溶液喷射到安置于所述旋转头上的所述基板上;以及
控制器,所述控制器控制所述第一喷嘴构件,
其中所述第一喷嘴构件包括:
主体,所述主体包括注射流体通道和第一排放口,所述第一处理溶液在所述注射流体通道中流动,所述第一排放口被连接至所述注射流体通道以喷射所述第一处理溶液;
振动器,所述振动器被安装在所述主体内,所述振动器向在所述注射流体通道中流动的所述第一处理溶液提供振动;
泵,所述泵将所述第一处理溶液压入到所述主体中以供应所述第一处理溶液;以及
电源,所述电源被连接至所述振动器以使所述振动器运行,
并且其中当利用所述第一喷嘴构件喷射所述第一处理溶液时,在控制了用来使所述振动器运行的所述电源之后,所述控制器操作所述泵以供应所述第一处理溶液。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置,其中如果所述第一处理溶液的供应已经完成,那么所述控制器中断所述泵以消除由所述第一处理溶液在所述第一喷嘴构件中造成的压力,然后关闭所述电源。
3.根据权利要求2所述的基板处理装置,其中所述注射部还包括第二喷嘴构件,所述第二喷嘴构件将第二处理溶液喷射到所述基板上。
4.根据权利要求3所述的基板处理装置,其中
所述注射流体通道包括第一区域和第二区域,当从平面图观察时,所述第一区域和所述第二区域均具有环形形状,并且
所述第一区域的半径大于所述第二区域的半径。
5.根据权利要求4所述的基板处理装置,其中
当从平面图观察时,所述第一区域的所述第一排放口沿着所述第一区域被布置在一条线上,并且
当从平面图观察时,所述第二区域的所述第一排放口沿着所述第二区域被布置在两条线上。
6.根据权利要求3至5中任一项所述的基板处理装置,其中
所述第一处理溶液包括清洁溶液,并且
所述第二处理溶液包括氨水和过氧化氢。
7.一种基板处理方法,其使用权利要求1中所述的基板处理装置来处理基板,所述基板处理方法包括:
当利用所述第一喷嘴构件喷射所述第一处理溶液时,在使所述振动器运行之后,操作所述泵以将所述第一处理溶液供应到所述主体中。
8.根据权利要求7所述的基板处理方法,其还包括:如果所述第一处理溶液的供应已经完成,那么在中断所述泵以消除由所述第一处理溶液在所述第一喷嘴构件中造成的的压力之后,关闭所述电源。
9.根据权利要求8所述的基板处理方法,其中所第一喷嘴构件利用喷墨方法来喷射所述第一处理溶液。
CN201510394284.1A 2014-07-07 2015-07-07 基板处理装置和基板处理方法 Active CN105244300B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020140084394A KR101658969B1 (ko) 2014-07-07 2014-07-07 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR10-2014-0084394 2014-07-07

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN105244300A true CN105244300A (zh) 2016-01-13
CN105244300B CN105244300B (zh) 2020-10-30

Family

ID=55016361

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201510394284.1A Active CN105244300B (zh) 2014-07-07 2015-07-07 基板处理装置和基板处理方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US10357806B2 (zh)
KR (1) KR101658969B1 (zh)
CN (1) CN105244300B (zh)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107774464A (zh) * 2016-08-24 2018-03-09 株式会社斯库林集团 泵装置及基板处理装置
CN109801857A (zh) * 2017-11-17 2019-05-24 三星电子株式会社 旋涂机以及具有该旋涂机的基板处理设备和系统
CN111199892A (zh) * 2018-11-20 2020-05-26 细美事有限公司 键合装置及键合方法
CN114093738A (zh) * 2020-08-24 2022-02-25 细美事有限公司 基板处理设备、离子注入设备和离子注入方法

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101641948B1 (ko) 2015-01-28 2016-07-25 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 처리액 노즐
KR102655947B1 (ko) * 2020-09-03 2024-04-11 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
CN114950820A (zh) * 2022-05-31 2022-08-30 杭州正德标识有限公司 一种用于标牌生产的自动生产线

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101890431A (zh) * 2010-07-30 2010-11-24 东北大学 制备金属板带的连续流变成形装置
US20120222707A1 (en) * 2011-03-01 2012-09-06 Masanobu Sato Nozzle, substrate processing apparatus, and substrate processing method
CN103021810A (zh) * 2008-08-29 2013-04-03 大日本网屏制造株式会社 基板清洗方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3511514B2 (ja) * 2001-05-31 2004-03-29 エム・エフエスアイ株式会社 基板浄化処理装置、ディスペンサー、基板保持機構、基板の浄化処理用チャンバー、及びこれらを用いた基板の浄化処理方法
US7228645B2 (en) * 2005-01-11 2007-06-12 Xuyen Ngoc Pham Multi-zone shower head for drying single semiconductor substrate
KR100793173B1 (ko) * 2006-12-29 2008-01-10 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR100947480B1 (ko) * 2007-10-08 2010-03-17 세메스 주식회사 스핀 헤드 및 이에 사용되는 척 핀, 그리고 상기 스핀헤드를 사용하여 기판을 처리하는 방법
KR20090125484A (ko) 2008-06-02 2009-12-07 세메스 주식회사 기판 세정 장치 및 방법
JP4853537B2 (ja) * 2009-03-13 2012-01-11 東京エレクトロン株式会社 現像装置、現像方法及び記憶媒体
KR20120092974A (ko) 2011-02-14 2012-08-22 서울대학교산학협력단 히트펌프 시스템 및 그 제어방법
JP5701645B2 (ja) * 2011-03-01 2015-04-15 株式会社Screenホールディングス ノズル、基板処理装置、および基板処理方法
US20130052360A1 (en) * 2011-08-30 2013-02-28 Tadashi Maegawa Substrate processing apparatus, substrate processing method, and nozzle
KR101536722B1 (ko) * 2012-11-06 2015-07-15 세메스 주식회사 기판처리방법

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103021810A (zh) * 2008-08-29 2013-04-03 大日本网屏制造株式会社 基板清洗方法
CN101890431A (zh) * 2010-07-30 2010-11-24 东北大学 制备金属板带的连续流变成形装置
US20120222707A1 (en) * 2011-03-01 2012-09-06 Masanobu Sato Nozzle, substrate processing apparatus, and substrate processing method

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107774464A (zh) * 2016-08-24 2018-03-09 株式会社斯库林集团 泵装置及基板处理装置
CN107774464B (zh) * 2016-08-24 2020-07-10 株式会社斯库林集团 泵装置及基板处理装置
US10790165B2 (en) 2016-08-24 2020-09-29 SCREEN Holdings Co., Ltd. Pump apparatus and substrate treating apparatus
CN109801857A (zh) * 2017-11-17 2019-05-24 三星电子株式会社 旋涂机以及具有该旋涂机的基板处理设备和系统
CN109801857B (zh) * 2017-11-17 2023-12-01 三星电子株式会社 旋涂机以及具有该旋涂机的基板处理设备和系统
CN111199892A (zh) * 2018-11-20 2020-05-26 细美事有限公司 键合装置及键合方法
CN111199892B (zh) * 2018-11-20 2023-08-18 细美事有限公司 键合装置及键合方法
CN114093738A (zh) * 2020-08-24 2022-02-25 细美事有限公司 基板处理设备、离子注入设备和离子注入方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20160001332A1 (en) 2016-01-07
CN105244300B (zh) 2020-10-30
KR20160005826A (ko) 2016-01-18
US10357806B2 (en) 2019-07-23
KR101658969B1 (ko) 2016-09-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105244300A (zh) 基板处理装置和基板处理方法
KR101536722B1 (ko) 기판처리방법
KR101842128B1 (ko) 노즐, 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR101329319B1 (ko) 노즐 및 이를 갖는 기판처리장치
KR101344930B1 (ko) 기판처리장치
KR101933080B1 (ko) 기판 처리 장치, 공정 유체 처리기 및 오존 분해 방법
KR102012207B1 (ko) 액 공급 유닛 및 이를 가지는 기판 처리 장치
KR102262110B1 (ko) 분사유닛 및 기판 처리 장치
KR101870664B1 (ko) 기판처리장치
KR20160008720A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102358031B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR102121239B1 (ko) 기판처리장치 및 방법
KR101654623B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 세정 방법
KR20140144799A (ko) 기판처리장치
KR102250359B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR20160141249A (ko) 노즐, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR101641948B1 (ko) 기판 처리 장치 및 처리액 노즐
KR20140090588A (ko) 기판 처리 방법
KR20140144800A (ko) 기판처리장치
JP5832826B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
KR102422256B1 (ko) 검사 유닛 및 검사 방법, 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR102239785B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR102250358B1 (ko) 분사 유닛 및 기판 처리 장치
KR102250360B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR101885566B1 (ko) 진동 소자, 그 제조 방법, 그리고 그를 포함하는 기판 처리 장치

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant